JP2003124779A - 圧電振動子、圧電振動部品及びそれらの製造方法 - Google Patents

圧電振動子、圧電振動部品及びそれらの製造方法

Info

Publication number
JP2003124779A
JP2003124779A JP2001318692A JP2001318692A JP2003124779A JP 2003124779 A JP2003124779 A JP 2003124779A JP 2001318692 A JP2001318692 A JP 2001318692A JP 2001318692 A JP2001318692 A JP 2001318692A JP 2003124779 A JP2003124779 A JP 2003124779A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
vibrating
piezoelectric vibrator
electrode
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001318692A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3922428B2 (ja
Inventor
Toshiyuki Suzuki
利幸 鈴木
Keisuke Itakura
圭助 板倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2001318692A priority Critical patent/JP3922428B2/ja
Publication of JP2003124779A publication Critical patent/JP2003124779A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3922428B2 publication Critical patent/JP3922428B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 振動エネルギーの減衰を最小限に抑えて、安
定に支持し得る圧電振動子を提供する。 【解決手段】 圧電基体1は、振動部101と、非振動
部102とを含んでいる。溝2は、圧電基体1の厚み方
向にある2つの主面100、130の少なくとも一方に
おいて、振動部101の周りに設けられ、振動部101
と非振動部102とを区分する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発振回路などを構
成する際に用いられる圧電振動子、圧電振動部品及びそ
れらの製造方法に関する。本発明は、特に厚み縦振動モ
ードを利用した圧電振動子の構造に係る。
【0002】
【従来の技術】従来より、発振周波数を得る共振子とし
て、圧電振動子を利用した圧電振動部品が知られてい
る。圧電振動子は、圧電基板の一面及び他面に、1対の
対向電極を付与した構造を有する。この圧電振動子は、
発振回路を構成する2個の負荷容量を形成する容量素子
と、互いの厚み方向の一面が向い合う位置関係に固定さ
れる。更に、接続導体により、入力電極、出力電極およ
び接地電極がそれぞれ電気的機械的に接合され、また、
キャップで封止される。
【0003】このような圧電振動部品は、例えば、特開
昭60ー123120号公報、特開平1−236715
号公報、特開平8ー237066号公報または特開平1
0ー135215号公報等に開示されている。
【0004】厚み縦振動モードを利用する圧電振動部品
には、基本波振動モードを利用するものと、高調波振動
モード、特に、第三次高調波振動モードを利用するもの
が知られている。
【0005】第三次高調波振動モードを利用する圧電振
動部品の典型例は、エネルギー閉じ込め型である。この
タイプの圧電振動部品は、圧電基板内に非振動部分が存
在するため、その部分を支持固定することにより、特性
劣化のない圧電振動部品が得られ、多方面に利用されて
いる。
【0006】厚み縦基本振動モードの圧電振動部品は、
基本波振動を利用するため、共振特性の高い(Qmax
大)ものが得られる。しかし、エネルギー閉じ込め型と
は異なって、非振動部分が得られにくい。特に小型化に
移行していく場合、圧電基板全体が振動している状態で
あり、基板の支持固定が困難となる。
【0007】また、圧電振動部品の基本波振動モードを
利用するため、圧電基板の誘電基板上への搭載接続にお
いて、導電ペースト接続時の粘度変化による接着面積の
バラツキおよび滲み出し等により接続強度が不安定とな
り、圧電振動部品の振動エネルギーの抑制による特性劣
化、不要振動の抑圧不足による共振特性の劣化を発生
し、不安定な発振飛びなど発振不良を発生することがあ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、振動
エネルギーの減衰を最小限に抑えて、安定に支持し得る
圧電振動子及び圧電振動部品を提供することである。
【0009】本発明のもう一つの課題は、小型化された
場合でも、振動エネルギーの減衰を最小限に抑えて、安
定に支持し得る圧電共振子及び圧電振動部品を提供する
ことである。
【0010】本発明のもう一つの課題は、上述した圧電
振動子及び圧電振動部品を得るのに適した製造方法を提
供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係る圧電振動子は、圧電基体と、溝とを
含み、厚み縦基本振動モードを利用する。前記圧電基体
は、振動部と、非振動部とを含んでいる。前記溝は、前
記圧電基体の厚み方向にある2つの主面の少なくとも一
方において、前記振動部の周りに設けられ、前記振動部
と非振動部とを区分する。
【0012】上述のように本発明に係る圧電振動子は、
厚み縦振動モードを利用するものであり、振動部は厚み
縦振動モードで動作する。
【0013】本発明に係る圧電振動子では、溝を含んで
いる。この溝は、圧電基体の厚み方向にある2つの主面
の少なくとも一方において、振動部の周りに設けられ、
振動部と非振動部とを区分する。従って、振動部から伝
搬する漏れ振動が、溝によって遮断され、非振動部には
伝達されない。
【0014】しかも、非振動部は、溝によって振動部か
ら区分されているから、非振動部分で圧電振動子を支持
する構成をとることができる。このため、支持構造を単
純化するとともに、支持安定性を向上させ、振動エネル
ギーの放散、不要振動の抑圧不足、振動特性の劣化、及
び、不安定な発振飛びなどの発振不良を抑え、振動特性
の代表値であるQmax値が大きく、安定した振動特性
を発揮し得る圧電振動子が実現される。
【0015】また、振動部を、非振動部から区分する方
法として、溝を利用する。この溝は、圧電基体の主面に
設けるだけでよい。従って、製造が容易である。
【0016】振動部を、圧電基体に設けられる溝によっ
て、非振動部から区分する別の利点として、圧電基体に
振動部を設定するだけの寸法があれば、圧電基体の外形
寸法を変更しなくても、溝の加工寸法を変更するだけで
振動部の形状(寸法)を変更できるという構造上の利点
を挙げることができる。この利点によれば、振動領域の
変更に付随して変化する振動特性を、溝2の設定加工に
より調節でき、製品の多様化を確保し得ると共に、通常
この種の圧電振動子が使用される電子部品の小型化傾向
が著しい現状において、需要に応じて搭載基板の外形・
容量を変化させるための設計・検討を行なうことなく、
迅速な製品の生産及び供給が可能となる。
【0017】溝は2つの主面の一方のみに設けてもよい
が、圧電振動部品として組み立てる際の厚み方向の方向
性をなくし、組立工程の簡素化を図る観点、及び、溝に
よる振動遮断性の向上の観点などから、両主面に設ける
ことが好ましい。また溝は、連続溝ではなく、不連続溝
であってもよい。
【0018】本発明は、更に、上述した圧電振動子と、
支持基板とを組み合わせた圧電振動部品、及び、その製
造方法についても開示する。本発明の他の目的、構成及
び利点については、添付の図面を参照し、更に詳しく説
明する。図は単なる例に過ぎない。
【0019】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係る圧電振動子の
斜視図、図2は図1の2ー2線に沿った断面図である。
図示された圧電振動子は、圧電基体1と、溝2とを含
み、厚み縦基本振動モードを利用する。
【0020】圧電基体1は、略六面体であり、圧電燒結
体を所定厚みに研磨し、高電界で、厚み方向に分極処理
をしたものである。圧電基体1の材質は、環境への配慮
から、PbOを含まない非鉛材料を用いるのが好まし
い。また、圧電基体1は、実効ポアソン比が1/3未満
の圧電材料によって構成することができる。本発明によ
れば、実効ポアソン比が1/3未満の材料を用いても基
本波について良好な波形が得られる。
【0021】実効ポアソン比が1/3未満の圧電材料と
しては、例えば、タンタル酸化合物あるいはニオブ酸化
合物などのペロブスカイト構造を有する化合物およびそ
の固溶体、イルメナイト構造を有する化合物および固溶
体、パイロクロア構造を有する化合物、ビスマスを含む
層状構造化合物、またはタングステンブロンズ構造を有
する化合物などが挙げられる。この圧電基体1はこれら
の圧電材料を最大含有成分である主成分として含んでい
る。
【0022】タンタル酸化合物またはニオブ酸化合物と
しては、例えば、ナトリウム(Na)、カリウム
(K)、およびリチウム(Li)などからなる群のうち
の少なくとも1種の第1の元素と、タンタル(Ta)お
よびニオブ(Nb)からなる群のうちの少なくとも1種
の第2の元素と、酸素とを含むものが挙げられる。これ
らは、第1の元素をAとし、第2の元素をBとすると、
一般式ABO3で表される。また、ビスマスを含む層状
構造化合物としては、例えば、ビスマスと、ナトリウ
ム、カリウム、バリウム(Ba)、ストロンチウム(S
r)、鉛(Pb)、カルシウム(Ca)、イットリウム
(Y)、およびランタノイド(Ln)およびビスマスな
どからなる群のうちの少なくとも1種の第1の元素と、
バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)、アンチモン
(Sb)、チタン(Ti)、ニオブ、タンタル、タング
ステン(W)およびモリブデン(Mo)などからなる群
のうちの少なくとも1種の第2の元素と、酸素とを含む
ものが挙げられる。これらは、第1の元素をCとし、第
2の元素をDとすると、次の一般式 (Bi222+(Cm-1m3m+12- 但し、m:1から8までの整数 で表される。更に、ダングステンブロンズ化合物には一
般式はなく、例えば、 NaW06BaNaNbO15 などがある。但し、ここで示した化学式はいずれも科学
量論組成を表したものであり、圧電基体1を構成する圧
電材料としては科学量論組成でないものが用いられても
よい。
【0023】ちなみに、これらの中でも、ビスマスを含
む層状構造化合物は圧電基体1を構成する圧電材料とし
て好ましい。機械的品質係数Qmおよびキュリー温度が
大きく、特にレゾネータとして優れた特性を得ることが
できるからである。例えば、ビスマスとストロンチウム
とチタンと酸素とを含む層状構造化合物が好ましく、特
に、この層状構造化合物にランタノイドを含むものがよ
り好ましい。
【0024】圧電基体1は、振動部101と、非振動部
102とを含む。溝2は、振動部101の全周にわたっ
て設けられ、振動部101と、非振動部102とを区分
する。図示実施例において、溝2は、主面100におい
て、4本備えられ、その内の2本は振動部101の相対
する両側に配置され、他の2本は振動部101の他の両
側に配置されている。
【0025】主面130においても、溝2は4本備えら
れ、その内の2本は振動部101の相対する両側に配置
され、他の2本は振動部101の他の両側に配置されて
いる。図示の溝2は、直線状であり、主面100及び1
30のそれぞれの平面内における同一位置で、対向する
ように設けられている。但し、これは、好ましい形状及
び配置として例示したにすぎない。
【0026】圧電振動子の振動部101は、第1の振動
電極41と、第2の振動電極51とを含む。第1及び第
2の振動電極41、51は、例えば、真空蒸着法、スパ
ッタリング法などの薄膜技術や厚膜印刷技術によって形
成することができる。材質としては、金(Au)、銀
(Ag)、銅(Cu)、クロム(Cr)またはそれらの
合金などを用いることができる。
【0027】第1の振動電極41は、主面100に設け
られ、第2の振動電極51は、主面130に設けられる
とともに、第1の振動電極41と向かいあう。非振動部
102は、第1の端子電極42と、第2の端子電極52
とを含む。
【0028】第1の端子電極42は、第1のリード電極
421を介して、第1の振動電極41に電気的に接続さ
れている。第1の端子電極42は、圧電基体1の側面に
付着されるともに、その両端が、主面100、130に
延長されている。
【0029】第1のリード電極421は、主面100の
表面及び溝2の内面に付着され、一端が第1の振動電極
41に接続され、他端が第1の端子電極42に接続され
ている。図示された第1のリード電極421は、均一幅
の帯形状であるが、他の形状、例えば、一部湾曲形状や
波形状等であってもよい。
【0030】第2の端子電極52は、第2のリード電極
521を介して、第2の振動電極51に電気的に接続さ
れている。第2の端子電極52は、第1の端子電極42
と対向する関係で、圧電基体1の側面に付着されるとも
に、その両端が、主面100、130に延長されてい
る。
【0031】第2のリード電極521は、主面130の
表面及び溝2の内面に付着され、一端が第2の振動電極
51に接続され、他端が第2の端子電極52に接続され
ている。図示された第2のリード電極521は、均一幅
の帯形状であるが、他の形状、例えば、一部湾曲形状や
波形状等であってもよい。
【0032】第1及び第2の端子電極42、52、並び
に、第1及び第2のリード電極421、521は、基本
的には、第1及び第2の振動電極41、51と同材質の
導体材料によって形成される。
【0033】上述したように、本発明に係る圧電振動子
では、主面100に、第1の振動電極41が備えられて
おり、主面130に、第2の振動電極51が備えられて
いる。第2の振動電極51は、第1の振動電極41と向
きあっている。従って、第1の振動電極41及び第2の
振動電極51に、電気エネルギーを供給することによ
り、当該圧電振動子を、厚み縦振動モードで動作させる
ことができる。実施例において、第1及び第2の端子電
極42、52を備えており、第1の端子電極42は、導
体からなり、第1の振動電極41に電気的に導通し、第
2の端子電極52は、導体からなり、第2の振動電極5
1に電気的に導通する。従って、第1及び第2の端子電
極42、52に電気エネルギーを供給して、圧電振動子
を励振することができる。
【0034】上述のように本発明に係る圧電振動子は、
厚み縦振動モードを利用するものであり、振動部は厚み
縦振動モードで動作する。励振モードとしては、特に、
厚み縦基本波振動モードが適している。
【0035】厚み縦基本波振動モードの圧電振動子は、
前述したように、基本波振動を利用するため、振動特性
の高い(Qmax大)ものが得られる。
【0036】一方、厚み縦基本振動モードを利用する圧
電振動子は、エネルギー閉じ込め型とは異なって、圧電
基体1の全体が振動している状態であり、圧電基体1の
支持固定が難しい。小型化に移行していく場合、特にそ
の支持困難性が顕著になる。
【0037】図3は、図1及び図2に示した圧電振動子
の振動変位量の分布図である。図3において、振動変位
量は、A〜Eの5段階区分として示してある。白抜きの
参照符号A1〜A4で示す領域の変位量が最も小さく、
次に鎖線で示すB領域、縦実線で示すC領域、横実線で
示すD領域、斜実線で示すE領域の順で振動変位量が大
きくなっている。
【0038】図3に図示するように、六面体である圧電
基体1を、厚み縦振動モードで動作させた場合、厚み方
向の両面のそれぞれにおいて、その4つのコーナ部に、
振動変位が最小になる領域A1〜A4が生じる。
【0039】もし、圧電振動子を、直接に支持しようと
すれば、図3において、振動変位が最小になる領域A
に、ピンポイント的に支持バンプ等を形成しなければな
らず、圧電基体1の支持固定が難しい。小型化に移行し
ていく場合には、特に、その支持困難性が顕著になる。
【0040】また、圧電振動子を、誘電体基板等の上に
搭載する場合、従来から、導電性ペーストを用いてい
る。しかし、厚み縦基本振動モードを利用する圧電振動
子の場合、圧電基体1の誘電基板上への搭載接続におい
て、導電ペースト接続時の粘度変化による接着面積のバ
ラツキおよび滲み出し等により接続強度が不安定とな
り、圧電振動子の振動エネルギーの抑制による特性劣
化、不要振動の抑圧不足による振動特性の劣化を発生
し、不安定な発振飛びなど発振不良を発生することがあ
る。
【0041】このような厚み縦基本振動モードを利用す
る圧電振動子に固有の問題点に対して、本発明に係る圧
電振動子では、溝2を含んでいる。この溝2は、圧電基
体1の厚み方向にある2つの主面100、130におい
て、振動部101の周りに設けられ、振動部101と非
振動部102とを区分する。従って、振動部101から
伝搬する漏れ振動が、溝2によって遮断され、非振動部
102には伝達されない。
【0042】しかも、非振動部102は、溝2によって
振動部101から区分されているから、非振動部102
で圧電振動子3を支持した圧電振動部品を得ることがで
きる。
【0043】このため、振動エネルギーの放散、不要振
動の抑圧不足、振動特性の劣化、及び、不安定な発振飛
びなどの発振不良を抑え、振動特性の代表値であるQm
ax値が大きく、安定した振動特性を発揮し得る圧電振
動子及び圧電振動部品が実現される。
【0044】更に、振動部101を、非振動部102か
ら区分するに当って、圧電基体1の主面100、130
に溝2を設けるだけでよい。従って、製造が容易であ
る。
【0045】また、振動部101を、圧電基体1に設け
られる溝2によって設定する更に別の利点として、圧電
基体1に振動部101を設定するだけの寸法があれば、
圧電基体1の外形寸法を変更しなくとも、溝2の加工寸
法を変更するだけで振動部101を設定変更できるとい
う利点を挙げることがある。この利点によれば、振動領
域の変更に付随して変化する振動特性を、溝2の設定加
工により調節でき、製品の多様化を確保し得ると共に、
通常この種の圧電振動子が使用される電子部品の小型化
傾向が著しい現状において、需要に応じて事後的に搭載
基板の外形・容量を変化させるための設計・検討を行な
うことなく、迅速な製品の生産及び提供が可能となる。
【0046】また、溝2の深さdは、誘電体基体1の厚
みDの14%より大きいことが好ましい。即ち、 (d/D)×100>14(%) である。溝2の深さdの上限値は、誘電体基板1に要求
される機械的強度を考慮して決定される。次にこの点に
ついて、データを参照して説明する。
【0047】図4は溝2の深さdを0.07mmとした
場合の周波数−インピーダンス特性を示す図、図5は同
じく周波数−位相特性を示す図である。圧電基体1は、
基本波共振周波数4.5(MHz)とし、そのサイズ
を、幅1.2mm、長さ1.2mm、厚さ0.5mmと
した。振動電極41、51のサイズは幅1.0mm、長
さ1.0mm、厚さ1.0(μm)とした。溝2は、振
動部101が1.2mm×1.2mmのサイズとなる位
置に設けた。圧電振動子は、溝2の外部の非振動領域1
02で抑圧した。
【0048】図4、図5に図示した例の場合、 (d/D)×100=14(%) であり、 (d/D)×100>14(%) を満たしていない。
【0049】図4及び図5に示されるように、溝2が
(d/D)×100>14(%)を満たしていない場
合、基本波共振周波数4.5(MHz)よりも高い周波
数領域で、スプリアス及び位相の乱れが生じている。
【0050】図6は溝2の深さdを0.14mmとした
場合の周波数−インピーダンス特性を示す図、図7は同
じく周波数−位相特性を示す図である。圧電基体1は、
基本波共振周波数4.5(MHz)とし、そのサイズ
を、幅1.2mm、長さ1.2mm、厚さ0.5mmと
した。振動電極41、51のサイズは幅1.0mm、長
さ1.0mm、厚さ1.0(μm)とした。溝2は、振
動部101が1.2mm×1.2mmのサイズとなる位
置に設けた。圧電振動子は、溝2の外部の非振動領域で
抑圧した。
【0051】図6、図7に図示した例の場合、 (d/D)×100=28(%) であり、 (d/D)×100>14(%) を満たす。
【0052】図6及び図7に示されるように、(d/
D)×100>14(%)を満たす場合は、スプリアス
及び位相の乱れは生じない。
【0053】圧電振動子は、溝2の外部の非振動領域1
02で抑圧することが重要である。図8は溝2の深さd
を0.21mmとした場合の周波数−インピーダンス特
性を示す図、図9は同じく周波数−位相特性を示す図で
ある。圧電基体1のサイズは、幅2.0mm、長さ2.
0mm、厚さ0.5mmとした。振動電極41、51の
サイズは幅1.0mm、長さ1.0mm、厚さ1.0
(μm)とした。溝2は、振動部101が1.2mm×
1.2mmのサイズとなる位置に設けた。圧電振動子
は、溝2の外部の非振動領域102では抑圧しなかっ
た。
【0054】図8、図9に図示した例の場合、 (d/D)×100=48(%) であり、 (d/D)×100>14(%) を満たす。しかし、圧電振動子は、抑圧されていない。
この場合は、図8及び図9の例に示されるように、大き
なスプリアス及び位相の乱れを生じている。
【0055】図10は溝2の深さdを0.21mmとし
た場合の周波数−インピーダンス特性を示し、図11は
同じく周波数−位相特性を示す図である。圧電基体1の
サイズは、幅2.0mm、長さ2.0mm、厚さ0.5
mmとした。振動電極41、51のサイズは幅1.0m
m、長さ1.0mm、厚さ1.0(μm)とした。溝2
は、振動部101が1.2mm×1.2mmのサイズと
なる位置に設けた。圧電振動子は、溝2の外部の非振動
領域102で抑圧した。従って、図8及び図9図示と
は、圧電振動子を、溝2の外部の非振動領域102で抑
圧した点で異なるだけである。
【0056】図10及び図11のデータを、図8及び図
9のデータと比較すると明らかなように、圧電振動子
を、溝2の外部の非振動領域102で抑圧した場合、周
波数−インピーダンス特性及び周波数−位相特性の何れ
も改善される。
【0057】図12は本発明に係る圧電振動子を用いた
圧電振動部品の斜視図、図13は図12の13ー13線
に沿った断面図である。図示された圧電振動部品は、圧
電振動子3と、支持基板6と、封止構造体を構成する封
止ケース8とを含む。圧電振動子3は、図1及び図2に
示した圧電振動子である。
【0058】支持基板6は、誘電体材料を用いて形成さ
れた誘電体基体61に、3つの接続電極62〜64を、
間隔を隔てて帯状に形成してある。圧電振動子3は、支
持基板6に搭載され、第1の端子電極41及び第2の端
子電極52の所定の側面が2つの接続電極62及び63
に接続されると共に、全体的に支持される。また、接続
電極62〜64のうち、接続電極62、63は、入出力
端子となり、接続電極64は中間接地電極となる。
【0059】組立に当っては、圧電振動子3を支持基板
6の表面に搭載し、導電性接合9を用いて、第1及び第
2の端子電極42、52を、2つの接続電極62、63
に接続する。封止ケース8は、圧電振動子3を密閉し保
護する。
【0060】図12及び図13に示した圧電振動部品
は、図1、図2に示した圧電振動子を用いているので、
圧電振動子に関して述べた作用効果がそのまま得られ
る。図12、図13に示した実施例の場合、非振動部1
02が抑圧されるので、抑圧による作用効果も得られ
る。
【0061】図14は本発明に係る圧電振動子を用いた
圧電振動部品の斜視図、図15は図14の15ー15線
に沿った断面図である。図示された圧電振動部品は、圧
電振動子3と、第1及び第2の封止構造体93及び94
とを含む。圧電振動子3は図1、図2に図示されたもの
からなる。第1及び第2の封止構造体93及び94は、
接着層91、92によって、圧電振動子3の主面10
0、130に面接合され、圧電振動子3の周りに振動空
間を形成する。
【0062】第1及び第2の封止構造体93及び94
は、少なくとも一方が面板状の誘電体基板、例えば、誘
電体セラミックス板によって構成される。接着層91、
92は、溝2を含む非振動部102に設けられる。
【0063】第2の封止構造体94には、コンデンサ電
極81、83と、中間電極82とが設けられており、圧
電振動子3の第1及び第2の端子電極42、52は、コ
ンデンサ電極81、83にそれぞれ電気的に接続されて
いる。
【0064】この実施例の場合も、図12、図13に示
した圧電振動部品と同等の作用効果が得られる。更に、
図14、図15に示した圧電振動部品は、接着層91、
92を、ダンピング層として構成することにより、ダン
ピング効果を得ることができる。ダンピング作用を得る
場合、接着層91、92としては、エポキシ樹脂等が適
している。
【0065】図16はダンピング層を持たない圧電振動
子の周波数ーインピーダンス特性、及び、周波数ー位相
特性を示している。図において、実線で示す曲線L11
がインピーダンス特性、一点鎖線で示す曲線L12が位
相特性である。図16において、横軸に周波数(MH
z)、左縦軸にインピーダンス(Ω)、右縦軸に位相
(deg.)をとってある。Qmaxは、8.24であ
る。
【0066】図16に示すように、ダンピング層を持た
ない場合、インピーダンス特性、位相特性ともに、かな
り乱れる。
【0067】図17は接着層91、92をダンピング層
として構成した場合の圧電振動子の周波数ーインピーダ
ンス特性、及び、周波数ー位相特性を示している。図に
おいて、実線で示す曲線L21がインピーダンス特性、
一点鎖線で示す曲線L22が位相特性である。図17に
おいて、横軸に周波数(MHz)、左縦軸にインピーダ
ンス(Ω)、右縦軸に位相(deg.)をとってある。
ダンピング層を構成する接着層91、92には熱硬化型
エポキシ樹脂配合物を用いた。
【0068】図17のデータを、図16のデータと比較
すると明らかなように、接着層91、92をダンピング
層として働かせた場合、周波数−インピーダンス特性及
び周波数−位相特性の何れも改善される。また、Qma
xは、ダンピング層を持たない場合の8.24に対し
て、9.52であり、品質特性が改善される。
【0069】次に、本発明に係る圧電振動子の製造方法
について、図18〜図23を参照して説明する。まず図
18に示すように、分極処理及び研摩等の必要な工程を
終了した大判の圧電母材板10を用意する。
【0070】このような圧電母材板10の材料組成、及
び、製造方法は、周知である。その一例を説明すると、
例えば、出発原料として、主に酸化物の原料を用い、そ
れらを所望の組成となるように秤量し、純水あるいはア
セトンなどの溶媒中で、ジルコニアボールを使い、ボー
ルミル混合を行う。次いで、混合した原料粉末を十分に
乾燥させたのち、例えば、プレス成形したのち700〜
900℃の温度で仮焼成をする。
【0071】続いて、例えば、この仮焼成体を再度ボー
ルミル粉砕したのち、乾燥させ、バインダーとしてポリ
ビニルアルコールを適量加えて造粒する。
【0072】造粒したのち、例えば、この造粒粉を、一
軸プレス成型器を用いて、200〜300MPaの加重
により、縦20mm、横20mm、厚み約1.5mmの
薄板状に成形する。
【0073】次に、例えば、熱処理により、成形体から
バインダーを揮発させ、1100〜1350℃の温度で
本焼成を行う。本焼成を行ったのち、この焼成体の厚さ
を、例えば、ラップ研磨機により研磨し、圧電基体の圧
電母材板10を形成する。
【0074】圧電母材板10を形成した後、例えば、銅
を真空蒸着することにより、圧電母材板10の両面に分
極処理用電極を形成する。その後、例えば、この分極処
理用電極を形成した圧電母材板10を、200〜300
℃に加熱したシリコンオイル中に浸し、5〜10Kv/
mmの電界を1分間印加して分極処理を行う。
【0075】分極処理を行った後、分極処理用電極を除
去してダイシングソーなどにより圧電母材板10の大き
さを整え、圧電母材板10とする。
【0076】次に、図19に示すように、圧電母材板1
0の両面の同一位置に、溝2を格子状に形成する。溝2
は、ダイシングソー等を使用して、所定の深さ及び本数
で加工する。ダイシングソーのような精密機器を使用す
ることで、均一な溝2を形成でき、高品質な圧電振動子
を提供できる。
【0077】次に、図20に示すように、圧電母材板1
0の両面に、振動電極、リード電極、及び、端子電極の
一部のための導体パターン40を形成する。導体パター
ン40は蒸着やスパッタリング等の手段によって形成で
きる。導体パターン40は、図1、図2に示した電極パ
ターン、及び、分割工程を考慮して定める。具体的に
は、振動電極41、51のパターンを、2本の溝2を挟
んで形成し、端子電極の一部となるパターンを帯状に形
成する。
【0078】次に、図20に示すように、振動電極4
1、51となる領域を挟む切断位置W1において、圧電
母材板10を切断する。切断位置W1は、端子電極の一
部が帯状に形成された位置である。切断にはダイシング
ソーを用いる。上述した切断工程により、図21に示す
ように、複数の圧電振動子要素Q1〜Q3を配列した集
合体が得られる。
【0079】次に、図22に示すように、集合体の幅方
向の両端に、第1及び第2の端部電極42、52を形成
する。端部電極42、52は蒸着やスパッタリング等の
手段によって形成できる。
【0080】次に、圧電振動子要素Q1〜Q3のそれぞ
れの境界位置W2で、集合体を切断することにより、図
23に示すように、圧電振動子の単品が得られる。
【0081】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 (a)振動エネルギーの減衰を最小限に抑えて、安定に
支持し得る圧電振動子及び圧電振動部品を提供すること
ができる。 (b)小型化された場合でも、振動エネルギーの減衰を
最小限に抑えて、安定に支持し得る圧電共振子及び圧電
振動部品を提供することができる。 (c)上述した圧電振動子及び圧電振動部品を得るのに
適した製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る圧電振動子の斜視図である。
【図2】図1の2ー2線に沿った断面図である
【図3】図1及び図2に示した圧電振動子の振動変位量
の分布図である。
【図4】溝の深さdを0.07mmとした場合の周波数
−インピーダンス特性を示す図である。
【図5】溝の深さdを0.07mmとした場合の周波数
−位相特性を示す図である。
【図6】溝の深さdを0.14mmとした場合の周波数
−インピーダンス特性を示す図である。
【図7】溝2の深さdを0.14mmとした場合の周波
数−位相特性を示す図である。
【図8】溝の深さdを0.21mmとした場合の周波数
−インピーダンス特性を示す図である。
【図9】溝の深さdを0.21mmとした場合の周波数
−位相特性を示す図である。
【図10】溝の深さdを0.21mmとした場合の周波
数−インピーダンス特性を示す図である。
【図11】溝の深さdを0.21mmとした場合の周波
数−位相特性を示す図である。
【図12】本発明に係る圧電振動子を用いた圧電振動部
品の斜視図である。
【図13】図12の13ー13線に沿った断面図であ
る。
【図14】本発明に係る圧電振動子を用いた圧電振動部
品の斜視図である。
【図15】図14の15ー15線に沿った断面図であ
る。
【図16】ダンピング層を持たない圧電振動子の周波数
ーインピーダンス特性、及び、周波数−位相特性を示す
図である。
【図17】接着層をダンピング層として構成した場合の
圧電振動子の周波数ーインピーダンス特性、及び、周波
数ー位相特性を示す図である。
【図18】本発明に係る圧電振動子の製造方法に含まれ
る工程示す図である。
【図19】図18に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図20】図19に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図21】図20に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図22】図21に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図23】図22に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【符号の説明】
1 圧電基体 100 主面 130 主面 2 溝 101 振動部 102 非振動部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J108 BB04 CC04 CC09 CC11 DD01 DD06 EE07 EE18 FF11 GG03 GG16 KK01 KK05 MM02 MM11

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電基体と、溝とを含み、厚み縦振動モ
    ードを利用する圧電振動子であって、 前記圧電基体は、振動部と、非振動部とを含んでおり、 前記溝は、前記圧電基体の厚み方向にある2つの主面の
    少なくとも一方において、前記振動部の周りに設けら
    れ、前記振動部と前記非振動部とを区分する圧電振動
    子。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載された圧電振動子であっ
    て、前記非振動部を抑圧する圧電振動子。
  3. 【請求項3】 請求項1または2の何れかに記載された
    圧電振動子であって、前記溝は前記2つの主面の両方に
    設けられている圧電振動子。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載された圧電振動子であっ
    て、前記溝の深さは前記誘電体基体の厚みの14%より
    大きい圧電振動子。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至4の何れかに記載された圧
    電振動子であって、前記振動部は、第1の振動電極と、
    第2の振動電極とを含み、 前記第1の振動電極は、前記主面の一方に設けられ、 前記第2の振動電極は、前記主面の他方に設けられ、前
    記第1の振動電極と向かいあい、 前記非振動部は、第1の端子電極と、第2の端子電極と
    を含み、 前記第1の端子電極は、前記第1の振動電極に電気的に
    接続されており、 前記第2の端子電極は、前記第2の振動電極に電気的に
    接続されている圧電振動子。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載された圧電振動子であっ
    て、 更に、第1のリード電極と、第2のリード電極とを含
    み、 前記第1のリード電極は、前記圧電基体の表面に形成さ
    れた導体膜からなり、前記第1の振動電極と前記第1の
    端子電極とを電気的に接続し、 前記第2のリード電極は、前記圧電基体の表面に形成さ
    れた導体膜からなり、前記第2の振動電極と前記第2の
    端子電極とを電気的に接続する圧電振動子。
  7. 【請求項7】 圧電振動子と、封止構造体とを含む圧電
    振動部品であって、 前記圧電振動子は、請求項1乃至6の何れかに記載され
    たものからなり、 前記封止構造体は、前記圧電振動子に結合され、前記圧
    電振動子の厚み方向の両面に振動空間を形成する圧電振
    動部品。
  8. 【請求項8】 請求項7に記載された圧電振動部品であ
    って、前記封止構造体は、第1の封止部材と、第2の封
    止部材とを含み、前記第1の封止部材及び前記第2の封
    止部材は前記圧電振動子を両面側から挟持する圧電振動
    部品。
  9. 【請求項9】 請求項7に記載された圧電振動部品であ
    って、前記封止構造体は、支持部材と、キャップとを含
    み、 前記支持部材はその一面上に前記圧電振動子が搭載され
    ており、 前記キャップは、前記圧電振動子を包囲し、前記支持部
    材の前記一面上に搭載されている圧電振動部品。
  10. 【請求項10】 圧電振動子の製造方法であって、 圧電母材板の厚み方向において相対向する両主面に、横
    溝及び縦溝を形成し、 前記両主面において、前記横溝及び縦溝によって囲まれ
    た領域に、振動電極、リード電極及び端子電極となる導
    体膜を形成し、 前記振動電極を形成した領域を囲む位置で、前記圧電母
    材板を切断する工程を含む圧電振動子の製造方法。
JP2001318692A 2001-10-16 2001-10-16 圧電振動子、圧電振動部品及びそれらの製造方法 Expired - Fee Related JP3922428B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001318692A JP3922428B2 (ja) 2001-10-16 2001-10-16 圧電振動子、圧電振動部品及びそれらの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001318692A JP3922428B2 (ja) 2001-10-16 2001-10-16 圧電振動子、圧電振動部品及びそれらの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003124779A true JP2003124779A (ja) 2003-04-25
JP3922428B2 JP3922428B2 (ja) 2007-05-30

Family

ID=19136352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001318692A Expired - Fee Related JP3922428B2 (ja) 2001-10-16 2001-10-16 圧電振動子、圧電振動部品及びそれらの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3922428B2 (ja)

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005286992A (ja) * 2004-03-02 2005-10-13 Seiko Epson Corp 圧電振動片、圧電振動子および圧電発振器
US7675390B2 (en) 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7714684B2 (en) 2004-10-01 2010-05-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
US7732977B2 (en) 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US7791435B2 (en) 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US7791434B2 (en) * 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
US7802349B2 (en) 2003-03-07 2010-09-28 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Manufacturing process for thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filters
US7855618B2 (en) 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US8080854B2 (en) 2006-03-10 2011-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
US8143082B2 (en) 2004-12-15 2012-03-27 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US8230562B2 (en) 2005-04-06 2012-07-31 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating an acoustic resonator comprising a filled recessed region
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US8305159B2 (en) 2007-08-24 2012-11-06 Taiyo Yuden Co., Ltd. Piezoelectric thin film resonator, filter using the resonator, duplexer using the filter, and communication equipment using the filter or the duplexer
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7802349B2 (en) 2003-03-07 2010-09-28 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Manufacturing process for thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filters
JP2005286992A (ja) * 2004-03-02 2005-10-13 Seiko Epson Corp 圧電振動片、圧電振動子および圧電発振器
US7368857B2 (en) 2004-03-02 2008-05-06 Seiko Epson Corporation Piezoelectric resonator element, piezoelectric, resonator, and piezoelectric oscillator
US7714684B2 (en) 2004-10-01 2010-05-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US8143082B2 (en) 2004-12-15 2012-03-27 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) * 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
US8188810B2 (en) 2004-12-22 2012-05-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch
US8230562B2 (en) 2005-04-06 2012-07-31 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating an acoustic resonator comprising a filled recessed region
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7675390B2 (en) 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US8238129B2 (en) 2006-03-09 2012-08-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US8080854B2 (en) 2006-03-10 2011-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
US8305159B2 (en) 2007-08-24 2012-11-06 Taiyo Yuden Co., Ltd. Piezoelectric thin film resonator, filter using the resonator, duplexer using the filter, and communication equipment using the filter or the duplexer
US7791435B2 (en) 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US7855618B2 (en) 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US7732977B2 (en) 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9859205B2 (en) 2011-01-31 2018-01-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature

Also Published As

Publication number Publication date
JP3922428B2 (ja) 2007-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3922428B2 (ja) 圧電振動子、圧電振動部品及びそれらの製造方法
US9018826B2 (en) Mesa-type quartz-crystal vibrating piece and quartz crystal device
US4652784A (en) Trapped-energy mode resonator and method of manufacturing the same
US6538361B2 (en) Piezoelectric oscillator
US6903489B2 (en) Piezoelectric resonator, piezoelectric resonator component and method of making the same
JP3731724B2 (ja) 圧電共振子、圧電共振部品及びその製造方法
JPH10200364A (ja) エネルギー閉じ込め型厚みすべり共振子およびこの共振子を用いた電子部品
KR20010021135A (ko) 압전공진자 및 압전공진부
JP4692703B2 (ja) 圧電共振部品
US6621193B1 (en) Thickness extensional vibration mode piezoelectric resonator, ladder-type filter, and piezoelectric resonator component
JP6860867B2 (ja) 振動素子
JPH118526A (ja) 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JPH07226647A (ja) 圧電共振子及びそれを用いたチップ型圧電部品
JP2001177014A (ja) 電子部品用外装基板及び圧電共振部品
JP4578176B2 (ja) 圧電共振子及びフイルタ
JP7076692B2 (ja) 振動素子及びそれを備えた振動子
JPH0666634B2 (ja) エネルギー閉じ込め形圧電フィルタ
JP3499469B2 (ja) 圧電共振子
JP3301901B2 (ja) 圧電共振子
JP2002094351A (ja) 圧電共振部品
JP2001189237A (ja) 容量素子
JPH0389708A (ja) 圧電共振子
JPS5941601B2 (ja) 複合部品
JPH10190399A (ja) 容量内蔵型圧電発振子
JP2018056700A (ja) 圧電部品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040714

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060811

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060906

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061102

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070214

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140302

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees