JP2018056700A - 圧電部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】 発振周波数の変動が抑制された高精度な圧電部品を提供する。【解決手段】 本開示の圧電部品は、支持基板1と、支持基板1の上に配置された長尺状の圧電素子2と、支持基板1の上面に圧電素子2の長手方向の両端部をそれぞれ接合して固定している導電性接合材4とを備え、導電性接合材4は、圧電素子2の両端部の下面から端面にかけて接合されており、圧電素子2の下側に位置する第1の領域41とそれ以外の第2の領域42とで密度に差がある。【選択図】 図3

Description

本開示は、例えば発振子として好適に用いられる圧電部品に関するものである。
一般的に、発振子に利用される圧電部品は、支持基板と、支持基板の上に搭載された圧電素子と、支持基板と圧電素子との間に微小間隔が生じるようにして圧電素子の両端部を固定する支持部および導電性接合材と、支持基板の上面および圧電素子を覆うように設けられた蓋体とから構成されている。そして、圧電素子は上面および下面に互いに対向するように一対の励振電極を有していて、この励振電極と支持基板の上面に設けられた一対の容量電極とが導電性接合材を介して電気的に接続されている(例えば、特許文献1を参照)。
特開平11−97965号公報
従来、圧電素子の強固な固定によって、圧電部品(発振子)の主振動がダンピングされて弱まるため、発振周波数が不安定となって変動するという問題があった。
本開示は、上記事情に鑑みてなされたもので、発振周波数の変動が抑制された高精度な圧電部品を提供することを目的とする。
本開示の圧電部品は、支持基板と、該支持基板の上に配置された長尺状の圧電素子と、前記支持基板の上面に前記圧電素子の長手方向の両端部をそれぞれ接合して固定している導電性接合材とを備え、前記導電性接合材は、前記圧電素子の前記両端部の下面から端面にかけて接合されており、前記圧電素子の下側に位置する第1の領域とそれ以外の第2の領域とで密度に差があることを特徴とする。
本開示の圧電部品によれば、主振動のダンピングが抑制され、発振周波数の変動を抑制して当該発振周波数を安定させることができる。
圧電部品の実施形態の一例を示す概略斜視図である。 (a)は図1に示す圧電部品の一部省略平面図、(b)は図1に示す圧電部品のA−A線で切断した断面図、(c)は図1に示す圧電部品の底面図である。 圧電部品の実施形態の一例を示す要部拡大断面図である。 圧電部品の実施形態の他の例を示す要部拡大断面図である。 圧電部品の実施形態の他の例を示す要部拡大断面図である。 圧電部品の実施形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
以下、添付図面を参照して、圧電部品の実施形態の一例を説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
図1は圧電部品の実施形態の一例を示す概略斜視図である。また、図2(a)は図1に示す圧電部品の一部省略平面図、図2(b)は図1に示す圧電部品のA−A線で切断した断面図、図2(c)は図1に示す圧電部品の底面図である。また、図3は、圧電部品の実施形態の一例を示す要部拡大断面図である。
図1〜図3に示す例の圧電部品100は、支持基板1と、支持基板1の上に配置された長尺状の圧電素子2と、支持基板1の上面に圧電素子2の長手方向の両端部をそれぞれ接合して固定している導電性接合材4とを備え、導電性接合材4は、圧電素子2の両端部の下面から端面にかけて接合されており、圧電素子2の下側に位置する第1の領域41とそれ以外の第2の領域42とで密度に差がある。
支持基板1は、長尺状の圧電素子2の長手方向の両端部を上面にそれぞれ接合して固定している基板である。例えば、長さが2.5mm〜7.5mm、幅が1.0mm〜3.0mm、厚みが0.1mm〜1mmの長方形状の平板として形成された誘電体からなる基板本体11を有している。基板本体11としては、アルミナやチタン酸バリウム等のセラミック材料、ガラスエポキシ等の樹脂系材料を用いることができる。
支持基板1を構成する基板本体11の上面には一対の容量電極12(第1容量電極121および第2容量電極122)が設けられている。この第1容量電極121および第2容量電極122は、圧電素子2の励振電極21と電気的に接続されるとともに、入出力端子電極14と電気的に接続され、また後述するグランド端子電極13との間で容量を形成するための電極である。
第1容量電極121は、基板本体11の長手方向の一方の端部側(図の左側)に配置されて当該基板本体11の幅方向(短手方向)に延びた領域と、基板本体11の長手方向の一方の端部側から中央部に向かって延びて配置された領域とを有している。また、第2容量電極122は、基板本体11の長手方向の他方の端部側(図の右側)に配置されて当該基板本体11の幅方向(短手方向)に延びた領域と、支持基板1の長手方向の他方の端部側から中央部に向かって延びて配置された領域とを有している。なお、第1容量電極121と第2容量電極122とは、基板本体11の上面の長手方向の中央部に間隔をあけて配置されている。
また、支持基板1は、基板本体11の下面に、一対の容量電極12と電気的に接続された一対の入出力端子電極14と、一対の入出力端子電極14の間に配置されたグランド端子電極13とを有している。
一対の入出力端子電極14は、電気信号の入り口または出口となる端子電極であって、基板本体11の下面に当該基板本体11の幅方向に延びて設けられている。また、一対の入出力端子電極14は、基板本体11の上面に設けられた第1容量電極121または第2容量電極122と電気的に接続されているとともに、外部回路基板に実装された際に外部回路と電気的に接続される。
グランド端子電極13は、基板本体11の下面における一対の入出力端子電極14の間に配置され、当該基板本体11の幅方向に延びて設けられている。また、グランド端子電極13は、基板本体11を挟んで第1容量電極121と第2容量電極122とにまたがって対向して、静電容量(負荷容量)を形成している。また、外部回路基板に実装された際には、グランド電位に電気的に接続される。
本例のように、第1容量電極121および第2容量電極122とグランド端子電極13
とが基板本体11を介して対向する場合は、第1容量電極121とグランド端子電極13とが対向する領域および第2容量電極122とグランド端子電極13とが対向する領域の面積が等しくなるように設定されることにより、それぞれの対向する領域で得られる静電容量が等しくなる。また、第1容量電極121および第2容量電極122とグランド端子電極13とが基板本体11を介して対向する場合は、第1容量電極121とグランド端子電極13とが対向する領域および第2容量電極122とグランド端子電極13とが対向する領域を大きくすることができるので、静電容量を大きく形成することができる。なお、それぞれの対向する領域で得られる静電容量は、圧電部品100が接続されてともに発振回路を構成する増幅回路素子の特性によって定められる。
さらに、支持基板1の側面には、第1容量電極121または第2容量電極122と入出力端子電極14とを電気的に接続する側面電極15が設けられている。また、支持基板1の側面には、外部回路基板へのはんだ接合(実装性)などの関係で、支持基板1の側面において、グランド端子電極13と電気的に接続された側面電極16も設けられている。
第1容量電極121,第2容量電極122,グランド端子電極13,入出力端子電極14,側面電極15、16の材料としては、金,銀,銅,アルミニウム,タングステン等の金属粉末を樹脂中に分散させた導電性樹脂(導電性ペースト)や、それら金属粉末にガラス等の添加物を加えて焼き付けた厚膜導体等を用いることができる。必要に応じてNi/Au、Ni/Sn等のめっきを形成したものでもよい。
支持基板1の上には、直方体状の圧電素子2が長手方向の両端部を固定されて搭載されている。そして、支持基板1の上には、図2に示すように、必要により第1の支持部31および第2の支持部32が設けられていて、圧電素子2の長手方向の両端部が第1の支持部31および第2の支持部32によって支持されるようにして、圧電素子2が振動可能に搭載されている。
第1の支持部31および第2の支持部32は、例えば金,銀,銅,アルミニウム,タングステン等の金属粉末を樹脂中に分散させてなる突起状の部位である。例えば、縦、横方向の長さ(径)が0.1mm〜1.0mm、厚みが10μm〜100μmで、角柱状、円柱状などに形成される。第1の支持部31および第2の支持部32は、それぞれ1つずつの構成であってもよく、図6に示すような複数個ずつの構成であってもよい。
第1の支持部31および第2の支持部32のまわりには導電性接合材4が設けられていて、圧電素子2の両端部が第1の支持部31,第2の支持部32および第1容量電極121,第2容量電極122に接合され、電気的に接続されている。
この導電性接合材4は、圧電素子2の両端部の下面から端面にかけて接合されている。図に示す例では、導電性接合材4は、圧電素子2の端面を這い上がって圧電素子2の上面までかかるように設けられている。このような導電性接合材4としては、例えばはんだや導電性接着剤等が用いられ、はんだであれば、例えば銅,錫,銀からなる鉛を含まない材料等を用いることができ、導電性接着剤であれば、銀,銅,ニッケル等の導電性粒子を75〜95質量%含有したエポキシ系の導電性樹脂またはシリコーン系の樹脂を用いることができる。
なお、図2および図3に示す例では、第1の支持部31および第2の支持部32が設けられているが、図4に示すように、第1の支持部31および第2の支持部32が設けられておらず、圧電素子2を浮かせて搭載するように当該圧電素子2の両端部を導電性接合材4のみで固定してもよい。
圧電素子2は、圧電体22と、圧電体22の一方主面(上面)および他方主面(下面)にそれぞれ互いに対向する領域(交差領域)を有するように設けられた一対の励振電極21とを備えている。
圧電素子2を構成する圧電体22は、例えば、長さが1.0mm〜4.0mm、幅が0.2mm〜2mm、厚みが40μm〜1mmの長尺状(直方体状)に形成されたものである。この圧電体22は、例えばチタン酸鉛,チタン酸ジルコン酸鉛,タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸ナトリウム,ニオブ酸カリウム,ビスマス層状化合物等を基材とする圧電セラミックスを用いて形成することができる。
また、圧電体22の一方主面(上面)に設けられた励振電極21は長手方向の一方の端部から他方の端部側に向けて延びるように設けられ、圧電体22の他方主面(下面)に設けられた励振電極21は長手方向の他方の端部から一方の端部側に向けて延びるように設けられ、それぞれ互いに対向する領域を有している。この励振電極21は、例えば金,銀,銅,アルミニウム,クロム,ニッケル等の金属を用いることができ、それぞれ圧電体22の表面に例えば0.1μm〜3μmの厚みに被着される。そして、図に示すように、圧電素子2の両端面には端面電極23が設けられており、この端面電極23,導電性接合材4および第1の支持部31を介して上面の励振電極21が第1容量電極121と電気的に接続されている。また、導電性接合材4および第2の支持部32を介して下面の励振電極21が第2容量電極122と電気的に接続されている。
このような圧電素子2は、一対の励振電極21間に電圧を印加したとき、励振電極21が対向する領域(交差領域)において、特定の周波数で厚み縦振動もしくは厚みすべり振動の圧電振動を発生させるようになっているものである。
なお、図1、図2(b)に示すように、圧電素子2を覆うように支持基板1の上に蓋体5が設けられていてもよい。蓋体5は、支持基板1の上面の外周部に、例えばエポキシ系やアクリル系の接着剤、リフロー耐熱性の観点から好ましくはエポキシ系の接着剤で接合されている。これにより、支持基板1とともに形成した内部空間に収容されている圧電素子2を外部からの物理的な影響や化学的な影響から保護する機能と、支持基板1とともに形成した空間内への水等の異物の浸入を防ぐための気密封止機能を有している圧電部品100とすることができる。なお、蓋体5の材料として、例えば、ステンレス鋼などの金属、アルミナなどのセラミックス,樹脂,ガラス等を用いることができる。また、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂材料に無機フィラーを25〜80質量%の割合で含有させたものでもよい。
また、図1に示すように、側面電極15、側面電極16は蓋体5の側面まで延びていてもよく、これにより外部回路基板への実装性が向上する。
そして、図3に示すように、導電性接合材4は圧電素子2の下側に位置する第1の領域41とそれ以外の第2の領域42とで密度に差がある。言い換えると、圧電素子2の下側に位置する第1の領域41とそれ以外の第2の領域42とのいずれか一方が疎な領域で他方が密な領域になっている。
導電性接合材4が、圧電素子2の下側に位置する第1の領域41とそれ以外の第2の領域42とで密度に差がある構成としては、第1の領域41と第2の領域42とで硬化時の樹脂密度が異なる2種類の接合材を用いることの他、空隙率に差をつけるなどの例が挙げられる。
例えば、空隙率に差をつける場合、それぞれの領域の全体に占める空隙部の体積比(空
隙部/(空隙部+導電性樹脂部))を空隙率としたとき、密な領域の空隙率を5%未満、疎な領域の空隙率を5%以上とする。この空隙率は、導電性接合材4の第1の領域41とそれ以外の第2の領域42とを、任意の箇所で切断した断面の走査型電子顕微鏡(SEM)による画像から面積比を求めて算出することができる。
このような構成によれば、導電性接合材4の密な領域によりしっかりと固定され、導電性接合材4の疎な領域により圧電素子2の主振動のダンピングが抑制される。したがって、発振周波数の変動を抑制した、高精度な圧電部品を得ることができる。
ここで、導電性接合材4は、第2の領域42よりも第1の領域41のほうが密度が低い構成とすることができる。圧電素子2の主振動の振動領域に近い第1の領域41は主振動のダンピング効果への影響力が高い領域であるため、この第1の領域41を第2の領域よりも密度が低く疎な領域にすることで、より導電性接合材4による圧電素子2の主振動のダンピングが抑制され、発振周波数の変動がより抑制できる。
また、温度変化による導電性接合材4の熱膨張率が圧電素子2の熱膨張率よりも大きいことから、導電性接合材4と圧電素子2との接合面にかかる応力が変動し、発振周波数も変動する。これに対し、圧電素子2の主振動の振動領域に近い第1の領域41を第2の領域42よりも密度が低く疎な領域にすることで、熱膨張にともなう応力の変動を低減でき、温度変化による発振周波数の変動を抑制できる。
そして、図5に示すように、圧電素子2の主振動の振動領域に近い第1の領域41を第2の領域42よりも密度が低く疎な領域としたときに、当該第1の領域41において、支持基板1に近い側の部位411よりも圧電素子2に近い側の部位412のほうが密度が低い構成とすることができる。ここで、支持基板1に近い側の部位411と圧電素子2に近い側の部位412との境界は、第1の領域41の全体厚みtのちょうど半分(t/2)の位置であることとする。第1の領域41において、圧電素子2に近い側の部位412のほうが密度が低く疎な領域となっていることで、導電性接合材4による圧電素子2の主振動のダンピングをより抑制でき、また熱膨張にともなう応力の変動もより抑制できる。
また、図6に示すように、圧電素子2の主振動の振動領域に近い第1の領域41を第2の領域42よりも密度が低く疎な領域としたときに、当該第1の領域41において、平面視したときの外周部413よりも内側部414のほうが密度が低い構成とすることもできる。
圧電素子2の振動エネルギーは励振電極21の中央付近が最も大きい。したがって、第1の領域41において、平面視したときの外周部413よりも内側部414のほうが密度が低く疎な領域となっていることで、導電性接合材4による圧電素子2の主振動のダンピングをさらに抑制でき、振動エネルギーの損失を抑制することができる。
次に、圧電部品100の製造方法の一例について説明する。
まず、支持基板1を作製するための多数個取り基板を作製する。例えば、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムなどの原料粉末を水や分散剤と共にボールミルを用いて混合した後に、バインダ、可塑剤等を加え、乾燥、整粒する。このようにして得られた原料をプレス成型し、必要により孔加工を施した後、所定温度で脱脂後、例えば900℃〜1600℃のピーク温度で焼成し、所定の厚みに研磨加工を実施する。その後、例えば、銀、ニッケル等の金属粉末とガラスを含む導電性ペーストを印刷し、所定の温度で焼成し、第1容量電極121、第2容量電極122、グランド端子電極13、入出力端子電極14などを形成して支持基板1を得る。
得られた支持基板1に、スクリーン印刷等を用いて導電性ペーストによる支持部を厚み1μm〜100μm程度に形成する。具体的には、第1容量電極121の上に例えば金属粉末を樹脂中に分散させて固化させてなるバンプ状の第1の支持部31を設けるとともに、第2容量電極122の上に例えば金属粉末を樹脂中に分散させて固化させてなるバンプ状の第2の支持部32を設ける。
次に、圧電素子2を構成する圧電体22は、例えば、原料粉末を水や分散剤と共にボールミルを用いて混合した後に、バインダ、可塑剤等を加え、乾燥、整粒する。このようにして得られた原料をプレス成型後、焼成し、圧電磁器を得る。得られた圧電磁器の端面に電極を形成し、例えば25℃〜300℃の温度にて端面方向に例えば0.4kV/mm〜6kV/mmの電圧をかけて分極処理を行う。
圧電体22の上下面に形成される励振電極21は、得られた圧電体22に、真空蒸着法,PVD法,スパッタリング法等を用いて圧電体22の上下面に金属膜を被着させ、厚みが1μm〜10μm程度のフォトレジスト膜をそれぞれの金属膜上にスクリーン印刷等を用いて形成した後に、フォトエッチングによってパターニングすることによって、形成することができる。パターンニングされた圧電体22を所定のサイズにダイシング等でカットすることにより圧電素子2が作製される。
次に、導電性接合材4を用いて、圧電素子2を支持基板1の第1の支持部31および第2の支持部32の上に搭載し、固定する。導電性接合材4が金属粉末を樹脂中に分散させてなる導電性接着剤の場合は、ディスペンサ等を用いてこの導電性接着剤を第1の支持部31および第2の支持部32の上に塗布しておいて、圧電素子2を第1の支持部31および第2の支持部32の上に載せ、加熱または紫外線照射により導電性接着剤の樹脂を硬化させればよい。
ここで、導電性接合材4が、圧電素子2の両端部の下面から端面にかけて接合されており、圧電素子2の下側に位置する第1の領域41とそれ以外の第2の領域42とで密度に差がある構成として、例えば圧電素子2の下側に位置する第1の領域41の密度が低く、それ以外の第2の領域42の密度が高い構成とするには、まず、空気を導入しながら混練した気泡を多く含む導電性接合材4をディスペンサ等を用いて圧電素子2の下側となる部位(第1の領域41に位置する部位)に塗布し、硬化させる。そして、圧電素子2を搭載するとともに、脱泡した導電性接合材4をディスペンサ等を用いてそれ以外の領域(第2の領域42となる部位)に塗布し、硬化させればよい。
また、第1の領域41を第2の領域42よりも密度が低く疎な領域としたときに、当該第1の領域41において、支持基板1に近い側の部位411よりも圧電素子2に近い側の部位412のほうが密度が低い構成とするには、まず、スクリーン印刷などで支持基板1の上面の第1の領域41に位置する部位に脱泡した導電性接合材4を印刷、硬化させる。その上から空気を導入しながら混練した気泡を多く含む導電性接合材4を印刷する。そして、圧電素子2を搭載するとともに、脱泡した導電性接合材4をディスペンサ等を用いてそれ以外の領域(第2の領域42となる部位)に塗布し、硬化させればよい。
また、圧電素子2の主振動の振動領域に近い第1の領域41を第2の領域42よりも密度が低く疎な領域としたときに、当該第1の領域41において、平面視したときの外周部413よりも内側部414のほうが密度が低い構成とするには、まず、目数の多いメッシュを用いてスクリーン印刷などで支持基板1の上面の第1の領域41に位置する部位に脱泡した導電性接合材を印刷、硬化する。その上から空気を導入しながら混練した気泡を多く含む導電性接合材4を、外周部より内側の方が目数の少ないメッシュを用いてスクリー
ン印刷する。そして、圧電素子2を搭載するとともに、脱泡した導電性接合材4をディスペンサ等を用いてそれ以外の領域(第2の領域42となる部位)に塗布し、硬化させればよい。
そして、必要により、圧電素子2を覆うようにして、蓋体5の開口周縁面を支持基板1の上面の周縁部に接合する。蓋体5としては、複数の凹部を有する多数個取りの集合蓋体シートを用いて、凹部が圧電素子2を覆うようにして集合蓋体シートを多数個取り基板の上に乗せ、蓋体5の開口周縁面となる集合蓋体シートの凸部を支持基板1の上面の周縁部に接合する。例えば、準備しておいた蓋体5の開口周縁面となる集合蓋体シートの凸部に熱硬化性の絶縁性接着剤を塗布し、蓋体5を支持基板1の上面に載せる。しかる後に、蓋体5または支持基板1を加熱することにより絶縁性接着剤を100〜150℃に温度上昇させて硬化させ、蓋体5を支持基板1の上面に接合する。
最後に、各圧電部品(個片)の境界にそってダイシング等で切断した後、個片となった各圧電部品の側面にスクリーン印刷等を用いて導電性ペーストを印刷し、100〜150℃に温度上昇させて硬化させて側面電極15、16を形成することで圧電部品100を得ることができる。なお、この後に側面電極15、16の表面上にNiやAu等のめっきを形成してもかまわない。
以上の方法により、本例の圧電部品100が作製される。このような方法によれば、発振周波数の変動が抑制された高精度な圧電部品を作製することができる。
1:支持基板
11:基板本体
12:容量電極
121:第1容量電極
122:第2容量電極
13:グランド端子電極
14:入出力端子電極
2:圧電素子
21:励振電極
22:圧電体
23:端面電極
31:第1の支持部
32:第2の支持部
4:導電性接合材
41:第1の領域
411:支持基板に近い側の部位
412:圧電素子に近い側の部位
413:外周部
414:内側部
42:第2の領域
5:蓋体

Claims (4)

  1. 支持基板と、該支持基板の上に配置された長尺状の圧電素子と、前記支持基板の上面に前記圧電素子の長手方向の両端部をそれぞれ接合して固定している導電性接合材とを備え、
    前記導電性接合材は、前記圧電素子の前記両端部の下面から端面にかけて接合されており、前記圧電素子の下側に位置する第1の領域とそれ以外の第2の領域とで密度に差があることを特徴とする圧電部品。
  2. 前記導電性接合材は、前記第2の領域よりも前記第1の領域のほうが密度が低いことを特徴とする請求項1に記載の圧電部品。
  3. 前記導電性接合材は、前記第1の領域において、前記支持基板に近い側よりも前記圧電素子に近い側のほうが密度が低いことを特徴とする請求項2に記載の圧電部品。
  4. 前記導電性接合材は、前記第1の領域において、平面視したときの外周部よりも内側部のほうが密度が低いことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の圧電部品。
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JPS6242328U (ja) * 1985-08-29 1987-03-13
JPH03126311A (ja) * 1989-10-12 1991-05-29 Tdk Corp 圧電素子、圧電部品及びその製造方法
JPH0390519U (ja) * 1989-12-30 1991-09-13
JPH04123617U (ja) * 1991-04-26 1992-11-10 京セラ株式会社 圧電素子

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