JP2003107669A

JP2003107669A - パターン欠陥検査装置

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Publication number: JP2003107669A
Application number: JP2001294854A
Authority: JP
Inventors: Hideo Tsuchiya; 英雄土屋; Shinji Sugihara; 真児杉原; Kyoji Yamashita; 恭司山下; Toshiyuki Watanabe; 利之渡辺; Kazuhiro Nakajima; 和弘中島
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-09-26
Filing date: 2001-09-26
Publication date: 2003-04-09
Anticipated expiration: 2021-09-26
Also published as: US20030061594A1; JP3448041B2; US7209584B2; US20050172255A1; US6883160B2

Abstract

(57)【要約】【課題】クロムパターンと位相シフトパターンの混在フ
ォトマスクにおいて、擬似欠陥を検出すること無く、両
パターンを同時に検査できるパターン欠陥検査装置を提
供する。【解決手段】遮光パターン用のアライメントマークと位
相シフトパターン用のアライメントマークを計測して得
られる両パターンの位置ずれ量に基づき、両パターンの
設計データの位置ずれ量を補正し、それにより得られた
参照パターンを基準として披検査パターンのパターン欠
陥検査を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路用
フォトマスク等、パターンが形成された試料のパターン
欠陥検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】大規模集積回路（ＬＳＩ）の製造プロセ
スにおいて、回路パターン転写用光縮小露光装置（ステ
ッパ）は、４〜５倍に回路パターンを拡大したフォトマ
スクを原版として用いる。このフォトマスクへの完全性
（パターン精度および無欠陥など）への要求は年々極め
て高くなっている。近年、超微細化・高集積化によって
ステッパの限界解像度近傍でパターン転写が行なわれる
ようになり、高精度フォトマスクがデバイス製造に不可
欠となってきた。

【０００３】中でも、超微細パターンの欠陥を検出する
マスク欠陥検査装置の性能向上が先端半導体デバイスの
短期開発・製造歩留まり向上には必須である。そのよう
なパターン欠陥検査装置の一例を図１７に示す。

【０００４】この装置では顕微鏡などを用いてフォトマ
スク１に形成されているパターンを拡大し、この拡大パ
ターンを図１８に示すように幅（Ｗ）２００μｍ程度の
細い短冊状のストライプに分割し、このストライプを連
続的（実際はテーブルが連続的に動く）に走査すること
によってパターンの欠陥を検査している。

【０００５】再び図１７において、ＸＹθテーブル２上
にフォトマスク１を載置して適切な光源３によってフォ
トマスク１に形成されているパターンを照明する。フォ
トマスク１を透過した光は拡大光学系４を介してフォト
ダイオードアレイ５に入射し、フォトダイオードアレイ
５上にパターンの光学像が結像される。

【０００６】フォトダイオードアレイ５上に結像された
パターンの光学像は、フォトダイオードアレイ５によっ
て光電変換されさらにセンサ回路６によってＡ/Ｄ変換
される。このセンサ回路６から出力された測定パターン
データは、位置回路７から出力されたＸＹθテーブル２
上におけるフォトマスク１の位置を示すデータと共に参
照データ発生回路８に送られる。

【０００７】一方、フォトマスク１へのパターン形成時
に用いたパターン設計データは磁気ディスク９から制御
計算機１０を通してビットパターン展開回路１１に読み
出される。ビットパターン展開回路１１は、パターン設
計データを、例えば画素単位のビットパターンデータに
変換し、このビットパターンデータを参照データ発生回
路８に送る。

【０００８】参照データ発生回路８は、送られてきた図
形のビットパターンデータに適切なフィルタ処理を施し
て参照多値データを発生する。センサ回路６から得られ
た測定パターンデータは、拡大光学系４の解像特性やフ
ォトダイオードアレイ５のアパーチャ効果、隣接画素間
の干渉などによってぼやけが生じた状態にあるため、設
計側のデータにもフィルタ処理を施して多値データと
し、測定パターンデータと比較し易いようにしている。

【０００９】比較回路１２は、測定パターンデータと参
照多値データとを適切なアルゴリズムに従って比較し、
一致しない場合は欠陥ありと判定している。

【００１０】ところで、最近はさらに集積度の高いＬＳ
Ｉの出現が望まれ、これに伴って光転写装置の解像度を
さらに向上させることが望まれている。この要望を実現
する手段として、フォトマスクに光の干渉を利用する位
相シフトパターンを設けることが提案されている。

【００１１】すなわち、フォトマスク１に形成されるパ
ターンは、図１９に示すように周辺パターン２１と回路
パターン２２とに分けられる。回路パターン２２はさら
にロジック・コントローラ部２３とメモリ部２４とに分
けられる。これら回路パターン２２の特に微細パターン
の形成が要求される部分に位相シフトパターンを形成す
ることが必要となっている。

【００１２】通常のフォトマスクは、ガラス基板の表面
に遮光機能のあるクロム層を所定の形状（以後、クロム
パターンと呼ぶ）に設けたものとなっている。位相シフ
トパターンは通常ＳｉＯ_２などの透光性材料で形成され
る。

【００１３】位相シフトの構造には種々の方式が考えら
れており、図２０の（ａ）に示すレベンソン方式、
（ｂ）に示す補助パターン方式、（ｃ）に示すエッジ強
調方式、（ｄ）に示すクロムレス方式、（ｅ）に示すハ
ーフトーン方式などがある。なお、これらの図において
２５はガラス基板、２６はクロムパターン、２７は位相
シフトパターンを示している。

【００１４】これらの事情からパターン欠陥検査装置に
は、位相シフトパターンの欠陥を含むパターン欠陥を正
確に検出できる機能が要求されている。しかしながら図
１７に示した従来の欠陥検査装置では、クロムパターン
と位相シフトパターンが混在したフォトマスクの場合に
は、両方のパターンの欠陥検出を同時に行えない問題が
あった。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、パターン
を形成するときに用いられたパターン設計データと、実
際に測定された測定データとを比較してパターン欠陥を
検出する従来のパターン欠陥検査装置では、図２０に示
すようなクロムパターン２６と位相シフトパターン２７
が混在したフォトマスクの場合に、フォトダイオードア
レイ５で観測される光強度プロファイルは図２１に示す
形態となる。

【００１６】なお、図２０と２１では、（ａ）〜（ｅ）
は夫々対応している。また、図２０のパターンがクロム
パターン２６のみで形成されていた場合の光強度プロフ
ァイルは図２２（ａ）〜（ｅ）に示す形態となる。

【００１７】クロムパターン２６と位相シフトパターン
２７が混在する場合、それぞれに対応する光強度は明ら
かに異なる。つまり、図２２（ｃ）、（ｄ）に示すよう
に、位相シフトパターン２７の輪郭部で光強度が大きく
変化したり、位相シフトパターン２７の光強度がガラス
部２５とクロムパターン２６との中間の値となるいわゆ
るトライトーン状態となっている特徴がある。

【００１８】このようなクロム・位相シフトパターン混
在マスクを検査する際、特に例えば図２３（ａ）のパタ
ーンのＡ−Ａ断面の光強度は（ｂ）のようになる。この
場合に、クロムパターン２６描画時と位相シフトパター
ン２７描画時のパターン位置ずれや製造プロセス上のば
らつきなどの原因で、実際の被検査パターンは、許容範
囲ではあるが、設計データ通りにクロムパターンと位相
シフトパターンの重ね合わせができていない場合があ
る。

【００１９】許容できる程度の不良であっても過剰に検
出すると、修正必要の有無を後からオペレータが判断し
なければならず、結局効率が低下してしまう。このた
め、許容できる程度の欠陥を指摘しないようにすること
が検査装置の性能向上に大きく貢献する。

【００２０】例えば、図２３（ａ）のＢ部が、図２３
（ｃ）のＢ´部のように、位置ずれを生じたり線幅が設
計データ通りに仕上がっていなかったりすることがあ
る。このような場合、欠陥検出感度を高めると、その部
分を擬似欠陥として誤検出する。このため、欠陥検出感
度を充分に上げられないという問題があった。

【００２１】また、パターンコーナ部分が丸まってしま
った場合に、図２４に示すように設計パターン（ａ）と
観測パターン（ｂ）の差が生じて（ｃ）に示す欠陥を指
摘してしまうため、感度を上げることができないという
問題もあった。

【００２２】そこで本発明は、クロムパターンと位相シ
フトパターンが混在したフォトマスクであっても、両パ
ターンの許容できる程度の位置ずれを擬似欠陥とするこ
となく、両パターンを同時に効率よく検査できるパター
ン欠陥検査装置を提供することを目的としている。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のパターン欠陥検査装置は、パターンが形成
された試料に光を照射し、前記パターンの光学像を受光
して光電変換する光電変換手段と、前記光電変換手段で
得られた信号を基にして前記パターンに対応した測定パ
ターンデータを発生する測定パターンデータ発生手段
と、前記試料に遮光パターンを形成するときに用いられ
るアライメントマーク情報つきの遮光パターン設計デー
タと、位相シフトパターンを形成するときに用いられる
アライメントマーク情報つきの位相シフトパターン設計
データとを格納する記憶手段と、前記遮光パターン設計
データをビットパターン展開して得た第１のビットパタ
ーンデータと、前記位相シフトパターン設計データをビ
ットパターン展開して得た第２のビットパターンデータ
を出力するビットパターン展開手段と、前記遮光パター
ン設計データに対応して前記試料に形成された前記アラ
イメントマークを計測して得られる第１のアライメント
計測情報と、前記位相シフトパターン設計データに対応
して前記試料に形成された前記アライメントマークを計
測して得られた第２のアライメント計測情報とから求め
られた前記試料に形成された前記遮光パターンと前記位
相シフトパターンの位置ずれ量を用いて、前記遮光パタ
ーン設計データと前記位相シフトパターン設計データの
位置ずれ量を補正する位置ずれ補正手段と、前記位置ず
れ補正手段で前記遮光パターン設計データと前記位相シ
フトパターン設計データの位置ずれ量が補正された後
の、前記第１及び第２のビットパターン展開データを合
成し、前記測定パターンデータと比較できる参照データ
を発生する参照データ発生手段と、前記参照データ発生
手段から得た前記参照データと前記測定パターンデータ
とを比較して前記試料に形成されているパターンの欠陥
有無を判定する判定手段とを具備することを特徴とす
る。

【００２４】本発明では、遮光パターンすなわちクロム
パターン描画時と位相シフトパターン描画時のパターン
位置ずれや製造プロセス上のばらつきなどの原因で、ク
ロムパターンと位相シフトパターンが設計データ通りに
重なっておらず、位置ずれを生じていたり、線幅が設計
データ通りにできていない場合に、実際に計測された両
パターンの位置ずれ量を用いて、クロムパターンと位相
シフトパターンの設計データの位置ずれ量を補正する。
この補正後の設計パターンを用いてパターン欠陥検査を
行うので、許容できる位置ずれを擬似欠陥とすることな
く、両方のパターンの欠陥検出を同時に実行できる。

【００２５】また、記憶手段に格納されている設計デー
タには識別情報、つまり位相シフトパターンの有無、位
相シフトパターンの構造や種類などを示す情報が付与さ
れているので、この情報を基に検査方法や検査アルゴリ
ズムなどの変更が検査実行中において随時可能になる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。

【００２７】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係るパターン欠陥検査装置の構成を示すブ
ロック図である。この構成は図１７に示されている従来
の装置の構成と基本的には同じであるので、同一部分に
は同一番号を付している。また、重複する部分の詳しい
説明は省略する。

【００２８】図１の装置が従来の装置と異なる点は、磁
気ディスク装置９に、前記試料に遮光パターンを形成す
るときに用いられたアライメントマーク情報つきの遮光
パターン設計データ（データＡ）と、位相シフトパター
ンを形成するときに用いられたアライメントマーク情報
つきの位相シフトパターン設計データ（データＢ）とを
格納させ、これらを検査に使用することである。さら
に、位置ずれ補正回路１３が新たに設けられている。

【００２９】パターン設計データは長方形や三角形を基
本図形としたもので、例えば図２に示すように図形のＸ
寸法Ｌ_１、Ｙ高さＬ_２、図形の配置座標（ｘ、ｙ）を組
み合わせて記述されている。データにはこの他に遮光パ
ターンと位相シフトパターンを区別する識別子や、描画
時や検査時の設定条件が含まれている。

【００３０】検査装置はこのデータを読み込んで、遮光
パターン（クロムパターン）設計データのみの場合、位
相シフトパターン設計データのみの場合、両者が混在し
ている場合に応じて、検査に必要な各回路の動作モード
の設定を行う。

【００３１】以下、第１の実施形態の特徴部分を、図３
のブロック図を用いて説明する。ビットパターン展開回
路１１は、図１８に示した検査ストライプと呼ぶ短冊状
の領域を単位として、磁気ディスク装置９から制御計算
機１０を介して、データメモリ部１１１にデータを受け
取る。

【００３２】送られた図形データは、メモリ部１１１か
ら図形解釈部１１２に送られ、ここでその図形データの
図形形状を示す図形コード、図形寸法などを解釈する。
解釈された検査ストライプの図形は、ビットパターン発
生部１１３で、さらにビットパターンデータに展開され
る。

【００３３】この際の１ビットの寸法は、例えば１００
ｎｍや１０ｎｍなどの設計データ側で設計ルールと呼ば
れている所定の基準寸法に合わせることも考えられる
が、本実施形態では、センサで測定パターンを取得する
際の１画素寸法に揃えてある。さらに、１画素を２５６
段階程度の階調データで表現して、等価的にデータの分
解能を向上する工夫をしている。

【００３４】展開されたビットパターンデータは、ビッ
ト展開手段出力段に設けた大容量のストライプパターン
メモリ部１１４に一時的に蓄積される。その容量は検査
ストライプ１本分のビットパターンデータを格納するの
に充分な大きさにしておく。

【００３５】本実施形態では、遮光パターン（クロムパ
ターン）設計データ、位相シフトパターン設計データ両
者が混在している場合には、まず一方の設計データをビ
ットパターン展開手段で処理して出力段に設けた大容量
のパターンメモリ部１１４に検査ストライプ１本分を一
時的に蓄積する。

【００３６】次いで他方の設計データをビットパターン
展開手段で処理する。なお、遮光パターン（クロムパタ
ーン）設計データのみの場合や、位相シフトパターン設
計データのみの場合はこのような順次処理は不要であ
る。

【００３７】上述の混在データの場合には、遮光パター
ンの展開パターンデータと位相シフトパターンの展開パ
ターンデータは、ビットパターン展開部１１の出力段に
設けられた同期バッファ１１５，１１６を通じて、位置
ずれ補正回路１３に入力される。

【００３８】より詳細には、遮光パターンと位相シフト
パターンの展開パターンデータを、一方は展開結果をパ
ターンメモリ部１１４に一時的に蓄積せずにそのまま出
力し、パターンメモリ部１１４に一時的に蓄積してあっ
た他方のビットパターンデータを上記に同期して並列に
出力し、位置ずれ補正回路１３に入力させる。

【００３９】位置ずれ補正回路１３は、試料（マスク
１）に形成された遮光パターンと位相シフトパターンの
位置ずれ量に基づき、一方のビットパターンデータに対
して他方のビットパターンデータをずらして、パターン
相互に生じている位置ずれを反映させる。これにより、
実際に観測される試料の像に対応するパターンデータを
作成する。

【００４０】上記の位置ずれ量は、アライメントの工程
において遮光パターンと位相シフトパターンそれぞれの
アライメント計測情報から求められる。アライメント計
測情報は、センサー回路６のアライメントマーク検知に
同期して、レーザー測長システム２で発生され、その位
置座標情報が位置回路７に入力される。この位置座標
は、さらに制御計算機（ＣＰＵ）１０に伝達され、ここ
で位置ずれ量が計算される。計算された位置ずれ量は、
位置ずれ補正回路１３、あるいは後述するフィルタ回路
８２に伝達される。

【００４１】つぎに、位置ずれ補正回路１３で位置ずれ
補正されたパターンデータは参照データ発生回路８に入
力され、遮光パターン、位相シフトパターンそれぞれの
光量振幅、位相などを考慮して、合成部８１で合成され
る。

【００４２】さらに、合成されたデータは、拡大光学系
４の解像特性やフォトダイオードアレイ５のアパーチャ
効果、隣接画素間の干渉などによるぼやけを模擬するた
め、二次元フィルタ８２によりフィルタ処理を施され
る。

【００４３】参照データ発生回路８の出力は、比較回路
９に入力され、センサ５で取り込んだ測定パターンデー
タと適切なアルゴリズムに従って比較され、一致しない
場合は欠陥ありと判定される。

【００４４】ここで、図４を用いてアライメントの説明
をする。遮光パターン（クロムパターン）と位相シフト
パターンが混在している場合には、フォトマスクのパタ
ーン位置ずれは、図４に示すような形態で生じることが
想定される。即ち、図４（ａ）のように文字Ａが全体が
平行にずれる、図４（ｂ）のようにある点を中心に回転
している、図４（ｃ）のようにマスク伸縮方向の微妙な
誤差などで相互のパターン位置がずれてしまう、などで
ある。

【００４５】この位置ずれを計測するには、図５に示す
ように遮光パターン（クロムパターン）と位相シフトパ
ターンそれぞれのアライメントマークの座標を測定す
る。アライメントマーク２９は実パターンと同じ条件で
描画・プロセス処理されたものだから、被検査パターン
の描画時の歪やマスク回転を推定できるものである。

【００４６】遮光パターン（クロムパターン）用のマー
ク３１〜３４と位相シフトパターン用のマーク３５〜３
８は、識別可能な配置やマーク形状にしてあり、設計上
は被検査パターン（チップ）の外周部に、長方形の頂点
（４ヶ所）など、Ｘ、Ｙ座標が把握しやすい位置に配置
される。センサ５で各マークが存在する領域から実際の
マークを撮像し、マークが捉えられたときの座標を、比
較回路１２経由、位置回路７に位置座標データとして取
り込む。

【００４７】このアライメントマークの形状は、さまざ
まなものが考えられる。例えば図６（ａ）に示すような
十字マークはその交点をＸ、Ｙ座標の座標として扱う。
遮光パターン（クロムパターン）と位相シフトパターン
を分別する便宜のために、２つの十字マークを重ならな
いようにわずかにずらし、遮光パターン（クロムパター
ン）２６中に位相シフトパターン２７の十字マークと、
位相シフトパターン２７中にガラス２５の十字マークを
配置しておく。

【００４８】ガラスと遮光パターン（クロムパターン）
と位相シフトパターンの組み合わせを変えたものが図６
（ｂ）、図７（ａ）である。この他、図７（ｂ）〜
（ｄ）のように２つの十字マークを重ねていても、光強
度の判定しきい値を工夫すれば識別可能とすることがで
きる。

【００４９】アライメントの工程では、被検査パターン
（チップ）の外周部に配置された４ヶ所を巡回して、遮
光パターン（クロムパターン）と位相シフトパターンそ
れぞれの４点の座標を求める。４点は図５の通り、左下
から反時計回りに遮光パターン（クロムパターン）の1
番〜４番マーク３１〜３４、位相シフトパターンの1番
〜４番マーク３５〜３８とする。

【００５０】次に、本発明の欠陥検査装置での補正の概
念を述べる。被検査パターン（チップ）の外周部の長方
形の頂点（４ヶ所）など、Ｘ、Ｙ座標が把握しやすい位
置にアライメントマークを配置したのは、被検査パター
ン（チップ）自体も、アライメントマークが実際に描画
されたのと同様の伸縮、回転、その他の歪を生じている
ことを前提としている。従って、設計データ上の任意の
座標が実マスク上ではどのような座標になるかは、アラ
イメントマーク４点の座標から、伸縮や回転成分を距離
の比例配分などで按分して推定することができる。

【００５１】アライメントの一般的な考え方として、誤
差が被検査パターン（チップ）の平行移動の誤差、倍率
誤差だけならば、４点を測定しなくても、任意の２点を
計測して設計データと実パターンの寸法の差を求めれ
ば、誤差の補正を行うことができる。

【００５２】マスク回転や直交度誤差まで考慮するため
には、３点を計測する必要がある。この３点は、図５の
1番〜３番マーク３１〜３３のように、１〜２番マーク
の辺と２〜３番マークの辺の二辺が直角を挟む構成で配
置されたものが望ましい。

【００５３】但し、図５の通り４点を計測すれば、被検
査パターン（チップ）が任意の四辺形に変形している状
態として捉えることができ、４点のずれを比例配分すれ
ば、被検査パターンの任意の座標において、設計座標か
ら実パターン座標へ歪補正込みの変換を行うことができ
る。

【００５４】以上は、遮光パターン（クロムパターン）
または位相シフトパターンのいずれか一方のみが存在し
ている場合のアライメントを説明したが、図５のように
遮光パターンの1番〜４番マーク３１〜３４、位相シフ
トパターンの1番〜４番マーク３５〜３８の両方を使っ
て位置ずれを補正する方法を次に説明する。

【００５５】まず、遮光パターンと位相シフトパターン
について、それぞれ４点のアライメントマークで歪・回
転誤差を計測し、被検査パターンの任意の座標に対応す
る設計座標に対し、実パターン座標への歪補正込み変換
を行う。

【００５６】ある設計座標値をアライメントに基づく実
パターン座標に変換すると、遮光パターン、位相シフト
パターンそれぞれ微妙に異なる座標になるが、図１や図
３の位置ずれ補正回路１３には、この微妙に異なる座標
の差分を設定する。

【００５７】このように構成することで、実際の遮光パ
ターンと位相シフトパターンの位置ずれを生じている状
態を模擬した参照パターンデータを発生できる。例え
ば、遮光パターンを基本として参照データ発生回路８の
動作を行わせる際には、位相シフトパターン用のアライ
メントマークで計測した歪・回転誤差を反映した位相シ
フトパターンデータを、遮光パターンデータに加えれば
よい。

【００５８】位置ずれ補正回路１３は、図８に示すよう
に入力バッファ１３０、１３１、再サンプリング回路１
３２、遅延バッファ１３３、１３４とから構成される。
バッファ１３０、１３１にはビットパターン展開回路１
１から２次元パターンを切り出してｙ方向（矢印１３５
の方向）にスキャンした状態で順次入力される。

【００５９】再サンプリング回路１３２は局所並列２次
元バッファ（不図示）を持ち、画素単位でＸ、Ｙ方向に
ずらすほか、ずらし量に応じた比例重み付け加算を行っ
て、１画素以内の微調整を行うことができる。

【００６０】この図８の構成で入力バッファ１３０に遮
光パターンデータ、入力バッファ１３１に位相シフトパ
ターンデータを入力し、位相シフトパターンデータの位
置ずれを微調整する。遅延バッファ１３３、１３４は、
遮光パターンデータ側と位相シフトパターンデータ側の
データの同期を調整するもので、通常、遅延バッファ１
３４は遅延量ゼロで、遅延バッファ１３３には再サンプ
リング回路１３２で生じる遅延を補償する遅延量を設定
しておく。

【００６１】再サンプリング回路１３２での演算は２次
元マトリックスＡＩ〜ＣIIIのそれぞれの重み付け計数
をｋ_１〜ｋ_９として各要素を重み付け加算する。すなわ
ち、次の式のように演算する。

【００６２】Ａ＝ｋ_１ＡＩ＋ｋ_２ＢＩ＋ｋ_３ＣＩ＋ｋ_４
ＡＩＩ＋ｋ_５ＢＩＩ＋ｋ_６ＣＩＩ＋ｋ_７ＡＩＩＩ＋ｋ_８
ＢＩＩＩ＋ｋ_９ＣＩＩＩなお、図４(b)のように回転ずれを生じている場合に
は、厳密には角度の誤差も考慮する必要があるが、この
装置の局所的な視野では、回転角度の誤差は局所的には
平行な位置ずれで近似できる。

【００６３】また、以上の説明では、遮光パターンを基
本として、参照データ発生回路８の動作を行わせる際
に、位相シフトパターン用のデータを位置補正して検査
基準データを発生する方法を説明したが、逆に位相シフ
トパターン用のアライメントマークを基準にして、遮光
パターン用の設計パターンデータを位置補正することも
当然可能である。

【００６４】（第２の実施形態）図９は、本発明の第２
の実施形態に係るパターン欠陥検査装置の構成を示すブ
ロック図である。前述の第１の実施形態では、位置ずれ
を予め位置ずれ補正回路１３で合わせてから、参照デー
タ発生回路８中のフィルタ回路８２で、アライメント計
測情報に基づくマスク回転や伸縮の補正を施している
が、第２の実施形態ではこの機能を次のように変形して
いる。

【００６５】フィルタ回路８２では、被検査パターンに
生じている伸縮・回転などによる歪を、各アライメント
マーク計測情報に基づき、４点のずれを比例配分する補
正処理や伸縮補正処理で設計データに補正を行って、フ
ィルタをかけて観測された被検査パターンに良く一致す
る検査基準データ（参照データ）を発生している。

【００６６】第２の実施形態では、図９に示すように、
これら伸縮・回転などの補正機能を行うフィルタ回路を
８２及び８３の２つ用意している。即ち、一方の８２で
は遮光パターンに生じている歪を遮光パターン用のアラ
イメント計測情報に基づいて補正し、もう一方の８３で
は位相シフトパターンに生じている歪を位相シフトパタ
ーン用のアライメント計測情報に基づいて補正する。

【００６７】その後、遮光パターン、位相シフトパター
ンそれぞれの光量振幅、位相などを考慮してこれらを参
照データ発生回路８´中の合成部８１で合成する。フィ
ルタ回路８２，８３は、さらに拡大光学系４の解像特性
やフォトダイオードアレイ５のアパーチャ効果、隣接画
素間の干渉などによるぼやけを模擬するためのフィルタ
処理を施す。

【００６８】この方式では、参照データ発生回路８´内
に歪補正機能を有するフィルタ回路が８２，８３の２つ
必要になるが、第１の実施形態で必要だった位置ずれ補
正回路１３は不要になる。

【００６９】（第３の実施形態）図１０は、第３の実施
形態に係るパターン欠陥検査装置の構成を示すブロック
図である。前述の第１及び第２の実施形態では、遮光パ
ターン、位相シフトパターン相互の位置ずれを補正する
ためのハードウェア（即ち、位置ずれ補正回路１３、フ
ィルタ回路８２、８３）が必要であった。第３の実施形
態では、このハードウェアで実行していたことを、ソフ
トウェアで実現するものである。

【００７０】第３の実施形態では、遮光パターンを基本
として参照データ発生回路８の動作を行わせる際に、位
相シフトパターン用のデータをソフトウェア的に位置補
正して参照データを発生する方法を説明する。

【００７１】図１０において、遮光パターン（クロムパ
ターン）用のデータＡと位相シフトパターン用のデータ
Ｂはディスク９に格納されている。制御計算機（ＣＰ
Ｕ）１０は、位置回路７のデータからアライメントマー
クの位置情報を読み取り、被測定試料（実マスク）上の
アライメントマーク位置座標を入手する。その際に、設
計上のアライメントマーク位置３９〜４２に対して遮光
パターン（クロムパターン）用のマークは３１〜３４と
入力され、位相シフトパターン用のマークは３５〜３８
と入力されたとする。

【００７２】基本となる遮光パターン（クロムパター
ン）用データは、チップデータから所定の幅の検査スト
ライプ領域を抽出してビットパターン展開回路１１に送
る。ビットパターン展開回路１１は、図１０では図示を
省略したが図１と同様にして、そのデータを解釈し、ビ
ットパターンを発生して、一旦、ストライプメモリ（１
１４）に格納する。

【００７３】位相シフトパターン用のデータは、遮光パ
ターン用のアライメントマーク計測座標３１〜３４と位
相シフトパターン用のアライメントマーク計測座標３５
〜３８の差分だけ、ずらした位置を検査ストライプ領域
の抽出領域としてビットパターン展開回路１１に送る。
ビットパターン展開回路１１はそのデータを解釈し、ビ
ットパターンを発生して、参照データ発生回路８に出力
するが、その際には先に展開してストライプメモリ（１
１４）に格納してあった遮光パターン用のビットパター
ンデータも同期して出力する。

【００７４】ビットパターン展開回路１１から同期して
出力された２つのパターンデータは参照データ発生回路
８に入力され、第１の実施形態と同様に、遮光パター
ン、位相シフトパターンそれぞれの光量振幅、位相など
を考慮して合成される。さらに、拡大光学系４の解像特
性やフォトダイオードアレイ５のアパーチャ効果、隣接
画素間の干渉などによるぼやけを模擬するために、二次
元フィルタ回路８２によりフィルタ処理が施される。

【００７５】参照データ発生回路８の出力は、比較回路
９に入力され、センサ５で取り込んだ測定パターンデー
タと適切なアルゴリズムに従って比較し、一致しない場
合は欠陥ありと判定する。

【００７６】この方式では、ソフトウェアによるストラ
イプ切り出し位置がすでに遮光パターンと位相シフトパ
ターンの位置ずれを反映しているので、前述の第１の実
施形態の位置ずれ補正回路１３（図３）や第２の実施形
態の参照データ発生回路８内の２系統のフィルタ８２，
８３（図９）のように、特別なハードウェアなしで被検
査パターンに良く一致する検査基準データ（参照デー
タ）を発生できる。

【００７７】（第４の実施形態）図１１は、本発明の第
４の実施形態に係るパターン欠陥検査装置の主要部の構
成を示すブロック図である。

【００７８】遮光パターン、位相シフトパターン相互の
描画位置ずれと同様に、パターンを形成する際のプロセ
スの違いなどの要因で、遮光パターン、位相シフトパタ
ーンそれぞれの仕上がり線幅の誤差やパターンコーナに
生じるパターンの丸まりの程度にも違いが生じる可能性
がある。第４の実施形態では、図１１に示すように、リ
サイズあるいはコーナー丸めのための補正回路を追加す
ることにより、遮光パターン、位相シフトパターンそれ
ぞれに別々の寸法のリサイズ処理と、コーナ丸め処理を
施すことができる。

【００７９】図１２は、リサイズ・コーナ丸め補正回路
４９の説明を容易にするために、既に説明した位置ずれ
補正回路１３を削除したブロック図である。図１２には
図示しないが、図３で説明したように、遮光パターン
（クロムパターン）用のデータＡと位相シフトパターン
用のデータＢはディスク９に格納されている。制御計算
機（ＣＰＵ）１０はデータを読み取り、被測定試料（実
マスク）上のアライメントマーク座標を計測したり、被
測定試料上に形成されたモニターマークを読み取りパタ
ーンの線幅やコーナパターンの丸まり寸法を測定した
り、検査前の準備動作をする。

【００８０】図１３に示すように、モニターマーク５０
はマスク上に適当な線幅で縦横のライン／スペースパタ
ーン５０ａ、５０ｂや、直角や１３５度、４５度のコー
ナを含むマーク５０ｃを、マスク１上の被検査領域５１
に掛らない部分に配置しておく。

【００８１】モニターマーク５０も被検査実パターンと
同様の描画・プロセスを経て形成されているので、モニ
ターマーク５０で線幅を測定したり、コーナ丸まり形状
を測定して、実パターンに適したリサイズ寸法量とコー
ナ丸め寸法を取得できる。遮光パターン（クロムパター
ン）用と位相シフトパターン用は異なると予測されるの
で、モニターマーク５０はそれぞれの寸法が測定できる
よう配置する。

【００８２】図１３（ａ）の斜線部は遮光パターンを表
わすが（周囲はガラス）、同一パターンでこの斜線部分
を位相シフトパターンで形成したもの（不図示）を製作
して２つで1セットとし、図１３（ｂ）に示すように、
被検査パターン領域５１の外周部に配置する。例えば、
図１３（ｂ）において、上部の2つのモニタマーク５０
を上記の１セットとし、下部の2つのモニターマーク５
０を上記の他の1セットとすればよい。

【００８３】ここでは、展開された設計パターンデータ
のパターン線幅を太らせたりG細らせたりする処理（リ
サイズ）とコーナパターンの角を丸める処理（コーナ丸
め）の処理方法は問わないが、リサイズ処理では、最大
２〜３画素の太らせ・細らせが可能で、１画素の１／１
０程度の設定分解能を有する処理方法が望ましい。

【００８４】コーナ丸め処理では、９０度のほか、１３
５度、４５度のコーナに個別に丸め寸法を指定すること
が可能で、凹凸を区別できることが必要なので、最大３
〜４画素程度、１画素の１／１０程度の設定分解能を有
する処理方法が望ましい。

【００８５】具体的な処理回路は、例えば３×３のテン
プレートを走査して、中心画素の値を演算して置き換え
るなどの教科書的な手法を用いることができるので、こ
こでは説明を省略する。

【００８６】モニターマークで測定した線幅調整所要量
（リサイズ寸法）とコーナ丸め所要量は、遮光パターン
データをビットパターン展開処理する時には、遮光パタ
ーンで測定した設定値をリサイズ回路とコーナ丸め回路
に設定し、位相シフトパターンデータをビットパターン
展開処理する時には、位相シフトパターンで測定した設
定値をリサイズ回路４５とコーナ丸め回路４６に設定す
る。

【００８７】図１２の構成で、遮光パターンデータを展
開処理する時には、コーナ丸め回路４６の出力はストラ
イプパターンメモリ４７に導かれて検査ストライプ1本
分のパターンデータを保持し、次に位相シフトパターン
データを展開処理する時には、コーナ丸め回路４６の出
力は同期バッファ４８を介して参照データ発生回路８に
送るとともに、ストライプパターンメモリ４７を読み出
して、位相シフトパターンデータと同期して遮光パター
ンデータも出力する。

【００８８】出力されたそれぞれのパターンデータは参
照データ発生回路８に入力され、第１の実施例と同様
に、遮光パターン、位相シフトパターンそれぞれの光量
振幅、位相などを考慮して合成される。さらに、拡大光
学系４の解像特性やフォトダイオードアレイ５のアパー
チャ効果、隣接画素間の干渉などによるぼやけを模擬す
るためのフィルタ処理が施される。

【００８９】参照データ発生回路８の出力は、比較回路
９に入力され、センサ５で取り込んだ測定パターンデー
タと適切なアルゴリズムに従って比較し、一致しない場
合は欠陥ありと判定する。

【００９０】図１１に示したように、第１の実施形態と
組み合わせて、遮光パターンと位相シフトパターンとで
別々のリサイズ量とコーナ丸め量を設定する事と、遮光
パターンと位相シフトパターンとで生じている位置ずれ
を補正する事を組み合わせることは、より良い参照デー
タを発生するために有効である。

【００９１】（第５の実施形態）第５の実施形態は第４
の実施形態の変形例で、図１４に主要部のブロック図を
示す。補正回路４９´を、リサイズ・コーナ丸めに必要
なリサイズ寸法やコーナ丸めの半径を、遮光パターンデ
ータ用と位相シフトパターン用の両方をハードウェア内
に格納しておき、処理するデータに応じて即時に回路動
作状態を変更できる構成にしている。

【００９２】図１４に示すごとく、リサイズ値とコーナ
丸め量を格納するレジスタ５２〜５５を装備しており、
予め遮光パターンで測定した設定値、位相シフトパター
ンで測定した設定値をそれぞれのレジスタに格納してお
く。

【００９３】遮光パターンデータを展開処理する時に
は、遮光パターン用の設定値をリサイズ回路とコーナ丸
め回路に設定し、位相シフトパターンデータを展開処理
する時には位相シフトパターン用の設定値をレジスタか
ら読み出してリサイズ回路４５とコーナ丸め回路４６に
設定する。

【００９４】このようにすることで、制御計算機１０か
らデータ切り換えの都度、リサイズとコーナ丸め設定量
を書き込む手間が無くなり、処理時間を短縮できる。

【００９５】（第６の実施形態）第６の実施形態は、第
４の実施形態の他の変形例であり、図１５に主要部のブ
ロック図を示す。

【００９６】第４あるいは第５の実施形態では、ストラ
イプパターンメモリ４７をリサイズ回路４５とコーナ丸
め回路４６のあとに挿入しているが、第６の実施形態で
は、図１５に示すごとく、リサイズ・コーナ丸め補正回
路４９″中のストライプメモリ４７をリサイズ回路４５
とコーナ丸め回路４６の前（展開回路１１の直後）に挿
入している。

【００９７】このような構成でも、遮光パターンと位相
シフトパターンとで別々のリサイズ量とコーナ丸め量を
設定する効果は実現できる。

【００９８】以上説明した第１〜第６の実施形態では、
この発明の趣旨である許容できる程度の位置ずれ、リサ
イズ誤差、コーナ丸まりの程度であれば、擬似欠陥に至
らぬように検査基準データ（参照データ）を補正して、
効率のよい補正を行うことができる。

【００９９】しかしながら、位置ずれ、リサイズ、また
はコーナー丸めの補正量が規定値を超えた場合には、警
告を発生して検査を行わずに終了することも必要であ
る。次の第７の実施形態では、このような例を説明す
る。

【０１００】（第７の実施形態）図１６は第７の実施形
態に係る警告発生の手順を示すフローチャートである。
先ず、位置ずれの場合には、検査に先立って実施するア
ライメントの工程で、遮光パターン設計データに対応す
るアラインメトマーク（図５の３１〜３４）と位相シフ
トパターン設計データに対応するアライメントマーク
（図５の３５〜３８）の夫々を計測し、一旦制御計算機
１０に取り込む。

【０１０１】次に、設計上の配置位置との位置ずれを算
出する段階で、予めパラメータファイルなどに記述して
おいた位置ずれ許容値を参照し、これを超えているか否
かを判断し、許容値を超えている場合には、その検査に
着手せずに警告を発して終了する。

【０１０２】次に、リサイズとコーナ丸めの検査に進む
が、リサイズの誤差を検出する方法は、以下のようにし
て行うことができる。図１３に示すように、マスク１の
チップ領域外周部に配置してあるリサイズ・コーナ丸ま
りモニターマーク５０を仮に検査してみて、そのセンサ
取り込み画像と参照パターン画像を計算機１０に取り込
み、その両者を適当な計算処理で比較することにより、
パターンの線幅を一致させるために必要なリサイズ寸法
を求める。このとき、予めパラメータファイルなどに記
述しておいたリサイズ許容値を超えている場合には、そ
の検査に着手せずに警告を発して終了する。

【０１０３】同様に、コーナ丸め寸法の補正量が規定値
を超えた場合には、図１３に示すようなモニタマーク５
０を仮に検査して、そのセンサ取り込み画像と参照パタ
ーン画像を制御計算機１０に取り込み、その両者を適当
な計算処理で比較する。これにより、参照パターン画像
に施すコーナパターン部分が、どの程度の丸まり量でセ
ンサ取り込みとよく一致するかを求める。このとき、予
めパラメータファイルなどに記述しておいたコーナ丸め
寸法許容値を超えていると判断した場合は、その検査に
着手せずに警告を発して終了する。

【０１０４】以上の動作は、図１に示す本発明の構成
上、制御計算機１０におけるソフトウェアを図１６の如
く組み立てることにより、新たなハードウェア構成要件
を付加することなく実現できる。

【０１０５】以上の説明および図１６では、アライメン
トの工程は、予め形状と配置位置を定めたアライメント
マークで行う手法を示しているが、本発明の趣旨は遮光
パターン設計データに対応する実際のパターン描画位置
と、位相シフトパターン設計データに対応する実際の位
相シフトパターン描画位置の位置関係を把握することで
あるから、予め形状と配置位置を定めたアライメントマ
ークを用いずとも、実際のパターンの一部で同等の位置
ずれの特徴が捉えられれば、そのパターンで位置ずれを
計測することも有効である。

【０１０６】同様に、リサイズとコーナ丸め寸法をモニ
タマークを計測する例で説明しているが、本発明の趣旨
は遮光パターン設計データ・位相シフトパターン設計デ
ータに対応する実際のパターン形状を把握することであ
るから、予め形状と配置位置を定めたモニタマークを用
いずとも、実際のパターンの一部で同等のリサイズ寸法
やコーナ丸まり寸法を計測することも有効である。

【０１０７】以上、本発明の実施形態を説明したが、本
発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣
旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施するこ
とが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階
の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み
合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例え
ば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除
されても、所定の効果が得られるものであれば発明とし
て抽出され得る。

【０１０８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によればフ
ォトマスクにパターンを形成する際に用いられた遮光パ
ターン（クロムパターン）の設計データと位相シフトパ
ターンの設計データに対し、実際のパターンの位置ずれ
に対応する位置ずれ量を補正することによって、擬似欠
陥としての誤検出が抑制され、さらに遮光パターンと位
相シフトパターンの欠陥検査を同時に行うことができ
る。

【０１０９】マスクが描画された際の位置ずれや製造プ
ロセスの過程で生じるパターン線幅やコーナ丸まりの誤
差が遮光パターン（クロムパターン）と位相シフトパタ
ーンとで異なる場合でも、これを補償することもできる
ので、欠陥検出感度を上げても擬似欠陥を発生しない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る欠陥検査装置の
構成を示すブロック図

【図２】設計データのフォーマット例

【図３】本発明の第１の実施形態に係る欠陥検査装置の
主要部のブロック図

【図４】パターンずれの例

【図５】アライメントマークの配置例

【図６】アライメントマークの形状例

【図７】アライメントマークの他の形状例

【図８】第１の実施形態に係る位置ずれ補正回路の構成
例

【図９】本発明の第２の実施形態に係る欠陥検査装置の
主要部のブロック図

【図１０】本発明の第３の実施形態に係る欠陥検査装置
の主要部のブロック図

【図１１】本発明の第４の実施形態に係る欠陥検査装置
の主要部のブロック図

【図１２】第４の実施形態のリサイズ・コーナ丸め補正
回路４９を抽出したブロック図

【図１３】リサイズ・コーナ丸まりモニターマークの例
（ａ）と、配置例（ｂ）

【図１４】本発明の第５の実施形態の欠陥検査装置にお
けるリサイズ・コーナ丸め補正回路４９´を抽出したブ
ロック図

【図１５】本発明の第６の実施形態の欠陥検査装置にお
けるリサイズ・コーナ丸め補正回路４９″を抽出したブ
ロック図

【図１６】本発明の第７の実施形態に係る警告発生手順
を示すフローチャート

【図１７】従来の欠陥検査装置の構成を示すブロック図

【図１８】マスクとストライプの関係を示す概念図

【図１９】マスクのパターン配置例

【図２０】位相シフトの構造例を示す図

【図２１】図２０において、クロムパターンと位相シフ
トパターンとが混在している部分および位相シフトパタ
ーンだけが存在している部分の透過光強度プロファイル
を示す図

【図２２】図２０の構成で、クロムパターンだけが存在
しているとした場合の透過光強度プロファイルを示す図

【図２３】遮光パターンと位相シフトパターンの位置ず
れと、透過光強度の関係を説明する図

【図２４】パターンコーナ丸まりの例

【符号の説明】

１…フォトマスク２…ＸＹθテーブル３…光源４…拡大光学系５…フォトダイオードアレイ６…センサ回路７…位置回路８、８´…参照データ発生回路９…磁気ディスク１０…制御計算機１１…ビットパターン展開回路１２…比較回路１３…位置ずれ補正回路２１…周辺パターン２２…回路パターン２３…ロジックコントローラ部２４…メモリ部２５…ガラス基板２６…クロムパターン２７…位相シフトパターン２９…アライメントマーク３１〜３４…遮光マスク用アライメントマーク３５〜３８…位相シフトマスク用アライメントマーク３９〜４２…設計データアライメントマーク４３…設計データ上の検査ストライプ４４…アライメント補正を反映した検査ストライプ４５…リサイズ回路４６…コーナ丸め回路４７…ストライプパターンメモリ４８…同期出力バッファ５０…モニターマーク５１…被検査領域５２〜５５…レジスタ１３０，１３１…入力バッファ１３２…再サンプリング回路１３３，１３４…遅延バッファ１３５…スキャン方向

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山下恭司神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者渡辺利之神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者中島和弘神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内Ｆターム(参考） 2F065 AA20 AA54 BB02 BB17 CC20 DD03 FF02 FF67 HH13 JJ03 JJ26 PP12 QQ23 QQ25 QQ38 RR05 2G051 AA56 AB02 AC02 CA03 CB02 EA08 EA11 EA12 EA14 EB01 ED12 ED15 2H095 BB03 BD06 BD15 BD28

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パターンが形成された試料に光を照射
し、前記パターンの光学像を受光して光電変換する光電
変換手段と、前記光電変換手段で得られた信号を基にして前記パター
ンに対応した測定パターンデータを発生する測定パター
ンデータ発生手段と、前記試料に遮光パターンを形成するときに用いられるア
ライメントマーク情報つきの遮光パターン設計データ
と、位相シフトパターンを形成するときに用いられるア
ライメントマーク情報つきの位相シフトパターン設計デ
ータとを格納する記憶手段と、前記遮光パターン設計データをビットパターン展開して
得た第１のビットパターンデータと、前記位相シフトパ
ターン設計データをビットパターン展開して得た第２の
ビットパターンデータを出力するビットパターン展開手
段と、前記遮光パターン設計データに対応して前記試料に形成
された前記アライメントマークを計測して得られる第１
のアライメント計測情報と、前記位相シフトパターン設
計データに対応して前記試料に形成された前記アライメ
ントマークを計測して得られた第２のアライメント計測
情報とから求められた前記試料に形成された前記遮光パ
ターンと前記位相シフトパターンの位置ずれ量を用い
て、前記遮光パターン設計データと前記位相シフトパタ
ーン設計データの位置ずれ量を補正する位置ずれ補正手
段と、前記位置ずれ補正手段で前記遮光パターン設計データと
前記位相シフトパターン設計データの位置ずれ量が補正
された後の、前記第１及び第２のビットパターン展開デ
ータを合成し、前記測定パターンデータと比較できる参
照データを発生する参照データ発生手段と、前記参照データ発生手段から得た前記参照データと前記
測定パターンデータとを比較して前記試料に形成されて
いるパターンの欠陥有無を判定する判定手段と、を具備
することを特徴とするパターン欠陥検査装置。
【請求項２】前記位置ずれ補正手段は、前記第１と第
２のビットパターンデータを、前記遮光パターンと前記
位相シフトパターンの位置ずれ量で補正した後、前記第
１と第２のビットパターンデータを前記参照データ発生
手段に出力し、前記参照データ発生手段は、前記第１と第２のビットパ
ターンデータを合成した後フィルタ処理を行い、前記測
定パターンデータと比較できる前記参照データを発生す
ることを特徴とする請求項１に記載のパターン欠陥検査
装置。
【請求項３】前記位置ずれ補正手段は、前記第１のア
ライメントマーク計測情報に基づいて前記第１のビット
パターンデータを位置補正しながらフィルタ処理を施
し、前記第２のアライメントマーク計測情報に基づいて
前記第２のビットパターンデータを位置補正しながらフ
ィルタ処理を施し、前記参照データ発生手段は、前記２つのフィルタ処理の
結果を合成し、前記測定パターンデータと比較できる前
記参照データを発生することを特徴とする請求項１に記
載のパターン欠陥検査装置。
【請求項４】前記位置ずれ補正手段は、前記遮光パタ
ーン設計データと前記位相シフトパターン設計データの
一方から所定の幅の検査ストライプ領域を抽出して前記
ビットパターン展開手段に送り、前記遮光パターン設計
データと前記位相シフトパターン設計データの他方か
ら、前記第１と第２のアラインメント情報の差分だけず
らした検査ストライプ領域を抽出して前記ビットパター
ン展開手段に送り、前記参照データ発生手段は、前記ビットパターン展開手
段から出力された前記第１と第２のビットパターンデー
タを合成した後フィルタ処理を行い、前記測定パターン
データと比較できる前記参照データを発生することを特
徴とする請求項１に記載のパターン欠陥検査装置。
【請求項５】前記ビットターン展開手段から前記第１
と第２のビットパターンデータが入力し、前記第１と第
２のビットパターンデータの少なくとも一方に、所定の
パターン線幅に変更する処理を施すリサイズ手段をさら
に具備し、前記参照データ発生手段は、少なくとも一方がリサイズ
処理された前記第１と第２のビットパターンデータを合
成することを特徴とする請求項１に記載のパターン欠陥
検査装置。
【請求項６】前記ビットターン展開手段から前記第１
と第２のビットパターンデータが入力し、前記第１と第
２のビットパターンデータの少なくとも一方の所定のコ
ーナーパターンを、所定の曲率半径に変更する処理を施
すコーナー丸め手段をさらに具備し、前記参照データ発生手段は、少なくとも一方がコーナー
丸め処理された前記第１と第２のビットパターンデータ
を合成することを特徴とする請求項１に記載のパターン
欠陥検査装置。
【請求項７】位置ずれ、リサイズ及びコーナ丸めの何
れかの補正量が規定値を超えた場合には、警告を発生し
て検査を行わずに終了する手段をさらに具備することを
特徴とする請求項１乃至６に記載のパターン欠陥検査装
置。