JP2003107481A - 液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents
液晶表示パネルの製造方法Info
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Abstract
向膜が水分を吸着し、このため液晶表示パネルの液晶保
持率の低下を招き、残像、焼きつき等が発生するという
課題を解消し、液晶表示装置の表示品位の向上を図る。 【解決手段】基板の配向膜の吸水率を4wt%未満に抑
える。このため、配向膜硬化後、少なくとも基板の貼り
合わせ完了まで、湿度40%未満の環境下に置く。
Description
製造方法に関し、特に液晶表示パネル内に滴下注入法で
液晶を注入する液晶表示パネルに関する。
圧駆動、低消費電力等の長所を生かしパーソナルコンピ
ュータ、テレビ、デジタルカメラ等の表示デバイスとし
て広く使用されるようになった。液晶表示装置の表示品
位向上のために、いろいろな技術が提案されている。マ
ルチドメイン垂直配向方式(MVA:Multi−do
main Vertical Alignment方
式)は、広い視野角を実現し、高い表示品位を実現した
技術である。これに、液晶滴下注入方式を組み合わせる
ことで、より安定した表示品位と生産性が実現される。
は、一般にガラス等の2枚の透明基板間に液晶を封入し
た構造であり、一方の基板であるCF(Color F
ilter:カラーフィルタ)基板にはブラックマトリ
ックス、カラーフィルタ、共通電極および配向膜等が形
成され、他方の基板であるTFT(Thin Film
Transistor)基板には薄膜トランジスタ(以
下、TFTという)、ゲートバスライン、ドレインバス
ライン、画素電極および配向膜等が形成されている。
一つとして滴下注入法がある。これは、2枚の基板の何
れか一方の基板に表示領域を囲むようにシール材を塗布
し、減圧雰囲気中で液晶を基板の表示領域上に滴下した
後、他方の基板を重ね合わせ大気圧に戻した後シール材
を紫外線照射等により硬化する。次に、図6および図7
を用いて、このような従来の液晶パネル組立工程の例を
説明する。先ず、出来上がったCF基板、TFT基板の
共通電極、画素電極上に配向膜を形成するのに先立っ
て、両基板を洗浄する(ステップS1)。次に基板上に
ポリイミド溶液を印刷法により塗布し(ステップS
2)、まづ80°C、1分間程度の低温で焼成し(ステ
ップS3)、次に190°C、10分程度の高温で焼成
して配向膜を硬化する(ステップS4)。ここで基板
は、一旦保管される。次に、図6の(a)に示すよう
に、CF基板、TFT基板の何れかの第1の基板1の表
示領域2を囲むように光硬化樹脂等のシール材3を塗布
し(ステップS5)、減圧雰囲気中で、図6の(b)に
示すごとく液晶4を基板1の表示領域2上に滴下し(ス
テップS6)、次に図6の(c)のごとく他方の第2の
基板5を重ね合わせ加圧し(ステップS7)、その後大
気圧に戻してシール材3を紫外線等により硬化して(ス
テップS8)、図6の(d)に示す液晶表示パネル6が
完成する。
法を適用した際に問題となるのは、配向膜に吸着した水
分である。配向膜に吸着した水分は、液晶保持率の低下
を招き、液晶表示パネルにおける、残像、焼きつき等の
表示品位低下の原因となる。しかしながら、滴下注入法
では、配向膜形成後に膜に吸着した水分を除去する手
段、工程を有していない。すなわち、焼成による配向膜
硬化時の水分除去が最後の機会であり、それ以降の保
管、組み立ての時に付着した水分は除去されない。その
ため、他の注入法の場合と比較して、水分に起因する表
示品位の低下がみられるという問題がある。
請求項1の発明では、基板の表面に配向膜を形成し、こ
れにシール材を塗布し、表示領域に液晶を滴下した後、
基板を貼り合わせる液晶表示パネルの製造方法におい
て、シール材の塗布直前における配向膜の吸着水分量が
4wt%未満であることを特徴とする。請求項2の発明
では、基板の表面に配向膜を形成し、これにシール材を
塗布し、表示領域に液晶を滴下した後、基板を貼り合わ
せる液晶パネルの製造方法において、配向膜形成後、少
なくとも該貼り合わせ完了までの期間、該基板を湿度4
0%未満の環境下に置くことを特徴とする。請求項3の
発明では、配向膜形成後の基板を乾燥空気または乾燥不
活性ガスの環境下に置くことを特徴とする。請求項4の
発明では、基板の表面に配向膜を形成し、これにシール
材を塗布し、表示領域に液晶を滴下した後、基板を貼り
合わせる液晶表示パネルの製造方法において、配向膜形
成後、貼り合わせ完了までの期間に、該基板が湿度40
%以上の環境に暴露される時間が30分未満であること
を特徴とする。請求項5の発明では、基板の表面に配向
膜を形成し、これにシール材を塗布し、表示領域に液晶
を滴下した後、基板を貼り合わせる液晶表示パネルの製
造方法において、配向膜形成後、液晶滴下の少なくとも
30分前までに、基板を100°C以上180°C以下
で少なくとも20分間加熱することを特徴とする。すな
わち、本発明は、基板の配向膜形成後、貼り合わせ完了
までの期間に、配向膜に吸着する水分量を一定量以下に
制御することにより、液晶表示パネルの残像等の発生を
防ぎ、表示品位の良い液晶表示装置を提供する。
て説明する。表1は、シール材塗布直前における基板の
配向膜の吸水率(wt%)と組み立てた液晶表示パネル
の残像レベルを観測した結果を示すものである。表1に
よると、配向膜の吸水率が2%、3%においては、残像
の発生はなく、4%では、注意深く観察すれば残像が確
認できるレベルであり、5%、6%となると、はっきり
とわかる残像発生のレベルであった。つまり、配向膜の
吸水率を4%未満に保持できれば、残像発生のない液晶
表示パネルを製造できることがわかる。
境によるものである。従って、配向膜への水分の吸着を
防ぐには、保管環境および組み立て環境の湿度を低くす
ることが挙げられる。通常、液晶表示パネルの製造環境
の湿度は45%〜60%程度にコントロールされてい
る。図1は、配向膜硬化後の基板の放置時間と配向膜の
吸水率の関係を示すグラフである。通常の製造環境であ
る室内温度25°C、湿度RH50%の場合は放置開始
から配向膜の吸水率は徐々に増加して約2時間後に6w
t%となり、その後6wt%にて飽和している。一方、
室内温度25°C、湿度RH38%の環境の場合は、放
置開始から配向膜の吸水率は増加するが約1時間後に3
wt%となり、その後3wt%にて飽和している。図1
より、湿度を下げることで、環境中の水分量が減少し、
結果として、配向膜に吸着する水分量も減少することが
わかる。しかしながら、環境の湿度を下げることは、静
電気による障害の原因となってしまう。従って、製造環
境全てにわたって湿度を下げることは好ましくない。そ
こで、水分吸着の可能性のある工程、すなわち、配向膜
硬化後の基板保管環境の間、および配向膜硬化後の基板
貼り合わせ工程の間のみ、湿度を低下させるだけでよ
い。
に示すように、配向膜形成後、少なくとも貼り合わせ完
了まで湿度40%未満の環境にて保管、組み立てを行
う。配向膜形成までの条件は従来と同様であり、また、
その後の基板の貼り合わせまでの工程も従来と同じであ
るが環境条件が異なる。ここで、貼り合わせ完了とは、
基板にシール材を塗布(シール形成)し、液晶を滴下
し、2つの基板を重ね合わせるまでをいう。なお、一般
に、液晶滴下から貼り合わせまでの工程は、真空に近い
減圧雰囲気中で行われるので、当然この間は湿度40%
未満の条件は満たすこととなり、配向膜硬化から液晶滴
下工程までの間、湿度40%未満の雰囲気に保持すれば
よい。
示すように、湿度40%未満の環境下で保管、組み立て
を行う代わりに、基板上にドライエアをパージしながら
保管、組み立てを行う。こうして得られた液晶表示パネ
ルも前記実施例と同等の表示品位を持つ。なお、ドライ
エアの代わりに、乾燥窒素ガスあるいは乾燥アルゴンガ
ス等の乾燥ガスを用いてもよい。ここで、乾燥ガスの種
類は問わないが、基板、環境、人体等への影響を考慮す
ると、不活性ガスであることが望ましい。
ので、ドライエアパージ前に湿度が50%であったもの
が、ドライエアパージ後に10%となり、湿度40%未
満の環境を満足している。
うに、湿度40%未満の環境下で保管、組み立てを行う
代わりに、3000Pa以下に減圧した環境下で行うも
ので、この場合も環境の湿度を低下させた場合と同等の
効果を得ることができる。表3は、基板の保管環境にお
ける残像のレベルを示すもので、通常環境(25°C、
RH50%)で24時間保管した後、基板を組み立てた
ものは、残像の発生が認められた。しかし、25°C、
RH38%に湿度を下げた環境、ドライエアパージ環
境、20Torr(約2666Pa)の減圧環境下の場
合は、何れも、残像の発生は認められなかった。
る時間を30分未満にすることにより、配向膜への水分
吸着を4wt%未満に抑えることができる。例えば、湿
度40%未満の保管庫から配向膜硬化済の基板を取り出
し、湿度55%の通常環境エリアを経由して、湿度40
%未満のシール塗布工程に運搬される場合、30分未満
で運搬を完了するようにする。さらに、液晶滴下工程へ
の運搬が必要であれば、それぞれの運搬時間の合計が3
0分未満になるように調整する。すなわち、湿度40%
以上の雰囲気に晒される時間の合計が30分未満になる
ように調整する。こうして得られた液晶表示パネルは前
記実施例の場合と同等の表示品位を持つ。なお、通常
は、シール材を塗布した基板の表示領域に液晶滴下し、
他方の基板を重ね合わせて貼り合わせ工程を行うが、作
業の効率を上げるため、一方の基板にシール材を塗布
し、他方の基板に液晶滴下してから貼り合わせ工程に進
む場合もある。
膜への水分の吸着を防ぐものであるが、すでに、吸着し
た水分を除去する方法も挙げられる。そこで、実施例4
では、図5に示すように、熱処理工程(ステップSH)
を追加する。シール材塗布の少なくとも30分前まで
に、配向膜硬化済の基板をクリーンオーブンで、100
°C、20分間保持し、その後、シール材を塗布し、真
空中で液晶滴下、貼り合わせを行う。すなわち、実施例
4では、熱処理以前の基板保管環境、運搬環境によら
ず、熱処理後30分以内にシール材塗布を行い、真空環
境に移行する。こうすることで、前記実施例の場合と同
等の表示品位を有する液晶表示パネルを得ることができ
る。
を通常の環境(25°C、RH50%)に24時間放置
した後80°Cで1時間熱処理したものは、残像の発生
が見られたが、通常の環境に24時間放置した後100
°Cで20分間熱処理した場合は、残像の発生は認めら
れなかった。この理由は、熱処理温度が低い場合は、時
間をかけても水分が除去されにくいものと考えられる。
板を放置した場合の影響を調べたものである。熱処理さ
れた基板も、温度が低下すれば再び水分を吸着する。熱
処理後の基板を通常環境(25°C、RH50%)に1
時間放置した後に基板の貼り合わせを行ったものは、残
像の発生が認められ、放置時間0、即ち直ぐに貼り合わ
せを行った場合は残像の発生はなく、放置時間30分の
場合は、注意深く観察すれば確認できる残像発生レベル
であった。なお、湿度RH38%の環境であれば、熱処
理した後の基板を1時間放置した場合でも、残像の発生
は認められず良好な表示品位の液晶表示パネルが得られ
た。
れた基板でも100°C以上180°C以下の温度で2
0分以上保持することにより、配向膜硬化直後の状態ま
で水分量を減少することができる。この熱処理の温度に
ついては、高温の方がより効果的であるが、あまり高温
にすると、配向膜の分解反応が進行してしまう。また、
ポリアミック酸タイプの配向膜の場合、膜のイミド化反
応が進行し、イミド化率の制御が困難になる。これら
は、液晶の配向性に影響し、表示品位にも大きく影響し
てしまうので、熱処理温度は100°C以上、180°
C以下となるようにする。また、熱処理時間が20分以
下であると、吸着された水分を十分に除去できない。
Pa以下の減圧雰囲気中で行うことにより、水分の離脱
が早まり、基板に付着した水分の除去はより容易にな
る。
基板の保管、組み立て時において、基板の配向膜に対す
る水分の吸着を防ぐことができるので、残像のない液晶
表示パネルを製造することができ、液晶表示装置の表示
品位の向上に寄与するところが大きい。
製造方法の説明図。
製造方法の説明図。
製造方法の説明図。
製造方法の説明図。
Claims (5)
- 【請求項1】 基板の表面に配向膜を形成し、これにシ
ール材を塗布し、表示領域に液晶を滴下した後、基板を
貼り合わせる液晶表示パネルの製造方法において、 前記シール材の塗布直前における配向膜の吸着水分量が
4wt%未満であることを特徴とする液晶表示パネルの
製造方法。 - 【請求項2】 基板の表面に配向膜を形成し、これにシ
ール材を塗布し、表示領域に液晶を滴下した後、基板を
貼り合わせる液晶表示パネルの製造方法において、 配向膜形成後、少なくとも貼り合わせ完了までの期間、
該基板を湿度40%未満の環境下に置くことを特徴とす
る液晶表示パネルの製造方法。 - 【請求項3】 配向膜形成後の基板を乾燥空気または乾
燥不活性ガスの環境下に置くことを特徴とする請求項2
記載の液晶表示パネルの製造方法。 - 【請求項4】 基板の表面に配向膜を形成し、これにシ
ール材を塗布し、表示領域に液晶を滴下した後、基板を
貼り合わせる液晶表示パネルの製造方法において、 配向膜形成後、貼り合わせ完了までの期間に、該基板が
湿度40%以上の環境に暴露される時間が30分未満で
あることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。 - 【請求項5】 基板の表面に配向膜を形成し、これにシ
ール材を塗布し、表示領域に液晶を滴下した後、基板を
貼り合わせる液晶表示パネルの製造方法において、 配向膜形成後、シール材塗布または液晶滴下の何れか早
い方の工程の30分前までに、基板を100°C以上1
80°C以下で少なくとも20分間加熱することを特徴
とする液晶表示パネルの製造方法。
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---|---|---|---|
JP2001305870A JP4149156B2 (ja) | 2001-10-01 | 2001-10-01 | 液晶表示パネルの製造方法 |
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JP4149156B2 JP4149156B2 (ja) | 2008-09-10 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007163821A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 配向膜の保管方法、及び液晶デバイスの作製方法 |
JP2008033076A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶表示素子の製造方法及びその製造装置 |
US7889309B2 (en) | 2003-09-24 | 2011-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of liquid crystal display panel and manufacturing apparatus of liquid crystal display panel |
JP2014095892A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及びその作製方法 |
WO2017017820A1 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-10-01 JP JP2001305870A patent/JP4149156B2/ja not_active Expired - Fee Related
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