JP2003091430A - 故障個所解析装置及びその方法 - Google Patents

故障個所解析装置及びその方法

Info

Publication number
JP2003091430A
JP2003091430A JP2001283817A JP2001283817A JP2003091430A JP 2003091430 A JP2003091430 A JP 2003091430A JP 2001283817 A JP2001283817 A JP 2001283817A JP 2001283817 A JP2001283817 A JP 2001283817A JP 2003091430 A JP2003091430 A JP 2003091430A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
functional block
instruction
power supply
designated bit
address
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001283817A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Yamazaki
誠一 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2001283817A priority Critical patent/JP2003091430A/ja
Publication of JP2003091430A publication Critical patent/JP2003091430A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体プロセスの微細化、多層配線化に伴っ
て、困難となってきた半導体デバイスの故障個所の解析
を容易に行える故障個所解析装置及びその方法を提供す
る。 【解決手段】 故障個所を解析する機能ブロックを特定
する指定ビットを記憶するコードメモリ1と、故障個所
を解析する機能ブロックを動作させる命令を記憶するメ
モリ7と、コードメモリ1から読み出された指定ビット
に対応する機能ブロックの電源供給を制御し、メモリ7
から読み出された命令を実行させることで機能ブロック
の故障個所を解析させる電源供給回路11,14,17を
備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
の故障個所の解析を容易にする故障個所解析装置及びそ
の方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から行われている半導体デバイスの
故障個所の解析手法としては、発光解析による故障個所
の特定、EB(Electron beam)テスター
による内部波形の観測などがある。前記発光解析とは、
ディジタル回路においてチップ動作が停止した状態にな
ると消費電流はほとんど流れなくなるのに対し、配線間
の短絡などの特定の故障が発生している場合には中間電
位のノードが発生し、前記故障発生個所において電流が
流れる場合があり、この電流が流れる個所で発光が観測
されるため、この発光を観測することで故障個所を特定
するようにしたものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体デバイス
の故障個所の解析は以上のように行われていたので、半
導体プロセスの微細化、多層配線化に伴ってリーク電流
が増加し故障個所の解析が困難になりつつあるという課
題があった。また、故障個所の解析手法を改善したもの
として、シミュレーションや解析用回路の導入などがあ
るが、解析時間や回路規模が増大するという課題があっ
た。
【0004】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものであり、半導体デバイスの故障個所
の解析を容易にした故障個所解析装置及びその方法を得
ることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明に係る故障個所
解析装置は、故障個所を解析する機能ブロックを特定す
る指定ビットを記憶する指定ビット記憶手段と、故障個
所を解析する機能ブロックを動作させる命令を記憶する
命令記憶手段と、指定ビット記憶手段から読み出された
指定ビットに対応する機能ブロックの電源供給を制御
し、命令記憶手段から読み出された命令により機能ブロ
ックの故障個所を解析させる機能ブロック電源制御手段
とを備えたものである。
【0006】この発明に係る故障個所解析装置は、命令
記憶手段のアクセス先のアドレスを示すアドレス信号
を、指定ビット記憶手段のアクセス先のアドレスを示す
アドレス信号に変換するアドレス変換手段を備えたもの
である。
【0007】この発明に係る故障個所解析装置は、指定
ビット記憶手段から指定ビットが読み出されなくなる
と、機能ブロック電源制御手段が所定時間経過後に機能
ブロックへの電源供給を遮断するものである。
【0008】この発明に係る故障個所解析装置は、機能
ブロック電源制御手段が階段状立ち上がり波形及び階段
状立ち下り波形による過渡特性で電源の供給開始及び電
源の遮断を行うものである。
【0009】この発明に係る故障個所解析装置は、指定
ビット記憶手段から読み出された指定ビットを機能ブロ
ック電源制御手段へ送信し、送信された指定ビットを機
能ブロック電源制御手段において受信するための通信手
段を備えたものである。
【0010】この発明に係る故障個所解析方法は、故障
個所を解析する機能ブロックを特定する指定ビットを指
定ビット記憶手段に記憶する指定ビット設定ステップ
と、機能ブロックを動作させる命令を記憶した命令記憶
手段の命令を記憶したアドレスを含むアドレス領域にア
クセスする命令読み出しステップと、命令記憶手段のア
ドレス領域へのアクセスに同期させて指定ビットが記憶
されている指定ビット記憶手段のアドレス領域へのアク
セスを行う指定ビット読み出しステップと、指定ビット
記憶手段から読み出した指定ビットに対応する機能ブロ
ックの電源供給を制御する電源供給ステップと、命令記
憶手段から命令が読み出されると電源供給が制御された
機能ブロックに命令を実行し故障個所を解析する故障個
所解析ステップとを備えたものである。
【0011】この発明に係る故障個所解析方法は、指定
ビット読み出しステップで命令記憶手段のアクセス先の
アドレスを示すアドレス信号を指定ビット記憶手段のア
クセス先のアドレスを示すアドレス信号に変換するもの
である。
【0012】この発明に係る故障個所解析方法は、電源
供給ステップで指定ビット記憶手段から指定ビットが読
み出されなくなると、所定時間経過後に機能ブロックへ
の電源供給を遮断するものである。
【0013】この発明に係る故障個所解析方法は、電源
供給ステップで階段状立ち上がり波形及び階段状立ち下
り波形による過渡特性で電源の供給開始及び電源の遮断
を行うものである。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態に
ついて説明する。 実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態1による
故障個所解析装置の構成を示すブロック図である。図に
おいて、1は指定ビットがあらかじめ書き込まれている
コードメモリ(指定ビット記憶手段)、2は送信シリア
ルIO(通信手段)、3は受信シリアルIO(通信手
段)である。4,5,6は故障個所解析のためこの故障
個所解析装置により電源供給が制御される機能ブロック
であり、この実施の形態1では符号4で示す機能ブロッ
クAと、符号5で示す機能ブロックBと、符号6で示す
機能ブロックCがあるものとする。これら機能ブロック
は実行される命令に応じて動作したり、または動作しな
い回路ブロックごとにあらかじめ規定されたものであ
り、例えば、シングルチップマイクロコンピュータを含
むマイクロコンピュータが備えているAD変換回路ブロ
ック、演算器などを含む。7はプログラムが格納されて
いるメモリ(命令記憶手段)で、プログラムを構成する
命令がアドレスAD0から順番に格納されている。8は
アドレス変換回路(アドレス変換手段)で、メモリ7か
ら読み出される命令の実行により活性化する機能ブロッ
クの電源のオン、オフを制御する指定ビットをコードメ
モリ1から読み出すためのコードメモリアドレスを、前
記メモリ7から前記命令を読み出す際に与えられるアド
レス信号を変換することで生成する。このアドレス変換
回路8によるアドレス信号の変換は、例えば、メモリ7
とコードメモリ1とが全く同一の構成のメモリ回路であ
る場合には必要ない場合もある。
【0015】11は符号4で示す機能ブロックAの電源
供給回路(機能ブロック電源制御手段)であり、12は
機能ブロックAのための指定ビットAがラッチされる電
源供給許可ラッチ(機能ブロック電源制御手段)であ
る。この電源供給許可ラッチ12にラッチされた指定ビ
ットAにより機能ブロックAが選択され、機能ブロック
Aに電源が供給される。14は符号5で示す機能ブロッ
クBの電源供給回路(機能ブロック電源制御手段)であ
り、15は機能ブロックBのための指定ビットがラッチ
される電源供給許可ラッチ(機能ブロック電源制御手
段)である。この電源供給許可ラッチ15にラッチされ
た指定ビットBにより機能ブロックBが選択され、機能
ブロックBに電源が供給される。17は符号6で示す機
能ブロックCの電源供給回路(機能ブロック電源制御手
段)であり、18は機能ブロックCのための指定ビット
がラッチされる電源供給許可ラッチ(機能ブロック電源
制御手段)である。この電源供給許可ラッチ18にラッ
チされた指定ビットCにより機能ブロックCが選択さ
れ、機能ブロックCに電源が供給される。
【0016】21は送信シリアルIO2及び受信シリア
ルIO3を介して指定ビットAが送られてこなくなって
から一定時間経過するとタイムアップし、電源供給回路
11による機能ブロックAへの電源供給を遮断するタイ
マ(機能ブロック電源制御手段)である。22は同様に
指定ビットBが送られてこなくなってから一定時間経過
するとタイムアップし、電源供給回路14による機能ブ
ロックBへの電源供給を遮断するタイマ(機能ブロック
電源制御手段)である。23は同様に指定ビットCが送
られてこなくなってから一定時間経過するとタイムアッ
プし、電源供給回路17による機能ブロックCへの電源
供給を遮断するタイマ(機能ブロック電源制御手段)で
ある。
【0017】図2は、メモリ7に格納されているプログ
ラムを構成する初期設定命令を含む命令1、命令2、命
令3と、コードメモリ1に前記命令1、命令2、命令3
のアドレス、実行期間に対応して格納されている、前記
命令1、命令2、命令3の実行に伴い動作状態になる各
機能ブロックに対し電源供給の指定を行うための指定ビ
ットA、指定ビットB、指定ビットCとの関係を示す説
明図である。このコードメモリ1に格納されている指定
ビットA、指定ビットB、指定ビットCについては、前
記メモリ7の各命令コードが実行されるときに動作する
機能ブロックの情報についてはあらかじめ知ることが可
能であることから、この情報をもとに各命令コードに対
応した指定ビットの内容(指定ビットA,B,C)を前
記命令コードのアドレスに関連付けたコードメモリアド
レスへユーザがあらかじめ書き込んでおき、前記命令コ
ードが実行される前に、その命令コードの実行で動作状
態となる機能ブロックの電源を制御する指定ビットがコ
ードメモリ1から読み出されるようにして、その命令の
実行に不必要な機能ブロックへは電源が供給されず、必
要な機能ブロックのみへ電源が供給されるようにする。
【0018】次に動作について説明する。図3は、この
実施の形態1の故障個所解析装置の動作を示す説明図で
あり、横軸は時間であり、メモリ7の命令1、命令2、
命令3の実行タイミングと、指定ビットA、指定ビット
B、指定ビットCがコードメモリ1から読み出されてそ
れぞれの電源供給許可ラッチへ保持されるタイミング
と、前記指定ビットA、指定ビットB、指定ビットCに
よりそれぞれの機能ブロックへ電源が供給されるタイミ
ングの関係を示す。
【0019】図3(a)は命令1、命令2、命令3によ
り構成されるプログラムの先頭に配置されている初期設
定命令が実行される期間であり、この初期設定命令は図
2に示すようにメモリ7のアドレスAD0からAD9に
格納されている。同図(b)は命令1が実行される期
間、同図(e)は命令2が実行される期間、同図(h)
は命令3が実行される期間であり、これら期間はフェッ
チ期間、デコード期間、実アドレスの計算期間、メモリ
アクセス期間などを含む。同図(c)は指定ビットAが
コードメモリ1から読み出され電源供給許可ラッチ12
に保持される期間を示している。同図(d)は、電源供
給許可ラッチ12に保持された指定ビットAにより機能
ブロックAへ電源が供給されている期間を示す。
【0020】同図(f)は指定ビットBがコードメモリ
1から読み出され電源供給許可ラッチ15に保持される
期間を示している。同図(g)は、電源供給許可ラッチ
15に保持された指定ビットBにより機能ブロックBへ
電源が供給されている期間を示す。同図(i)は指定ビ
ットCがコードメモリ1から読み出され電源供給許可ラ
ッチ18に保持される期間を示している。同図(j)
は、電源供給許可ラッチ18に保持された指定ビットC
により機能ブロックCへ電源が供給されている期間を示
す。
【0021】メモリ7に対するアクセスと、コードメモ
リ1に対するアクセスとが同期して行われるように、メ
モリ7へアクセスが行われるときのアドレスが、アドレ
ス変換回路8によりコードメモリ1用のアドレスに変換
される。すなわち、図2に示すようにメモリ7に対する
アクセスがアドレスAD0に対し行われるときには、そ
のアドレスAD0がコードメモリ1用のアドレスAD1
10に変換されてコードメモリ1に対してもアクセスが
行われる。以下同様にメモリ7に対するアクセスがアド
レスAD1であるときにはコードメモリ1用のアドレス
AD111にもアクセスが行われ、メモリ7に対するア
クセスがアドレスAD2であるときにはコードメモリ1
用のアドレスAD112にもアクセスが行われる。な
お、メモリ7とコードメモリ1とが全く同一のメモリで
あり、前記各命令と前記指定ビットとがそれぞれ全く同
一の実アドレスに書き込まれている状態にあれば、メモ
リ7に対するアクセスが行われるときのアドレスを、コ
ードメモリ1用のアドレスに変換する必要はない。
【0022】指定ビットAは、機能ブロックAに対する
電源のオンまたはオフを制御するためのものであり、図
2に示すようにコードメモリ1の最下位ビットに設定さ
れる“1”により機能ブロックAに対する電源のオンを
表し、“0”によりオフを表す。また、指定ビットB
は、コードメモリ1の下位2ビット目に設定される
“1”により機能ブロックBに対する電源のオンを表
し、“0”によりオフを表す。また、指定ビットCは、
コードメモリ1の下位3ビット目に設定される“1”に
より機能ブロックCに対する電源のオンを表し、“0”
によりオフを表す。
【0023】指定ビットAは、命令1が実行されるタイ
ミングと、命令1の実行に必要なクロック数と、コード
メモリ1から指定ビットを読み出し、送信シリアルIO
2や受信シリアルIO3を介して電源供給許可ラッチ1
2へ保持するまでの指定ビットの伝達時間と、命令1の
実行に伴い動作しなければならない機能ブロックAに対
する電源の立ち上がり時間を考慮して、命令1が実行さ
れる前に十分余裕がありかつ最適なタイミングで機能ブ
ロックAに対する電源のオンを制御するように、コード
メモリ1の最適なアドレスに書き込まれている。
【0024】また指定ビットBについても、命令2が実
行されるタイミングと、命令2の実行に必要なクロック
数と、コードメモリ1から指定ビットを読み出し、送信
シリアルIO2や受信シリアルIO3を介して電源供給
許可ラッチ15へ保持するまでの指定ビットの伝達時間
と、命令2の実行に伴い動作しなければならない機能ブ
ロックBに対する電源の立ち上がり時間を考慮して、命
令2が実行される前に十分余裕がありかつ最適なタイミ
ングで機能ブロックBに対する電源のオンを制御するよ
うに、コードメモリ1の最適なアドレスに書き込まれて
いる。また、指定ビットCについても同様である。
【0025】この結果、図2に示すメモリ7に記憶され
た各命令がアクセスされ実行されると、イニシャライズ
の段階では、初期設定命令に不要な機能ブロックの電源
はオフに制御された状態で処理が進む。次の命令1につ
いては、メモリ7のアドレスAD10へアクセスが行わ
れることで命令1の実行されるタイミングが決まるが、
それ以前のコードメモリ1のアドレスAD115へのア
クセスが行われたタイミングでコードメモリ1から読み
出された指定ビットAにより機能ブロックAの電源の立
ち上がりが制御され、機能ブロックAに電源が供給され
る。
【0026】命令1が実行されるタイミングより前に機
能ブロックAの電源を立ち上げるための指定ビットAを
コードメモリ1のどのアドレスから書き込めばよいか
は、命令1が実行されるタイミングと、メモリ7に書き
込まれている命令1以前の各命令の実行に要するクロッ
ク数(初期設定命令IN9の実行に要するクロック数I
N9ck、初期設定命令IN8の実行に要するクロック
数IN8ck、初期設定命令IN7の実行に要するクロ
ック数IN7ck、…)と、コードメモリ1から指定ビ
ットを読み出し、送信シリアルIO2や受信シリアルI
O3を介して電源供給許可ラッチ12へ保持するまでの
指定ビットの伝達時間Taと、命令1の実行に伴って動
作する機能ブロックAに対する電源の立ち上がり時間t
0とから決定する。
【0027】すなわち、システムクロックの周期をts
ecとすると、伝達時間Ta+立ち上がり時間t0≦
(IN9ck+IN8ck+IN7ck…)tを満足す
る初期設定命令群INを求める。この場合、初期設定命
令群は、IN9、IN8、IN7、IN6、IN5であ
り、これら初期設定命令群IN9、IN8、IN7、I
N6、IN5が格納されているメモリ7のアドレスに対
応するコードメモリ1のアドレスと、命令1が格納され
ているメモリ7のアドレスAD10に対応するコードメ
モリ1のアドレスへ指定ビットAを書き込む。図2に示
す例では、伝達時間Ta+立ち上がり時間t0が1ms
ecとすると、(IN9ck+IN8ck+IN7ck
…)tの値が1msecを少し超えた値となる初期設定
命令群、すなわち初期設定命令IN9、初期設定命令I
N8、初期設定命令IN7、初期設定命令IN6、初期
設定命令IN5が格納されているメモリ7のアドレス
(AD9、AD8、AD7、AD6、AD5)に対応す
るコードメモリ1のアドレス(AD119、AD11
8、AD117、AD116、AD115)と、命令1
が格納されているメモリ7のアドレスAD10に対応す
るコードメモリ1のアドレスAD120へ指定ビットA
が書き込まれている。
【0028】また、命令1の実行が完了してからどの程
度の時間経過後に機能ブロックAの電源を立ち下げるか
は、指定ビットAが送信シリアルIO2及び受信シリア
ルIO3を介して送られてこなくなったタイミングから
一定時間経過した後にタイムアップするタイマ21によ
り制御する。図2の例では、命令1の実行が完了し、次
の命令2が実行されるようになると指定ビットAは電源
供給回路11へ送られてこなくなるため、このタイミン
グから一定時間tf経過後に機能ブロックAの電源が立
ち下がるようにタイマ21により制御される。以上、指
定ビットAについて説明したが、指定ビットB、指定ビ
ットCについても同様である。
【0029】従って、メモリ7に格納されているプログ
ラムを実行すると、初期設定命令、命令1、命令2、命
令3…の順で各命令がメモリ7から読み出されて実行さ
れていくが、このとき前記メモリ7からの前記命令1、
命令2、命令3の読み出し、実行と同期して、その各命
令実行前の時点から並列的にコードメモリ1からも前記
各命令に対応して書き込まれている指定ビットが読み出
される。そして、前記命令1、命令2、命令3が実行さ
れる前に、各命令実行に必要な機能ブロックへ電源が供
給される。このとき、不必要な機能ブロックに対しては
電源供給は行われない。また、前記命令1、命令2、命
令3の実行が完了すると、その時点から一定の時間経過
後にそれぞれの命令実行に必要であった機能ブロックへ
供給されていた電源は遮断されオフとなる。このよう
に、電源が供給されて機能している機能ブロックを、実
行中の命令に応じて必要な機能ブロックのみに限定して
制御できることから、プログラム動作を所望のアドレス
でブレイクし、前記実行中の命令と、その命令の実行に
伴って機能する機能ブロックとをもとに、その実行中の
命令に応じて機能している機能ブロックの静的な状態で
の発光を観測することで故障個所を特定することができ
る。
【0030】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、プログラムを動作させながら発光解析により故障個
所を特定する場合に、動作しているプログラムと、その
プログラムの命令に対応して活性化している特定の機能
ブロックのみを対象に故障個所を判定できるため、従来
のように常時すべての機能ブロックが活性化されている
状態で故障個所を特定する場合に比べ、半導体プロセス
の微細化、多層配線化に伴ってリーク電流が増加する傾
向にある半導体デバイスに対し故障個所の解析が容易に
なる故障個所解析装置及びその方法が得られる効果があ
る。
【0031】また、命令の種類と、その命令に応じて活
性化している特定の機能ブロックを対象に故障個所を判
定できるため、プログラムの進行を操作しながらそのと
き実行されている命令に応じて活性化している機能ブロ
ック個々に対し故障判定を行うことが可能になり、ハー
ドウェアに対するデバッグが可能になり、半導体プロセ
スの微細化、多層配線化に伴ってリーク電流が増加する
傾向にある半導体デバイスに対する故障個所の解析が容
易になる故障個所解析装置及びその方法が得られる効果
がある。
【0032】実施の形態2.図4は、この発明の実施の
形態2による故障個所解析装置の構成を示すブロック図
である。図4において図1と同一または相当の部分につ
いては同一の符号を付し説明を省略する。図において1
9はコードメモリ1から読み出された指定ビットA、指
定ビットB、指定ビットCを電源供給回路11、電源供
給回路14、電源供給回路17へ送るための指定ビット
用信号線であり、各指定ビットごと(コードメモリ1の
各ビットごと)に設けられている。
【0033】この実施の形態2では、送信シリアルIO
2及び受信シリアルIO3の代わりに指定ビット用信号
線19が設けられており、コードメモリ1からパラレル
に読み出された指定ビットA、指定ビットB、指定ビッ
トCはこの指定ビット用信号線19へ出力され、各電源
供給回路11の電源供給許可ラッチ12、電源供給回路
14の電源供給許可ラッチ15、電源供給回路17の電
源供給許可ラッチ18へラッチされる構成である。
【0034】以上のように、この実施の形態2によれ
ば、指定ビットA、指定ビットB、指定ビットCがコー
ドメモリ1からパラレルに読み出され各電源供給許可ラ
ッチへラッチされるため、前記実施の形態1の効果に加
え、送信シリアルIO2や受信シリアルIO3を用いる
場合に比べ、コードメモリ1から読み出された指定ビッ
トA、指定ビットB、指定ビットCを短時間で各電源供
給回路へ伝達できる効果が得られる。
【0035】実施の形態3.前記実施の形態1または実
施の形態2の構成において、メモリ7の特定のアドレス
領域(例えば、命令1が書き込まれているメモリ7のア
ドレスを含む、前後数命令分が書き込まれているアドレ
スに応じた領域)に対するアクセスが発生したときに、
前記アドレス領域のアドレス信号を、前記アドレス領域
に対応するコードメモリ1の所定アドレス、または特定
のレジスタのアドレス、すなわち指定ビットA,BCが
それぞれ書き込まれているメモリのアドレスへ変換する
ように構成することも出来る。この場合、コードメモリ
1の前記所定アドレス、前記特定のレジスタには、前記
メモリ7の前記特定のアドレス領域に書き込まれている
命令に対応して電源が制御される機能ブロックの電源制
御用の指定ビットをあらかじめ書き込んでおき、命令1
が書き込まれているメモリ7のアドレスを含む、前記命
令1の前後数命令分が書き込まれているアドレスに応じ
た領域がアクセスされると、そのアドレスが前記指定ビ
ットが書き込まれているメモリのアドレスへ変換され、
コードメモリ1や前記レジスタから前記指定ビットを読
み出し、読み出した指定ビットで前記機能ブロックの電
源制御を行い、前記命令の実行により活性化される機能
ブロックのみへ電源が供給されるようにする。このよう
に構成する場合のアドレス変換回路と指定ビットA,
B,Cが書き込まれている前記レジスタを備えた故障個
所解析装置の構成を図5示す。
【0036】図5において、図4と同一または相当の部
分については同一の符号を付し説明を省略する。図にお
いて、51は指定ビットAが書き込まれているレジスタ
(指定ビット記憶手段)、52は指定ビットBが書き込
まれているレジスタ(指定ビット記憶手段)、53は指
定ビットCが書き込まれているレジスタ(指定ビット記
憶手段)である。61はアドレス変換回路(アドレス変
換手段)81からレジスタ51の選択信号をレジスタ5
1へ出力するための信号線、62はアドレス変換回路8
1からレジスタ52の選択信号をレジスタ52へ出力す
るための信号線、63はアドレス変換回路81からレジ
スタ53の選択信号をレジスタ53へ出力するための信
号線である。アドレス変換回路81は、メモリ7に対し
命令を読み出す際のアドレスがAD5〜AD10の範囲
に入っているとレジスタ51の選択信号を信号線61へ
出力する。また、メモリ7に対し命令を読み出す際のア
ドレスがAD6〜AD11の範囲に入っているとレジス
タ52の選択信号を信号線62へ出力する。また、メモ
リ7に対し命令を読み出す際のアドレスがAD10〜A
D12の範囲に入っているとレジスタ53の選択信号を
信号線63へ出力する。各レジスタでは、前記選択信号
がそれぞれの信号線を介してアドレス変換回路81から
供給されるとともに、リード信号が出力されていると、
レジスタ51では指定ビットAを、レジスタ52では指
定ビットBを、レジスタ53では指定ビットCを指定ビ
ット用信号線19へそれぞれ出力する。
【0037】以上のように、この実施の形態3によれ
ば、前記実施の形態1及び実施の形態2で用いていた指
定ビットが書き込まれたコードメモリ1は不要であり、
コードメモリ1の代わりに指定ビットA,B,Cがそれ
ぞれ書き込まれたレジスタ51,52,53を用いれば
よく、前記実施の形態1及び実施の形態2では指定ビッ
トを、各命令が格納されたメモリ7のアドレスに対応さ
せて複数書き込む必要があったが、この実施の形態3で
は指定ビットA,B,Cがそれぞれ書き込まれている各
レジスタを1個ずつ備えておけばよく、指定ビットをあ
らかじめ書き込んでおくメモリを効率的に使用できると
ともに、前記実施の形態1及び実施の形態2と同様な効
果を奏する。
【0038】実施の形態4.図6は、この発明の実施の
形態4による故障個所解析装置の構成を示すブロック
図、図7は、この故障個所解析装置における電源の立ち
上がり波形、立ち下がり波形を示す波形図である。図6
において図1と同一または相当の部分については同一の
符号を付し説明を省略する。図において31は機能ブロ
ックAの電源の立ち上がり波形を図7(a)に示すよう
な階段状立ち上がり波形にするための立ち上がり波形制
御回路(機能ブロック電源制御手段)、41は機能ブロ
ックAの電源の立ち下がり波形を図7(b)に示すよう
な階段状立ち下がり波形にするための立ち下がり波形制
御回路(機能ブロック電源制御手段)である。32は機
能ブロックBの電源の立ち上がり波形を同様に階段状立
ち上がり波形にするための立ち上がり波形制御回路(機
能ブロック電源制御手段)、42は機能ブロックBの電
源の立ち下がり波形を階段状立ち下がり波形にするため
の立ち下がり波形制御回路(機能ブロック電源制御手
段)である。33は機能ブロックCの電源の立ち上がり
波形を階段状立ち上がり波形にするための立ち上がり波
形制御回路(機能ブロック電源制御手段)、43は機能
ブロックCの電源の立ち下がり波形を階段状立ち下がり
波形にするための立ち下がり波形制御回路(機能ブロッ
ク電源制御手段)である。これら階段状立ち上がり波
形、階段状立ち下がり波形は1クロック周期ごとにΔV
ずつ段階的に電圧が上昇または下降する波形である。こ
のように1クロック周期ごとにΔVずつ段階的に電圧が
上昇または下降する波形を用いることは、他の機能ブロ
ックの論理回路の状態が確定しているときに電源電圧の
昇降を行うことになるため、他の機能ブロックがノイズ
の影響を受け難くなる。
【0039】以上のように、この実施の形態4によれ
ば、前記実施の形態1の効果に加え、機能ブロックの電
源の立ち上がり、または立ち下がりに際しての単位時間
あたりの電圧変化の幅が小さくなることから、電源回路
を介して他の機能ブロックへ与えるノイズ的な影響を抑
制でき、またこれら階段状立ち上がり波形、階段状立ち
下がり波形による電源電圧が供給される機能ブロックに
おいても、電源回路からのノイズがその機能ブロックの
動作に与える影響を低減することができ、信頼性の高い
故障個所の解析を実現できる故障個所特定方法及び装置
が得られる効果がある。
【0040】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、故障
個所を解析する機能ブロックを特定する指定ビットを記
憶する指定ビット記憶手段と、故障個所を解析する機能
ブロックを動作させる命令を記憶する命令記憶手段と、
指定ビット記憶手段から読み出された指定ビットに対応
する機能ブロックの電源供給を制御し、命令記憶手段か
ら読み出された命令により機能ブロックの故障個所を解
析させる機能ブロック電源制御手段とを備えたので、実
行中の命令に対応して動作状態となっている特定の機能
ブロックのみを対象に故障個所の解析が可能になり、半
導体プロセスの微細化、多層配線化に伴ってリーク電流
が増加する状況下において故障個所の解析が容易に行え
るという効果がある。
【0041】この発明によれば、命令記憶手段のアクセ
ス先のアドレスを示すアドレス信号を、指定ビット記憶
手段のアクセス先のアドレスを示すアドレス信号に変換
するアドレス変換手段を備えたので、実行中の命令に対
応して動作状態となっている特定の機能ブロックのみを
対象に故障個所の解析が可能になり、半導体プロセスの
微細化、多層配線化に伴ってリーク電流が増加する状況
下において故障個所の解析が容易に行えるという効果が
ある。
【0042】この発明によれば、指定ビット記憶手段か
ら指定ビットが読み出されなくなると、機能ブロック電
源制御手段が所定時間経過後に機能ブロックへの電源供
給を遮断するようにしたので、命令実行により動作状態
となっていた機能ブロックに対し、その命令実行の期間
経過後に電源を遮断することができ、実行中の命令に対
応して動作状態となっている特定の機能ブロックのみを
対象に故障個所の解析が可能になり、半導体プロセスの
微細化、多層配線化に伴ってリーク電流が増加する状況
下において故障個所の解析が容易に行えるという効果が
ある。
【0043】この発明によれば、機能ブロック電源制御
手段が階段状立ち上がり波形及び階段状立ち下り波形に
よる過渡特性で電源の供給開始及び電源の遮断を行うよ
うにしたので、電源の供給開始時及び電源の遮断時にお
けるノイズの悪影響を抑制した状態で故障個所の解析が
行えるという効果がある。
【0044】この発明によれば、指定ビット記憶手段か
ら読み出された指定ビットを機能ブロック電源制御手段
へ送信し、送信された指定ビットを機能ブロック電源制
御手段において受信するための通信手段を備えたので、
機能ブロック電源制御手段は受信した指定ビットに基づ
いて電源を供給する機能ブロックを限定し、電源が供給
された機能ブロックのみを対象に故障個所の解析を行う
ことから、半導体プロセスの微細化、多層配線化に伴っ
てリーク電流が増加する状況下において故障個所の解析
を容易に行えるという効果がある。
【0045】この発明によれば、故障個所を解析する機
能ブロックを特定する指定ビットを指定ビット記憶手段
に記憶する指定ビット設定ステップと、機能ブロックを
動作させる命令を記憶した命令記憶手段の命令を記憶し
たアドレスを含むアドレス領域にアクセスする命令読み
出しステップと、命令記憶手段のアドレス領域へのアク
セスに同期させて指定ビットが記憶されている指定ビッ
ト記憶手段のアドレス領域へのアクセスを行う指定ビッ
ト読み出しステップと、指定ビット記憶手段から読み出
した指定ビットに対応する機能ブロックの電源供給を制
御する電源供給ステップと、命令記憶手段から命令が読
み出されると電源供給が制御された機能ブロックに命令
を実行し故障個所を解析する故障個所解析ステップとを
備えたので、実行中の命令に対応して動作状態となって
いる特定の機能ブロックのみを対象に故障個所の解析を
行えるので、半導体プロセスの微細化、多層配線化に伴
ってリーク電流が増加する状況下において故障個所の解
析を容易に行えるという効果がある。
【0046】この発明によれば、指定ビット読み出しス
テップで命令記憶手段のアクセス先のアドレスを示すア
ドレス信号を指定ビット記憶手段のアクセス先のアドレ
スを示すアドレス信号に変換するようにしたので、実行
中の命令に対応して動作状態となっている特定の機能ブ
ロックのみを対象に故障個所の解析が可能になり、半導
体プロセスの微細化、多層配線化に伴ってリーク電流が
増加する状況下において故障個所の解析が容易に行える
という効果がある。
【0047】この発明によれば、電源供給ステップで指
定ビット記憶手段から指定ビットが読み出されなくなる
と、所定時間経過後に機能ブロックへの電源供給を遮断
するようにしたので、命令実行により動作状態となって
いた機能ブロックに対し、その命令実行の期間経過後に
電源を遮断することができ、実行中の命令に対応して動
作状態となっている特定の機能ブロックのみを対象に故
障個所の解析が可能になり、半導体プロセスの微細化、
多層配線化に伴ってリーク電流が増加する状況下におい
て故障個所の解析が容易に行えるという効果がある。
【0048】この発明によれば、電源供給ステップで階
段状立ち上がり波形及び階段状立ち下り波形による過渡
特性で電源の供給開始及び電源の遮断を行うようにした
ので、電源の供給開始時及び電源の遮断時におけるノイ
ズの悪影響を抑制した状態で故障個所の解析が行えると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による故障個所解析
装置の構成を示すブロック図である。
【図2】 故障個所解析装置における、プログラムを構
成する命令と、前記命令の実行期間に対応した指定ビッ
トとの関係を示す説明図である。
【図3】 故障個所解析装置の動作を示す説明図であ
る。
【図4】 この発明の実施の形態2による故障個所解析
装置の構成を示すブロック図である。
【図5】 この発明の実施の形態3による故障個所解析
装置の構成を示すブロック図である。
【図6】 この発明の実施の形態4による故障個所解析
装置の構成を示すブロック図である。
【図7】 故障個所解析装置における電源の立ち上がり
波形、立ち下がり波形を示す波形図である。
【符号の説明】
1 コードメモリ(指定ビット記憶手段)、2 送信シ
リアルIO(通信手段)、3 受信シリアルIO(通信
手段)、4,5,6 機能ブロック、7 メモリ(命令
記憶手段)、8,81 アドレス変換回路(アドレス変
換手段)、11,14,17 電源供給回路(機能ブロ
ック電源制御手段)、12,15,18電源供給許可ラ
ッチ(機能ブロック電源制御手段)、21,22,23
タイマ(機能ブロック電源制御手段)、31,32,
33 立ち上がり波形制御回路(機能ブロック電源制御
手段)、41,42,43 立ち下がり波形制御回路
(機能ブロック電源制御手段)、51,52,53 レ
ジスタ(指定ビット記憶手段)。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体デバイスを複数の機能ブロックに
    分割し、それぞれの機能ブロックについて故障個所を解
    析する故障個所解析装置であって、 故障個所を解析する機能ブロックを特定する指定ビット
    を記憶する指定ビット記憶手段と、 前記故障個所を解析する機能ブロックを動作させる命令
    を記憶する命令記憶手段と、 前記指定ビット記憶手段から読み出された指定ビットに
    対応する機能ブロックの電源供給を制御し、前記命令記
    憶手段から読み出された命令により前記機能ブロックの
    故障個所を解析させる機能ブロック電源制御手段とを備
    えた故障個所解析装置。
  2. 【請求項2】 命令記憶手段のアクセス先のアドレスを
    示すアドレス信号を、指定ビット記憶手段のアクセス先
    のアドレスを示すアドレス信号に変換するアドレス変換
    手段を備えたことを特徴とする請求項1記載の故障個所
    解析装置。
  3. 【請求項3】 機能ブロック電源制御手段は、指定ビッ
    ト記憶手段から指定ビットが読み出されなくなると、所
    定時間経過後に機能ブロックへの電源供給を遮断するこ
    とを特徴とする請求項1記載の故障個所解析装置。
  4. 【請求項4】 機能ブロック電源制御手段は、階段状立
    ち上がり波形及び階段状立ち下り波形による過渡特性で
    電源の供給開始及び電源の遮断を行うことを特徴とする
    請求項3記載の故障個所解析装置。
  5. 【請求項5】 指定ビット記憶手段から読み出された指
    定ビットを機能ブロック電源制御手段へ送信し、前記送
    信された前記指定ビットを前記機能ブロック電源制御手
    段において受信するための通信手段を備えたことを特徴
    とする請求項1記載の故障個所解析装置。
  6. 【請求項6】 半導体デバイスを複数の機能ブロックに
    分割し、それぞれの機能ブロックについて故障個所を解
    析する故障個所解析方法であって、 故障個所を解析する機能ブロックを特定する指定ビット
    を指定ビット記憶手段に記憶する指定ビット設定ステッ
    プと、 前記機能ブロックを動作させる命令を記憶した命令記憶
    手段の前記命令を記憶したアドレスを含むアドレス領域
    にアクセスする命令読み出しステップと、 前記命令記憶手段のアドレス領域へのアクセスに同期さ
    せて前記指定ビットが記憶されている指定ビット記憶手
    段のアドレス領域へのアクセスを行う指定ビット読み出
    しステップと、 前記指定ビット記憶手段から読み出した指定ビットに対
    応する機能ブロックの電源供給を制御する電源供給ステ
    ップと、 前記命令記憶手段から前記命令が読み出されると前記電
    源供給が制御された機能ブロックに前記命令を実行し故
    障個所を解析する故障個所解析ステップとを備えた故障
    個所解析方法。
  7. 【請求項7】 指定ビット読み出しステップは、命令記
    憶手段のアクセス先のアドレスを示すアドレス信号を指
    定ビット記憶手段のアクセス先のアドレスを示すアドレ
    ス信号に変換することを特徴とする請求項6記載の故障
    個所解析方法。
  8. 【請求項8】 電源供給ステップは、指定ビット記憶手
    段から指定ビットが読み出されなくなると、所定時間経
    過後に機能ブロックへの電源供給を遮断することを特徴
    とする請求項6記載の故障個所解析方法。
  9. 【請求項9】 電源供給ステップは、階段状立ち上がり
    波形及び階段状立ち下り波形による過渡特性で電源の供
    給開始及び電源の遮断を行うことを特徴とする請求項8
    記載の故障個所解析方法。
JP2001283817A 2001-09-18 2001-09-18 故障個所解析装置及びその方法 Withdrawn JP2003091430A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001283817A JP2003091430A (ja) 2001-09-18 2001-09-18 故障個所解析装置及びその方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001283817A JP2003091430A (ja) 2001-09-18 2001-09-18 故障個所解析装置及びその方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003091430A true JP2003091430A (ja) 2003-03-28

Family

ID=19107261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001283817A Withdrawn JP2003091430A (ja) 2001-09-18 2001-09-18 故障個所解析装置及びその方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003091430A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008541274A (ja) * 2005-05-10 2008-11-20 クゥアルコム・インコーポレイテッド アイドル要素予測回路およびアンチスラッシングロジック
CN113325297A (zh) * 2021-05-17 2021-08-31 瑞芯微电子股份有限公司 一种芯片系统级测试系统和方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008541274A (ja) * 2005-05-10 2008-11-20 クゥアルコム・インコーポレイテッド アイドル要素予測回路およびアンチスラッシングロジック
JP4897796B2 (ja) * 2005-05-10 2012-03-14 クゥアルコム・インコーポレイテッド アイドル要素予測回路およびアンチスラッシングロジック
CN113325297A (zh) * 2021-05-17 2021-08-31 瑞芯微电子股份有限公司 一种芯片系统级测试系统和方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4494474B2 (ja) プログラマブル・メモリ・ビルト・イン・セルフ・テスト(mbist)の方法及び装置
JP2007522593A (ja) 高速試験および冗長計算のためのリモートbist
KR20020003076A (ko) 반도체 집적 회로, 반도체 집적 회로의 메모리 리페어방법 및 그 방법을 컴퓨터로 실행시키는 프로그램을기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
US20100125766A1 (en) Semiconductor integrated circuit and method for controlling semiconductor integrated circuit
JP2005353241A (ja) 半導体集積回路の試験回路及び試験方法
JP3871384B2 (ja) 半導体メモリ試験装置用不良解析メモリ
JPS61204744A (ja) 診断機能を有するram内蔵lsiおよびその診断方法
JP2003091430A (ja) 故障個所解析装置及びその方法
JP2008059718A (ja) 半導体記憶装置
JPH04238279A (ja) Lsiテスト方法
JP2006004475A (ja) 半導体集積回路装置
JP5101893B2 (ja) 欠陥ビットのメモリセルを避けてリペアー情報を保存する半導体メモリ装置及びその駆動方法
JP2003187599A (ja) 不揮発性半導体記憶装置
JPH0612897A (ja) 半導体メモリ用試験パターン発生器
JP2560612B2 (ja) 半導体記憶装置の試験装置
JP2008111682A (ja) 半導体試験方法および半導体試験装置
JP4757196B2 (ja) メモリシステム、およびその試験方法
JP2006039843A (ja) Ramテスト回路、情報処理装置、及びramテスト方法
JP2004014037A (ja) 半導体メモリ及び半導体装置並びに半導体メモリの試験方法
JP2023150107A (ja) インサーキットエミュレータ装置
JP2000009816A (ja) 半導体集積回路及び半導体集積回路の試験方法
JP2007213415A (ja) メモリ装置
JPH0916483A (ja) アドレスバス試験装置
JP2000276347A (ja) 携帯電子機器
JPH10116263A (ja) マイクロコンピュータとそのデータ読み出し試験方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060123

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20071101

A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20081202