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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6954478B2 (en) 2002-02-04 2005-10-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor laser device
JP5149093B2 (ja) * 2003-06-26 2013-02-20 住友電気工業株式会社 ＧａＮ基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法
US7842527B2 (en) 2006-12-11 2010-11-30 The Regents Of The University Of California Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices
US7709284B2 (en) * 2006-08-16 2010-05-04 The Regents Of The University Of California Method for deposition of magnesium doped (Al, In, Ga, B)N layers
KR100638818B1 (ko) * 2005-05-19 2006-10-27 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP5068020B2 (ja) * 2006-02-20 2012-11-07 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP5349737B2 (ja) * 2006-02-27 2013-11-20 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP5047508B2 (ja) * 2006-02-27 2012-10-10 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP5041159B2 (ja) * 2008-01-09 2012-10-03 日立電線株式会社 化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びＡｌＧａＮ系超格子構造
JP2011018784A (ja) 2009-07-09 2011-01-27 Sony Corp 半導体レーザ素子及びその駆動方法、並びに、半導体レーザ装置
JP2013191895A (ja) * 2013-07-03 2013-09-26 Sony Corp 半導体レーザ素子及びその駆動方法、並びに、半導体レーザ装置
JP2017069299A (ja) 2015-09-29 2017-04-06 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000068610A (ja) * 1995-03-31 2000-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ―ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置
JP2000091708A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2001024285A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Ricoh Co Ltd 半導体発光素子
JP3446660B2 (ja) * 1999-06-04 2003-09-16 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2000340894A (ja) * 1999-03-25 2000-12-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置
JP3414680B2 (ja) * 1999-03-26 2003-06-09 日本電気株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体レーザ
JP4030692B2 (ja) * 1999-09-09 2008-01-09 アンリツ株式会社 半導体素子および半導体発光素子
JP2001210913A (ja) * 1999-11-17 2001-08-03 Nichia Chem Ind Ltd レーザ素子の製造方法
JP2001177183A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Nec Corp 半導体レーザの製造方法
JP4204163B2 (ja) * 2000-02-03 2009-01-07 株式会社リコー 半導体基板の製造方法
KR100425341B1 (ko) * 2000-02-08 2004-03-31 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자

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