JP2000340894A - 半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低雑音特性が向上され、動作電流が低減され
るとともに、温度特性および信頼性が向上された半導体
レーザ素子、それを備えた投受光ユニットおよび光ピッ
クアップ装置を提供することである。 【解決手段】 ＭＱＷ活性層７中に不純物としてＳｉ、
ＳｅまたはＺｎが５×１０¹⁵〜１×１０¹⁹ｃｍ^-3の範囲
内で添加されている。ＭＱＷ活性層７中の量子井戸層７
１の合計の厚みは２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下に設定され
る。ＭＱＷ活性層７の量子井戸層７１の数は４以上７以
下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素
子、それを備えた投受光ユニットおよび光ピックアップ
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、光ディスク装置用の光源とし
て半導体レーザ素子が用いられている。光ディスク装置
では、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光が強い
可干渉性を有すると、光ディスクからの戻り光により雑
音が発生する。そのため、このような半導体レーザ素子
には、低雑音特性が要求される。半導体レーザ素子にお
いて低雑音特性を実現する方法の１つとして可飽和吸収
領域による自励発振現象が利用されている（特開平６−
１９６８０１号公報および応用物理第６６巻第９号（１
９９７）の第９５１頁〜第９５６頁参照）。

【０００３】一方、近年、ノート型パーソナルコンピュ
ータの小型化および薄型化により、それに搭載される光
ディスク装置にも薄型化が要請されており、これに対応
すべく光ピックアップ装置の小型化および薄型化が進展
しつつある。光ピックアップ装置を小型化および薄型化
するために、ホログラム素子を用いるとともに各種光学
部品を一体化することが提案されている（特開平１０−
２４１１９９号参照）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光ピッ
クアップ装置を小型化および薄型化すると、半導体レー
ザ素子の放熱のためのヒートシンクも小型化する必要が
ある。ヒートシンクを小型化すると、熱容量が小さくな
り、十分な放熱効果が得られない。自励発振型の半導体
レーザ素子の温度が上昇すると、自励発振が停止すると
いう現象が生じる。また、温度の上昇により素子の劣化
が生じ、レーザ発振が停止することもある。

【０００５】さらに、自励発振型の半導体レーザ素子の
光出力を上げると、自励発振が停止してしまう場合があ
る。

【０００６】そのため、低雑音化を図りつつ温度特性お
よび信頼性を向上させるとともに動作電流を低減するこ
とが望まれる。

【０００７】本発明の目的は、低雑音特性が向上され、
動作電流が低減されるとともに、温度特性および信頼性
が向上された半導体レーザ素子、それを備えた投受光ユ
ニットおよび光ピックアップ装置を提供することであ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明
に係る半導体レーザ素子は、活性層中にシリコン、セレ
ン、亜鉛、ベリリウム、硫黄または炭素が不純物として
５×１０¹⁵ｃｍ^-3以上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下の濃度に添
加されたものである。

【０００９】本発明に係る半導体レーザ素子において
は、上記の不純物が５×１０¹⁵ｃｍ^-3以上１×１０¹⁹ｃ
ｍ^-3以下の濃度に添加されることにより、発振するレー
ザ光の可干渉性が低くなり、高い光出力での動作時およ
び温度上昇時にも、自励発振が安定に行われる。それに
より、低雑音特性が向上する。

【００１０】活性層中の不純物の濃度が５×１０¹⁶ｃｍ
^-3以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であることが好ましい。そ
れにより、可干渉性がより低下し、高い光出力での動作
時および温度上昇時にも、より安定な自励発振が得られ
る。したがって、低雑音特性がより向上する。

【００１１】活性層中の不純物の濃度がほぼ１×１０¹⁷
ｃｍ^-3であることがさらに好ましい。ここで、「ほぼ１
×１０¹⁷ｃｍ^-3」とは、１×１０¹⁷ｃｍ^-3に対して上下
に１割程度の誤差を含むことを意味する。それにより、
可干渉性がさらに低下し、高い光出力での動作時および
温度上昇時にも、さらに安定な自励発振が得られる。し
たがって、低雑音特性がさらに向上する。

【００１２】活性層が、少なくともガリウムおよび砒素
を含む化合物半導体からなってもよい。活性層が、少な
くともＧａＡｓもしくはＡｌＧａＡｓからなってもよ
い。また、活性層上に、平坦部およびリッジ部からなる
クラッド層が設けられ、クラッド層のリッジ部の両側面
および平坦部上に電流ブロック層が設けられてもよい。
電流ブロック層が、少なくともガリウムおよび砒素を含
む化合物半導体からなってもよい。電流ブロック層が、
少なくともＧａＡｓもしくはＡｌＧａＡｓからなっても
よい。また、電流ブロック層が、酸化膜または窒化膜か
らなってもよい。

【００１３】活性層が複数の量子井戸層を含む量子井戸
構造を有し、複数の量子井戸層の合計の厚みが２０ｎｍ
以上８０ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、
しきい値電流を低く保ちつつ低雑音特性を向上させるこ
とが可能となる。

【００１４】複数の量子井戸層の数が５以上７以下であ
ることが好ましい。それにより、しきい値電流および動
作電流が十分に低減される。

【００１５】本発明に係る投受光ユニットは、光ピック
アップ装置に用いられる投受光ユニットであって、第１
の面を有する第１の支持部材と、第１の支持部材に設け
られた第１の配線部材と、第１の支持部材の第１の面上
に設けられかつ第１の配線部材と電気的に接続された上
記の半導体レーザ素子とを備えたものである。

【００１６】本発明に係る投受光ユニットにおいては、
活性層中に不純物が所定の範囲内の濃度に添加された半
導体レーザ素子が用いられているので、低雑音特性が向
上し、しきい値電流および動作電流が低減されるととも
に、信頼性が向上する。

【００１７】投受光ユニットが、第１の配線部材上に配
置されたヒートシンクをさらに備え、半導体レーザ素子
がヒートシンク上に配置されることが好ましい。それに
より、放熱性が良好となり、温度特性が向上する。

【００１８】投受光ユニットが、半導体レーザ素子のレ
ーザ光の出射方向側に配置されかつ半導体レーザ素子か
ら出射されたレーザ光に基づく帰還光を回折する第１の
回折素子をさらに備えてもよい。

【００１９】この場合、半導体レーザ素子から出射され
たレーザ光に基づく帰還光が第１の回折素子で回折され
る。これにより、帰還光を光検出器に導くことが可能と
なる。

【００２０】投受光ユニットが、半導体レーザ素子と第
１の回折素子との間に配置されかつ半導体レーザ素子か
ら出射されたレーザ光を複数の光束に分割する第２の回
折素子をさらに備えてもよい。

【００２１】この場合、半導体レーザ素子から出射され
たレーザ光が第２の回折素子により複数の光束に分割さ
れるので、情報の再生、トラッキングサーボおよびフォ
ーカスサーボを行うことが可能となる。

【００２２】第１の支持部材は第１の面に平行な偏平形
状を有し、半導体レーザ素子は、第１の面に平行な方向
に光を出射するように配置されることが好ましい。

【００２３】これにより、投受光ユニットが小型化およ
び薄型化される。この場合にも、活性層中に不純物が所
定の範囲内の濃度に添加された半導体レーザ素子が用い
られているので、高い光出力での動作時および温度上昇
時にも、低雑音特性が得られる。

【００２４】投受光ユニットが、第１の支持部材上に配
置された第２の支持部材と、第２の支持部材に設けられ
た第２の配線部材と、第２の支持部材に設けられ、第２
の配線部材と電気的に接続されかつ半導体レーザ素子か
ら出射された光に基づく帰還光を検出する検出器とをさ
らに備えてもよい。

【００２５】この場合、半導体レーザ素子から出射され
た光に基づく帰還光が第２の支持部材に設けられた検出
器により検出される。これにより、情報の再生を行うこ
とが可能となる。

【００２６】第２の支持部材が、第１の面に平行な偏平
形状を有することが好ましい。これにより、投受光ユニ
ットの小型化および薄型化が図られる。この場合にも、
活性層中に不純物が所定の範囲内の濃度に添加された半
導体レーザ素子が用いられているので、高い光出力での
動作時および温度上昇時にも、良好な低雑音特性が得ら
れる。

【００２７】投受光ユニットが、第１の回折素子により
回折された帰還光を光検出器に導く光学系をさらに備え
てもよい。この場合、第１の回折素子により回折された
帰還光が光学系により光検出器に導かれる。それによ
り、情報の再生を行うことができる。

【００２８】本発明に係る光ピックアップ装置は、光を
光学記録媒体に照射する光ピックアップ装置であって、
上記の投受光ユニットと、投受光ユニットの半導体レー
ザ素子から出射された光を光学記録媒体上に集光する集
光手段とを備えたものである。

【００２９】本発明に係る光ピックアップ装置において
は、活性層中に不純物が所定の範囲内の濃度に添加され
た半導体レーザ素子が用いられているので、低雑音特性
が向上し、しきい値電流および動作電流が低減されると
ともに、信頼性が向上する。

【００３０】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例における
半導体レーザ素子の構造を示す模式的断面図である。

【００３１】図１の半導体レーザ素子１００において
は、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−ＧａＡｓからなるｎ
−バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなるｎ−バッフ
ァ層３、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなるｎ−クラッド層４、
ｎ−ＡｌＧａＡｓからなるｎ−キャリアブロック層５、
ＳｉドープのＡｌＧａＡｓからなる光ガイド層６および
多重量子井戸活性層（以下、ＭＱＷ活性層と呼ぶ）７が
順に形成されている。

【００３２】ＭＱＷ活性層７は、ＳｉドープのＡｌＧａ
Ａｓからなる６つの量子井戸層７１とＳｉドープのＡｌ
ＧａＡｓからなる５つの障壁層７２とが交互に積層され
てなる多重量子井戸構造を有する。

【００３３】ＭＱＷ活性層７上には、ＳｉドープのＡｌ
ＧａＡｓからなる光ガイド層８、ｐ−ＡｌＧａＡｓから
なるｐ−キャリアブロック層９、ｐ−ＡｌＧａＡｓから
なる第１クラッド層１０およびｐ−ＡｌＧａＡｓからな
るｐ−エッチング停止層１１が順に形成されている。

【００３４】ｐ−エッチング停止層１１の中央部のスト
ライプ状の領域上に、ｐ−ＡｌＧａＡｓからなるｐ−第
２クラッド層１２およびｐ−ＧａＡｓからなるｐ−第１
コンタクト層１３が順に形成されている。ｐ−第２クラ
ッド層１２およびｐ−第１コンタクト層１３がリッジ部
を構成する。本実施例では、リッジ部の下端の幅Ｗ１は
２．４μｍである。

【００３５】ｐ−第２クラッド層１２およびｐ−第１コ
ンタクト層１３の両側面およびｐ−エッチング停止層１
１上には、アンドープのＡｌＧａＡｓからなる第１電流
ブロック層１４、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなるｎ−第２電
流ブロック層１５およびｎ−ＧａＡｓからなるｎ−第３
電流ブロック層１６が順に形成されている。

【００３６】ｐ−第１コンタクト層１３上およびｎ−第
３電流ブロック層１６上には、ｐ−ＧａＡｓからなるｐ
−第２コンタクト層１７およびｐ−ＧａＡｓからなるｐ
−第３コンタクト層１８が順に形成されている。ｐ−第
３コンタクト層１８上にｐ側電極１９が形成され、ｎ−
ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ側電極２０が形成されてい
る。

【００３７】本実施例の半導体レーザ素子においては、
ＭＱＷ活性層７中に不純物としてＳｉが添加される。後
述するように、この不純物の濃度およびＭＱＷ活性層７
の複数の量子井戸層７１の厚みの合計（以下、総厚ｄと
呼ぶ）を最適化することにより、不純物準位に起因した
光吸収が生じる。その結果、容易に自励発振が得られ
る。

【００３８】図２および図３は図１の半導体レーザ素子
の製造方法を示す模式的工程断面図である。

【００３９】まず、図２（ａ）に示すように、ＭＯＣＶ
Ｄ法（有機金属化学的気相成長法）またはＭＢＥ法（分
子線エピタキシャル成長法）により成長温度７００〜９
００℃で第１結晶成長を行う。

【００４０】ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−バッファ層
２、ｎ−バッファ層３、ｎ−クラッド層４、ｎ−キャリ
アブロック層５、Ｓｉドープ光ガイド層６、Ｓｉドープ
ＭＱＷ活性層７、Ｓｉドープ光ガイド層８、ｐ−キャリ
アブロック層９、ｐ−第１クラッド層１０、ｐ−エッチ
ング停止層１１、ｐ−第２クラッド層１２およびｐ−第
１コンタクト層１３を順に成長させる。第１結晶成長に
おける各層２〜１３の材料、Ａｌ組成、層厚およびキャ
リア濃度を表１に示す。

【００４１】

【表１】

【００４２】ここで、Ａｌ組成は、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓ
におけるＸである。なお、ｎ−ＧａＡｓ基板１のキャリ
ア濃度は２×１０¹⁸ｃｍ^-3である。

【００４３】ｎ−バッファ層２の成長には、原料ガスと
してＡｓＨ₃ およびＴＭＧを用い、ドーパントガスとし
てＨ₂ Ｓｅを用いる。ｎ−バッファ層３、ｎ−クラッド
層４およびｎ−キャリアブロック層５の成長には、原料
ガスとしてＡｓＨ₃ 、ＴＭＧおよびＴＭＡを用い、ドー
パントガスとしてＨ₂ Ｓｅを用いる。光ガイド層６、Ｍ
ＱＷ活性層７および光ガイド層８の成長には、原料ガス
としてＡｓＨ₃ 、ＴＭＧおよびＴＭＡを用い、ドーパン
トガスとしてＳｉＨ₄ を用いる。ｐ−キャリアブロック
層９、ｐ−第１クラッド層１０、ｐ−エッチング停止層
１１およびｐ−第２クラッド層１２の成長には、原料ガ
スとしてＡｓＨ₃ 、ＴＭＧおよびＴＭＡを用い、ドーパ
ントガスとしてＤＥＺを用いる。ｐ−第１コンタクト層
１３の成長には、原料ガスとしてＡｓＨ₃ およびＴＭＧ
を用い、ドーパントガスとしてＤＥＺを用いる。

【００４４】ここで、ＡｓＨ₃ はアルシンであり、ＴＭ
Ｇはトリメチルガリウムであり、ＴＭＡはトリメチルア
ルミニウムであり、Ｈ₂ Ｓｅはセレン化水素であり、Ｓ
ｉＨ ₄ はモノシランであり、ＤＥＺはジエチルジンクで
ある。

【００４５】第１結晶成長後、ｐ−第１コンタクト層１
３上にＳｉＯ₂ 等の酸化膜を形成し、通常のフォトリソ
グラフィ技術により中央部のストライプ状の領域を除い
て酸化膜を除去することにより、ｐ−第１コンタクト層
１３上にストライプ状の酸化膜２１を形成する。

【００４６】次に、図２（ｂ）に示すように、酸化膜２
１をマスクとしてｐ−エッチング停止層１１が露出する
までエッチングによりｐ−第１コンタクト層１３および
ｐ−第２クラッド層１２を除去する。

【００４７】さらに、図３（ｃ）に示すように、酸化膜
２１をマスクとして成長温度６００〜９００℃で第２結
晶成長を行う。ｐ−第２クラッド層１２およびｐ−第１
コンタクト層１３の側面上およびｐ−エッチング停止層
１１の上面に、アンドープの第１電流ブロック層１４、
ｎ−第２電流ブロック層１５およびｎ−第３電流ブロッ
ク層１６を選択成長させる。この場合、酸化膜２１上に
は結晶成長が生じない。なお、第２結晶成長の前に平坦
部のｐ−エッチング停止層１１をエッチングにより除去
し、ｐ−第１クラッド層１０上に電流ブロック層１４〜
１６を成長させてもよい。第２結晶成長における各層１
４〜１６の材料、Ａｌ組成、層厚およびキャリア濃度を
表２に示す。

【００４８】

【表２】

【００４９】第１電流ブロック層１４の成長には、原料
ガスとしてＡｓＨ₃ 、ＴＭＧおよびＴＭＡを用いる。ｎ
−第２電流ブロック層１５の成長には、原料ガスとして
ＡｓＨ₃ 、ＴＭＧおよびＴＭＡを用い、ドーパントガス
としてＨ₂ Ｓｅを用いる。ｎ−第３電流ブロック層１６
の成長には、原料ガスとしてＡｓＨ₃ およびＴＭＧを用
い、ドーパントガスとしてＨ₂ Ｓｅを用いる。

【００５０】酸化膜２１をフッ酸系エッチャントにより
除去した後、図３（ｄ）に示すように、成長温度６００
〜９００℃で第３結晶成長を行う。ｐ−第１コンタクト
層１３上およびｎ−第３電流ブロック層１６上に、ｐ−
第２コンタクト層１７およびｐ−第３コンタクト層１８
を結晶成長させる。第３結晶成長における各層１７，１
８の材料、Ａｌ組成、層厚およびキャリア濃度を表３に
示す。

【００５１】

【表３】

【００５２】ｐ−第２コンタクト層１７およびｐ−第３
コンタクト層１８の成長には、原料ガスとしてＡｓＨ₃
およびＴＭＧを用い、ドーパントガスとしてＤＥＺを用
いる。

【００５３】最後に、図１に示したように、ｐ−第３コ
ンタクト層１８上に、厚さ約５０ｎｍのＣｒＡｕおよび
厚さ約１．５μｍのＡｕからなるｐ側電極１９を形成
し、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面に、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａ
ｕからなるｎ側電極２０を形成する。

【００５４】なお、ｐ−第１コンタクト層１３の厚さ
は、非常に薄くても素子特性上問題がなく、５ｎｍ〜１
０００ｎｍの範囲内であればよい。

【００５５】ここで、ＭＱＷ活性層７中のＳｉ濃度およ
び量子井戸層７１の総厚ｄを変えて複数の半導体レーザ
素子を作製し、可干渉性の程度を示すγ値およびしきい
値電流を測定した。

【００５６】この測定では、ＭＱＷ活性層７中のＳｉ濃
度を１×１０¹⁵ｃｍ^-3から５×１０ ¹⁹ｃｍ^-3まで変化さ
せた。また、ＭＱＷ活性層７中の各量井戸層７１の厚さ
を５ｎｍ、７ｎｍおよび８ｎｍとし、６つの量子井戸層
７１の総厚ｄを３０ｎｍ、４２ｎｍおよび４８ｎｍと変
えた。なお、γ値が０．９を越えると戻り光ノイズのた
めに光ピックアップ装置の特性が劣化する。図４および
表４に半導体レーザ素子のγ値のＳｉ濃度依存性の測定
結果を示す。

【００５７】

【表４】

【００５８】図４に示すように、ＭＱＷ活性層７中のＳ
ｉ濃度が５×１０¹⁵〜１×１０¹⁹ｃｍ^-3の範囲内でγ値
が０．９よりも小さくなっている。また、Ｓｉ濃度が５
×１０¹⁶〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3の範囲内でγ値がさらに小
さくなり、Ｓｉ濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3でγ値が最小と
なっている。

【００５９】したがって、自励発振を安定に起こすため
には、ＭＱＷ活性層７中のＳｉ濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3
以上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下であることが好ましく、５×
１０ ¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であることがよ
り好ましく、ほぼ１×１０¹⁷ｃｍ^-3であることが最も好
ましい。

【００６０】また、図４に示すように、ＭＱＷ活性層７
中の量子井戸層７１の数が等しい場合には、総厚ｄが大
きくなるほどγ値が低くなることがわかる。

【００６１】図５および表５にしきい値電流の量子井戸
層７１の総厚依存性およびおよびγ値の量子井戸層７１
の総厚依存性の測定結果を示す。

【００６２】

【表５】

【００６３】しきい値電流の測定では、ＭＱＷ活性層７
中のＳｉ濃度を１×１０¹⁷ｃｍ^-3とした。また、γ値の
測定では、ＭＱＷ活性層７中のＳｉ濃度を１×１０¹⁶ｃ
ｍ^-3、１×１０¹⁸ｃｍ^-3および１×１０¹⁷ｃｍ^-3とし
た。

【００６４】図５に示すように、量子井戸層７１の総厚
ｄが大きくなるほどγ値が低くなる。また、ＭＱＷ活性
層７中のＳｉ濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3の場合にγ値が最
も低くなる。一方、量子井戸層７１の総厚ｄが８０ｎｍ
よりも大きくなると、しきい値電流が増大する。したが
って、量子井戸層７１の総厚ｄは２０ｎｍ以上８０ｎｍ
以下であることが好ましい。

【００６５】上記のように、本実施例の半導体レーザ素
子１００においては、ＭＱＷ活性層７中に不純物として
Ｓｉを添加し、不純物の濃度および量子井戸層７１の総
厚ｄを最適化することにより、不純物準位に起因した光
吸収が生じ、容易に自励発振が行われるとともに、しき
い値電流が低減される。

【００６６】次に、ＭＱＷ活性層７にＳｉの代わりにＳ
ｅを添加した半導体レーザ素子を作製し、γ値を測定し
た。同様に、ＭＱＷ活性層７にＳｉの代わりにＺｎを添
加した半導体レーザ素子を作製し、γ値を測定した。こ
の測定では、ＭＱＷ活性層７中の各量子井戸層７１の厚
さを７ｎｍとし、６つの量子井戸層７１の総厚ｄを４２
ｎｍとした。図６および表６にγ値のＳｅ濃度依存性お
よびＺｎ濃度依存性の測定結果を示す。

【００６７】

【表６】

【００６８】図６に示すように、Ｓｅ濃度が５×１０¹⁵
〜１×１０¹⁹ｃｍ^-3の範囲内ではγ値が０．９よりも小
さくなり、５×１０¹⁶〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3の範囲内では
さらに小さくなり、ほぼ１×１０¹⁷ｃｍ^-3で最小となっ
ている。また、Ｚｎ濃度が５×１０¹⁵〜１×１０¹⁹ｃｍ
^-3の範囲内でγ値が０．９よりも小さくなり、５×１０
¹⁶〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3の範囲内ではさらに小さくなり、
ほぼ１×１０¹⁷ｃｍ^-3で最小となっている。

【００６９】したがって、自励発振を安定に起こすため
には、Ｓｅ濃度およびＺｎ濃度は、５×１０¹⁵ｃｍ^-3以
上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下であることが好ましく、５×１
０¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であることがより
好ましく、ほぼ１×１０¹⁷ｃｍ^-3であることが最も好ま
しい。

【００７０】なお、図１の半導体レーザ素子１００にお
いて、リッジ部の下端の幅Ｗ１は、１．５μｍ以上４．
０μｍ以下であることが好ましく、２．０μｍ以上３．
２μｍ以下であることがより好ましい。ただし、リッジ
部の上端の幅が０とならないことが必要である。例え
ば、リッジ部の下端の幅Ｗ１を１．５μｍとする場合に
は、ｐ−第２クラッド層１２の厚みを０．５μｍにす
る。

【００７１】また、ｐ−第１クラッド層１０の厚みは、
０．０２μｍ以上０．５μｍ以下であることが好まし
く、０．０８μｍ以上０．２５μｍ以下であることがさ
らに好ましい。さらに、ｎ−第２電流ブロック層１５の
Ａｌ組成は０．５０以上０．７５以下であることが好ま
しく、０．５６以上０．６４以下であることがさらに好
ましい。

【００７２】また、上記の半導体レーザ素子１００にお
いては、ＭＱＷ活性層７へドーピングにより不純物を添
加しているが、周知の熱拡散法やイオン注入法によりＭ
ＱＷ活性層７に不純物を添加してもよい。

【００７３】具体的には、第１結晶成長の後、例えばＡ
ｓＨ₃ 雰囲気中で基板温度８５０℃にて３０分間保持す
ることにより、Ｚｎがドープされたｐ−ＡｌＧａＡｓか
らＭＱＷ活性層７にＺｎを熱拡散させてもよい。この場
合、ｐ−ＡｌＧａＡｓからなるｐ−第１クラッド層１０
のキャリア濃度を高く設定することにより、ＭＱＷ活性
層７により効果的にＺｎを拡散させることができる。

【００７４】さらに、ＭＱＷ活性層７中の量子井戸層７
１の数が３以下の場合には、電流を増加させたときに光
の利得の飽和が生じるため、しきい値電流および動作電
流が上昇する。一方、量子井戸層７１の数が８以上にな
ると、各量子井戸層７１の厚みのばらつきが大きくなる
ため、発光エネルギー幅が広がり、しきい値電流および
動作電流が上昇する。特に、量子井戸層７１の合計の厚
みを一定に保ちつつ量子井戸層７１の数を増加させるた
めには、各量子井戸層７１の厚さを小さくする必要があ
る。量子井戸層７１の厚さが小さくなれば、量子準位の
層厚依存性が大きくなるため、発光エネルギー幅がより
広がりやすくなる。したがって、ＭＱＷ活性層７の量子
井戸層７１の数は４以上７以下であることが好ましい。

【００７５】図７は本発明の他の実施例における半導体
レーザ素子の構造を示す模式的断面図である。

【００７６】図７の半導体レーザ素子２００において、
ｎ−ＧａＡｓ基板１上のｎ−バッファ層２からｐ−第１
コンタクト層１３までは、図１の半導体レーザ素子１０
０と同様である。ただし、ｐ−第１クラッド層１０の厚
さは０．２５μｍであり、ｐ−第１コンタクト層１３の
厚さは０．１μｍである。

【００７７】本実施例では、ｐ−第２クラッド層１２お
よびｐ−第１コンタクト層１３からなるリッジ部の下端
の幅Ｗ２は２．０μｍである。

【００７８】ｐ−第２クラッド層１２およびｐ−第１コ
ンタクト層１３の両側面およびｐ−エッチング停止層１
１上には、厚さ０．８８μｍのＳｉＯ₂ またはＳｉＮ_x
からなる電流ブロック層３２が形成されている。ｐ−第
１コンタクト層１３上には、厚さ０．３μｍのｐ−Ｇａ
Ａｓからなるｐ−第２コンタクト層３７および厚さ０．
３μｍのｐ−ＧａＡｓからなるｐ−第３コンタクト層３
８が順に形成されている。

【００７９】ｐ−第２コンタクト層３７およびｐ−第３
コンタクト層３８のキャリア濃度は、それぞれ図１のｐ
−第２コンタクト層１７およびｐ−第３コンタクト層１
８のキャリア濃度と同様である。

【００８０】ｐ−第３コンタクト層３８上にはｐ側電極
３９が形成され、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面にはｎ側電
極４０が形成されている。なお、ｐ側電極３９は、ｐ−
コンタクト層３８から電流ブロック層３２にわたる領域
全面に形成してもよい。

【００８１】電流ブロック層３２の材料としてＳｉＯ₂
またはＳｉＮ_x を用いた図７の半導体レーザ素子２００
において、ＭＱＷ活性層７中のＳｉ濃度を変えてγ値を
測定したところ、γ値のＳｉ濃度依存性の測定結果は図
４とほぼ同等になった。

【００８２】したがって、図７の半導体レーザ素子２０
０においても、ＭＱＷ活性層７中のＳｉ濃度は、５×１
０¹⁵ｃｍ^-3以上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下であることが好ま
しく、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であ
ることがより好ましく、ほぼ１×１０¹⁷ｃｍ^-3であるこ
とが最も好ましい。

【００８３】なお、図７の半導体レーザ素子２００にお
いて、リッジ部の下端の幅Ｗ２は、１．３μｍ以上３．
６μｍ以下であることが好ましく、１．８μｍ以上３．
０μｍ以下であることがより好ましい。ただし、リッジ
部の上端の幅が０とならないことが必要である。例え
ば、リッジ部の下端の幅Ｗ２を１．３μｍとする場合に
は、ｐ−第２クラッド層１２の厚さを０．４μｍにす
る。

【００８４】また、ｐ−第１クラッド層１０の厚さは、
０．０８μｍ以上０．７μｍ以下であることが好まし
く、０．１０μｍ以上０．３５μｍ以下であることがさ
らに好ましい。

【００８５】図８は図１の半導体レーザ素子１００を用
いた光ピックアップ装置用の投受光ユニットの構成を示
す側部断面図、図９は図８の投受光ユニットの下フレー
ム部の上面の構成を示す平面図、図１０は図８の投受光
ユニットの上フレーム部の下面の構成を示す平面図であ
る。また、図１１および図１２は図８の投受光ユニット
の外観を示す斜視図である。

【００８６】なお、図８〜図１０中には、３次元の方向
が明確となるようにｘ軸、ｙ軸およびｚ軸が記入されて
いる。ｘ軸方向は鉛直方向であり、ｚ軸方向は半導体レ
ーザ素子１００の光出射方向であり、ｙ軸方向はｘｚ平
面に直交する水平方向である。

【００８７】図８〜図１２において、投受光ユニット
は、樹脂モールドよりなる下フレーム部１１１Ａと上フ
レーム部１１１Ｂとが接着固定された筐体を有する。下
フレーム部１１１Ａと上フレーム部１１１Ｂとは互いに
対向する主面を有する。下フレーム部１１１Ａの主面上
には、導電性ヒートシンク１０３、透過型３分割用回折
格子１０６、透過型ホログラム素子１０７および反射ミ
ラー１１２が取り付けられている。さらに、導電性ヒー
トシンク１０３の上面の内部には、ビームパワーモニタ
用のフォトダイオード１０４ａが取り付けられている。
また、上フレーム部１１１Ｂの主面には、反射ミラー１
１２で反射された帰還光を検出するフォトダイオード１
０４ｂが取り付けられている。

【００８８】導電性ヒートシンク１０３の主面には半導
体レーザ素子１００が取り付けられている。半導体レー
ザ素子１００の前方には、透過型３分割用回析格子１０
６が配置されている。透過型３分割用回折格子１０６
は、半導体レーザ素子１００側の表面に等ピッチの凹凸
からなる回折格子面１０６ａを有しており、半導体レー
ザ素子１００から出射されたレーザ光を０次および±１
次の３本の回折光に分割して出射する。

【００８９】透過型ホログラム素子１０７は、透過型３
分割用回折格子１０６の光出射側に、透過型３分割用回
折格子１０６と対向するように固定されている。透過型
ホログラム素子１０７は、透過型３分割用回折格子１０
６側の表面に、凹凸のピッチが漸次的に変化する曲線群
からなるホログラム面１０７ａが形成された透光性基板
からなる。

【００９０】上記の投受光ユニットにおいて、半導体レ
ーザ素子１００からのレーザ光の出射方向は、下フレー
ム部１１１Ｂと上フレーム部１１１Ａとが対向する方向
と直交する方向（ｚ軸方向）である。また、フォトダイ
オード１０４ｂの検出領域（受光面）は、下フレーム部
１１１Ａと上フレーム部１１１Ｂとが対向する方向と直
交するｙｚ平面とほぼ平行に形成されている。

【００９１】図１３（ａ），（ｂ）はフォトダイオード
１０４ｂの検出領域を示す。図１３（ａ）に示すよう
に、透過型３分割用回折格子１０６の回折方向がｙ軸方
向の場合には、０次の回折光に基づく帰還光が入射する
検出領域１４１の両側に、ｙ軸方向に沿って±１次の回
折光に基づく２つの帰還光がそれぞれ入射する分割領域
１４２，１４２が配置される。

【００９２】また、図１３（ｂ）に示すように、透過型
３分割用回折格子１０６の回折方向がｘ軸方向の場合に
は、０次の回折光に基づく帰還光が入射する分割領域１
４１の両側に、ｚ軸方向に沿って±１次の回折光に基づ
く帰還光がそれぞれ入射する分割領域１４２，１４２が
配置される。

【００９３】図９に示すように、下フレーム部１１１Ａ
には、フォトダイオード１０４ａからの信号を出力する
リードフレーム１３１、半導体レーザ素子１００に電力
を供給するリードフレーム１３２、およびフォトダイオ
ード１０４ａと半導体レーザ素子１００とに共通する、
例えばアース用のリードフレーム１３３が設けられてい
る。リードフレーム１３３上には導電性シートシンク１
０３が載置されている。各リードフレーム１３１，１３
２，１３３の一端は下フレーム部１１１Ａに固定され、
他端は下フレーム部１１１Ａから外部に突出している。

【００９４】また、図１０に示すように、上フレーム部
１１１Ｂには、フォトダイオード１０４ｂの分割された
各検出領域からの信号を出力する複数のリードフレーム
１４１、およびフォトダイオード１０４ｂの各検出領域
に共通の、例えばアース用のリードフレーム１４２が設
けられている。リードフレーム１４２上にはフォトダイ
オード１０４ｂが載置されている。各リードフレーム１
４１，１４２の一端は上フレーム部１１１Ｂに固定さ
れ、他端は上フレーム部１１１Ｂから外部に突出してい
る。

【００９５】また、光ピックアップ装置は、上記の投受
光ユニットに接続されるハウジングを有する。ハウジン
グには透過型ホログラム素子１０７と光学記録媒体との
間でレーザ光の光軸方向を変化させる反射ミラーおよび
レーザ光を光学記録媒体の表面に集光させる対物レンズ
が取り付けられている。

【００９６】図１４は図８〜図１２の投受光ユニットを
用いた光ピックアップ装置の側面図であり、図１５は図
１４の光ピックアップ装置におけるレーザ光の進行状態
を示す平面図である。

【００９７】この光ピックアップ装置では、半導体レー
ザ素子１００の前端面側から出力されたレーザ光は、透
過型３分割用回折格子１０６で０次および±１次の３本
の回折光に分割された後、透過型ホログラム素子１０７
に入射する。透過型ホログラム素子１０７を透過した３
本の回折光は反射ミラー１０８で上方に反射された後、
対物レンズ１０９の集光作用により光学記録媒体１に主
スポットおよび２つの副スポットとして集光される。

【００９８】光学記録媒体１０１に主スポットおよび２
つの副スポットとして集光された３本の回折光は、光学
記録媒体１０１で、この光学記録媒体１０１に記録され
た情報を含む３本の帰還光として反射され、対物レンズ
１０９を通り反射ミラー１０８で反射された後、透過型
ホログラム素子１０７に入射する。

【００９９】透過型ホログラム素子１０７を１次（また
は−１次）回折で透過した３本の帰還光は、透過型３分
割用回折格子１０６の回折格子面１０６ａの右側もしく
は左側を透過した後、反射ミラー１１２で上方側に反射
されてフォトダイオード１０４ｂに入射される。フォト
ダイオード１０４ｂに入射した帰還光は、電気信号に変
換されてリードフレーム１４１より出力され、この出力
に基づいて光学記録媒体１０１に記録された情報の再
生、トラッキングサーボおよびフォーカシングサーボが
行われる。

【０１００】本例の光ピックアップ装置の投受光ユニッ
トでは、半導体レーザ素子１００に接続されているリー
ドフレーム１３１，１３２，１３３は下フレーム部１１
１Ａに設けられ、フォトダイオード１０４ｂに接続され
ているリードフレーム１４１，１４２は上フレーム部１
１１Ｂに設けられている。すなわち、リードフレーム１
３１〜１３３とリードフレーム１４１，１４２とは同一
平面ではなく、ｘ軸方向に高低差をもって異なるフレー
ム部に設けられている。このため、リードフレームを設
けるために下フレーム部１１１Ａおよび上フレーム部１
１１Ｂの横幅を広げる必要が無くなり、光ピックアップ
装置の投受光ユニットの筐体の横幅を小型にすることが
可能となる。

【０１０１】また、この光ピックアップ装置の投受光ユ
ニットでは、下フレーム部１１１Ａと上フレーム部１１
１Ｂとの接合面に沿って相互に移動させることにより、
帰還光がフォトダイオード１０４ｂの最適位置に入射す
るように位置決めすることができる。そして、位置決め
した後、下フレーム部１１１Ａと上フレーム部１１１Ｂ
とを接着固定して光ピックアップ装置の投受光ユニット
が製造される。このため、フォトダイオード１０４ｂに
帰還ビームを導く反射ミラー１１２に移動機構を設ける
必要が無くなり、反射ミラー１１２の取り付け構造が簡
素化されている。これにより、下フレーム部１１１Ａと
上フレーム部１１１Ｂとからなる筐体の厚さ（ｘ軸方向
の幅）を小さくすることができる。

【０１０２】次に、図１の半導体レーザ素子１００を図
８の下フレーム部１１１Ａの導電性ヒートシンク１０３
上に搭載し、自励発振が停止する光出力を測定した。こ
の測定では、ＭＱＷ活性層７中のＳｉ濃度を１×１０¹⁵
×ｃｍ^-3から５×１０¹⁹ｃｍ ^-3まで変化させた。ＭＱＷ
活性層７中の各量子井戸層７１の厚さは７ｎｍであり、
６つの量子井戸層７１の層厚ｄは４２ｎｍである。

【０１０３】なお、この測定は、リードフレーム１３１
〜１３３を有する下フレーム部１１１Ａに、透過型３分
割回折格子１０６および透過型ホログラム素子１０７を
取り付けない状態で行った。図１６および表７に自励発
振が停止する光出力のＳｉ濃度の依存性の測定結果を示
す。

【０１０４】

【表７】

【０１０５】なお、自励発振が停止する光出力以上で
は、発振がシングルモードになる。図１６に示すよう
に、ＭＱＷ活性層７中のＳｉ濃度が５×１０¹⁵〜１×１
０¹⁹ｃｍ ^-3の範囲内では、自励発振が停止する光出力が
１６ｍＷよりも高くなっている。また、Ｓｉ濃度が５×
１０¹⁶〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3の範囲内では、自励発振が停
止する光出力が２１ｍＷ以上とさらに高くなり、Ｓｉ濃
度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3で最も高くなっている。

【０１０６】したがって、高出力でかつ低雑音特性を得
るためには、ＭＱＷ活性層７中のＳｉ濃度が５×１０¹⁵
ｃｍ^-3以上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下であることが好まし
く、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である
ことがより好ましく、ほぼ１×１０¹⁷ｃｍ^-3であること
が最も好ましい。

【０１０７】このように、上記実施例の半導体レーザ素
子を用いた投受光ユニットにおいては、高い光出力での
動作時にも、低雑音特性が向上する。

【０１０８】次に、自励発振が停止する光出力の温度依
存性を測定した。この測定においても、図１の半導体レ
ーザ素子１００を図８の下フレーム部１１１Ａの導電性
ヒートシンク１０３上に搭載した状態で測定を行った。
図１７および表８に自励発振が停止する光出力の温度依
存性の測定結果を示す。

【０１０９】

【表８】

【０１１０】図１７に示すように、ＭＱＷ活性層７中の
Ｓｉ濃度が５×１０¹⁹ｃｍ^-3の場合および１×１０¹⁵ｃ
ｍ^-3の場合には、６５℃で自励発振が停止している。Ｓ
ｉ濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3および１×１０¹⁹ｃｍ^-3の場
合には、自励発振が停止する光出力が全体的に高くなっ
ている。また、Ｓｉ濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3の場合に、
自励発振が停止する光出力が全体的により高くなり、Ｓ
ｉ濃度が５×１０¹⁶ｃｍ^-3の場合に、自励発振が停止す
る光出力がさらに高くなっている。Ｓｉ濃度が１×１０
¹⁷ｃｍ^-3の場合には、自励発振する光出力が全温度範囲
で最も高くなっている。

【０１１１】したがって、温度上昇時にも低雑音特性を
得るためには、ＭＱＷ活性層７中のＳｉ濃度が５×１０
¹⁵ｃｍ^-3以上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下であることが好まし
く、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である
ことがより好ましく、ほぼ１×１０¹⁷ｃｍ^-3であること
が最も好ましい。

【０１１２】このように、上記実施例の半導体レーザ素
子を用いた投受光ユニットにおいては、温度上昇時に
も、低雑音特性が向上する。

【０１１３】次に、図１の半導体レーザ素子１００を図
８〜図１２投受光ユニットに搭載して図１４の光ピック
アップ装置を構成し、ジッター特性を測定した。この測
定では、ＭＱＷ活性層７中のＳｉ濃度を１×１０¹⁵ｃｍ
^-3から５×１０¹⁹ｃｍ^-3まで変化させた。ＭＱＷ活性層
７中の各量子井戸層７１の厚さは７ｎｍであり、６つの
量子井戸層７１の層厚ｄは４２ｎｍである。図１８およ
び表８に光ピックアップ装置におけるジッター値のＳｉ
濃度依存性の測定結果を示す。ジッター値が２０ｎｓを
越えると、光ピックアップ装置の読み取りエラーが生じ
やすくなる。

【０１１４】

【表９】

【０１１５】図１８に示すように、ＭＱＷ活性層７中の
Ｓｉ濃度が５×１０¹⁵〜１×１０¹⁹ｃｍ^-3の範囲内でジ
ッター値が２０ｎｓ以下となっている。また、Ｓｉ濃度
が５×１０¹⁶〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3の範囲内でジッター値
がさらに小さくなり、Ｓｉ濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3でジ
ッター値が最小となっている。

【０１１６】したがって、光ピックアップ装置におい
て、読み取りエラーの発生を防止するためには、ＭＱＷ
活性層７中のＳｉ濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3以上１×１０
¹⁹ｃｍ ^-3以下であることが好ましく、５×１０¹⁶ｃｍ^-3
以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であることがより好ましく、
ほぼ１×１０¹⁷ｃｍ^-3であることが最も好ましい。

【０１１７】このように、上記実施例の半導体レーザ素
子を用いた光ピックアップ装置においては、低雑音特性
が向上し、読み取りエラーの発生が防止される。

【０１１８】なお、上記実施例では、半導体レーザ素子
１００，２００のＭＱＷ活性層７にＳｉ、ＳｅまたはＺ
ｎが添加されているが、ＭＱＷ活性層７中に不純物とし
てＢｅ、ＳまたはＣを上記の濃度に添加しても同様の効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における半導体レーザ素子の
構造を示す模式的断面図である。

【図２】図１の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式
的工程断面図である。

【図３】図１の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式
的工程断面図である。

【図４】図１の半導体レーザ素子におけるγ値のＳｉ濃
度依存性の測定結果を示す図である。

【図５】図１の半導体レーザ素子におけるしきい値電流
の量子井戸層の総厚依存性およびγ値の量子井戸層の総
厚依存性の測定結果を示す図である。

【図６】γ値のＳｅ濃度依存性およびＺｎ濃度依存性の
測定結果を示す図である。

【図７】本発明の他の実施例における半導体レーザ素子
の構造を示す模式的断面図である。

【図８】図１の半導体レーザ素子を用いた光ピックアッ
プ装置用の投受光ユニットの構成を示す側部断面図であ
る。

【図９】図８の投受光ユニットの下フレーム部の上面の
構成を示す平面図である。

【図１０】図８の投受光ユニットの上フレーム部の下面
の構成を示す平面図である。

【図１１】図８の投受光ユニットの外観を示す斜視図で
ある。

【図１２】図８の投受光ユニットの外観を示す斜視図で
ある。

【図１３】図８〜図１２の投受光ユニットのフォトダイ
オードの検出領域を示す平面図である。

【図１４】図８〜図１２の投受光ユニットを用いた光ピ
ックアップ装置の側面図である。

【図１５】図１４の光ピックアップ装置におけるレーザ
光の進行状態を示す平面図である。

【図１６】自励発振が停止する光出力のＳｉ濃度依存性
の測定結果を示す図である。

【図１７】自励発振が停止する光出力の温度依存性の測
定結果を示す図である。

【図１８】光ピックアップ装置におけるジッター値のＳ
ｉ濃度依存性の測定結果を示す図である。

【符号の説明】

１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ４ ｎ−クラッド層 ７ ＭＱＷ活性層 １０ ｐ−第１クラッド層 １２ ｐ−第２クラッド層 １３ ｐ−第１コンタクト層 １４ 第１電流ブロック層 １５ ｎ−第２電流ブロック層 １６ ｎ−第３電流ブロック層 １７ ｐ−第２コンタクト層 １８ ｐ−第３コンタクト層 ３７ ｐ−第２コンタクト層 ３８ ｐ−第３コンタクト層 ７１ 量子井戸層 ７２ 障壁層 １００，２００ 半導体レーザ素子 １０３ 導電性ヒートシンク １０４ｂ フォトダイオード １０６ 透過型３分割用回折格子 １０７ 透過型ホログラム素子 １０８ 反射ミラー １０９ 対物レンズ １１１Ａ 下フレーム部 １１１Ｂ 上フレーム部 １１２ 反射ミラー １３１，１３２，１３３，１４１，１４２ リードフレ
ーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古沢 浩太郎 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 林 伸彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 田尻 敦志 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 井上 泰明 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 庄野 昌幸 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 活性層中にシリコン、セレン、亜鉛、ベ
   リリウム、硫黄または炭素が不純物として５×１０¹⁵ｃ
   ｍ^-3以上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下の濃度に添加されたこと
   を特徴とする半導体レーザ素子。
2. 【請求項２】 前記活性層中の不純物の濃度が５×１０
   ¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であることを特徴と
   する請求項１記載の半導体レーザ素子。
3. 【請求項３】 前記活性層中の不純物の濃度がほぼ１×
   １０¹⁷ｃｍ^-3であることを特徴とする請求項１または２
   記載の半導体レーザ素子。
4. 【請求項４】 前記活性層が、少なくともガリウムおよ
   び砒素を含む化合物半導体からなることを特徴とする請
   求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
5. 【請求項５】 前記活性層が、少なくともＧａＡｓもし
   くはＡｌＧａＡｓからなることを特徴とする請求項４記
   載の半導体レーザ素子。
6. 【請求項６】 前記活性層上に、平坦部およびリッジ部
   からなるクラッド層が設けられ、前記クラッド層の前記
   リッジ部の両側面および前記平坦部上に電流ブロック層
   が設けられたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか
   に記載の半導体レーザ素子。
7. 【請求項７】 前記電流ブロック層が、少なくともガリ
   ウムおよび砒素を含む化合物半導体からなることを特徴
   とする請求項６記載の半導体レーザ素子。
8. 【請求項８】 前記電流ブロック層が、少なくともＧａ
   ＡｓもしくはＡｌＧａＡｓからなることを特徴とする請
   求項７記載の半導体レーザ素子。
9. 【請求項９】 前記電流ブロック層が、酸化膜または窒
   化膜からなることを特徴とする請求項６記載の半導体レ
   ーザ素子。
10. 【請求項１０】 前記活性層が複数の量子井戸層を含む
    量子井戸構造を有し、前記複数の量子井戸層の合計の厚
    みが２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であること特徴とする請
    求項１〜９のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
11. 【請求項１１】 前記複数の量子井戸層の数が５以上７
    以下であることを特徴とする請求項１０記載の半導体レ
    ーザ素子。
12. 【請求項１２】 光ピックアップ装置に用いられる投受
    光ユニットであって、 第１の面を有する第１の支持部材と、 前記第１の支持部材に設けられた第１の配線部材と、 前記第１の支持部材の第１の面上に設けられかつ前記第
    １の配線部材と電気的に接続された請求項１〜１１のい
    ずれかに記載の半導体レーザ素子とを備えたことを特徴
    とする投受光ユニット。
13. 【請求項１３】 前記第１の配線部材上に配置されたヒ
    ートシンクをさらに備え、前記半導体レーザ素子は前記
    ヒートシンク上に配置されたことを特徴とする請求項１
    ２記載の投受光ユニット。
14. 【請求項１４】 前記半導体レーザ素子のレーザ光の出
    射方向側に配置されかつ前記半導体レーザ素子から出射
    されたレーザ光に基づく帰還光を回折する第１の回折素
    子をさらに備えたことを特徴とする請求項１２または１
    ３記載の投受光ユニット。
15. 【請求項１５】 前記半導体レーザ素子と前記第１の回
    折素子との間に配置されかつ前記半導体レーザ素子から
    出射されたレーザ光を複数の光束に分割する第２の回折
    素子をさらに備えたこと特徴とする請求項１２〜１４の
    いずれかに記載の投受光ユニット。
16. 【請求項１６】 前記第１の支持部材は前記第１の面に
    平行な偏平形状を有し、半導体レーザ素子は、前記第１
    の面に平行な方向に光を出射するように配置されたこと
    を特徴とする請求項１２〜１５のいずれかに記載の投受
    光ユニット。
17. 【請求項１７】 前記第１の支持部材上に配置された第
    ２の支持部材と、 前記第２の支持部材に設けられた第２の配線部材と、 前記第２の支持部材に設けられ、前記第２の配線部材と
    電気的に接続されかつ前記半導体レーザ素子から出射さ
    れた光に基づく帰還光を検出する検出器とをさらに備え
    たことを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載
    の投受光ユニット。
18. 【請求項１８】 光を光学記録媒体に照射する光ピック
    アップ装置であって、 請求項１２〜１７のいずれかに記載の投受光ユニット
    と、 前記投受光ユニットの前記半導体レーザ素子から出射さ
    れた光を光学記録媒体上に集光する集光手段とを備えた
    ことを特徴とする光ピックアップ装置。