JP2003077962A - 異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその応用製品 - Google Patents
異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその応用製品Info
- Publication number
- JP2003077962A JP2003077962A JP2001262550A JP2001262550A JP2003077962A JP 2003077962 A JP2003077962 A JP 2003077962A JP 2001262550 A JP2001262550 A JP 2001262550A JP 2001262550 A JP2001262550 A JP 2001262550A JP 2003077962 A JP2003077962 A JP 2003077962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- anisotropic conductive
- frame plate
- elastic
- material layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 125
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims abstract description 106
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 67
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 55
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 41
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims description 21
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 13
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 12
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 45
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 38
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 27
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 22
- -1 methylphenyl vinyl Chemical group 0.000 description 17
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 14
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 11
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 10
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004944 Liquid Silicone Rubber Substances 0.000 description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000942 Elinvar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- ZBBKCJXETVKDOI-UHFFFAOYSA-N butylphosphanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[PH3+] ZBBKCJXETVKDOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N chloro(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)Cl QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 2
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 2
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 101001024616 Homo sapiens Neuroblastoma breakpoint family member 9 Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100037013 Neuroblastoma breakpoint family member 9 Human genes 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N chloro-ethenyl-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C=C XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N chloroprene Chemical compound ClC(=C)C=C YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229920003244 diene elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229920005558 epichlorohydrin rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- HIHIPCDUFKZOSL-UHFFFAOYSA-N ethenyl(methyl)silicon Chemical compound C[Si]C=C HIHIPCDUFKZOSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCNRJBWHLARWRP-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane;platinum Chemical compound [Pt].C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C RCNRJBWHLARWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000346 polystyrene-polyisoprene block-polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 接続すべき回路装置の電極ピッチが小さくて
も、回路装置に対する位置合わせや保持固定を容易に行
うことができ、全ての導電部について、良好な導電性が
確実に得られると共に導電部間の絶縁性が確実に得られ
る異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその
応用製品の提供。 【解決手段】 異方導電性コネクターは、フレーム板１
０の貫通孔１１およびその周辺部に、硬化されて弾性高
分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示
す導電性粒子が分散された弾性異方導電膜２０用の成形
材料層を形成し、この成形材料層の接続用導電部２２と
なる部分および被支持部２５となる部分にそれ以外の部
分よりも大きい強度の磁場を作用させて、被支持部２５
となる部分に存在する導電性粒子を当該部分２５に保持
させた状態で、導電性粒子を接続用導電部２２となる部
分に集合させて厚み方向に配向させ、成形材料層を硬化
処理することにより得られる。
も、回路装置に対する位置合わせや保持固定を容易に行
うことができ、全ての導電部について、良好な導電性が
確実に得られると共に導電部間の絶縁性が確実に得られ
る異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその
応用製品の提供。 【解決手段】 異方導電性コネクターは、フレーム板１
０の貫通孔１１およびその周辺部に、硬化されて弾性高
分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示
す導電性粒子が分散された弾性異方導電膜２０用の成形
材料層を形成し、この成形材料層の接続用導電部２２と
なる部分および被支持部２５となる部分にそれ以外の部
分よりも大きい強度の磁場を作用させて、被支持部２５
となる部分に存在する導電性粒子を当該部分２５に保持
させた状態で、導電性粒子を接続用導電部２２となる部
分に集合させて厚み方向に配向させ、成形材料層を硬化
処理することにより得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば回路装置相
互間の電気的接続を行うために用いられる異方導電性コ
ネクターおよびその製造方法並びにその応用製品に関
し、更に詳しくは、ウエハに形成された複数の集積回路
の各々の電気的検査をウエハの状態で行うためのコネク
ターとして好適な異方導電性コネクターおよびその製造
方法並びにその応用製品に関する。
互間の電気的接続を行うために用いられる異方導電性コ
ネクターおよびその製造方法並びにその応用製品に関
し、更に詳しくは、ウエハに形成された複数の集積回路
の各々の電気的検査をウエハの状態で行うためのコネク
ターとして好適な異方導電性コネクターおよびその製造
方法並びにその応用製品に関する。
【０００２】
【従来の技術】異方導電性エラストマーシートは、厚み
方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧さ
れたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電
部を有するものであり、ハンダ付けあるいは機械的嵌合
などの手段を用いずにコンパクトな電気的接続を達成す
ることが可能であること、機械的な衝撃やひずみを吸収
してソフトな接続が可能であることなどの特長を有する
ため、このような特長を利用して、例えば電子計算機、
電子式デジタル時計、電子カメラ、コンピューターキー
ボードなどの分野において、回路装置、例えばプリント
回路基板とリードレスチップキャリアー、液晶パネルな
どとの相互間の電気的な接続を達成するためのコネクタ
ーとして広く用いられている。
方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧さ
れたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電
部を有するものであり、ハンダ付けあるいは機械的嵌合
などの手段を用いずにコンパクトな電気的接続を達成す
ることが可能であること、機械的な衝撃やひずみを吸収
してソフトな接続が可能であることなどの特長を有する
ため、このような特長を利用して、例えば電子計算機、
電子式デジタル時計、電子カメラ、コンピューターキー
ボードなどの分野において、回路装置、例えばプリント
回路基板とリードレスチップキャリアー、液晶パネルな
どとの相互間の電気的な接続を達成するためのコネクタ
ーとして広く用いられている。
【０００３】また、プリント回路基板や半導体集積回路
などの回路装置の電気的検査においては、検査対象であ
る回路装置の一面に形成された被検査電極と、検査用回
路基板の表面に形成された検査用電極との電気的な接続
を達成するために、電気回路部品の被検査電極領域と検
査用回路基板の検査用電極領域との間に異方導電性エラ
ストマーシートを介在させることが行われている。
などの回路装置の電気的検査においては、検査対象であ
る回路装置の一面に形成された被検査電極と、検査用回
路基板の表面に形成された検査用電極との電気的な接続
を達成するために、電気回路部品の被検査電極領域と検
査用回路基板の検査用電極領域との間に異方導電性エラ
ストマーシートを介在させることが行われている。
【０００４】従来、このような異方導電性エラストマー
シートとしては、種々の構造のものが知られており、例
えば特開昭５１−９３３９３号公報等には、金属粒子を
エラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性エ
ラストマーシート（以下、これを「分散型異方導電性エ
ラストマーシート」という。）が開示され、また、特開
昭５３−１４７７７２号公報等には、導電性磁性体粒子
をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚
み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁す
る絶縁部とが形成されてなる異方導電性エラストマーシ
ート（以下、これを「偏在型異方導電性エラストマーシ
ート」という。）が開示され、更に、特開昭６１−２５
０９０６号公報等には、導電部の表面と絶縁部との間に
段差が形成された偏在型異方導電性エラストマーシート
が開示されている。そして、偏在型異方導電性エラスト
マーシートは、接続すべき回路装置の電極パターンと対
掌のパターンに従って導電部が形成されているため、分
散型異方導電性エラストマーシートに比較して、接続す
べき電極の配列ピッチすなわち隣接する電極の中心間距
離が小さい回路装置などに対しても電極間の電気的接続
を高い信頼性で達成することができる点で、有利であ
る。
シートとしては、種々の構造のものが知られており、例
えば特開昭５１−９３３９３号公報等には、金属粒子を
エラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性エ
ラストマーシート（以下、これを「分散型異方導電性エ
ラストマーシート」という。）が開示され、また、特開
昭５３−１４７７７２号公報等には、導電性磁性体粒子
をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚
み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁す
る絶縁部とが形成されてなる異方導電性エラストマーシ
ート（以下、これを「偏在型異方導電性エラストマーシ
ート」という。）が開示され、更に、特開昭６１−２５
０９０６号公報等には、導電部の表面と絶縁部との間に
段差が形成された偏在型異方導電性エラストマーシート
が開示されている。そして、偏在型異方導電性エラスト
マーシートは、接続すべき回路装置の電極パターンと対
掌のパターンに従って導電部が形成されているため、分
散型異方導電性エラストマーシートに比較して、接続す
べき電極の配列ピッチすなわち隣接する電極の中心間距
離が小さい回路装置などに対しても電極間の電気的接続
を高い信頼性で達成することができる点で、有利であ
る。
【０００５】このような偏在型異方導電性エラストマー
シートにおいては、接続すべき回路装置との電気的接続
作業において、当該電気回路部品に対して特定の位置関
係をもって保持固定することが必要である。然るに、異
方導電性エラストマーシートは柔軟で容易に変形しやす
いものであって、その取扱い性が低いものであり、しか
も、近年、電気製品の小型化あるいは高密度配線化に伴
い、これに使用される回路装置は、電極数が増加し、電
極の配列ピッチが一層小さくなって高密度化する傾向に
あるため、回路装置相互間の電気的接続や、回路装置の
電気的検査における検査電極との電気的接続を行う際
に、偏在型異方導電性エラストマーシートの位置合わせ
および保持固定が困難になりつつある。また、回路装置
の電気的検査においては、検査対象である回路装置の潜
在的欠陥を発現させるため、当該回路装置を所定の温度
に加熱した状態でその電気的検査を実行するバーンイン
試験やヒートサイル試験が行われているが、このような
試験においては、一旦は回路装置と偏在型異方導電性エ
ラストマーシートとの所要の位置合わせおよび保持固定
が実現された場合であっても、温度変化による熱履歴を
受けると、熱膨張および熱収縮による応力の程度が、検
査対象である回路装置を構成する材料と偏在型異方導電
性エラストマーシートを構成する材料との間で異なるた
め、電気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持さ
れない、という問題がある。
シートにおいては、接続すべき回路装置との電気的接続
作業において、当該電気回路部品に対して特定の位置関
係をもって保持固定することが必要である。然るに、異
方導電性エラストマーシートは柔軟で容易に変形しやす
いものであって、その取扱い性が低いものであり、しか
も、近年、電気製品の小型化あるいは高密度配線化に伴
い、これに使用される回路装置は、電極数が増加し、電
極の配列ピッチが一層小さくなって高密度化する傾向に
あるため、回路装置相互間の電気的接続や、回路装置の
電気的検査における検査電極との電気的接続を行う際
に、偏在型異方導電性エラストマーシートの位置合わせ
および保持固定が困難になりつつある。また、回路装置
の電気的検査においては、検査対象である回路装置の潜
在的欠陥を発現させるため、当該回路装置を所定の温度
に加熱した状態でその電気的検査を実行するバーンイン
試験やヒートサイル試験が行われているが、このような
試験においては、一旦は回路装置と偏在型異方導電性エ
ラストマーシートとの所要の位置合わせおよび保持固定
が実現された場合であっても、温度変化による熱履歴を
受けると、熱膨張および熱収縮による応力の程度が、検
査対象である回路装置を構成する材料と偏在型異方導電
性エラストマーシートを構成する材料との間で異なるた
め、電気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持さ
れない、という問題がある。
【０００６】このような問題を解決するため、開口を有
する金属製のフレーム板と、このフレーム板の開口に配
置され、その周縁部が当該フレーム板の開口縁部に支持
された異方導電性シートとよりなる異方導電性コネクタ
ーが提案されている（特開平１１−４０２２４号公報参
照）。
する金属製のフレーム板と、このフレーム板の開口に配
置され、その周縁部が当該フレーム板の開口縁部に支持
された異方導電性シートとよりなる異方導電性コネクタ
ーが提案されている（特開平１１−４０２２４号公報参
照）。
【０００７】この異方導電性コネクターは、一般に、以
下のようにして製造される。図１９に示すように、上型
８０およびこれと対となる下型８５よりなる異方導電性
エラストマーシート成形用の金型を用意し、この金型内
に、開口９１を有するフレーム板９０を位置合わせして
配置すると共に、硬化処理によって弾性高分子物質とな
る高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が分散
されてなる成形材料を、フレーム板９０の開口９１およ
びその開口縁部を含む領域に供給して成形材料層９５を
形成する。ここで、成形材料層９５に含有されている導
電性粒子Ｐは、当該成形材料層９５中に分散された状態
である。上記の金型における上型８０および下型８５の
各々は、成形すべき異方導電性エラストマーシートの導
電部のパターンに対応するパターンに従って形成された
複数の強磁性体層８１，８６と、これらの強磁性体層８
１，８６が形成された個所以外の個所に形成された非磁
性体層８２，８７とからなる成形面を有し、対応する強
磁性体層８１，８６が互いに対向するよう配置されてい
る。
下のようにして製造される。図１９に示すように、上型
８０およびこれと対となる下型８５よりなる異方導電性
エラストマーシート成形用の金型を用意し、この金型内
に、開口９１を有するフレーム板９０を位置合わせして
配置すると共に、硬化処理によって弾性高分子物質とな
る高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が分散
されてなる成形材料を、フレーム板９０の開口９１およ
びその開口縁部を含む領域に供給して成形材料層９５を
形成する。ここで、成形材料層９５に含有されている導
電性粒子Ｐは、当該成形材料層９５中に分散された状態
である。上記の金型における上型８０および下型８５の
各々は、成形すべき異方導電性エラストマーシートの導
電部のパターンに対応するパターンに従って形成された
複数の強磁性体層８１，８６と、これらの強磁性体層８
１，８６が形成された個所以外の個所に形成された非磁
性体層８２，８７とからなる成形面を有し、対応する強
磁性体層８１，８６が互いに対向するよう配置されてい
る。
【０００８】そして、上型８０の上面およひ下型８５の
下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させる
ことにより、成形材料層９５には、上型８０の強磁性体
層８１とこれに対応する下型８５の強磁性体層８６との
間の部分すなわち導電部となるべき部分において、それ
以外の部分より大きい強度の磁場が当該成形材料層９５
の厚み方向に作用される。その結果、成形材料層９５中
に分散されている導電性粒子Ｐは、当該成形材料層９５
における大きい強度の磁場が作用されている部分、すな
わち上型８０の強磁性体層８１とこれに対応する下型８
５の強磁性体層８６との間の部分に集合し、更には厚み
方向に並ぶよう配向する。そして、この状態で、成形材
料層９５の硬化処理を行うことにより、導電性粒子Ｐが
厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された複数の導
電部と、これらの導電部を相互に絶縁する絶縁部とより
なる異方導電性エラストマーシートが、その周縁部がフ
レーム板の開口縁部に支持された状態で成形され、以て
異方導電性コネクターが製造される。
下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させる
ことにより、成形材料層９５には、上型８０の強磁性体
層８１とこれに対応する下型８５の強磁性体層８６との
間の部分すなわち導電部となるべき部分において、それ
以外の部分より大きい強度の磁場が当該成形材料層９５
の厚み方向に作用される。その結果、成形材料層９５中
に分散されている導電性粒子Ｐは、当該成形材料層９５
における大きい強度の磁場が作用されている部分、すな
わち上型８０の強磁性体層８１とこれに対応する下型８
５の強磁性体層８６との間の部分に集合し、更には厚み
方向に並ぶよう配向する。そして、この状態で、成形材
料層９５の硬化処理を行うことにより、導電性粒子Ｐが
厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された複数の導
電部と、これらの導電部を相互に絶縁する絶縁部とより
なる異方導電性エラストマーシートが、その周縁部がフ
レーム板の開口縁部に支持された状態で成形され、以て
異方導電性コネクターが製造される。
【０００９】このような異方導電性コネクターによれ
ば、異方導電性エラストマーシートが金属板に支持され
ているため、変形しにくくて取扱いやすく、また、予め
支持体に位置決め用マーク（例えば孔）を形成すること
により、回路装置の電気的接続作業において、当該回路
装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うこ
とができ、しかも、支持体を構成する材料として熱膨張
率の小さいものを用いることにより、異方導電性シート
の熱膨張および熱収縮が支持体によって規制されるた
め、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、良好な電
気的接続状態が安定に維持される。
ば、異方導電性エラストマーシートが金属板に支持され
ているため、変形しにくくて取扱いやすく、また、予め
支持体に位置決め用マーク（例えば孔）を形成すること
により、回路装置の電気的接続作業において、当該回路
装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うこ
とができ、しかも、支持体を構成する材料として熱膨張
率の小さいものを用いることにより、異方導電性シート
の熱膨張および熱収縮が支持体によって規制されるた
め、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、良好な電
気的接続状態が安定に維持される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな異方導電性コネクターにおいては、以下のような問
題があることが判明した。 （１）異方導電性エラストマーシートの成形工程におい
て、成形材料層９５の厚み方向に磁場を作用させた際に
は、当該成形材料層９５における導電部となるべき部分
のうち内側に位置する部分、例えば図１９において符号
Ｘで示す部分（以下、「導電部形成部分Ｘ」という。）
には、当該導電部形成部分Ｘおよびその周囲に存在する
導電性粒子Ｐが集合する。然るに、導電部となるべき部
分のうち最も外側に位置する部分、例えば図１９におい
て符号Ｙで示す部分（以下、「導電部形成部分Ｙ」とい
う。）には、当該導電部形成部分Ｙおよびその周囲に存
在する導電性粒子Ｐが集合するだけでなく、フレーム板
９０の上方および下方に存在する導電性粒子Ｐも集合す
る。その結果、導電部形成部分Ｙにおいて形成される導
電部は、導電性粒子Ｐが過剰に含有された状態となるた
め、隣接する導電部との絶縁性が得られず、これらの導
電部を有効に利用することができない。また、導電部形
成部分Ｙにおいて形成される導電部の導電性粒子Ｐの量
が過剰となることを抑制するため、成形材料中における
導電性粒子の含有量を少なくする手段も考えられるが、
その他の導電部例えは導電部形成部分Ｘにおいて形成さ
れる導電部における導電性粒子の含有量が過小となるた
め、当該導電部において良好な導電性が得られない。
うな異方導電性コネクターにおいては、以下のような問
題があることが判明した。 （１）異方導電性エラストマーシートの成形工程におい
て、成形材料層９５の厚み方向に磁場を作用させた際に
は、当該成形材料層９５における導電部となるべき部分
のうち内側に位置する部分、例えば図１９において符号
Ｘで示す部分（以下、「導電部形成部分Ｘ」という。）
には、当該導電部形成部分Ｘおよびその周囲に存在する
導電性粒子Ｐが集合する。然るに、導電部となるべき部
分のうち最も外側に位置する部分、例えば図１９におい
て符号Ｙで示す部分（以下、「導電部形成部分Ｙ」とい
う。）には、当該導電部形成部分Ｙおよびその周囲に存
在する導電性粒子Ｐが集合するだけでなく、フレーム板
９０の上方および下方に存在する導電性粒子Ｐも集合す
る。その結果、導電部形成部分Ｙにおいて形成される導
電部は、導電性粒子Ｐが過剰に含有された状態となるた
め、隣接する導電部との絶縁性が得られず、これらの導
電部を有効に利用することができない。また、導電部形
成部分Ｙにおいて形成される導電部の導電性粒子Ｐの量
が過剰となることを抑制するため、成形材料中における
導電性粒子の含有量を少なくする手段も考えられるが、
その他の導電部例えは導電部形成部分Ｘにおいて形成さ
れる導電部における導電性粒子の含有量が過小となるた
め、当該導電部において良好な導電性が得られない。
【００１１】（２）上記の異方導電性コネクターにおい
ては、異方導電性エラストマーシートにおける周辺部
は、フレーム板によって支持される被支持部として利用
されるので、当該周辺部には、例えば回路装置の電極と
の電気的接続を行うための導電部が全く形成されていな
い。従って、異方導電性エラストマーシートの周辺部に
は、相当に大きい領域の絶縁部が存在するため、当該異
方導電性コネクターの使用方法や使用環境によっては、
当該異方導電性エラストマーシートにおける周辺部の表
面が静電気を帯びて種々の問題が生じる。例えば、異方
導電性コネクターを回路装置の電気的検査に用いる場合
には、検査すべき回路装置と検査用回路基板との間に異
方導電性コネクターを介在させ、この異方導電性コネク
ターにおける異方導電性エラストマーシートを加圧する
ことにより、検査すべき回路装置と検査用回路基板との
電気的接続を達成して電気的検査が行われるが、加圧動
作および剥離動作によって電荷が発生しやすく、多数の
回路装置の電気的検査を連続して行うことにより、異方
導電性エラストマーシートにおける周辺部の表面に電荷
が蓄積され、高い電圧の静電気を帯びることになる。そ
して、当該静電気が異方導電性エラストマーシートの導
電部を介して放電することにより、異方導電性エラスト
マーシートの導電部や検査用回路基板における配線回路
だけでなく、検査対象である回路装置にまで悪影響を与
えることがあり、その結果、異方導電性エラストマーシ
ートや検査用回路基板が故障したり、検査対象である被
検査回路装置が破壊するおそれがある。また、異方導電
性エラストマーシートの表面に電荷が蓄積されて静電気
を帯びると、当該静電気によって、検査すべき回路装置
が異方導電性エラストマーシートに貼りつくため、検査
作業を円滑に行うことが困難となる。
ては、異方導電性エラストマーシートにおける周辺部
は、フレーム板によって支持される被支持部として利用
されるので、当該周辺部には、例えば回路装置の電極と
の電気的接続を行うための導電部が全く形成されていな
い。従って、異方導電性エラストマーシートの周辺部に
は、相当に大きい領域の絶縁部が存在するため、当該異
方導電性コネクターの使用方法や使用環境によっては、
当該異方導電性エラストマーシートにおける周辺部の表
面が静電気を帯びて種々の問題が生じる。例えば、異方
導電性コネクターを回路装置の電気的検査に用いる場合
には、検査すべき回路装置と検査用回路基板との間に異
方導電性コネクターを介在させ、この異方導電性コネク
ターにおける異方導電性エラストマーシートを加圧する
ことにより、検査すべき回路装置と検査用回路基板との
電気的接続を達成して電気的検査が行われるが、加圧動
作および剥離動作によって電荷が発生しやすく、多数の
回路装置の電気的検査を連続して行うことにより、異方
導電性エラストマーシートにおける周辺部の表面に電荷
が蓄積され、高い電圧の静電気を帯びることになる。そ
して、当該静電気が異方導電性エラストマーシートの導
電部を介して放電することにより、異方導電性エラスト
マーシートの導電部や検査用回路基板における配線回路
だけでなく、検査対象である回路装置にまで悪影響を与
えることがあり、その結果、異方導電性エラストマーシ
ートや検査用回路基板が故障したり、検査対象である被
検査回路装置が破壊するおそれがある。また、異方導電
性エラストマーシートの表面に電荷が蓄積されて静電気
を帯びると、当該静電気によって、検査すべき回路装置
が異方導電性エラストマーシートに貼りつくため、検査
作業を円滑に行うことが困難となる。
【００１２】本発明は、以上のような事情に基づいてな
されたものであって、その第１の目的は、接続すべき回
路装置の電極のピッチが小さいものであっても、当該回
路装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に行う
ことができ、しかも、全ての導電部について、良好な導
電性が確実に得られると共に隣接する導電部との絶縁性
が確実に得られる異方導電性コネクターおよびその製造
方法を提供することにある。本発明の第２の目的は、上
記の目的に加えて、温度変化による熱履歴などの環境の
変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され
る異方導電性コネクターおよびその製造方法を提供する
ことにある。本発明の第３の目的は、上記の目的に更に
加えて、静電気による悪影響を排除することができる異
方導電性コネクターおよびその製造方法を提供すること
にある。本発明の第４の目的は、検査対象である回路装
置の被検査電極のピッチが小さいものであっても、当該
回路装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に行
うことができ、しかも、各被検査電極に対する接続信頼
性の高いプローブ部材を提供することにある。本発明の
第５の目的は、検査対象である回路装置の被検査電極の
ピッチが小さいものであっても、当該回路装置に対する
位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、し
かも、各被検査電極に対する接続信頼性の高い回路装置
の電気的検査装置を提供することにある。本発明の第６
の目的は、回路装置間の接続信頼性の高い導電接続構造
体を提供することにある。
されたものであって、その第１の目的は、接続すべき回
路装置の電極のピッチが小さいものであっても、当該回
路装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に行う
ことができ、しかも、全ての導電部について、良好な導
電性が確実に得られると共に隣接する導電部との絶縁性
が確実に得られる異方導電性コネクターおよびその製造
方法を提供することにある。本発明の第２の目的は、上
記の目的に加えて、温度変化による熱履歴などの環境の
変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され
る異方導電性コネクターおよびその製造方法を提供する
ことにある。本発明の第３の目的は、上記の目的に更に
加えて、静電気による悪影響を排除することができる異
方導電性コネクターおよびその製造方法を提供すること
にある。本発明の第４の目的は、検査対象である回路装
置の被検査電極のピッチが小さいものであっても、当該
回路装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に行
うことができ、しかも、各被検査電極に対する接続信頼
性の高いプローブ部材を提供することにある。本発明の
第５の目的は、検査対象である回路装置の被検査電極の
ピッチが小さいものであっても、当該回路装置に対する
位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、し
かも、各被検査電極に対する接続信頼性の高い回路装置
の電気的検査装置を提供することにある。本発明の第６
の目的は、回路装置間の接続信頼性の高い導電接続構造
体を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の異方導電性コネ
クターの製造方法は、厚み方向に伸びる貫通孔を有する
フレーム板と、このフレーム板の貫通孔内に配置され、
当該貫通孔の周辺部に支持された弾性異方導電膜とを有
し、当該弾性異方導電膜が、磁性を示す導電性粒子が密
に含有されてなる厚み方向に伸びる接続用導電部および
その周囲に形成された絶縁部よりなる機能部と、この機
能部の周縁に一体に形成され、前記フレーム板における
貫通孔の周辺部に固定された被支持部とよりなる異方導
電性コネクターを製造する方法であって、前記フレーム
板の貫通孔およびその周辺部に、硬化処理よって弾性高
分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示
す導電性粒子が分散されてなる弾性異方導電膜用の成形
材料層を形成し、この成形材料層に対して、その接続用
導電部となる部分および被支持部となる部分においてそ
れ以外の部分よりも大きい強度の磁場を作用させること
により、少なくとも成形材料層における被支持部となる
部分に存在する導電性粒子を当該部分に保持させた状態
で、当該成形材料層中の導電性粒子を接続用導電部とな
る部分に集合させて厚み方向に配向させ、この状態で前
記成形材料層を硬化処理することにより、弾性異方導電
膜を形成する工程を有することを特徴とする。
クターの製造方法は、厚み方向に伸びる貫通孔を有する
フレーム板と、このフレーム板の貫通孔内に配置され、
当該貫通孔の周辺部に支持された弾性異方導電膜とを有
し、当該弾性異方導電膜が、磁性を示す導電性粒子が密
に含有されてなる厚み方向に伸びる接続用導電部および
その周囲に形成された絶縁部よりなる機能部と、この機
能部の周縁に一体に形成され、前記フレーム板における
貫通孔の周辺部に固定された被支持部とよりなる異方導
電性コネクターを製造する方法であって、前記フレーム
板の貫通孔およびその周辺部に、硬化処理よって弾性高
分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示
す導電性粒子が分散されてなる弾性異方導電膜用の成形
材料層を形成し、この成形材料層に対して、その接続用
導電部となる部分および被支持部となる部分においてそ
れ以外の部分よりも大きい強度の磁場を作用させること
により、少なくとも成形材料層における被支持部となる
部分に存在する導電性粒子を当該部分に保持させた状態
で、当該成形材料層中の導電性粒子を接続用導電部とな
る部分に集合させて厚み方向に配向させ、この状態で前
記成形材料層を硬化処理することにより、弾性異方導電
膜を形成する工程を有することを特徴とする。
【００１４】本発明の異方導電性コネクターの製造方法
においては、複数の貫通孔を有するフレーム板を用い、
このフレーム板の貫通孔の各々に、弾性異方導電膜を形
成してもよい。また、複数の接続用導電部が絶縁部によ
って相互に絶縁された状態で配置された機能部を有する
弾性異方導電膜を形成してもよい。
においては、複数の貫通孔を有するフレーム板を用い、
このフレーム板の貫通孔の各々に、弾性異方導電膜を形
成してもよい。また、複数の接続用導電部が絶縁部によ
って相互に絶縁された状態で配置された機能部を有する
弾性異方導電膜を形成してもよい。
【００１５】また、本発明の異方導電性コネクターの製
造方法においては、前記フレーム板は、少なくとも貫通
孔の周辺部が磁性を示すものであり、当該フレーム板の
周辺部を磁化させることによって、成形材料層における
被支持部となる部分に磁場を作用させることが好まし
い。また、前記フレーム板における貫通孔の周辺部は、
その飽和磁化が０．１ｗｂ／ｍ2 以上であることが好ま
しい。また、前記レーム板が磁性体により構成されてい
ることが好ましい。また、前記フレーム板の線熱膨張係
数が３×１０-5／Ｋ以下であることが好ましい。
造方法においては、前記フレーム板は、少なくとも貫通
孔の周辺部が磁性を示すものであり、当該フレーム板の
周辺部を磁化させることによって、成形材料層における
被支持部となる部分に磁場を作用させることが好まし
い。また、前記フレーム板における貫通孔の周辺部は、
その飽和磁化が０．１ｗｂ／ｍ2 以上であることが好ま
しい。また、前記レーム板が磁性体により構成されてい
ることが好ましい。また、前記フレーム板の線熱膨張係
数が３×１０-5／Ｋ以下であることが好ましい。
【００１６】また、本発明の異方導電性コネクターの製
造方法においては、前記フレーム板の貫通孔は、その面
方向における断面積をＳ1 とし、当該貫通孔に形成され
る弾性異方導電膜の接続用導電部の面方向における断面
積の合計をＳ2 としたとき、下記式（１）を満足するも
のであることが好ましい。
造方法においては、前記フレーム板の貫通孔は、その面
方向における断面積をＳ1 とし、当該貫通孔に形成され
る弾性異方導電膜の接続用導電部の面方向における断面
積の合計をＳ2 としたとき、下記式（１）を満足するも
のであることが好ましい。
【００１７】
【数３】式（１） ０．０２≦（Ｓ2 ／Ｓ1 ）≦０．５
【００１８】また、本発明の異方導電性コネクターの製
造方法においては、フレーム板の貫通孔の内周面と形成
すべき接続用導電部との最短離間距離が、当該接続用導
電部の厚みの０．２５倍以上であることが好ましい。ま
た、前記成形材料層に含有される磁性を示す導電性粒子
として、飽和磁化が０．１ｗｂ／ｍ2 以上の導電性粒子
を用いることが好ましい。
造方法においては、フレーム板の貫通孔の内周面と形成
すべき接続用導電部との最短離間距離が、当該接続用導
電部の厚みの０．２５倍以上であることが好ましい。ま
た、前記成形材料層に含有される磁性を示す導電性粒子
として、飽和磁化が０．１ｗｂ／ｍ2 以上の導電性粒子
を用いることが好ましい。
【００１９】また、本発明の異方導電性コネクターの製
造方法においては、前記成形材料層に含有される導電性
粒子の体積の合計をＶ1 とし、形成すべき弾性異方導電
膜における接続用導電部の体積の合計をＶ2 としたと
き、下記式（２）を満足することが好ましい。
造方法においては、前記成形材料層に含有される導電性
粒子の体積の合計をＶ1 とし、形成すべき弾性異方導電
膜における接続用導電部の体積の合計をＶ2 としたと
き、下記式（２）を満足することが好ましい。
【００２０】
【数４】式（２） ０．１≦（Ｖ1 ／Ｖ2 ）≦０．５
【００２１】また、本発明の異方導電性コネクターの製
造方法においては、前記成形材料層に磁場を作用させた
状態において、被支持部となる部分における磁束密度
が、接続用導電部となる部分における磁束密度の３０〜
１５０％であることが好ましい。
造方法においては、前記成形材料層に磁場を作用させた
状態において、被支持部となる部分における磁束密度
が、接続用導電部となる部分における磁束密度の３０〜
１５０％であることが好ましい。
【００２２】また、本発明の異方導電性コネクターの製
造方法においては、前記成形材料層における被支持部と
なる部分に作用させることにより、少なくとも当該被支
持部となる部分に存在する導電性粒子を厚み方向に配向
させて当該成形材料層の硬化処理を行うことにより、被
支持部に除電用導電部を有する弾性異方導電膜を形成す
ることが好ましい。
造方法においては、前記成形材料層における被支持部と
なる部分に作用させることにより、少なくとも当該被支
持部となる部分に存在する導電性粒子を厚み方向に配向
させて当該成形材料層の硬化処理を行うことにより、被
支持部に除電用導電部を有する弾性異方導電膜を形成す
ることが好ましい。
【００２３】本発明の異方導電性コネクターは、上記の
方法によって製造されたことを特徴とする。
方法によって製造されたことを特徴とする。
【００２４】本発明のプローブ部材は、回路装置の電気
的検査に用いられるプローブ部材であって、検査対象で
ある回路装置の被検査電極のパターンに対応するパター
ンに従って導電部が形成された弾性異方導電膜を有す
る、上記の異方導電性コネクターを具えてなることを特
徴とする。
的検査に用いられるプローブ部材であって、検査対象で
ある回路装置の被検査電極のパターンに対応するパター
ンに従って導電部が形成された弾性異方導電膜を有す
る、上記の異方導電性コネクターを具えてなることを特
徴とする。
【００２５】本発明のプローブ部材は、被検査電極のパ
ターンに対応するパターンに従って検査電極が表面に形
成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面
に配置された異方導電性コネクターと、この異方導電性
コネクターの表面に配置されたシート状コネクターとを
具えてなり、前記シート状コネクターは、絶縁性シート
と、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸び、
被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置
された複数の電極構造体とよりなるものであってもよ
い。
ターンに対応するパターンに従って検査電極が表面に形
成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面
に配置された異方導電性コネクターと、この異方導電性
コネクターの表面に配置されたシート状コネクターとを
具えてなり、前記シート状コネクターは、絶縁性シート
と、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸び、
被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置
された複数の電極構造体とよりなるものであってもよ
い。
【００２６】本発明の回路装置の電気的検査装置は、上
記のプローブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介
して、検査対象である回路装置の被検査電極に対する電
気的接続が達成されることを特徴とする。
記のプローブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介
して、検査対象である回路装置の被検査電極に対する電
気的接続が達成されることを特徴とする。
【００２７】本発明の回路装置の電気的検査装置におい
ては、検査対象である回路装置を加熱する加熱手段を有
し、当該加熱手段によって前記回路装置が所定の温度に
加熱された状態で、当該回路装置の電気的検査が実行さ
れることが好ましい。
ては、検査対象である回路装置を加熱する加熱手段を有
し、当該加熱手段によって前記回路装置が所定の温度に
加熱された状態で、当該回路装置の電気的検査が実行さ
れることが好ましい。
【００２８】本発明の導電接続構造体は、上記の異方導
電性コネクターによって電気的に接続されてなることを
特徴とする。
電性コネクターによって電気的に接続されてなることを
特徴とする。
【００２９】
【作用】本発明によれば、その弾性異方導電膜の形成に
おいて、成形材料層における被支持部となる部分に大き
い強度の磁場を作用させることにより、当該被支持部と
なる部分に存在する導電性粒子を当該部分に保持させた
状態で、当該成形材料層の硬化処理を行うため、成形材
料層における被支持部となる部分すなわちフレーム板に
おける貫通孔の周辺部の上方および下方に位置する部分
に存在する導電性粒子が、接続用導電部となる部分に集
合することがなく、その結果、得られる弾性異方導電膜
における接続用導電部のうち最も外側に位置する接続用
導電部に、過剰な量の導電性粒子が含有されることが防
止される。従って、各接続用導電部において適当な量の
導電性粒子を含有させることができるので、弾性異方導
電膜の全ての接続用導電部において、良好な導電性を有
すると共に隣接する接続用導電部との間に所要の絶縁性
を有する異方導電性コネクターが得られる。また、前記
成形材料層における被支持部となる部分に存在する導電
性粒子を厚み方向に配向させ、当該被支持部に除電用導
電部を有する弾性異方導電膜を形成することにより、当
該弾性異方導電膜の表面に生じた静電気が当該除電用導
電部を介して除電することが可能となるため、弾性異方
導電膜の表面に電荷が蓄積されることを防止または抑制
することができ、その結果、静電気による悪影響を排除
することができる。
おいて、成形材料層における被支持部となる部分に大き
い強度の磁場を作用させることにより、当該被支持部と
なる部分に存在する導電性粒子を当該部分に保持させた
状態で、当該成形材料層の硬化処理を行うため、成形材
料層における被支持部となる部分すなわちフレーム板に
おける貫通孔の周辺部の上方および下方に位置する部分
に存在する導電性粒子が、接続用導電部となる部分に集
合することがなく、その結果、得られる弾性異方導電膜
における接続用導電部のうち最も外側に位置する接続用
導電部に、過剰な量の導電性粒子が含有されることが防
止される。従って、各接続用導電部において適当な量の
導電性粒子を含有させることができるので、弾性異方導
電膜の全ての接続用導電部において、良好な導電性を有
すると共に隣接する接続用導電部との間に所要の絶縁性
を有する異方導電性コネクターが得られる。また、前記
成形材料層における被支持部となる部分に存在する導電
性粒子を厚み方向に配向させ、当該被支持部に除電用導
電部を有する弾性異方導電膜を形成することにより、当
該弾性異方導電膜の表面に生じた静電気が当該除電用導
電部を介して除電することが可能となるため、弾性異方
導電膜の表面に電荷が蓄積されることを防止または抑制
することができ、その結果、静電気による悪影響を排除
することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。 〔異方導電性コネクター〕図１は、本発明に係る異方導
電性コネクターの一例を示す平面図、図２は、図１に示
す異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図、
図３は、図１に示す異方導電性コネクターにおける弾性
異方導電膜を拡大して示す平面図、図４は、図１に示す
異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大し
て示す説明用断面図である。
て詳細に説明する。 〔異方導電性コネクター〕図１は、本発明に係る異方導
電性コネクターの一例を示す平面図、図２は、図１に示
す異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図、
図３は、図１に示す異方導電性コネクターにおける弾性
異方導電膜を拡大して示す平面図、図４は、図１に示す
異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大し
て示す説明用断面図である。
【００３１】図１に示す異方導電性コネクターは、例え
ば複数の集積回路が形成されたウエハについて当該集積
回路の各々の電気的検査をウエハの状態で行うために用
いられるものであって、図２に示すように、それぞれ厚
み方向に貫通して伸びる複数の貫通孔１１（破線で示
す）が形成されたフレーム板１０を有する。このフレー
ム板１０の貫通孔１１は、検査対象であるウエハにおけ
る集積回路の被検査電極が形成された電極領域のパター
ンに対応して形成されている。フレーム板１０の各貫通
孔１１内には、厚み方向に導電性を有する弾性異方導電
膜２０が、当該フレーム板１０の当該貫通孔１１の周辺
部に支持された状態で配置されている。また、この例に
おけるフレーム板１０には、後述する製造方法におい
て、フレーム板１０の貫通孔１１内に弾性異方導電膜２
０を形成する際のガス抜き用の孔１５が形成されてい
る。
ば複数の集積回路が形成されたウエハについて当該集積
回路の各々の電気的検査をウエハの状態で行うために用
いられるものであって、図２に示すように、それぞれ厚
み方向に貫通して伸びる複数の貫通孔１１（破線で示
す）が形成されたフレーム板１０を有する。このフレー
ム板１０の貫通孔１１は、検査対象であるウエハにおけ
る集積回路の被検査電極が形成された電極領域のパター
ンに対応して形成されている。フレーム板１０の各貫通
孔１１内には、厚み方向に導電性を有する弾性異方導電
膜２０が、当該フレーム板１０の当該貫通孔１１の周辺
部に支持された状態で配置されている。また、この例に
おけるフレーム板１０には、後述する製造方法におい
て、フレーム板１０の貫通孔１１内に弾性異方導電膜２
０を形成する際のガス抜き用の孔１５が形成されてい
る。
【００３２】弾性異方導電膜２０は、その基材が弾性高
分子物質よりなり、図３に示すように、厚み方向（図３
において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電
部２２と、この接続用導電部２２の各々の周囲に形成さ
れ、当該接続用導電部２２の各々を相互に絶縁する絶縁
部２３とよりなる機能部２１を有し、当該機能部２１
は、フレーム板１０の貫通孔１１に位置するよう配置さ
れている。この機能部２１の周縁には、フレーム板１０
における貫通孔１１の周辺部に固定支持された被支持部
２５が、当該機能部２１に一体に連続して形成されてい
る。具体的には、この例における被支持部２５は、二股
状に形成されており、フレーム板１０における貫通孔１
１の周辺部を把持するよう密着した状態で固定支持され
ている。
分子物質よりなり、図３に示すように、厚み方向（図３
において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電
部２２と、この接続用導電部２２の各々の周囲に形成さ
れ、当該接続用導電部２２の各々を相互に絶縁する絶縁
部２３とよりなる機能部２１を有し、当該機能部２１
は、フレーム板１０の貫通孔１１に位置するよう配置さ
れている。この機能部２１の周縁には、フレーム板１０
における貫通孔１１の周辺部に固定支持された被支持部
２５が、当該機能部２１に一体に連続して形成されてい
る。具体的には、この例における被支持部２５は、二股
状に形成されており、フレーム板１０における貫通孔１
１の周辺部を把持するよう密着した状態で固定支持され
ている。
【００３３】弾性異方導電膜２０の機能部２１における
接続用導電部２２には、図４に示すように、磁性を示す
導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に
含有されている。これに対して、絶縁部２３は、導電性
粒子Ｐが全く或いは殆ど含有されていないものである。
また、図示の例では、弾性異方導電膜２０における機能
部２１の両面には、接続用導電部２２およびその周辺部
分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出
部２４が形成されている。
接続用導電部２２には、図４に示すように、磁性を示す
導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に
含有されている。これに対して、絶縁部２３は、導電性
粒子Ｐが全く或いは殆ど含有されていないものである。
また、図示の例では、弾性異方導電膜２０における機能
部２１の両面には、接続用導電部２２およびその周辺部
分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出
部２４が形成されている。
【００３４】弾性異方導電膜２０における被支持部２５
には、導電性粒子Ｐが含有されている。この例における
被支持部２５には、導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう
配向した状態で含有されており、これにより、導電性粒
子Ｐによって厚み方向に導電路が形成される除電用導電
部２６が、被支持部２５全体にわたって形成されてい
る。但し、本発明において、弾性異方導電膜２０の被支
持部２５に除電用導電路２６が形成されていることは必
須のことではない。
には、導電性粒子Ｐが含有されている。この例における
被支持部２５には、導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう
配向した状態で含有されており、これにより、導電性粒
子Ｐによって厚み方向に導電路が形成される除電用導電
部２６が、被支持部２５全体にわたって形成されてい
る。但し、本発明において、弾性異方導電膜２０の被支
持部２５に除電用導電路２６が形成されていることは必
須のことではない。
【００３５】フレーム板１０の厚みは、その材質によっ
て異なるが、３０〜６００μｍであることが好ましく、
より好ましくは４０〜４００μｍである。この厚みが３
０μｍ未満である場合には、異方導電性コネクターを使
用する際に必要な強度が得られず、耐久性が低いものと
なりやすく、また、当該フレーム板１０の形状が維持さ
れる程度の剛性が得られず、異方導電性コネクターの取
扱い性が低いものとなる。一方、厚みが６００μｍを超
える場合には、貫通孔１１に形成される弾性異方導電膜
２０は、その厚みが過大なものとなって、接続用導電部
２２における良好な導電性および隣接する接続用導電部
２２間における絶縁性を得ることが困難となることがあ
る。フレーム板１０の貫通孔１１における面方向の形状
および寸法は、検査対象であるウエハの被検査電極の寸
法、ピッチおよびパターンに応じて設計される。
て異なるが、３０〜６００μｍであることが好ましく、
より好ましくは４０〜４００μｍである。この厚みが３
０μｍ未満である場合には、異方導電性コネクターを使
用する際に必要な強度が得られず、耐久性が低いものと
なりやすく、また、当該フレーム板１０の形状が維持さ
れる程度の剛性が得られず、異方導電性コネクターの取
扱い性が低いものとなる。一方、厚みが６００μｍを超
える場合には、貫通孔１１に形成される弾性異方導電膜
２０は、その厚みが過大なものとなって、接続用導電部
２２における良好な導電性および隣接する接続用導電部
２２間における絶縁性を得ることが困難となることがあ
る。フレーム板１０の貫通孔１１における面方向の形状
および寸法は、検査対象であるウエハの被検査電極の寸
法、ピッチおよびパターンに応じて設計される。
【００３６】弾性異方導電膜２０の全厚（図示の例では
接続用導電部２２における厚み）は、５０〜３０００μ
ｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜２５０
０μｍ、特に好ましくは１００〜２０００μｍである。
この厚みが５０μｍ以上であれば、十分な強度を有する
弾性異方導電膜２０が確実に得られる。一方、この厚み
が３０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有す
る接続用導電部２２が確実に得られる。突出部２４の突
出高さは、その合計が当該突出部２４における厚みの１
０％以上であることが好ましく、より好ましくは２０％
以上である。このような突出高さを有する突出部２４を
形成することにより、小さい加圧力で接続用導電部２２
が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られ
る。また、突出部２４の突出高さは、当該突出部２４の
最短幅または直径の１００％以下であることが好まし
く、より好ましくは７０％以下である。このような突出
高さを有する突出部２４を形成することにより、当該突
出部２４が加圧されたときに座屈することがないため、
所期の導電性が確実に得られる。また、被支持部２５の
厚み（図示の例では二股部分の一方の厚み）は、５〜６
００μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜
５００μｍ、特に好ましくは２０〜４００μｍである。
また、被支持部２５は二股状に形成されることは必須の
ことではなく、フレーム板１０の一面のみに固定されて
いてもよい。
接続用導電部２２における厚み）は、５０〜３０００μ
ｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜２５０
０μｍ、特に好ましくは１００〜２０００μｍである。
この厚みが５０μｍ以上であれば、十分な強度を有する
弾性異方導電膜２０が確実に得られる。一方、この厚み
が３０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有す
る接続用導電部２２が確実に得られる。突出部２４の突
出高さは、その合計が当該突出部２４における厚みの１
０％以上であることが好ましく、より好ましくは２０％
以上である。このような突出高さを有する突出部２４を
形成することにより、小さい加圧力で接続用導電部２２
が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られ
る。また、突出部２４の突出高さは、当該突出部２４の
最短幅または直径の１００％以下であることが好まし
く、より好ましくは７０％以下である。このような突出
高さを有する突出部２４を形成することにより、当該突
出部２４が加圧されたときに座屈することがないため、
所期の導電性が確実に得られる。また、被支持部２５の
厚み（図示の例では二股部分の一方の厚み）は、５〜６
００μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜
５００μｍ、特に好ましくは２０〜４００μｍである。
また、被支持部２５は二股状に形成されることは必須の
ことではなく、フレーム板１０の一面のみに固定されて
いてもよい。
【００３７】フレーム板１０の貫通孔１１は、その面方
向における断面積をＳ1 とし、当該貫通孔１１に形成さ
れる弾性異方導電膜２０の接続用導電部２２の面方向に
おける断面積の合計をＳ2 としたとき、比（Ｓ2 ／
Ｓ1 ）の値が０．０２〜０．５となるよう設計されるこ
とが好ましい。この比（Ｓ2 ／Ｓ1 ）の値が０．０２未
満である場合には、後述する製造方法において、成形材
料層における接続用導電部となる部分に集合する導電性
粒子の量が過大となりやすく、その結果、得られる弾性
異方導電膜２０において、隣接する接続用導電部２２間
の絶縁性を確保することが困難となることがある。一
方、この比（Ｓ2 ／Ｓ1 ）の値が０．５を超える場合に
は、後述する製造方法において、成形材料層に磁場を作
用させることによって接続用導電部となる部分に集合す
る導電性粒子の量が過小となりやすく、その結果、十分
な導電性を有する接続用導電部２２を得ることが困難と
なることがある。
向における断面積をＳ1 とし、当該貫通孔１１に形成さ
れる弾性異方導電膜２０の接続用導電部２２の面方向に
おける断面積の合計をＳ2 としたとき、比（Ｓ2 ／
Ｓ1 ）の値が０．０２〜０．５となるよう設計されるこ
とが好ましい。この比（Ｓ2 ／Ｓ1 ）の値が０．０２未
満である場合には、後述する製造方法において、成形材
料層における接続用導電部となる部分に集合する導電性
粒子の量が過大となりやすく、その結果、得られる弾性
異方導電膜２０において、隣接する接続用導電部２２間
の絶縁性を確保することが困難となることがある。一
方、この比（Ｓ2 ／Ｓ1 ）の値が０．５を超える場合に
は、後述する製造方法において、成形材料層に磁場を作
用させることによって接続用導電部となる部分に集合す
る導電性粒子の量が過小となりやすく、その結果、十分
な導電性を有する接続用導電部２２を得ることが困難と
なることがある。
【００３８】また、フレーム板１０の貫通孔１１の内周
面と弾性異方導電膜２０の接続用導電部２２との最短離
間距離が、当該接続用導電部２２の厚みの０．２５倍以
上であることが好ましい。この最短離間距離が接続用導
電部２２の厚みの０．２５倍未満である場合には、接続
用導電部２２が厚み方向に十分に圧縮されず、小さい加
圧力で十分な導電性が得られないことがある。また、フ
レーム板１０として磁性体よりなるものを用いる場合に
は、後述する製造方法において、被支持部となる部分に
集合する導電性粒子の量が過大となりやすく、その結
果、十分な導電性を有する接続用導電部２２を得ること
が困難となることがある。
面と弾性異方導電膜２０の接続用導電部２２との最短離
間距離が、当該接続用導電部２２の厚みの０．２５倍以
上であることが好ましい。この最短離間距離が接続用導
電部２２の厚みの０．２５倍未満である場合には、接続
用導電部２２が厚み方向に十分に圧縮されず、小さい加
圧力で十分な導電性が得られないことがある。また、フ
レーム板１０として磁性体よりなるものを用いる場合に
は、後述する製造方法において、被支持部となる部分に
集合する導電性粒子の量が過大となりやすく、その結
果、十分な導電性を有する接続用導電部２２を得ること
が困難となることがある。
【００３９】フレーム板１０を構成する材料としては、
当該フレーム板１０が容易に変形せず、その形状が安定
に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定
されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材
料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板１
０を例えば金属材料により構成する場合には、当該フレ
ーム板１０の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよ
い。フレーム板１０を構成する金属材料の具体例として
は、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウ
ム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジウ
ム、チタン、タングステン、アルミニウム、金、白金、
銀などの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金
若しくは合金鋼などが挙げられる。フレーム板１０を構
成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリ
イミド樹脂などが挙げられる。
当該フレーム板１０が容易に変形せず、その形状が安定
に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定
されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材
料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板１
０を例えば金属材料により構成する場合には、当該フレ
ーム板１０の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよ
い。フレーム板１０を構成する金属材料の具体例として
は、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウ
ム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジウ
ム、チタン、タングステン、アルミニウム、金、白金、
銀などの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金
若しくは合金鋼などが挙げられる。フレーム板１０を構
成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリ
イミド樹脂などが挙げられる。
【００４０】また、フレーム板１０は、後述する製造方
法において、成形材料層における被支持部２５となる部
分にそれ以外の部分より大きい強度の磁場を容易に作用
させることができる点で、少なくとも貫通孔１１の周辺
部すなわち弾性異方導電膜２０を支持する部分が磁性を
示すもの、具体的にはその飽和磁化が０．１ｗｂ／ｍ 2
以上のものであることが好ましく、特に、当該フレーム
板１０の作製が容易な点で、フレーム板１０全体が磁性
体により構成されていることが好ましい。このようなフ
レーム板１０を構成する磁性体の具体例としては、鉄、
ニッケル、コバルト若しくはこれらの磁性金属の合金ま
たはこれらの磁性金属と他の金属との合金若しくは合金
鋼などが挙げられる。
法において、成形材料層における被支持部２５となる部
分にそれ以外の部分より大きい強度の磁場を容易に作用
させることができる点で、少なくとも貫通孔１１の周辺
部すなわち弾性異方導電膜２０を支持する部分が磁性を
示すもの、具体的にはその飽和磁化が０．１ｗｂ／ｍ 2
以上のものであることが好ましく、特に、当該フレーム
板１０の作製が容易な点で、フレーム板１０全体が磁性
体により構成されていることが好ましい。このようなフ
レーム板１０を構成する磁性体の具体例としては、鉄、
ニッケル、コバルト若しくはこれらの磁性金属の合金ま
たはこれらの磁性金属と他の金属との合金若しくは合金
鋼などが挙げられる。
【００４１】また、フレーム板１０を構成する材料とし
ては、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用い
ることが好ましく、より好ましくは２×１０-5〜１×１
０-6／Ｋ、特に好ましくは６×１０-6〜１×１０-6／で
ある。このような材料の具体例としては、インバーなど
のインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合
金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの磁性
金属の合金または合金鋼などが挙げられる。
ては、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用い
ることが好ましく、より好ましくは２×１０-5〜１×１
０-6／Ｋ、特に好ましくは６×１０-6〜１×１０-6／で
ある。このような材料の具体例としては、インバーなど
のインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合
金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの磁性
金属の合金または合金鋼などが挙げられる。
【００４２】弾性異方導電膜２０を構成する弾性高分子
物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が
好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いるこ
とができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々
のものを用いることができ、その具体例としては、シリ
コーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソ
プレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アク
リロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエ
ン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジ
エン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプ
レンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよ
びこれらの水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、
ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、エチレ
ン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−
ジエン共重合体ゴム、軟質液状エポキシゴムなどが挙げ
られる。これらの中では、シリコーンゴムが、成形加工
性および電気特性の点で好ましい。
物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が
好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いるこ
とができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々
のものを用いることができ、その具体例としては、シリ
コーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソ
プレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アク
リロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエ
ン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジ
エン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプ
レンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよ
びこれらの水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、
ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、エチレ
ン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−
ジエン共重合体ゴム、軟質液状エポキシゴムなどが挙げ
られる。これらの中では、シリコーンゴムが、成形加工
性および電気特性の点で好ましい。
【００４３】シリコーンゴムとしては、液状シリコーン
ゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコ
ーンゴムは、その粘度が歪速度１０-1ｓｅｃで１０5 ポ
アズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加型のも
の、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのい
ずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン
生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニ
ルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。
ゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコ
ーンゴムは、その粘度が歪速度１０-1ｓｅｃで１０5 ポ
アズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加型のも
の、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのい
ずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン
生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニ
ルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。
【００４４】これらの中で、ビニル基を含有する液状シ
リコーンゴム（ビニル基含有ポリジメチルシロキサン）
は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジア
ルコキシシランを、ジメチルビニルクロロシランまたは
ジメチルビニルアルコキシシランの存在下において、加
水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の
繰り返しによる分別を行うことにより得られる。また、
ビニル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オ
クタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキ
サンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止
剤として例えばジメチルジビニルシロキサンを用い、そ
の他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重
合停止剤の量）を適宜選択することにより得られる。こ
こで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチ
ルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムな
どのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用
いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃で
ある。このようなビニル基含有ポリジメチルシロキサン
は、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分
子量をいう。以下同じ。）が１００００〜４００００の
ものであることが好ましい。また、得られる弾性異方導
電膜２０の耐熱性の観点から、分子量分布指数（標準ポ
リスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン
換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。以
下同じ。）が２以下のものが好ましい。
リコーンゴム（ビニル基含有ポリジメチルシロキサン）
は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジア
ルコキシシランを、ジメチルビニルクロロシランまたは
ジメチルビニルアルコキシシランの存在下において、加
水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の
繰り返しによる分別を行うことにより得られる。また、
ビニル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オ
クタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキ
サンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止
剤として例えばジメチルジビニルシロキサンを用い、そ
の他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重
合停止剤の量）を適宜選択することにより得られる。こ
こで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチ
ルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムな
どのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用
いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃で
ある。このようなビニル基含有ポリジメチルシロキサン
は、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分
子量をいう。以下同じ。）が１００００〜４００００の
ものであることが好ましい。また、得られる弾性異方導
電膜２０の耐熱性の観点から、分子量分布指数（標準ポ
リスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン
換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。以
下同じ。）が２以下のものが好ましい。
【００４５】一方、ヒドロキシル基を含有する液状シリ
コーンゴム（ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサ
ン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチル
ジアルコキシシランを、ジメチルヒドロクロロシランま
たはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下におい
て、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−
沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン
重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロ
ロシラン、メチルジヒドロクロロシランまたはジメチル
ヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件
（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）
を適宜選択することによっても得られる。ここで、アニ
オン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニ
ウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカ
リまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることが
でき、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
コーンゴム（ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサ
ン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチル
ジアルコキシシランを、ジメチルヒドロクロロシランま
たはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下におい
て、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−
沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン
重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロ
ロシラン、メチルジヒドロクロロシランまたはジメチル
ヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件
（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）
を適宜選択することによっても得られる。ここで、アニ
オン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニ
ウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカ
リまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることが
でき、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
【００４６】このようなヒドロキシル基含有ポリジメチ
ルシロキサンは、その分子量Ｍｗが１００００〜４００
００のものであることが好ましい。また、得られる弾性
異方導電膜２０の耐熱性の観点から、分子量分布指数が
２以下のものが好ましい。本発明においては、上記のビ
ニル基含有ポリジメチルシロキサンおよびヒドロキシル
基含有ポリジメチルシロキサンのいずれか一方を用いる
こともでき、両者を併用することもできる。
ルシロキサンは、その分子量Ｍｗが１００００〜４００
００のものであることが好ましい。また、得られる弾性
異方導電膜２０の耐熱性の観点から、分子量分布指数が
２以下のものが好ましい。本発明においては、上記のビ
ニル基含有ポリジメチルシロキサンおよびヒドロキシル
基含有ポリジメチルシロキサンのいずれか一方を用いる
こともでき、両者を併用することもできる。
【００４７】高分子物質形成材料中には、当該高分子物
質形成材料を硬化させるための硬化触媒を含有させるこ
とができる。このような硬化触媒としては、有機過酸化
物、脂肪酸アゾ化合物、ヒドロシリル化触媒などを用い
ることができる。硬化触媒として用いられる有機過酸化
物の具体例としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジ
シクロベンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャ
リーブチルなどが挙げられる。硬化触媒として用いられ
る脂肪酸アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブ
チロニトリルなどが挙げられる。ヒドロシリル化反応の
触媒として使用し得るものの具体例としては、塩化白金
酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプ
レックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレック
ス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン
とのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいは
ホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチルアセ
テート白金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレッ
クスなどの公知のものが挙げられる。硬化触媒の使用量
は、高分子物質形成材料の種類、硬化触媒の種類、その
他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、
高分子物質形成材料１００重量部に対して３〜１５重量
部である。
質形成材料を硬化させるための硬化触媒を含有させるこ
とができる。このような硬化触媒としては、有機過酸化
物、脂肪酸アゾ化合物、ヒドロシリル化触媒などを用い
ることができる。硬化触媒として用いられる有機過酸化
物の具体例としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジ
シクロベンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャ
リーブチルなどが挙げられる。硬化触媒として用いられ
る脂肪酸アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブ
チロニトリルなどが挙げられる。ヒドロシリル化反応の
触媒として使用し得るものの具体例としては、塩化白金
酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプ
レックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレック
ス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン
とのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいは
ホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチルアセ
テート白金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレッ
クスなどの公知のものが挙げられる。硬化触媒の使用量
は、高分子物質形成材料の種類、硬化触媒の種類、その
他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、
高分子物質形成材料１００重量部に対して３〜１５重量
部である。
【００４８】弾性異方導電膜２０における接続用導電部
２２および被支持部２５に含有される導電性粒子Ｐとし
ては、後述する方法によって、当該弾性異方導電膜２０
を形成するための成形材料中において当該導電性粒子Ｐ
を容易に移動させることができる観点から、磁性を示す
ものを用いることが好ましい。このような磁性を示す導
電性粒子Ｐの具体例としては、鉄、ニッケル、コバルト
などの磁性を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒
子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの
粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、パラジ
ウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施
したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビー
ズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子と
し、当該芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導
電性磁性体のメッキを施したもの、あるいは芯粒子に、
導電性磁性体および導電性の良好な金属の両方を被覆し
たものなどが挙げられる。これらの中では、ニッケル粒
子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの導電性の良好
な金属のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する手段としては、特
に限定されるものではないが、例えば無電解メッキによ
り行うことができる。
２２および被支持部２５に含有される導電性粒子Ｐとし
ては、後述する方法によって、当該弾性異方導電膜２０
を形成するための成形材料中において当該導電性粒子Ｐ
を容易に移動させることができる観点から、磁性を示す
ものを用いることが好ましい。このような磁性を示す導
電性粒子Ｐの具体例としては、鉄、ニッケル、コバルト
などの磁性を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒
子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの
粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、パラジ
ウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施
したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビー
ズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子と
し、当該芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導
電性磁性体のメッキを施したもの、あるいは芯粒子に、
導電性磁性体および導電性の良好な金属の両方を被覆し
たものなどが挙げられる。これらの中では、ニッケル粒
子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの導電性の良好
な金属のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する手段としては、特
に限定されるものではないが、例えば無電解メッキによ
り行うことができる。
【００４９】導電性粒子Ｐとして、芯粒子の表面に導電
性金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良好な
導電性が得られる観点から、粒子表面における導電性金
属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆
面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さら
に好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％
である。また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の２．５
〜５０重量％であることが好ましく、より好ましくは３
〜４５重量％、さらに好ましくは３．５〜４０重量％、
特に好ましくは５〜３０重量％である。
性金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良好な
導電性が得られる観点から、粒子表面における導電性金
属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆
面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さら
に好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％
である。また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の２．５
〜５０重量％であることが好ましく、より好ましくは３
〜４５重量％、さらに好ましくは３．５〜４０重量％、
特に好ましくは５〜３０重量％である。
【００５０】また、導電性粒子Ｐの粒子径は、１〜５０
０μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜４０
０μｍ、さらに好ましくは５〜３００μｍ、特に好まし
くは１０〜１５０μｍである。また、導電性粒子Ｐの粒
子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ま
しく、より好ましくは１〜７、さらに好ましくは１〜
５、特に好ましくは１〜４である。このような条件を満
足する導電性粒子Ｐを用いることにより、得られる弾性
異方導電膜２０は、加圧変形が容易なものとなり、ま
た、当該弾性異方導電膜における接続用導電部２２にお
いて導電性粒子Ｐ間に十分な電気的接触が得られる。ま
た、導電性粒子Ｐの形状は、特に限定されるものではな
いが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることが
できる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれら
が凝集した２次粒子による塊状のものであることが好ま
しい。
０μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜４０
０μｍ、さらに好ましくは５〜３００μｍ、特に好まし
くは１０〜１５０μｍである。また、導電性粒子Ｐの粒
子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ま
しく、より好ましくは１〜７、さらに好ましくは１〜
５、特に好ましくは１〜４である。このような条件を満
足する導電性粒子Ｐを用いることにより、得られる弾性
異方導電膜２０は、加圧変形が容易なものとなり、ま
た、当該弾性異方導電膜における接続用導電部２２にお
いて導電性粒子Ｐ間に十分な電気的接触が得られる。ま
た、導電性粒子Ｐの形状は、特に限定されるものではな
いが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることが
できる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれら
が凝集した２次粒子による塊状のものであることが好ま
しい。
【００５１】また、導電性粒子Ｐの含水率は、５％以下
であることが好ましく、より好ましくは３％以下、さら
に好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下であ
る。このような条件を満足する導電性粒子Ｐを用いるこ
とにより、後述する製造方法において、成形材料層を硬
化処理する際に、当該成形材料層内に気泡が生ずること
が防止または抑制される。
であることが好ましく、より好ましくは３％以下、さら
に好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下であ
る。このような条件を満足する導電性粒子Ｐを用いるこ
とにより、後述する製造方法において、成形材料層を硬
化処理する際に、当該成形材料層内に気泡が生ずること
が防止または抑制される。
【００５２】また、導電性粒子Ｐの表面がシランカップ
リング剤などのカップリング剤で処理されたものを適宜
用いることができる。導電性粒子Ｐの表面がカップリン
グ剤で処理されることにより、当該導電性粒子Ｐと弾性
高分子物質との接着性が高くなり、その結果、得られる
弾性異方導電膜２０は、繰り返しの使用における耐久性
が高いものとなる。カップリング剤の使用量は、導電性
粒子Ｐの導電性に影響を与えない範囲で適宜選択される
が、導電性粒子Ｐの表面におけるカップリング剤の被覆
率（導電性芯粒子の表面積に対するカップリング剤の被
覆面積の割合）が５％以上となる量であることが好まし
く、より好ましくは上記被覆率が７〜１００％、さらに
好ましくは１０〜１００％、特に好ましくは２０〜１０
０％となる量である。
リング剤などのカップリング剤で処理されたものを適宜
用いることができる。導電性粒子Ｐの表面がカップリン
グ剤で処理されることにより、当該導電性粒子Ｐと弾性
高分子物質との接着性が高くなり、その結果、得られる
弾性異方導電膜２０は、繰り返しの使用における耐久性
が高いものとなる。カップリング剤の使用量は、導電性
粒子Ｐの導電性に影響を与えない範囲で適宜選択される
が、導電性粒子Ｐの表面におけるカップリング剤の被覆
率（導電性芯粒子の表面積に対するカップリング剤の被
覆面積の割合）が５％以上となる量であることが好まし
く、より好ましくは上記被覆率が７〜１００％、さらに
好ましくは１０〜１００％、特に好ましくは２０〜１０
０％となる量である。
【００５３】機能部２１の接続用導電部２２における導
電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好
ましくは１５〜５０％となる割合で用いられることが好
ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気
抵抗値の小さい接続用導電部２２が得られないことがあ
る。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られ
る接続用導電部２２は脆弱なものとなりやすく、接続用
導電部２２として必要な弾性が得られないことがある。
被支持部２５における導電性粒子Ｐの含有割合は、弾性
異方導電膜２０を形成するための成形材料中の導電性粒
子の含有割合によって異なるが、弾性異方導電膜２０に
おける接続用導電部２２のうち最も外側に位置する接続
用導電部２２に、過剰な量の導電性粒子Ｐが含有される
ことが確実に防止される点で、成形材料中の導電性粒子
の含有割合と同等若しくはそれ以上であることが好まし
く、また、十分な強度を有する被支持部２５が得られる
点で、体積分率で４０％以下であることが好ましい。ま
た、この例のように被支持部２５に除電用導電部２６を
形成する場合には、除電用導電部２６における導電性粒
子Ｐの含有割合は、体積分率で３〜４０％、好ましくは
３〜３０％であることが好ましい。この割合が３％未満
の場合には、弾性異方導電膜２０の表面に生じた静電気
を十分に除電することが困難となることがある。
電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好
ましくは１５〜５０％となる割合で用いられることが好
ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気
抵抗値の小さい接続用導電部２２が得られないことがあ
る。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られ
る接続用導電部２２は脆弱なものとなりやすく、接続用
導電部２２として必要な弾性が得られないことがある。
被支持部２５における導電性粒子Ｐの含有割合は、弾性
異方導電膜２０を形成するための成形材料中の導電性粒
子の含有割合によって異なるが、弾性異方導電膜２０に
おける接続用導電部２２のうち最も外側に位置する接続
用導電部２２に、過剰な量の導電性粒子Ｐが含有される
ことが確実に防止される点で、成形材料中の導電性粒子
の含有割合と同等若しくはそれ以上であることが好まし
く、また、十分な強度を有する被支持部２５が得られる
点で、体積分率で４０％以下であることが好ましい。ま
た、この例のように被支持部２５に除電用導電部２６を
形成する場合には、除電用導電部２６における導電性粒
子Ｐの含有割合は、体積分率で３〜４０％、好ましくは
３〜３０％であることが好ましい。この割合が３％未満
の場合には、弾性異方導電膜２０の表面に生じた静電気
を十分に除電することが困難となることがある。
【００５４】高分子物質形成材料中には、必要に応じ
て、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシ
リカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることがで
きる。このような無機充填材を含有させることにより、
得られる成形材料のチクソトロピー性が確保され、その
粘度が高くなり、しかも、導電性粒子Ｐの分散安定性が
向上すると共に、硬化処理されて得られる弾性異方導電
膜２０の強度が高くなる。このような無機充填材の使用
量は、特に限定されるものではないが、あまり多量に使
用すると、後述する製造方法において、磁場による導電
性粒子Ｐの移動が大きく阻害されるため、好ましくな
い。
て、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシ
リカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることがで
きる。このような無機充填材を含有させることにより、
得られる成形材料のチクソトロピー性が確保され、その
粘度が高くなり、しかも、導電性粒子Ｐの分散安定性が
向上すると共に、硬化処理されて得られる弾性異方導電
膜２０の強度が高くなる。このような無機充填材の使用
量は、特に限定されるものではないが、あまり多量に使
用すると、後述する製造方法において、磁場による導電
性粒子Ｐの移動が大きく阻害されるため、好ましくな
い。
【００５５】上記の異方導電性コネクターは、例えば以
下のようにして製造することができる。先ず、図５に示
すように、弾性異方導電性膜成形用の金型６０を用意す
る。この金型６０は、上型６１およびこれと対となる下
型６５が互いに対向するよう配置されて構成されてい
る。上型６１においては、図６に拡大して示すように、
基板６２の下面に、成形すべき弾性異方導電性膜２０の
接続用導電部２２の配置パターンに対掌なパターンに従
って強磁性体層６３が形成され、この強磁性体層６３以
外の個所には、非磁性体層６４が形成されており、これ
らの強磁性体層６３および非磁性体層６４によって成形
面が形成されている。また、上型６１の成形面には、成
形すべき弾性異方導電膜２０における突出部２４に対応
して凹所６４ａが形成されている。一方、下型６５にお
いては、基板６６の上面に、成形すべき弾性異方導電膜
２０の接続用導電部２２の配置パターンと同一のパター
ンに従って強磁性体層６７が形成され、この強磁性体層
６７以外の個所には、非磁性体層６８が形成されてお
り、これらの強磁性体層６７および非磁性体層６８によ
って成形面が形成されている。また、下型６５の成形面
には、成形すべき弾性異方導電膜２０における突出部２
４に対応して凹所６８ａが形成されている。
下のようにして製造することができる。先ず、図５に示
すように、弾性異方導電性膜成形用の金型６０を用意す
る。この金型６０は、上型６１およびこれと対となる下
型６５が互いに対向するよう配置されて構成されてい
る。上型６１においては、図６に拡大して示すように、
基板６２の下面に、成形すべき弾性異方導電性膜２０の
接続用導電部２２の配置パターンに対掌なパターンに従
って強磁性体層６３が形成され、この強磁性体層６３以
外の個所には、非磁性体層６４が形成されており、これ
らの強磁性体層６３および非磁性体層６４によって成形
面が形成されている。また、上型６１の成形面には、成
形すべき弾性異方導電膜２０における突出部２４に対応
して凹所６４ａが形成されている。一方、下型６５にお
いては、基板６６の上面に、成形すべき弾性異方導電膜
２０の接続用導電部２２の配置パターンと同一のパター
ンに従って強磁性体層６７が形成され、この強磁性体層
６７以外の個所には、非磁性体層６８が形成されてお
り、これらの強磁性体層６７および非磁性体層６８によ
って成形面が形成されている。また、下型６５の成形面
には、成形すべき弾性異方導電膜２０における突出部２
４に対応して凹所６８ａが形成されている。
【００５６】上型６１および下型６５の各々における基
板６２，６６は、強磁性体により構成されていることが
好ましく、このような強磁性体の具体例としては、鉄、
鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバ
ルトなどの強磁性金属が挙げられる。この基板６２，６
６は、その厚みが０．１〜５０ｍｍであることが好まし
く、表面が平滑で、化学的に脱脂処理され、また、機械
的に研磨処理されたものであることが好ましい。
板６２，６６は、強磁性体により構成されていることが
好ましく、このような強磁性体の具体例としては、鉄、
鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバ
ルトなどの強磁性金属が挙げられる。この基板６２，６
６は、その厚みが０．１〜５０ｍｍであることが好まし
く、表面が平滑で、化学的に脱脂処理され、また、機械
的に研磨処理されたものであることが好ましい。
【００５７】また、上型６１および下型６５の各々にお
ける強磁性体層６３，６７を構成する材料としては、
鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、
コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この
強磁性体層６３，６７は、その厚みが１０μｍ以上であ
ることが好ましい。この厚みが１０μｍ以上であれば、
成形材料層２０Ａに対して、十分な強度分布を有する磁
場を作用させることができ、この結果、当該成形材料層
２０Ａにおける接続用導電部２２となるべき部分に導電
性粒子を高密度に集合させることができ、良好な導電性
を有する接続用導電部２２が得られる。
ける強磁性体層６３，６７を構成する材料としては、
鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、
コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この
強磁性体層６３，６７は、その厚みが１０μｍ以上であ
ることが好ましい。この厚みが１０μｍ以上であれば、
成形材料層２０Ａに対して、十分な強度分布を有する磁
場を作用させることができ、この結果、当該成形材料層
２０Ａにおける接続用導電部２２となるべき部分に導電
性粒子を高密度に集合させることができ、良好な導電性
を有する接続用導電部２２が得られる。
【００５８】また、上型６１および下型６５の各々にお
ける非磁性体層６４，６８を構成する材料としては、銅
などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用
いることができるが、フォトリソグラフィーの手法によ
り容易に非磁性体層６４，６８を形成することができる
点で、放射線によって硬化された高分子物質を好ましく
用いることができ、その材料としては、例えばアクリル
系のドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジス
ト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジスト
を用いることができる。
ける非磁性体層６４，６８を構成する材料としては、銅
などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用
いることができるが、フォトリソグラフィーの手法によ
り容易に非磁性体層６４，６８を形成することができる
点で、放射線によって硬化された高分子物質を好ましく
用いることができ、その材料としては、例えばアクリル
系のドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジス
ト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジスト
を用いることができる。
【００５９】一方、検査対象であるウエハにおける集積
回路の被検査電極が形成された電極領域のパターンに対
応して貫通孔１１が形成された磁性金属よりなるフレー
ム板１０を作製する。ここで、フレーム板１０の貫通孔
１１を形成する方法としては、例えばエッチング法など
を利用することができる。更に、硬化処理によって弾性
高分子物質となる高分子物質形成材料中に磁性を示す導
電性粒子が分散されてなる、弾性異方導電膜成形用の成
形材料を調製する。そして、この成形材料を、例えばス
クリーン印刷法によって、金型６０における上型６１お
よび下型６５の各々の成形面に所要のパターンに従って
塗布する。
回路の被検査電極が形成された電極領域のパターンに対
応して貫通孔１１が形成された磁性金属よりなるフレー
ム板１０を作製する。ここで、フレーム板１０の貫通孔
１１を形成する方法としては、例えばエッチング法など
を利用することができる。更に、硬化処理によって弾性
高分子物質となる高分子物質形成材料中に磁性を示す導
電性粒子が分散されてなる、弾性異方導電膜成形用の成
形材料を調製する。そして、この成形材料を、例えばス
クリーン印刷法によって、金型６０における上型６１お
よび下型６５の各々の成形面に所要のパターンに従って
塗布する。
【００６０】具体的には、図７に示すように、上型６１
の成形面（図７において上面）上に、印刷用スペーサー
７１を介して印刷用マスク７０を配置し、スキージー７
２により、所要の量の成形材料２０Ｂを印刷用マスク７
０および印刷用スペーサー７１の開口を介して上型６１
の成形面に塗布する。また、下型６５の成形面にも同様
にして成形材料を塗布する。ここで、上型６１および下
型６５の成形面に塗布される成形材料の量は、印刷用マ
スク７０および印刷用スペーサー７１の厚みおよび開口
の寸法に応じて調整することができる。このようにし
て、図８に示すように、上型６１および下型６５の各々
の成形面に所要のパターンの成形材料層２０Ａを形成す
る。
の成形面（図７において上面）上に、印刷用スペーサー
７１を介して印刷用マスク７０を配置し、スキージー７
２により、所要の量の成形材料２０Ｂを印刷用マスク７
０および印刷用スペーサー７１の開口を介して上型６１
の成形面に塗布する。また、下型６５の成形面にも同様
にして成形材料を塗布する。ここで、上型６１および下
型６５の成形面に塗布される成形材料の量は、印刷用マ
スク７０および印刷用スペーサー７１の厚みおよび開口
の寸法に応じて調整することができる。このようにし
て、図８に示すように、上型６１および下型６５の各々
の成形面に所要のパターンの成形材料層２０Ａを形成す
る。
【００６１】次いで、図９に示すように、成形材料層２
０Ａが形成された下型６５の成形面上に、下型側成形用
スペーサー７６を介して、フレーム板１０を位置合わせ
して配置すると共に、このフレーム板１０上に、上型側
成形用スペーサー７５を介して、成形材料層２０Ａが形
成された上型６１を位置合わせして配置し、更に、これ
らを重ね合わせることにより、図１０に示すように、上
型６１と下型６５との間に、目的とする形態（形成すべ
き弾性異方導電膜２０の形態）の成形材料層２０Ａが形
成される。この成形材料層２０Ａにおいては、図１１に
示すように、導電性粒子Ｐは成形材料層２０Ａ全体に分
散された状態で含有されている。
０Ａが形成された下型６５の成形面上に、下型側成形用
スペーサー７６を介して、フレーム板１０を位置合わせ
して配置すると共に、このフレーム板１０上に、上型側
成形用スペーサー７５を介して、成形材料層２０Ａが形
成された上型６１を位置合わせして配置し、更に、これ
らを重ね合わせることにより、図１０に示すように、上
型６１と下型６５との間に、目的とする形態（形成すべ
き弾性異方導電膜２０の形態）の成形材料層２０Ａが形
成される。この成形材料層２０Ａにおいては、図１１に
示すように、導電性粒子Ｐは成形材料層２０Ａ全体に分
散された状態で含有されている。
【００６２】以上において、成形材料層２０Ａ中に含有
される導電性粒子Ｐの体積の合計をＶ1 とし、形成すべ
き弾性異方導電膜２０における接続用導電部２２の体積
の合計をＶ2 としたとき、比（Ｖ1 ／Ｖ2 ）の値が、
０．１〜０．５であることが好ましい。この比（Ｖ1 ／
Ｖ2 ）の値が０．１未満である場合には、成形材料層２
０Ａにおける接続用導電部となる部分に集合する導電性
粒子Ｐの量が過小となりやすく、良好な導電性およひ耐
久性を有する接続用導電部２２を得ることが困難となる
ことがある。一方、この比（Ｖ1 ／Ｖ2 ）の値が０．５
を超える場合には、成形材料層２０Ａにおける接続用導
電部となる部分に集合する導電性粒子Ｐの量が過大とな
りやすく、その結果、得られる弾性異方導電膜２０にお
いて、隣接する接続用導電部２２間の絶縁性を確保する
ことが困難となることがある。
される導電性粒子Ｐの体積の合計をＶ1 とし、形成すべ
き弾性異方導電膜２０における接続用導電部２２の体積
の合計をＶ2 としたとき、比（Ｖ1 ／Ｖ2 ）の値が、
０．１〜０．５であることが好ましい。この比（Ｖ1 ／
Ｖ2 ）の値が０．１未満である場合には、成形材料層２
０Ａにおける接続用導電部となる部分に集合する導電性
粒子Ｐの量が過小となりやすく、良好な導電性およひ耐
久性を有する接続用導電部２２を得ることが困難となる
ことがある。一方、この比（Ｖ1 ／Ｖ2 ）の値が０．５
を超える場合には、成形材料層２０Ａにおける接続用導
電部となる部分に集合する導電性粒子Ｐの量が過大とな
りやすく、その結果、得られる弾性異方導電膜２０にお
いて、隣接する接続用導電部２２間の絶縁性を確保する
ことが困難となることがある。
【００６３】その後、上型６１における基板６２の上面
および下型６５における基板６６の下面に例えば一対の
電磁石を配置してこれを作動させることにより、上型６
１および下型６５が強磁性体層６３，６７を有するた
め、上型６１の強磁性体層６３とこれに対応する下型６
５の強磁性体層６７との間においてその周辺領域より大
きい強度を有する磁場が形成される。その結果、成形材
料層２０Ａにおいては、当該成形材料層２０Ａ中に分散
されていた導電性粒子Ｐが、図１２に示すように、上型
６１の強磁性体層６３とこれに対応する下型６５の強磁
性体層６７との間に位置する接続用導電部２２となるべ
き部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向する。以上に
おいて、フレーム板１０が磁性金属よりなるため、上型
６１および下型６５の各々とフレーム板１０との間にお
いてその付近より大きい強度の磁場が形成される結果、
成形材料層２０Ａにおけるフレーム板１０の上方および
下方にある導電性粒子Ｐは、上型６１の強磁性体層６３
と下型６５の強磁性体層６７との間に集合せず、フレー
ム板１０の上方および下方に保持されたままとなり、更
には、厚み方向に並ぶよう配向する。
および下型６５における基板６６の下面に例えば一対の
電磁石を配置してこれを作動させることにより、上型６
１および下型６５が強磁性体層６３，６７を有するた
め、上型６１の強磁性体層６３とこれに対応する下型６
５の強磁性体層６７との間においてその周辺領域より大
きい強度を有する磁場が形成される。その結果、成形材
料層２０Ａにおいては、当該成形材料層２０Ａ中に分散
されていた導電性粒子Ｐが、図１２に示すように、上型
６１の強磁性体層６３とこれに対応する下型６５の強磁
性体層６７との間に位置する接続用導電部２２となるべ
き部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向する。以上に
おいて、フレーム板１０が磁性金属よりなるため、上型
６１および下型６５の各々とフレーム板１０との間にお
いてその付近より大きい強度の磁場が形成される結果、
成形材料層２０Ａにおけるフレーム板１０の上方および
下方にある導電性粒子Ｐは、上型６１の強磁性体層６３
と下型６５の強磁性体層６７との間に集合せず、フレー
ム板１０の上方および下方に保持されたままとなり、更
には、厚み方向に並ぶよう配向する。
【００６４】そして、この状態において、成形材料層２
０Ａを硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導
電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有さ
れてなる複数の接続用導電部２２が、導電性粒子Ｐが全
く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部
２３によって相互に絶縁された状態で配置されてなる機
能部２１と、この機能部２１の周辺に連続して一体に形
成された、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向
に並ぶよう配向した状態で含有されてなる除電用導電部
２６が形成された被支持部２５とよりなる弾性異方導電
膜２０が、フレーム板１０の貫通孔１１の周辺部に当該
被支持部２５が固定された状態で形成され、以て異方導
電性コネクターが製造される。
０Ａを硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導
電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有さ
れてなる複数の接続用導電部２２が、導電性粒子Ｐが全
く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部
２３によって相互に絶縁された状態で配置されてなる機
能部２１と、この機能部２１の周辺に連続して一体に形
成された、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向
に並ぶよう配向した状態で含有されてなる除電用導電部
２６が形成された被支持部２５とよりなる弾性異方導電
膜２０が、フレーム板１０の貫通孔１１の周辺部に当該
被支持部２５が固定された状態で形成され、以て異方導
電性コネクターが製造される。
【００６５】以上において、成形材料層２０Ａにおける
接続用導電部２２となる部分に作用させる磁場の強度
は、磁束密度の平均で０．１〜２．５テスラとなる大き
さが好ましい。また、成形材料層２０Ａの被支持部２５
となる部分における磁束密度は、接続用導電部２２とな
る部分における磁束密度の３０〜１５０％であることが
好ましく、より好ましくは７０〜１１０％である。被支
持部２５となる部分における磁束密度が過小である場合
には、導電性粒子Ｐを被支持部２５となる部分に保持さ
せることが困難となることがある。一方、被支持部２５
となる部分における磁束密度が過大である場合には、被
支持部２５となる部分に多量の導電性粒子Ｐが集合する
ことにより、接続用導電部２２となる部分に集合する導
電性粒子Ｐの割合が小さくなり、その結果、得られる接
続用導電部において良好な導電性が得られない。また、
成形材料層２０Ａの硬化処理は、使用される材料によっ
て適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われ
る。加熱により成形材料層２０Ａの硬化処理を行う場合
には、電磁石にヒーターを設ければよい。具体的な加熱
温度および加熱時間は、成形材料層２０Ａを構成する高
分子物質形成材料などの種類、導電性粒子Ｐの移動に要
する時間などを考慮して適宜選定される。
接続用導電部２２となる部分に作用させる磁場の強度
は、磁束密度の平均で０．１〜２．５テスラとなる大き
さが好ましい。また、成形材料層２０Ａの被支持部２５
となる部分における磁束密度は、接続用導電部２２とな
る部分における磁束密度の３０〜１５０％であることが
好ましく、より好ましくは７０〜１１０％である。被支
持部２５となる部分における磁束密度が過小である場合
には、導電性粒子Ｐを被支持部２５となる部分に保持さ
せることが困難となることがある。一方、被支持部２５
となる部分における磁束密度が過大である場合には、被
支持部２５となる部分に多量の導電性粒子Ｐが集合する
ことにより、接続用導電部２２となる部分に集合する導
電性粒子Ｐの割合が小さくなり、その結果、得られる接
続用導電部において良好な導電性が得られない。また、
成形材料層２０Ａの硬化処理は、使用される材料によっ
て適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われ
る。加熱により成形材料層２０Ａの硬化処理を行う場合
には、電磁石にヒーターを設ければよい。具体的な加熱
温度および加熱時間は、成形材料層２０Ａを構成する高
分子物質形成材料などの種類、導電性粒子Ｐの移動に要
する時間などを考慮して適宜選定される。
【００６６】上記の異方導電性コネクターによれば、弾
性異方導電膜２０には、接続用導電部２２を有する機能
部２１の周縁に被支持部２５が形成されており、この被
支持部２５がフレーム板１０の貫通孔１１の周辺部に固
定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、ま
た、例えばフレーム板に位置決め用マーク（例えば孔や
切り欠きなど）を形成することにより、検査対象である
ウエハとの電気的接続作業において、当該ウエハに対す
る位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ
る。
性異方導電膜２０には、接続用導電部２２を有する機能
部２１の周縁に被支持部２５が形成されており、この被
支持部２５がフレーム板１０の貫通孔１１の周辺部に固
定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、ま
た、例えばフレーム板に位置決め用マーク（例えば孔や
切り欠きなど）を形成することにより、検査対象である
ウエハとの電気的接続作業において、当該ウエハに対す
る位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ
る。
【００６７】そして、上記の異方導電性コネクターは、
その弾性異方導電膜２０の形成において、成形材料層２
０Ａにおける被支持部２５となる部分に磁場を作用させ
ることにより、当該被支持部２５となる部分に存在する
導電性粒子Ｐを当該部分に保持させた状態で、当該成形
材料層２０Ａの硬化処理を行うことにより得られるた
め、成形材料層２０Ａにおける被支持部２５となる部分
すなわちフレーム板１０における貫通孔１１の周辺部の
上方および下方に位置する部分に存在する導電性粒子Ｐ
が、接続用導電部２２となる部分に集合することがな
く、その結果、得られる弾性異方導電膜２０における接
続用導電部２２のうち最も外側に位置する接続用導電部
２２に、過剰な量の導電性粒子Ｐが含有されることが防
止される。従って、成形材料層２０Ａ中の導電性粒子Ｐ
の含有量を少なくする必要もないので、弾性異方導電膜
２０の全ての接続用導電部２２について、良好な導電性
が確実に得られると共に隣接する接続用導電部２２との
絶縁性が確実に得られる。
その弾性異方導電膜２０の形成において、成形材料層２
０Ａにおける被支持部２５となる部分に磁場を作用させ
ることにより、当該被支持部２５となる部分に存在する
導電性粒子Ｐを当該部分に保持させた状態で、当該成形
材料層２０Ａの硬化処理を行うことにより得られるた
め、成形材料層２０Ａにおける被支持部２５となる部分
すなわちフレーム板１０における貫通孔１１の周辺部の
上方および下方に位置する部分に存在する導電性粒子Ｐ
が、接続用導電部２２となる部分に集合することがな
く、その結果、得られる弾性異方導電膜２０における接
続用導電部２２のうち最も外側に位置する接続用導電部
２２に、過剰な量の導電性粒子Ｐが含有されることが防
止される。従って、成形材料層２０Ａ中の導電性粒子Ｐ
の含有量を少なくする必要もないので、弾性異方導電膜
２０の全ての接続用導電部２２について、良好な導電性
が確実に得られると共に隣接する接続用導電部２２との
絶縁性が確実に得られる。
【００６８】また、弾性異方導電膜２０における被支持
部２５には除電用導電部２６が形成されているため、こ
の除電用導電部２６がフレーム板１０を介してアースに
電気的に接続されることにより、弾性異方導電膜２０の
表面に生じた静電気が除電用導電部２６を介して除電さ
れる。その結果、弾性異方導電膜２０の表面に電荷が蓄
積されることを防止または抑制することができるので、
静電気による悪影響を排除することができる。具体的に
は、検査対象であるウエハに対して加圧動作および剥離
動作を繰り返し行うことによって、弾性異方導電膜２０
の表面に生じる静電気を、除電用導電部２６を介して除
電することができ、その結果、電荷が弾性異方導電膜２
０の表面に蓄積されることを十分に抑制することがで
き、高い電位の静電気が生じることを防止することがで
き、従って、静電気による悪影響が排除され、高い効率
で、かつ高い安全性でウエハの電気的検査を行うことが
できる。仮に、加圧動作および剥離動作を繰り返し行う
ことによって弾性異方導電膜２０の表面が静電気を帯
び、当該静電気が放電する場合であっても、その放電が
除電用導電部２６において生じる結果、接続用導電部２
２などに与える影響が排除され、高い安全性でウエハの
電気的検査を行うことができる。
部２５には除電用導電部２６が形成されているため、こ
の除電用導電部２６がフレーム板１０を介してアースに
電気的に接続されることにより、弾性異方導電膜２０の
表面に生じた静電気が除電用導電部２６を介して除電さ
れる。その結果、弾性異方導電膜２０の表面に電荷が蓄
積されることを防止または抑制することができるので、
静電気による悪影響を排除することができる。具体的に
は、検査対象であるウエハに対して加圧動作および剥離
動作を繰り返し行うことによって、弾性異方導電膜２０
の表面に生じる静電気を、除電用導電部２６を介して除
電することができ、その結果、電荷が弾性異方導電膜２
０の表面に蓄積されることを十分に抑制することがで
き、高い電位の静電気が生じることを防止することがで
き、従って、静電気による悪影響が排除され、高い効率
で、かつ高い安全性でウエハの電気的検査を行うことが
できる。仮に、加圧動作および剥離動作を繰り返し行う
ことによって弾性異方導電膜２０の表面が静電気を帯
び、当該静電気が放電する場合であっても、その放電が
除電用導電部２６において生じる結果、接続用導電部２
２などに与える影響が排除され、高い安全性でウエハの
電気的検査を行うことができる。
【００６９】また、弾性異方導電膜２０における熱によ
る面方向の膨張がフレーム板１０によって規制されるた
め、フレーム板１０を構成する材料として線熱膨張係数
の小さいものを用いることにより、温度変化による熱履
歴を受けた場合にも、ウエハに対する良好な電気的接続
状態が安定に維持される。更に、フレーム板１０には、
検査対象であるウエハにおける集積回路の被検査電極が
形成された電極領域に対応して複数の貫通孔が形成され
ているため、当該貫通孔１１の各々に配置される弾性異
方導電膜２０は面積が小さいものでよい。従って、熱履
歴を受けた場合でも、弾性異方導電膜２０の各々の面方
向における熱膨張の絶対量が少ないため、大面積のウエ
ハに対しても良好な電気的接続状態を安定に維持するこ
とができる。
る面方向の膨張がフレーム板１０によって規制されるた
め、フレーム板１０を構成する材料として線熱膨張係数
の小さいものを用いることにより、温度変化による熱履
歴を受けた場合にも、ウエハに対する良好な電気的接続
状態が安定に維持される。更に、フレーム板１０には、
検査対象であるウエハにおける集積回路の被検査電極が
形成された電極領域に対応して複数の貫通孔が形成され
ているため、当該貫通孔１１の各々に配置される弾性異
方導電膜２０は面積が小さいものでよい。従って、熱履
歴を受けた場合でも、弾性異方導電膜２０の各々の面方
向における熱膨張の絶対量が少ないため、大面積のウエ
ハに対しても良好な電気的接続状態を安定に維持するこ
とができる。
【００７０】図１３は、本発明に係る異方導電性コネク
ターの他の例を示す平面図であり、図１４は、図１３に
示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡
大して示す説明用断面図である。この異方導電性コネク
ターは、厚み方向に伸びる貫通孔１１が中央に形成され
た全体が枠状のフレーム板１０を有し、このフレーム板
１０の貫通孔１１内には、厚み方向に導電性を有する弾
性異方導電膜２０が、当該フレーム板１０の当該貫通孔
１１の周辺部に支持された状態で配置されている。弾性
異方導電膜２０は、その基材が弾性高分子物質よりな
り、接続すべき回路装置の電極のパターンに対応するパ
ターンに従って配置された厚み方向に伸びる複数の接続
用導電部２２と、この接続用導電部２２の各々の周囲に
形成され、当該接続用導電部２２の各々を相互に絶縁す
る絶縁部２３とよりなる機能部２１を有し、当該機能部
２１は、フレーム板１０の貫通孔１１に位置するよう配
置されている。この機能部２１の周縁には、フレーム板
１０における貫通孔１１の周辺部に固定支持された被支
持部２５が、当該機能部２１に一体に連続して形成され
ている。具体的には、この例における被支持部２５は、
二股状に形成されており、フレーム板１０における貫通
孔１１の周辺部を把持するよう密着した状態で固定支持
されている。そして、被支持部２５には、導電性粒子Ｐ
が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されており、
これにより、導電性粒子Ｐによって厚み方向に導電路が
形成される除電用導電部２６が、被支持部２５全体にわ
たって形成されている。フレーム板１０および弾性異方
導電膜２０を構成する材料は、前述の図１〜図４に示す
異方導電性コネクターと同様である。
ターの他の例を示す平面図であり、図１４は、図１３に
示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡
大して示す説明用断面図である。この異方導電性コネク
ターは、厚み方向に伸びる貫通孔１１が中央に形成され
た全体が枠状のフレーム板１０を有し、このフレーム板
１０の貫通孔１１内には、厚み方向に導電性を有する弾
性異方導電膜２０が、当該フレーム板１０の当該貫通孔
１１の周辺部に支持された状態で配置されている。弾性
異方導電膜２０は、その基材が弾性高分子物質よりな
り、接続すべき回路装置の電極のパターンに対応するパ
ターンに従って配置された厚み方向に伸びる複数の接続
用導電部２２と、この接続用導電部２２の各々の周囲に
形成され、当該接続用導電部２２の各々を相互に絶縁す
る絶縁部２３とよりなる機能部２１を有し、当該機能部
２１は、フレーム板１０の貫通孔１１に位置するよう配
置されている。この機能部２１の周縁には、フレーム板
１０における貫通孔１１の周辺部に固定支持された被支
持部２５が、当該機能部２１に一体に連続して形成され
ている。具体的には、この例における被支持部２５は、
二股状に形成されており、フレーム板１０における貫通
孔１１の周辺部を把持するよう密着した状態で固定支持
されている。そして、被支持部２５には、導電性粒子Ｐ
が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されており、
これにより、導電性粒子Ｐによって厚み方向に導電路が
形成される除電用導電部２６が、被支持部２５全体にわ
たって形成されている。フレーム板１０および弾性異方
導電膜２０を構成する材料は、前述の図１〜図４に示す
異方導電性コネクターと同様である。
【００７１】このような異方導電性コネクターは、例え
ば片面プリント回路基板、両面プリント回路基板、多層
プリント回路基板等のプリント回路基板と、半導体チッ
プ、ＢＧＡ、ＣＳＰ等の表面実装型の半導体集積回路装
置、液晶表示素子などの電子部品との回路装置相互間の
電気的な接続を達成するためのコネクターとして使用す
ることができ、また、上記のプリント回路基板および電
子部品などの回路装置の電気的検査において、回路装置
とテスターとの間に介在されて両者の電気的な接続を達
成するためのコネクターとして使用することができる。
ば片面プリント回路基板、両面プリント回路基板、多層
プリント回路基板等のプリント回路基板と、半導体チッ
プ、ＢＧＡ、ＣＳＰ等の表面実装型の半導体集積回路装
置、液晶表示素子などの電子部品との回路装置相互間の
電気的な接続を達成するためのコネクターとして使用す
ることができ、また、上記のプリント回路基板および電
子部品などの回路装置の電気的検査において、回路装置
とテスターとの間に介在されて両者の電気的な接続を達
成するためのコネクターとして使用することができる。
【００７２】上記の異方導電性コネクターによれば、弾
性異方導電膜２０には、接続用導電部２２を有する機能
部２１の周縁に被支持部２５が形成されており、この被
支持部２５がフレーム板１０の貫通孔１１の周辺部に固
定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、ま
た、例えばフレーム板に位置決め用マーク（例えば孔や
切り欠きなど）を形成することにより、接続すべき回路
装置との電気的接続作業において、当該回路装置に対す
る位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ
る。
性異方導電膜２０には、接続用導電部２２を有する機能
部２１の周縁に被支持部２５が形成されており、この被
支持部２５がフレーム板１０の貫通孔１１の周辺部に固
定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、ま
た、例えばフレーム板に位置決め用マーク（例えば孔や
切り欠きなど）を形成することにより、接続すべき回路
装置との電気的接続作業において、当該回路装置に対す
る位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ
る。
【００７３】そして、上記の異方導電性コネクターは、
その弾性異方導電膜２０の形成において、成形材料層に
おける被支持部２５となる部分に例えば磁場を作用させ
ることにより、当該被支持部２５となる部分に存在する
導電性粒子Ｐを当該部分に保持させた状態で、当該成形
材料層の硬化処理を行うことにより得られるため、成形
材料層における被支持部２５となる部分すなわちフレー
ム板１０における貫通孔１１の周辺部の上方および下方
に位置する部分に存在する導電性粒子Ｐが、接続用導電
部２２となる部分に集合することがなく、その結果、得
られる弾性異方導電膜２０における接続用導電部２２の
うち最も外側に位置する接続用導電部２２（図１３にお
いて一点鎖線で囲まれた接続用導電部２２）に、過剰な
量の導電性粒子Ｐが含有されることが防止される。従っ
て、成形材料層中の導電性粒子Ｐの含有量を少なくする
必要もないので、弾性異方導電膜２０の全ての接続用導
電部２２について、良好な導電性が確実に得られると共
に隣接する接続用導電部２２との絶縁性が確実に得ら
れ、全ての接続用導電部２２を有効に利用することがで
きる。
その弾性異方導電膜２０の形成において、成形材料層に
おける被支持部２５となる部分に例えば磁場を作用させ
ることにより、当該被支持部２５となる部分に存在する
導電性粒子Ｐを当該部分に保持させた状態で、当該成形
材料層の硬化処理を行うことにより得られるため、成形
材料層における被支持部２５となる部分すなわちフレー
ム板１０における貫通孔１１の周辺部の上方および下方
に位置する部分に存在する導電性粒子Ｐが、接続用導電
部２２となる部分に集合することがなく、その結果、得
られる弾性異方導電膜２０における接続用導電部２２の
うち最も外側に位置する接続用導電部２２（図１３にお
いて一点鎖線で囲まれた接続用導電部２２）に、過剰な
量の導電性粒子Ｐが含有されることが防止される。従っ
て、成形材料層中の導電性粒子Ｐの含有量を少なくする
必要もないので、弾性異方導電膜２０の全ての接続用導
電部２２について、良好な導電性が確実に得られると共
に隣接する接続用導電部２２との絶縁性が確実に得ら
れ、全ての接続用導電部２２を有効に利用することがで
きる。
【００７４】また、弾性異方導電膜２０における被支持
部２５には除電用導電部２６が形成されているため、こ
の除電用導電部２６がフレーム板１０を介してアースに
電気的に接続されることにより、弾性異方導電膜２０の
表面に生じた静電気が除電用導電部２６を介して除電さ
れる。その結果、弾性異方導電膜２０の表面に電荷が蓄
積されることを防止または抑制することができるので、
高い電位の静電気が生じることを防止することができ、
或いは、表面に静電気が帯びてもその放電が除電用導電
部２６において生じることとなり、従って、静電気によ
る種々の悪影響を排除することができる。
部２５には除電用導電部２６が形成されているため、こ
の除電用導電部２６がフレーム板１０を介してアースに
電気的に接続されることにより、弾性異方導電膜２０の
表面に生じた静電気が除電用導電部２６を介して除電さ
れる。その結果、弾性異方導電膜２０の表面に電荷が蓄
積されることを防止または抑制することができるので、
高い電位の静電気が生じることを防止することができ、
或いは、表面に静電気が帯びてもその放電が除電用導電
部２６において生じることとなり、従って、静電気によ
る種々の悪影響を排除することができる。
【００７５】また、弾性異方導電膜２０における熱によ
る面方向の膨張がフレーム板１０によって規制されるた
め、フレーム板１０を構成する材料として線熱膨張係数
の小さいものを用いることにより、温度変化による熱履
歴を受けた場合にも、接続すべき回路装置に対する良好
な電気的接続状態が安定に維持される。
る面方向の膨張がフレーム板１０によって規制されるた
め、フレーム板１０を構成する材料として線熱膨張係数
の小さいものを用いることにより、温度変化による熱履
歴を受けた場合にも、接続すべき回路装置に対する良好
な電気的接続状態が安定に維持される。
【００７６】〔回路装置の電気的検査装置〕図１５は、
本発明に係る回路装置の電気的検査装置の一例における
構成の概略を示す説明用断面図であり、この回路装置の
電気的検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路
の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの
状態で行うためのものである。
本発明に係る回路装置の電気的検査装置の一例における
構成の概略を示す説明用断面図であり、この回路装置の
電気的検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路
の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの
状態で行うためのものである。
【００７７】図１５に示す回路装置の電気的検査装置
は、検査対象であるウエハ６の被検査電極７の各々とテ
スターとの電気的接続を行うプローブ部材１を有する。
このプローブ部材１においては、図１６にも拡大して示
すように、検査対象であるウエハ６の被検査電極７のパ
ターンに対応するパターンに従って複数の検査電極３１
が表面（図において下面）形成された検査用回路基板３
０を有し、この検査用回路基板３０の表面には、図１〜
図４に示す構成の異方導電性コネクター２が、その弾性
異方導電膜２０における接続用導電部２２の各々が検査
用回路基板３０の検査電極３１の各々に対接するよう設
けられており、この異方導電性コネクター２は、適宜の
手段によってアースされている。異方導電性コネクター
２の表面（図において下面）には、絶縁性シート４１に
検査対象であるウエハ６の被検査電極７のパターンに対
応するパターンに従って複数の電極構造体４２が配置さ
れてなるシート状コネクター４０が、当該電極構造体４
２の各々が異方導電性コネクター２の弾性異方導電膜２
０における接続用導電部２２の各々に対接するよう設け
られている。また、プローブ部材１における検査用回路
基板３０の裏面（図において上面）には、当該プローブ
部材１を下方に加圧する加圧板３が設けられ、プローブ
部材１の下方には、検査対象であるウエハ６が載置され
るウエハ載置台４が設けられており、加圧板３およびウ
エハ載置台４の各々は、加熱器５に接続されている。
は、検査対象であるウエハ６の被検査電極７の各々とテ
スターとの電気的接続を行うプローブ部材１を有する。
このプローブ部材１においては、図１６にも拡大して示
すように、検査対象であるウエハ６の被検査電極７のパ
ターンに対応するパターンに従って複数の検査電極３１
が表面（図において下面）形成された検査用回路基板３
０を有し、この検査用回路基板３０の表面には、図１〜
図４に示す構成の異方導電性コネクター２が、その弾性
異方導電膜２０における接続用導電部２２の各々が検査
用回路基板３０の検査電極３１の各々に対接するよう設
けられており、この異方導電性コネクター２は、適宜の
手段によってアースされている。異方導電性コネクター
２の表面（図において下面）には、絶縁性シート４１に
検査対象であるウエハ６の被検査電極７のパターンに対
応するパターンに従って複数の電極構造体４２が配置さ
れてなるシート状コネクター４０が、当該電極構造体４
２の各々が異方導電性コネクター２の弾性異方導電膜２
０における接続用導電部２２の各々に対接するよう設け
られている。また、プローブ部材１における検査用回路
基板３０の裏面（図において上面）には、当該プローブ
部材１を下方に加圧する加圧板３が設けられ、プローブ
部材１の下方には、検査対象であるウエハ６が載置され
るウエハ載置台４が設けられており、加圧板３およびウ
エハ載置台４の各々は、加熱器５に接続されている。
【００７８】プローブ部材１におけるシート状コネクタ
ー４０について具体的に説明すると、このシート状コネ
クター４０は、柔軟な絶縁性シート４１を有し、この絶
縁性シート４１には、当該絶縁性シート４１の厚み方向
に伸びる複数の金属よりなる電極構造体４２が、検査対
象であるウエハ６の被検査電極７のパターンに対応する
パターンに従って、当該絶縁性シート４１の面方向に互
いに離間して配置されている。電極構造体４２の各々
は、絶縁性シート４１の表面（図において下面）に露出
する突起状の表面電極部４３と、絶縁性シート４１の裏
面に露出する板状の裏面電極部４４とが、絶縁性シート
４１の厚み方向に貫通して伸びる短絡部４５によって互
いに一体に連結されて構成されている。
ー４０について具体的に説明すると、このシート状コネ
クター４０は、柔軟な絶縁性シート４１を有し、この絶
縁性シート４１には、当該絶縁性シート４１の厚み方向
に伸びる複数の金属よりなる電極構造体４２が、検査対
象であるウエハ６の被検査電極７のパターンに対応する
パターンに従って、当該絶縁性シート４１の面方向に互
いに離間して配置されている。電極構造体４２の各々
は、絶縁性シート４１の表面（図において下面）に露出
する突起状の表面電極部４３と、絶縁性シート４１の裏
面に露出する板状の裏面電極部４４とが、絶縁性シート
４１の厚み方向に貫通して伸びる短絡部４５によって互
いに一体に連結されて構成されている。
【００７９】絶縁性シート４１としては、絶縁性を有す
る柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例
えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フ
ッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロ
スに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることがで
きる。また、絶縁性シート４１の厚みは、当該絶縁性シ
ート４１が柔軟なものであれば特に限定されないが、１
０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１
０〜２５μｍである。
る柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例
えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フ
ッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロ
スに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることがで
きる。また、絶縁性シート４１の厚みは、当該絶縁性シ
ート４１が柔軟なものであれば特に限定されないが、１
０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１
０〜２５μｍである。
【００８０】電極構造体４２を構成する金属としては、
ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いるこ
とができ、電極構造体４２としては、全体が単一の金属
よりなるものであっても、２種以上の金属の合金よりな
るものまたは２種以上の金属が積層されてなるものであ
ってもよい。また、電極構造体４２における表面電極部
４３および裏面電極部４４の表面には、当該電極部の酸
化が防止されると共に、接触抵抗の小さい電極部が得ら
れる点で、金、銀、パラジウムなどの化学的に安定で高
導電性を有する金属被膜が形成されていることが好まし
い。
ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いるこ
とができ、電極構造体４２としては、全体が単一の金属
よりなるものであっても、２種以上の金属の合金よりな
るものまたは２種以上の金属が積層されてなるものであ
ってもよい。また、電極構造体４２における表面電極部
４３および裏面電極部４４の表面には、当該電極部の酸
化が防止されると共に、接触抵抗の小さい電極部が得ら
れる点で、金、銀、パラジウムなどの化学的に安定で高
導電性を有する金属被膜が形成されていることが好まし
い。
【００８１】電極構造体４２における表面電極部４３の
突出高さは、ウエハ６の被検査電極７に対して安定な電
気的接続を達成することができる点で、１５〜５０μｍ
であることが好ましく、より好ましくは１５〜３０μｍ
である。また、表面電極部４３の径は、ウエハ６の被検
査電極の寸法およびピッチに応じて設定されるが、例え
ば３０〜８０μｍであり、好ましくは３０〜５０μｍで
ある。電極構造体４２における裏面電極部４４の径は、
短絡部４５の径より大きく、かつ、電極構造体４２の配
置ピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大
きいものであることが好ましく、これにより、異方導電
性コネクター２の弾性異方導電膜２０における接続用導
電部２２に対しても安定な電気的接続を確実に達成する
ことができる。また、裏面電極部４４の厚みは、強度が
十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、２
０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは３
５〜５０μｍである。電極構造体４２における短絡部４
５の径は、十分に高い強度が得られる点で、３０〜８０
μｍであることが好ましく、より好ましくは３０〜５０
μｍである。
突出高さは、ウエハ６の被検査電極７に対して安定な電
気的接続を達成することができる点で、１５〜５０μｍ
であることが好ましく、より好ましくは１５〜３０μｍ
である。また、表面電極部４３の径は、ウエハ６の被検
査電極の寸法およびピッチに応じて設定されるが、例え
ば３０〜８０μｍであり、好ましくは３０〜５０μｍで
ある。電極構造体４２における裏面電極部４４の径は、
短絡部４５の径より大きく、かつ、電極構造体４２の配
置ピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大
きいものであることが好ましく、これにより、異方導電
性コネクター２の弾性異方導電膜２０における接続用導
電部２２に対しても安定な電気的接続を確実に達成する
ことができる。また、裏面電極部４４の厚みは、強度が
十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、２
０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは３
５〜５０μｍである。電極構造体４２における短絡部４
５の径は、十分に高い強度が得られる点で、３０〜８０
μｍであることが好ましく、より好ましくは３０〜５０
μｍである。
【００８２】シート状コネクター４０は、例えば以下の
ようにして製造することができる。すなわち、絶縁性シ
ート４１上に金属層が積層されてなる積層材料を用意
し、この積層材料における絶縁性シート４１に対して、
レーザ加工、ドライエッチング加工等によって、当該絶
縁性シート４１の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を、
形成すべき電極構造体４２のパターンに対応するパター
ンに従って形成する。次いで、この積層材料に対してフ
ォトリソグラフィーおよびメッキ処理を施すことによっ
て、絶縁性シート４１の貫通孔内に金属層に一体に連結
された短絡部４５を形成すると共に、当該絶縁性シート
４１の表面に、短絡部４５に一体に連結された突起状の
表面電極部４３を形成する。その後、積層材料における
金属層に対してフォトエッチング処理を施してその一部
を除去することにより、裏面電極部４４を形成して電極
構造体４２を形成し、以てシート状コネクター４０が得
られる。
ようにして製造することができる。すなわち、絶縁性シ
ート４１上に金属層が積層されてなる積層材料を用意
し、この積層材料における絶縁性シート４１に対して、
レーザ加工、ドライエッチング加工等によって、当該絶
縁性シート４１の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を、
形成すべき電極構造体４２のパターンに対応するパター
ンに従って形成する。次いで、この積層材料に対してフ
ォトリソグラフィーおよびメッキ処理を施すことによっ
て、絶縁性シート４１の貫通孔内に金属層に一体に連結
された短絡部４５を形成すると共に、当該絶縁性シート
４１の表面に、短絡部４５に一体に連結された突起状の
表面電極部４３を形成する。その後、積層材料における
金属層に対してフォトエッチング処理を施してその一部
を除去することにより、裏面電極部４４を形成して電極
構造体４２を形成し、以てシート状コネクター４０が得
られる。
【００８３】このような電気的検査装置においては、ウ
エハ載置台４上に検査対象であるウエハ６が載置され、
次いで、加圧板３によってプローブ部材１が下方に加圧
されることにより、そのシート状コネクター４０の電極
構造体４２における表面電極部４３の各々が、ウエハ６
の被検査電極７の各々に接触し、更に、当該表面電極部
４３の各々によって、ウエハ６の被検査電極７の各々が
加圧される。この状態においては、異方導電性コネクタ
ー２の弾性異方導電膜２０における接続用導電部２２の
各々は、検査用回路基板３０の検査電極３１とシート状
コネクター４０の電極構造体４２の表面電極部４３とに
よって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これによ
り、当該接続用導電部２２にはその厚み方向に導電路が
形成され、その結果、ウエハ６の被検査電極７と検査用
回路基板３０の検査電極３１との電気的接続が達成され
る。その後、加熱器５によって、ウエハ載置台４および
加圧板３を介してウエハ６が所定の温度に加熱され、こ
の状態で、当該ウエハ６における複数の集積回路の各々
について所要の電気的検査が実行される。
エハ載置台４上に検査対象であるウエハ６が載置され、
次いで、加圧板３によってプローブ部材１が下方に加圧
されることにより、そのシート状コネクター４０の電極
構造体４２における表面電極部４３の各々が、ウエハ６
の被検査電極７の各々に接触し、更に、当該表面電極部
４３の各々によって、ウエハ６の被検査電極７の各々が
加圧される。この状態においては、異方導電性コネクタ
ー２の弾性異方導電膜２０における接続用導電部２２の
各々は、検査用回路基板３０の検査電極３１とシート状
コネクター４０の電極構造体４２の表面電極部４３とに
よって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これによ
り、当該接続用導電部２２にはその厚み方向に導電路が
形成され、その結果、ウエハ６の被検査電極７と検査用
回路基板３０の検査電極３１との電気的接続が達成され
る。その後、加熱器５によって、ウエハ載置台４および
加圧板３を介してウエハ６が所定の温度に加熱され、こ
の状態で、当該ウエハ６における複数の集積回路の各々
について所要の電気的検査が実行される。
【００８４】このような電気的検査装置によれば、前述
の異方導電性コネクター２を有するプローブ部材１を介
して、検査対象であるウエハ６の被検査電極７に対する
電気的接続が達成されるため、被検査電極７のピッチが
小さいものであっても、当該ウエハに対する位置合わせ
および保持固定を容易に行うことができ、しかも、各被
検査電極に対する高い接続信頼性が得られる。また、異
方導電性コネクター２においては、弾性異方導電膜２０
における熱による面方向の膨張がフレーム板１０によっ
て規制されるため、フレーム板１０を構成する材料とし
て線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、温度
変化による熱履歴を受けた場合にも、ウエハ６に対する
良好な電気的接続状態が安定に維持される。更に、異方
導電性コネクター２におけるフレーム板１０には、検査
対象であるウエハ６における集積回路の被検査電極７が
形成された電極領域に対応して複数の貫通孔が形成され
ているため、当該貫通孔の各々に配置される弾性異方導
電膜２０は面積が小さいものでよい。従って、熱履歴を
受けた場合でも、弾性異方導電膜２０の各々の面方向に
おける熱膨張の絶対量が少ないため、ウエハ６が大面積
のものであっても、当該ウエハ６に対して良好な電気的
接続状態を安定に維持することができる。
の異方導電性コネクター２を有するプローブ部材１を介
して、検査対象であるウエハ６の被検査電極７に対する
電気的接続が達成されるため、被検査電極７のピッチが
小さいものであっても、当該ウエハに対する位置合わせ
および保持固定を容易に行うことができ、しかも、各被
検査電極に対する高い接続信頼性が得られる。また、異
方導電性コネクター２においては、弾性異方導電膜２０
における熱による面方向の膨張がフレーム板１０によっ
て規制されるため、フレーム板１０を構成する材料とし
て線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、温度
変化による熱履歴を受けた場合にも、ウエハ６に対する
良好な電気的接続状態が安定に維持される。更に、異方
導電性コネクター２におけるフレーム板１０には、検査
対象であるウエハ６における集積回路の被検査電極７が
形成された電極領域に対応して複数の貫通孔が形成され
ているため、当該貫通孔の各々に配置される弾性異方導
電膜２０は面積が小さいものでよい。従って、熱履歴を
受けた場合でも、弾性異方導電膜２０の各々の面方向に
おける熱膨張の絶対量が少ないため、ウエハ６が大面積
のものであっても、当該ウエハ６に対して良好な電気的
接続状態を安定に維持することができる。
【００８５】また、異方導電性コネクター２の弾性異方
導電膜２０における除電用導電部２６がフレーム板１０
を介してアースに電気的に接続されているため、ウエハ
６に対するプローブ部材１の加圧動作および剥離動作を
繰り返し行うことによって、異方導電性コネクター２に
おける弾性異方導電膜２０の表面に生じる静電気を、除
電用導電部２６を介して除電することができ、その結
果、電荷が弾性異方導電膜２０の表面に蓄積されること
を十分に抑制することができ、高い電位の静電気が生じ
ることを防止することができ、従って、静電気による悪
影響が排除され、高い効率で、かつ高い安全性でウエハ
６の電気的検査を行うことができる。仮に、プローブ部
材１の加圧動作および剥離動作を繰り返し行うことによ
って、異方導電性コネクター２における弾性異方導電膜
２０の表面が静電気を帯び、当該静電気が放電する場合
であっても、その放電が除電用導電部２６において生じ
る結果、当該弾性異方導電膜２０における接続用導電部
２２、検査用回路基板１０および検査対象であるウエハ
６などに与える影響が排除され、高い安全性でウエハ６
の電気的検査を行うことができる。
導電膜２０における除電用導電部２６がフレーム板１０
を介してアースに電気的に接続されているため、ウエハ
６に対するプローブ部材１の加圧動作および剥離動作を
繰り返し行うことによって、異方導電性コネクター２に
おける弾性異方導電膜２０の表面に生じる静電気を、除
電用導電部２６を介して除電することができ、その結
果、電荷が弾性異方導電膜２０の表面に蓄積されること
を十分に抑制することができ、高い電位の静電気が生じ
ることを防止することができ、従って、静電気による悪
影響が排除され、高い効率で、かつ高い安全性でウエハ
６の電気的検査を行うことができる。仮に、プローブ部
材１の加圧動作および剥離動作を繰り返し行うことによ
って、異方導電性コネクター２における弾性異方導電膜
２０の表面が静電気を帯び、当該静電気が放電する場合
であっても、その放電が除電用導電部２６において生じ
る結果、当該弾性異方導電膜２０における接続用導電部
２２、検査用回路基板１０および検査対象であるウエハ
６などに与える影響が排除され、高い安全性でウエハ６
の電気的検査を行うことができる。
【００８６】〔導電接続構造体〕図１７は、本発明に係
る導電接続構造体の一例における構成を示す説明用断面
図である。この導電接続構造体においては、回路基板５
５上に、例えば図１１および図１２に示す構成の異方導
電性コネクター２が、その弾性異方導電膜２０の接続用
導電部２２が当該回路基板５５の電極５６上に位置する
よう配置され、この異方導電性コネクター２におけるフ
レーム板１０は、適宜の手段によってアースされてい
る。異方導電性シート２上には、電子部品５０が、その
電極５１が当該異方導電性コネクター２の弾性異方導電
膜２０における接続用導電部２２上に位置するよう配置
されている。そして、固定部材５２によって、電子部品
５０および異方導電性コネクター２が、当該弾性異方導
電膜２０における接続用導電部２２が電子部品５０の電
極５１と回路基板５５の電極５６とによって挟圧された
状態で、回路基板５５に固定されていると共に、弾性異
方導電膜２０の接続用導電部２２によって電子部品５０
の電極５１が回路基板５５の電極５６に電気的に接続さ
れている。１６は、異方導電性コネクター２のフレーム
板１０に形成された位置決め用孔、５７は、回路基板５
５に形成された位置決め用孔であり、フレーム板１０の
位置決め用孔１６および回路基板５５の位置決め用孔５
７の各々には、固定部材５２の脚部が挿通されている。
る導電接続構造体の一例における構成を示す説明用断面
図である。この導電接続構造体においては、回路基板５
５上に、例えば図１１および図１２に示す構成の異方導
電性コネクター２が、その弾性異方導電膜２０の接続用
導電部２２が当該回路基板５５の電極５６上に位置する
よう配置され、この異方導電性コネクター２におけるフ
レーム板１０は、適宜の手段によってアースされてい
る。異方導電性シート２上には、電子部品５０が、その
電極５１が当該異方導電性コネクター２の弾性異方導電
膜２０における接続用導電部２２上に位置するよう配置
されている。そして、固定部材５２によって、電子部品
５０および異方導電性コネクター２が、当該弾性異方導
電膜２０における接続用導電部２２が電子部品５０の電
極５１と回路基板５５の電極５６とによって挟圧された
状態で、回路基板５５に固定されていると共に、弾性異
方導電膜２０の接続用導電部２２によって電子部品５０
の電極５１が回路基板５５の電極５６に電気的に接続さ
れている。１６は、異方導電性コネクター２のフレーム
板１０に形成された位置決め用孔、５７は、回路基板５
５に形成された位置決め用孔であり、フレーム板１０の
位置決め用孔１６および回路基板５５の位置決め用孔５
７の各々には、固定部材５２の脚部が挿通されている。
【００８７】電子部品５０としては、表面実装型のもの
であれば特に限定されず種々のものを用いることがで
き、例えば、トランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ若
しくはＬＳＩチップまたはそれらのパッケージ或いはＭ
ＣＭ（Ｍｕｌｔｉ ＣｈｉｐＭｏｄｕｌｅ）などの半導
体装置からなる能動部品、抵抗、コンデンサ、水晶振動
子などの受動部品などが挙げられる。回路基板５５とし
ては、片面プリント回路基板、両面プリント回路基板、
多層プリント回路基板など種々の構造のものを用いるこ
とができる。また、回路基板５５は、フレキシブル基
板、リジッド基板、これらを組み合わせたフレックス・
リジッド基板のいずれであってもよい。
であれば特に限定されず種々のものを用いることがで
き、例えば、トランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ若
しくはＬＳＩチップまたはそれらのパッケージ或いはＭ
ＣＭ（Ｍｕｌｔｉ ＣｈｉｐＭｏｄｕｌｅ）などの半導
体装置からなる能動部品、抵抗、コンデンサ、水晶振動
子などの受動部品などが挙げられる。回路基板５５とし
ては、片面プリント回路基板、両面プリント回路基板、
多層プリント回路基板など種々の構造のものを用いるこ
とができる。また、回路基板５５は、フレキシブル基
板、リジッド基板、これらを組み合わせたフレックス・
リジッド基板のいずれであってもよい。
【００８８】回路基板５５としてフレキシルブル基板を
用いる場合において、当該フレキシブル基板を構成する
材料としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステ
ル、ポリスルホン等を用いることができる。回路基板５
５としてリジッド基板を用いる場合において、当該リジ
ッド基板を構成する材料としては、ガラス繊維補強型エ
ポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス
繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレ
イミドトリアジン樹脂等の複合樹脂材料、二酸化珪素、
アルミナ等のセラミック材料を用いることができる。
用いる場合において、当該フレキシブル基板を構成する
材料としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステ
ル、ポリスルホン等を用いることができる。回路基板５
５としてリジッド基板を用いる場合において、当該リジ
ッド基板を構成する材料としては、ガラス繊維補強型エ
ポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス
繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレ
イミドトリアジン樹脂等の複合樹脂材料、二酸化珪素、
アルミナ等のセラミック材料を用いることができる。
【００８９】電子部品５０の電極５１および回路基板５
５の電極５６の材質としては、例えば金、銀、銅、ニッ
ケル、パラジウム、カーボン、アルミニウム、ＩＴＯ等
が挙げられる。また、電子部品５０の電極５１および回
路基板５５の電極５６の厚みは、それぞれ０．１〜１０
０μｍであることが好ましい。また、電子部品５０の電
極５１および回路基板５５の電極５６の幅は、１〜５０
０μｍであることが好ましい。
５の電極５６の材質としては、例えば金、銀、銅、ニッ
ケル、パラジウム、カーボン、アルミニウム、ＩＴＯ等
が挙げられる。また、電子部品５０の電極５１および回
路基板５５の電極５６の厚みは、それぞれ０．１〜１０
０μｍであることが好ましい。また、電子部品５０の電
極５１および回路基板５５の電極５６の幅は、１〜５０
０μｍであることが好ましい。
【００９０】以上のような導電接続構造体によれば、電
子部品５０および回路基板５５が前述の異方導電性コネ
クター２を介して電気的に接続されているため、電子部
品５０の電極５１の各々とこれに対応する回路基板５５
の電極５６の各々との間において、良好な電気的接続が
確実に達成されると共に、隣接する電極間の絶縁性が確
実に達成され、従って高い接続信頼性が得られる。ま
た、異方導電性コネクター２の弾性異方導電膜２０にお
ける除電用導電部２６がフレーム板１０を介してアース
に電気的に接続されているため、弾性異方導電膜２０の
表面に生じた静電気が除電用導電部２６を介して除電さ
れる。その結果、弾性異方導電膜２０の表面に電荷が蓄
積されることを防止または抑制することができるので、
静電気による電子部品５０の誤動作、静電気の放電によ
る電子部品５０や回路基板５５の故障などの悪影響を排
除することができる。
子部品５０および回路基板５５が前述の異方導電性コネ
クター２を介して電気的に接続されているため、電子部
品５０の電極５１の各々とこれに対応する回路基板５５
の電極５６の各々との間において、良好な電気的接続が
確実に達成されると共に、隣接する電極間の絶縁性が確
実に達成され、従って高い接続信頼性が得られる。ま
た、異方導電性コネクター２の弾性異方導電膜２０にお
ける除電用導電部２６がフレーム板１０を介してアース
に電気的に接続されているため、弾性異方導電膜２０の
表面に生じた静電気が除電用導電部２６を介して除電さ
れる。その結果、弾性異方導電膜２０の表面に電荷が蓄
積されることを防止または抑制することができるので、
静電気による電子部品５０の誤動作、静電気の放電によ
る電子部品５０や回路基板５５の故障などの悪影響を排
除することができる。
【００９１】〔他の実施の形態〕本発明は、上記の実施
の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能で
ある。例えば異方導電性コネクターにおいては、弾性異
方導電膜２０における突出部２４は必須のものではな
く、一面または両面が平坦面のもの、或いは凹所が形成
されたものであってもよい。また、フレーム板１０が複
数の貫通孔１１を有するものである場合において、これ
らの貫通孔１１に配置される弾性異方導電膜２０の一部
または全部が、１つの接続用導電部２２が形成されてな
るものであってもよい。異方導電性コネクターの製造に
おいて、フレーム板１０の基材として非磁性のものを用
いる場合には、成形材料層２０Ａにおける被支持部２５
となる部分に磁場を作用させる方法として、当該フレー
ム板１０における貫通孔１１の周辺部に磁性体をメッキ
してまたは磁性塗料を塗布して磁場を作用させる手段、
金型６０に、弾性異方導電膜２０の被支持部２５に対応
して強磁性体層を形成して磁場を作用させる手段を利用
することができる。
の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能で
ある。例えば異方導電性コネクターにおいては、弾性異
方導電膜２０における突出部２４は必須のものではな
く、一面または両面が平坦面のもの、或いは凹所が形成
されたものであってもよい。また、フレーム板１０が複
数の貫通孔１１を有するものである場合において、これ
らの貫通孔１１に配置される弾性異方導電膜２０の一部
または全部が、１つの接続用導電部２２が形成されてな
るものであってもよい。異方導電性コネクターの製造に
おいて、フレーム板１０の基材として非磁性のものを用
いる場合には、成形材料層２０Ａにおける被支持部２５
となる部分に磁場を作用させる方法として、当該フレー
ム板１０における貫通孔１１の周辺部に磁性体をメッキ
してまたは磁性塗料を塗布して磁場を作用させる手段、
金型６０に、弾性異方導電膜２０の被支持部２５に対応
して強磁性体層を形成して磁場を作用させる手段を利用
することができる。
【００９２】また、回路装置の電気的検査装置において
は、検査対象である回路装置は、集積回路が形成された
ウエハに限定されず、片面プリント回路基板、両面プリ
ント回路基板、多層プリント回路基板などのプリント回
路基板、半導体チップ、ＢＧＡ、ＣＳＰ、その他の表面
実装型の電子部品の電気的検査装置にも適用することが
できる。また、シート状コネクター４０は、必須のもの
ではなく、異方導電性コネクター２における弾性異方導
電膜２０が検査対象である回路装置に接触して電気的接
続を達成する構成であってもよい。
は、検査対象である回路装置は、集積回路が形成された
ウエハに限定されず、片面プリント回路基板、両面プリ
ント回路基板、多層プリント回路基板などのプリント回
路基板、半導体チップ、ＢＧＡ、ＣＳＰ、その他の表面
実装型の電子部品の電気的検査装置にも適用することが
できる。また、シート状コネクター４０は、必須のもの
ではなく、異方導電性コネクター２における弾性異方導
電膜２０が検査対象である回路装置に接触して電気的接
続を達成する構成であってもよい。
【００９３】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
【００９４】〈実施例１〉下記の条件に従って、フレー
ム板、異方導電膜成形用の金型および成形用スペーサー
を作製した。 〔フレーム板（１０）〕 材質：コバール（飽和磁化１．４ｗｂ／ｍ2 ），厚み：
０．４ｍｍ，貫通孔（１１）の寸法：１６ｍｍ×１６ｍ
ｍ（面方向における断面積Ｓ1 ：２．５６ｃｍ 2 ） 〔金型（６０）〕 基板（６２，６６）：材質；鉄，厚み；６ｍｍ， 強磁性体層（６３，６７）：材質；ニッケル，寸法；直
径１ｍｍ（円形），厚み０．１ｍｍ，配置ピッチ（中心
間距離）；２ｍｍ，強磁性体層の数；６４個）８個×８
個）， 非磁性体層（６４，６８）：材質；ドライフィルムレジ
ストを硬化処理したもの，凹所（６４ａ，６８ａ）の寸
法；直径１．１ｍｍ（円形），深さ０．４ｍｍ，凹所
（６４ａ，６８ａ）以外の部分の厚み；０．５ｍｍ（凹
所部分の厚み０．１ｍｍ） 〔成形用スペーサー（７５，７６）〕 材質：ＳＵＳ３０４，厚み：０．４ｍｍ，開口の寸法：
１９ｍｍ×１９ｍｍ
ム板、異方導電膜成形用の金型および成形用スペーサー
を作製した。 〔フレーム板（１０）〕 材質：コバール（飽和磁化１．４ｗｂ／ｍ2 ），厚み：
０．４ｍｍ，貫通孔（１１）の寸法：１６ｍｍ×１６ｍ
ｍ（面方向における断面積Ｓ1 ：２．５６ｃｍ 2 ） 〔金型（６０）〕 基板（６２，６６）：材質；鉄，厚み；６ｍｍ， 強磁性体層（６３，６７）：材質；ニッケル，寸法；直
径１ｍｍ（円形），厚み０．１ｍｍ，配置ピッチ（中心
間距離）；２ｍｍ，強磁性体層の数；６４個）８個×８
個）， 非磁性体層（６４，６８）：材質；ドライフィルムレジ
ストを硬化処理したもの，凹所（６４ａ，６８ａ）の寸
法；直径１．１ｍｍ（円形），深さ０．４ｍｍ，凹所
（６４ａ，６８ａ）以外の部分の厚み；０．５ｍｍ（凹
所部分の厚み０．１ｍｍ） 〔成形用スペーサー（７５，７６）〕 材質：ＳＵＳ３０４，厚み：０．４ｍｍ，開口の寸法：
１９ｍｍ×１９ｍｍ
【００９５】付加型液状シリコーンゴム１００重量部
に、平均粒子径が２０μｍの導電性粒子１００重量部を
添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すこ
とにより、弾性異方導電膜成形用の成形材料を調製し
た。以上において、導電性粒子としては、ニッケルより
なる芯粒子に金メッキが施されてなるもの（平均被覆
量：芯粒子の重量の２０重量％）を用いた。上記の金型
（６０）の上型（６１）および下型（６５）の表面に、
調製した成形材料をスクリーン印刷法によって塗布する
ことにより、成形材料層（２０Ａ）を形成し、下型（６
５）の成形面上に、下型側成形用スペーサー（７６）を
介して上記のフレーム板（１０）を位置合わせして重
ね、更に、このフレーム板（１０）上に、上型側成形用
スペーサー（７５）を介して上型（６１）を位置合わせ
して重ねることにより、上型（６１）および下型（６
５）の間に、目的とする形態の成形材料層（２０Ａ）を
形成した。この成形材料層（２０Ａ）中に含有された導
電性粒子の体積の合計Ｖ1 は、０．０４ｃｍ3 であっ
た。この成形材料層（２０Ａ）に対し、強磁性体層（６
２，６７）の間に位置する部分（接続用導電部（２２）
となる部分）に、電磁石によって厚み方向に磁束密度が
２Ｔとなる磁場を作用させながら、１００℃、１時間の
条件で硬化処理を施すことにより、縦横の幅がそれぞれ
２２ｍｍの弾性異方導電膜（２０）を形成し、以て本発
明の異方導電性コネクターを製造した。以上において、
成形材料層（２０Ａ）における被支持部（２５）となる
部分における磁束密度は、２．１Ｔ（接続用導電部（２
２）となる部分における磁束密度の１０５％）であっ
た。また、得られた異方導電性コネクターにおける弾性
異方導電膜（２０）は、直径が１ｍｍの円形で厚みが
２．０ｍｍの合計６４個の接続用導電部（２２）が２ｍ
ｍのピッチで配置されてなり（接続用導電部（２２）の
面方向における断面積の合計Ｓ2 が０．５ｃｍ2 ，比
（Ｓ2 ／Ｓ1 ）の値が０．２，接続用導電部（２２）の
体積の合計Ｖ2 が０．１ｃｍ3 ，比（Ｖ1 ／Ｖ2 ）の値
が０．４）、フレーム板（１０）の貫通孔（１１）の内
周面と接続用導電部（２２）との最短離間距離が０．５
ｍｍ（接続用導電部（２２）の厚みの０．２５倍）、絶
縁部（２３）の厚みが１．２ｍｍ、被支持部（２５）の
厚み（二股部分の一方の厚み）が０．４ｍｍ、突出部
（２４）の高さが０．４ｍｍのものであった。また、弾
性異方導電膜（２０）における接続用導電部（２２）お
よび被支持部（２５）中の導電性粒子の含有割合を調べ
たところ、体積分率で、接続用導電部（２２）が３５
％、被支持部（２５）が１０％であった。また、被支持
部（２５）をその厚み方向に３％圧縮した状態におい
て、当該被支持部（２５）の厚み方向の体積固有抵抗を
測定したところ、３×１０-1Ω・ｍであり、被支持部
（２５）全体にわたって除電用導電部（２６）が形成さ
れているものであった。
に、平均粒子径が２０μｍの導電性粒子１００重量部を
添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すこ
とにより、弾性異方導電膜成形用の成形材料を調製し
た。以上において、導電性粒子としては、ニッケルより
なる芯粒子に金メッキが施されてなるもの（平均被覆
量：芯粒子の重量の２０重量％）を用いた。上記の金型
（６０）の上型（６１）および下型（６５）の表面に、
調製した成形材料をスクリーン印刷法によって塗布する
ことにより、成形材料層（２０Ａ）を形成し、下型（６
５）の成形面上に、下型側成形用スペーサー（７６）を
介して上記のフレーム板（１０）を位置合わせして重
ね、更に、このフレーム板（１０）上に、上型側成形用
スペーサー（７５）を介して上型（６１）を位置合わせ
して重ねることにより、上型（６１）および下型（６
５）の間に、目的とする形態の成形材料層（２０Ａ）を
形成した。この成形材料層（２０Ａ）中に含有された導
電性粒子の体積の合計Ｖ1 は、０．０４ｃｍ3 であっ
た。この成形材料層（２０Ａ）に対し、強磁性体層（６
２，６７）の間に位置する部分（接続用導電部（２２）
となる部分）に、電磁石によって厚み方向に磁束密度が
２Ｔとなる磁場を作用させながら、１００℃、１時間の
条件で硬化処理を施すことにより、縦横の幅がそれぞれ
２２ｍｍの弾性異方導電膜（２０）を形成し、以て本発
明の異方導電性コネクターを製造した。以上において、
成形材料層（２０Ａ）における被支持部（２５）となる
部分における磁束密度は、２．１Ｔ（接続用導電部（２
２）となる部分における磁束密度の１０５％）であっ
た。また、得られた異方導電性コネクターにおける弾性
異方導電膜（２０）は、直径が１ｍｍの円形で厚みが
２．０ｍｍの合計６４個の接続用導電部（２２）が２ｍ
ｍのピッチで配置されてなり（接続用導電部（２２）の
面方向における断面積の合計Ｓ2 が０．５ｃｍ2 ，比
（Ｓ2 ／Ｓ1 ）の値が０．２，接続用導電部（２２）の
体積の合計Ｖ2 が０．１ｃｍ3 ，比（Ｖ1 ／Ｖ2 ）の値
が０．４）、フレーム板（１０）の貫通孔（１１）の内
周面と接続用導電部（２２）との最短離間距離が０．５
ｍｍ（接続用導電部（２２）の厚みの０．２５倍）、絶
縁部（２３）の厚みが１．２ｍｍ、被支持部（２５）の
厚み（二股部分の一方の厚み）が０．４ｍｍ、突出部
（２４）の高さが０．４ｍｍのものであった。また、弾
性異方導電膜（２０）における接続用導電部（２２）お
よび被支持部（２５）中の導電性粒子の含有割合を調べ
たところ、体積分率で、接続用導電部（２２）が３５
％、被支持部（２５）が１０％であった。また、被支持
部（２５）をその厚み方向に３％圧縮した状態におい
て、当該被支持部（２５）の厚み方向の体積固有抵抗を
測定したところ、３×１０-1Ω・ｍであり、被支持部
（２５）全体にわたって除電用導電部（２６）が形成さ
れているものであった。
【００９６】〈実施例２〜４〉フレーム板（１０）、金
型（６０）および成形用スペーサー（７５，７６）を下
記表１の条件に従って作製し、これらのフレーム板（１
０）、金型（６０）および成形用スペーサー（７５，７
６）を用いて弾性異方導電膜（２０）を形成したこと以
外は、実施例１と同様にして異方導電性コネクターを製
造した。成形材料層中の導電性粒子の体積の合計、弾性
異方導電膜（２０）の寸法等を下記表２に示す。また、
得られた異方導電性コネクターの弾性異方導電膜（２
０）における接続用導電部（２２）および被支持部（２
５）中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、いずれ
も、体積分率で、接続用導電部（２２）が３５％、被支
持部（２５）が１０％であった。また、被支持部（２
５）をその厚み方向に３％圧縮した状態において、当該
被支持部（２５）の厚み方向の体積固有抵抗を測定した
ところ、いずれも３×１０ -1Ω・ｍであり、被支持部
（２５）全体にわたって除電用導電部（２６）が形成さ
れているものであった。
型（６０）および成形用スペーサー（７５，７６）を下
記表１の条件に従って作製し、これらのフレーム板（１
０）、金型（６０）および成形用スペーサー（７５，７
６）を用いて弾性異方導電膜（２０）を形成したこと以
外は、実施例１と同様にして異方導電性コネクターを製
造した。成形材料層中の導電性粒子の体積の合計、弾性
異方導電膜（２０）の寸法等を下記表２に示す。また、
得られた異方導電性コネクターの弾性異方導電膜（２
０）における接続用導電部（２２）および被支持部（２
５）中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、いずれ
も、体積分率で、接続用導電部（２２）が３５％、被支
持部（２５）が１０％であった。また、被支持部（２
５）をその厚み方向に３％圧縮した状態において、当該
被支持部（２５）の厚み方向の体積固有抵抗を測定した
ところ、いずれも３×１０ -1Ω・ｍであり、被支持部
（２５）全体にわたって除電用導電部（２６）が形成さ
れているものであった。
【００９７】
【表１】
【００９８】
【表２】
【００９９】〈比較例１〜４〉フレーム板（１０）の材
質をＳＵＳ３０４（飽和磁化０．０１ｗｂ／ｍ2 ）に変
更したこと以外は、実施例１〜４と同様にして異方導電
性コネクターを製造した。得られた異方導電性コネクタ
ーの弾性異方導電膜（２０）の被支持部（２５）を観察
したところ、いずれも導電性粒子が殆ど存在していない
ことが確認された。
質をＳＵＳ３０４（飽和磁化０．０１ｗｂ／ｍ2 ）に変
更したこと以外は、実施例１〜４と同様にして異方導電
性コネクターを製造した。得られた異方導電性コネクタ
ーの弾性異方導電膜（２０）の被支持部（２５）を観察
したところ、いずれも導電性粒子が殆ど存在していない
ことが確認された。
【０１００】〈比較例５〜８〉フレーム板（１０）の材
質をＳＵＳ３０４（飽和磁化０．０１ｗｂ／ｍ2 ）に変
更し、弾性異方導電膜成形用の成形材料として、下記の
ようにして調製されたものを用いたこと以外は、実施例
１〜４と同様にして異方導電性コネクターを製造した。 成形材料：付加型液状シリコーンゴム１００重量部に、
平均粒子径が２０μｍの導電性粒子５０重量部を添加し
て混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことによ
り、弾性異方導電膜成形用の成形材料を調製した。以上
において、導電性粒子としては、ニッケルよりなる芯粒
子に金メッキが施されてなるもの（平均被覆量：芯粒子
の重量の２０重量％）を用いた。得られた異方導電性コ
ネクターの弾性異方導電膜（２０）の被支持部（２５）
を観察したところ、いずれも導電性粒子が殆ど存在して
いないことが確認された。
質をＳＵＳ３０４（飽和磁化０．０１ｗｂ／ｍ2 ）に変
更し、弾性異方導電膜成形用の成形材料として、下記の
ようにして調製されたものを用いたこと以外は、実施例
１〜４と同様にして異方導電性コネクターを製造した。 成形材料：付加型液状シリコーンゴム１００重量部に、
平均粒子径が２０μｍの導電性粒子５０重量部を添加し
て混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことによ
り、弾性異方導電膜成形用の成形材料を調製した。以上
において、導電性粒子としては、ニッケルよりなる芯粒
子に金メッキが施されてなるもの（平均被覆量：芯粒子
の重量の２０重量％）を用いた。得られた異方導電性コ
ネクターの弾性異方導電膜（２０）の被支持部（２５）
を観察したところ、いずれも導電性粒子が殆ど存在して
いないことが確認された。
【０１０１】〔異方導電性コネクターの評価〕
（１）実施例１〜４および比較例１〜８に係る異方導電
性コネクターの各々について、以下のような試験を行っ
た。異方導電性コネクターの弾性異方導電膜における接
続用導電部に対応するパターンに従って電極が形成され
た２つの電極板を用意し、一方の電極板上に異方導電性
コネクターをその弾性異方導電膜における接続用導電部
の各々が当該電極板の電極上に位置するよう位置合わせ
した状態で固定し、この異方導電性コネクター上に、他
方の電極板をその電極の各々が当該異方導電性コネクタ
ーの弾性異方導電膜における接続用導電部上に位置する
よう位置合わせした状態で固定し、他方の電極板によっ
て異方導電性コネクターの弾性異方導電膜をその接続用
導電部の厚み方向の歪み率が２５％となるよう加圧し、
この状態で、当該接続用導電部の厚み方向の電気抵抗
（以下、「導通抵抗」という。）および隣接する接続用
導電部間の電気抵抗値（以下、「絶縁抵抗」という。）
を測定し、導通抵抗の平均値および最大値、並びに絶縁
抵抗の最小値を求めた。ここで、絶縁抵抗が１ｋΩ以下
のものについては、例えば回路装置の検査において、実
際上使用することが困難である。以上の結果を下記表３
に示す。
性コネクターの各々について、以下のような試験を行っ
た。異方導電性コネクターの弾性異方導電膜における接
続用導電部に対応するパターンに従って電極が形成され
た２つの電極板を用意し、一方の電極板上に異方導電性
コネクターをその弾性異方導電膜における接続用導電部
の各々が当該電極板の電極上に位置するよう位置合わせ
した状態で固定し、この異方導電性コネクター上に、他
方の電極板をその電極の各々が当該異方導電性コネクタ
ーの弾性異方導電膜における接続用導電部上に位置する
よう位置合わせした状態で固定し、他方の電極板によっ
て異方導電性コネクターの弾性異方導電膜をその接続用
導電部の厚み方向の歪み率が２５％となるよう加圧し、
この状態で、当該接続用導電部の厚み方向の電気抵抗
（以下、「導通抵抗」という。）および隣接する接続用
導電部間の電気抵抗値（以下、「絶縁抵抗」という。）
を測定し、導通抵抗の平均値および最大値、並びに絶縁
抵抗の最小値を求めた。ここで、絶縁抵抗が１ｋΩ以下
のものについては、例えば回路装置の検査において、実
際上使用することが困難である。以上の結果を下記表３
に示す。
【０１０２】
【表３】
【０１０３】表３の結果から明らかなように、実施例１
〜４に係る異方導電性コネクターによれば、弾性異方導
電膜における接続用導電部のピッチが小さいものであっ
ても、当該接続用導電部には良好な導電性が得られると
共に、隣接する接続用導電部間には所要の絶縁性が得ら
れることが確認された。
〜４に係る異方導電性コネクターによれば、弾性異方導
電膜における接続用導電部のピッチが小さいものであっ
ても、当該接続用導電部には良好な導電性が得られると
共に、隣接する接続用導電部間には所要の絶縁性が得ら
れることが確認された。
【０１０４】（２）実施例１および比較例１に係る異方
導電性コネクターの各々について、以下のような試験を
行った。異方導電性コネクターの弾性異方導電膜におけ
る接続用導電部に対応するパターンに従って電極が形成
された２つの電極板を用意し、一方の電極板上に異方導
電性コネクターをその弾性異方導電膜における導電部の
各々が当該電極板の電極上に位置するよう位置合わせし
た状態で固定し、この異方導電性コネクター上に、他方
の電極板をその電極の各々が当該異方導電性コネクター
の弾性異方導電膜における導電部上に位置するよう位置
合わせした状態で固定した。そして、温度２５℃、相対
湿度３０％の環境下において、他方の電極板によって異
方導電性コネクターの弾性異方導電膜をその接続用導電
部の厚み方向の歪み率が２５％となるよう加圧し、この
状態で１秒間保持した後、異方導電性コネクターの弾性
異方導電膜から他方の電極板を引き離し、更に、２秒間
経過後に他方の電極板によって異方導電性コネクターの
弾性異方導電膜を加圧した。この操作を１サイクルとし
て合計５０００サイクル行った後、４０秒間以内に異方
導電性コネクターの弾性異方導電膜の表面電位を測定し
た。以上において、表面電位の測定は、トレック・ジャ
パン製の表面電位測定装置「モデル５２０」を用い、図
１８に示すように、弾性異方導電膜２０の機能部２１に
おける４つの個所Ａ〜Ｄについて行った。また、表面電
位が５０Ｖ以上である場合には、例えば回路装置の検査
において、被検査回路装置に破壊等の悪影響を及ぼすお
それがある。以上の結果を下記表４に示す。
導電性コネクターの各々について、以下のような試験を
行った。異方導電性コネクターの弾性異方導電膜におけ
る接続用導電部に対応するパターンに従って電極が形成
された２つの電極板を用意し、一方の電極板上に異方導
電性コネクターをその弾性異方導電膜における導電部の
各々が当該電極板の電極上に位置するよう位置合わせし
た状態で固定し、この異方導電性コネクター上に、他方
の電極板をその電極の各々が当該異方導電性コネクター
の弾性異方導電膜における導電部上に位置するよう位置
合わせした状態で固定した。そして、温度２５℃、相対
湿度３０％の環境下において、他方の電極板によって異
方導電性コネクターの弾性異方導電膜をその接続用導電
部の厚み方向の歪み率が２５％となるよう加圧し、この
状態で１秒間保持した後、異方導電性コネクターの弾性
異方導電膜から他方の電極板を引き離し、更に、２秒間
経過後に他方の電極板によって異方導電性コネクターの
弾性異方導電膜を加圧した。この操作を１サイクルとし
て合計５０００サイクル行った後、４０秒間以内に異方
導電性コネクターの弾性異方導電膜の表面電位を測定し
た。以上において、表面電位の測定は、トレック・ジャ
パン製の表面電位測定装置「モデル５２０」を用い、図
１８に示すように、弾性異方導電膜２０の機能部２１に
おける４つの個所Ａ〜Ｄについて行った。また、表面電
位が５０Ｖ以上である場合には、例えば回路装置の検査
において、被検査回路装置に破壊等の悪影響を及ぼすお
それがある。以上の結果を下記表４に示す。
【０１０５】
【表４】
【０１０６】表４の結果から明らかなように、実施例１
に係る異方導電性コネクターによれば、測定個所Ａ〜Ｄ
のいずれにおいても、表面電位の値が５０Ｖ未満であ
り、長時間使用した場合であっても、弾性異方導電膜の
表面に電荷が蓄積されることが抑制され、これにより、
静電気による悪影響を排除することができることが確認
された。これに対し、比較例１に係る異方導電性コネク
ターにおいては、測定個所Ａ〜Ｄのいずれにおいても、
表面電位の値が５０Ｖ以上であり、長期間の使用によ
り、異方導電膜の表面に電荷が蓄積され、高い電圧の静
電気を帯びるものであった。
に係る異方導電性コネクターによれば、測定個所Ａ〜Ｄ
のいずれにおいても、表面電位の値が５０Ｖ未満であ
り、長時間使用した場合であっても、弾性異方導電膜の
表面に電荷が蓄積されることが抑制され、これにより、
静電気による悪影響を排除することができることが確認
された。これに対し、比較例１に係る異方導電性コネク
ターにおいては、測定個所Ａ〜Ｄのいずれにおいても、
表面電位の値が５０Ｖ以上であり、長期間の使用によ
り、異方導電膜の表面に電荷が蓄積され、高い電圧の静
電気を帯びるものであった。
【０１０７】
【発明の効果】本発明の異方導電性コネクターによれ
ば、弾性異方導電膜には、接続用導電部を有する機能部
の周縁に被支持部が形成されており、この被支持部がフ
レーム板の貫通孔の周辺部に固定されているため、変形
しにくくて取扱いやすく、また、例えばフレーム板に位
置決め用マークを形成することにより、接続すべき回路
装置との電気的接続作業において、当該回路装置に対す
る位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ
る。そして、本発明の異方導電性コネクターは、その弾
性異方導電膜の形成において、成形材料層における被支
持部となる部分に磁場を作用させることにより、当該被
支持部となる部分に存在する導電性粒子を当該部分に保
持させた状態で、当該成形材料層の硬化処理を行うこと
により得られるため、成形材料層における被支持部とな
る部分すなわちフレーム板における貫通孔の周辺部の上
方および下方に位置する部分に存在する導電性粒子が、
接続用導電部となる部分に集合することがなく、その結
果、得られる弾性異方導電膜における接続用導電部のう
ち最も外側に位置する接続用導電部に、過剰な量の導電
性粒子が含有されることが防止される。従って、成形材
料層中の導電性粒子の含有量を少なくする必要もないの
で、弾性異方導電膜の全ての接続用導電部において、良
好な導電性が確実に得られると共に隣接する接続用導電
部との絶縁性が確実に得られる。また、弾性異方導電膜
における熱による面方向の膨張がフレーム板によって規
制されるため、フレーム板を構成する材料として線熱膨
張係数の小さいものを用いることにより、温度変化によ
る熱履歴を受けた場合にも、接続すべき回路装置に対す
る良好な電気的接続状態が安定に維持される。
ば、弾性異方導電膜には、接続用導電部を有する機能部
の周縁に被支持部が形成されており、この被支持部がフ
レーム板の貫通孔の周辺部に固定されているため、変形
しにくくて取扱いやすく、また、例えばフレーム板に位
置決め用マークを形成することにより、接続すべき回路
装置との電気的接続作業において、当該回路装置に対す
る位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ
る。そして、本発明の異方導電性コネクターは、その弾
性異方導電膜の形成において、成形材料層における被支
持部となる部分に磁場を作用させることにより、当該被
支持部となる部分に存在する導電性粒子を当該部分に保
持させた状態で、当該成形材料層の硬化処理を行うこと
により得られるため、成形材料層における被支持部とな
る部分すなわちフレーム板における貫通孔の周辺部の上
方および下方に位置する部分に存在する導電性粒子が、
接続用導電部となる部分に集合することがなく、その結
果、得られる弾性異方導電膜における接続用導電部のう
ち最も外側に位置する接続用導電部に、過剰な量の導電
性粒子が含有されることが防止される。従って、成形材
料層中の導電性粒子の含有量を少なくする必要もないの
で、弾性異方導電膜の全ての接続用導電部において、良
好な導電性が確実に得られると共に隣接する接続用導電
部との絶縁性が確実に得られる。また、弾性異方導電膜
における熱による面方向の膨張がフレーム板によって規
制されるため、フレーム板を構成する材料として線熱膨
張係数の小さいものを用いることにより、温度変化によ
る熱履歴を受けた場合にも、接続すべき回路装置に対す
る良好な電気的接続状態が安定に維持される。
【０１０８】また、弾性異方導電膜における被支持部に
除電用導電部が形成された構成によれば、この除電用導
電部がフレーム板を介してアースに電気的に接続される
ことにより、当該弾性異方導電膜の表面に生じた静電気
が当該除電用導電部を介して除電される。その結果、弾
性異方導電膜の表面に電荷が蓄積されることを防止また
は抑制することができるので、静電気による悪影響を排
除することができる。
除電用導電部が形成された構成によれば、この除電用導
電部がフレーム板を介してアースに電気的に接続される
ことにより、当該弾性異方導電膜の表面に生じた静電気
が当該除電用導電部を介して除電される。その結果、弾
性異方導電膜の表面に電荷が蓄積されることを防止また
は抑制することができるので、静電気による悪影響を排
除することができる。
【０１０９】本発明のプローブ部材によれば、上記の異
方導電性コネクターを有するため、検査対象である回路
装置の被検査電極のピッチが小さいものであっても、当
該回路装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に
行うことができ、しかも、各被検査電極に対して高い接
続信頼性が得られる。本発明の回路装置の電気的検査装
置によれば、上記の異方導電性コネクターを有するプロ
ーブ部材を介して、検査対象である回路装置の被検査電
極に対する電気的接続が達成されるため、被検査電極の
ピッチが小さいものであっても、当該回路装置に対する
位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、し
かも、各被検査電極に対する高い接続信頼性が得られ
る。本発明の導電接続構造体によれば、上記の異方導電
性コネクターを介して電気的に接続されてなるため、高
い接続信頼性が得られる。
方導電性コネクターを有するため、検査対象である回路
装置の被検査電極のピッチが小さいものであっても、当
該回路装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に
行うことができ、しかも、各被検査電極に対して高い接
続信頼性が得られる。本発明の回路装置の電気的検査装
置によれば、上記の異方導電性コネクターを有するプロ
ーブ部材を介して、検査対象である回路装置の被検査電
極に対する電気的接続が達成されるため、被検査電極の
ピッチが小さいものであっても、当該回路装置に対する
位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、し
かも、各被検査電極に対する高い接続信頼性が得られ
る。本発明の導電接続構造体によれば、上記の異方導電
性コネクターを介して電気的に接続されてなるため、高
い接続信頼性が得られる。
【図１】本発明に係る異方導電性コネクターの一例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１に示す異方導電性コネクターの一部を拡大
して示す平面図である。
して示す平面図である。
【図３】図１に示す異方導電性コネクターにおける弾性
異方導電膜を拡大して示す平面図である。
異方導電膜を拡大して示す平面図である。
【図４】図１に示す異方導電性コネクターにおける弾性
異方導電膜を拡大して示す説明用断面図である。
異方導電膜を拡大して示す説明用断面図である。
【図５】弾性異方導電成形用の金型の一例における構成
を示す説明用断面図である。
を示す説明用断面図である。
【図６】図５に示す金型をその一部を拡大して示す説明
用断面図である。
用断面図である。
【図７】上型の成形面にスクリーン印刷法により成形材
料を塗布する工程を示す説明用断面図である。
料を塗布する工程を示す説明用断面図である。
【図８】上型および下型の成形面に成形材料が塗布され
て成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図であ
る。
て成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図であ
る。
【図９】成形面に成形材料が塗布された上型および下型
の間にスペーサーを介してフレーム板が配置された状態
を示す説明用断面図である。
の間にスペーサーを介してフレーム板が配置された状態
を示す説明用断面図である。
【図１０】上型と下型の間に、目的とする形態の成形材
料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１１】図１０に示す成形材料層を拡大して示す説明
用断面図である。
用断面図である。
【図１２】図１１に示す成形材料層にその厚み方向に強
度分布を有する磁場が形成された状態を示す説明用断面
図である。
度分布を有する磁場が形成された状態を示す説明用断面
図である。
【図１３】本発明に係る異方導電性コネクターの他の例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１４】図１３に示す異方導電性コネクターにおける
弾性異方導電膜を拡大して示す説明用断面図である。
弾性異方導電膜を拡大して示す説明用断面図である。
【図１５】本発明に係る回路装置の電気的検査装置の一
例における構成を示す説明用断面図である。
例における構成を示す説明用断面図である。
【図１６】本発明に係るプローブ部材の一例における要
部の構成を示す説明用断面図である。
部の構成を示す説明用断面図である。
【図１７】本発明に係る導電接続構造体の一例における
構成を示す説明用断面図である。
構成を示す説明用断面図である。
【図１８】実施例において、異方導電性コネクターにお
ける表面電位の測定個所を示す説明図である。
ける表面電位の測定個所を示す説明図である。
【図１９】従来の異方導電性コネクターを製造する工程
において、金型内にフレーム板が配置されると共に、成
形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
において、金型内にフレーム板が配置されると共に、成
形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
１ プローブ部材 ２ 異方導電性コネクター
３ 加圧板 ４ ウエハ載置台
５ 加熱器 ６ ウエハ
７ 被検査電極 １０ フレーム板
１１ 貫通孔 １５ 孔
１６ 位置決め孔 ２０ 弾性異方導電膜
２０Ａ 成形材料層 ２０Ｂ 成形材料
２１ 機能部 ２２ 接続用導電部
２３ 絶縁部 ２４ 突出部
２５ 被支持部 ２６ 除電用導電部
３０ 検査用回路基板 ３１ 検査電極
４１ 絶縁性シート ４０ シート状コネクター
４２ 電極構造体 ４３ 表面電極部
４４ 裏面電極部 ４５ 短絡部
５０ 電子部品 ５１ 電極
５２ 固定部材 ５５ 回路基板
５６ 電極 ５７ 位置決め用孔
６０ 金型 ６１ 上型
６２ 基板 ６３ 強磁性体層
６４ 非磁性体層 ６４ａ 凹所
６５ 下型 ６６ 基板
６７ 強磁性体層 ６８ 非磁性体層
６８ａ 凹所 ７０ 印刷用マスク
７１ 印刷用スペーサー
７５ 上型側成形用スペーサー
７６ 下型側成形用スペーサー
８０ 上型 ８１ 強磁性体層
８２ 非磁性体層 ８５ 下型
８６ 強磁性体層 ８７ 非磁性体層
９０ フレーム板 ９５ 成形材料層
Ｐ 導電性粒子
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１Ｓ ５Ｇ３０７
Ｈ０１Ｒ 11/01 ５０１ Ｈ０１Ｒ 11/01 ５０１Ｃ
43/00 43/00 Ｈ
Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AA10 AB01 AD01 AG03
AG07 AG12 AG20
2G011 AA16 AB06 AB08 AB09 AB10
AC06 AC14 AE01 AE03 AE22
AF07
4M106 AA01 BA14 CA60 CA64 DJ32
5E051 CA03
5F044 KK01 LL09 LL13 LL15
5G307 HA02 HB03 HC01 HC02
Claims (19)
- 【請求項１】 厚み方向に伸びる貫通孔を有するフレー
ム板と、このフレーム板の貫通孔内に配置され、当該貫
通孔の周辺部に支持された弾性異方導電膜とを有してな
り、当該弾性異方導電膜が、磁性を示す導電性粒子が密
に含有されてなる厚み方向に伸びる接続用導電部および
その周囲に形成された絶縁部よりなる機能部と、この機
能部の周縁に一体に形成され、前記フレーム板における
貫通孔の周辺部に固定された被支持部とよりなる異方導
電性コネクターを製造する方法であって、 前記フレーム板の貫通孔およびその周辺部に、硬化処理
よって弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料
中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる弾性異方導
電膜用の成形材料層を形成し、 この成形材料層に対して、その接続用導電部となる部分
および被支持部となる部分においてそれ以外の部分より
も大きい強度の磁場を作用させることにより、少なくと
も成形材料層における被支持部となる部分に存在する導
電性粒子を当該部分に保持させた状態で、当該成形材料
層中の導電性粒子を接続用導電部となる部分に集合させ
て厚み方向に配向させ、この状態で前記成形材料層を硬
化処理することにより、弾性異方導電膜を形成する工程
を有することを特徴とする異方導電性コネクターの製造
方法。 - 【請求項２】 複数の貫通孔を有するフレーム板を用
い、このフレーム板の貫通孔の各々に、弾性異方導電膜
を形成することを特徴とする請求項１に記載の異方導電
性コネクターの製造方法。 - 【請求項３】 複数の接続用導電部が絶縁部によって相
互に絶縁された状態で配置されてなる機能部を有する弾
性異方導電膜を形成することを特徴とする請求項１また
は請求項２に記載の異方導電性コネクターの製造方法。 - 【請求項４】 フレーム板は、少なくとも貫通孔の周辺
部が磁性を示すものであり、当該フレーム板の周辺部を
磁化させることによって、成形材料層における被支持部
となる部分に磁場を作用させることを特徴とする請求項
１乃至請求項３のいずれかに記載の異方導電性コネクタ
ーの製造方法。 - 【請求項５】 フレーム板における貫通孔の周辺部は、
その飽和磁化が０．１ｗｂ／ｍ2 以上であることを特徴
とする請求項４に記載の異方導電性コネクターの製造方
法。 - 【請求項６】 フレーム板が磁性体により構成されてい
ることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の異
方導電性コネクターの製造方法。 - 【請求項７】 フレーム板の線熱膨張係数が３×１０-5
／Ｋ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項６
のいずれかに記載の異方導電性コネクターの製造方法。 - 【請求項８】 フレーム板の貫通孔は、その面方向にお
ける断面積をＳ1 とし、当該貫通孔に形成される弾性異
方導電膜の接続用導電部の面方向における断面積の合計
をＳ2 としたとき、下記式（１）を満足するものである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記
載の異方導電性コネクターの製造方法。 【数１】式（１） ０．０２≦（Ｓ2 ／Ｓ1 ）≦０．５ - 【請求項９】 フレーム板の貫通孔の内周面と形成すべ
き接続用導電部との最短離間距離が、当該接続用導電部
の厚みの０．２５倍以上であることを特徴とする請求項
１乃至請求項８のいずれかに記載の異方導電性コネクタ
ーの製造方法。 - 【請求項１０】 飽和磁化が０．１ｗｂ／ｍ2 以上の導
電性粒子を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項
９のいずれかに記載の異方導電性コネクターの製造方
法。 - 【請求項１１】 成形材料層に含有される導電性粒子の
体積の合計をＶ1 とし、形成すべき弾性異方導電膜にお
ける接続用導電部の体積の合計をＶ2 としたとき、下記
式（２）を満足することを特徴とする請求項１乃至請求
項１０のいずれかに記載の異方導電性コネクターの製造
方法。 【数２】式（２） ０．１≦（Ｖ1 ／Ｖ2 ）≦０．５ - 【請求項１２】 成形材料層に磁場を作用させた状態に
おいて、被支持部となる部分における磁束密度が、接続
用導電部となる部分における磁束密度の３０〜１５０％
であることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいず
れかに記載の異方導電性コネクターの製造方法。 - 【請求項１３】 成形材料層における被支持部となる部
分に作用させることにより、少なくとも当該被支持部と
なる部分に存在する導電性粒子を厚み方向に配向させて
当該成形材料層の硬化処理を行うことにより、被支持部
に除電用導電部を有する弾性異方導電膜を形成すること
を特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれかに記載
の異方導電性コネクターの製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１乃至請求項１３のいずれかに
記載の方法によって製造されたことを特徴とする異方導
電性コネクター。 - 【請求項１５】 回路装置の電気的検査に用いられるプ
ローブ部材であって、 検査対象である回路装置の被検査電極のパターンに対応
するパターンに従って導電部が形成された弾性異方導電
膜を有する、請求項１４に記載の異方導電性コネクター
を具えてなることを特徴とするプローブ部材。 - 【請求項１６】 被検査電極のパターンに対応するパタ
ーンに従って検査電極が表面に形成された検査用回路基
板と、この検査用回路基板の表面に配置された異方導電
性コネクターと、この異方導電性コネクターの表面に配
置されたシート状コネクターとを具えてなり、 前記シート状コネクターは、絶縁性シートと、この絶縁
性シートをその厚み方向に貫通して伸び、被検査電極の
パターンに対応するパターンに従って配置された複数の
電極構造体とよりなることを特徴とする請求項１５に記
載のプローブ部材。 - 【請求項１７】 請求項１５または請求項１６に記載の
プローブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介し
て、検査対象である回路装置の被検査電極に対する電気
的接続が達成されることを特徴とする回路装置の電気的
検査装置。 - 【請求項１８】 検査対象である回路装置を加熱する加
熱手段を有し、当該加熱手段によって前記回路装置が所
定の温度に加熱された状態で、当該回路装置の電気的検
査が実行されることを特徴とする請求項１７に記載の回
路装置の電気的検査装置。 - 【請求項１９】 請求項１４に記載の異方導電性コネク
ターによって電気的に接続されてなることを特徴とする
導電接続構造体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001262550A JP3573120B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその応用製品 |
| US10/755,233 US20040217342A1 (en) | 2001-08-31 | 2004-01-13 | Anisotropically conductive connector, production process thereof and application product thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001262550A JP3573120B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその応用製品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077962A true JP2003077962A (ja) | 2003-03-14 |
| JP3573120B2 JP3573120B2 (ja) | 2004-10-06 |
Family
ID=19089434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001262550A Expired - Fee Related JP3573120B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその応用製品 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040217342A1 (ja) |
| JP (1) | JP3573120B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004075283A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Jsr Corporation | 異方導電性コネクターおよびプローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 |
| WO2004093254A1 (ja) * | 2003-04-16 | 2004-10-28 | Jsr Corporation | 異方導電性コネクターおよび回路装置の電気的検査装置 |
| JP2004335450A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-25 | Jsr Corp | 異方導電性コネクターおよび回路装置の電気的検査装置 |
| WO2004109302A1 (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-16 | Jsr Corporation | 異方導電性コネクターおよびウエハ検査装置 |
| JP2005026672A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-27 | Jsr Corp | 異方導電性コネクターおよびウエハ検査装置 |
| KR20130128336A (ko) * | 2012-05-16 | 2013-11-26 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 도전 입자, 이방성 도전 접착제 필름 및 접속 구조체 |
| US20210359434A1 (en) * | 2018-10-11 | 2021-11-18 | Sekisui Polymatech Co., Ltd. | Electrical connection sheet and terminal-equipped glass plate structure |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6969622B1 (en) * | 2001-02-09 | 2005-11-29 | Jsr Corporation | Anisotropically conductive connector, its manufacture method and probe member |
| JP4554330B2 (ja) * | 2004-10-21 | 2010-09-29 | 株式会社リコー | 高耐久性を有する断熱スタンパ構造 |
| US20060137901A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Gang Yu | Electronic device including a substrate structure and a process for forming the same |
| JP2007005246A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多孔質樹脂基材及び多層基板 |
| JP7046351B2 (ja) | 2018-01-31 | 2022-04-04 | 三国電子有限会社 | 接続構造体の作製方法 |
| JP7185252B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2022-12-07 | 三国電子有限会社 | 接続構造体の作製方法 |
| JP7160302B2 (ja) | 2018-01-31 | 2022-10-25 | 三国電子有限会社 | 接続構造体および接続構造体の作製方法 |
| CN113451232A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-09-28 | 李素文 | 一种消孔导热内嵌型集成电路封装体 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5054192A (en) * | 1987-05-21 | 1991-10-08 | Cray Computer Corporation | Lead bonding of chips to circuit boards and circuit boards to circuit boards |
| US5637925A (en) * | 1988-02-05 | 1997-06-10 | Raychem Ltd | Uses of uniaxially electrically conductive articles |
| US5813870A (en) * | 1996-07-12 | 1998-09-29 | International Business Machines Corporation | Selectively filled adhesives for semiconductor chip interconnection and encapsulation |
| JPH11160356A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法 |
| JP2000241485A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Jsr Corp | 回路基板の電気抵抗測定装置および方法 |
| ATE284083T1 (de) * | 2000-09-25 | 2004-12-15 | Jsr Corp | Anisotropisches leitfähiges verbindungsblatt, herstellungsverfahren dafür und produkt davon |
| JP4734706B2 (ja) * | 2000-11-01 | 2011-07-27 | Ｊｓｒ株式会社 | 電気抵抗測定用コネクター並びに回路基板の電気抵抗測定装置および測定方法 |
| AU2002221060A1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-18 | Jsr Corporation | Anisotropic conductive sheet and wafer inspection device |
| US6969622B1 (en) * | 2001-02-09 | 2005-11-29 | Jsr Corporation | Anisotropically conductive connector, its manufacture method and probe member |
| US7131851B2 (en) * | 2002-08-09 | 2006-11-07 | Jsr Corporation | Anisotropic conductivity connector, conductive paste composition, probe member, and wafer inspection device, and wafer inspecting method |
| US7049836B2 (en) * | 2002-08-09 | 2006-05-23 | Jsr Corporation | Anisotropic conductivity connector, conductive paste composition, probe member, and wafer inspection device, and wafer inspecting method |
| US7190180B2 (en) * | 2003-01-17 | 2007-03-13 | Jsr Corporation | Anisotropic conductive connector and production method therefor and inspection unit for circuit device |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001262550A patent/JP3573120B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-01-13 US US10/755,233 patent/US20040217342A1/en not_active Abandoned
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1596429A1 (en) * | 2003-02-18 | 2005-11-16 | JSR Corporation | Anisotropic conductive connector and probe member and wafer inspecting device and wafer inspecting method |
| EP1596429A4 (en) * | 2003-02-18 | 2011-04-27 | Jsr Corp | ANISOTROPIC CONDUCTOR CONNECTOR, PROBE ELEMENT, AND TRENCH INSPECTION DEVICE AND METHOD |
| WO2004075283A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Jsr Corporation | 異方導電性コネクターおよびプローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 |
| US7255579B2 (en) | 2003-04-16 | 2007-08-14 | Jsr Corporation | Anisotropic conductive connector and circuit-device electrical-inspection device |
| JP2004335450A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-25 | Jsr Corp | 異方導電性コネクターおよび回路装置の電気的検査装置 |
| CN100449871C (zh) * | 2003-04-16 | 2009-01-07 | Jsr株式会社 | 各向异性导电连接器和电路装置的电气检查装置 |
| WO2004093254A1 (ja) * | 2003-04-16 | 2004-10-28 | Jsr Corporation | 異方導電性コネクターおよび回路装置の電気的検査装置 |
| JP2005026672A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-27 | Jsr Corp | 異方導電性コネクターおよびウエハ検査装置 |
| WO2004109302A1 (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-16 | Jsr Corporation | 異方導電性コネクターおよびウエハ検査装置 |
| US7384279B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-06-10 | Jsr Corporation | Anisotropic conductive connector and wafer inspection device |
| KR20130128336A (ko) * | 2012-05-16 | 2013-11-26 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 도전 입자, 이방성 도전 접착제 필름 및 접속 구조체 |
| KR102039191B1 (ko) | 2012-05-16 | 2019-10-31 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 도전 입자, 이방성 도전 접착제 필름 및 접속 구조체 |
| US20210359434A1 (en) * | 2018-10-11 | 2021-11-18 | Sekisui Polymatech Co., Ltd. | Electrical connection sheet and terminal-equipped glass plate structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040217342A1 (en) | 2004-11-04 |
| JP3573120B2 (ja) | 2004-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3788361B2 (ja) | 異方導電性コネクターおよびその応用製品 | |
| JP4930574B2 (ja) | 異方導電性コネクター装置およびその製造方法並びに回路装置の検査装置 | |
| JP3788258B2 (ja) | 異方導電性コネクターおよびその応用製品 | |
| TWI411781B (zh) | And an inspection device for the electrically conductive connector device and the circuit device | |
| KR101359065B1 (ko) | 이방 도전성 커넥터 및 이방 도전성 커넥터 장치 | |
| JP4240724B2 (ja) | 異方導電性シートおよびコネクター | |
| WO2007072852A1 (ja) | ウエハ検査用回路基板装置、プローブカードおよびウエハ検査装置 | |
| JP3573120B2 (ja) | 異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその応用製品 | |
| JP2002203879A (ja) | ウエハ検査用プローブ装置 | |
| JP2003077559A (ja) | 異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその応用製品 | |
| JP3900732B2 (ja) | 異方導電性シートおよびその製造方法 | |
| JP4507644B2 (ja) | 異方導電性コネクター装置およびその製造方法並びに回路装置の検査装置 | |
| US20070040245A1 (en) | Anisotropic conductive sheet, manufacturing method thereof, and product using the same | |
| JP3928607B2 (ja) | 異方導電性シート、その製造方法およびその応用 | |
| JP4479477B2 (ja) | 異方導電性シートおよびその製造方法並びにその応用製品 | |
| JP2008164476A (ja) | 異方導電性コネクター装置およびその製造方法並びに回路装置の検査装置 | |
| US20060177971A1 (en) | Anisotropically conductive connector, production process thereof and application product thereof | |
| JP3906068B2 (ja) | 異方導電性シート、コネクターおよびウエハ検査装置 | |
| JP2007265705A (ja) | 異方導電性コネクターおよびその応用 | |
| JP2001148260A (ja) | アダプター装置およびその製造方法並びに回路基板の電気的検査装置 | |
| JP2002280092A (ja) | 異方導電性シートおよびその応用製品 | |
| JP3360679B2 (ja) | 回路基板検査用アダプター装置並びに回路基板の検査方法および検査装置 | |
| JP4692423B2 (ja) | 異方導電性コネクター及び検査装置用変換アダプタ並びに異方導電性コネクターの製造方法 | |
| JP2002025351A (ja) | 異方導電性シートおよびその製造方法並びに回路装置の電気的検査装置 | |
| JP2003123869A (ja) | 異方導電性コネクターおよびそれを有する検査装置並びに異方導電性コネクターの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040608 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040621 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3573120 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120709 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120709 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120709 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120709 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |