WO2004075283A1 - 異方導電性コネクターおよびプローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 - Google Patents

異方導電性コネクターおよびプローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 Download PDF

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conductive
anisotropic conductive
inspected
inspection
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    • H01R11/00Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
    • H01R11/01Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations

Definitions

  • the present invention relates to an anisotropically conductive connector suitably used for performing electrical inspection of a plurality of integrated circuits formed on a wafer in a state of a wafer, and a professional thread provided with the anisotropically conductive connector.
  • the present invention relates to a wafer member, a wafer inspection apparatus provided with the probe member, and a wafer inspection method using the probe member. More specifically, for example, a wafer having a diameter of 8 inches or more is formed on the wafer. An integrated circuit having a total number of electrodes to be inspected of 500 or more points, an anisotropically conductive connector suitably used for conducting an electrical inspection of the integrated circuit in a wafer state, The present invention relates to a wafer inspection / evacuation device provided with this probe member as well as a probe member provided with a conductive member, and a wafer inspection method using this probe member. Background technology
  • a semiconductor integrated circuit device In the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device, many integrated circuits are formed on a wafer made of, for example, silicon, and then each of these integrated circuits is inspected for basic electrical characteristics to have a defect. Probe testing power to screen integrated circuits is performed. Next, semiconductor chips are formed by cutting the wafer, and the semiconductor chips are housed in an appropriate package and sealed. Further, for each of the packaged semiconductor integrated circuit devices, a burn-in test for selecting a semi-conductive circuit device having a potential defect is performed by inspecting an electric tree under high-temperature fiber.
  • a probe member is used to electrically connect each of the electrodes to be inspected in the inspection object to a tester.
  • a probe member includes an inspection circuit R in which an inspection electrode is formed according to a pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected, and an anisotropic conductive elastomer sheet disposed on the inspection circuit.
  • an anisotropically conductive elastomer sheet those having various structures are conventionally known.
  • the following prior art document 1 discloses an anisotropically conductive sheet obtained by uniformly dispersing metal particles in an elastomer.
  • a conductive elastomer sheet (hereinafter, referred to as a “dispersed anisotropic conductive elastomer sheet”) is disclosed. Also, in the following prior art document 2, conductive magnetic particles are unevenly dispersed in the elastomer. By distributing, an anisotropic conductive elastomer sheet (hereinafter referred to as a “distributed anisotropic conductive elastomer”) is formed by forming a large number of conductive portions extending in the thickness direction and insulating portions that insulate them from each other.
  • Patent Document 3 below discloses an unevenly distributed anisotropic conductive elastomer sheet in which a step is formed between the surface of the conductive portion and the insulating portion.
  • the unevenly distributed anisotropic conductive 'I' raw elastomer sheet has a conductive portion formed in accordance with a pattern corresponding to a pattern of an electrode to be inspected of an integrated circuit to be inspected. Compared to a sheet, electrical connection between electrodes can be achieved with higher reliability even for an integrated circuit with a smaller arrangement pitch of the electrodes to be inspected, that is, a center-to-center distance between adjacent electrodes to be inspected.
  • those having a conductive portion formed so as to protrude from the surface of the insulating portion can obtain high conductivity with a small pressing force. , Is advantageous.
  • the anisotropic conductive elastomer sheet is flexible and easily deformable, and its handling is low.
  • the number of integrated circuit devices used for this purpose has increased due to the increase in the number of integrated circuit devices and the trend toward higher densities as the array pitch of the electrodes has become smaller with the increase in the density of electric products and the increase in wiring density. It is in. For this reason, it is becoming difficult to align and securely fix the unevenly distributed anisotropic conductive elastomer sheet when making an electrical connection of the inspection object to the electrode to be inspected.
  • a metal frame plate having an opening, and an anisotropic conductive sheet which is arranged in the opening of the frame plate and whose peripheral edge is supported by the opening edge of the frame plate, are provided.
  • An anisotropic conductive connector has been proposed (see, for example, the following prior art document 4). This anisotropic conductive connector is generally manufactured as follows.
  • a mold for forming an anisotropic conductive elastomer sheet composed of an upper mold 81 and a lower mold 85 corresponding thereto is prepared, and an opening 91 is formed in the mold.
  • a molding material in which conductive particles exhibiting magnetism are dispersed in a polymer material form which becomes an elastic polymer material by curing treatment is supplied to the region including the opening 91 and its opening edge to form the molding material layer 95.
  • the conductive particles P contained in the molding material layer 95 are It is a state dispersed in 95.
  • Each of the upper mold 81 and the lower mold 85 in the above-mentioned mold is formed on a ferromagnetic material, such as a ferromagnetic material, on a conductive layer of an anisotropic conductive elastomer sheet to be molded.
  • a plurality of ferromagnetic layers 83, 87 are formed in accordance with the pattern corresponding to the pattern of ⁇ , and the ferromagnetic layers 84, 87 are formed in places other than the places where these ferromagnetic layers 83, 87 are formed.
  • the ferromagnetic layers 83 and 87 and the nonmagnetic layers 84 and 88 form a molding surface.
  • a concave portion for forming a protruding portion on the anisotropic conductive elastomer sheet is provided. 8 4 a and 8 8 a are formed.
  • the upper die 81 and the lower die 85 are arranged so that the corresponding ferromagnetic layers 83 and 87 face each other.
  • a pair of electromagnets are arranged on the upper surface of the upper die 81 and the lower surface of the lower die 85 and actuated, whereby the ferromagnetic layer of the upper die 81 is formed in the molding material layer 95.
  • a magnetic field having a larger intensity than the other part is applied to the thickness of the molding material layer 95. Acted in the direction.
  • the conductive particles P dispersed in the molding material layer 95 become a part of the molding material layer 95 where a strong magnetic field is applied, that is, the ferromagnetic layer 83 of the upper die 81.
  • the lower mold 85 is gathered in a portion between the lower mold 85 and the ferromagnetic layer 87 and further oriented so as to be arranged in the thickness direction.
  • a curing treatment of the molding material layer 95 is performed, so that a plurality of conductive parts contained in a state where the conductive elements P are aligned in the thickness direction are insulated from each other.
  • anisotropic conductive elastomer sheet formed with a protruding portion where the conductive portion protrudes from the surface of the insulating portion is formed in a state in which the peripheral edge is supported by the opening edge of the frame plate.
  • anisotropically conductive 'I 1 production connector since the anisotropically conductive elastomer first sheet is supported by the metal frame plate, easy to handle and less likely to be deformed, also positioning in advance the frame plate By forming the mark (for example, a mark), in the electrical connection work of the integrated circuit device, the alignment and the holding and fixing to the integrated circuit device can be easily performed.
  • the mark for example, a mark
  • the thermal expansion of the anisotropic conductive sheet is regulated by the frame plate. As a result, it is possible to prevent a positional deviation between the conductive portion of the sheet and the electrode to be tested of the integrated circuit device, so that a good electrical connection state is stably maintained.
  • the wafer to be inspected is a large one having a diameter of, for example, 8 inches or more, and the number of electrodes to be inspected is, for example, 500,000 or more, particularly 100,000 or more. Since the pitch of the electrodes to be inspected in each integrated circuit is extremely small, applying the above anisotropic conductive connector as a probe member for a probe test or WLBI test has the following problems. .
  • an anisotropic conductive connector with an anisotropic conductive elastomer sheet with a diameter of about 8 inches. Is required.
  • an anisotropic conductive elastomer sheet has a large overall area, but each conductive portion is fine, and the surface area of the conductive portion occupying the surface of the anisotropic conductive elastomer sheet is large. Since the ratio is small, it is extremely difficult to reliably manufacture the anisotropic conductive elastomer sheet.
  • the conductive portion to be formed is fine and has a very small pitch, it is difficult to reliably manufacture an anisotropic conductive elastomer sheet having required insulation between the conductive portions to be formed. . This is thought to be due to the following reasons.
  • a magnetic material having a strength distribution is formed with respect to a molding material layer in which conductive particles exhibiting magnetism are dispersed in a high-substance material.
  • a portion where the conductive particles are gathered and dense and a portion where the conductive particles are sparse are formed, and a curing process is performed on the molding material layer, thereby A conductive portion densely containing conductive particles and an insulating portion containing no or almost no conductive particles are formed.
  • the above-mentioned mold is used to form a molding material layer. Even when a magnetic field having an intensity distribution is applied, the magnetic field generated by the adjacent ferromagnetic layer affects the conductive particles, so that it is difficult to aggregate the conductive particles in a desired portion. In particular, when manufacturing an anisotropic conductive elastomer sheet having a protruding portion, the conductive particles are prevented from moving in the lateral direction by the recesses formed on the molding surface of the mold. Becomes more difficult to assemble into the intended part.
  • the conductive portion is not filled with a required amount of conductive particles, which not only reduces the conductivity of the conductive portion but also reduces the conductivity of the insulating portion. Since the particle force S remains, the electric resistance value between the adjacent conductive portions decreases, and it becomes difficult to secure required insulation between adjacent conductive portions.
  • the operation of pressing the protruding electrode, which is the electrode to be inspected, on the wafer to be inspected against the conductive portion of the anisotropic conductive elastomer sheet is repeated, so that the protruding portion in the conductor is quickly formed. Since the conductive portion is crushed and permanently deformed, stable electrical connection between the conductive portion and the subject cannot be obtained.
  • a first object of the present invention is to form a wafer to be inspected having a large area with a diameter of, for example, 8 inches or more. Even if the pitch of the electrodes to be tested in the integrated circuit is small, the alignment and the holding and fixing with respect to the wafer can be easily performed, and all the conductive portions for connection have good conductivity. Anisotropy conductive connectors that reliably provide insulation between the conductive parts for connection and that maintain good conductivity for a long time even at the age of repeated use. 3 ⁇ 4 ⁇ to do.
  • a second object of the present invention is to provide, in addition to the above objects, an anisotropically conductive connector capable of obtaining good conductivity in a connecting conductive portion even when pressurized with a small load. .
  • a third object of the present invention is to provide, in addition to the above objects, an anisotropic conductive material capable of stably maintaining a good electrical connection state against environmental changes such as thermal damage caused by temperature changes. It's about making connectors.
  • a fourth object of the present invention is to provide a semiconductor device having a large area of, for example, a diameter of 8 inches or more and a small pitch of a skin inspection ⁇ 3 ⁇ 4 in a formed integrated circuit.
  • the positioning and holding and fixing of the wafer can be easily performed, and the connection reliability to each of the electrodes to be inspected is high, and the good conductivity is maintained for a long time even when used repeatedly.
  • the purpose of the present invention is to provide a probe member.
  • a fifth object of the present invention is to carry out a probe test on an integrated circuit formed on a wafer having a diameter of 8 inches or 12 inches with a high degree of integration. And a probe member.
  • a sixth object of the present invention is to conduct an electrical test on an integrated circuit having a protruding electrode formed on a large-area wafer with a high degree of integration, and to achieve a high and anisotropic conductive property in repeated use.
  • the purpose is to consider the flexible connector and the probe member.
  • a seventh object of the present invention is to eliminate a wafer inspection apparatus and a wafer inspection method for performing electrical inspection of a plurality of integrated circuits formed on a wafer in a wafer state using the above-described probe member. It is to be.
  • the anisotropic conductive connector according to the present invention is an elastic anisotropic conductive connector having a functional part in which a plurality of connection conductive parts containing conductive particle force S and extending in a thickness direction are arranged in a state in which they are insulated from each other by an insulating part.
  • an anisotropic conductive 'I raw connector comprising a conductive film
  • the ratio (T 2 / T 1) is 0.9.
  • the above conditions are regarded as the city floor.
  • anisotropic conductive connector of the present invention provides an anisotropic conductive connector used for performing an electrical inspection of the integrated circuit in a wafer state for each of a plurality of integrated circuits formed on the wafer.
  • Each of the self-elastic anisotropic conductors is arranged in a thickness direction in which conductive particles exhibiting magnetism are densely arranged and arranged corresponding to the electrodes to be inspected in the integrated circuit formed on the wafer as the inspection fiber.
  • a functional portion having a plurality of extending connection conductors and an insulating portion for insulating these connection conductive portions from each other;
  • the ratio (T2 / T1) is 0. It is characterized by being 9 or more.
  • each functional portion of the elastic anisotropic conductive film is a flat surface.
  • each functional part of the elastic anisotropic conductive film is formed such that at least one flat surface protrudes from the other part
  • the ratio S1 / the force S is such that S2 is between 0.001 and 0.3.
  • the linear thermal expansion coefficient of the frame plate is less than 3 XI 0- 5 / K.
  • the probe member of the present invention is a probe member used for performing an electrical inspection of the integrated circuit in a state of a wafer with respect to each of a plurality of integrated circuits formed on the wafer.
  • An inspection circuit having an inspection electrode formed on the surface thereof in accordance with a pattern corresponding to a pattern of an electrode to be inspected in an integrated circuit formed on a certain wafer, and an anisotropic having the above-mentioned frame plate disposed on the surface of the inspection circuit. It is specially equipped with a conductive connector.
  • the anisotropic conductive line of the frame plate in the connector Netsu ⁇ number is less than 3 X 1 0- 5 ⁇ , linear thermal Rise number hunch anti material constituting the inspection circuit ⁇ 3 Is preferably 3 ⁇ 10 15 ⁇ or less.
  • the anisotropic conductive film (4) includes an insulating sheet, a plurality of insulating sheets extending through the insulating sheet in the thickness direction, and arranged in accordance with a pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected.
  • a sheet-like connector composed of the above-mentioned structure may be arranged.
  • the wafer detection device of the present invention is a wafer detection device for performing electrical inspection of each of a plurality of integrated circuits formed on a wafer in a wafer state.
  • a wafer inspection method includes: electrically connecting each of a plurality of integrated circuits formed on a wafer to a tester through the above-described prop member; and electrically inspecting the integrated circuits formed on the wafer. Let's say ⁇ . The invention's effect
  • the elastic anisotropic conductive film is formed with a holding portion around the periphery of the functional portion having the connecting conductive portion. Since it is fixed to the periphery of the hole for locating the anisotropic conductive film on the frame plate, it is difficult to deform and easy to handle. Inspection 3 ⁇ 4 ⁇ Alignment and holding and fixing to the wafer in the electrical connection work with the wafer Can be performed easily.
  • the mold used in forming the elastic anisotropic conductive film has a flat shape. It has a molding surface or a molding surface with a small depth of the recess, and when a magnetic field is applied to the molding material layer, the movement of the conductive particles is not hindered, and the conductive particles The conductive particles can be easily collected in the portion to be the conductive portion for connection, with little remaining in the portion to be the insulating portion in the molding material layer. As a result, good conductivity is obtained for all of the formed conductive portions for connection, and sufficient insulation between the adjacent conductive portions for connection is reliably obtained.
  • the wafer to be inspected has a projection-like inspection target. Even with an electrode, it is possible to avoid or suppress the permanent deformation due to the crushing of the protruding portion in the conductive portion for connection, so that high durability in repeated use is obtained.
  • the flat surface of the functional part is formed so as to protrude from the other part, and the ratio of the area of one surface of the functional part to the area of the surface of the wafer to be inspected is in a specific range.
  • the anisotropic conductive connector when pressed in the thickness direction, its load force acts only on the S function part. Is surely obtained.
  • each of the holes for anisotropically conducting self-replacement of the frame plate is formed corresponding to the electrode region where the electrode to be inspected of the integrated circuit on the wafer to be inspected is formed. Since the elastic anisotropic conductive film disposed in each of the holes may have a small area, it is easy to form individual elastic anisotropic conductive films. Moreover, since the elastic anisotropic conductive material having a small area has a small absolute amount of stretching in the surface direction of the elastic anisotropic conductive film even when subjected to heat, the linear thermal expansion material is used as a material for forming the frame plate. By using a small number, the thermal expansion in the plane direction of the elastic anisotropic conductor I is reliably restricted by the frame plate. Therefore, even when performing a WLBI test on a large-area wafer, a good electrical connection state can be stably maintained.
  • the position alignment with respect to the said wafer can be easily performed in the electrical connection with the wafer to be inspected, and it has a protruding electrode. Inspection of a wafer on which an integrated circuit is formed can maintain required conductivity '14 for a long period of time even after repeated use.
  • the wafer detection / evacuation method electrical connection to the electrode to be inspected of the wafer to be inspected is achieved via the above-described probe member. Even if the pitch is small, alignment and holding and fixing with respect to the wafer can be easily performed, and the wafer on which the integrated circuit having the protruding electrodes is formed is subjected to repeated inspection. In particular, the required electrical inspection can be performed stably over a long period of time.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of the anisotropic conductive connector according to the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged plan view showing a part of the anisotropic conductive connector shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged plan view showing an elastic anisotropic conductive film in the anisotropic conductive connector shown in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged view of the elastic anisotropic conductive film in the anisotropic conductive connector shown in FIG. FIG.
  • FIG. 5 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a molding material is applied to a mold for molding an elastic anisotropically conductive sickle to form a molding material layer.
  • FIG. 6 is an explanatory cross-sectional view showing a part of a mold for elastic anisotropic conductive molding in an enlarged manner.
  • FIG. 7 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a frame plate is disposed between the upper mold and the lower mold of FIG. 5 via a spacer.
  • FIG. 8 is an explanatory cross-sectional view showing a state where a molding material layer of a desired form is formed between an upper mold and a lower mold of a mold.
  • FIG. 9 is an explanatory sectional view showing the molding material layer shown in FIG. 8 in an enlarged manner.
  • FIG. 10 is an explanatory sectional view showing a state in which a magnetic field having an intensity distribution in the thickness direction is formed on the molding material layer shown in FIG.
  • FIG. 11 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of an example of a wafer inspection apparatus according to the present invention.
  • FIG. 12 is an explanatory cross-section showing a configuration of a main part of a probe member in the wafer inspection apparatus shown in FIG. FIG.
  • FIG. 13 is an explanatory sectional view showing the configuration of another example of the wafer inspection apparatus according to the present invention.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view for illustrating a configuration of a main part of a probe member in the wafer inspection apparatus shown in FIG.
  • FIG. 15 is an enlarged plan view showing an elastic anisotropic conductor in another example of the anisotropic conductive connector according to the present invention.
  • FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view illustrating an elastic anisotropic guide in another example of the anisotropic conductive connector according to the present invention.
  • FIG. 17 is an enlarged plan view showing an elastic anisotropic conductor in still another example of the anisotropic conductive connector according to the present invention.
  • FIG. 18 is a sectional view for illustrating the configuration of still another example of the wafer inspection apparatus according to the present invention.
  • FIG. 19 is a sectional view for illustrating the structure of a main part of a probe member in the wafer inspection apparatus shown in FIG.
  • FIG. 20 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of a wafer inspection for inspecting a wafer having a protruding electrode.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view for illustrating a configuration of a main part of a probe member in the wafer detection device shown in FIG.
  • FIG. 22 is a magnified plan view showing the anisotropic conductive msi in still another example of the anisotropic conductive connector according to the present invention.
  • FIG. 23 is a top view of the evaluation wafer used in the example.
  • FIG. 24 is an explanatory diagram showing the position of the test electrode region of the integrated circuit formed on the wafer shown in FIG.
  • FIG. 25 is an explanatory diagram showing the electrodes to be inspected of the integrated circuit formed on the evaluation wafer shown in FIG.
  • FIG. 26 is a top view of the frame plate manufactured in the example.
  • FIG. 27 is an explanatory diagram showing a part of the frame plate shown in FIG. 26 in an enlarged manner.
  • FIG. 28 is an explanatory diagram showing, on an enlarged scale, the molding surface of the mold manufactured in the example.
  • FIG. 30 is an enlarged explanatory view showing a molding surface of a mold for elastic anisotropic conductive molding used for obtaining a comparative anisotropically conductive connector.
  • FIG. 31 is an explanatory cross-sectional view showing a state where a frame plate is arranged in a mold and a molding material layer is formed in a process of manufacturing a conventional anisotropic conductive connector.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of the anisotropic conductive connector according to the present invention
  • FIG. 2 is a plan view showing an enlarged part of the anisotropic conductive connector shown in FIG. 1
  • FIG. Fig. 4 is an enlarged plan view showing an elastic anisotropic conductive film in the anisotropic conductive connector shown in Fig. 4
  • Fig. 4 is an enlarged view showing an ascending conductive anisotropic conductive film in the anisotropic conductive connector shown in Fig. 1
  • FIG. 1 is a sectional view for explanation.
  • the anisotropic conductive connector shown in FIG. 1 is used, for example, for performing an electrical inspection of each integrated circuit on a wafer on which a plurality of integrated circuits are formed in a wafer state. As shown, a plurality of holes for disposing anisotropic conductive film each extending through the thickness direction 1 1
  • the anisotropic conductive film arranging holes 11 of the frame plate 10 are formed in correspondence with the pattern of the electrode region where the electrodes to be inspected of the integrated circuit on the wafer to be inspected are formed.
  • an elastic anisotropic conductive film 20 having conductivity in the thickness direction is provided for the anisotropic conductive self-placement of the frame plate 10. It is arranged so as to be supported by the periphery of the hole 11 and independent of the adjacent elastic anisotropic conductive film 20.
  • the frame plate 10 in this example employs a pressurizing means of the type described in the later-described wafer inspection apparatus; in ⁇ , the air between the anisotropic conductive connector and the member separated therefrom is used.
  • An air circulation hole 15 is formed for circulating the wafer, and a positioning hole 16 for positioning the wafer to be inspected and the circuit board for inspection is formed.
  • the elastic anisotropic conductive material SIt20 is formed of an elastic polymer material, and as shown in FIG. 3, a plurality of connecting conductive portions 22 extending in a thickness direction (a direction perpendicular to the paper surface in FIG. 3).
  • a functional part 21 is formed around each of the conductive parts 22 for connection, and is composed of an insulating part 23 that insulates each of the conductive parts 22 for connection from each other. It is arranged so as to be located in the anisotropic conductive contact hole 11 of the frame plate 10.
  • the transferable conductive part 22 in the functional part 21 is arranged according to a pattern corresponding to a pattern of an electrode to be inspected of an integrated circuit on a wafer to be inspected, and is electrically connected to the electrode to be inspected in the inspection of the wafer. It is connected to.
  • a holding part 25 fixedly supported at the periphery of the anisotropic conductive self-replacement hole 11 in the frame plate 10 is integrally continuous with the functional part 21. Is formed. More specifically, the holding portion 25 in this example is formed in a bifurcated shape, and is closely attached so as to grip the periphery of the anisotropic conductive self-replacement hole 11 in the frame plate 10. It is fixedly supported in the state.
  • the conductive portion 22 for connection in the functional portion 21 of the Tosei Anisotropic Conductor 20 contains densely conductive particles P exhibiting magnetism oriented in the thickness direction. I have.
  • the insulating portion 23 contains no or almost no conductive particles P. In this example, the conductive portion P is contained in the retaining portion 25 of the elastic anisotropic conductive film 20.
  • the thickness of the connecting conductive part 22 in the functional part 21 of the elastic anisotropic conductive fiber 20 is defined as T1
  • the thickness of the insulating part 23 in the functional part 21 is defined as T1.
  • T 2 the ratio (T 2 / T 1) of the thickness of the insulating portion 23 to the thickness of the connecting conductive portion 22 is set to 0.9 or more, and preferably 0.92 to 1.2.
  • the functional portion 21 of the elastic anisotropic conductive film 20 has flat surfaces on both sides, and the ratio of the thickness of the insulating portion 23 to the thickness of the connecting conductive portion 22 (T 2 / T 1) is 1.
  • the ratio (T 2 / T 1) is 1 ⁇ , because the yield is improved in the production of the anisotropic conductive connector, and even if the electrode to be inspected has a projection shape, It is particularly preferable because the deformation of the conductive portion suppresses an increase in the electrical resistance of the connecting conductive portion, and the durability in repeated use is further improved.
  • the ratio (T 2 / T 1) is too small, the strength of the molding material layer can be reduced by applying a magnetic field having a strength distribution to the molding material layer in forming the anisotropic conductive layer 20. It becomes difficult for the conductive particles to be gathered at the portion that should become the conductive portion 22 for connection, and the electrical resistance of the conductive portion 22 for connection obtained becomes higher, and the electrical resistance between adjacent conductive portions 22 for connection increases. Drops low.
  • each functional part 21 of the elastic anisotropic conductive film 20 has a thickness larger than the thickness of the holding part 25, and each functional part 21 The other surface force S is formed so as to protrude from the supported portion 25.
  • the total area of one surface of the functional portion 21 of all the elastic anisotropic conductive fibers 20 is defined as S1, and the sum of the areas on the side of the wafer to be inspected on which the electrodes to be inspected are formed.
  • the ratio S 1 SS 2 is preferably from 0.001 to 0.3, and more preferably from 0.02 to 0.2.
  • each functional part 21 of the elastic anisotropic conductive film 20 is inspected when the anisotropic conductive connector is released from the pressurized state.
  • Each of the elastic anisotropic mii2o remains in a compressed state due to the self-weight of the application circuit or due to the tackiness of the elastic anisotropic mii20 itself, and it is difficult to restore the original shape. May be As a result, the durability due to repeated use of the elastic anisotropic conductive film 20 may be significantly reduced.
  • the ratio S 1 / S 2 is excessively large, the anisotropic conductive connector must be loaded with a considerably large load to achieve electrical connection to the wafer to be inspected.
  • the thickness of the frame plate 10 varies depending on its material, but is preferably 20 to 6006in, more preferably 40 to 400 zm.
  • the thickness is less than 20 m, the strength required for using the anisotropic conductive connector cannot be obtained, the durability tends to be low, and the shape of the frame plate 10 is maintained. Oka IJ property cannot be obtained to the extent that it is maintained, and the handleability of the anisotropic conductive connector is low.
  • the thickness exceeds 600 ⁇ ⁇ , the elastic anisotropic conductive film 20 formed in the anisotropic conductive arrangement hole 11 becomes too thick, In some cases, it may be difficult to obtain good conductivity in the conductive portion 22 for connection and insulation between adjacent conductive portions 22 for connection.
  • the shape and dimensions of the frame plate 10 in the plane direction in the holes 11 for anisotropic conduction arrangement are designed according to the dimensions of the electrodes to be inspected and the pitch pattern of the wafer to be inspected.
  • the material constituting the frame plate 10 is not particularly limited as long as the frame plate 10 does not easily deform and has an extent I ⁇ such that the shape is stably maintained. Various materials such as materials, ceramic materials, and resin materials can be used. In addition, when the frame plate 10 is made of, for example, a metal material, the surface of the frame plate 10 may be formed with an insulating material.
  • the metal material constituting the frame plate 10 include iron, copper, nickel, chromium, cobalt, magnesium, manganese, molybdenum, indium, lead, palladium, titanium, tungsten, aluminum, gold, platinum, silver, and the like. Metal or an alloy or alloy steel obtained by combining two or more of these metals.
  • the resin material constituting the frame plate 10 include a liquid crystal polymer and a polyimide resin. And the like.
  • the frame plate 10 is at least anisotropically arranged in that the conductive particles P can be contained in the supported portion 25 of the elastic anisotropically conductive member 20 by a method described later. It is preferable that the peripheral portion of the hole 11, that is, the portion supporting the elastic anisotropic conductive film 20 shows magnetism, specifically, the saturation magnetization thereof is 0.1 Wb / m 2 or more, particularly However, it is preferable that the entire frame plate 10 be made of a magnetic material in that the frame plate 10 can be easily manufactured.
  • magnétique material constituting such a frame plate 10 include iron, nickel, colpart, alloys of these magnetic metals, alloys of these magnetic metals with other metals, and alloys.
  • a material having a linear thermal expansion of 3 ⁇ 10 15 / K or less as a material constituting the frame plate 10.
  • a material having a linear thermal expansion of 3 ⁇ 10 15 / K or less as a material constituting the frame plate 10.
  • Such a material include an imper type alloy such as an imper, an elinper type alloy such as an elimper, an alloy of a magnetic metal such as Super Invar, Copanoré, a 42 alloy, and a composite HI.
  • the thickness of the functional portion 21 of the elastic anisotropic conductive film 20 is preferably 40 to 300 m, more preferably 50 to 250 m, and particularly preferably 70 to 200 m. 0 m.
  • the thickness is 40 or more, the elastic anisotropic conductor 20 having sufficient strength can be reliably obtained.
  • the thickness is not more than 30000 / 0 ⁇ , the connecting conductive portion 22 having the required conductive characteristics can be reliably obtained.
  • the thickness of the supported portion 25 (one thickness of the forked portion in the illustrated example) is preferably 5 to 600 m, and more preferably 10 to 500111.
  • the supported portion 25 is formed in a forked shape and fixed to both surfaces of the frame plate 10, but may be fixed to only one surface of the frame plate 10.
  • a heat resistant high molecular substance having a crosslinked structure is preferable.
  • Various types of curable high molecular weight materials that can be used to obtain a crosslinked high molecular weight material can be used. preferable.
  • the liquid silicone rubber may be a sticky type or a condensation type, but is preferably an addition type liquid silicone rubber. This additional type! ⁇ Silicone rubber is composed of Bier group and Si—
  • One-pack type consisting of a polysiloxane containing both vinylinole groups and Si—H bonds, which cures by reaction with H bonds, and a polysiloxane containing bullet groups.
  • a polysiloxane containing both vinylinole groups and Si—H bonds which cures by reaction with H bonds
  • a polysiloxane containing bullet groups there is a two-component type (two-component type) composed of siloxane and a polysiloxane containing a Si—H bond
  • addition-type liquid silicone rubber those having a viscosity at 23 ° C. of preferably 1 to 1,250 Pa ⁇ s, more preferably 150 to 800 Pa ⁇ s, are used. s, particularly preferably 250 to 500 Pa ⁇ s.
  • the viscosity is less than 10 OPa ⁇ s, the conductive particles in the additional liquid silicone rubber are likely to settle in the molding material for obtaining the elastic anisotropic conductive film 20 described below, which is favorable.
  • a magnetic field is applied to the molding material layer, the conductive particles are not aligned so as to be aligned in the thickness direction, and a chain of conductive particles is formed in a uniform state. Can be difficult to do.
  • the obtained molding material has a high viscosity, so that it may be difficult to form a molding material layer in the mold.
  • the conductive particles do not move sufficiently, so that it may be difficult to orient the conductive particles so as to be aligned in the thickness direction.
  • the viscosity of such an addition type liquid silicone rubber can be measured by a B-type viscometer.
  • the elastic anisotropic conductive film 20 is formed of a cured product of liquid silicone rubber (hereinafter, referred to as “silicone rubber cured product”)
  • the cured silicone rubber has a compression set at 150 ° C. It is preferably at most 10%, more preferably at most 8%, further preferably at most 6%. If the compression set exceeds 10% ⁇ , when the obtained anisotropic conductive connector is used repeatedly in a high-temperature environment, the chain of conductive particles in the conductive portion 22 for connection is disturbed. It is difficult to maintain the conductivity of the metal.
  • the compression set of the cured silicone rubber should be JISK 6249 It can be measured by the method.
  • the cured silicone rubber forming the elastic anisotropic conductive film 20 preferably has a durometer A hardness at 23 ° C. of 10 to 60, more preferably 15 to 60. Particularly preferably, it is 20 to 60. If the durometer A hardness is less than 10, the insulating portion 23 that insulates the connecting conductive portions 22 from each other is easily excessively deformed when pressurized, and the required distance between the connecting conductive portions 22 is increased. In some cases, it may be difficult to maintain the insulating properties of the steel.
  • the durometer A hardness of the cured silicone rubber can be measured by a method in accordance with JIS K 6249.
  • the silicone rubber cured product forming the elastic anisotropic conductive film 20 is No. 23.
  • the tear strength in C is preferably 8 kN / m or more, more preferably 10 kN / m or more, more preferably 15 kNZm or more, and particularly preferably 20 kNZm or more. It is. When the tear strength is less than 8 kNZm, the durability tends to decrease when the elastic anisotropic conductive film 20 is given excessive strain.
  • the tear strength of the cured silicone rubber can be measured by the method described in JIS K 6249.
  • Shin-Etsu Chemical's liquid silicone rubber KE200 series, KE195 series, and KE190 series have been added as liquid silicone rubbers with these characteristics. Can be used.
  • an appropriate curing catalyst can be used to cure the addition-type liquid silicone rubber.
  • Platinum-based ones can be used as such a hardcore hornworm medium, and specific examples thereof include chloroplatinic acid and its salts, platinum-monounsaturated group-containing siloxane complexes, and Burr.
  • Complex of siloxane with platinum, complex of platinum with 1,3-dibutyltetramethylresin siloxane, complex of trionoreganophosphine or phosphite and platinum, acetinoleate acetate platinum chelate, cyclic gen and platinum Mouthpieces such as Complex.
  • the amount of curing catalyst used is appropriately selected in consideration of the type of curing catalyst and other curing processes. Usually, the amount is 3 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the addition type liquid silicone rubber.
  • the addition-type liquid silicone rubber has the object of improving the thixotropy of the addition-type liquid silicone rubber, adjusting the viscosity, improving the conductive stability of the liquid silicone rubber (or improving the dispersion stability of the standing particles, or obtaining a high strength resin). If necessary, inorganic fillers such as ordinary silica powder, colloidal silica, airgel silica, and alumina can be contained.
  • the amount of such an inorganic filler used is not particularly limited, but if used in large amounts,
  • the number average particle diameter of the conductive particles P is preferably 3 to 30 / ⁇ 1, more preferably 6 to 3. 3D at 15 zm.
  • the ratio of the weight average particle diameter to the number average particle diameter DwZD n (hereinafter simply referred to as It is preferable to use those having a ratio of D w / D n of 5 or less, more preferably those having a ratio of D w / D n of 3 or less. By using such conductive particles, required insulation between the adjacent conductive portions for connection 22 can be more reliably obtained.
  • the average particle size of the unestablished particles refers to a value measured by a laser diffraction method.
  • the conductive particles P preferably have a particle diameter variation coefficient of 50% or less, more preferably 35% or less.
  • the coefficient of variation of the particle diameter is determined by the equation: ( ⁇ / D n) X I 0 0 (where ⁇ indicates the value of the standard deviation of the particle diameter).
  • the shape of the conductive particles ⁇ is not particularly limited. However, since the conductive particles can be easily dispersed in the polymer material-shaped thigh, they are spherical, star-shaped, or both. Preferably, it is a lump of secondary particles.
  • the conductive particles it is preferable to use particles formed by coating a highly conductive metal on the surface of a magnetic particle (hereinafter, also referred to as “magnetic core particle”).
  • highly conductive tenso metal means that the conductivity at 0 ° C is 5 X 10 6 ⁇ - 1 m- 1 or more.
  • the material constituting the magnetic particles, iron, nickel, cobalt, these metals copper, etc. can be used after coating tree butter, what the saturation magnetization of 0. l Wb / m 2 or more preferably can be used, more preferably 0. 3WbZm 2 or more, particularly good Mashiku be of 0. 5Wb "m 2 or more, specifically, include iron, nickel, cobalt or their alloys Of these, nickele is preferred.
  • this saturation magnetization is 0.1 lWb Zm 2 or more, the conductive particles P can be easily moved in the molding material layer for forming the elastic anisotropic conductor 120 by the method described later, Accordingly, the conductive particles P can be reliably moved to a portion serving as the conductive portion for connection in the molding material layer, and a chain of the conductive particles P can be formed.
  • Gold, silver, rhodium, platinum, chromium, and the like can be used as the highly conductive metal that coats the magnetic rod.
  • gold is used because it is chemically stable and has a strong and high conductivity. Is preferred.
  • the conductive particles P may include a ratio of the highly conductive metal to the core particles [(mass of highly conductive metal Z mass of core particles) XI 0 0] is preferably 15% by mass or more, more preferably 25 to 35% by mass.
  • the water content of the conductive particles P is preferably 5% or less, more preferably Is at most 3%, more preferably at most 2%, particularly preferably at most 1%.
  • Such a conductive elephant P can be obtained, for example, by the following method.
  • ferromagnetic material is converted into particles by a conventional method, or commercially available ferromagnetic particles are prepared, and the particles are subjected to classification if necessary.
  • the classification process of the particles can be performed by a separating device such as an air blowing device or a sonic sieve device.
  • specific conditions of the classification process are appropriately set according to the target magnetism: the number average particle diameter of S particles, the type of the apparatus, and the like.
  • the surface of the magnetic core particles is treated with an acid, and further treated with pure water, for example.
  • impurities such as dirt, foreign matter, and oxide film present on the surface of the magnetic core particles, and then coating the surface of the magnetic particles with a highly conductive metal, a conductive material exhibiting magnetism can be obtained. »Child is obtained.
  • examples of the acid used for treating the surface of the magnetic core particles include hydrochloric acid.
  • an electroless plating method, a substitution plating method, or the like can be used, but it is not limited to these methods.
  • a slurry is prepared by adding acid-treated and treated magnetic particles to a plating solution.
  • An electroless plating or a replacement plating is performed on the magnetic core particles while stirring.
  • the particles in the slurry are separated from the plating solution, and then the particles are washed with pure water, for example, to obtain conductive particles having the surface of the magnetic core particles coated with a high conductive metal force S.
  • a plating layer made of a highly conductive metal may be formed on the surface of the base plating layer.
  • the method of forming the plating layer on the surface of the base plating layer is not particularly limited, but the plating plating layer is formed on the surface of the magnetic core particles by an electroless plating method, and then the substitution plating is performed. It is preferable to form a plating layer made of a highly conductive metal on the surface of the base plating layer by the method.
  • the plating liquid used for the electroless plating or the replacement plating is not particularly limited, and various commercially available plating liquids can be used.
  • the conductive particles obtained in this way are subjected to a classification treatment so as to have the above particle size and particle size distribution.
  • conductive particles As the dispersing device, those exemplified as the dispersing device used for the above-mentioned dispersing treatment of the magnetic core particles can be used, but it is preferable to use at least an air dispersing device. By classifying the conductive particles with an air classifier, the conductive particles having the above particle diameter and particle diameter distribution can be reliably obtained.
  • the conductive particles P may be treated with a coupling agent such as a silane coupling agent, if necessary.
  • a coupling agent such as a silane coupling agent
  • the amount of the coupling agent used is appropriately selected within a range that does not affect the conductivity of the conductive particles P.
  • the coverage of the coupling agent on the surface of the conductive particles P (the amount of the coupling agent relative to the surface area of the conductive core particles) (The ratio of the coating area of the ring agent) is preferably 5% or more, more preferably 7 to 100%, more preferably 10 to 100%, and particularly preferably. Or 20 to 100%.
  • the content ratio of the conductive part 1 in the fiber conductive part 22 of the functional part 21 may be 10 to 60%, preferably 15 to 50% in volume fraction. I like it. If the ratio is less than 10%, the connection conductive portion 22 having a sufficiently small electric resistance may not be obtained. On the other hand, when this ratio exceeds 60%, the obtained conductive portion 22 for connection tends to be fragile, and the elasticity required for the conductive portion 22 for connection may not be obtained.
  • the content ratio of the conductive particles P in the retaining portion 25 differs depending on the content ratio of the conductive particles in the molding material for forming the elastic anisotropic conductive film 20. Forming in that the outermost connecting conductor 1522 of the connecting conductors 22 in the conductive film 20 is reliably prevented from containing an excessive amount of conductive particles P.
  • the content ratio of the conductive particles in the material is preferably equal to or more than that, and the volume fraction is preferably 30% or less in that a supported portion 25 having sufficient strength is obtained. I like it.
  • the anisotropically conductive raw connector can be manufactured, for example, as follows. First, a frame plate 10 made of a magnetic metal and having anisotropic conductive film placement holes 11 formed thereon corresponding to the pattern of the electrode region where the electrodes to be inspected of the integrated circuit in the wafer to be inspected is formed. .
  • a method for forming the anisotropic conductive arrangement hole 11 of the frame plate 10 for example, an etching method or the like can be used as a method for forming the anisotropic conductive arrangement hole 11 of the frame plate 10.
  • a molding material for an elastic anisotropic conductive film in which conductive particles exhibiting magnetism are dispersed in an addition type liquid silicone rubber is prepared.
  • a mold 60 for forming an elastic anisotropic conductive film is prepared, and the molding surfaces of the upper mold 61 and the lower mold 65 in the mold 60 are A molding material for the elastic anisotropic conductive film is applied according to a required pattern, that is, an arrangement pattern of the elastic anisotropic conductive film to be formed, thereby forming a molding material layer 20 #.
  • the mold 60 is configured such that an upper mold 61 and a lower mold 65 that is a pair thereof are arranged to face each other.
  • the draft of the fiber 62 and the arrangement pattern of the contacting conductive portions 22 of the elastic anisotropic conductive film 20 to be formed are not opposite to each other.
  • a ferromagnetic layer 63 is formed in accordance with the pattern, and other than the ferromagnetic layer 63, a roaring body layer 64 is formed.
  • the molding surface is formed by the layer 64.
  • a ferromagnetic layer 67 is formed on the upper surface of the substrate 66 according to the same pattern as the arrangement pattern of the connecting conductive portions 22 of the elastic anisotropic door 20 to be formed.
  • a hard layer 68 is formed in a portion other than the ferromagnetic layer 67, and a molding surface is formed by the ferromagnetic layer 67 and the non-magnetic layer 68. I have.
  • a concave part 64 a is formed on each molding surface of the upper die 61 and the lower die 65. 6 8a is formed.
  • 3 ⁇ 4K 62 and 66 in each of the upper mold 61 and the lower mold 65 be made of a ferromagnetic material.
  • a ferromagnetic material include iron, iron Ferromagnetic metals such as nickel alloys, iron-cobalt alloys, nickel, and copartes.
  • the substrates 62, 66 preferably have a thickness of 0.1 to 50 mm, have a smooth surface, are chemically degreased, and are polished. Is preferred.
  • Examples of the material constituting the ferromagnetic layers 63 and 67 in each of the upper mold 61 and the lower mold 65 include iron, iron-nickel alloy, iron-cobalt alloy, Eckel, and cobalt. Can be used. It is preferable that the ferromagnetic layers 63 and 67 have a thickness of 10 m or more. When the thickness is 10 m or more, a magnetic field having a sufficient intensity distribution can be applied to the molding material layer 20 A, and as a result, the conductive material for connection in the molding material layer 2 OA can be obtained. The conductive particles can be gathered at a high density in the portion to be the portion 22, and the connecting conductive portion 22 having good conductivity can be obtained.
  • the non-magnetic material layers 64 and 68 of the upper mold 61 and the lower mold 65 may be made of a non-magnetic metal such as copper, a polymer material having heat resistance, or the like.
  • a polymer material cured by a wave can be preferably used in that the material layers 64 and 68 can be easily formed by a method of photolithography.
  • a photoresist such as an acrylic dry film resist, an epoxy liquid resist, or a polyimide liquid resist can be used.
  • the method of applying the molding material to the molding surfaces of the upper mold 61 and the lower mold 65 is screen printing. 4 001550
  • the 25 method it is possible to apply the molding material according to a required pattern, and it is possible to apply an appropriate amount of the molding material.
  • the frame plate 10 is positioned and arranged via the spacers 69 a on the molding surface of the lower mold 65 on which the molding material layer 2 OA is formed.
  • the upper mold 61 on which the molding material layer 2 OA is formed is positioned and arranged on the frame plate 10 via the spacers 69 b, and these are further superimposed.
  • the molding material layer 20 of the desired form (the form of the elastic anisotropic conductor II 20 to be formed) is formed.
  • A is formed.
  • the conductive material “!” P is dispersed in the entire molding material layer 20A.
  • the elastic anisotropic conductive film of the desired form can be formed.
  • the adjacent elastic anisotropic conductive films are prevented from being connected with each other, so that a large number of elastic anisotropic conductive films independent from each other can be surely formed.
  • a pair of electromagnets are arranged on the upper surface of the substrate 62 in the upper die 61 and the lower surface of the substrate 66 in the lower die 65 and actuated. Since the ferromagnetic layers 63 and 67 of FIG. 5 function as magnetic poles, the ferromagnetic layer 63 of the upper die 61 and the corresponding ferromagnetic / biological layer 67 of the lower die 65 correspond to each other. A magnetic field having a greater intensity than the surrounding area is formed. As a result, in the molding material layer 2OA, as shown in FIG.
  • the conductive raw particles P dispersed in the molding material layer 2OA become the ferromagnetic layer 63 of the upper die 61 and the The ferromagnetic layer 67 of the lower die 65 corresponding to the above is gathered at a portion serving as the connecting conductive portion 22 located between the lower die 65 and the ferromagnetic layer 67 and is oriented so as to be arranged in the thickness direction.
  • the frame plate 10 is made of a magnetic metal, a magnetic field having a larger intensity is formed between each of the upper die 61 and the lower die 65 and the frame plate 10,
  • the conductive particles P above and below the frame plate 10 in the molding material layer 2 OA are located between the ferromagnetic layer 63 of the upper mold 61 and the ferromagnetic biological layer 67 of the lower mold 65. In this case, it is held above and below the frame plate 10.
  • connection conductors 2 in which the conductive particles P are oriented in the elastic polymer material so as to be aligned in the thickness direction.
  • a functional part 21 which is arranged in a state insulated from each other by an insulating part 23 made of a polymer elastic substance with no or almost no conductive P, and a periphery of the functional part 21
  • An elastic anisotropic conductive film 20 composed of a supported portion 25 formed integrally with the elastic polymer substance and having a conductive particle P force continuously formed on the side thereof is different from the frame plate 10.
  • the holding portion 25 is fixed around the hole 11 for disposing the conductive film, and the anisotropic conductive connector is manufactured.
  • the portion to be the conductive portion for connection 22 in the molding material layer 2OA and the! ⁇ The strength of the external magnetic field applied to the portion serving as the skin support portion 25 is preferably 0.1 to 2.5 T on average.
  • the curing treatment of the molding material layer 2OA is appropriately selected depending on the material to be used, but is usually performed by heat treatment.
  • a heater may be provided on the electromagnetic stone.
  • the specific heating temperature and heating time are appropriately selected in consideration of the type of the polymer substance forming material constituting the molding material layer 2OA, the time required for the movement of the conductive particles P, and the like.
  • the elastic anisotropic guide 20 has a screw holding portion 25 formed around the periphery of the functional portion 21 having the connecting conductive portion 22. Since the support portion 25 is fixed to the periphery of the anisotropic conductive film disposing hole 11 of the frame plate 10, it is hardly deformed and easy to handle, and in the electrical connection to the wafer which is the inspection 3 ⁇ 4, Alignment with respect to the wafer and holding and fixing can be easily performed.
  • the mold used has a flat molding surface.
  • the movement of the conductive particles P is not hindered, and the conductive particles P
  • the conductive particles P can be easily aggregated in the portion to be the conductive portion 22 for connection, with almost no remaining in the portion to be the insulating portion 23 in the molding material layer 2OA. As a result, good conductivity is obtained for all of the formed conductive portions 22 and sufficient insulation between the adjacent conductive portions 22 is ensured.
  • a flat surface of the functional portion 21 in the elastic anisotropic conductive film 20 is formed so as to protrude from the mounting portion 25, and the area of the functional portion 21 on one side and a wafer for inspection
  • the ratio of the surface area to the specific area is within a specific range, when the anisotropic conductive connector is pressed in the thickness direction, the load is concentrated only on the functional part, so that it is applied with a small load. Even if it is pressed, a good conductive force S can be reliably obtained on the conductive part 22 for connection.
  • each of the anisotropic conductive arrangement holes 11 of the frame plate 10 is formed so as to correspond to the electrode area where the inspection of the integrated circuit is formed on the wafer to be inspected. Since the elastic anisotropic conductive film 20 arranged in each of the holes 11 has a small area, it is easy to form the individual elastic anisotropic conductive films 20. In addition, the elastic anisotropic conductive film 20 having a small area has a small amount of elasticity in the surface direction of the elastic anisotropic conductive film 20 even if it has been subjected to a thermal history. By using a material having a linear thermal expansion and a small number as the material, the thermal expansion in the surface direction of the elastic anisotropic conductive film 20 is reliably restricted by the frame plate. Therefore, a good electrical connection state can be stably maintained even in a WLBI test performed on a large-area wafer: ⁇ .
  • the frame plate 10 made of a ferromagnetic material, in forming the elastic anisotropic conductive film 20, for example, a magnetic field is applied to a portion to be the supported portion 25 in the molding material layer 2 OA.
  • a magnetic field is applied to a portion to be the supported portion 25 in the molding material layer 2 OA.
  • the molding material layer 20A By subjecting the molding material layer 20A to a hardening treatment in a state where the conductive particles P are still present, the portion that becomes the nail holding portion 25 in the molding material layer 20A is obtained. That is, the conductive particles P present in a portion located above and below the periphery of the anisotropically conductive hole 11 in the frame plate 10 are gathered in a portion to be the conductive portion 22 for connection.
  • the positioning holes 16 are formed in the frame plate 10, alignment with respect to a wafer to be inspected or an inspection circuit can be easily performed.
  • an air circulation hole 15 in the frame plate 10 it is possible to use a pressure reducing method as a means for pressing the probe member in a wafer inspection device described later.
  • a pressure reducing method As a means for pressing the probe member in a wafer inspection device described later.
  • the pressure inside the champer is reduced, air existing between the anisotropic conductive connector and the inspection circuit 1 is discharged through the air circulation hole 15 of the frame plate 10, whereby Since the anisotropic conductive connector and the test circuit can be securely adhered to each other, the required electrical connection can be reliably achieved.
  • FIG. 11 is an explanatory cross-sectional view schematically showing a configuration of an example of a wafer inspection apparatus using the anisotropic conductive connector according to the present invention.
  • This wafer inspection apparatus is for performing an electrical inspection of each of a plurality of integrated circuits formed on a wafer in a state of the wafer.
  • the wafer inspection apparatus shown in FIG. 11 includes a cap member 1 for electrically connecting each of the electrodes 7 to be inspected of a wafer 6 to be inspected and a tester. As shown in FIG. 12 on an enlarged scale, a plurality of inspection electrodes 3 1 force S surface (see FIG. 1) are formed on the wafer 1 according to the pattern of the electrode 7 to be inspected.
  • the lower surface of the inspection circuit board 30 is formed, and the surface of the inspection circuit board 30 is provided with an anisotropic conductive connector 2 having the configuration shown in FIGS.
  • the contact and the conductive part 22 of the conductor 0 are provided so as to be in contact with each of the detection electrodes 31 of the circuit board 30 for inspection, and the surface (the lower surface in the figure) of the anisotropic conductive connector 2
  • the sheet-like connector 40 in which a plurality of electrode structures 42 are arranged on the insulating sheet 41 according to the pattern corresponding to the pattern of the electrode 7 to be inspected on the wafer 6 to be inspected is
  • Each of the members 4 2 is connected to the elastic anisotropic conductive film 20 of the anisotropic conductive connector 2. Provided that delivers contact pairs in each of the conductive parts for connection 2 2.
  • a pressing plate 3 for pressing the prop member 1 downward is provided, and below the prop member 1.
  • a wafer mounting table 4 on which a wafer 6 to be inspected is mounted is provided, and a pressurizing plate 3 and an eno mounting table 4 are connected to a caro fiber 5 respectively.
  • various conventional board materials can be used, and specific examples thereof are glass-reinforced epoxy resin, glass «reinforced phenolic resin, glass « Composite resin materials such as reinforced polyimide resin and glass-reinforced bismaleimide triazine resin; and ceramic materials such as glass, silicon dioxide, and alumina.
  • the sheet connector 40 of the probe member 1 will be specifically described.
  • the sheet connector 40 has a flexible insulating sheet 41, and the insulating sheet 41 has the insulating property.
  • the electrode structure 4 made of a plurality of metals extending in the thickness direction of the sheet 4 1 4 2 Force The surface direction of the insulating sheet 4 1 according to the pattern corresponding to the pattern of the electrode 7 to be inspected on the wafer 6 to be inspected Are spaced apart from each other.
  • Each of the electrode structures 42 includes a protruding surface electrode portion 43 exposed on the surface (the lower surface in the figure) of the insulating sheet 41 and a plate-shaped back electrode portion exposed on the back surface of the insulating sheet 41. 4 and 4 are integrally connected to each other by a short-circuit portion 45 extending through the insulating sheet 41 in the thickness direction.
  • the insulating sheet 41 is not particularly limited as long as it is flexible and has insulating properties.
  • a resin sheet or fiber made of polyimide resin, liquid crystal polymer, polyester, fluororesin, or the like is used.
  • a sheet in which the above resin is impregnated in a knitted cloth can be used.
  • the thickness of the insulating sheet 41 is not particularly limited as long as the insulating sheet 41 is flexible, but is preferably from 10 to 50, and more preferably from 10 to 25/50. zm.
  • the electrode structure 42 may be made of a single metal as a whole. It may be made of an alloy of two or more metals, or may be made of a laminate of two or more metals.
  • the protruding height of the surface electrode portion 43 in the electrode structure 42 is 15 to 50 m in that a stable electrical connection to the test electrode 7 of the wafer 6 can be achieved. Preferably, it is more preferably 15 to 303 ⁇ .
  • the diameter of the surface electrode portion 43 is set according to the dimensions and pitch of the skin inspection electrode on the wafer 6, and is, for example, 30 to 8 O ⁇ m, preferably 30 to 80. ⁇ 50 ⁇ .
  • the diameter of the back electrode portion 44 in the ⁇ ⁇ structure 42 may be larger than the diameter of the short & 3 ⁇ 4 45 and smaller than the arrangement pitch of the electrode structures 42, but is as large as possible.
  • the thickness of the back surface electrode portion 44 is preferably 20 to 50 >> 1, more preferably 35 to 5 ⁇ m, from the viewpoint that the strength is sufficiently high and excellent repeated durability is obtained. ⁇ .
  • the diameter of the short-circuit portion 45 in the electrode structure 42 is preferably from 30 to 80 m, more preferably from 30 to 50 O / zm, from the viewpoint of obtaining sufficiently high strength.
  • the sheet connector 40 can be manufactured, for example, as follows.
  • a laminated material formed by laminating a metal layer S on the insulating sheet 41 is prepared, and the insulating sheet 41 in the laminated material is subjected to laser processing, wet etching processing, dry etching processing, or the like.
  • a plurality of through holes penetrating in the thickness direction of the insulating sheet 41 are formed according to a pattern corresponding to the pattern of the electrode structure 42 to be formed.
  • the laminated material is subjected to a photolithography process to form a short portion 45 integrally connected to the metal layer in the through hole of the insulating sheet 41, and On the surface of the insulating sheet 41, a projecting surface electrode portion 43 integrally formed with the short-circuit portion 45 is formed.
  • the metal layer in the laminated material is subjected to a photoetching treatment to remove a part of the metal layer, thereby forming a back electrode portion 44 to form an electrode structure 42, thereby forming a sheet-like connector 4. 0 is obtained.
  • a wafer 6 to be inspected is mounted on a wafer and a mounting table 4, and then the probe member 1 is pressed downward by a pressing plate 3, whereby the probe member 1 is pressed.
  • Each of the surface m portions 43 of the electrode structure 42 of the sheet-like connector 40 comes into contact with each of the test electrodes 7 of the wafer 6, and further, by the respective surface electrode portions 43, of the wafer 6.
  • Each of the inspected 3 ⁇ 43 ⁇ 4 7 is compressed.
  • 52 2 in the anisotropic conductive fiber 20 is formed by the test electrode 31 of the test circuit board 30 and the surface electrode portion 4 3 of the electrode structure 4 2 of the sheet connector 40. Then, a conductive path is formed in the connecting conductive portion 22 in the thickness direction, and as a result, the electrode 7 to be inspected on the wafer 6 and the inspection circuit 3 ⁇ 43 ⁇ 430 are inspected. An electrical connection with the electrode 31 is achieved.
  • the wafer 6 is heated to a predetermined temperature by the kneader 5 via the wafer E table 4 and the pressure plate 3, and in this state, a required electrical inspection is performed on each of the plurality of integrated circuits on the wafer 6 ⁇ ?
  • the electrical connection of the inspection target 7 of the wafer 6 to the inspection target electrode 7 is achieved via the probe member 1 having the anisotropic conductive probe as described above. Therefore, even if the pitch of the electrodes 7 to be tested is small, the positioning and the holding and fixing with respect to the wafer can be easily performed, and the anisotropic conductive connector 2 has an elastic anisotropic conductor. Since the 20 connecting conductive portions 22 have good conductivity and the insulation between the adjacent connecting conductive portions 22 is sufficiently ensured, high connection reliability to each cage to be inspected is obtained. In addition, even when the inspection is performed repeatedly, the required electrical inspection can be stably performed over a long period of time.
  • the elastic anisotropic conductive SJ3I20 in the anisotropic conductive connector 2 has a small area of its own, and even if it receives heat, its thermal expansion in the plane direction of the elastic anisotropic conductive 20 is not affected. Since the absolute amount is small, the thermal expansion in the surface direction of the elastic anisotropic conductive film 20 is surely restricted by the frame plate by using a material having a low linear heat number as a material constituting the frame plate 10. Is done. Therefore, even when performing a WLBI test on a large-area wafer, a good electrical connection state can be stably maintained.
  • FIG. 13 is an explanatory cross-sectional view schematically showing the configuration of another example of wafer detection using the anisotropically conductive connector according to the present invention.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the wafer shown in FIG.
  • FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view showing a probe member in the inspection device in an enlarged manner.
  • This wafer inspection apparatus has a box-shaped champer 50 having an open upper surface for accommodating a wafer 6 to be inspected.
  • An exhaust pipe 51 for exhausting air inside the champer 50 is provided on a side wall of the champer 50.
  • the exhaust pipe 51 is provided with an exhaust device (eg, an empty pump). (Not shown) are connected.
  • the probe member 1 having the configuration is arranged so as to close the opening of the champion 50 with ⁇ .
  • an O-ring 55 having a ⁇ '14 is disposed in close contact with the S, and the probe member 1 is provided with the anisotropic conductive connector 2 and the sheet.
  • the connector 40 is housed in the champ 50 mm, and the periphery of the circuit board 30 for inspection is arranged in close contact with the O-ring 55. 30 force It is in a state of being pressed downward by a pressing plate 3 provided on its back surface (upper surface in the figure).
  • a heater 5 is connected to the champion 50 and the pressure plate 3.
  • the exhaust device (not shown) connected to the exhaust pipe 51 of the chamber 50 is driven to reduce the pressure inside the chamber 50 to, for example, 100 Pa or less.
  • the probe member 1 is generally pressed downward.
  • the O_ring 55 is elastically deformed, so that the prop member 1 moves downward.
  • each of the surface electrode portions 43 of the electrode structure 42 of the sheet-like connector 40 causes the wafer 6 to move.
  • Each of the electrodes 7 is pressed.
  • each of the connection conductive portions 22 in the elastic anisotropic conductive scythe 20 of the anisotropic conductive connector 2 is connected to the detection electrode 31 of the inspection circuit board 30 and the sheet-like connector 40.
  • the same effects as those of the wafer inspection apparatus shown in FIG. 11 can be obtained. Further, since a large-sized pressurizing mechanism is not required, the entire inspection apparatus can be simplified. In addition to this, even if the wafer 6 to be inspected has a large area with a diameter of, for example, 8 inches or more, the entire wafer 6 can be pressed with a uniform force. In addition, since the air flow holes 15 are formed in the frame plate 10 of the anisotropic conductive connector 2, when the pressure of the chamber 50 mm is reduced, the anisotropic conductive connector 2 and the inspection circuit are connected.
  • the air between the board 30 and the circuit board 30 is exhausted through the air flow holes 15 of the frame plate 10 in the anisotropic conductive connector 2, whereby the anisotropic conductive connector 2 and the inspection circuit 3 ⁇ 43 ⁇ 4 30 The required electrical connection can be reliably achieved.
  • the elastic anisotropic conductive key 20 is not electrically connected to the electrode to be inspected on the wafer except for the conductive part 22 for connection. (5 may be formed.
  • an anisotropic conductive connector having an elastic anisotropic conductor formed with a connection conductive portion will be described.
  • FIG. 15 is an enlarged plan view showing an elastic anisotropic conductor in still another example of the anisotropic conductive connector according to the present invention.
  • FIG. 16 is a plan view of the anisotropic conductive connector shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged sectional view of the elastic anisotropic conductive film for illustration.
  • the functional part 21 has a thickness direction electrically connected to the electrode to be inspected of the wafer to be inspected (in FIG.
  • connection conductive portions 22 extending in the vertical direction are arranged in a line in accordance with a pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected, and each of the connection conductive portions 22 has a conductive property indicating magnetism.
  • the conductive particles are densely contained in a state of being oriented so as to be arranged in the thickness direction, and are mutually insulated by the insulating portion 23 containing no or almost no conductive particles.
  • the two connecting conductive portions 22 located at the center of these connecting conductive portions 22 are arranged at a larger separation distance than the distance between the other adjacent connecting conductive portions 22. I have.
  • a non-connecting conductive portion 26 extending in the thickness direction that is not electrically connected to the electrode to be inspected of the wafer to be inspected is provided between the two adjacent conductive portions 22 located at the center. Is formed. Also, in the direction in which the connection conductive portions 22 are arranged, between the outermost connection conductive portion 22 and the frame plate 10, no electrical connection is made to the electrode to be inspected of the wafer to be inspected.
  • a non-connection conductive portion 26 extending in the thickness direction is formed.
  • non-connecting conductive portions 26 are densely contained in a state in which conductive particles exhibiting magnetism are aligned so as to be aligned in the thickness direction, and are provided in an insulating portion 23 containing no or almost no conductive particles. Therefore, it is mutually insulated from the connection conductive part 22.
  • a holding part 25 fixedly supported around the anisotropic conductive film placement hole 11 in the frame plate 10 is formed integrally and continuously with the functional part 21.
  • a conductive material is contained.
  • the anisotropic conductive connector 1 shown in FIGS. 15 and 16 is different from the die shown in FIG. 6 in that the conductive part 22 and the non-connection part of the elastic anisotropic conductive film 20 to be molded are used.
  • a ferromagnetic layer is formed in accordance with a pattern corresponding to the arrangement pattern of the conductive portions 26 for use, and a mold including an upper mold and a lower mold having a nonmagnetic layer formed thereon is provided at a portion other than the ferromagnetic layer.
  • the connector can be manufactured in the same manner as the method of manufacturing the anisotropic conductive connector shown in FIGS.
  • a pair of electromagnets are disposed on the upper surface of the upper mold and the lower surface of the substrate in the lower mold to perform ⁇ ).
  • the conductive particles dispersed in the portion serving as the functional portion 21 in the molding material layer are changed into the portion serving as the conductive portion 22 for connection and the portion for non-connection.
  • the conductive particles that are gathered in the portion that becomes the conductive portion 26 and are aligned so as to line up in the thickness direction, while the conductive particles in the molding material layer that are above and below the frame plate 10 are above the frame plate 10. It will be kept below.
  • connection conductive portions 22 containing conductive particles oriented in the thickness direction in a material having high elasticity:
  • Connecting conductive part 26 Force A functional part 21 arranged in a state of being insulated from each other by an insulating part 23 made of a polymer elastic material having no or almost no conductive particles, and a functional part 2
  • An elastic anisotropic conductive film 20 composed of a supported portion 25 formed of an elastic polymer material containing conductive particles continuously and integrally formed around the periphery of 1 is formed on the frame plate 10.
  • the supported portion 25 is fixed around the anisotropic conductive arrangement hole 11 so that the anisotropic conductive connector is manufactured.
  • the conductive part 26 for connection in the anisotropically conductive I connector shown in FIG. 15 applies a magnetic field to the non-connecting conductive part 26 in the molding material layer in forming the elastic anisotropic conductive film 20.
  • connection conductors 22 have the following characteristics.
  • the force S is reliably prevented from containing a large amount of conductive particles, and even if it has a relatively large number of connecting conductive portions 22, the elastic anisotropic conductive film 20 has the highest strength.
  • the force S is reliably prevented from being contained in the connecting conductive portion 22 located on the outside in an excessive amount.
  • the ratio of the thickness of the insulating portion 23 to the thickness of the connecting conductive portion 22 in the functional portion 21 of the elastic anisotropic conductor 20 is 0.9. If this is the case, as shown in FIG. 17, on one surface of the functional portion 21 of the elastic anisotropic conductive film 20, the connecting conductive portion 22 and its peripheral portion protrude from the surface of the other portion.
  • the conductive portion 22 for connection and its peripheral portion may be formed on both sides of the functional portion 21 of the anisotropic conductive film 20 from the surface of the other portion.
  • the projecting protrusion 2 may be formed with a force S.
  • a metal layer may be formed on the surface of the connecting conductive part 22 in the elastic anisotropic conductive film 20.
  • a DLC layer may be formed on the surface of the elastic anisotropic conductive film 20.
  • a non-magnetic one is used for the frame plate 10.
  • means for applying a magnetic field by plating a magnetic substance or applying a magnetic paint around the periphery of the anisotropic conductive hole 11 in the frame plate 10;
  • Means for forming a ferromagnetic layer corresponding to the elastic support portion 25 of the elastic anisotropic guide 20 and applying a magnetic field can be used.
  • a spacer In forming the molding material layer, it is not essential to use a spacer, and a space for forming the elastic anisotropic conductive film is formed between the upper and lower dies and the frame plate by other means. May be secured.
  • the sheet-like connector in the probe member is not essential, and as shown in FIGS.
  • the elastic anisotropic conductor m 2 o may be configured to achieve electrical connection by invading a wafer to be inspected.
  • the anisotropically conductive connector of the present invention or the probe member of the present invention can be used for inspection of a wafer on which an integrated circuit having planar electrodes made of aluminum is formed, as well as for inspection of a wafer shown in FIGS.
  • FIG. 1 it can be used for inspection of a wafer 6 on which an integrated circuit having a protruding shape (bump) made of gold, solder, or the like as a test electrode 7 is formed.
  • a protruding shape bump made of gold, solder, or the like as a test electrode 7 is formed.
  • the anisotropic conductive connector When inspecting a wafer in a state in which the connecting conductive portion of the anisotropic conductive connector is directly inverted in the form of a projection as a negative electrode, if the anisotropic conductive connector is used repeatedly, As a result of the conductive portion for connection being worn or being permanently compressed and deformed by being pressed by the protruding electrodes, the conductive portion for connection has an increase in electrical resistance and poor connection to the electrode to be inspected. Therefore, it was necessary to replace the anisotropic conductive connector with a new one at high frequency.
  • the anisotropic conductive connector of the present invention or the probe member of the present invention since the durability in repeated use is high, the wafer 6 to be inspected has a diameter of 8 inches or 12 inches, an integrated circuit is formed with a high level of integration, and the required conductivity is maintained for a long time even if the electrode 7 to be tested is a protruding electrode. In addition, since the frequency of replacing the anisotropic conductive connector with a new one is reduced, inspection costs can be reduced.
  • the anisotropic conductive HS hole of the frame plate is provided with an electrode to be inspected in a part of an integrated circuit formed on a wafer to be inspected.
  • the anisotropic conductive film may be formed corresponding to the arranged electrode region, and the elastic anisotropic conductive film may be arranged in each of the anisotropic conductive holes.
  • the wafer is divided into two or more areas, and the wafer is divided.
  • a probe test can be performed on the integrated circuit formed in the area for each of the selected areas.
  • the wafer detection method using the anisotropic conductive connector of the present invention or the probe and the member of the present invention it is not essential to perform all the integrated circuits formed on the wafer at once. .
  • the inspection time required for each of the integrated circuits is as long as several hours for the Pan-in test, it is high if all the integrated circuits formed in the wafer are inspected collectively.
  • time efficiency can be obtained, in the probe test, since the detection time required for each integrated circuit is as short as several minutes, the wafer is divided into two or more areas, and each divided area is A sufficiently high time efficiency can be obtained even if the probe test is performed on the integrated circuits formed in the area at once.
  • an integrated circuit formed on a wafer having a diameter of 8 inches or 12 inches with a high degree of integration can be obtained.
  • the number of test electrodes and wiring on the test circuit board used should be reduced as compared to the method of testing all integrated circuits collectively. Thereby, the manufacturing cost of the inspection device can be reduced.
  • the anisotropic conductive connector of the present invention or the probe member of the present invention has high durability in repeated use, an electrical test is performed for each of the divided areas of the integrated circuit formed on the wafer.
  • the frequency of replacement of the anisotropic conductive connector with a new one due to a failure is reduced, so that the inspection cost can be reduced.
  • the anisotropically conductive connector of the present invention it is not essential to form the drum retaining portions 25 stacked on the frame plate 10 as shown in FIG. As described above, the side surface of the elastic anisotropic conductor 20 is adhered to the inner surface of the anisotropic conductive self-retaining hole 11 of the frame plate 10, so that the elastic anisotropic conductor 20 is attached to the frame plate 10. It may be supported.
  • a spacer is not disposed between the upper and lower dies and the frame plate. What is necessary is just to form a molding material layer.
  • the elastic anisotropic conductive connector when forming the elastic anisotropic conductive fiber 20, it is unnecessary to dispose spacers between the upper and lower dies and the frame plate. Elasticity Since the thickness of the conductive film 20 is determined by the depth of the recess formed in the molding surface of the frame plate 10 and the thickness of the frame plate 10, the elastic anisotropic conductive material having a small thickness, for example, 100 m or less. The formation of 20 is easy.
  • a silicon integrated circuit (linear thermal expansion coefficient 3.3 X 10-K) with a diameter of 8 inches, a square integrated circuit L with dimensions of 8 mm x 8 mm on each 6 Were formed in total.
  • Each of the integrated circuits L formed on the wafer 6 has, as shown in FIG. 24, an electrode area A to be inspected at the center thereof, and this electrode area A to be inspected has, as shown in FIG.
  • the total number of the test electrodes 7 on the entire wafer 6 is 19650, and all of the skin test electrodes are common lead electrodes formed on the peripheral portion of the wafer 6 (not shown). (Abbreviated).
  • the surface area S 2 of the wafer 6 on the side on which the electrodes 7 to be inspected are formed is 3.14 ⁇ 10 4 mm 2 .
  • this wafer is referred to as “Cage Wafer W
  • the extraction wafers were not formed, and the test wafers W 1 except that the test electrodes were electrically insulated from each other.
  • 393 integrated circuits (L) having the same configuration as described above were formed on the wafer (6).
  • the total number of electrodes to be inspected on the entire wafer is 19650.
  • the surface area S2 of the surface of the wafer (6) on which the 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 electrode (7) is formed is 3.14 ⁇ 10 4 mm 2 .
  • this wafer is referred to as “f wafer W2”.
  • every other test device (7) counted from the endmost test electrode (7) is electrically connected to each other.
  • 393 integrated circuits (L) having the same configuration as the evaluation wafer W1 were formed on the wafer (6) except that the extraction electrodes were not formed and the extraction electrodes were not formed.
  • the total number of electrodes to be inspected on this entire wafer is 19650
  • test wafer W3 the total number of electrodes to be inspected on this wafer.
  • the surface area S 2 on the side where ⁇ (7) is formed is 3.14 ⁇ 10 4 mm 2 .
  • This wafer is called “test wafer W3”.
  • test wafer W4 two out of the 50! ⁇ ⁇ electrodes (7) of the integrated circuit (L) are electrically connected to every other two of the nene ⁇ electrodes (7) counted from the end of the inspection site (7).
  • 393 integrated circuits (L) were formed on wafers (6).
  • the total number of electrodes to be inspected is 19,650.
  • the area S2 of the surface of the wafer (6) on the side where the electrode (7) to be inspected is formed is 3.14 ⁇ 10 4 mm 2 .
  • this wafer is referred to as “test wafer W4”.
  • 7_K2L was added to the core particles that had been subjected to the acid treatment power S, and the mixture was stirred at room temperature for 2 minutes, and then allowed to stand for 1 minute to precipitate magnetic particles, and the supernatant was removed. By repeating this operation two more times, the particles were washed.
  • classification point 25 m supply of conductive particles, classification S under the conditions of 16 g , mi II, collecting 180 g of conductive particles, 180 g of conductive particles a specific gravity of 8.9, air flow rate 25 m 3 Zmi n, is rotor speed of 3, 000 r pm, classification point is 10 m, the feed rate of the conductive particles is classification treatment under conditions of 14 g / min, conductivity 150 150 g of raw standing child was collected.
  • the obtained conductive particles had a number average particle diameter of 8.7 m, a weight average particle diameter of 9.9 m, a ratio D w / D n of 1.1, and a standard deviation of the particle diameter of 2.0.
  • the coefficient of variation of the particle diameter was 23%, and the ratio of gold to the core particles was 30% by mass.
  • This conductive “I” raw particles are referred to as “conductive particles (a)”.
  • the diameter of 393 anisotropic conductive USB mounting holes formed corresponding to each electrode area to be inspected on Hffi wafer W1 is 8 A total of 20 inch frame plates were manufactured.
  • the material of the frame plate 10 is copearl (saturation magnetization 1.4 Wb / m 2 , linear thermal expansion number 5 ⁇ 10 16 / K), and its thickness is 50 m.
  • Each of the holes 11 for anisotropic conductive film placement has a dimension of 5500 ⁇ m in the direction (the horizontal direction in FIGS. 26 and 27) and a dimension in the »direction (the vertical direction in FIGS. 26 and 27). 320 ⁇ m.
  • a circular air inflow hole 15 is formed in the middle of the vertically arranged anisotropic conductive hole 11 between the H arrangement holes 11, and has a diameter of 1000 m.
  • two spacers for forming an elastic anisotropic conductive film having a plurality of through holes formed corresponding to the electrode region to be inspected in the basket wafer W1 were formed.
  • the material of these spacers is stainless steel (SUS 304) and the thickness is 10 zm.
  • the through-hole corresponding to each electrode area to be inspected has a dimension of 6000 and a dimension of 1200 ⁇ .
  • the upper mold 61 and the lower mold 65 of the mold (K1) have 3 ⁇ 43 ⁇ 462 and 66 each made of iron having a thickness of 6 mm.
  • the specimen ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ of the test wafer W1 is placed on the 3 ⁇ 43 ⁇ 462 and 66.
  • a ferromagnetic layer 63 (67) made of nickel for forming a conductive part and a ferromagnetic layer 63a (67a) for forming a conductive part for non-connection are arranged.
  • the dimensions of the ferromagnetic layer 63 (67) for forming the connection conductive part are 40 ⁇ (horizontal direction) X 200 m (vertical direction) X 100 ⁇ m (thickness), and 50
  • the ferromagnetic layers 63 (67) are arranged in a horizontal line at a pitch of 10 O zm.
  • a ferromagnetic layer 63a (67a) Is arranged in the direction in which the ferromagnetic layers 63 (67) are arranged.
  • the dimensions of each ferromagnetic layer 63a (67a) are 40 m (horizontal direction) X 200 / im (vertical direction) X 100 m (thickness).
  • the region where the 50 ferromagnetic layers 63 (67) for forming the conductive portion for connection and the two ferromagnetic layers 63a (67a) for forming the non-conductive portion for connection are formed is a whip.
  • a total of 393 ferromagnetic layers 63 (67) and 786 non-conducting conductive layers for forming the connecting conductive parts were formed, corresponding to the electrode area to be inspected on the wafer W1 for inspection.
  • a ferromagnetic layer 63a (67a) for forming a portion is formed.
  • the physical layer 64 (68) is formed by curing a dry film resist, and the size of the recess 64 a (68 a) for forming the functional portion is 5250 m) X 210 m (Vertical direction) X 25 ⁇ m (depth), and the thickness of the parts other than the recess is 125 / zm (thickness of the recess 1 1 ⁇ ⁇ ).
  • a mold ( ⁇ 2) for forming an elastic anisotropic conductive film was formed under the following conditions.
  • the upper mold 61 and the lower mold 65 in this mold ( ⁇ 2) have substrates 62 and 66 each made of iron having a thickness of 6 mm.
  • the dimensions of each of the ferromagnetic layers 63 (67) for forming the connection conductive portion are 40 (horizontal) X 200 m (vertical) X 100 m (thickness), and 50 ferromagnetic layers are formed.
  • Layers 63 (67) are arranged laterally in a row at a pitch of 100 / ini. In the direction in which the ferromagnetic layers 63 (67) are arranged, outside the outermost ferromagnetic layer 63 (67), a ferromagnetic layer 63 a (67 a ) Is placed.
  • the dimensions of each ferromagnetic layer 63a (67a) are 40 m (horizontal direction) ⁇ 200 ⁇ (vertical direction) ⁇ 100 m (thickness).
  • the region in which the 50 ferromagnetic layers 63 (67) for forming the connecting conductive portion and the two ferromagnetic layers 63a (67a) for forming the non-connecting conductive portion are formed is A total of 393 ferromagnetic layers 63 (67) and 786 non-connecting conductive parts for forming 19650 connecting conductive parts were formed in total corresponding to the electrode area to be tested on wafer W1.
  • a ferromagnetic layer 63a (67a) for formation is formed.
  • the non-magnetic biological layer 64 (68) is formed by hardening a dry film resist, and is located in the region where the ferromagnetic layer 63 (67) for forming the conductive portion for connection is located.
  • recesses 64 b (68 b) and 64 c (68 c) for forming protrusions in the elastic anisotropic conductive film are provided. Is formed.
  • the dimensions of the recess 64b (68b) where the ferromagnetic layer 63 (67) for forming the conductive part for connection is located are 60 / zm (horizontal) X210m (vertical) X25m (depth)
  • the dimensions of each of the recesses 64c (68c) located at the position S are as follows: 90; ⁇ (lateral direction). ⁇ (vertical direction) ⁇ 2 (depth), and the thickness of the part other than the recess is 125 / m, and the thickness of the part is 100 m.
  • an elastic anisotropic conductive key was formed on the frame plate as follows.
  • the addition-type liquid silicone rubber is a two-pack type having a viscosity of liquid A of 25 OPa ⁇ s and a viscosity of liquid B of 25 OPa ⁇ s. 5% in permanent compression strain, Du-Meter A hardness of cured product is 32, and tear strength of cured product is 25 kN Was used.
  • the characteristics of the addition type liquid silicone rubber were measured as follows.
  • the viscosity at 23 ° C and 2 ° C was measured by a B-type viscometer.
  • the liquid A and the liquid B in the two-part liquid silicone rubber were stirred and mixed at an equal ratio.
  • the mixture is poured into a mold, the mixture is subjected to a defoaming treatment under reduced pressure, and then a curing treatment is performed at 120 ° C. for 30 minutes to obtain a thickness of 12.7.
  • a cylinder made of a cured silicone rubber having a diameter of 29 mm and a diameter of 29 mm was prepared, and post-curing was performed on the cylinder at 200 ° C. for 4 hours.
  • the compression set at 150 ° C. at 2 ° C. was measured by applying to JISK 6249.
  • a 2.5-mm thick sheet was obtained by performing curing treatment and post-curing of the dimensioned liquid silicone rubber under the same conditions as in (ii) above.
  • a crescent-shaped test piece is punched out of this sheet, and is 23 ⁇ 2 in accordance with JIS K 6249.
  • the tear strength at C was measured.
  • a molding material layer is formed in accordance with an elastic anisotropic pattern to be formed.
  • a frame plate is aligned and overlapped via a lower mold side spacer, and further, on this frame plate, an upper mold is aligned and overlapped via an upper mold side spacer. .
  • a magnetic field of 2 T in the thickness direction by an electromagnet to the portion located between the ferromagnetic layers with respect to the molding material layer formed between the upper mold and the lower mold, 100 ° C.
  • an elastic anisotropic conductive film was formed in each of the three holes for the anisotropic conductive holes of the frame plate.
  • the specific description of the obtained elastic anisotropic conductive mil is as follows.
  • the total number of elastic anisotropic conductive films in the anisotropic conductive connector is 393.
  • m the vertical dimension is 1200 m.
  • Functional part of the elastic anisotropically 3 ⁇ 4 ⁇ each are lateral dimensions 5250 ⁇ m, longitudinal dimension 210 mu m, the area of one surface of 1. is 1025 mm 2. Therefore, the sum S 1 of the area of one surface of the functional part of all the elastic anisotropic conductive films is 433 mm 2 , which is the sum of the area S 2 of the surface on the side where the electrode to be inspected is formed in the cage ueno W 1.
  • the ratio S 1 ZS 2 of the total sum S 1 of the areas of the functional portions of the elastic anisotropic conductive film is 0.0138.
  • each functional part of the elastic anisotropic conductor ⁇ 50 conductive parts for connection are arranged in a row in a horizontal direction at a pitch of 100 m. Each conductive part for connection has a thickness of 120 m. The dimension in the vertical direction is 40 m and the vertical dimension is 200 ⁇ .
  • a non-connection conductive section is arranged between the connection conductive section located at the outermost side in the horizontal direction and the frame plate. Each of the non-connecting conductive parts has a horizontal dimension of 40 m and a vertical dimension of 200 m.
  • the thickness of the insulating part in the functional part is 120 m, and the ratio of the thickness of the insulating part to the thickness of the connecting conductive part (T2ZT1) is one.
  • each of the functional units has a flat surface on both sides, and each of the functional units has a uniform thickness.
  • each of the functional parts is formed so that both surfaces thereof protrude from the holding part, and the protruding height of the functional part is 25 m.
  • the length of the holding part is 70 m, and the thickness of one of the forked parts is 10 m.
  • anisotropically conductive raw connectors (A1) to (A10) As described above, the elastic anisotropic conductive film was formed on each of the ten frame plates, and a total of ten anisotropic conductive connectors were manufactured.
  • anisotropically conductive connectors are referred to as anisotropically conductive raw connectors (A1) to (A10).
  • the specific description of the elastic anisotropic conductive film of the obtained anisotropic conductive sheet is as follows.
  • the total number of the elastic anisotropic conductive films in the anisotropic conductive connector is 393.
  • the horizontal dimension is 6000 m and the vertical dimension is 1200 m, and 50 connecting conductive parts are arranged in a line at a pitch of 1 OO / im.
  • the size in the horizontal direction is 40 ⁇ m
  • the size in the vertical direction is 200 ⁇ m
  • the thickness is 120 m.
  • a non-connecting conductor is arranged between the frame conductive plate and the outermost connecting conductive portion in the direction from the outside.
  • Each of the connection conductive portions has a horizontal dimension of 40 / im, a vertical dimension of 2 ⁇ m ⁇ , and a thickness of 12 mm / zm.
  • the protruding portion formed on the conductive portion is 25 ⁇ m on each side, 60 m in the horizontal direction, 2 lO ⁇ am in the vertical direction, and ⁇
  • the protruding portions formed on the connection conductive portion have a protruding height of 25 m on each surface, a horizontal dimension of 90 m, and a horizontal dimension of 260; im. Therefore, the sum of the areas of the end faces of the protrusions in all the elastic anisotropic conductive films is 266 mm 2 , and all the elastic anisotropic conductive films with respect to the area of the surface of the evaluation wafer W1 on the side where the electrodes to be inspected are formed.
  • the ratio of the sum of the areas of the end faces of the protrusions in the film is 0.0085.
  • the thickness of the insulating portion is 70 m, and the ratio of the thickness of the insulating portion to the thickness of the conductive portion for connection (T 2 ZT 1) is 0.58.
  • the thickness of the holding portion (the thickness of one of the forked portions) in each of the elastic anisotropic conductors is 10 m.
  • anisotropically conductive connectors are referred to as an anisotropically conductive connector (B1) to an anisotropically conductive!! Raw connector (B10).
  • test circuit board T Alumina ceramics (Sen'netsu ⁇ number 4. 8 X 10 one 6 / K) used as ⁇ materials, evaluation for Ueno, a pattern in accordance connection inspection electrodes corresponding to the pattern of the Ken ⁇ electrode in W 1
  • the formed test circuit board won.
  • the test circuit 3 ⁇ 4K has a rectangular shape with an overall size of 30 cm x 30 cm, and the test electrode has a lateral dimension of 60 m and a vertical dimension of 200 / zm.
  • this inspection circuit is referred to as “inspection circuit board T”.
  • each of the insulating sheets has a diameter of 3 ⁇ 19,650 through holes were formed in accordance with the pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected on the evaluation wafer W1.
  • a short wire integrally connected to the copper layer is formed in the through hole of the insulating sheet, and the surface of the insulating sheet is formed.
  • a protruding surface electrode portion integrally connected to the short was formed.
  • the diameter of the surface electrode was 40 ⁇ m, and the height from the surface of the insulating sheet was 2 O / zm.
  • the copper layer in the laminated material is subjected to a photoetching treatment to remove a part of the copper layer, thereby forming a rectangular back electrode of 60 imX210 im, and further forming a front electrode and a back electrode.
  • the electrode structure was formed by performing a gold plating process, thereby manufacturing a sheet-like connector.
  • this sheet connector is referred to as “sheet connector M”.
  • the elastic anisotropic conductivity of the anisotropic conductive connector (A1) to the anisotropic conductive 'I raw connector (A10) and the anisotropic conductive connector (B1) to the anisotropic conductive connector (B10) is as follows. The initial properties of the film were measured.
  • An anisotropic conductive connector is positioned on the test circuit 3 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ so that each of the connection conductors is positioned on the test electrode of the test circuit S3 ⁇ 4 ⁇ ⁇ , and the anisotropic conductive connector is displaced by the R ⁇ V silicone rubber.
  • the periphery of the one-sided conductive connector was adhered to the inspection circuit board ⁇ , and the flap member was closed. Thereafter, the probe member was fixed to a calo pressure plate, and the evaluation wafer W1 was used as a wafer mounting table.
  • a CCD camera capable of moving vertically up and down between the probe member and the wafer W1 for Rffi is inserted, and based on the image of the CCD camera, the anisotropic conductive '!
  • the alignment of the evaluation wafer W1 with respect to the opening / closing member was performed so that each of the portions was located immediately above the electrode to be inspected on the wafer I1 for l3 ⁇ 4.
  • the CCD camera is moved from the gap between the probe member and the evaluation wafer W1, and then the probe member is moved downward by a load of 58.95kg (the load applied to one conductive part for connection is By applying an average pressure of 3 g), the elastic anisotropic conductive member of the anisotropic conductive connector was pressed against the wafer W1.
  • the electrical resistance between the 19650 inspections 3 ⁇ 4 @ in the inspection circuit 3 ⁇ 43 ⁇ 4T and the extraction electrode of the evaluation wafer W1 is determined by the electrical resistance (hereinafter referred to as the electrical resistance) in the connection conductive part. Below, it is referred to as “conduction resistance”.
  • the wafer W2 for evaluation is placed on the wafer mounting table instead of the wafer W1 for evaluation, and a CCD camera that can move up and down between the prop member and the wafer W2 for evaluation is inserted.
  • the evaluation wafer W2 for the prop member is placed such that each of the conductive portions for connection of the anisotropic conductive '14 connector is located immediately above the electrode to be inspected on the wafer for Iffi W2. Alignment.
  • the CCD camera is moved from between the probe member and the evaluation wafer W2. Thereafter, the probe member is moved downward by a load of 58.95 kg (the load applied to one connection conductive part is 3 g on average). ) To press the elastic anisotropic conductor of the anisotropic conductive connector against the evaluation wafer W2.
  • the electric resistance between two adjacent test electrodes in the test circuit ⁇ T is reduced by two connecting conductive portions (hereinafter, referred to as “conductive pairs”).
  • the insulation resistance was measured sequentially as the electrical resistance (hereinafter referred to as “insulation resistance”), and the ratio of the conductive part pairs with insulation resistance of 1 ⁇ or more was calculated. The results are shown in Table 1.
  • anisotropic conductive connector (A1) anisotropic conductive connector (A2), anisotropic conductive connector one (B1) and anisotropic conductive connector (B2), as follows, The following durability test was performed.
  • An anisotropic conductive connector is placed on the test circuit 3 ⁇ 43 ⁇ 4T so that each of the connection conductors ⁇ 5 is positioned on the test electrode of the test circuit fiber.
  • the periphery of the one-sided conductive connector was adhered to the inspection circuit board ⁇ , and the flap member was damaged. Thereafter, the probe member was fixed to the pressure plate, and the test wafer W4 was mounted on a wafer table provided with a heater.
  • a CCD camera capable of moving in both the up and down directions is inserted between the probe member and the test wafer W4. Based on the image of the CCD camera, each of the connection conductive portions of the anisotropic conductive connector is connected to the test wafer.
  • the test wafer W4 was aligned with the prop member so as to be located immediately above the electrode to be inspected at W4.
  • the CCD camera is set between the probe member and the test wafer W4, and then the probe member is moved downward by a load of 158 kg (the load applied to one conductive part for connection is 8 g on average). ),
  • the elastic anisotropic conductor of the anisotropic conductive connector was pressed against the test wafer W4.
  • Ueno and the mounting table were 125. After heating to C, the wafer mounting table stabilizes, and then the 1,960 test electrodes on the test circuit board T are passed through the anisotropic conductive connector and the test wafer W4.
  • the electrical resistance between the two test electrodes electrically connected to each other is measured sequentially, and one half of the measured electrical resistance is applied to the anisotropic conductive connector. It was recorded as the conduction resistance of the conductive part for connection, and the number of conductive parts for connection having a conductive resistance of 1 ⁇ or more was determined. Thereafter, the weight was increased for 1 hour in this state. Then, the Ueno mounting table was cooled to room temperature, and then the calo pressure on the probe member was released.
  • connection conductive part having a conduction resistance of 1 ⁇ or more in an electrical inspection of an integrated circuit formed on a wafer.
  • anisotropic conductive connector (A3), anisotropic conductive connector ( ⁇ 4), anisotropic conductive connector ( ⁇ 3) and anisotropic conductive connector ( ⁇ 4) A durability test was performed in a high-temperature environment.
  • An anisotropic conductive connector is positioned on the inspection circuit S3 ⁇ 4T so that each of the conductive parts for connection is positioned on the inspection electrode of the inspection circuit sickle T. Then, the peripheral part of the anisotropic conductive connector is adhered to the inspection circuit scissor T. Furthermore, a sheet-like probe ⁇ is placed on the anisotropic conductive connector so that each of the back electrode portions of the sheet anisotropic conductive connector is The peripheral member of the sheet-shaped connector ⁇ was bonded to the inspection circuit board ⁇ ⁇ with R TV silicone rubber by using RTV silicone rubber to form a flow member. Thereafter, the probe member was fixed to the pressure plate, and the test wafer W3 was mounted on a wafer mounting table equipped with a fi heater.
  • a CCD camera capable of moving in both directions, up and down, is inserted between the probe member and the test probe, W3. Based on the image of the CCD camera, each of the surface electrode portions of the sheet-like connector is turned into a test wafer.
  • the test wafer W3 was aligned with respect to the probe member so as to be located immediately above the test electrode of W3.
  • the CCD camera is moved from between the probe member and the test wafer W3, and then the probe member is moved downward with a load of 158 kg (the average load applied to one conductive part for connection is 8 g ). Then, the elastic anisotropic conductive film of the anisotropic conductive connector was pressed against the test wafer W4.
  • the wafer mounting table was heated to 125 ° C., and after the temperature of the wafer ⁇ E table was stabilized, the anisotropic conductive connector and sheet for the 1960 test electrodes on the test circuit board T were inspected.
  • the conduction resistance of each part was recorded, and the number of connection mounting ⁇ having a conduction resistance of 1 ⁇ or more was determined.
  • the wafer mounting table was allowed to stand for 1 hour in this state, and then the wafer mounting table was cooled to room temperature. Thereafter, the calo pressure on the probe member was released.
  • connection conductive part having a conduction resistance of 1 ⁇ or more in an electrical inspection of an integrated circuit formed on a wafer.
  • Example (A4) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 Ratio (B 3) 0 0 0 0 0 0 8 3 4
  • Example (B 4) 0 0 0 0 0 0 4 4 4 4
  • the pitch of the connecting conductive portion in the single anisotropic conductive film is small, good conductivity can be obtained in the connecting conductive portion, and moreover, it is resistant to environmental changes such as heat belly due to temperature change. It has been confirmed that a good electrical connection state can be stably maintained, and that even when used repeatedly in a high-temperature environment, a good conductive force S can be maintained for a long period of time. Further, according to the anisotropic conductive connector according to the embodiment, even if the wafer to be inspected has a large number of electrodes to be inspected and these electrodes to be inspected have a protruding shape, they have high repetitive use. The ability to obtain durability S was confirmed.

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Abstract

 検査対象であるウエハが直径が8インチ以上の大面積で、形成された集積回路における被検査電極のピッチが小さいものであっても、当該ウエハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、全ての接続用導電部について、良好な導電性が確実に得られると共に隣接する接続用導電部間の絶縁性が確実に得られ、更に、繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって良好な導電性が維持される異方導電性コネクターおよびその応用が開示されている。 本発明の異方導電性コネクターは、導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で配置された機能部を有する弾性異方導電膜を具えてなり、前記弾性異方導電膜の機能部における接続用導電部の厚みをT1とし、当該機能部における絶縁部の厚みをT2としたとき、比(T2/T1)が0.9以上であることを特徴とする。

Description

明 異方導電性コネクタ一おょぴプロープ部材並びにウエノヽ検查装置およびウェハ検査方法
技 術 分 野
本発明は、 ウェハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うため に好適に用いられる異方導電性コネクターおよびこの異方導電性コネクターを具えたプロ 糸
ープ部材、 並びにこのプロ一プ部材を具えた田ウェハ検査装置およびこのプローブ部材を使 用したウェハ検査方法に関し、 更に詳しくは、 例えば直径が 8インチ以上のウェハであつ て、 これに形成された集積回路における被検査電極の総数が 5 0 0 0点以上であるものに ついて、 当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために好適に用いられる異方導 電性コネクターおよびこの異方導電性コネクターを具えたプローブ部材並ぴにこのプロ一 プ部材を具えたウェハ検難置およびこのプロ一プ部材を使用したウェハ検査方法に関す る。 背 景 技 術
一般に、 半導体集積回路装置の製造工程においては、 例えばシリコンよりなるウェハに 多数の集積回路を形成し、 その後、 これらの集積回路の各々について、 基礎的な電気特性 を検査することによって、 欠陥を有する集積回路を選別するプローブ試験力行われる。 次 いで、 このウェハを切断することによって半導体チップが形成され、 この半導体チップが 適宜のパッケージ内に収納されて封止される。 更に、 パッケージ化された半導体集積回路 装置の各々について、 高温纖下において電気樹生を検査することによって、 潜在的欠陥 を有する半導維積回路装置を選別するバーンイン試験が行われる。
このようなプローブ試験またはパーンィン試験などの集積回路の電気的検査にお!/、ては 、 検査対象物における被検査電極の各々をテスターに電気的に接続するためにプローブ部 材が用いられている。 このようなプローブ部材としては、 被検査電極のパターンに対応す るパターンに従つて検査電極が形成された検査用回路 ¾Rと、 この検査用回路«上に配 置された異方導電性エラストマーシートとよりなるものが知られている。 かかる異方導電性エラストマ一シートとしては、 従来、 種々の構造のものが知られてお り、 例えば下記先行文献 1には、 金属粒子をエラストマ一中に均一に分散して得られる異 方導電性エラストマ一シート (以下、 これを 「分散型異方導電性エラストマ一シート」 と いう。 ) が開示され、 また、 下記先行文献 2には、 導電性磁性体粒子をエラストマ一中に 不均一に分布させることにより、 厚み方向に伸びる多数の導電部と、 これらを相互に絶縁 する絶縁部とが形成されてなる異方導電性エラストマ一シート (以下、 これを 「偏在型異 方導電性エラストマ一シート」 という。 ) が開示され、 更に、 下記先行文献 3には、 導電 部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性エラストマーシートが開示 されている。
そして、 偏在型異方導電' I"生エラストマ一シートは、 検査すべき集積回路の被検査電極の パターンに対応するパターンに従って導電部が形成されているため、 分散型異方導電性ェ ラストマ一シートに比較して、 被検査電極の配列ピッチすなわち隣接する被検査電極の中 心間距離が小さい集積回路などに対しても電極間の電気的接続を高い信頼性で達成するこ とができる点で、 有利であり、 偏在型異方導電性エラストマ一の中でも、 絶縁部の表面か ら突出した状態に形成された導電部を有するものは、 小さい加圧力で高い導電性が得られ る点で、 有利である。
このような偏在型異方導電性エラストマ一シートにおいては、 検査用回路基板およぴ検 查 物との電気的接続作業において、 それらに対して特定の位置関係をもつて保持固定 することが必要である。
然るに、 異方導電性エラストマ一シートは柔軟で容易に変形しやすいものであって、 そ の取扱い性が低いものである。 し力も、 近年、 電気製品の/ J ィ匕あるいは高密度配線化に 伴い、 これに使用される集積回路装置は、 数が増加し、 電極の配列ピッチが一層小さ くなつて高密度化する傾向にある。 そのため、 検査対象物の被検査電極に対する電気的接 続を行う際に、 偏在型異方導電性エラストマ一シートの位置合わせおよ確持固定が困難 になりつつある。
また、 バーンイン試験においては、 一旦は集積回路装置と偏在型異方導電性エラストマ 一シートとの所要の位置合わせおよ 持固定が実現された:^であっても、 変化に よる熱顧を受けると、 熱膨張率が、 検査通である集積回路装置を構成する材料 (例え ばシリコン) と偏在型異方導電性エラストマーシートを構成する材料 (例えばシリコーン ゴム) との間で大きく異なるため、 偏在型異方導電性エラストマ一シートの導電部と集積 回路装置の被検査電極との間に位置ずれが生じる結果、 電気的接続状態が変化して安定な 接続状態が維持されない、 という問題がある。
このような問題を解決するため、 開口を有する金属製のフレーム板と、 このフレーム板 の開口に配置され、 その周縁部が当該フレーム板の開口縁部に支持された異方導電性シー トとよりなる異方導電性コネクターが提案されている (例えば下記先行文献 4参照。 ) 。 この異方導電性コネクタ一は、 一般に、 以下のようにして製造される。
図 3 1に示すように、 上型 8 1およびこれと対となる下型 8 5よりなる異方導電性エラ ストマーシート成形用の金型を用意し、 この金型内に、 開口 9 1を有するフレーム板 9 0 を位置合わせして配置すると共に、 硬化処理によって弾性高分子物質となる高分子物質形 ^"料中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる成形材料を、 フレーム板 9 0の開口 9 1およびその開口縁部を含む領域に供給して成形材料層 9 5を形成する。 ここで、 成形材 料層 9 5に含有されている導電性粒子 Pは、 当該成形材料層 9 5中に分散された状態であ る。
上記の金型における上型 8 1およぴ下型 8 5の各々は、 例えば強磁性体よりなる £1反 8 2 , 8 6上に、 成形すべき異方導電性エラストマ一シートの導電部のパターンに対応する パターンに従って複数の強磁性体層 8 3, 8 7が形成され、 これらの強磁性体層 8 3 , 8 7が形成された個所以外の個所に^ ¾性体層 8 4, 8 8が形成されており、 強磁性体層 8 3, 8 7およぴ非磁性体層 8 4 , 8 8によって成形面が形成されている。 また、 上型 8 1 およぴ下型 8 5の成形面における強磁性体層 8 3, 8 7力 S位置する個所には、 異方導電性 エラストマ一シートに突出部を形成するための凹所 8 4 a , 8 8 aカ形成されている。 そ して、 上型 8 1および下型 8 5は、 対応する強磁性体層 8 3 , 8 7が互いに対向するよう 配置されている。
そして、 上型 8 1の上面およぴ下型 8 5の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを 作動させることにより、 成形材料層 9 5には、 上型 8 1の強磁性体層 8 3とこれに対応す る下型 8 5の強磁性体層 8 7との間の部分すなわち導電部となる部分において、 それ以外 の部分より大きい強度の磁場が当該成形材料層 9 5の厚み方向に作用される。 その結果、 成形材料層 9 5中に分散されている導電性粒子 Pは、 当該成形材料層 9 5における大きい 強度の磁場が作用されている部分、 すなわち上型 8 1の強磁性体層 8 3とこれに対応する 下型 8 5の強磁性体層 8 7との間の部分に集合し、 更には厚み方向に並ぶよう配向する。 そして、 この状態で、 成形材料層 9 5の硬化処理を行うことにより、 導電† 子 Pが厚み 方向に並ぶよう配向した状態で含有された複数の導電部と、 これらの導電部を相互に絶縁 する絶縁部とよりなり、 導電部が絶縁部の表面から突出する突出部が形成された異方導電 性エラストマ一シートが、 その周縁部がフレーム板の開口縁部に支持された状態で成形さ れ、 以て異方導電性コネクタ一力 S製造される。
このような異方導電' I1生コネクターによれば、 異方導電性エラストマ一シートが金属製の フレーム板に支持されているため、 変形しにくくて取扱いやすく、 また、 予めフレーム板 に位置決め用マーク (例えは し) を形成することにより、 集積回路装置の電気的接続作業 において、 当該集積回路装置に対する位置合わせおよ Ό¾持固定を容易に行うことができ 、 しカゝも、 フレーム板を構成する材料として熱膨張率の小さいものを用いることにより、 異方導電性シートの熱膨張がフレーム板によって規制されるため、 変化による熱 歴 を受けた にも、 偏在型異方導電性エラストマ一シートの導電部と集積回路装置の被検 查電極との位置ずれが防止される結果、 良好な電気的接続状態が安定に維持される。 ところで、 ウェハに形成された集積回路に対して行われるプローブ試験においては、 従 来、 ウェハに形成された多数の集積回路のうち例えば 1 6個または 3 2個の集積回路から なる集積回路群について一括してプローブ試験を行レヽ、 順次、 その他の集積回路群につい てプローブ試験を行う方法が採用されて 、る。
そして、 近年、 検査効率を向上させ、 検査コストの低減化を図るために、 ウェハに形成 された多数の集積回路のうち例えば 6 4個若しくは 1 2 4個または全部の集積回路につい て一括してプローブ試験を行うことが要請されている。
一方、 バーンイン試験においては、 検査対象である集積回路装置は微小なものであって その取扱いが不便なものであるため、 多数の集積回路装置の電気的検査を個別的に行うた めには, 長い時間を要し、 これにより、 検査コストが相当に高いものとなる。 このような 理由から、 ゥェハ上に形成された の集積回路につ ヽて、 それらのパーンィン試験をゥ ェハの状態で一括して行う WL B I (Wa f e r L e b e l B u r n— i n) 試験が 提案されている。
しかしながら、 検査対象であるウェハが、 例えば直径が 8インチ以上の大型のものであ つて、 その被検査電極の数が例えば 5 0 0 0以上、 特に 1 0 0 0 0以上のものである場合 には、 各集積回路における被検査電極のピッチが極めて小さいものであるため、 プローブ 試験または WL B I試験のためのプローブ部材として上記の異方導電性コネクターを適用 すると、 以下のような問題がある。
すなわち、 直径が例えば 8インチ (約 2 O c m) のウェハを検査するためには、 異方導 電性コネクターとして、 その異方導電性ェラストマーシートの直径が 8ィンチ程度のもの を用いることが必要となる。 然るに、 このような異方導電性エラストマ一シートは、 全体 の面積が大きいものであるが、 各導電部は微細で、 当該異方導電性エラストマ一シートの 表面に占める導電部の表面の面積の割合が小さいものであるため、 当該異方導電性エラス トマーシートを確実に製造することは極めて困難である。
また、 形成すべき導電部が、 微細でピッチが極めて小さいものであるため、 する導 電部間において所要の絶縁性を有する異方導電性エラストマ一シートを確実に製造するこ とが困難である。 これは、 以下の理由によるものと考えられる。
前述したように、 異方導電性エラストマ一シートを製造する際には、 高好物質形戯 料中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる成形材料層に対して、 強度分布を有する磁 場を厚み方向に作用させることにより、 導電性粒子が集合して密となる部分と、 導電性粒 子が疎となる部分を形成し、 当該成形材料層に対して硬化処理を施すことにより、 導電性 粒子が密に含有された導電部と、 導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部と を形成する。
然るに、 直径が 8インチ以上で、 検査電極数が 5 0 0 0個以上であるウェハに対応する 異方導電性エラストマ一シートを製造する には、 前述の金型を用いて、 成形材料層に 強度分布を有する磁場を作用させても、 隣接する強磁性体層による磁場が影響して導電性 粒子を所期の部分に集合させにくくなる。 特に、 突出部を有する異方導電性エラストマ一 シートを製造する には、 金型の成形面に形成された凹所によって、 導電性粒子の横方 向の移動が阻害されるため、 導電性粒子を所期の部分に一層集合させにくくなる。
従って、 得られる異方導電性エラストマ一シートにおいては、 導電部に所要の量の導電 性粒子が充填されず、 これにより、 導電部の導電性が低下するばかりでなく、 絶縁部に導 電性粒子力 S残存するため、 瞧する導電部の間の電気抵抗値が低下して隣接する導電部間 に所要な絶縁'性を確保することが困難となる。
また、 最近においては、 突起状讓 (バンプ) を有する集積回路が形成されたウエノ、が 製造されており、 その製造工程において、 当該ウェハに形成された集積回路の電気的検査 が行われている。
しかしながら、 このようなウェハの電気的検査において、 突出部を有する異方導電性ェ ラストマ一シートを用いる^には、 当該異方導電性エラストマ一シートの繰り返し使用 における耐久性が低下する、 という問題がある。
すなわち、 検査対象であるウェハにおける被検査電極である突起状電極を異方導電性ェ ラストマ一シートの導電部に圧接する動作が繰り返されることにより、 当該導 ¾ ^におけ る突出部が早期に圧潰し、 当該導電部には永久的な変形が生じるため、 当該導電部と被検 查«¾との安定な電気的接続が得られな V、。
また、 直径が 8インチまたは 1 2インチのウエノヽに高い集積度で形成された集積回路に ついてプローブ試験を行う方法としては、 ウェハに形成された全ての集積回路について一 括してプローブ試験を行う方法の他に、 ウェハを 2以上のエリアに分割し、 分割されたェ リア毎に、 当該エリアに形成された集積回路について一括してプローブ試験を行う方法が 挙げられるが、 このような方法に用いられる異方導電性コネクタ一としては、 検査コスト の «化を図るため、 繰り返し使用における耐久性の高 、ものであることが望まれて ヽる 先行文献 1 :特開昭 5 1 - 9 3 3 9 3号公報
先行文献 2 :特開昭 5 3—1 4 7 7 7 2号公報
先行文献 3 :特開昭 6 1— 2 5 0 9 0 6号公報
先行文献 4 :特開平 1 1一 4 0 2 2 4号公報 発 明 の 開 示
本発明は、 以上のような事情に基づいてなされたものであって、 その第 1の目的は、 検 査対象であるウェハが、 例えば直径が 8ィンチ以上の大面積のものであって、 形成された 集積回路における被検查電極のピッチが小さいものであっても、 当該ウェハに対する位置 合わせおよ Ό¾¾持固定を容易に行うことができ、 しかも、 全ての接続用導電部について、 良好な導電性; ^確実に得られると共に «する接続用導電部間の絶縁性が確実に得られ、 更に、 繰り返し使用した齢にも、長期間にわたって良好な導電性が維持される異方導電 性コネクターを ¾ ^することにある。 本発明の第 2の目的は、 上記の目的に加えて、 更に、 小さい荷重で加圧しても接続用導 電部に良好な導電性が得られる異方導電性コネクターを^^することにある。
本発明の第 3の目的は、 上記の目的に加えて、 更に、 温度変ィヒによる熱顧などの環境 の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持される異方導電性コネクターを することにある。
本発明の第 4の目的は、 検査対象であるウェハが、 例えば直径が 8ィンチ以上の大面積 のものであって、 形成された集積回路におけるネ皮検査 β¾のピツチが小さいものであつて も、 当該ウェハに対する位置合わせおよ Ό¾持固定を容易に行うことができ、 しかも、 各 被検査電極に対する接続信頼性が高く、 繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって良 好な導電性が維持されるプローブ部材を^^することにある。
本発明の第 5の目的は、 直径が 8インチまたは 1 2インチのウェハに高い集積度で形成 された集積回路についてプローブ試験を行う^^において、 繰り返し使用における耐久性 の高い異方導電性コネクターおよびプローブ部材を することにある。
本発明の第 6の目的は、 大面積のウェハに高い集積度で形成された、 突起状電極を有す る集積回路について電気的検査を行う こお 、て、 繰り返し使用における高 、異方導電 性コネクターおよびプローブ部材を雖することにある。
本発明の第 7の目的は、 上記のプローブ部材を使用して、 ウェハに形成された複数の集 積回路の電気的検査をウェハの状態で行うウェハ検査装置おょぴウェハ検査方法を撤す ることにある。
本発明の異方導電性コネクタ一は、 導電性粒子力 S含有された厚み方向に伸びる複数の接 続用導電部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で配置された機能部を有する弾性異方 導電膜を具えてなる異方導電' I生コネクターにおいて、
前記弾性異方導 ¾ の機能部における接^導電部の厚みを T 1とし、 当該機能部にお ける絶縁部の厚みを Τ 2としたとき、 比 (T 2/T 1 ) が 0. 9以上であることを街敷と する。
また、 本発明の異方導電性コネクタ一は、 ウェハに形成された複数の集積回路の各々に ついて、 当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる異方導電性コ ネクターにおいて、
検査 であるウェハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査 が 配置された電極領域に対応してそれぞれ厚み方向に貫通する複数の異方導 ens己置用孔が 形成されたフレーム板と、 このフレーム板の各異方導 ®3Ι配置用孔内に配置され、 当該異 方導電 Jin己置用孔の周辺部に支持された複数の弾性異方導 msiとよりなり、
廳己弾性異方導雜の各々は、 検査繊であるウェハに形成された集積回路における被 検査電極に対応して配置された、 磁性を示す導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に 伸びる複数の接続用導 と、 これらの接続用導電部を相互に絶縁する絶縁部とを有する 機能部を具えてなり、
嫌 3弾性異方導謹の機能部における接続用導電部の厚みを T 1とし、 当該機能部にお ける絶縁部の厚みを T 2としたとき、 比 (T 2 /T 1 ) が 0 . 9以上であることを特徴と する。
このような異方導電性コネクターにおいては、 弾性異方導電膜の各々の機能部の少なく とも一面が平坦面とされていることが好ましい。
また、 弾性異方導電膜の各々の機能部は、 少なくとも平坦面とされた一面が他の部分よ り突出するよう形成されており、
全ての弾性異方導電膜の機能部の一面の面積の総和を S 1とし、 検査対象であるウェハ における被検査電極が形成された側の表面の面積を S 2としたとき、 比 S 1 / S 2が 0 . 0 0 1〜0 . 3であること力 S好ましい。
また、 フレーム板の線熱膨張係数が 3 X I 0— 5/K以下であることが好ましい。
本発明のプローブ部材は、 ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、 当該集 積回路の電気的検查をウェハの状態で行うために用いられるプロ一プ部材であって、 検查 であるウェハに形成された集積回路における被検査電極のパターンに対応する パターンに従って検査電極が表面に形成された検査用回路 と、 この検査用回路 の 表面に配置された上記のフレーム板を有する異方導電性コネクターとを具えてなることを 特 ί敷とする。
本発明のプローブ部材においては、 前記異方導電性コネクターにおけるフレーム板の線 熱膨,数が 3 X 1 0— 5ΖΚ以下であり、 Ιϋϊ3検査用回路 を構成する勘反材料の線熱 膨 数が 3 X 1 0一5 ΖΚ以下であること力 s好ましい。
また、 前記異方導電' (4コネクター上に、 絶縁性シートと、 この絶縁性シートをその厚み 方向に貫通して伸ぴ、 被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された複数 の ®¾構造体とよりなるシート状コネクタ一が配置されていてもよい。
本発明のウェハ検 置は、 ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、 当該 集積回路の電気的検查をウェハの状態で行うウェハ検難置において、
上記のプローブ部材を具えてなり、 当該プローブ部材を介して、 検査対象であるウェハ に形成された集積回路に対する電気的接続が達成されることを糊敷とする。
本発明のウェハ検査方法は、 ウェハに形成された複数の集積回路の各々を、 上記のプロ 一プ部材を介してテスターに電気的に接続し、 当該ウェハに形成された集積回路の電気的 検査を^^することを樹敫とする。 発 明 の 効 果
本発明に係る異方導電性コネクターによれば、 弾性異方導電膜には、 接続用導電部を有 する機能部の周縁にネ^:持部が形成されており、 このネ鼓持部がフレーム板の異方導電膜 配置用孔の周辺部に固定されているため、 変形しにくくて取扱いやすく、 検査 ¾^である ウェハとの電気的接続作業において、 当該ウェハに対する位置合わせおよ 持固定を容 易に行うことができる。
また、 弾性異方導電膜の機能部における接続用導電部の厚みと絶縁部の厚みとの差がな レヽ若しくは小さいため、 当該弾性異方導電膜の形成において、 用いられる金型は、 平坦な 成形面を有するもの若しくは凹所の深さが小さい成形面を有するものであり、 成形材料層 に磁場を作用させたときに、 導電' f 立子の移動が阻害されることがなく、 導電性粒子が成 形材料層における絶縁部となる部分にほとんど残留せずに、 導電性粒子を容易に接続用導 電部となる部分に集合させることができる。 その結果、 形成される全ての接続用導電部に ついて、 良好な導電性が得られると共に隣接する接続用導電部との間に十分な絶縁性が確 実に得られる。
また、 異方導電' «の機能部の表面における接続用導電部の高さレベルと絶縁部の高さ レベルとの差がなレ、若しくは小さレヽため、 検査 であるウェハが突起状の被検査電極を 有するものであっても、 接続用導電部に突出部の圧潰による永久的な変形が生じることが 回避または抑制されるので、 繰り返し使用における高い耐久性が得られる。
また、 平坦面とされた機能部の一面が他の部分より突出するよう形成され、 当該機能部 の一面の面積と検査 ¾· ^であるウェハの表面の面積との比が特定の範囲にある構成によれ ば、 当該異方導電性コネクターを厚み方向に加圧したときに、 その荷重力 S機能部のみに集 中して作用するため、 小さ ヽ荷重で加圧しても接続用導電部に良好な導電性が確実に得ら れる。
また、 フレーム板の異方導電翻己置用孔の各々は、 検査 ¾ であるウェハにおける集積 回路の被検査電極が形成された電極領域に対応して形成されており、 当該異方導電 置 用孔の各々に配置される弾性異方導電膜は面積が小さいものでよいため、 個々の弾性異方 導讓の形成が容易である。 しかも、 面積の小さい弾性異方導讓は、 熱顧を受けた場 合でも、 当該弾性異方導電膜の面方向における讀張の絶対量が少ないため、 フレーム板 を構成する材料として線熱膨 数の小さいものを用いることにより、 弾性異方導 « Iの 面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。 従って、 大面積のウェハ に対して WL B I試験を行う においても、 良好な電気的接続状態を安定に維持するこ とができる。
本発明に係るプローブ部材によれば、 検査対象であるウェハとの電気的接続賤におい て、 当該ウェハに対する位置合わせおよ υ¾持固定を容易に行うことができ、 しかも、 突 起状電極を有する集積回路が形成されたウェハの検査にぉ 、て、 繰り返し使用した^に も、 長期間にわたって所要の導電' 14を維持することができる。
本発明に係るウェハ検難置おょぴウェハ検鼓法によれば、 上記のプローブ部材を介 して、 検査対象であるウェハの被検査電極に対する電気的接続が達成されるため、 被検査 電極のピッチが小さいものであっても、 当該ウェハに対する位置合わせおよ Ό¾持固定を 容易に行うことができ、 しかも、 突起状電極を有する集積回路が形成されたウェハについ て、 繰り返し検查を行った にも、 所要の電気的検査を長期間にわたって安定して 亍 することができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明に係る異方導電性コネクターの一例を示す平面図である。
図 2は、 図 1に示す異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図である。
図 3は、 図 1に示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大して示す平面 図である。
図 4は、 図 1に示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大して示 明 用断面図である。
図 5は、 弾性異方導鎌成形用の金型に成形材料が塗布されて成形材料層が形成された 状態を示す説明用断面図である。
図 6は、 弾性異方導電成形用の金型をその一部を拡大して示す説明用断面図である。 · 図 7は、 図 5に示す金型の上型および下型の間にスぺーサーを介してフレーム板が配置 された状態を示す説明用断面図である。
図 8は、 金型の上型と下型の間に、 目的とする形態の成形材料層が形成された状態を示 す説明用断面図である。
図 9は、 図 8に示す成形材料層を拡大して示す説明用断面図である。
図 1 0は、 図 9に示す成形材料層にその厚み方向に強度分布を有する磁場が形成された 状態を示す説明用断面図である。
図 1 1は、 本発明に係るウェハ検査装置の一例における構成を示す説明用断面図である 図 1 2は、 図 1 1に示すウェハ検査装置におけるプローブ部材の要部の構成を示す説明 用断面図である。
図 1 3は、 本発明に係るウェハ検査装置の他の例における構成を示す説明用断面図であ る。
図 1 4は、 図 1 3に示すウェハ検査装置におけるプローブ部材の要部の構成を示 明 用断面図である。
図 1 5は、 本発明に係る異方導電性コネクターの他の例における弾性異方導 ®ϋを拡大 して示す平面図である。
図 1 6は、 本発明に係る異方導電性コネクターの他の例における弾性異方導觀を拡大 して示す説明用断面図である。
図 1 7は、 本発明に係る異方導電性コネクターの更に他の例における弾性異方導 を 拡大して示す平面図である。
図 1 8は、 本発明に係るウェハ検査装置の更に他の例における構成を示 明用断面図 である。
図 1 9は、 図 1 8に示すウェハ検査装置におけるプローブ部材の要部の構成を示 t¾明 用断面図である。 図 2 0は、 突起状電極を有するウェハを検査するためのウェハ検 置の構成を示す説 明用断面図である。
図 21は、 図 20に示すウェハ検¾¾置におけるプローブ部材の要部の構成を示 明 用断面図である。
図 2 2は、 本発明に係る異方導電性コネクターの更に他の例における弹性異方導 msiを 拡大して示す平面図である。
図 2 3は、 実施例で使用した評価用ウェハの上面図である。
図 2 4は、 図 2 3に示す 用ウェハに形成された集積回路の被検查電極領域の位置を 示す説明図である。
図 2 5は、 図 2 3に示す評価用ウェハに形成された集積回路の被検査電極を示す説明図 である。
図 2 6は、 実施例で作製したフレーム板の上面図である。
図 2 7は、 図 2 6に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図である。
図 2 8は、 実施例で作製した金型の成形面を拡大して示す説明図である。
図 2 9は、 比較用の異方導電性コネクターを得るために使用した、 弾性異方導電成形用 の金型の一部を拡大して示1 明用断面図である。
図 3 0は、 比較用の異方導電性コネクターを得るために使用した、 弾性異方導電成形用 の金型の成形面を拡大して示す説明図である。
図 3 1は、 従来の異方導電性コネクターを製造する工程において、 金型内にフレーム板 が配置されると共に、 成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
〔符号の説明〕
1 プローブ部材 2 異方導電性コネクター
3 カロ圧板 4 ウェハ載置台
5 カロ熱器 6 ウェハ
7 被検査 1 0 フレーム板
1 5 空気流通孔
1 6 位置決め孔 2 0 弾性異方導電膜
2 O A 成形材料層 2 1 機能部 2 接続用導電部 23 絶縁部
4 突出部 25 ネ歧持部
6 赚続用導電部
0 検査用回路鎌 3
1 絶縁性シート 40 シート状コネクター 2 廳構造体 43 表面電極部
4 裏面電極部 45 短総
0 チヤンパー 51 排気管
5 O—リング
0 金型 61 上型
2 纖 63, 63 a 強磁性体層 4 非磁性体層
4 a, 64 b, 64 c 凹所
5 下型 66 纖
7, 67 a 強磁性体層
8 難性体層
8 a, 68 b, 68 c 陋
9 a, 69 b スぺーサー
1 上型 82 鎌
3 強磁性体層 84 非磁性体層
4 a 凹所 85 下型
6 繊 87 強磁性体層
8 難性体層 88 a 凹所
0 フレーム板 91 開口
5 成形材料層 P 導電性粒子 発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明の実施の形態について詳細に説明する。 〔異方導電性コネクター〕 図 1は、 本発明に係る異方導電性コネクターの一例を示す平面図、 図 2は、 図 1に示す 異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図、 図 3は、 図 1に示す異方導電性コネ クタ一における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図、 図 4は、 図 1に示す異方導電性コ ネクターにおける攀 f生異方導電膜を拡大して示す 1½明用断面図である。
図 1に示す異方導電性コネクターは、 例えば複数の集積回路が形成されたウェハについ て当該集積回路の各々の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられるものであって 、 図 2に示すように、 それぞれ厚み方向に貫通して伸びる複数の異方導電膜配置用孔 1 1
(«泉で示す) が形成されたフレーム板 1 0を有する。 このフレーム板 1 0の異方導電膜 配置用孔 1 1は、 検査 であるウェハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極 領域のパターンに対応して形成されている。 フレーム板 1 0の各異方導電腿 3置用孔 1 1 内には、 厚み方向に導電性を有する弾性異方導電膜 2 0が、 当該フレーム板 1 0の当該異 方導電翻己置用孔 1 1の周辺部に支持された状態で、 かつ、 隣接する弾性異方導電膜 2 0 と互いに独立した状態で配置されている。 また、 この例におけるフレーム板 1 0には、 後 述するウェハ検査装置において、 方式の加圧手段を用いる;^に、 当該異方導電'性コ ネクターとこれに離する部材との間の空気を流通させるための空気流通孔 1 5が形成さ れ、 更に、 検査対象であるウェハおよび検査用回路基板との位置決めを行うための位置決 め孔 1 6が形成されている。
弾性異方導 SIt2 0は、 弾性高分子物質によって形成されており、 図 3に示すように、 厚み方向 (図 3において紙面と垂直な方向) に伸びる複数の接続用導電部 2 2と、 この接 続用導電部 2 2の各々の周囲に形成され、 当該接続用導電部 2 2の各々を相互に絶縁する 絶縁部 2 3とよりなる機能部 2 1を有し、 当該機能部 2 1は、 フレーム板 1 0の異方導電 觸己置用孔 1 1内に位置するよう配置されている。 この機能部 2 1における接翻導電部 2 2は、 検査 であるウェハにおける集積回路の被検査電極のパターンに対応するパタ ーンに従って配置され、 当該ウェハの検査において、 その被検査電極に電気的に接続され るものである。
機能部 2 1の周縁には、 フレーム板 1 0における異方導電翻己置用孔 1 1の周辺部に固 定支持された 持部 2 5が、 当該機能部 2 1に一体に連続して形成されている。 具体的 には、 この例におけるネ鼓持部 2 5は、 二股状に形成されており、 フレーム板 1 0におけ る異方導電翻己置用孔 1 1の周辺部を把持するよう密着した状態で固定支持されている。 举十生異方導 ® 20の機能部 21における接続用導電部 22には、 図 4に示すように、 磁性を示す導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。 これ に対して、 絶縁部 2 3は、 導電性粒子 Pが全く或いは殆ど含有されていないものである。 この例においては、 弾性異方導電膜 2 0におけるネ鼓持部 2 5には、 導電性粒子 Pが含有 されている。
本発明の異方導電性コネクターにおいては、 弾性異方導纖 2 0の機能部 2 1における 接続用導電部 2 2の厚みを T 1とし、 当該機能部 2 1における絶縁部 2 3の厚みを T 2と したとき、 接続用導電部 2 2の厚みに対する絶縁部 2 3の厚みの比 (T 2/T 1 ) が 0. 9以上とされ、 好ましくは 0. 9 2〜1 . 2とされる。 この例では、 弾性異方導電膜 2 0 の機能部 2 1は、 その両面が平坦面とされており、 接続用導電部 2 2の厚みに対する絶縁 部 2 3の厚みの比 (T 2/T 1 ) が 1である。 このように、 比 (T 2/T 1 ) が 1である ^^には、 当該異方導電性コネクターの製造において歩留りが向上し、 被検査電極が突起 状のものであっても、 接続用導電部の変形によって当該接続用導電部の電気抵抗が上昇す ることが抑制され、 繰り返し使用における耐久性が一層良好となるため、 特に好ましい。 この比 (T 2/T 1 ) が過小である^^には、 異方導電' 2 0の形成において成形材 料層に強度分布を有する磁場を作用させたときに、 当該成形材料層中の導電性粒子を接続 用導電部 2 2となるべき部分に集合させにくくなり、 得られる接続用導電部 2 2の電気抵 抗が高くなつたり、 隣接する接続用導電部 2 2間の電気抵抗が低くなつたりする。
また、 この例の異方導電性コネクターにおいては、 弾性異方導電膜 2 0の各々の機能部 2 1は、 持部 2 5の厚みより大きい厚みを有するものとされ、 それぞれの機能部 2 1 の一面おょぴ他面力 S被支持部 2 5より突出するよう形成されている。
このような異方導電性コネクターにおいては、 全ての弾性異方導纖 2 0の機能部 2 1 の一面の面積の総和を S 1とし、 検査 であるウェハにおける被検査電極が形成された 側の表面の面積を S 2としたとき、 比 S 1ノ S 2が 0. 0 0 1〜0. 3であることが好ま しく、 より好ましくは 0. 0 0 2〜0. 2である。
この比 S 1 /S 2の値が過小である場合には、 当該異方導電性コネクターを加圧状態か ら開放したときに、 弾性異方導電膜 2 0の各々の機能部 2 1が検査用回路凝反の自重によ り、 或いは弾性異方導 mii20自体の有するタック性により、 当該弾性異方導 mii2 oの 各々が圧縮したままの状態となり、 元の形状に復元すること力 S困難となる可能性があり、 これにより、 弾性異方導電膜 2 0の繰り返し使用による耐久性を著しく低下させることが ある。 一方、 この比 S 1 /S 2の値が過大である^^には、 検查対象であるウェハに対す る電気的接続を達成するために、 当該異方導電性コネクターを相当に大きい荷重で加圧し なければならない。 そのため、 ウェハ検査装置に大型の加圧機構を備えること力 S必要とな り、 その結果、 ウェハ検查装置全体が大型のものとなると共に、 ウェハ検蝶置の製造コ ストが増大する、 という問題が生じる。 また、 異方導電性コネクターを相当に大きい荷重 で加圧するため、 異方導電性コネクター、 検査用回路難および検査対象であるウェハに 損傷を与えやすくなる、 という問題が生じる。
• フレーム板 1 0の厚みは、 その材質によって異なるが、 2 0〜6 0 0〃inであることが 好ましく、 より好ましくは 4 0〜4 0 0 z mである。
この厚みが 2 0 m未満である場合には、 異方導電性コネクターを使用する際に必要な 強度が得られず、 耐久性が低いものとなりやすく、 また、 当該フレーム板 1 0の形状が維 持される程度の岡 IJ性が得られず、 異方導電性コネクターの取扱い性が低いものとなる。 一 方、 この厚みが 6 0 0 μ ηを超える^^には、 異方導 配置用孔 1 1に形成される弾性 異方導電膜 2 0は、 その厚みが過大なものとなって、 接続用導電部 2 2における良好な導 電性および隣接する接続用導電部 2 2間における絶縁性を得ることが困難となることがあ る。
フレーム板 1 0の異方導讓配置用孔 1 1における面方向の形状および寸法は、 検査対 象であるウェハの被検査電極の寸法、 ピッチおょぴパターンに応じて設計される。
フレーム板 1 0を構成する材料としては、 当該フレーム板 1 0が容易に変形せず、 その 形状が安定に維持される程度の岡 I胜を有するものであれば特に限定されず、 例えば、 金属 材料、 セラミックス材料、 樹脂材料などの種々の材料を用いることができる。 また、 フレ ーム板 1 0を例えば金属材料により構成する こは、 当該フレーム板 1 0の表面に絶縁 性ネ厳が形成されていてもよい。
フレーム板 1 0を構成する金属材料の具体例としては、 鉄、 銅、 ニッケル、 クロム、 コ バルト、 マグネシウム、 マンガン、 モリプデン、 インジウム、鉛、 パラジウム、 チタン、 タングステン、 アルミニウム、 金、 白金、 銀などの金属またはこれらを 2種以上組み合わ せた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
フレーム板 1 0を構成する樹脂材料の具体例としては、 液晶ポリマー、 ポリイミド樹脂 などが挙げられる。
また、 フレーム板 1 0は、 後述する方法により、 弾性異方導霞莫 2 0における被支持部 2 5に導電性粒子 Pを線に含有させることができる点で、 少なくとも異方導 « I配置用 孔 1 1の周辺部すなわち弾性異方導電膜 2 0を支持する部分が磁性を示すもの、 具体的に はその飽和磁化が 0. l Wb/m2以上のものであることが好ましく、 特に、 当該フレー ム板 1 0の作製が容易な点で、 フレーム板 1 0全体が磁性体により構成されていることが 好ましい。
このようなフレーム板 1 0を構成する磁性体の具体例としては、 鉄、 二ッケル、 コパル ト若しくはこれらの磁性金属の合金またはこれらの磁性金属と他の金属との合金若しくは 合^などが挙げられる。
また、 異方導電性コネクターを WL B I試験に用いる には、 フレーム板 1 0を構成 する材料としては、 線熱膨 数が 3 X 1 0一5/ K以下のものを用いることが好ましく、 より好ましくは一 1 X 1 0—7〜: L X I (Τ5/Κ、 特に好ましくは 1 X I 0— 6〜8 X 1 0一6 /Κである。
このような材料の具体例としては、 ィンパーなどのィンパー型合金、 ェリンパーなどの エリンパー型合金、 スーパーインバー、 コパーノレ、 4 2合金などの磁性金属の合金または 合^ HIなどが挙げられる。
弾性異方導電膜 2 0の機能部 2 1の は、 4 0〜 3 0 0 0 mであることが好ましく 、 より好ましくは 5 0〜2 5 0 0 i m、 特に好ましくは 7 0〜2 0 0 0 mである。 この 厚みが 4 0 以上であれば、 十分な強度を有する弾性異方導 2 0が確実に得られる 。 一方、 この厚みが 3 0 0 0 /ί ΐη以下であれば、 所要の導電特性を有する接続用導電部 2 2が確実に得られる。
また、 被支持部 2 5の厚み (図示の例では二股部分の一方の厚み) は、 5〜6 0 0 ^ m であることが好ましく、 より好ましくは 1 0〜5 0 0 111である。
また、 被支持部 2 5は二股状に形成されてフレーム板 1 0の両面に固定されることは必 須のことではなく、 フレーム板 1 0の一面のみに固定されていてもよレ、。
弹性異方導 ® 2 0を形成する弾性高分子物質としては、 架橋構造を有する耐熱性の高 分子物質が好ましい。 カゝかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高 分子物質形^料としては、 種々のものを用いることができる力 液状シリコーンゴムが 好ましい。
液状シリコーンゴムは、 付カロ型のものであっても縮合型のものであってもよいが、 付加 型液状シリコーンゴムが好ましい。 この付加型!^状シリコーンゴムは、 ビエル基と S i—
H結合との反応によって硬化するものであって、 ビニノレ基おょぴ S i— H結合の両方を含 有するポリシロキサンからなる一液型 (一成分型) のものと、 ビュル基を含有するポリシ ロキサンおよび S i—H結合を含有するポリシロキサンからなる二液型 (二成分型) のも のがあるが、 本発明においては、 二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いること力好ま しい。
付加型液状シリコーンゴムとしては、 その 2 3°Cにおける粘度が 1ひ 0〜1, 2 5 0 P a · sのものを用いることが好ましく、 さらに好ましくは 1 5 0〜8 0 0 P a · s、 特に 好ましくは 2 5 0〜5 0 0 P a · sのものである。 この粘度が 1 0 O P a · s未満である には、 後述する弾性異方導電膜 2 0を得るための成形材料において、 当該付加型液状 シリコーンゴム中における導電性粒子の沈降が生じやすく、 良好な保存安定性が得られず 、 また、 成形材料層に 亍磁場を作用させたときに、 導電†嫩子が厚み方向に並ぶよう配 向せず、 均一な状態で導電性粒子の連鎖を形成することが困難となることがある。 一方、 この粘度が 1, 2 5 0 P a · sを超える^ こは、 得られる成形材料が粘度の高いものと なるため、 金型内に成形材料層を形成しにくいものとなることがあり、 また、 成形材料層 に5 Pff磁場を作用させても、 導電性粒子が十分に移動せず、 そのため、 導電性粒子を厚み 方向に並ぶよう配向させることが困難となることがある。
このような付加型液状シリコーンゴムの粘度は、 B型粘度計によって測定することがで きる。
弾性異方導電膜 2 0を液状シリコーンゴムの硬化物 (以下、 「シリコーンゴム硬化物」 という。 ) によって形成する場合において、 当該シリコーンゴム硬化物は、 その 1 5 0°C における圧縮永久歪みが 1 0 %以下であることが好ましく、 より好ましくは 8 %以下、 さ らに好ましくは 6 %以下である。 この圧縮永久歪みが 1 0 %を超える ^には、 得られる 異方導電性コネクターを高温環境下において繰り返し使用したときには、 接続用導電部 2 2における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、 所要の導電性を維持することが困難と なる。
ここで、 シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、 J I S K 6 2 4 9に した方 法によって測定することができる。
また、 弾性異方導電膜 2 0を形成するシリコーンゴム硬化物は、 その 2 3°Cにおけるデ ュロメーター A硬度が 1 0〜6 0のものであることが好ましく、 さらに好ましくは 1 5〜 6 0、 特に好ましくは 2 0〜6 0のものである。 このデュロメーター A硬度が 1 0未満で ある には、加圧されたときに、 接続用導電部 2 2を相互に絶縁する絶縁部 2 3が過度 に歪みやすく、 接続用導電部 2 2間の所要の絶縁性を維持することが困難となることがあ る。 一方、 このデュロメーター A硬度が 6 0を超える^には、 接続用導載|52 2に適正 な歪みを与えるために相当に大きレヽ荷重による加圧力が必要となるため、 例えば検査 であるウェハに大きな変形や破壌が生じやすくなる。
ここで、 シリコーンゴム硬化物のデュロメーター A硬度は、 J I S K 6 2 4 9に準 拠した方法によつて測定することができる。
また、 弾性異方導電膜 2 0を形成するシリコーンゴム硬化物は、 その 2 3。Cにおける引 き裂き強度が 8 k N/m以上のものであることが好ましく、 さらに好ましくは 1 0 k N/ m以上、 より好ましくは 1 5 k NZm以上、 特に好ましくは 2 0 k NZm以上のものであ る。 この引き裂き強度が 8 k NZm未満である ^には、 弾性異方導電膜 2 0に過度の歪 みが与えられたときに、 耐久性の低下を起こしやすい。
ここで、 シリコーンゴム硬化物の引き裂き強度は、 J I S K 6 2 4 9に «した方 法によって測定することができる。
このような特 を有する付加型液状シリコーンゴムとしては、 信越化学工業株式会ネ の液状シリコーンゴム 「KE 2 0 0 0」 シリーズ、 「KE 1 9 5 0」 シリーズ、 「KE 1 9 9 0」 シリーズとして市販されているものを用いることができる。
本発明においては、 付加型液状シリコーンゴムを硬化させるために適宜の硬化触媒を用 いることができる。 このような硬ィ匕角虫媒としては、 白金系のものを用いることができ、 そ の具体例としては、 塩化白金酸おょぴその塩、 白金一不飽和基含有シロキサンコンプレツ タス、 ビュルシロキサンと白金とのコンプレックス、 白金と 1, 3—ジビュルテトラメチ ノレジシロキサンとのコンプレックス、 トリオノレガノホスフィンあるいはホスファイトと白 金とのコンプレックス、 ァセチノレアセテート白金キレート、 環状ジェンと白金とのコンプ レックスなどの 口のものが挙げられる。
硬化触媒の使用量は、 硬化触媒の種類、 その他の硬化処 件を考慮して適宜選択され る力 通常、 付加型液状シリコーンゴム 1 0 0重量部に対して 3〜1 5重量部である。 また、 付加型液状シリコーンゴム中には、 付加型液状シリコーンゴムのチクソトロピー 性の向上、 粘度調整、 導電 '(^立子の分散安定性の向上、 或いは高い強度を有する謝を得 ることなどを目的として、 必要に応じて、 通常のシリカ粉、 コロイダルシリカ、 エアロゲ ルシリカ、 アルミナなどの無機充 を含有させることができる。
このような無機充填材の使用量は、 特に限定されるものではないが、 多量に使用すると
、 磁場による導電性粒子の配向を十分に達成することができなくなるため、 好ましくない 導電性粒子 Pの数平均粒子径は、 3〜3 0 /Ζ Π1であることが好ましく、 より好ましくは 6〜 1 5 z mで 3D 。
また、 導電†生粒子 Pとしては、 その数平均粒子径を D nとし、 その重量平均あ立子径を D wとしたとき、 数平均粒子径に対する重量平均粒子径の比 DwZD n (以下、 単に 「比 D w/D n」 という。 ) の値が 5以下のものを用いることが好ましく、 より好ましくは比 D w/D nの値が 3以下のものである。 このような導電性粒子を用いることにより、 隣接す る接続用導電部 2 2間における所要の絶縁性を一層確実に得ることができる。
本発明において、未立子の平均粒子径は、 レーザー回 ί»ί¾乱法によって測定されたものを いう。
また、 導電性粒子 Pとしては、 粒子径の変動係数が 5 0 %以下のものが好ましく、 より 好ましくは 3 5 %以下のものである。
ここで、 粒子径の変動係数は、 式: (σ /D n) X I 0 0 (但し、 σは、粒子径の標準 偏差の値を示す。 ) によって求められるものである。
導電性粒子 Ρの粒子径の変動係数が 5 0 %を超える には、 隣接する接続用導電部 2 2間における所要の絶縁性を確実に得ることが困難となる。
また、 導電性粒子 Ρの形状は、 特に限定されるものではないが、 高分子物質形腿料中 に容易に分散させることができる点で、 球状のもの、 星形状のものあるいはこれらカ した 2次粒子による塊状のものであることが好ましレ、。
導電性粒子 Ρとしては、 磁性を示す 子 (以下、 「磁性芯粒子」 ともいう。 ) の表面 に、 高導電性金属が被覆されてなるものを用いること力 S好ましい。
ここで、 「高導電十生金属」 とは、 0°Cにおける導電率が 5 X 1 0 6 Ω一1 m—1以上のもの をレヽう。
磁性 粒子を構成する材料としては、 鉄、 ニッケル、 コバルト、 これらの金属を銅、 樹 脂にコーティングしたものなどを用いことができるが、 その飽和磁化が 0. l Wb /m2 以上のものを好ましく用いることができ、 より好ましくは 0. 3WbZm2 以上、 特に好 ましくは 0 . 5Wb "m2 以上のものであり、 具体的には、 鉄、 ニッケル、 コバルトまた はそれらの合金を挙げることができ、 これらの中では、 ニッケノレが好ましい。
この飽和磁化が 0. lWb Zm2 以上であれば、 後述する方法によって、 当該弾性異方 導 «12 0を形成するための成形材料層中において導電性粒子 Pを容易に移動させること ができ、 これにより、 当該成形材料層における接続用導電部となる部分に、 導電性粒子 P を確実に移動させて導電性粒子 Pの連鎖を形成することができる。
磁性 立子を被覆する高導電性金属としては、 金、 銀、 ロジウム、 白金、 クロムなどを 用いることができ、 これらの中では、 化学的に安定で力つ高い導電率を有する点で金を用 いるが好ましい。
また、 高い導電性を有する接続用導電部 2 2を得るために、 導電性粒子 Pとしては、 芯 粒子に対する高導電性金属の割合 〔 (高導電性金属の質量 Z芯粒子の質量) X I 0 0〕 が 1 5質量%以上のものを用いることが好ましく、 より好ましくは 2 5〜3 5質量%である また、 導電性粒子 Pの含水率は、 5 %以下であることが好ましく、 より好ましくは 3 % 以下、 さらに好ましくは 2 %以下、 特に好ましくは 1 %以下である。 このような条件を満 足する導電性粒子 Pを用いることにより、 後述する製 法において、 成形材料層を硬ィ匕 処理する際に、 当該成形材料層内に気泡が生ずることが防止または抑制される。
このような導電'離子 Pは、 例えは以下の方法によつて得ることができる。
先ず、 強磁性体材料を常法により粒子化し或いは市販の強磁性体粒子を用意し、 この粒 子に対して必要に応じて分級処理を行う。
ここで、 粒子の分級処理は、 例えば空気^及装置、 音波ふるい装置などの分婦置によ つて行うことができる。
また、 分級処理の具体的な条件は、 目的とする磁性: S¾子の数平均粒子径、 装置の 種類などに応じて適宜設定される。
次いで、 磁性芯粒子の表面を酸によって処理し、 更に、 例えば純水によって g¾fするこ とにより、 磁性芯粒子の表面に存在する汚れ、 異物、 酸化膜などの不純物を除去し、 その 後、 当該磁性^粒子の表面に高導電性金属を被覆することにより、 磁性を示す導電' I»子 が得られる。
ここで、 磁性芯粒子の表面を処理するために用いられる酸としては、 塩酸などを挙げる ことができる。
高導電性金属を磁性 粒子の表面に被覆する方法としては、 無電解メツキ法、 置換メッ キ法等を用いることができるが、 これらの方法に限定されるものではなレ、。
無電解メツキ法または置換メツキ法によって導電性粒子を製造する方法について説明す ると、 先ず、 メツキ液中に、 酸処理および 処理された磁性^粒子を添加してスラリー を調製し、 このスラリーを攪拌しながら当該磁性芯粒子に対して無電解メツキまたは置換 メツキを行う。 次いで、 スラリー中の粒子をメツキ液から分離し、 その後、 当 粒子を例 えば純水によって洗浄処理することにより、 磁性芯粒子の表面に高導電性金属力 S被覆され てなる導電性粒子が得られる。
また、 磁性 粒子の表面に下地メツキを行って下地メツキ層を形成した後、 当該下地メ ツキ層の表面に高導電性金属よりなるメツキ層を形成してもよい。 下地メツキ層おょぴそ の表面に形成されるメツキ層を形成する方法は、 特に限定されないが、 無電解メツキ法に より、 磁性芯粒子の表面に下地メツキ層を形成し、 その後、 置換メツキ法により、 下地メ ツキ層の表面に高導電性金属よりなるメツキ層を形成することが好ましい。
無電解メツキまたは置換メツキに用いられるメツキ液としては、 特に限定されるもので はなく、 種々の市販のものを用いることができる。
このようにして得られる導電性粒子に対して、 上記の粒子径およひ 子径分布を有する ものとするために、 分級処理が行われる。
導電性粒子の分級処理を行うための^!及装置としては、 前述の磁性芯粒子の:^及処理に 用いられる分 «置として例示したものを用いることができるが、 少なくとも空気^及装 置を用いることが好ましい。 空気分級装置によって導電性粒子を分級処理することにより 、 上記の粒子径および粒子径分布を有する導電性粒子が確実に得られる。
また、 導電性粒子 Pは、 必要に応じてシランカップリング剤などのカップリング剤によ つて処理されていてもよい。 導電' 子 Pの表面がカツプリング剤で処理されることによ り、 当該導電' 1·錄立子 Pと弾性高分子物質との接着性が高くなり、 その結果、 得られる弾性 異方導 ®I2 0は、繰り返しの使用における耐久性が高いものとなる。
カツプリング剤の使用量は、 導電性粒子 Pの導電性に影響を与えない範囲で適宜選択さ れるが、 導電性粒子 Pの表面におけるカップリング剤の被覆率 (導電性芯粒子の表面積に 対するカップリング剤の被覆面積の割合) が 5 %以上となる量であることが好ましく、 よ り好ましくは上記被覆率が 7〜 1 0 0 %、 さらに好ましくは 1 0〜 1 0 0 %、 特に好まし くは 2 0〜1 0 0 %となる量である。
機能部 2 1の接纖導電部 2 2における導電' 1·嫩子 Pの含有割合は、 体積分率で 1 0〜 6 0 %、 好ましくは 1 5〜 5 0 %となる割合であることが好ましレ、。 この割合が 1 0 %未 満の^^には、 十分に電気抵抗値の小さい接続用導電部 2 2が得られないことがある。 一 方、 この割合が 6 0 %を超える には、 得られる接続用導電部 2 2は脆弱なものとなり やすく、 接続用導電部 2 2として必要な弾性が得られないことがある。
また、 ネ鼓持部 2 5における導電性粒子 Pの含有割合は、 弾性異方導電膜 2 0を形成す るための成形材料中の導電性粒子の含有割合によつて異なるが、 弾性異方導電膜 2 0にお ける接続用導 2 2のうち最も外側に位置する接続用導慰 152 2に、 過剰な量の導電性 粒子 Pが含有されることが確実に防止される点で、 成形材料中の導電性粒子の含有割合と 同等若しくはそれ以上であることが好ましく、 また、 十分な強度を有する被支持部 2 5が 得られる点で、 体積分率で 3 0 %以下であることが好ましレ、。
上記の異方導電' I·生コネクターは、 例えば以下のようにして製造することができる。 先ず、 検査 であるウェハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域のパ ターンに対応して異方導電膜配置用孔 1 1が形成された磁性金属よりなるフレーム板 1 0 を«する。 ここで、 フレーム板 1 0の異方導 配置用孔 1 1を形成する方法としては 、 例えばエッチング法などを利用することができる。
次いで、 付加型液状シリコーンゴム中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる弾性異 方導電膜用の成形材料を調製する。 そして、 図 5に示すように、 弾性異方導電 '«成形用 の金型 6 0を用意し、 この金型 6 0における上型 6 1およぴ下型 6 5の各々の成形面に、 弾性異方導電膜用の成形材料を、 所要のパターンすなわち形成すべき弾性異方導電膜の配 置パターンに従って塗布することによって成形材料層 2 0 Αを形成する。
ここで、 金型 6 0について具体的に説明すると、 この金型 6 0は、 上型 6 1およびこれ と対となる下型 6 5が互いに対向するよう配置されて構成されて 、る。 上型 6 1においては、 図 6に拡大して示すように、 纖 6 2の下画こ、 成形すべき弾性 異方導電性膜 2 0の接^導電部 2 2の配置パターンに対掌なパターンに従って強磁性体 層 6 3が形成され、 この強磁性体層 6 3以外の個所には、 陋性体層 6 4が形成されてお り、 これらの強磁性体層 6 3および非磁性体層 6 4によって成形面が形成されている。 一方、 下型 6 5においては、 基板 6 6の上面に、 成形すべき弾性異方導扉 2 0の接続 用導電部 2 2の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層 6 7が形成され、 この 強磁性体層 6 7以外の個所には、 難性体層 6 8が形成されており、 これらの強磁性体層 6 7およぴ非磁性体層 6 8によって成形面が形成されている。
また、 上型 6 1およぴ下型 6 5の各々の成形面には、 被支持部 2 5の厚みより大きい厚 みを有する機能部 2 1を形成するために、 凹所 6 4 a, 6 8 aが形成されている。
上型 6 1およぴ下型 6 5の各々における ¾K 6 2, 6 6は、 強磁性体により構成されて いることが好ましく、 このような強磁性体の具体例としては、 鉄、 鉄一ニッケル合金、 鉄 —コバルト合金、 ニッケル、 コパルトなどの強磁性金属が挙げられる。 この基板 6 2, 6 6は、 その厚みが 0 . 1〜 5 0 mmであることが好ましく、 表面が平滑で、 化学的に脱脂 処理され、 また、 «的に研磨処理されたものであることが好ましい。
また、 上型 6 1およぴ下型 6 5の各々における強磁性体層 6 3, 6 7を構成する材料と しては、 鉄、 鉄一ニッケル合金、 鉄一コバルト合金、 エッケル、 コバルトなどの強磁性金 属を用いることができる。 この強磁性体層 6 3, 6 7は、 その厚みが 1 0 m以上である ことが好ましい。 この厚みが 1 0 m以上であれば、 成形材料層 2 0 Aに対して、 十分な 強度分布を有する磁場を作用させることができ、 この結果、 当該成形材料層 2 O Aにおけ る接続用導電部 2 2となる部分に導電性粒子を高密度に集合させることができ、 良好な導 電性を有する接続用導電部 2 2力 S得られる。
また、 上型 6 1およぴ下型 6 5の各々における非磁性体層 6 4, 6 8を構成する材料と しては、 銅などの非磁性金属、 耐熱 f生を有する高分子物質などを用いることができるが、 フォトリソグラフィ一の手法により容易に «性体層 6 4 , 6 8を形成することができる 点で、 波によって硬化された高分子物質を好ましく用いることができ、 その材料とし ては、 例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、 エポキシ系の液状レジスト、 ポリイ ミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用いることができる。
上型 6 1およぴ下型 6 5の成形面に成形材料を塗布する方法としては、 スクリーン印刷 4 001550
2 5 法を用いることが好ましい。 このような方法によれば、 成形材料を所要のパターンに従つ て塗布することが^^で、 しカゝも、 適量の成形材料を塗布することができる。
次いで、 図 7に示すように、 成形材料層 2 O Aが形成された下型 6 5の成形面上に、 ス ぺーサ一 6 9 aを介して、 フレーム板 1 0を位置合わせして配置すると共に、 このフレー ム板 1 0上に、 スぺーサ一 6 9 bを介して、 成形材料層 2 O Aが形成された上型 6 1を位 置合わせして配置し、 更に、 これらを重ね合わせることにより、 図 8に示すように、 上型 6 1と下型 6 5との間に、 目的とする形態 (形成すべき弾性異方導 «II 2 0の形態) の成 形材料層 2 0 Aが形成される。 この成形材料層 2 0 Aにおいては、 図 9に示すように、 導 電'! "ffi子 Pは成形材料層 2 0 A全体に分散された状態で^ "有されている。
このようにフレーム板 1 0と上型 6 1およぴ下型 6 5との間にスぺーサー 6 9 a , 6 9 bを配置することにより、 目的とする形態の弾性異方導電膜を形成することができると共 に、 隣接する弾性異方導電膜同士が連結することが防止されるため、 互いに独立した多数 の弾性異方導 «を確実に形成することができる。
その後、 上型 6 1における基板 6 2の上面およぴ下型 6 5における基板 6 6の下面に例 えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、 上型 6 1および下型 6 5の強 磁性体層 6 3, 6 7が磁極として機能するため、 上型 6 1の強磁性体層 6 3とこれに対応 する下型 6 5の強磁†生体層 6 7との間においてその周辺領域より大きい強度を有する磁場 が形成される。 その結果、 成形材料層 2 O Aにおいては、 当該成形材料層 2 O A中に分散 されていた導電生粒子 Pが、 図 1 0に示すように、 上型 6 1の強磁性体層 6 3とこれに対 応する下型 6 5の強磁性体層 6 7との間に位置する接続用導電部 2 2となる部分に集合し て厚み方向に並ぶよう配向する。 以上において、 フレーム板 1 0が磁性金属よりなるため 、 上型 6 1およぴ下型 6 5の各々とフレーム板 1 0との間においてその付近より大きい強 度の磁場が形成される結果、 成形材料層 2 O Aにおけるフレーム板 1 0の上方おょぴ下方 にある導電性粒子 Pは、 上型 6 1の強磁性体層 6 3と下型 6 5の強磁生体層 6 7との間に 集^:ず、 フレーム板 1 0の上方おょぴ下方に保持されたままとなる。
そして、 この状態において、 成形材料層 2 0 Aを硬化処理することにより、 弾性高分子 物質中に導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で 有されてなる複数の接続用 導 Μ¾ 2 2力 導電 '14^子 Pが全く或いは殆ど »しない高分子弾性物質よりなる絶縁部 2 3によって相互に絶縁された状態で配置されてなる機能部 2 1と、 この機能部 2 1の周 辺に連続して一体に形成された、 弾性高分子物質中に導電性粒子 P力含有されてなる被支 持部 2 5とよりなる弾性異方導電膜 2 0が、 フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の 周辺部に当該 持部 2 5が固定された状態で形成され、 以て異方導電性コネクターが製 造される。
以上において、 成形材料層 2 O Aにおける接続用導電部 2 2となる部分およ! ^皮支持部 2 5となる部分に作用させる外部磁場の強度は、 平均で 0. 1〜2. 5 Tとなる大きさが 好ましい。
成形材料層 2 O Aの硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、 通常、 加 熱処理によって行われる。 加熱により成形材料層 2 O Aの硬化処理を行う には、 電磁 石にヒーターを設ければよい。 具体的な加熱温度および加熱時間は、 成形材料層 2 O Aを 構成する高分子物質形成材料などの種類、 導電性粒子 Pの移動に要する時間などを考慮し て適宜選定される。
上記の異方導電性コネクターによれば、 弾性異方導藤 2 0には、 接続用導電部 2 2を 有する機能部 2 1の周縁にネ歧持部 2 5が形成されており、 この被支持部 2 5がフレーム 板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固定されているため、 変形しにくくて取扱い やすく、 検査 ¾^であるウェハとの電気的接続^ において、 当該ウェハに対する位置合 わせおよ «持固定を容易に行うことができる。
また、 弾性異方導電膜 2 0の機能部 2 1における接続用導電部 2 2の厚みと絶縁部 2 3 の厚みとの差がないため、 当該弾性異方導 «H 2 0の形成において、 用いられる金型は、 平坦な成形面を有するものであり、 成形材料層 2 0 Aに磁場を作用させたときに、 導電性 粒子 Pの移動が阻害されることがなく、 導電性粒子 Pが成形材料層 2 O Aにおける絶縁部 2 3となる部分にほとんど残留せずに、 導電性粒子 Pを容易に接続用導電部 2 2となる部 分に集合させることができる。 その結果、 形成される全ての接続用導電部 2 2について、 良好な導電性が得られると共に隣接する接続用導電部 2 2との間に十分な絶縁性が確実に 得られる。
また、 異方導電' |«2 0の機能部 2 1の表面における接続用導電部 2 2の高さレべノレと 絶縁部 2 3の高さレベルとの差がないため、検査 ¾ ^であるウェハが突起状の被検査電極 を有するものであっても、 接続用導電部 2 2に突出部の圧潰による永久的な変形が生じる ことが回避されるので、 繰り返し使用における高い耐久性が得られる。 また、 弾性異方導電膜 2 0における平坦面とされた機能部 2 1の一面がネ歧持部 2 5よ り突出するよう形成され、 機能部 2 1の一面の面積と検査 ^であるウェハの表面の面積 との比が特定の範囲にあることにより、 当該異方導電性コネクターを厚み方向に加圧した ときに、 その荷重が機能部のみに集中して作用するため、 小さい荷重で加圧しても接続用 導電部 2 2に良好な導電性力 S確実に得られる。
また、 フレーム板 1 0の異方導 配置用孔 1 1の各々は、 検查対象であるウェハにお ける集積回路の被検査 が形成された電極領域に対応して形成されており、 当該異方導 電翻己置用孔 1 1の各々に配置される弾性異方導電膜 2 0は面積が小さいものでよいため 、 個々の弾性異方導電膜 2 0の形成が容易である。 しかも、 面積の小さい弾性異方導電膜 2 0は、 熱履歴を受けた でも、 当該弾性異方導電膜 2 0の面方向における髓張の絶 対量が少ないため、 フレーム板 1 0を構成する材料として線熱膨,数の小さいものを用 いることにより、 弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実 に規制される。 従って、 大面積のウェハに対して WL B I試験を行う:^においても、 良 好な電気的接続状態を安定に維持することができる。
また、 強磁性体よりなるフレーム板 1 0を用いることにより、 その弾性異方導電膜 2 0 の形成において、成形材料層 2 O Aにおける被支持部 2 5となる部分に例えば磁場を作用 させることによって当^ ¾分に導電性粒子 Pが存在したままの状態で、 当該成形材料層 2 0 Aの硬化処理を行うことにより、 成形材料層 2 0 Aにおけるネ歧持部 2 5となる部分す なわちフレーム板 1 0における異方導 ¾配置用孔 1 1の周辺部の上方おょぴ下方に位置 する部分に存在する導電性粒子 Pが、 接続用導電部 2 2となる部分に集合することがなく 、 その結果、 得られる弾性異方導 SH2 0における接翻導電部 2 2のうち最も外側に位 置する接続用導電部 2 2に、 過剰な量の導電性粒子 P力 S含有されることが防止される。 従 つて、 成形材料層 2 O A中の導電性粒子 Pの含有量を少なくする必要もないので、 弾性異 方導電膜 2 0の全ての接続用導電部 2 2について、 良好な導電性力 S確実に得られると共に 隣接する接続用導電部 2 2との絶縁性が確実に得られる。
また、 フレーム板 1 0に位置決め孔 1 6が形成されているため、 検査対象であるウェハ または検査用回路 ¾及に対する位置合わせを容易に行うことができる。
また、 フレーム板 1 0には空気流通孔 1 5を形成することにより、 後述するウェハ検査 装置において、 プローブ部材を押圧する手段として減圧方式によるものを利用した場合に は、 チャンパ一内を減圧したときに、 異方導電性コネクターと検査用回路 ¾1及との間に存 在する空気がフレーム板 1 0の空気流通孔 1 5を介して排出され、 これにより、 異方導電 性コネクターと検査用回路 £1反とを確実に密着させることができるので、 所要の電気的接 続を確実に達成することができる。
〔ウェハ検纖置〕
図 1 1は、 本発明に係る異方導電性コネクターを用いたウェハ検雜置の一例における 構成の概略を示す説明用断面図である。 このウェハ検¾¾置は、 ウェハに形成された複数 の集積回路の各々につ 、て、 当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うためのもの である。
図 1 1に示すウェハ検査装置は、 検查対象であるウェハ 6の被検査電極 7の各々とテス ターとの電気的接続を行うプロ一プ部材 1を有する。 このプロ一プ部材 1においては、 図 1 2にも拡大して示すように、 検査対象であるウェハ 6の被検査電極 7のパターンに対応 するパターンに従って複数の検査電極 3 1力 S表面 (図において下面) 形成された検査用回 路基板 3 0を有し、 この検査用回路基板 3 0の表面には、 図 1〜図 4に示す構成の異方導 電†生コネクター 2力 その弾性異方導 0における接,導電部 2 2の各々が検査用 回路基板 3 0の検查電極 3 1の各々に対接するよう設けられ、 この異方導電性コネクター 2の表面 (図において下面) には、 絶縁性シート 4 1に検査対象であるウェハ 6の被検査 電極 7のパターンに対応するパターンに従って複数の電極構造体 4 2が配置されてなるシ 一ト状コネクター 4 0が、 当該電謹造体 4 2の各々が異方導電性コネクター 2の弾性異 方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の各々に対接するよう設けられている。
また、 プローブ部材 1における検査用回路基板 3 0の裏面 (図において上面) には、 当 該プロ一プ部材 1を下方に加圧する加圧板 3が設けられ、 プロ一プ部材 1の下方には、 検 査^であるウェハ 6が載置されるウェハ载置台 4が設けられており、 加圧板 3およぴゥ エノヽ載置台 4の各々には、 カロ纖 5が接続されている。
検査用回路纖 3 0を構成する鎌材料としては、 従来^]の種々の基板材料を用いる ことができ、 その具体例としては、 ガラス 補強型エポキシ樹脂、 ガラス «補強型フ ェノール樹脂、 ガラス «補強型ポリイミド樹脂、 ガラス 補強型ビスマレイミドトリ ァジン樹脂等の複合樹脂材料、 ガラス、 二酸化珪素、 アルミナ等のセラミックス材料など が挙げられる。 また、 WL B I試験を行うためのウェハ検難置を構成する には、 線熱膨難数が 3 1 0—5ノ K以下のものを用いることが好ましく、 より好ましくは 1 X 1 0— 7〜1 X 1 0一5/ K:、 特に好ましくは 1 X 1 0— 6〜6 X 1 0— 6/Kである。
このような 材料の具体例としては、 パイレックス (登録商標) ガラス、 石英ガラス 、 アルミナ、 ベリリア、 炭化ケィ素、 窒化アルミニウム、 窒化ホウ素など挙げられる。 プローブ部材 1におけるシート状コネクター 4 0について具体的に説明すると、 このシ 一ト状コネクター 4 0は、 柔軟な絶縁'性シート 4 1を有し、 この絶縁性シート 4 1には、 当該絶縁性シート 4 1の厚み方向に伸びる複数の金属よりなる電極構造体 4 2力 検査対 象であるウェハ 6の被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従って、 当該絶縁性シ ート 4 1の面方向に互いに離間して配置されている。
電極構造体 4 2の各々は、 絶縁性シート 4 1の表面 (図において下面) に露出する突起 状の表面電極部 4 3と、 絶縁性シート 4 1の裏面に露出する板状の裏面電極部 4 4とが、 絶縁性シート 4 1の厚み方向に貫通して伸びる短絡部 4 5によって互いに一体に連結され て構成されている。
絶縁性シート 4 1としては、 絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるもので はなく、 例えばポリイミド樹脂、 液晶ポリマー、 ポリエステル、 フッ素系樹脂などよりな る樹脂シ一ト、 繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることがで きる。
また、 絶縁性シート 4 1の厚みは、 当該絶縁性シート 4 1が柔軟なものであれば特に限 定されないが、 1 0〜5 0 であることが好ましく、 より好ましくは 1 0〜2 5 /z mで める。
構造体 4 2を構成する金属としては、 ニッケル、銅、 金、 銀、 パラジウム、 鉄など を用いることができ、 電極構造体 4 2としては、 全体が単一の金属よりなるものであって も、 2種以上の金属の合金よりなるものまたは 2種以上の金属が積層されてなるものであ つてもよい。
また、 電極構造体 4 2における表面 ¾ ^部 4 3および裏面電極部 4 4の表面には、 当該 電極部の酸化が防止されると共に、接触抵抗の小さい電極部が得られる点で、 金、 銀、 パ ラジウムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属ネ«が形成されていることが好まし レ、。 電極構造体 4 2における表面電極部 4 3の突出高さは、 ウェハ 6の被検查電極 7に対し て安定な電気的接続を達成することができる点で、 1 5〜 5 0 mであることが好ましく 、 より好ましくは 1 5〜3 0 ΐηである。 また、 表面電極部 4 3の径は、 ウェハ 6のネ皮検 査電極の寸法おょぴピッチに応じて設定されるが、 例えば 3 0〜8 O ^ mであり、 好まし くは 3 0〜5 0 πιである。
¾ ^構造体 4 2における裏面電極部 4 4の径は、 短 &¾ 4 5の径より大きく、 つ、 電 極構造体 4 2の配置ピッチより小さいものであればよいが、 可能な限り大きいものである ことが好ましく、 これにより、 異方導電性コネクター 2の弾性異方導電膜 2 0における接 続用導電部 2 2に対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。 また、 裏面 電極部 4 4の厚みは、 強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、 2 0〜 5 0 》1であることが好ましく、 より好ましくは 3 5〜5 Ο μ ΐηである。
電極構造体 4 2における短絡部 4 5の径は、 十分に高い強度が得られる点で、 3 0〜8 0 mであることが好ましく、 より好ましくは 3 0〜5 O /z mである。
シート状コネクター 4 0は、 例えば以下のようにして製造することができる。
すなわち、 絶縁性シート 4 1上に金属層力 S積層されてなる積層材料を用意し、 この積層 材料における絶縁性シート 4 1に対して、 レーザ加工、 ウエットエッチング加工、 ドライ エッチング加工等によって、 当該絶縁性シート 4 1の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を 、 形成すべき電極構造体 4 2のパターンに対応するパターンに従って形成する。 次いで、 この積層材料に対してフォトリソグラフィ一おょぴメツキ処理を施すことによって、 絶縁 性シート 4 1の貫通孔内に金属層に一体に連結された短袼部 4 5を形成すると共に、 当該 絶縁性シート 4 1の表面に、 短絡部 4 5に一体に連結された突起状の表面電極部 4 3を形 成する。 その後、 積層材料における金属層に対してフォトエッチング処理を施してその一 部を除去することにより、 裏面電極部 4 4を形成して電極構造体 4 2を形成し、 以てシー ト状コネクター 4 0が得られる。
このような電気的検雜置においては、 ウエノ、載置台 4上に検査対象であるウェハ 6が 載置され、 次いで、 加圧板 3によってプローブ部材 1が下方に加圧されることにより、 そ のシート状コネクター 4 0の電極構造体 4 2における表面 m¾部 4 3の各々が、 ウェハ 6 の被検查電極 7の各々に接触し、 更に、 当該表面電極部 4 3の各々によって、 ウェハ 6の 被検査 ¾¾ 7の各々カ¾¾圧される。 この状態においては、 異方導電性コネクター 2の弾性 異方導纖 2 0における接続用導 m§|52 2の各々は、 検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1 とシート状コネクター 4 0の電極構造体 4 2の表面電極部 4 3とによって されて厚み 方向に圧縮されており、 これにより、 当該接続用導電部 2 2にはその厚み方向に導電路が 形成され、 その結果、 ウェハ 6の被検査電極 7と検査用回路 ¾¾3 0の検査電極 3 1との 電気的接続が達成される。 その後、 カ卩 « 5によって、 ウェハ ¾E台 4および加圧板 3を 介してウェハ 6が所定の温度に加熱され、 この状態で、 当該ウェハ 6における複数の集積 回路の各々について所要の電気的検査が^?される。
このようなウェハ検¾ ^置によれば、 前述の異方導電千生コネクタ一 2を有するプローブ 部材 1を介して、 検査 ¾ ^であるウェハ 6の被検査電極 7に対する電気的接続が達成され るため、 被検查電極 7のピッチが小さいものであっても、 当該ウェハに対する位置合わせ およ Ό¾持固定を容易に行うことができ、 しかも、 異方導電性コネクター 2における弾性 異方導纏 2 0の接続用導電部 2 2が良好な導電性を有すると共に、 隣接する接続用導電 部 2 2間の絶縁性が十分に確保されているため、 各被検査籠に対する高い接続信頼性が 得られ、 更に、 繰り返し検査を行った場合にも、 所要の電気的検査を長期間にわたって安 定して 亍することができる。
また、 異方導電性コネクター 2における弾性異方導 SJ3I2 0は、 それ自体の面積が小さ いものであり、 熱顧を受けた でも、 当該弾性異方導應2 0の面方向における熱膨 張の絶対量が少ないため、 フレーム板 1 0を構成する材料として線熱 数の小さいも のを用いることにより、 弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張がフレーム板によつ て確実に規制される。 従って、 大面積のウェハに対して WL B I試験を行う場合において も、 良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。
図 1 3は、 本発明に係る異方導電性コネクターを用いたウェハ検 置の他の例におけ る構成の概略を示す説明用断面図であり、 図 1 4は、 図 1 3に示すウェハ検查装置におけ るプローブ部材を拡大して示す説明用断面図である。
このウェハ検査装置は、 検査対象であるウェハ 6が収納される、 上面が開口した箱型の チャンパ一 5 0を有する。 このチヤンパー 5 0の側壁には、 当該チヤンパー 5 0の内部の 空気を排気するための排気管 5 1が設けられており、 この排気管 5 1には、 例えは 空ポ ンプ等の排気装置 (図示省略) が接続されている。
チャンパ一 5 0上には、 図 1 1に示すウェハ検¾¾置におけるプローブ部材 1と同様の 構成のプローブ部材 1が、 当該チャンパ一 5 0の開口を^^に塞ぐよう配置されている。 具体的には、 チャンパ一 5 0における側壁の上端面上には、 弹' 14を有する O—リング 5 5 力 S密着して配置され、 プローブ部材 1は、 その異方導電性コネクター 2およびシート状コ ネクター 4 0がチャンパ一 5 0內に収容され、 かつ、 その検査用回路基板 3 0における周 辺部が O—リング 5 5に密着した状態で配置されており、 更に、 検査用回路基板 3 0力 その裏面 (図において上面) に設けられた加圧板 3によって下方に加圧された状態とされ ている。
また、 チャンパ一 5 0および加圧板 3には、 加熱器 5が接続されている。
このようなウェハ検錢置においては、 チヤンパー 5 0の排気管 5 1に接続された排気 装置 (図示省略) を駆動させることにより、 チャンパ一 5 0内が例えば 1 0 0 0 P a以下 に減圧される結果、 大慨によって、 プローブ部材 1が下方に加圧される。 これにより、 O _リング 5 5が弾性変形するため、 プロ一プ部材 1が下方に移動する結果、 シート状コ ネクター 4 0の電極構造体 4 2における表面電極部 4 3の各々によって、 ウェハ 6の被検 查電極 7の各々力 ロ圧される。 この状態においては、 異方導電性コネクター 2の弾性異方 導鎌 2 0における接続用導電部 2 2の各々は、 検査用回路基板 3 0の検查電極 3 1とシ ート状コネクター 4 0の電極構造体 4 2の表面電極部 4 3とによって挟圧されて厚み方向 に圧縮されており、 これにより、 当該接続用導電部 2 2にはその厚み方向に導電路が形成 され、 その結果、 ウェハ 6の被検査電極 7と検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1との電気 的接続が達成される。 その後、 カロ 5によって、 チャンパ一 5 0および加圧板 3を介し てウェハ 6が所定の温度に加熱され、 この状態で、 当該ウェハ 6における複数の集積回路 の各々について所要の電気的検査が実行される。
このようなウェハ検^ g置によれば、 図 1 1に示すウェハ検¾¾置と同様の効果が得ら れ、 更に、 大型の加圧機構が不要であるため、 検査装置全体の/ 化を図ることができる と共に、 検査対象であるウェハ 6が例えば直径が 8ィンチ以上の大面積のものであっても 、 当該ウェハ 6全体を均一な力で押圧することができる。 しかも、 異方導電性コネクター 2におけるフレーム板 1 0には、 空気流通孔 1 5が形成されているため、 チャンパ一 5 0 內を減圧したときに、 異方導電'性コネクター 2と検査用回路基板 3 0との間に する空 気が、 異方導電性コネクター 2におけるフレーム板 1 0の空気流通孔 1 5を介して排出さ れ、 これにより、 異方導電性コネクター 2と検査用回路 ¾¾ 3 0とを確実に密着させるこ とができるので、 所要の電気的接続を確実に達成することができる。
〔他の実施の形態〕
本発明は、 上記の実施の形態に限定されず、 次のような種々の変更を加えることが可能 である。
( 1 ) 本発明の異方導電性コネクターにおいては、 弾性異方導鍵 2 0には、 接続用導電 部 2 2以外に、 ウェハにおける被検査電極に電気的に接続されない^ ¾続用導載 (5が形成 されていてもよい。 以下、 ^続用導電部が形成された弾性異方導 を有する異方導電 性コネクターについて説明する。
図 1 5は、 本発明に係る異方導電性コネクターの更に他の例における弾性異方導 を 拡大して示す平面図であり、 図 1 6は、 図 1 5に示す異方導電性コネクターの弾性異方導 電膜を拡大して示 明用断面図である。 この異方導電性コネクタ一の弾性異方導電膜 2 0においては、 その機能部 2 1に、 検査対象であるウェハの被検査電極に電気的に接続さ れる厚み方向 (図 1 5において紙面と垂直な方向) に伸びる複数の接続用導電部 2 2が、 被検査電極のパターンに対応するパターンに従って一列に並ぶよう配置され、 これらの接 続用導電部 2 2の各々は、 磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密 に含有されてなり、 導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3によって相 互に絶縁されている。
これらの接続用導電部 2 2のうち中央に位置する互いに瞧する 2つの接続用導電部 2 2は、 その他の互いに隣接する接続用導電部 2 2間における離間距離より大きい離間距離 で配置されている。 そして、 中央に位置する互いに隣接する 2つの接続用導電部 2 2の間 には、 検査対象であるウェハの被検査電極に電気的に接続されない厚み方向に伸びる非接 続用導電部 2 6が形成されている。 また、 接続用導電部 2 2が並ぶ方向において、 最も外 側に位置する接続用導電部 2 2とフレーム板 1 0との間には、 検査 であるウェハの被 検査電極に電気的に接続されない厚み方向に伸びる非接続用導電部 2 6が形成されている 。 これらの非接続用導電部 2 6は、 磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した 状態で密に含有されてなり、 導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3に よって、 接続用導電部 2 2と相互に絶縁されている。
機能部 2 1の周縁には、 フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固 定支持された 持部 2 5が、 当該機能部 2 1に一体に連続して形成されており、 この被 支 2 5に〖ま、 導電' ΙΦ^子が含有されている。
その他の具体的な構成は、 基本的に図 1〜図 4に示す異方導電性コネクターの構成と同 様である。
図 1 5およぴ図 1 6に示す異方導電性コネクタ一は、 図 6に示す金型の代わりに、 成形 すべき弾性異方導電性膜 2 0の接続用導電部 2 2および非接続用導電部 2 6の配置パター ンに対応するパターンに従って強磁性体層が形成され、 この強磁性体層以外の個所には、 非磁性体層が形成された上型および下型からなる金型を用いることにより、前述の図 1〜 図 4に示す異方導電性コネクターを製造する方法と同様にして製造することができる。 すなわち、 このような金型によれば、 上型における ¾ί反の上面および下型における基板 の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを ί)させることにより、 当該上型おょぴ当 該下型の間に形成された成形材料層においては、 当該成形材料層における機能部 2 1とな る部分に分散されていた導電性粒子が、 接続用導電部 2 2となる部分および非接続用導電 部 2 6となる部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向し、 一方、 成形材料層におけるフレ ーム板 1 0の上方おょぴ下方にある導電性粒子は、 フレーム板 1 0の上方おょぴ下方に保 持されたままとなる。
そして、 この状態において、 成形材料層を硬化処理することにより、 弾性高:^物質中 に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる複数の接続用導電部 2 2および非接続用導電部 2 6力 導電性粒子が全く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質 よりなる絶縁部 2 3によつて相互に絶縁された状態で配置されてなる機能部 2 1と、 この 機能部 2 1の周辺に連続して一体に形成された、 弾性高分子物質中に導電性粒子が含有さ れてなる被支持部 2 5とよりなる弾性異方導電膜 2 0が、 フレーム板 1 0の異方導 配 置用孔 1 1の周辺部に当該被支持部 2 5が固定された状態で形成され、 以て異方導電性コ ネクターが製造される。
図 1 5に示す異方導電' I生コネクターにおける^続用導電部 2 6は、 弾性異方導電膜 2 0の形成において、 成形材料層における非接続用導電部 2 6となる部分に磁場を作用させ ることにより、 成形材料層における大きい離間距離で配置された隣接する 2つの接続用導 電部 2 2となる部分の間に存在する導電性粒子、 および最も外側に位置する接続用導電部
2 2となる部分とフレーム板 1 0との間に存在する導電' ι· 子を、 6と なる部分に集合させ、 この状態で、 当該成形材料層の硬化処理を行うことにより得られる 。 そのため、 当該弾性異方導電膜 2 0の形成において、 導電性粒子が、 成形材料層におけ る大きい離間距離で配置された隣接する 2つの接続用導電部 2 2となる部分、 および最も 外側に位置する接続用導電部 2 2となる部分に過剰に集合することがない。 従って、 形成 すべき弾性異方導 ¾112 0が、 それぞれ大きい離間距離で配置された 2つ以上の接続用導 電部 2 2を有するものであっても、 それらの接続用導電部 2 2に、 羅 IJな量の導電性粒子 が含有されること力 S確実に防止され、 また、 比較的多数の接続用導電部 2 2を有するもの であっても、 当該弾性異方導電膜 2 0における最も外側に位置する接続用導電部 2 2に、 過剰な量の導電性粒子力含有されること力 S確実に防止される。
( 2 ) 本発明の異方導電性コネクターにおいては、 弾性異方導議 2 0の機能部 2 1にお ける接続用導電部 2 2の厚みに対する絶縁部 2 3の厚みの比が 0. 9以上であれば、 図 1 7に示すように、 弾性異方導電膜 2 0の機能部 2 1の一面に、 接続用導電部 2 2およぴそ の周辺部分が他の部分の表面から突出する突出部 2 4が形成されていてもよく、 また、 弹 性異方導電膜 2 0の機能部 2 1の両面に、 接続用導電部 2 2およびその周辺部分が他の部 分の表面から突出する突出部 2 力 S形成されていてもよい。
( 3 ) 本発明の異方導電性コネクターにおいて、 弾性異方導電膜 2 0における接続用導電 部 2 2の表面には、 金属層が形成されていてもよい。
( 4) 本発明の異方導電性コネクターにおいて、 弾性異方導電膜 2 0の表面には、 D L C 層が形成されていてもよい。
( 5 ) 本発明の異方導電性コネクターの製造において、 フレーム板 1 0の として非磁 1生のものを用いる^^には、 成形材料層 2 O Aにおける 持部 2 5となる部分に磁場を 作用させる方法として、 当該フレーム板 1 0における異方導電藤己置用孔 1 1の周辺部に 磁性体をメツキしてまたは磁性塗料を塗布して磁場を作用させる手段、 金型 6 0に、 弾性 異方導藤 2 0のネ鼓持部 2 5に対応して強磁性体層を形成して磁場を作用させる手段を 利用することができる。
( 6 ) 成形材料層の形成において、 スぺーサーを用いることは必須のことではなく、 他の 手段によって、 上型および下型とフレーム板との間に弾性異方導電膜成形用の空間を確保 してもよい。
( 7) 本発明のウエノ、検査装置においては、 プローブ部材におけるシート状コネクタ一は 必須のものではなく、 図 1 8およぴ図 1 9に示すように、 異方導電性コネクター 2におけ る弾性異方導 m 2 oが検査対象であるウェハに翻虫して電気的接続を達成する構成であ つてもよい。
( 8 ) 本発明の異方導電 '性コネクターまたは本発明のプローブ部材は、 アルミニウムより なる平面状の電極を有する集積回路が形成されたウェハの検査の他に、 図 2 0およぴ図 2
1に示すように、 被検查電極 7として金またははんだなどよりなる突起状 (バンプ) を有する集積回路が形成されたウェハ 6の検査に用いることもできる。
金やはんだなどよりなる電極は、 アルミニウムよりなる電極に比較して、 表面に酸化膜 が形成されにくいものであるため、 このような突起状 βを被検查 m¾ 7として有する集 積回路が形成されたウェハ 6の検査においては、 酸化膜を突き破るために必要な大きな荷 重で加圧することが不要となり、 また、 シート状コネクターを用いずに、 異方導電性コネ クタ一 2の接続用導電部 2 2を被検査電極 7に直接接触させた状態で検査を謝 ΐすること ができる。
ネ«查電極である突起状 に異方導電性コネクターの接続用導電部を直接翻虫させた 状態でウェハの検査を行う こおいては、 当該異方導電性コネクターを繰り返し使用す ると、その接続用導電部が突起状電極によつて加圧されることにより摩耗したり永久的に 圧縮変形したりする結果、 当該接続用導電部には、 電気抵抗の増加や被検査電極に対する 接続不良が発生するため、 高い頻度で異方導電性コネクターを新たなものに交換すること が必要であった。
而して、 本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプローブ部材によれば、 繰り返 し使用における耐久性が高いものであるため、 検査対象であるウェハ 6が、 直径が 8イン チまたは 1 2インチであって、 高レ、集積度で集積回路が形成され、 力、つ、 被検查電極 7が 突起状電極であっても、 長期間にわたって所要の導電性が維持され、 これにより、 異方導 電性コネクターを新たなものに交換する頻度が少なくなるので、 検査コストの低減化を図 ることができる。
( 9 ) 本発明の異方導電' 14コネクタ一は、 そのフレーム板の異方導 ®HS己置用孔が、 検查 対象であるウェハに形成された一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域 に対応して形成され、 これらの異方導 mi i己置用孔の各々に弾性異方導電膜が配置された ものであってもよい。
このような異方導電性コネクターによれば、 ウェハを 2以上のエリアに分割し、 分割さ れたエリア毎に、 当該エリアに形成された集積回路について一括してプローブ試験を行う ことができる。
すなわち、 本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプローブ、部材を使用したゥェ ハの検 法においては、 ウェハに形成された全ての集積回路について一括して行うこと は必須のことではない。
パーンィン試験にぉレ、ては、集積回路の各々に必要な検査時間が数時間と長 、ため、 ゥ ェハに形成された全ての集積回路につレ、て一括して検査を行えば高い時間的効率が得られ るが、 プローブ試験においては、 集積回路の各々に必要な検查時間が数分間と短レヽため、 ウェハを 2以上のエリアに分割し、 分割されたエリア毎に、 当該エリアに形成された集積 回路について一括してプロープ試験を行つても十分に高い時間的効率が得られる。
このように、 ウェハに形成された集積回路について、 分割されたエリア毎に電気的検查 を行う方法によれば、 直径が 8インチまたは 1 2インチのウェハに高い集積度で形成され た集積回路につレ、て電気的検査を行う において、 全ての集積回路にっ 、て一括して検 查を行う方法と比較して、 用いられる検査用回路基板の検査電極数や配線数を少なくする ことができ、 これにより、 検查装置の製造コストの低減化を図ることができる。
そして、 本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプローブ部材は、 繰り返し使用 における耐久性が高いものであるため、 ウェハに形成された集積回路について、 分割され たェリァ毎に電気的検査を行う方法に用いる には、 異方導電性コネクターに故障が生 じて新たなものに交換する頻度が低くなるので、 検查コストの低減化を図ることができる
( 1 0 ) 本発明の異方導電性コネクターにおいては、 図 4に示すようなフレーム板 1 0に 積重されるネ鼓持部 2 5を形成することは必須ではなく、 図 2 2に示すように、 弾性異方 導 2 0の側面がフレーム板 1 0の異方導電 己置用孔 1 1の内面に接着されることに より、 当該弾性異方導 ® 2 0がフレーム板 1 0に支持されていてもよい。
このような異方導電性コネクターを得るためには、 弾性異方導電膜 2 0の形成工程にお いて、 上型およぴ下型とフレーム板との間にスぺーサーを配置せずに成形材料層を形成す ればよい。
この異方導電性コネクターにおいては、 弾性異方導纖2 0を形成する際に、 上型およ び下型とフレーム板との間にスぺーサーを配置することが不要であり、 目的とする弾性異 方導電膜 2 0の厚みは、 フレーム板 1 0の厚みおょぴ金型の成形面に形成された凹所の深 さによって定まるので、 厚みの小さい例えば 1 0 0 m以下の弾性異方導 2 0の形成 が容易である。
以下、 本発明の具体的な 例について説明するが、 本発明は以下の実施例に限定され るものではない。
〔評価用ウェハの繊
図 2 3に示すように、 直径が 8ィンチのシリコン (線熱膨張係数 3. 3 X 1 0 - K) 製のウエノ、 6上に、 それぞれ寸法が 8 mm X 8 mmの正方形の集積回路 Lを合計で 3 9 3 個形成した。 ウェハ 6に形成された集積回路 Lの各々は、 図 2 4に示すように、 その中央 に被検査電極領域 Aを有し、 この被検査電極領域 Aには、 図 2 5に示すように、 それぞれ 縦方向 (図 2 5において上下方向) の寸法が 2 0 0 μ mで歡向 (図 2 5において左右方 向) の寸法が 5 0 mの矩形の 5 0個のネ皮検査電極 7が 1 0 0 mのピッチで横方向に一 列に配列されている。 また、 このウェハ 6全体の被検查電極 7の総数は 1 9 6 5 0個であ り、 全てのネ皮検査電極は、 当該ウェハ 6の周縁部に形成された共通の引出し電極 (図示省 略) に電気的に接続されている。 このウェハ 6における被検査電極 7が形成された側の表 面の面積 S 2は、 3. 1 4 X 1 04 mm2 である。 以下、 このウェハを 「籠用ウェハ W
1」 という。
また、集積回路 (L) における 5 0個の被検查電極 ( 7 ) について、 引き出し電極を形 成せず、被検査電極の各々が互いに電気的に絶縁されていること以外は、 用ウェハ W 1と同様の構成の 3 9 3個の集積回路 (L) をウェハ (6 ) 上に形成した。 このウェハ全 体の被検査電極の総数は 1 9 6 5 0個である。 このウェハ (6 ) における ¾ ^查電極 ( 7 ) が形成された側の表面の面積 S 2は、 3. 1 4 X 1 04 mm2 である。 以下、 このゥェ ハを 「f 用ウェハ W2」 という。
〔試験用ウェハの繊
集積回路 (L) における 5 0個の被検查廳 ( 7 ) のうち最も端の被検查電極 ( 7) か ら数えて 1個おきに 2個ずつの被検査藤 ( 7 ) を互いに電気的に接続し、 引出し電極を 形成しなかったこと以外は、 評価用ウェハ W 1と同様の構成の 3 9 3個の集積回路 (L) をウェハ (6 ) 上に形成した。 このウェハ全体の被検査電極の総数は 1 9 6 5 0個である
。 以下、 このウェハ全体の被検査電極の総数は 1 9 6 5 0個である。 このウェハ (6 ) に おける,查 (7) が形成された側の表面の面積 S 2は、 3. 14 X 104 mm2 で ある。 このウェハを 「試験用ウェハ W3」 という。
また、集積回路 (L) における 50個の!^查電極 (7) のうち最も端の被検査廳 ( 7) から数えて 1個おきに 2個ずつのネ嫩查電極 (7) を互いに電気的に接続し、 引出し 電極を形成しなかたこと、 およ Ό¾検査電極を直径 7 Ο β mで高さ 30 μ mの突起状のも のとしたこと以外は、 l¾用ウェハ W1と同様の構成の 393個の集積回路 (L) をゥェ ハ (6) 上に形成した。 このウエノ、全体の被検査電極の総数は 19650個である。 この ウェハ (6) における被検査電極 (7) が形成された側の表面の面積 S 2は、 3. 14 X 104 mm2 である。 以下、 このウェハを 「試験用ウェハ W4」 という。
〈実施例および比較例〉
(1) 導電性粒子の調製:
粉末メッキ装置の処理槽内に、 数平均粒子径が 10 mの-ッケル (飽和磁化が 0. 6 Wb/m2 ) よりなる立子 100 gを投入し、 更に、 0. 32 Nの塩酸水、赚 2 Lをカロえ て攪拌し、 芯粒子を含有するスラリーを得た。 このスラリーを常温で 30分間攪拌するこ とにより、 粒子の酸処理を行い、 その後、 1分間静置して芯粒子を沈殿させ、 上澄み液 を除去した。
次いで、 酸処理力 S施された芯粒子に ¾7_K2Lを加え、 常温で 2分間攪拌し、 その後、 1 分間静置して磁性 粒子を沈殿させ、 上澄み液を除去した。 この操作を更に 2回繰り返す ことにより、 粒子の洗浄処理を行った。
そして、 酸処理および洗浄処理力 S施された芯粒子に、 金の含有割合が 20 gZLの金メ ツキ液 2 Lを加え、 処理槽内の温度を 90°Cに昇温して攪拌することにより、 スラリーを 調製した。 この状態で、 スラリーを攪拌しながら、 芯粒子に対して金の置換メツキを行つ た。 その後、 スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、 上澄み液を除去すること により、 二ッケルよりなる:^粒子の表面に金力 S被覆されてなる導電性粒子を得た。
このようにして得られた導電性粒子に純水 2 Lを加え、 常温で 2分間攪拌し、 その後、 1分間静置して導電性粒子を沈殿させ、 上澄み液を除去した。 この操作を更に 2回繰り返 し、 その後、 90°Cに加熱した純水 2 Lを加えて攪拌し、 得られたスラリーを濾紙によつ て濾過して導電性粒子を回収した。 そして、 この導電性粒子を、 90°Cに設定された乾燥 機によって乾燥処理した。 次いで、 日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機 「ターボクラシファイア TC 一 15N」 によって、 導電性粒子 200 gを、 比重が 8. 9、 風量が 2. 5m3 /m i n 、 ローター回転数が 1, 600 r p m、 分級点が 25 m、 導電' 立子の供給 Sが 16 g,mi IIの条件で分級処理し、 導電' 1·嫩子 180 gを捕集し、 更に、 この導電性粒子 1 8 Ogを、 比重が 8. 9、 風量が 25 m3 Zmi n、 ローター回転数が 3, 000 r pm 、 分級点が 10 m、 導電性粒子の供給速度が 14 g /m i nの条件で分級処理し、 導電 †生お立子 150 gを捕集した。
得られた導電性粒子は、 数平均粒子径が 8. 7 m、 重量平均粒子径が 9. 9 m、 比 D w/D nの値が 1 · 1、 粒子径の標準偏差が 2. 0、粒子径の変動係数が 23 %であり 、 芯粒子に対する金の割合が 30質量%のものであった。 この導電' I"生粒子を 「導電性粒子 (a) 」 とする。
(2) フレーム板の ί乍製:
図 26およぴ図 27に示 ϋ#成に従い、 下記の条件により、 Hffi用ウェハ W 1における 各被検査電極領域に対応して形成された 393の異方導電 USB置孔を有する直径が 8イン チのフレーム板を合計で 20枚作製した。
このフレーム板 10の材質はコパール (飽和磁化 1. 4Wb/m2 , 線熱膨 数 5X 10一6/ K) で、 その厚みは 50 mである。
異方導電膜配置用孔 11の各々は、 その 向 (図 26およぴ図 27において左右方向 ) の寸法が 5500 μ mで »向 (図 26およぴ図 27において上下方向) の寸法が 32 0 μ mである。
縦方向に隣接する異方導 «H配置用孔 11の間の中^ ί立置には、 円形の空気流入孔 15 が形成されており、 その直径は 1000 ^ mである。
(3) スぺーサ一の作製:
下記の条件により、 籠用ウェハ W 1における被検査電極領域に対応して形成された複 数の貫通孔を有する弾性異方導電膜成形用のスぺーサーを 2枚^ Mした。 これらのスぺー サ一の材質はステンレス (SUS 304) で、 その厚みは 10 zmである。
各被検査電極領域に対応する貫通孔は、 その歡向の寸法が 6000 で 向の寸 、法が 1200 μιηである。
(4) 金型の欄: 図 7および図 28に示 "f^成に従い、 下記の条件により、 弾性異方導電膜成形用の金型 ( 1) を ί乍製した。
この金型 (K1) における上型 61およぴ下型 65は、 それぞれ厚みが 6 mmの鉄より なる ¾¾62, 66を有し、 この ¾¾62, 66上には、 用ウェハ W1における被検 查 のパターンに対応するパターンに従ってニッケルよりなる接 ^導電部形成用の強 磁性体層 63 (67) および非接続用導電部形成用の強磁性体層 63 a (67 a) が配置 されている。 具体的には、接続用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) の各々の寸法は 40 μτα (横方向) X 200 m (縦方向) X 100 μ m (厚み) で、 50個の強磁性体 層 63 (6 7) が 10 O zmのピッチで横方向に一列に配列されている。 また、 強磁性体 層 63 (67) が並ぶ方向において、 最も外側に位置する強磁性体層 63 (67) の外側 には、 続用導電部形成用の強磁性体層 63 a (67 a) が配置されている。 各強磁性 体層 63 a (67 a) の寸法は、 40 m (横方向) X 200 /im (縦方向) X 100 m (厚み) である。
そして、 50個の接続用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) および 2個の非接続用 導電部形成用の強磁性体層 63 a (67 a) が形成された領域が、 鞭用ウェハ W1にお ける被検査電極領域に対応して合計で 393個形成され、 全体で 1 9650個の接続 用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) および 786個の非接続用導電部形成用の強磁 性体層 63 a (67 a) が形成されている。 また、 性体層 64 (68) は、 ドライ フィルムレジストを硬化処理することによって形成され、 機能部を形成するための凹所 6 4 a (68 a) の寸法は、 5250 m 向) X 210 m (縦方向) X 25 μ m ( 深さ) で、 凹所以外の部分の厚みは 125 /zm (凹所部分の厚み 1 Ο Ο μΐη) である。 図 29およぴ図 30に示す構成に従い、 下記の条件により、 弾性異方導電膜成形用の金 型 (Κ2) を した。
この金型 (Κ2) における上型 61およぴ下型 65は、 それぞれ厚みが 6 mmの鉄より なる基板 62, 66を有し、 この S«62, 66上には、 評価用ウェハ W1における被検 查 ¾@のパターンに対応するパターンに従って-ッケルよりなる接続用導電部形成用の強 磁性体層 63 (67) および非接続用導電部形成用の強磁性体層 63 a (67 a) が配置 されている。 具体的には、 接続用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) の各々の寸法は 40 (横方向) X 200 m (縦方向) X 100 m (厚み) で、 50個の強磁性体 層 63 (67) が 100/iniのピッチで横方向に一列に配列されている。 また、 強磁性体 層 63 (67) が並ぶ方向において、 最も外側に位置する強磁性体層 63 (67) の外側 には、 非接続用導電部形成用の強磁性体層 63 a (67 a) が配置されている。 各強磁性 体層 63 a (67 a) の寸法は、 40 m (横方向) Χ200μπι (縦方向) X 100 m (厚み) である。
そして、 50個の接続用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) および 2個の非接続用 導電部形成用の強磁性体層 63 a (67 a) が形成された領域が、 用ウェハ W1にお ける被検查電極領域に対応して合計で 393個形成され、 全体で 19650個の接続 用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) および 786個の非接続用導電部形成用の強磁 '性体層 63 a (67 a) が形成されている。 また、 非磁生体層 64 (68) は、 ドライ フィルムレジストを硬化処理することによって形成され、 接続用導電部形成用の強磁性体 層 63 (67) が位置する領域おょぴ^ ¾綱導電部形成用の強磁性体層 63 a (67 a ) 力 S位置する領域には、 弾性異方導電膜に突出部を形成するための凹所 64 b (68 b) , 64 c (68 c) が形成されている。 接続用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) が 位置する凹所 64 b (68 b) の各々の寸法は、 60/zm (横方向) X210 m (縦方 向) X25 m (深さ) で、 非接翻導電部形成用の強磁†生体層 63 a (67 a) 力 S位置 する凹所 64 c (68 c) の各々の寸法は、 90 ; πι (横方向) X 260 μπι (縦方向) Χ2 (深さ) で、 凹所以外の部分の厚みは 125 / m 侧所部分の厚みが 100 m) である。
(5) 異方導電' f生コネクターの作製:
〔異方導電性コネクター (A1) 〜 (A10) の作製〕
上記のフレーム板、 スぺーサ一および金型を用い、 以下のようにしてフレーム板に弾性 異方導鍵を形成した。
付加型液状シリコーンゴム 100重量部に、 導電性粒子 (a) 30重量部を添加して混 合し、 その後、 減圧による脱泡処理を施すことにより、 弾性異方導藤成形用の成形材料 を調製した。
以上において、 付加型液状シリコーンゴムとしては、 A液の粘度が 25 OP a · sで、 B液の粘度が 25 OP a · sである二液型のものであって、 硬化物の 150°Cにおける永 久圧縮歪みが 5 %、 硬化物のデュ口メ一ター A硬度が 32、 硬化物の引裂強度が 25 k N のものを用いた。
また、 上記の付加型液状シリコ"ンゴムの特 f生は、 次のようにして測定した。
( i ) 付加型液状シリコーンゴムの粘度:
B型粘度計により、 2 3土 2°Cにおける粘度を測定した。
(ii) シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪み:
二液型のィ寸加型液状シリコーンゴムにおける A液と B液とを等量となる割合で攪拌混合 した。 次いで、 この混合物を金型に流し込み、 当該混合物に対して減圧による脱泡処理を 行つた後、 1 2 0 °C、 3 0分間の条件で硬化処理を行うことにより、 厚みが 1 2. 7 mm 、 直径が 2 9 mmのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、 この円柱体に対して 、 2 0 0°C、 4時間の条件でポストキュアを行った。 このようにして得られた円柱体を試 験片として用い、 J I S K 6 2 4 9に »して 1 5 0土 2 °Cにおける圧縮永久歪みを 測定した。
(iii)シリコーンゴム硬化物の引裂強度:
上記 (ii) と同様の条件でィ寸加型液状シリコーンゴムの硬化処理おょぴポストキュアを 行うことにより、 厚みが 2. 5 mmのシートを した。 このシートから打ち抜きによつ てクレセント形の試験片を^し、 J I S K 6 2 4 9に準拠して 2 3 ± 2。Cにおける 引裂強度を測定した。
(iv) デュロメータ一 A硬度:
上記 (iii)と同様にして されたシートを 5枚重ね合わせ、 得られた積重体を試験片 として用い、 J I S K 6 2 4 9に して 2 3 ± 2。Cにおけるデュロメーター Α硬度 を測定した。
上記の金型の上型および下型の表面に、 調製した成形材料をスクリーン印刷によって塗 布することにより、 形成すべき弾性異方導纏のパターンに従って成形材料層を形成し、 下型の成形面上に、 下型側のスぺーサーを介してフレーム板を位置合わせして重ね、 更に 、 このフレーム板上に、 上型側のスぺーサーを介して上型を位置合わせして重ねた。 そして、 上型および下型の間に形成された成形材料層に対し、 強磁性体層の間に位置す る部分に、 電磁石によって厚み方向に 2 Tの磁場を作用させながら、 1 0 0°C、 1時間の 条件で硬化処理を施すことにより、 フレーム板の異方導電藤 3置用孔の各々に弾性異方導 電膜を形成した。 得られた弾性異方導 milについて具体的に説明すると、 異方導電性コネクターにおける 弾性異方導電膜の総数は 393個であり、 弹性異方導 ¾ϋの各々は、 横方向の寸法が 60 00 m、 縦方向の寸法が 1200 mである。
弾性異方導 ¾ ^の各々における機能部は、 横方向の寸法が 5250 ^m、 縦方向の寸法 が 210 μ m、 その一面の面積が 1. 1025 mm2 である。 従って、 全ての弾性異方導 電膜の機能部の一面の面積の総和 S 1は 433mm2 であり、 籠用ウエノ、 W1における 被検査電極が形成された側の表面の面積 S 2に対する全ての弾性異方導電膜の機能部の一 面の面積の総和 S 1の比 S 1ZS 2は、 0. 0138である。
弾性異方導 ®ϋの各々における機能部には、 50個の接続用導電部が 100 mのピッ チで横方向に一列に配列されており、 接続用導電部の各々は、 厚みが 120 m、 向 の寸法が 40〃 m、 縦方向の寸法が 200 μιηである。 また、機能部には、 横方向におい て最も外側に位置する接続用導電部とフレーム板との間に、 非接続用導電部が配置されて いる。 非接続用導電部の各々は、 横方向の寸法が 40 m、 縦方向の寸法が 200 mで ある。 また、 機能部における絶縁部の厚みは 120 mであり、 接続用導電部の厚みに対 する絶縁部の厚みの比 (T2ZT1) が 1である。 従って、 機能部の各々は両面が平坦面 で、機能部の各々は一様な厚みを有するものである。 また、機能部の各々は、 その両面が ネ鼓持部より突出するよう形成されており、 当該機能部の突出高さは 25 mである。 ま た、 弾性異方導電膜の各々における!^:持部の^?は 70 mであり、 二股部分の一方の 厚みは 10 mである。
以上のようにして、 10枚のフレーム板の各々に弾性異方導電膜を形成し、 合計で 10 枚の異方導電性コネクターを製造した。 以下、 これらの異方導電性コネクターを異方導電 生コネクター (A1) 〜異方導電生コネクター (A10) とする。
また、 弾性異方導電膜のネ歧持部および機能部における絶縁部を観察したところ、 ネ鼓 持部には導電性粒子が していることが 、され、 機能部における絶縁部には導電性粒 子がほとんど; ϊ¾していないことが確認された。
〔異方導電性コネクター (B1) 〜 (B10) の作製〕
金型 (K1) の代わりに金型 (Κ2) を用いたこと以外は、 上記の異方導電性コネクタ 一 (A1) 〜 (A10) と同様にして合計で 10枚の比較用の異方導電性コネクターを作 製した。 得られた異方導電性シートの弾性異方導 ®について具体的に説明すると、 異方導電性 コネクターにおける弾性異方導電膜の総数は 393個であり、 弾性異方導 ®Ιの各々は、 横方向の寸法が 6000 m、 縦方向の寸法が 1200 mであり、 50個の接続用導電 部が 1 O O/imのピッチで歡向に一列に配列されており、 接続用導電部の各々は、 横方 向の寸法が 40 μ m、 縦方向の寸法が 200 μ m、 厚みが 120 mである。 また、 ネ訪 向において最も外側に位置する接続用導電部とフレーム板との間には、 非接続用導 が 配置されている。 赚続用導電部の各々は、横方向の寸法が 40 /im、 縦方向の寸法が 2 Ο Ομΐα, 厚みが 12 Ο/zmである。 また、接繊導電部に形成された突出部は、 突出高 さが各面においてそれぞれ 25 μ mであり、横方向の寸法が 60 m、 縦方向の寸法が 2 l O^amであり、 ^続用導電部に形成された突出部は、 突出高さが各面においてそれぞ れ 25 mであり、 横方向の寸法が 90 m、 向の寸法が 260;i mである。 従つて 、 全ての弾性異方導電膜における突出部の端面の面積の総和は 266mm2 であり、 評価 用ウェハ W1における被検査電極が形成された側の表面の面積に対する全ての弾性異方導 電膜における突出部の端面の面積の総和の比は、 0. 0085である。 また、 絶縁部の厚 みは 70 mであり、 接続用導電部の厚みに対する絶縁部の厚みの比 (T 2 ZT 1 ) が 0 . 58である。 また、 弾性異方導 «の各々における 持部の厚み (二股部分の一方の 厚み) は 10 mである。
以下、 これらの異方導電性コネクターを異方導電性コネクター (B 1) 〜異方導電' !·生コ ネクター (B 10) とする。
(6) 検査用回路繊:
纖反材料としてアルミナセラミックス (線熱膨^^数 4. 8 X 10一6/ K) を用い、 評 価用ウエノ、 W 1における被検查電極のパターンに対応するパターンに従つて検査電極が形 成された検査用回路基板を勝した。 この検査用回路 ¾Kは、 全体の寸法が 30 c mx 3 0 c mの矩形であり、 その検査電極は、横方向の寸法が 60 mで縦方向の寸法が 200 /zmである。 以下、 この検查用回路 を 「検査用回路基板 T」 という。
(7) シート状コネクター:
厚みが 20> μ mのポリイミドよりなる絶縁性シートの一面に厚みが 15 /i mの銅層が積 層されてなる積層材料を用意し、 この積層材料における絶縁性シートに対してレーザ加工 を施すことによって、 当該絶縁性シートの厚み方向に貫通する、 それぞれ直径が 3 Ομΐη の 19650個の貫通孔を、 評価用ウェハ W1における被検査電極のパターンに対応する パターンに従って形成した。 次いで、 この積層材料に対してフォトリソグラフィ一および ュッケルメッキ処理を施すことによって、 絶縁性シートの貫通孔内に銅層に一体に連結さ れた短総を形成すると共に、 当該絶縁性シートの表面に、 短総に一体に連結された突 起状の表面電極部を形成した。 この表面電極部の径は 40 μ mであり、 絶縁性シートの表 面からの高さは 2 O/zmであった。 その後、積層材料における銅層に対してフォトエッチ ング処理を施してその一部を除去することにより、 60 imX210 i mの矩形の裏面電 極部を形成し、 更に、 表面電極部および裏面電極部に金メッキ処理を施すことによって電 極構造体を形成し、 以てシート状コネクターを製造した。 以下、 このシート状コネクター を 「シート状コネクター M」 という。
(8) 弾性異方導 の初期特性:
以下のようにして、 異方導電性コネクター (A1) 〜異方導電' I生コネクター (A10) およぴ異方導電性コネクター (B1) 〜異方導電性コネクター (B10) における弾性異 方導電膜の初期特性を測定した。
検査用回路 ¾¾Τ上に異方導電性コネクターをその接続用導 の各々が当該検査用回 路 S¾ Τの検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、 R Τ Vシリコーンゴムによ つて異方導電性コネクターの周辺部を検査用回路基板 Τに接着し、 フロープ部材を ί«し た。 その後、 このプローブ部材をカロ圧板に固定すると共に、 評価用ウェハ W1をウェハ載 置台に した。 次いで、 プローブ部材と Rffi用ウェハ W1との間に上下両方向を ¾ ^可 能な CCDカメラを進入させ、 この CCDカメラの画像に基づいて、 異方導電' !·生コネクタ 一の接 ^ffl導電部の各々が l¾用ウェハ W 1の被検査電極の直上位置に位置するよう、 プ 口一プ部材に対する評価用ウェハ W 1のァライメントを行つた。 次!/、で、 プロ一プ部材と 評価用ウェハ W1との間から CCDカメラを させ、 その後、 プローブ部材を下方に 5 8. 95k gの荷重 (接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で 3 g ) で加圧するこ とにより、 異方導電性コネクターの弾性異方導讓を 用ウェハ W1に圧接させた。 そ して、 室温 (25°C) 下において、 検查用回路 ¾¾Tにおける 19650個の検査 ¾@と 評価用ウェハ W1の引出し電極との間の電気抵抗を、 接続用導電部における電気抵抗 (以 下、 「導通抵抗」 という。 ) として順次測定し、 導通抵抗が 1Ω未満である接続用導電部 の割合を算出した。 また、 評価用ウェハ W lの代わりに 用ウェハ W2をウェハ載置台に載置し、 プロ一 プ部材と評価用ウェハ W2との間に上下両方向を 可能な C CDカメラを進入させ、 こ の C C Dカメラの画像に基づいて、 異方導電' 14コネクターの接続用導電部の各々が I fffi用 ウェハ W 2の被検査電極の直上位置に位置するよう、 プロ一プ部材に対する評価用ウェハ W 2のァライメントを行った。 次いで、 プローブ部材と評価用ウェハ W 2との間から C C Dカメラを させ、 その後、 プローブ部材を下方に 5 8 . 9 5 k gの荷重 (接続用導電 部 1個当たりに加わる荷重が平均で 3 g) で加圧することにより、 異方導電性コネクター の弾性異方導讓を評価用ウェハ W2に圧接させた。 そして、 室温 ( 2 5 °C) 下において 、 検査用回路 ¾¾Tにおける隣接する 2つの検査電極の間の電気抵抗を、 ,する 2つの 接続用導電部 (以下、 「導黼対」 という。 ) の間の電気抵抗 (以下、 「絶縁抵抗」 とい う。 ) として順次測定し、 絶縁抵抗が 1 Ο ΜΩ以上である導電部対の割合を算出した。 以上、 結果を表 1に示す。
[表 1]
Figure imgf000050_0001
(9) 試験 1 :
異方導電性コネクター (A1) 、 異方導電性コネクター (A2) 、 異方導電性コネクタ 一 (B 1) およぴ異方導電性コネクター (B2) について、 以下のようにして、 高温環境 下における耐久性試験を行つた。
検査用回路 ¾¾T上に異方導電性コネクターをその接続用導 ¾¾5の各々が当該検査用回 路繊 Τの検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、 R TVシリコーンゴムによ つて異方導電性コネクターの周辺部を検査用回路基板 Τに接着し、 フロープ部材をィ懷し た。 その後、 このプローブ部材を加圧板に固定すると共に、 試験用ウェハ W4を、 ¾¾ヒ 一ターを具えたウェハ 台に載置した。 次いで、 プローブ部材と試験用ウェハ W4との 間に上下両方向を 可能な C C Dカメラを進入させ、 この C CDカメラの画像に基づい て、 異方導電性コネクターの接続用導電部の各々が試験用ウェハ W 4の被検査電極の直上 位置に位置するよう、 プロ一プ部材に対する試験用ウエノヽ W4のァライメントを行つた。 次いで、 プローブ部材と試験用ウェハ W4との間から C CDカメラを させ、 その後、 プロ一プ部材を下方に 1 5 8 k gの荷重 (接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で 8 g ) で加圧することにより、 異方導電性コネクターの弾性異方導 ¾ϋを試験用ウェハ W 4に圧接させた。 次いで、 ウエノ、載置台を 1 2 5。Cに加熱し、 ウェハ載置台の が安定 した後、 検査用回路基板 Tにおける 1 9 6 5 0個の検査電極について、 異方導電性コネク タ一およひ^;験用ウェハ W 4を介して互!/ヽに電気的に接続された 2個の検査電極の間の電 気抵抗を順次測定し、 測定された電気抵抗値の 2分の 1の値を異方導電性コネクターにお ける接続用導電部の導通抵抗として記録し、 導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数 を求めた。 その後、 この状態で 1時間 ¾ gし、 次いで、 ウエノヽ載置台を室温まで冷却し、 その後、 プローブ部材に対するカロ圧を解除した。
そして、 上記の操作を 1サイクノレとして、 合計で 5 0 0サイク Λ¾続して行つた。 以上において、 接続用導電部の導通抵抗が 1 Ω以上のものについては、 ウェハに形成さ れた集積回路の電気的検査において、 これを実際上使用することが困難である。
以上、 結果を表 2に示す。
( 1 0 ) 試験 2 :
異方導電性コネクター (A 3 ) 、 異方導電性コネクター (Α 4) 、 異方導電性コネクタ 一 (Β 3 ) およぴ異方導電性コネクター (Β 4 ) について、 以下のようにして、 高温環境 下における耐久性試験を行つた。
検査用回路 S¾T上に異方導電性コネクターをその接続用導電部の各々が当該検査用回 路鎌 Tの検查電極上に位置するよう位置合わせして配置し、 R T Vシリコーンゴムによ つて異方導電性コネクターの周辺部を検査用回路鎌 Tに接着し、 更に、 この異方導電性 コネクター上にシート状プローブ Μをその裏面電極部の各々が当該シー異方導電性コネク ターの接続用導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、 R TVシリコーンゴムによ つてシート状コネクター Μの周辺部を検査用回路基板 Τに接着することにより、 フローブ 部材を した。 その後、 このプローブ部材を加圧板に固定すると共に、 試験用ウェハ W 3を、 ¾fiヒーターを具えたウェハ載置台に載置した。 次いで、 プローブ部材と試験用ゥ エノ、 W 3との間に上下両方向を 可能な C C Dカメラを進入させ、 この C CDカメラの 画像に基づいて、 シート状コネクターの表面電極部の各々が試験用ウェハ W 3の被検查電 極の直上位置に位置するよう、 プローブ部材に対する試験用ウェハ W 3のァライメントを 行った。 次いで、 プローブ部材と試験用ウェハ W 3との間から C CDカメラを させ、 その後、 プローブ部材を下方に 1 5 8 k gの荷重 (接続用導電部 1個当たりに加わる荷重 が平均で 8 g ) でカロ圧することにより、 異方導電性コネクターの弾性異方導電膜を試験用 ウェハ W4に圧接させた。 次いで、 ウェハ載置台を 1 2 5 °Cに加熱し、 ウェハ ¾E台の温 度が安定した後、 検査用回路基板 Tにおける 1 9 6 5 0個の検査電極について、 異方導電 性コネクター、 シート状コネクタ一 Mおよひ 験用ウェハ W 3を介して互いに電気的に接 続された 2個の検査電極の間の電気抵抗を順次測定することにより、 異方導電性コネクタ 一における接綱導電部の導通抵抗を記録し、 導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導載 βの 数を求めた。 その後、 この状態で 1時間放置し、 次いで、 ウェハ載置台を室温まで冷却し 、 その後、 プローブ部材に対するカロ圧を解除した。
そして、 上記の操作を 1サイクノレとして、 合計で 5 0 0サイクノ^ i続して行つた。 以上において、 接続用導電部の導通抵抗が 1 Ω以上のものについては、 ウェハに形成さ れた集積回路の電気的検査において、 これを実際上使用することが困難である。
以上、 結果を表 3に示す。 to
Figure imgf000053_0001
導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数 (個)
-" "-" " -" "-―— サイ クル数
異方 ¾S性コネクター -"" - ""- 1 2 0 5 0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0 5 0 0
(A3 ) 0 0 0 0 0 0 0 0 施
例 (A4) 0 0 0 0 0 0 0 0 比 (B 3) 0 0 0 0 0 0 8 3 4 例 (B 4 ) 0 0 0 0 0 0 4 4 4
単生異方導電膜における接続用導電部のピツチが小さいものであっても、 当該接続用導電 部には良好な導電性が得られ、 しかも、 温度変化による熱腹などの環境の変化に対して も良好な電気的接続状態が安定に維持され、 更に、 高温環境下において繰り返し使用した にも、 長期間にわたって良好な導電性力 S維持されることが,された。 また、 実施例 に係る異方導電性コネクターによれば、 検査対象であるウェハが、 多数の被検査電極を有 し、 これらの被検査電極が突起状のものであっても、 繰り返し使用における高い耐久性が 得られること力 S確認された。

Claims

求 の 範 囲
1 . 導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の接続用導 ®¾が絶縁部によって相互 に絶縁された状態で配置された機能部を有する弾性異方導 «13 を具えてなる異方導電性コ ネクターにおいて、
前記弾性異方導鎌の機能部 HEにおける接続用導電部の厚みを T 1とし、 当該機能部にお ける絶縁部の厚みを T 2としたとき、 比 (T 2/T 1 ) が 0. 9以上であることを糊敷と する異方導電'性コネクター。
2. ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、 当該集積回路の電気的検査をゥ ェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターにおいて、
検査対象であるウェハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極が 配置された電極領域に対応してそれぞれ厚み方向に貫通する複数の異方導 «H配置用孔が 形成されたフレーム板と、 このフレーム板の各異方導 «II配置用孔内に配置され、 当該異 方導電 JUS己置用孔の周辺部に支持された複数の弾' [·生異方導 とよりなり、
前記弾性異方導赚の各々は、 検查対象であるウェハに形成された集積回路の被検查電 極に対応して配置された、 磁性を示す導電 子が密に含有されてなる厚み方向に伸びる 複数の接続用導電部と、 これらの接続用導電部を相互に絶縁する絶縁部とを有する機能部 を具えてなり、
前記弾性異方導 S Iの機能部における接続用導電部の厚みを T 1とし、 当該機能部にお ける絶縁部の厚みを T 2としたとき、 比 (T 2/T 1 ) が 0. 9以上であることを樹敫と する異方導電性コネクター。
3. 弾性異方導電膜の各々の機能部の少なくとも一面が平坦面とされていることを樹敷と する請求の範囲第 2項に記載の異方導電性コネクター。
4. 弾性異方導電膜の各々の機能部は、 少なくとも平坦面とされた一面が他の部分より突 出するよう形成されており、
全ての弾性異方導電膜の機能部の一面の面積の総和を S 1とし、 検査対象であるウェハ における被検查電極が形成された側の表面の面積を S 2としたとき、 比 S 1 /S 2が 0. 0 0 1〜0. 3であることを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の異方導電性コネクター
5. フレーム板の線熱膨¾1 ^数が 3 X 1 0一5/ K以下であることを樹敫とする請求の範囲 第 2項乃至第 4項のレ、ずれ力一に記載の異方導電性コネクター。
6. ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、 当該集積回路の電気的検査をゥ ェハの状態で行うために用いられるプローブ部材であって、
検査対象であるウェハに形成された集積回路における被検査電極のパターンに対応する パターンに従って検査 が表面に形成された検査用回路 と、 この検査用回路勘反の 表面に配置された、 請求の範囲第 2項乃至第 5項のいずれカゝ一に記載の異方導電性コネク ターとを具えてなることを樹敫とするプロープ部材。
7. 異方導電性コネクターにおけるフレーム板の線熱膨觀数が 3 X 1 0— 5/K以下であ り、 検査用回路基板を構成する基板材料の線熱膨觀数が 3 X 1 0— 5/K以下であること を樹敫とする請求の範囲第 6項に記載のプロープ部材。
8 . 異方導電性コネクター上に、 絶縁性シートと、 この絶縁性シートをその厚み方向に貫 通して伸ぴ、 被検査電極のパターンに対応するパターンに従つて配置された複数の 構 造体とよりなるシート状コネクタ一が配置されていることを特徴とする請求の範囲第 6項 または第 7項に記載のプロープ部材。
9 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、 当該集積回路の電気的検査をゥ ェハの状態で行うウェハ検 置において、
請求の範囲第 6項乃至第 8項のレヽずれか一に記載のプロ一プ部材を具えてなり、 当該プ ロープ部材を介して、 検查対象であるウェハに形成された集積回路に対する電気的接続が 達成されることを !敫とするウェハ検雜 Mo
1 0 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々を、 請求の範囲第 6項乃至第 8項のいず れカゝ一に記載のプローブ部材を介してテスターに電気的に接続し、 当該ウェハに形成され た集積回路の電気的検查を^することを難とするウェハ検¾ ^法。
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