JP2003069302A - 高周波リレーの配線構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高周波特性を改善した高周波リレーの配線構造
を提供する。 【解決手段】ケース１の内部には高周波用基板２と駆動
回路用基板３とが厚み方向に重ねて収納されている。高
周波用基板２の一方の面には高周波信号が流れるマイク
ロストリップライン構造の配線パターン４が形成され、
他方の面には高周波リレーが実装されている。駆動回路
用基板３には、高周波用基板２と対向する面と反対側の
面に高周波リレーの駆動回路を構成する配線パターン７
が形成され、高周波リレーのリレーコイル用の端子が半
田付けされる。ここで、駆動回路用基板３では、マイク
ロストリップライン構造の配線パターン４に対応する部
位以外の部位に駆動回路の配線パターン７を形成してあ
る。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号が流れ
る電路をオン・オフするために用いられる高周波リレー
の配線構造に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】この種の高周波リレーの配線構造として
は、高周波信号が流れるマイクロストリップライン構造
の第１の配線パターンが設けられ、高周波リレーの接点
信号用の端子が第１の配線パターンに電気的に接続され
た第１の回路基板と、高周波リレーのリレーコイルに給
電するための第２の配線パターンが設けられた第２の回
路基板とを厚み方向に重ねて配置した構造のものが従来
より提供されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】上述した高周波リレー
の配線構造では、マイクロストリップライン構造の第１
の配線パターンの上を、リレーコイルに給電するための
第２の配線パターンが通るために、理想のマイクロスト
リップライン構造をとることができず、高周波特性が悪
化するという問題があった。 【０００４】本発明は上記問題点に鑑みて為されたもの
であり、その目的とするところは、高周波特性を改善し
た高周波リレーの配線構造を提供することにある。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、リレーコイルへの通電に応じ
て高周波信号の流れる電路をオン／オフする高周波リレ
ーの配線構造であって、高周波信号が流れるマイクロス
トリップライン構造の第１の配線パターンが設けられ、
高周波リレーの接点信号用の端子が第１の配線パターン
に電気的に接続された第１の回路基板と、高周波リレー
のリレーコイルに給電するための第２の配線パターンが
設けられた第２の回路基板とを厚み方向に重ねて配置
し、第２の回路基板における第１の配線パターンの投影
部分以外の部位に第２の配線パターンを配置したことを
特徴とし、両回路基板の厚み方向において、マイクロス
トリップライン構造の第１の配線パターンと、リレーコ
イルに給電するための第２の配線パターンとが重ならな
いようになっているので、第１の配線パターンとして理
想のマイクロストリップライン構造を得ることができ、
高周波特性を改善できる。 【０００６】 【発明の実施の形態】本発明に係る高周波リレーの配線
構造を、１ｃタイプの高周波リレーを７個用いて構成し
た１入力４出力の切替スイッチを例にして説明する。 【０００７】この切替スイッチの正面図を図４（ａ）
に、上面図を図４（ｂ）に、下面図を図４（ｃ）に、背
面図を図５にそれぞれ示す。尚、以下の説明では特にこ
とわりが無ければ、図４（ａ）の向きにおいて上下左右
の方向を規定し、また図４（ａ）における正面を前面と
いう。したがって、図４（ｂ）における上端は後端にな
る。 【０００８】切替スイッチのケース１は、前面が開口し
た箱型のボディ１ａと、ボディ１ａの開口を塞ぐように
被着されるカバー１ｂとで構成され、図１及び図３に示
すように、ケース１の内部にはプリント基板からなる高
周波用基板２と駆動回路用基板３とが厚み方向に重ねて
配置されている。 【０００９】第１の回路基板たる高周波用基板２の後面
側には高周波信号の流れる電路を構成するマイクロスト
リップライン構造の第１の配線パターン（以下、配線パ
ターンと略す。）４が形成され、この配線パターン４を
取り囲むようにしてベタアース５が形成されている。高
周波用基板２の前面側には７個の高周波リレーＲＹ１〜
ＲＹ７が実装されており、各高周波リレーＲＹ１〜ＲＹ
７の接点信号側の端子１２ａは配線パターン４に電気的
に接続されている。また、高周波用基板２の前面側には
ベタアースが略全面に形成されている。 【００１０】一方、第２の回路基板たる駆動回路用基板
３には、図１及び図２に示すように配線パターン４が形
成された高周波用基板２の部位と対向する部位に切欠部
３ａや貫通孔３ｂが形成され、高周波用基板２との対向
面と反対側の面に、高周波リレーＲＹ１〜ＲＹ７のリレ
ーコイルＬ１〜Ｌ７に給電するための第２の配線パター
ン（以下、配線パターンと略す。）７が形成されてい
る。各高周波リレーＲＹ１〜ＲＹ７のリレーコイル用の
端子１２ｂは、高周波用基板２に設けた貫通孔（図示せ
ず）を通して裏面側に突出し、駆動回路用基板３に設け
たスルーホール７ａ内に挿入されて半田付けされる。 【００１１】ここで、駆動回路用基板３では、マイクロ
ストリップライン構造の配線パターン４の投影部分以外
の部位に配線パターン７を形成してあり、リレーコイル
Ｌ１〜Ｌ７に給電するための配線パターン７と、高周波
信号の流れるマイクロストリップライン構造の配線パタ
ーン４とが両基板２，３の厚み方向において重ならない
ようになっているので、駆動回路の配線パターン７によ
る影響を無くして、理想のマイクロストリップライン構
造の配線パターン４を得ることができ、高周波特性を改
善できる。尚、図１及び図３中の９は駆動回路の電路の
一部を構成するリード線であり、マイクロストリップラ
イン構造の配線パターン４と重ならないような位置に配
置されている。 【００１２】またボディ１ａの上下両側面には同軸コネ
クタからなる高周波信号用のコネクタＣＮ１〜ＣＮ５が
配設され、下側面には貫通コンデンサＣ１〜Ｃ５が配設
されている。そして、ボディ１ａの下側面から外側に突
出する各貫通コンデンサＣ１〜Ｃ５の一方のリードが、
各リレーコイルＬ１〜Ｌ５の励磁信号を入力するための
ピン端子Ｐ１〜Ｐ５となる。ここで、各コネクタＣＮ１
〜ＣＮ５の中心コンタクト１０ａは、高周波用基板２後
面の上下端に延設された配線パターン４に半田付けさ
れ、アース端子１０ｂは高周波用基板２の前面に設けた
アース面に半田付けされる。また、各貫通コンデンサＣ
１〜Ｃ５の他方のリードは、高周波用基板２後面の下端
部に設けた端子部８に半田付けされる。 【００１３】この切替スイッチの内部回路を図６（ａ）
（ｂ）を参照して説明する。図６（ａ）は何れのリレー
コイルＬ１〜Ｌ７も励磁されていない場合の接点状態を
示しており、入力側のコネクタＣＮ５と出力側のコネク
タＣＮ１〜ＣＮ４との間は開放状態となり、各コネクタ
ＣＮ１〜ＣＮ４は終端抵抗Ｒ１〜Ｒ４に接続される。 【００１４】図６（ｂ）は高周波リレーＲＹ１〜ＲＹ７
を駆動するための駆動回路の回路図であり、リレーコイ
ルＬ１〜Ｌ７の一端はピン端子Ｐ５に接続され、駆動電
圧（ＤＣ２４Ｖ）が印加される。一方、リレーコイルＬ
１，Ｌ５の他端はピン端子Ｐ１に、リレーコイルＬ２の
他端はピン端子Ｐ２に、リレーコイルＬ３，Ｌ６の他端
はピン端子Ｐ３に、リレーコイルＬ４の他端はピン端子
Ｐ４にそれぞれ接続されている。また、リレーコイルＬ
７の他端はダイオードＤ１を介してピン端子Ｐ１に接続
されると共に、ダイオードＤ２を介してピン端子Ｐ２に
接続されている。 【００１５】ここで、ピン端子Ｐ１の電圧レベルをグラ
ンドにおとすと、リレーコイルＬ１，Ｌ５，Ｌ７が励磁
されて、高周波リレーＲＹ１，ＲＹ５，ＲＹ７の接点Ｓ
１，Ｓ５，Ｓ７が反転し、コネクタＣＮ１のみが入力側
のコネクタＣＮ５に接続される。また、ピン端子Ｐ２の
電圧レベルをグランドにおとすと、リレーコイルＬ２，
Ｌ７が励磁されて、高周波リレーＲＹ２，ＲＹ７の接点
Ｓ２，Ｓ７が反転し、コネクタＣＮ２のみが入力側のコ
ネクタＣＮ５に接続される。さらに、ピン端子Ｐ３の電
圧レベルをグランドにおとすと、リレーコイルＬ３，Ｌ
６が励磁されて、高周波リレーＲＹ３，ＲＹ６の接点Ｓ
３，Ｓ６が反転し、コネクタＣＮ３のみが入力側のコネ
クタＣＮ５に接続される。また更に、ピン端子Ｐ４の電
圧レベルをグランドにおとすと、リレーコイルＬ４が励
磁されて、高周波リレーＲＹ４の接点Ｓ４が反転し、コ
ネクタＣＮ４のみがコネクタＣＮ５に接続される。而し
て、何れかのピン端子Ｐ１〜Ｐ４の電圧レベルをグラン
ドにおとすことによって、コネクタＣＮ１〜ＣＮ４が選
択的に入力側のコネクタＣＮ５に接続され、コネクタＣ
Ｎ１の信号を出力するコネクタＣＮ１〜ＣＮ５を切り替
えることが出来る。 【００１６】ところで、ダイオードＤ１，Ｄ２は、それ
ぞれ、ピン端子Ｐ２，Ｐ１の電圧レベルをグランドにお
とした場合に、リレーコイルＬ１，Ｌ５、又は、リレー
コイルＬ２が励磁されるのを防止するために設けられた
ダイオードであり、本実施形態では２個のダイオードＤ
１，Ｄ２を１つのパッケージに納めたダイオードアレイ
１１を用いている。そして、駆動回路用基板３に高周波
用基板２の投影部分よりも外側に張り出す張出部３ｃを
設け、この張出部３ｃにダイオードアレイ１１を実装し
てある。 【００１７】尚、本実施形態では切替スイッチを例に説
明を行ったが、本発明に係る高周波リレーの配線構造を
切替スイッチに限定する趣旨のものではなく、高周波信
号が流れるマイクロストリップライン構造の配線パター
ン４が設けられ、高周波リレーＲＹ１…の接点信号用の
端子が配線パターン４に電気的に接続された高周波用基
板２と、高周波リレーＲＹ１…のリレーコイルに給電す
るための配線パターン７が形成された駆動回路用基板３
とを厚み方向に重ねて配置し、駆動回路用基板３におけ
る配線パターン４の投影部分以外の部位に配線パターン
７を配置したような構造を有するものであれば、どうよ
うなものでも良い。 【００１８】 【発明の効果】上述のように、請求項１の発明は、リレ
ーコイルへの通電に応じて高周波信号の流れる電路をオ
ン／オフする高周波リレーの配線構造であって、高周波
信号が流れるマイクロストリップライン構造の第１の配
線パターンが設けられ、高周波リレーの接点信号用の端
子が第１の配線パターンに電気的に接続された第１の回
路基板と、高周波リレーのリレーコイルに給電するため
の第２の配線パターンが設けられた第２の回路基板とを
厚み方向に重ねて配置し、第２の回路基板における第１
の配線パターンの投影部分以外の部位に第２の配線パタ
ーンを配置したことを特徴とし、両回路基板の厚み方向
において、マイクロストリップライン構造の第１の配線
パターンと、リレーコイルに給電するための第２の配線
パターンとが重ならないようになっているので、第１の
配線パターンとして理想のマイクロストリップライン構
造を得ることができ、高周波特性を改善できるという効
果がある。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明に係る高周波リレーの配線構造を適用し
た切替スイッチを示し、一部破断した背面図である。 【図２】同上の切替スイッチに用いる回路基板を前面側
から見た図である。 【図３】同上の切替スイッチのカバーを外した状態を前
面側から見た図である。 【図４】同上を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は上面
図、（ｃ）は下面図である。 【図５】同上の背面図である。 【図６】（ａ）（ｂ）は同上の内部回路図である。 【符号の説明】 １ ケース ２ 高周波用基板 ３ 駆動回路用基板 ４，７ 配線パターン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】リレーコイルへの通電に応じて高周波信号
   の流れる電路をオン／オフする高周波リレーの配線構造
   であって、高周波信号が流れるマイクロストリップライ
   ン構造の第１の配線パターンが設けられ、高周波リレー
   の接点信号用の端子が第１の配線パターンに電気的に接
   続された第１の回路基板と、高周波リレーのリレーコイ
   ルに給電するための第２の配線パターンが設けられた第
   ２の回路基板とを厚み方向に重ねて配置し、第２の回路
   基板における第１の配線パターンの投影部分以外の部位
   に第２の配線パターンを配置したことを特徴とする高周
   波リレーの配線構造。