JP2003066591A - マスター情報担体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高精度なレジストパターンの形成を可能とする
フォトマスク、それを用いたレジストパターン形成方
法、薄膜付き部品の製造方法、およびマスター情報担体
の製造方法を提供する。 【解決手段】フォトマスク１０１は、基体１０６の表面
に塗布されているレジスト膜１０７の表面に転写するパ
ターンに対応した透光部１０５を有しかつパターン転写
に際しては裏面側がレジスト膜１０７の表面に密着され
るフォトマスク１０１であって、前記裏面側において透
光部を囲む密着用凸部１０２と、レジスト膜表面と当該
裏面側との間に存在する気体を外部に排気するための抜
気用凹部１０３とを有する。このフォトマスクを用いて
レジストパターン形成を行い、また薄膜付き部品やマス
ター情報担体を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク、レ
ジストパターン形成方法、薄膜付き部品の製造方法およ
びマスター情報担体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報を磁気転写するマスター情報担体と
そのマスター情報担体からその情報を磁気転写される磁
気記録媒体とを密着させて磁気転写を行う磁気転写方法
がある。例えば特開平１０ー４０５４４号公報には、次
の磁気転写方法が記載されている。すなわち、マスター
情報担体は、転写情報に対応する強磁性薄膜パターンが
形成された転写面を有する。磁気記録媒体は、前記情報
が転写される被転写面を有する。マスター情報担体の転
写面と、磁気記録媒体の被転写面とを重ね合わせて接触
させる。この重ね合わせ状態で、マスター情報担体の強
磁性薄膜パターンを磁化させる。これにより、磁気記録
媒体に、強磁性薄膜パターンに対応する磁化パターンを
磁気転写する。

【０００３】上記磁気転写を良好に行うにはマスター情
報担体において、強磁性薄膜のパターンが精度良く形成
されることが必要である。図８を参照して、従来のマス
ター情報担体製造方法を説明する。

【０００４】まず、図８(ａ)で示すように、非磁性の基
体６上にレジスト膜７を形成する。次いで、フォトマス
ク１とレジスト膜７との間を真空引き９して密着させ
る。次いで、露光用光１０を照射し、現像する。これに
よって、図８(ｂ)で示すように、所定のレジストパター
ン１１を形成する。この場合、基体６が露出面６ａを有
する。次いで、図８(ｃ)で示すように、レジストパター
ン１１および基体露出面６ａに強磁性薄膜１２を成膜す
る。次いで、図８(ｄ)で示すように、有機溶剤などを用
いて不要な部分の強磁性薄膜１２を除去することにより
所望のパターンに強磁性薄膜パターン１２ａを形成す
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来法で
は図９(ａ)で示すように、図８(ａ)の工程で、特に中心
部の空気が抜け難い。そのため、レジスト膜７とフォト
マスク１との間にエアーギャップＡが生じ、露光用光１
０の回り込みＢの現象が起こる。これによって、図８
(ｂ)の工程に際して、図９(ｂ)で示すように、レジスト
７の側壁にテーパーＣが付き易く、パターン形状にばら
つきを生じる。

【０００６】このようにパターン形状がばらつくと、図
９(ｃ)で示すように、レジストパターン１１および基体
露出面６ａに強磁性薄膜１２を成膜し、次いで図９(ｄ)
で示すように、その強磁性薄膜１２を有機溶剤などを用
いて不要な部分を除去して所望のパターンに強磁性薄膜
パターン１２ａを形成する際に側壁にバリＤが発生する
原因となっている。

【０００７】また、パターン線幅の細線化に伴い、図１
０(ａ)で示すように露光用光１０の回り込みＢによって
フォトマスク１で覆われているレジスト７が感光され、
現像後パターンが形成されず、図１０(ｂ)で示すよう
に、基体６１の一部に露出面Ｅができるという課題があ
った。

【０００８】したがって、本発明は、高精度なレジスト
パターンの形成を可能とするフォトマスク、それを用い
たレジストパターン方法、薄膜付き部品の製造方法、お
よびマスター情報担体の製造方法を提供することを解決
すべき課題としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】(１)本発明第１のフォト
マスクは、基体表面のレジスト膜表面に転写するパター
ンに対応した透光部を有しかつ前記パターンの前記転写
時に裏面側が該レジスト膜表面に密着されるフォトマス
クであって、前記裏面側に、前記透光部が形成されかつ
前記レジスト膜表面に密着させられる密着用凸部と、前
記レジスト膜表面に前記密着用凸部を接触させた状態で
前記レジスト膜表面と当該フォトマスクの前記裏面側と
の間に存在する気体を外部に抜気して前記密着用凸部と
前記レジスト膜表面とを密着させるための抜気用凹部と
を有することを特徴とする。

【００１０】本発明第１のフォトマスクを用いてレジス
トパターンを形成すると、フォトマスク裏面側の抜気用
凹部を通じてフォトマスクの裏面側とレジスト膜表面と
の間に介在する気体を容易に外部に排気除去することが
できるようになるから、レジスト膜表面とフォトマスク
の密着用凸部との密着性向上を図れる結果、パターン露
光時の露光用光の回り込みを防いで良好なレジストパタ
ーンを形成することが可能となる。

【００１１】本発明第１のフォトマスクは、好ましく
は、前記抜気用凹部を複数形成し、少なくとも一つを中
心部から外周部に至る状態で形成する。このように形成
すると、さらに良好に抜気用凹部を通じてフォトマスク
の裏面側とレジスト膜表面との間に介在する気体を容易
に外部に排気除去することができるようになるから、レ
ジスト膜表面とフォトマスクの密着用凸部との密着性向
上をさらに図れる結果、パターン露光時の露光用光の回
り込みを防いでさらに良好なレジストパターンを形成す
ることが可能となる。

【００１２】本発明第１のフォトマスクは、好ましく
は、前記抜気用凹部と前記密着用凸部とを、それぞれ、
互いに隣り合う形態で複数形成し、かつ、前記各抜気用
凹部を互いに連結し、少なくとも１つを外周部に至る状
態で形成する。このように形成すると、さらに良好に抜
気用凹部を通じてフォトマスクの裏面側とレジスト膜表
面との間に介在する気体を容易に外部に排気除去するこ
とができるようになるから、レジスト膜表面とフォトマ
スクの密着用凸部との密着性向上をさらに図れる結果、
パターン露光時の露光用光の回り込みを防いでさらに良
好なレジストパターンを形成することが可能となる。

【００１３】本発明第１のフォトマスクは、前記密着用
凸部に形成した前記パターンに対応した透光部以外は露
光用光に対して非透過部である構造としてもよい。

【００１４】(２) 本発明第２のフォトマスクは、基体
表面のレジスト膜表面に転写するパターンに対応した透
光部を有し、且つ前記パターン転写時に裏面側が該レジ
スト膜表面に密着されるフォトマスクであって、前記裏
面側に前記透光部が形成され前記レジスト膜表面に密着
させられる密着用凸部と、前記レジスト膜表面に前記密
着用凸部を接触させた状態で前記レジスト膜表面と当該
フォトマスクの前記裏面側との間に存在する気体を外部
に抜気して前記密着用凸部と前記レジスト膜表面とを密
着させるための抜気用凹部とを有し、前記密着用凸部に
形成した前記パターンに対応した透光部以外は露光用光
に対して非透過部であり、且つ前記密着用凸部と抜気用
凹部は互いに隣り合う形態で複数形成されており、且つ
前記各抜気用凹部は互いに連絡され、少なくとも１つが
外周部に至る状態で形成されていることを特徴とする。

【００１５】本発明第２のフォトマスクを用いてレジス
トパターンを形成すると、フォトマスク裏面側の抜気用
凹部を通じてフォトマスクの裏面側とレジスト膜表面と
の間に介在する気体を容易に外部に排気除去することが
できるようになるから、レジスト膜表面とフォトマスク
の密着用凸部との密着性向上を図れる結果、パターン露
光時の露光用光の回り込みを防いで良好なレジストパタ
ーンを形成することが可能となる。

【００１６】本発明第２のフォトマスクは、好ましくは
前記密着用凸部に形成したパターンに対応した非透光部
以外は露光用光を透過する構造としてもよい。

【００１７】(３)本発明第３のフォトマスクは、基体表
面のレジスト膜表面に転写するパターンに対応した透光
部を有しかつ前記パターン転写時に裏面側が該レジスト
膜表面に密着されるフォトマスクであって、基体表面の
レジスト膜表面に転写するパターンに対応した非透光部
を有し且つ前記パターン転写時に裏面側が該レジスト膜
表面に密着されるフォトマスクであって、前記裏面側に
パターンに対応した非透光部が形成された密着用凸部
と、前記レジスト膜表面を接触させた状態で前記レジス
ト膜表面と当該フォトマスクの前記裏面側との間に存在
する気体を外部に抜気して前記密着用凸部と前記レジス
ト膜表面とを密着させるための抜気用凹部を有し、前記
密着用凸部に形成した前記パターンに対応した非透光部
以外は露光用光に対して透過する構造を有し、且つ前記
密着用凸部と抜気用凹部は互いに隣り合う形態で複数形
成されており、且つ前記各抜気用凹部は互いに連結さ
れ、少なくとも１つが外周部に至る状態で形成されてい
ることを特徴とする。

【００１８】本発明第３のフォトマスクを用いてレジス
トパターンを形成すると、フォトマスク裏面側の抜気用
凹部を通じてフォトマスクの裏面側とレジスト膜表面と
の間に介在する気体を容易に外部に排気除去することが
できるようになるから、レジスト膜表面とフォトマスク
の密着用凸部との密着性向上を図れる結果、パターン露
光時の露光用光の回り込みを防いで良好なレジストパタ
ーンを形成することが可能となる。

【００１９】(４)本発明第１ないし第３のフォトマスク
は、前記密着用凸部と抜気用凹部とを周方向に隣り合う
形態で当該フォトマスクの中心近傍から外周縁方向に向
けてほぼ放射状に設けることによりマスター情報担体製
造用として、磁気記録媒体に対して良好な状態でディジ
タル信号を磁気転写することができるマスター情報担体
を製造することができるようにしてもよい。

【００２０】本発明第１ないし第３のフォトマスクは、
前記密着用凸部と抜気用凹部とを縦横方向に隣り合う形
態で設けることにより半導体チップや薄膜磁気ヘッド等
の薄膜部品製造用とし、性能に優れた半導体チップや薄
膜磁気ヘッドを製造することができるようにしてもよ
い。

【００２１】本発明第１ないし第３のフォトマスクは、
前記密着用凸部と抜気用凹部とを中心近傍から外周縁近
傍方向に同心状に交互に設けることによりスパイラルコ
イル等の薄膜部品製造用として、性能に優れたスパイラ
ルコイルを製造することができるようにしてもよい。

【００２２】(５) 本発明のレジストパターン形成方法
は、裏面側に密着用凸部と抜気用凹部とを有するととも
に、前記密着用凸部に所定形状の透光部を有するフォト
マスクを準備する第１の工程と、基体の表面にレジスト
膜を形成する第２の工程と、前記基体表面に形成されて
いる前記レジスト膜表面にフォトマスクの裏面側を載置
する第３の工程と、前記レジスト膜表面に載置されてい
る状態で前記フォトマスクの前記抜気用凹部を介して前
記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜表面との間に
存在する気体を外部に抜気して前記フォトマスクの裏面
側と前記レジスト膜表面とを密着させる第４の工程と、
前記密着状態で前記フォトマスクの表面側から当該フォ
トマスクに対して露光用光を照射して前記フォトマスク
の密着用凸部に形成されているパターン形状に対応して
前記レジスト膜表面を露光する第５の工程と、前記レジ
スト膜に対して現像を行う第６の工程とを含むことを特
徴とする。

【００２３】本発明のレジストパターン形成方法による
と、フォトマスクの抜気用凹部を通じてフォトマスクの
裏面側とレジスト膜表面との間に介在する気体を容易に
外部に排気除去することができるようになるから、レジ
スト膜表面とフォトマスクの密着用凸部との密着性向上
を図れる結果、パターン露光時の露光用光の回り込みを
防いで良好なレジストパターンを形成することが可能と
なる。

【００２４】(６)本発明の薄膜付き部品の製造方法第１
は、基体表面に薄膜パターンが設けられる薄膜付き部品
の製造方法であって、裏面側に密着用凸部と抜気用凹部
とを有するとともに、前記密着用凸部に所定形状の透光
部を有するフォトマスクを準備する第１の工程と、前記
基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工程と、前記
レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第３の工程
と、前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹部を介
して前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜表面と
の間に存在する気体を外部に抜気することにより前記フ
ォトマスクの裏面側の密着用凸部と前記レジスト膜表面
とを密着させる第４の工程と、前記密着状態でフォトマ
スク表面側から当該フォトマスクに対して露光用光を照
射して前記フォトマスクの密着用凸部に形成されている
パターン形状に前記レジスト膜表面を露光する第５の工
程と、前記露光後のレジスト膜に対して現像を行う第６
の工程と、前記現像後に前記レジスト膜表面および前記
現像による前記基体表面の露出箇所に対して薄膜を堆積
する第７の工程と、前記レジスト膜表面に堆積した薄膜
を除去する第８の工程とを含むことを特徴とする。

【００２５】本発明の薄膜付き部品の製造方法第１によ
ると、フォトマスクの抜気用凹部を通じてフォトマスク
の裏面側とレジスト膜表面との間に介在する気体を容易
に外部に排気除去することができるようになるから、レ
ジスト膜表面とフォトマスクの密着用凸部との密着性向
上を図れる結果、パターン露光時の露光用光の回り込み
を防いで良好なレジストパターンを形成することがで
き、これによって、薄膜パターンを高精度に基体上に形
成した部品を製造することができるようになる。

【００２６】(７)本発明の薄膜付き部品の製造方法第２
は、基体に所望形状のパターンに薄膜パターンが設けら
れる薄膜付き部品の製造方法であって、裏面側に密着用
凸部と抜気用凹部とを有するとともに、前記密着用凸部
に所定形状の透光部を有するフォトマスクを準備する第
１の工程と、前記基体の表面にレジスト膜を形成する第
２の工程と、前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置
する第３の工程と、前記フォトマスクの裏面側における
抜気用凹部を介して前記フォトマスクの裏面側と前記レ
ジスト膜表面との間に存在する気体を外部に抜気するこ
とにより前記フォトマスクの裏面側の密着用凸部と前記
レジスト膜表面とを密着させる第４の工程と、前記密着
状態のフォトマスク表面側から当該フォトマスクに対し
て露光用光を照射して前記フォトマスクの密着用凸部に
形成されているパターン形状に前記レジスト膜表面を露
光する第５の工程と、前記露光したレジスト膜を除去し
て基体表面を露出させるとともに、露出した基体表面を
所要深さにエッチングして薄膜埋設用穴を形成する第６
の工程と、前記レジスト膜表面および前記基体における
薄膜埋設用穴に対して薄膜を堆積する第７の工程と、前
記レジスト膜をその表面に堆積している薄膜と共に除去
する第８の工程とを含むことを特徴とする。

【００２７】本発明の薄膜付き部品の製造方法第２によ
ると、フォトマスクの抜気用凹部を通じてフォトマスク
の裏面側とレジスト膜表面との間に介在する気体を容易
に外部に排気除去することができるようになるから、レ
ジスト膜表面とフォトマスクの密着用凸部との密着性向
上を図れる結果、パターン露光時の露光用光の回り込み
を防いで良好なレジストパターンを形成することがで
き、これによって、薄膜パターンを高精度に基体上に形
成した部品を製造することができるようになる。

【００２８】(８)本発明のマスター情報担体の製造方法
第１は、非磁性の基体表面にディジタル信号に対応する
形状パターンに強磁性薄膜パターンが設けられるマスタ
ー情報担体の製造方法であって、裏面側に密着用凸部と
抜気用凹部とを有するとともに、前記密着用凸部に所定
形状の透光部を有するフォトマスクを準備する第１の工
程と、前記基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工
程と、前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第
３の工程と、前記フォトマスクの裏面側における抜気用
凹部を介して前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト
膜表面との間に存在する気体を外部に抜気することによ
り前記フォトマスクの裏面側の密着用凸部と前記レジス
ト膜表面とを密着させる第４の工程と、前記密着状態の
フォトマスク表面側から当該フォトマスクに対して露光
用光を照射して前記フォトマスクの密着用凸部に形成さ
れているパターン形状に前記レジスト膜表面を露光する
第５の工程と、前記露光後のレジスト膜に対して現像を
行う第６の工程と、前記現像後に前記レジスト膜表面お
よび前記現像による前記基体表面の露出箇所に対して強
磁性薄膜を堆積する第７の工程と、前記レジスト膜表面
に堆積した強磁性薄膜を除去する第８の工程とを含むこ
とを特徴とする。

【００２９】本発明のマスター情報担体の製造方法第２
は、非磁性の基体表面にディジタル信号に対応する形状
パターンに強磁性薄膜パターンが設けられるマスター情
報担体の製造方法であって、裏面側に密着用凸部と抜気
用凹部とを有するとともに、前記密着用凸部に所定形状
の透光部を有するフォトマスクを準備する第１の工程
と、前記基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工程
と、前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第３
の工程と、前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹
部を介して前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜
表面との間に存在する気体を外部に抜気することにより
前記フォトマスクの裏面側の密着用凸部と前記レジスト
膜表面とを密着させる第４の工程と、前記密着状態のフ
ォトマスク表面側から当該フォトマスクに対して露光用
光を照射して前記フォトマスクの密着用凸部に形成され
ているパターン形状に前記レジスト膜表面を露光する第
５の工程と、前記露光したレジスト膜を除去して基体表
面を露出させるとともに、露出した基体表面を所要深さ
にエッチングして強磁性薄膜埋設用穴を形成する第６の
工程と、前記レジスト膜表面および前記基体における強
磁性薄膜埋設用穴に対して強磁性薄膜を堆積する第７の
工程と、前記レジスト膜をその表面に堆積している強磁
性薄膜と共に除去する第８の工程とを含むことを特徴と
する。

【００３０】本発明のマスター情報担体の製造方法第３
は、非磁性の基体表面にディジタル信号に対応する形状
パターンに強磁性薄膜パターンが設けられるマスター情
報担体の製造方法であって、裏面側に密着用凸部と抜気
用凹部とを有するとともに、前記密着用凸部に所定形状
の透光部を有するフォトマスクを準備する第１の工程
と、前記基体表面に予め強磁性薄膜を形成する第２の工
程と、前記強磁性薄膜の表面にレジスト膜を形成する第
３の工程と、前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置
する第４の工程と、前記フォトマスクの裏面側における
抜気用凹部を介して前記フォトマスクの裏面側と前記レ
ジスト膜表面との間に存在する気体を外部に抜気するこ
とにより前記フォトマスクの裏面側の密着用凸部と前記
レジスト膜表面とを密着させる第５の工程と、前記密着
状態のフォトマスク表面側から当該フォトマスクに対し
て露光用光を照射して前記フォトマスクの密着用凸部に
形成されているパターン形状に前記レジスト膜表面を露
光する第６の工程と、前記露光したレジスト膜を除去し
て強磁性薄膜表面を露出させるとともに、その露出した
強磁性薄膜をエッチング除去する第７の工程と、残った
強磁性薄膜上のレジスト膜を除去する第８の工程とを含
むことを特徴とする。

【００３１】本発明のマスター情報担体の製造方法第４
は、非磁性の基体表面にディジタル信号に対応する形状
パターンに強磁性薄膜パターンが設けられるマスター情
報担体の製造方法であって、前記強磁性薄膜パターン表
面に、密着用凸部と抜気用凹部とを有するレジスト膜を
形成する第１の工程と、裏面側に前記レジスト膜の前記
密着用凸部と前記抜気用凹部それぞれと対応する密着用
凸部と抜気用凹部とを有し、かつ、前記密着用凸部に所
定形状の透光部を有するフォトマスクを準備する第２の
工程と、前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置する
とともに、前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹
部と前記強磁性薄膜の抜気用凹部とにより構成される空
間を介して前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜
表面との間に存在する気体を外部に抜気し、前記フォト
マスクの裏面側の密着用凸部と前記レジスト膜表面とを
密着させる第３の工程と、前記密着状態のフォトマスク
表面側から当該フォトマスクに対して露光用光を照射し
て前記フォトマスクの密着用凸部に形成されているパタ
ーン形状に前記レジスト膜表面を露光する第４の工程
と、前記露光の後に現像処理して露光されていないレジ
スト膜部分を除去してレジストパターンを形成する第５
の工程と、前記レジストパターンをマスクにして強磁性
薄膜をエッチング除去する第６の工程と、残った強磁性
薄膜上のレジスト膜を除去する第７の工程とを含むこと
を特徴とする。

【００３２】本発明のマスター情報担体の製造方法第1
ないし第４によると、フォトマスクの抜気用凹部を通じ
てフォトマスクの裏面側とレジスト膜表面との間に介在
する気体を容易に外部に排気除去することができるよう
になるから、レジスト膜表面とフォトマスクの密着用凸
部との密着性向上を図れる結果、パターン露光時の露光
用光の回り込みを防いで良好なレジストパターンを形成
することができ、これによって、薄膜パターンを高精度
に基体上に形成したマスター情報担体を製造することが
できるようになる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図面に示さ
れる実施形態に基づいて説明する。本実施の形態では、
薄膜付き部品としてマスター情報担体に適用して説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではなく他の薄膜
付き部品にも適用することができる。

【００３４】図１および図２(ａ)ないし(ｄ)を参照して
本実施の形態に係るマスター情報担体、これを用いたレ
ジストパターンの形成方法およびこれを用いたマスター
情報担体の製造方法を説明する。

【００３５】以下、図１および図２(ａ)ないし図２(ｄ)
を参照してそのようなフォトマスクおよびこのフォトマ
スクを用いたレジストパターン形成方法およびマスター
情報担体の製造方法を説明する。なお、図１に、フォト
マスクの裏面側平面を、また、図２(ａ)に図１の外周部
近傍１０４ｂを拡大した側面断面を示す。フォトマスク
１０１は、露光用光に対して非透過な材料で構成されて
いる。

【００３６】フォトマスク１０１は、露光用光１１０に
面する表面が平坦で、露光用光１１０とは反対側となる
裏面に複数の密着用凸部１０２と、前記密着に際してフ
ォトマスク１０１の裏面側とレジスト膜表面との間に存
在する気体を外部に抜気するための抜気用凹部１０３と
を、それぞれ、複数有する。

【００３７】各抜気用凹部１０３は、それぞれ、フォト
マスク１０１の中心近傍１０４ａから外周縁近傍１０４
ｂに向けてほぼ放射状に設けられ、かつ、相互に連結さ
れている。各密着用凸部１０２は、それぞれ、露光用光
１１０の通過を許容する透光部１０５を囲むようにして
形成されている。この場合の透光部１０５は、情報信号
に対応したパターン形状に形成される。密着用凸部１０
２と抜気用凹部１０３は、周方向に隣り合う形態で当該
フォトマスク１０１の中心近傍１０４ａから外周縁近傍
１０４ｂに向けてほぼ放射状に設けられている。

【００３８】フォトマスク１０１を用いたマスター情報
担体の製造方法を説明する。

【００３９】まず、図２(ａ)で示すように、非磁性基体
１０６の表面にレジストをスピンコートするとともに、
低温ベーク処理を施す。これによって、非磁性基体１０
６の表面にレジスト膜１０７を形成する。次いで、レジ
スト膜１０７の表面にフォトマスク１０１を載置する。
次いで、フォトマスク１０１と非磁性基体１０６との外
周縁１０８から真空引き１０９することにより、フォト
マスク１０１の裏面側と非磁性基体１０６の表面のレジ
スト膜１０７との間に存在する気体を外部に抜気してこ
れらの間を大気圧に対して負圧にする。これによりフォ
トマスク１０１の裏面側における密着用凸部１０２とレ
ジスト膜１０７表面とが密着させられる。次いで、フォ
トマスク１０１に対して、最適に設定した露光量の露光
用光１１０を照射することによりフォトマスク１０１の
光透過部１０５のパターン形状にレジスト膜１０７の表
面を露光する。次いで、レジスト膜１０７の露光部と非
露光部との現像液に対する溶解度の差を利用して現像を
施すことにより非磁性基体１０６表面から露光用光１１
０で露光したレジスト膜１０７を除去する。

【００４０】これによって、図２(ｂ)で示すように、非
磁性基体１０６表面に所望のレジストパターン１１１を
形成する。このレジストパターン１１１においては、光
透過部１０５のパターン形状に対応した窓１１１ａが空
いて、その窓１１１ａに対応した非磁性基体１０６表面
の箇所１０６ａが露出している。

【００４１】次いで、図２(ｃ)で示すように、非磁性基
体１０６の表面露出箇所１０６ａおよびレジストパター
ン１１１上に強磁性薄膜１１２ａ，１１２ｂを成膜す
る。強磁性薄膜１１２ａは、表面露出箇所１０６ａ上で
あり、強磁性薄膜１１２ｂは、レジストパターン１１１
上である。

【００４２】次いで、図２(ｄ)で示すように、レジスト
パターン１１１上の強磁性薄膜１１２ｂを、有機溶剤を
用いて除去する。これによって、表面露出箇所１０６ａ
上の強磁性薄膜パターン１１２ａを有したマスター情報
担体を製造することができる。

【００４３】本発明者による実験においては、非磁性基
体１０６上にレジスト膜１０７を厚さ約１μｍにスピン
コートし、９０℃のホットプレートで１分間ソフトベー
クし、表面凹凸が０．１〜０．５μｍ有し、かつ、密着
用凸部１０２に所定のパターンが搭載されたフォトマス
ク１０１とレジスト膜１０７の表面とを真空引きにより
密着させて、露光し、現像したところ、サブミクロン領
域の線幅においても良好な形状のレジストパターン１１
１を得ることができたことを確認した。

【００４４】また、以上に示した実施形態により製造し
たマスター情報担体を用いて磁気記録媒体にディジタル
信号を磁気転写し、その磁気記録媒体に記録されたディ
ジタル信号をヘッドを用いて読みとることにより信号の
評価を行った。この評価によると、パターン線幅が０．
５μｍの細線まで設計通りの信号が記録されていること
が確認された。一方、従来方法で作成したマスター情報
担体を用いて行った評価では、パターン線幅が０．７μ
ｍまで細線化すると設計通りの再生信号が得られなかっ
たことも確認された。

【００４５】本発明は、上述した実施形態に限定される
ものではなく、種々な応用や変形が考えられる。

【００４６】(１)上述の実施形態の場合、図２(ｃ)以降
の製造工程に代えて、図３(ｃ)以降の製造工程を行うに
してもよい。図３(ａ)および図３(ｂ)は、図２(ａ)およ
び図２(ｂ)にそれぞれ対応しているから、その説明を省
略する。

【００４７】図３(ａ)ないし図３(ｅ)に示される他の実
施形態に係る製造方法では、図３(ａ)でレジスト膜１０
７を露光するとともに、図３(ｂ)で示すようにその露光
部分を除去してレジストパターン１１１を形成するとと
もに非磁性基体１０６の表面を露出させる。そして、図
３(ｂ)の次に、図３(ｃ)で示すように、レジストパター
ン１１１をマスクにし、非磁性基体１０６をエッチング
して所要深さの強磁性薄膜埋設用穴１０６ｂを形成す
る。そして、図３(ｄ)で示すように、前記非磁性基体１
０６の穴１０６ｂ内およびレジストパターン１１１上に
強磁性薄膜１１２ａ，１１２ｂを成膜する。ついで、図
３(ｅ)で示すように、強磁性薄膜１１２ｂと共にレジス
トパターン１１１を除去することにより、非磁性基体１
０６の強磁性薄膜埋設用穴１０６ｂに強磁性薄膜１１２
ａが埋設された構造のマスター情報担体を製造すること
ができる。

【００４８】(２)図４(ａ)ないし(ｄ)を参照して本発明
のさらに他の実施形態に従うフォトマスク、レジストパ
ターンの形成方法およびそれを用いたマスター情報担体
の製造方法を説明する。

【００４９】この実施形態で使用されるフォトマスク１
０１は、図４(ａ)で示すように、露光用光１１０に対し
て透過な一様な肉厚の材料で構成されたものであって、
その表面が平坦で、裏面が凹凸面となっている。

【００５０】この場合、フォトマスク１０１の裏面には
複数の密着用凸部１０２と複数の抜気用凹部１０３とを
有している。各抜気用凹部１０３は、そのうちの少なく
とも一つが当該フォトマスク１０１の外周縁に至る状態
に形成されているとともに、互いに連結されている。

【００５１】密着用凸部１０２そのものは、光が透過で
きない材料で構成されている。密着用凸部１０２に、露
光用光１１０の通過を許容する透光部１０５が形成され
ている。この場合、透光部１０５は、所望の情報信号に
対応したパターン形状に構成されている。

【００５２】次に、レジストパターンの形成およびマス
ター情報担体の製造について説明する。

【００５３】ここで、非磁性基体１０６の表面には、予
め強磁性薄膜１１２が一様な厚さで形成されている。ま
ず、図４(ａ)で示すように、非磁性基体１０６における
強磁性薄膜１１２の表面にレジスト膜１０７をスピンコ
ートし、低温ベークを施す。このレジスト膜１０７の表
面にフォトマスク１０１を載置する。次いで、フォトマ
スク１０１の裏面と強磁性薄膜１１２の表面との空間を
密閉して非磁性基体１０６の外周縁１０８から真空引き
１０９をする。これによって、レジスト膜１０７の表面
とフォトマスク１０１の密着用凸部１０２とを密着させ
る。そして、この密着状態で、最適に設定した露光量の
露光用光１１０で露光する。

【００５４】次いで、現像を施すことによって、図４
(ｂ)で示すように、密着用凸部１０２以外の領域におけ
る露光したレジスト膜１０７を強磁性薄膜１１２表面か
ら除去することにより、強磁性薄膜１１２表面に密着用
凸部１０２に対応した所要のレジストパターン１１１を
形成する。レジストパターン１１１においては、情報信
号の形状パターンに対応した窓１１１ａが明いている。

【００５５】次いで、図４(ｃ)で示すように、非磁性基
体１０６表面の全強磁性薄膜１１２のうち、レジストパ
ターン１１１が無く露出している強磁性薄膜１１２に対
してリアクティブイオンエッチングあるいはイオンミリ
ングなどのエッチングにより除去することにより、レジ
ストパターン１１１の直下の強磁性薄膜１１２ａが残
る。

【００５６】次いで、図４(ｄ)で示すように、レジスト
パターン１１１を除去すると強磁性薄膜１１２ａのパタ
ーンを有したマスター情報担体を製造することができ
る。

【００５７】(３)図５(ａ)ないし(ｄ)を参照して本発明
のさらに他の実施形態に従うマスター情報担体の製造方
法を説明する。この実施形態が前記(２)の実施形態と異
なるのは、強磁性薄膜６の表面に形成されているレジス
ト膜１０７表面に、図５(ａ)で示すように、抜気用凹部
１０７ｂと密着用凸部１０７ａとを形成することであ
る。

【００５８】このようなレジスト膜１０７に対して、図
５(ｂ)で示すように図４(ａ)で示されているのと同様な
フォトマスク１０１を載置する。なお、図５(ａ)ないし
図５(ｄ)は、レジスト膜１０７の前記凹凸１０７ｂ，１
０７ａを示すため、図４(ａ)ないし図４(ｄ)よりも図の
拡大率を小さくして示されている。

【００５９】次いで、フォトマスク１０１の裏面とレジ
スト膜１０７の表面との空間を密閉して非磁性基体１０
６の外周縁から真空引きをする。この真空引きでは、レ
ジスト膜１０７の抜気用凹部１０７ｂとフォトマスク１
０１の抜気用凹部１０３とにより、より大きな抜気用空
間が確保されるから、図４(ａ)の場合と比較して、より
効果的に抜気することができる。その結果、前記抜気に
よるレジスト膜１０７の表面とフォトマスク１０１とを
より強く密着させることができる。そして、この密着状
態で、最適に設定した露光量の露光用光４で露光すると
もに、現像処理すると、露光されたレジスト膜１０７の
部分が除去される一方、露光されていないレジスト膜１
０７の部分を残存させる。これによって、残存したレジ
スト膜１０７の部分により、図５（ｃ）で示すようなレ
ジストパターン１１１が得られる。このレジストパター
ン１１１をマスクにしてエッチング５をすると、図５
(ｄ)で示すように、非磁性基体１０６の表面上に所要の
強磁性薄膜パターン１１２ａを有したマスター情報担体
を製造することができる。

【００６０】この実施形態によれば、パターン形状ばら
つき、パターン形成無しなどの不具合のない、高いパタ
ーン精度を有するマスター情報担体を作製することがで
きる。

【００６１】(４)上述の実施形態におけるフォトマスク
１０１は、図６(ａ)で示すように、密着用凸部１０２と
抜気用凹部１０３とが縦横方向に隣り合う形態で設けら
れていることにより半導体チップや薄膜磁気ヘッド製造
用とされてもよく、また、図６(ｂ)で示すように、密着
用凸部１０２と抜気用凹部１０３とが中心近傍から外周
縁近傍方向に同心状に交互に設けられていることにより
スパイラルコイル製造用とされていてもよい。

【００６２】(５)以上のように各実施形態によれば、フ
ォトマスク１０１の抜気用凹部１０３を通じてフォトマ
スク１０１とレジスト膜１０７との間に介在する空気が
容易に抜気され、フォトマスク１０１とレジスト膜１０
７との密着性を向上することにより、図７で示すように
良好なレジストパターン形状が得られる。なお、上述し
たパターン露光については、好例として、フォトマスク
アライナーを用いて行い、基体を着装したホルダーとフ
ォトマスクとの間を密閉し、基体外周部より真空引きに
より抜気することが挙げられるが、必ずしもそれに限定
されるものではない。

【００６３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、フォト
マスク裏面側の抜気用凹部を通じてフォトマスクの裏面
側とレジスト膜表面との間に介在する気体を容易に外部
に排気除去することができるようになるから、レジスト
膜表面とフォトマスクの密着用凸部との密着性向上を図
れる結果、パターン露光時の露光用光の回り込みを防い
で良好なレジストパターンを形成することが可能とな
り、また、これによって、高精度な薄膜パターンを有す
る部品や高精度な強磁性薄膜パターンを有するマスター
情報担体を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係るフォトマスクの平面図

【図２】本発明の実施形態に係るフォトマスクを用いた
レジストパターンの形成方法およびマスター情報担体の
製造方法の説明に供する各工程図

【図３】本発明の実施形態に係るフォトマスクを用いた
レジストパターンの他の形成方法およびマスター情報担
体の他の製造方法の説明に供する各工程図

【図４】本発明の実施形態に係る他のフォトマスクを用
いたレジストパターンの他の形成方法およびマスター情
報担体の他の製造方法の説明に供する各工程図

【図５】本発明の実施形態に係る他のフォトマスクを用
いたレジストパターンの他の形成方法およびマスター情
報担体の他の製造方法の説明に供する各工程図

【図６】本発明の実施形態に係るさらに他のフォトマス
クの各平面図

【図７】本発明の実施形態に係るフォトマスクを用いた
レジストパターン図

【図８】従来のフォトマスクを用いたレジストパターン
の形成方法およびマスター情報担体の製造方法の説明に
供する各工程図

【図９】図８のフォトマスクを用いた場合の課題の説明
に供する各工程図

【図１０】図８のフォトマスクを用いた場合の他の課題
の説明に供する各工程図

【符号の説明】

１０１ フォトマスク １０２ 密着用凸部 １０３ 抜気用凹部 １０４ａ 中心近傍 １０４ｂ 外周縁近傍 １０５ 透光部 １０６ 基体 １０７ レジスト膜

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１４年６月１７日（２００２．６．１
７）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２２】(５) 本発明のレジストパターン形成方法
は、裏面側に密着用凸部と抜気用凹部とを有するととも
に、前記密着用凸部に所定形状の透光部を有するフォト
マスクを準備する第１の工程と、基体の表面にレジスト
膜を形成する第２の工程と、前記基体表面に形成されて
いる前記レジスト膜表面に前記フォトマスクの裏面側を
載置する第３の工程と、前記レジスト膜表面に載置され
ている状態で前記フォトマスクの前記抜気用凹部を介し
て前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜表面との
間に存在する気体を外部に抜気して前記フォトマスクの
裏面側と前記レジスト膜表面とを密着させる第４の工程
と、前記密着状態で前記フォトマスクの表面側から当該
フォトマスクに対して露光用光を照射して前記フォトマ
スクの密着用凸部に形成されているパターン形状に対応
して前記レジスト膜表面を露光する第５の工程と、前記
レジスト膜に対して現像を行う第６の工程とを含むこと
を特徴とする。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２４】(６)本発明の薄膜付き部品の製造方法第１
は、基体表面に薄膜パターンが設けられる薄膜付き部品
の製造方法であって、裏面側に密着用凸部と抜気用凹部
とを有するとともに、前記密着用凸部に所定形状の透光
部を有するフォトマスクを準備する第１の工程と、前記
基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工程と、前記
レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第３の工程
と、前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹部を介
して前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜表面と
の間に存在する気体を外部に抜気することにより前記フ
ォトマスクの裏面側の密着用凸部と前記レジスト膜表面
とを密着させる第４の工程と、前記密着状態でフォトマ
スク表面側から当該フォトマスクに対して露光用光を照
射して前記フォトマスクの密着用凸部に形成されている
パターン形状に前記レジスト膜表面を露光する第５の工
程と、前記露光後のレジスト膜に対して現像を行う第６
の工程と、前記現像後に前記レジスト膜表面および前記
現像による前記基体表面の露出箇所に対して薄膜を堆積
する第７の工程と、前記レジスト膜を前記レジスト膜表
面に堆積した薄膜と共に除去する第８の工程とを含むこ
とを特徴とする。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２６】(７)本発明の薄膜付き部品の製造方法第２
は、基体に所望形状のパターンに薄膜パターンが設けら
れる薄膜付き部品の製造方法であって、裏面側に密着用
凸部と抜気用凹部とを有するとともに、前記密着用凸部
に所定形状の透光部を有するフォトマスクを準備する第
１の工程と、前記基体の表面にレジスト膜を形成する第
２の工程と、前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置
する第３の工程と、前記フォトマスクの裏面側における
抜気用凹部を介して前記フォトマスクの裏面側と前記レ
ジスト膜表面との間に存在する気体を外部に抜気するこ
とにより前記フォトマスクの裏面側の密着用凸部と前記
レジスト膜表面とを密着させる第４の工程と、前記密着
状態のフォトマスク表面側から当該フォトマスクに対し
て露光用光を照射して前記フォトマスクの密着用凸部に
形成されているパターン形状に前記レジスト膜表面を露
光する第５の工程と、前記露光したレジスト膜を除去し
て基体表面を露出させるとともに、露出した基体表面を
所要深さにエッチングして薄膜埋設用穴を形成する第６
の工程と、前記レジスト膜表面および前記基体における
薄膜埋設用穴に対して薄膜を堆積する第７の工程と、前
記レジスト膜を前記レジスト膜表面に堆積している薄膜
と共に除去する第８の工程とを含むことを特徴とする。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２８】(８)本発明のマスター情報担体の製造方法
第１は、非磁性の基体表面にディジタル信号に対応する
形状パターンに強磁性薄膜パターンが設けられるマスタ
ー情報担体の製造方法であって、裏面側に密着用凸部と
抜気用凹部とを有するとともに、前記密着用凸部に所定
形状の透光部を有するフォトマスクを準備する第１の工
程と、前記基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工
程と、前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第
３の工程と、前記フォトマスクの裏面側における抜気用
凹部を介して前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト
膜表面との間に存在する気体を外部に抜気することによ
り前記フォトマスクの裏面側の密着用凸部と前記レジス
ト膜表面とを密着させる第４の工程と、前記密着状態の
フォトマスク表面側から当該フォトマスクに対して露光
用光を照射して前記フォトマスクの密着用凸部に形成さ
れているパターン形状に前記レジスト膜表面を露光する
第５の工程と、前記露光後のレジスト膜に対して現像を
行う第６の工程と、前記現像後に前記レジスト膜表面お
よび前記現像による前記基体表面の露出箇所に対して強
磁性薄膜を堆積する第７の工程と、前記レジスト膜を前
記レジスト膜表面に堆積した強磁性薄膜と共に除去する
第８の工程とを含むことを特徴とする。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２９】本発明のマスター情報担体の製造方法第２
は、非磁性の基体表面にディジタル信号に対応する形状
パターンに強磁性薄膜パターンが設けられるマスター情
報担体の製造方法であって、裏面側に密着用凸部と抜気
用凹部とを有するとともに、前記密着用凸部に所定形状
の透光部を有するフォトマスクを準備する第１の工程
と、前記基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工程
と、前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第３
の工程と、前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹
部を介して前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜
表面との間に存在する気体を外部に抜気することにより
前記フォトマスクの裏面側の密着用凸部と前記レジスト
膜表面とを密着させる第４の工程と、前記密着状態のフ
ォトマスク表面側から当該フォトマスクに対して露光用
光を照射して前記フォトマスクの密着用凸部に形成され
ているパターン形状に前記レジスト膜表面を露光する第
５の工程と、前記露光したレジスト膜を除去して基体表
面を露出させるとともに、露出した基体表面を所要深さ
にエッチングして強磁性薄膜埋設用穴を形成する第６の
工程と、前記レジスト膜表面および前記基体における強
磁性薄膜埋設用穴に対して強磁性薄膜を堆積する第７の
工程と、前記レジスト膜を前記レジスト膜表面に堆積し
ている強磁性薄膜と共に除去する第８の工程とを含むこ
とを特徴とする。 ─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１４年９月２日（２００２．９．２）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の名称

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の名称】 マスター情報担体の製造方法

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００１

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスター情報担体
の製造方法に関する。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】削除

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１０

【補正方法】削除

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】削除

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１２

【補正方法】削除

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１３

【補正方法】削除

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１４

【補正方法】削除

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】削除

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１６

【補正方法】削除

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１７

【補正方法】削除

【手続補正１３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】削除

【手続補正１４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１９

【補正方法】削除

【手続補正１５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２０

【補正方法】削除

【手続補正１６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２１

【補正方法】削除

【手続補正１７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２２

【補正方法】削除

【手続補正１８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】削除

【手続補正１９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２４

【補正方法】削除

【手続補正２０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２５

【補正方法】削除

【手続補正２１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２６

【補正方法】削除

【手続補正２２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２７

【補正方法】削除

【手続補正２３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２８】

【課題を解決するための手段】(１)本発明のマスター情
報担体の製造方法第１は、非磁性の基体表面にディジタ
ル信号に対応する形状パターンに強磁性薄膜パターンが
設けられるマスター情報担体の製造方法であって、裏面
側に密着用凸部と抜気用凹部とを有するとともに、前記
密着用凸部に前記形状パターンに対応して所定形状を有
する透光部を有し、前記密着用凸部と抜気用凹部とが周
方向に隣り合う形態で中心近傍から外周縁方向に向けて
ほぼ放射状に設けられた構成を有するフォトマスクを準
備する第１の工程と、前記基体の表面にレジスト膜を形
成する第２の工程と、前記レジスト膜表面にフォトマス
クを載置する第３の工程と、前記フォトマスクの裏面側
における抜気用凹部を介して前記フォトマスクの裏面側
と前記レジスト膜表面との間に存在する気体を外部に抜
気することにより前記フォトマスクの裏面側の密着用凸
部と前記レジスト膜表面とを密着させる第４の工程と、
前記密着状態のフォトマスク表面側から露光用光を照射
して、前記形状パターンに対応して前記フォトマスクに
設けられている透光部を通じて前記レジスト膜表面を露
光する第５の工程と、前記露光後のレジスト膜に対して
現像を行う第６の工程と、前記現像後に前記レジスト膜
表面および前記現像による前記基体表面の露出箇所に対
して強磁性薄膜を堆積する第７の工程と、前記レジスト
膜表面に堆積した強磁性薄膜を除去する第８の工程とを
含むことを特徴とする。

【手続補正２４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２９】(２)本発明のマスター情報担体の製造方法
第２は、非磁性の基体表面にディジタル信号に対応する
形状パターンに強磁性薄膜パターンが設けられるマスタ
ー情報担体の製造方法であって、裏面側に密着用凸部と
抜気用凹部とを有するとともに、前記密着用凸部に前記
形状パターンに対応して所定形状を有する透光部を有
し、前記密着用凸部と抜気用凹部とが周方向に隣り合う
形態で中心近傍から外周縁方向に向けてほぼ放射状に設
けられた構成を有するフォトマスクを準備する第１の工
程と、前記基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工
程と、前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第
３の工程と、前記フォトマスクの裏面側における抜気用
凹部を介して前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト
膜表面との間に存在する気体を外部に抜気することによ
り前記フォトマスクの裏面側の密着用凸部と前記レジス
ト膜表面とを密着させる第４の工程と、前記密着状態の
フォトマスク表面側から露光用光を照射して、前記形状
パターンに対応して前記フォトマスクに設けられている
透光部を通じて前記レジスト膜表面を露光する第５の工
程と、前記露光したレジスト膜を除去して基体表面を露
出させるとともに、露出した基体表面を所要深さにエッ
チングして強磁性薄膜埋設用穴を形成する第６の工程
と、前記レジスト膜表面および前記基体における強磁性
薄膜埋設用穴に対して強磁性薄膜を堆積する第７の工程
と、前記レジスト膜をその表面に堆積している強磁性薄
膜と共に除去する第８の工程とを含むことを特徴とす
る。

【手続補正２５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３０】(３)本発明のマスター情報担体の製造方法
第３は、非磁性の基体表面にディジタル信号に対応する
形状パターンに強磁性薄膜パターンが設けられるマスタ
ー情報担体の製造方法であって、裏面側に密着用凸部と
抜気用凹部とを有し、前記密着用凸部と抜気用凹部とが
周方向に隣り合う形態で中心近傍から外周縁方向に向け
てほぼ放射状に設けられた構成を有するフォトマスクを
準備する第１の工程と、前記基体表面に予め強磁性薄膜
を形成する第２の工程と、前記強磁性薄膜の表面にレジ
スト膜を形成する第３の工程と、前記レジスト膜表面に
フォトマスクを載置する第４の工程と、前記フォトマス
クの裏面側における抜気用凹部を介して前記フォトマス
クの裏面側と前記レジスト膜表面との間に存在する気体
を外部に抜気することにより前記フォトマスクの裏面側
の密着用凸部と前記レジスト膜表面とを密着させる第５
の工程と、前記密着状態のフォトマスク表面側から露光
用光を照射して、前記形状パターンに対応して前記フォ
トマスクに設けられている透光部を通じて前記レジスト
膜表面を露光する第６の工程と、前記露光したレジスト
膜を除去して強磁性薄膜表面を露出させるとともに、そ
の露出した強磁性薄膜をエッチング除去する第７の工程
と、残った強磁性薄膜上のレジスト膜を除去する第８の
工程とを含むことを特徴とする。

【手続補正２６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３１】(４)本発明のマスター情報担体の製造方法
第４は、非磁性の基体表面にディジタル信号に対応する
形状パターンに強磁性薄膜パターンが設けられるマスタ
ー情報担体の製造方法であって、前記基体表面に予め強
磁性薄膜を形成し、前記強磁性薄膜パターン表面に、密
着用凸部と抜気用凹部とを有し、前記密着用凸部と抜気
用凹部とが周方向に隣り合う形態で中心近傍から外周縁
方向に向けてほぼ放射状に設けられた構成を有するレジ
スト膜を形成する第１の工程と、裏面側に前記レジスト
膜の前記密着用凸部と前記抜気用凹部それぞれと対応す
る密着用凸部と抜気用凹部とを有し、かつ、前記密着用
凸部に前記形状パターンに対応して所定形状を有する透
光部を有するフォトマスクを準備する第２の工程と、前
記レジスト膜表面にフォトマスクを載置するとともに、
前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹部と前記強
磁性薄膜の抜気用凹部とにより構成される空間を介して
前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜表面との間
に存在する気体を外部に抜気し、前記フォトマスクの裏
面側の密着用凸部と前記レジスト膜表面とを密着させる
第３の工程と、前記密着状態のフォトマスク表面側から
露光用光を照射して、前記形状パターンに対応して前記
フォトマスクに設けられている透光部を通じて前記レジ
スト膜表面を露光する第４の工程と、前記露光の後に現
像処理して露光されていないレジスト膜部分を除去して
レジストパターンを形成する第５の工程と、前記レジス
トパターンをマスクにして強磁性薄膜をエッチング除去
する第６の工程と、残った強磁性薄膜上のレジスト膜を
除去する第７の工程とを含むことを特徴とする。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/86 １０１ Ｇ１１Ｂ 5/86 １０１Ｂ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｐ (72)発明者 宮田 敬三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 石田 達朗 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA04 BA12 BB02 BC28 2H097 GA00 LA10 LA20 5D033 DA07 5D112 AA03 AA05 AA24 GA02 GA09

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基体表面のレジスト膜表面に転写するパタ
   ーンに対応した透光部を有しかつ前記パターンの前記転
   写時に裏面側が該レジスト膜表面に密着されるフォトマ
   スクであって、 前記裏面側に、前記透光部が形成されかつ前記レジスト
   膜表面に密着させられる密着用凸部と、前記レジスト膜
   表面に前記密着用凸部を接触させた状態で前記レジスト
   膜表面と当該フォトマスクの前記裏面側との間に存在す
   る気体を外部に抜気して前記密着用凸部と前記レジスト
   膜表面とを密着させるための抜気用凹部とを有するフォ
   トマスク。
2. 【請求項２】前記抜気用凹部が、複数形成され、少なく
   とも１つが中心部から外周部に至る状態で形成されてい
   る、請求項１に記載のフォトマスク。
3. 【請求項３】前記抜気用凹部と前記密着用凸部とが、そ
   れぞれ、互いに隣り合う形態で複数形成され、かつ、前
   記各抜気用凹部が互いに連結され、少なくとも１つが外
   周部に至る状態で形成されている請求項１に記載のフォ
   トマスク。
4. 【請求項４】前記密着用凸部に形成した前記パターンに
   対応した透光部以外は露光用光に対して非透過部である
   請求項１ないし３のいずれかに記載のフォトマスク。
5. 【請求項５】基体表面のレジスト膜表面に転写するパタ
   ーンに対応した透光部を有し、且つ前記パターン転写時
   に裏面側が該レジスト膜表面に密着されるフォトマスク
   であって、 前記裏面側に前記透光部が形成され前記レジスト膜表面
   に密着させられる密着用凸部と、前記レジスト膜表面に
   前記密着用凸部を接触させた状態で前記レジスト膜表面
   と当該フォトマスクの前記裏面側との間に存在する気体
   を外部に抜気して前記密着用凸部と前記レジスト膜表面
   とを密着させるための抜気用凹部とを有し、 前記密着用凸部に形成した前記パターンに対応した透光
   部以外は露光用光に対して非透過部であり、且つ前記密
   着用凸部と抜気用凹部は互いに隣り合う形態で複数形成
   されており、且つ前記各抜気用凹部は互いに連絡され、
   少なくとも１つが外周部に至る状態で形成されているフ
   ォトマスク。
6. 【請求項６】前記密着用凸部に形成したパターンに対応
   した非透光部以外は露光用光を透過する構造を有する請
   求項１に記載のフォトマスク。
7. 【請求項７】基体表面のレジスト膜表面に転写するパタ
   ーンに対応した非透光部を有し且つ前記パターン転写時
   に裏面側が該レジスト膜表面に密着されるフォトマスク
   であって、 前記裏面側にパターンに対応した非透光部が形成された
   密着用凸部と、前記レジスト膜表面を接触させた状態で
   前記レジスト膜表面と当該フォトマスクの前記裏面側と
   の間に存在する気体を外部に抜気して前記密着用凸部と
   前記レジスト膜表面とを密着させるための抜気用凹部を
   有し、前記密着用凸部に形成した前記パターンに対応し
   た非透光部以外は露光用光に対して透過する構造を有
   し、且つ前記密着用凸部と抜気用凹部は互いに隣り合う
   形態で複数形成されており、且つ前記各抜気用凹部は互
   いに連結され、少なくとも１つが外周部に至る状態で形
   成されているフォトマスク。
8. 【請求項８】前記密着用凸部と抜気用凹部とが周方向に
   隣り合う形態で当該フォトマスクの中心近傍から外周縁
   方向に向けてほぼ放射状に設けられていることによりマ
   スター情報担体製造用とされている請求項１に記載のフ
   ォトマスク。
9. 【請求項９】前記密着用凸部と抜気用凹部とがほぼ縦横
   方向に隣り合う形態で設けられていることにより半導体
   チップ製造用とされている請求項１ないし８のいずれか
   に記載のフォトマスク。
10. 【請求項１０】前記密着用凸部と抜気用凹部とがほぼ縦
    横方向に隣り合う形態で設けられていることにより薄膜
    磁気ヘッド製造用とされている請求項１ないし８のいず
    れかに記載のフォトマスク。
11. 【請求項１１】前記密着用凸部と抜気用凹部とが中心近
    傍から外周縁近傍方向にほぼ同心状に交互に設けられて
    いることによりスパイラルコイル製造用とされている請
    求項１ないし８のいずれかに記載のフォトマスク。
12. 【請求項１２】裏面側に密着用凸部と抜気用凹部とを有
    するとともに、前記密着用凸部に所定形状の透光部を有
    するフォトマスクを準備する第１の工程と、 基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工程と、 前記基体表面に形成されている前記レジスト膜表面にフ
    ォトマスクの裏面側を載置する第３の工程と、 前記レジスト膜表面に載置されている状態で前記フォト
    マスクの前記抜気用凹部を介して前記フォトマスクの裏
    面側と前記レジスト膜表面との間に存在する気体を外部
    に抜気して前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜
    表面とを密着させる第４の工程と、 前記密着状態で前記フォトマスクの表面側から当該フォ
    トマスクに対して露光用光を照射して前記フォトマスク
    の密着用凸部に形成されているパターン形状に対応して
    前記レジスト膜表面を露光する第５の工程と、 前記レジスト膜に対して現像を行う第６の工程と、 を含むレジストパターン形成方法。
13. 【請求項１３】基体表面に薄膜パターンが設けられる薄
    膜付き部品の製造方法であって、 裏面側に密着用凸部と抜気用凹部とを有するとともに、
    前記密着用凸部に所定形状の透光部を有するフォトマス
    クを準備する第１の工程と、 前記基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工程と、 前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第３の工
    程と、 前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹部を介して
    前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜表面との間
    に存在する気体を外部に抜気することにより前記フォト
    マスクの裏面側の密着用凸部と前記レジスト膜表面とを
    密着させる第４の工程と、 前記密着状態でフォトマスク表面側から当該フォトマス
    クに対して露光用光を照射してパターン形状に対応して
    前記レジスト膜に設けられている前記密着用凸部の表面
    を露光する第５の工程と、 前記露光後のレジスト膜に対して現像を行う第６の工程
    と、 前記現像後に前記レジスト膜表面および前記現像による
    前記基体表面の露出箇所に対して薄膜を堆積する第７の
    工程と、 前記レジスト膜表面に堆積した薄膜を除去する第８の工
    程と、 を含む薄膜付き部品の製造方法。
14. 【請求項１４】基体に所望形状のパターンに薄膜パター
    ンが設けられる薄膜付き部品の製造方法であって、 裏面側に密着用凸部と抜気用凹部とを有するとともに、
    前記密着用凸部に所定形状の透光部を有するフォトマス
    クを準備する第１の工程と、 前記基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工程と、 前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第３の工
    程と、 前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹部を介して
    前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜表面との間
    に存在する気体を外部に抜気することにより前記フォト
    マスクの裏面側の密着用凸部と前記レジスト膜表面とを
    密着させる第４の工程と、 前記密着状態のフォトマスク表面側から当該フォトマス
    クに対して露光用光を照射してパターン形状に対応して
    前記レジスト膜に設けられている前記密着用凸部の表面
    を露光する第５の工程と、 前記露光したレジスト膜を除去して基体表面を露出させ
    るとともに、露出した基体表面を所要深さにエッチング
    して薄膜埋設用穴を形成する第６の工程と、 前記レジスト膜表面および前記基体における薄膜埋設用
    穴に対して薄膜を堆積する第７の工程と、 前記レジスト膜をその表面に堆積している薄膜と共に除
    去する第８の工程と、を含む薄膜付き部品の製造方法。
15. 【請求項１５】非磁性の基体表面にディジタル信号に対
    応する形状パターンに強磁性薄膜パターンが設けられる
    マスター情報担体の製造方法であって、 裏面側に密着用凸部と抜気用凹部とを有するとともに、
    前記密着用凸部に所定形状の透光部を有するフォトマス
    クを準備する第１の工程と、 前記基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工程と、 前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第３の工
    程と、 前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹部を介して
    前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜表面との間
    に存在する気体を外部に抜気することにより前記フォト
    マスクの裏面側の密着用凸部と前記レジスト膜表面とを
    密着させる第４の工程と、 前記密着状態のフォトマスク表面側から当該フォトマス
    クに対して露光用光を照射してパターン形状に対応して
    前記レジスト膜に設けられている前記密着用凸部の表面
    を露光する第５の工程と、 前記露光後のレジスト膜に対して現像を行う第６の工程
    と、 前記現像後に前記レジスト膜表面および前記現像による
    前記基体表面の露出箇所に対して強磁性薄膜を堆積する
    第７の工程と、 前記レジスト膜表面に堆積した強磁性薄膜を除去する第
    ８の工程と、 を含むマスター情報担体の製造方法。
16. 【請求項１６】非磁性の基体表面にディジタル信号に対
    応する形状パターンに強磁性薄膜パターンが設けられる
    マスター情報担体の製造方法であって、 裏面側に密着用凸部と抜気用凹部とを有するとともに、
    前記密着用凸部に所定形状の透光部を有するフォトマス
    クを準備する第１の工程と、 前記基体の表面にレジスト膜を形成する第２の工程と、
    前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第３の工
    程と、 前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹部を介して
    前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜表面との間
    に存在する気体を外部に抜気することにより前記フォト
    マスクの裏面側の密着用凸部と前記レジスト膜表面とを
    密着させる第４の工程と、 前記密着状態のフォトマスク表面側から当該フォトマス
    クに対して露光用光を照射してパターン形状に対応して
    前記レジスト膜に設けられている前記密着用凸部の表面
    を露光する第５の工程と、 前記露光したレジスト膜を除去して基体表面を露出させ
    るとともに、露出した基体表面を所要深さにエッチング
    して強磁性薄膜埋設用穴を形成する第６の工程と、 前記レジスト膜表面および前記基体における強磁性薄膜
    埋設用穴に対して強磁性薄膜を堆積する第７の工程と、 前記レジスト膜をその表面に堆積している強磁性薄膜と
    共に除去する第８の工程と、 を含むマスター情報担体の製造方法。
17. 【請求項１７】非磁性の基体表面にディジタル信号に対
    応する形状パターンに強磁性薄膜パターンが設けられる
    マスター情報担体の製造方法であって、 裏面側に密着用凸部と抜気用凹部とを有するとともに、
    前記密着用凸部に所定形状の透光部を有するフォトマス
    クを準備する第１の工程と、 前記基体表面に予め強磁性薄膜を形成する第２の工程
    と、 前記強磁性薄膜の表面にレジスト膜を形成する第３の工
    程と 前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置する第４の工
    程と、 前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹部を介して
    前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜表面との間
    に存在する気体を外部に抜気することにより前記フォト
    マスクの裏面側の密着用凸部と前記レジスト膜表面とを
    密着させる第５の工程と、 前記密着状態のフォトマスク表面側から当該フォトマス
    クに対して露光用光を照射してパターン形状に対応して
    前記レジスト膜に設けられている前記密着用凸部の表面
    を露光する第６の工程と、 前記露光したレジスト膜を除去して強磁性薄膜表面を露
    出させるとともに、その露出した強磁性薄膜をエッチン
    グ除去する第７の工程と、 残った強磁性薄膜上のレジスト膜を除去する第８の工程
    と、 を含むマスター情報担体の製造方法。
18. 【請求項１８】非磁性の基体表面にディジタル信号に対
    応する形状パターンに強磁性薄膜パターンが設けられる
    マスター情報担体の製造方法であって、 前記強磁性薄膜パターン表面に、密着用凸部と抜気用凹
    部とを有するレジスト膜を形成する第１の工程と、 裏面側に前記レジスト膜の前記密着用凸部と前記抜気用
    凹部それぞれと対応する密着用凸部と抜気用凹部とを有
    し、かつ、前記密着用凸部に所定形状の透光部を有する
    フォトマスクを準備する第２の工程と、 前記レジスト膜表面にフォトマスクを載置するととも
    に、前記フォトマスクの裏面側における抜気用凹部と前
    記強磁性薄膜の抜気用凹部とにより構成される空間を介
    して前記フォトマスクの裏面側と前記レジスト膜表面と
    の間に存在する気体を外部に抜気し、前記フォトマスク
    の裏面側の密着用凸部と前記レジスト膜表面とを密着さ
    せる第３の工程と、 前記密着状態のフォトマスク表面側から当該フォトマス
    クに対して露光用光を照射してパターン形状に対応して
    前記レジスト膜に設けられている前記密着用凸部の表面
    を露光する第４の工程と、 前記露光の後に現像処理して露光されていないレジスト
    膜部分を除去してレジストパターンを形成する第５の工
    程と、 前記レジストパターンをマスクにして強磁性薄膜をエッ
    チング除去する第６の工程と、 残った強磁性薄膜上のレジスト膜を除去する第７の工程
    と、 を含むマスター情報担体の製造方法。