JP2003057677A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＯＧ型ＩＣを備えた液晶装置等の電気光学
装置において、ＣＯＧ型ＩＣの入出力端子が接続される
接続用パッドと基板上に作り込まれた回路素子等から延
びる配線との電気的な接続を簡便に実現する。 【解決手段】 電気光学装置は、基板上に、画素電極と、
周辺領域にアレイ状に第１のピッチで配列されていると
共に周辺回路の一部を構成する回路群から延在する複数
の配線と、この周辺回路の他の部分を構成する外付け集
積回路が有する複数の出力端子が夫々接合されると共に
第１のピッチと異なる第２のピッチでアレイ状に配列さ
れた複数の接続用パッドとを備える。更に、接続用パッ
ド及び配線を相互に接続すると共に配線の幅よりも幅広
に形成された連結部を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶装置等
の電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備して
なる各種電子機器の技術分野に属する。

【０００２】

【背景技術】薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称
す）駆動型の液晶装置等の電気光学装置では、ガラス基
板、石英基板等の絶縁基板上に、高温又は低温ポリシリ
コン、アモルファスシリコン等を半導体層として用いた
薄膜トランジスタが、画素電極のスイッチング制御用に
各画素に作り込まれる。

【０００３】ここで、アモルファスシリコン型のＴＦＴ
の場合には概ねトランジスタ特性や消費電力に劣る。こ
のため、周辺回路をアモルファスシリコン型のＴＦＴで
作るのでは周辺回路として十分なトランジスタ特性や低
消費電力が得られないことが多い。よって、アモルファ
スシリコン型のＴＦＴを画素スイッチング用のＴＦＴと
して採用する場合には、周辺領域に外付け集積回路（以
下適宜、ＩＣと称す）を外付けする技術が一般的であ
る。例えば、ＣＯＧ型ＩＣのような面実装型の外付けＩ
Ｃが外付けされる。

【０００４】他方、ポリシリコン型のＴＦＴの場合には、
概ねトランジスタ特性や消費電力に優れる。このため、
多数の画素電極が配列された画像表示領域の周辺に位置
する周辺領域に、このようなポリシリコン型のＴＦＴか
らなる周辺回路を作り込めば、周辺回路として十分なト
ランジスタ特性や低消費電力が得られる。しかしなが
ら、表示画像の高品位化等の一般的要請下における駆動
周波数の上昇や低消費電力化に対処可能な周辺回路を作
り込むことは容易ではない。よって、画素スイッチング
用ＴＦＴがポリシリコン型のＴＦＴの場合にも、周辺領
域に、ＣＯＧ型ＩＣ等の外付けＩＣを外付けして、この
外付けＩＣに周辺回路の一部の機能を担わせることが行
われている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＯＧ
型ＩＣ等の外付けＩＣを周辺領域に外付けする場合、外
付けＩＣにおける多数の入出力端子が、基板側にある複
数の接続用パッドに夫々対応付けられた形で、外付けＩ
Ｃを基板上に接合しなければならない。即ち、基板上に
おける接続用パッドの配列ピッチについては、外付けＩ
Ｃにおける入出力端子のピッチに合わせて規定せねばな
らない。このとき基板上に設けられるＣＯＧ型ＩＣの接
続用パッドの配置には、マスク作成精度を超えたピッチ
設定が必要である。これは実装工程におけるＣＯＧ型Ｉ
Ｃの熱膨張、あるいは熱収縮を考慮する必要があるから
である。一方、接続用パッドに一端が接続された基板上
の配線の他端は、内蔵回路内或いは基板上に作り込まれ
た各回路素子等に接続されるので、当該配線の配列ピッ
チについては、基板上に作れ込まれた回路素子ピッチ等
に合わせて規定せねばならない。即ち、接続用パッドの
ピッチとこれに先端が接続される配線のピッチとは、本
質的に相互に異なるように規定せねばならない。

【０００６】ここで、異なるピッチの多数の接続用パッ
ドと多数の配線とを接続するためには、単純には基板上
に作り込まれた回路素子等から引き出された配線の接続
用パッドに接続される付近を、中央で直線、端に近付く
程に右斜め或いは左斜めに傾斜させるなど、実際には複
雑な配線パターンを採用せざるを得ない。この場合には
ピッチ変更に伴う修正作業は煩雑になるという問題があ
る。

【０００７】接続用パッドの位置に応じて配線の位置や
その他端に接続された回路素子等の位置を調節すること
も、理論上は考えられる。しかしながら、接続用パッド
のピッチに合わせることを優先して、配線のピッチ或い
はこれに接続される回路素子等のピッチを調節してしま
うと、配線や回路素子のパターンには、マスク作成上の
グリッドに載らない個所が多発することになる。この結
果、設計者の意図しないマスク作成時の丸め込みによる
位置ずれ或いは寸法ずれが大きく発生してしまい、最終
的には、配線やＴＦＴ等の回路素子の特性や内蔵回路に
おける動作特性にばらつきが生じるという実用上重大な
問題点につながる。

【０００８】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、ＣＯＧ型ＩＣ等の外部ＩＣにおける入出力端子が接
続される接続用パッドと基板上に作り込まれた回路素子
等から延びる配線との電気的な接続を確保し、且つ容易
に修正可能で、回路素子等のバラツキをもたらさないこ
とが可能である電気光学装置及びそのような電気光学装
置を具備してなる電子機器を提供することを課題とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、該画
素電極が配置された画像表示領域の周辺に位置する周辺
領域にアレイ状に第１のピッチで配列されていると共に
周辺回路の一部を構成する回路群から延在する複数の配
線と、前記周辺回路の他の部分を構成する外付け集積回
路が有する複数の出力端子が夫々接合されると共に前記
第１のピッチと異なる第２のピッチでアレイ状に配列さ
れた複数の接続用パッドと、前記接続用パッド及び前記
配線を相互に接続すると共に前記配線の幅よりも幅広に
形成された連結部とを備える。

【００１０】本発明の電気光学装置は上記課題を解決す
るために、基板上における周辺領域には、周辺回路の一
部を構成する、ＣＯＧ型ＩＣ等の外付け集積回路が外付
けされている。従って、画像表示領域内に作り込むアモ
ルファスシリコン、低温又は高温ポリシリコンを半導体
とするトランジスタと比べて、スイッチング特性や消費
電力特性に優れたトランジスタを含んでなる外付け集積
回路により、駆動回路等の周辺回路を部分的に構成でき
る。この際、画像表示領域には、高温又は低温ポリシリコ
ン、アモルファスシリコン等を半導体層として用いたＴ
ＦＴを形成してもよいし、更にこれと同一製造プロセス
で形成したＴＦＴを含んでなる内蔵回路を周辺領域に作
り込んでもよい。

【００１１】ここで特に、基板上における周辺領域に
は、周辺回路の一部を構成する回路群から延在する複数
の配線が、アレイ状に第１のピッチで配列されている。
例えば、この第１のピッチは、画素電極に接続されたデ
ータ線を駆動する内蔵駆動回路における回路素子ピッチ
と一致する。他方、ＣＯＧ型ＩＣ等の外付け集積回路が
有する出力端子が夫々接合される複数の接続用パッド
は、第１のピッチと異なる第２のピッチでアレイ状に配
列されている。より具体的には、第２のピッチは、当該電
気光学装置の製造とは別に、予め製造されたＣＯＧ型Ｉ
Ｃ等の外付け集積回路の仕様と、係る外付け集積回路及
び基板間の熱膨張率の相違に応じて規定されている。そ
して、接続用パッド及び配線を相互に接続する連結部
は、配線の幅よりも幅広に形成されているので、これら
接続用パッド及び配線相互間の電気的な接続を確保し、
且つピッチ変更、熱収縮率の見直し、回路要素の構成変
更等に対して、接続用パッドや配線等の設計を容易に修
正可能となる。

【００１２】更に、外付け集積回路を熱圧着等で接合し
ても、このように外付け集積回路及び基板間の熱収縮に
よるピッチの相違を幅広の連結部により吸収できるの
で、接続用パッドの第２のピッチに合わせて、これに先
端が接続された配線の第１のピッチを余り厳格に調節す
る必要性はなくなる。従って、例えば接続用パッドとの
ピッチの相違を幅広の連結部により吸収可能な範囲内と
いう条件下で、配線や回路素子等をマスク作成時に優先
的にグリッドに載せる配置を採るようにすれば、マスク
作成時の丸め込みによる配線や回路素子等の設計者の意
図しない位置や寸法におけるばらつきは無くなる。この
ため最終的には、このような基板に作り込まれたＴＦＴ
等の回路素子の特性や回路動作におけるばらつきを低減
できる。

【００１３】以上の結果、本発明の電気光学装置により、
外付け集積回路を外付けしつつ、接続用パッドと配線と
の電気的な接続を確保し、且つ接続用パッドや配線等の
設計を容易に修正可能であると共に基板上に作り込まれ
た回路素子等における動作特性のばらつきを低減でき、
最終的には高品位の画像表示を実現できる。

【００１４】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
接続用パッドは、前記配線よりも幅広であり、前記接続
用パッドから前記連結部まで延びると共に前記連結部よ
り幅狭の他の配線を更に備える。

【００１５】この態様によれば、配線よりも幅広な接続
用パッドから連結部に向けて幅狭の他の配線が延びてい
るが、当該連結部が配線よりも幅広である。従って、この
連結部の幅を広くすることにより、比較的簡単に接続用
パッドと配線とが相互に接続された構造を確保でき、且
つ接続用パッドや配線等の設計も容易に修正可能であ
る。

【００１６】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記連結部は、前記第１のピッチで配列されている。

【００１７】この態様によれば、配線の配列ピッチと同
じである第１のピッチで配列された連結部により、比較
的簡単に接続用パッドと配線とが相互に接続された構造
を確保でき、且つ接続用パッドや配線等の設計も容易に
修正可能となる。この場合特に、各配線とその先端に接
続された各連結部との相対的な位置関係は、配列方向に
沿った位置によらずに一定であるので、極めて容易に修
正可能となる。

【００１８】或いは本発明の電気光学装置の他の態様で
は、前記接続用パッドは、前記連結部を兼ねる。

【００１９】この態様によれば、接続用パッドは連結部
として配線よりも幅広であり、このような接続用パッド
から第２のピッチで配列された連結部が構築される。即
ち、配線は、幅広の接続用パッドに直接接続されている。
この場合、接続用パッド及び連結部間の接続関係が問題
なることは全くなくなり、接続用パッドや配線等の設計
も極めて容易に修正可能となる。

【００２０】或いは本発明の電気光学装置の他の態様で
は、前記複数の接続用パッドのうち、その配列方向に奇数
番目又は偶数番目の接続用パッドは、前記連結部を兼
ね、前記複数の接続用パッドのうち前記連結部を兼ねな
い接続用パッドは、前記連結部により前記配線に接続さ
れている。

【００２１】この態様によれば、配線が直接接続された
幅広の接続用パッドと、配線が連結部を介して接続され
た接続用パッドとが交互に配列される。このような構成
をとっても、比較的簡単に接続用パッドと配線とが相互
に接続された構造を確保でき、且つそれらの設計も容易
に修正可能となる。

【００２２】この態様では、前記連結部を兼ねない接続
用パッドに接続された前記連結部は、前記第１のピッチ
で配列されているように構成してもよい。

【００２３】このように構成すれば、第１のピッチで配
列された連結部と、第２のピッチで配列された連結部を
兼ねる接続用パッドとが交互に配置されることとなる。
そして連結部を兼ねない接続用パッドに接続された連結
部については、各配線とその先端に接続された各連結部
との相対的な位置関係は、配列方向に沿った位置によら
ずに一定であるので、配線と連結部とが相互に接続され
た構造を確保でき、且つそれらの設計も容易に修正可能
となる。

【００２４】上述の連結部を兼ねる接続用パッドが交互
に並べられた態様では、前記奇数番目又は偶数番目の接
続用パッドと、前記連結部とは、千鳥足状に２列に並べ
られているように構成してもよい。

【００２５】このように構成すれば、同一線上に接続用
パッドと連結部とを配列する場合と比較して、相互に重
なることはその性質上認められない接続用パッドの形成
領域及び連結部の形成領域として割り与え可能な領域が
増加するので、接続用パッドの幅及び連結部の幅を一層
広げることが可能となる。この結果、より大きな熱収縮
率(熱膨張率)に対応することや多ピン化への対応も容易
となり、且つそれらの設計も一層容易に修正可能とな
る。

【００２６】上述の連結部を兼ねる接続用パッドが交互
に並べられた態様では、前記奇数番目又は偶数番目の接
続用パッドと前記連結部を兼ねない接続用パッドとは、
千鳥足状に２列に並べられているように構成してもよ
い。

【００２７】このように構成すれば、同一線上に連結部
を兼ねる接続用パッドと連結部を兼ねない接続用パッド
とを配列する場合と比較して、相互に重なることはその
性質上認められない連結部を兼ねる接続用パッドの形成
領域及び連結部を兼ねない接続用パッドの形成領域とし
て割り与え可能な領域が増加するので、連結部を兼ねる
接続用パッドの幅及び連結部を兼ねない接続用パッドの
幅を、より一層広げることが可能となる。

【００２８】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記配線、前記接続用パッド及び前記連結部は、同一導電
層から形成されている。

【００２９】この態様によれば、例えば、配線、接続用
パッド及び連結部の各パターンを含む一つのパターンを
有するマスクを作成して、フォトリソグラフィ及びエッ
チングを行うことにより、Ａｌ（アルミニウム）膜等の
同一導電層から、これら配線、接続用パッド及び連結部
は形成されている。従って、接続用パッドと配線とが相
互に接続された構造を比較的簡単に確保できる。

【００３０】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記外付け集積回路は、ＣＯＧ型集積回路からなり、前記
出力端子が前記接続用パッドに接続されるように前記基
板上に実装されている。

【００３１】この態様によれば、基板上には、スイッチ
ング特性や消費電力特性に優れたトランジスタを含んで
なるＣＯＧ型ＩＣにより駆動回路を少なくとも部分的に
構成できる。

【００３２】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記連結部は、前記配線の幅と比べて、前記第１のピッチと
前記第２のピッチとの差以上に幅広に形成されている。

【００３３】この態様によれば、配線及び接続用パッド
間におけるピッチ差を、幅広の連結部により吸収できる
ので、基板上でこれらの配線及び接続用パッドを相互に
良好に接続できる。

【００３４】特にこの態様では好ましくは、連結部は、配
線の幅と比べて、外付け集積回路の出力端子の間隔に、
基板の熱膨張率（熱収縮率）を乗じた値以上に幅広に形
成される。例えば、外付け集積回路がＣＯＧ型ＩＣであ
れば、このＣＯＧ型ＩＣにおける数十μｍ程度のバンプ
（出力端子）間隔Ｇに、熱圧着を用いてＣＯＧ型ＩＣが
実装される基板における数百ｐｐｍ程度の熱膨張率（熱
収縮率）αを乗じた値（＝Ｇ×α）以上に、連結部を配
線よりも幅広に形成するとよい。さらにはＣＯＧ型ＩＣ
の出力端子数を考慮した乗数を乗ずるとよい。このよう
に連結部を幅広に形成すれば配線及び接続用パッド間に
おけるピッチ差を、幅広の連結部により吸収できるの
で、基板上でこれらの配線及び接続用パッドを相互に良
好に接続できる。

【００３５】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記基板上に、前記画素電極に接続された薄膜トランジス
タと、該薄膜トランジスタに接続されたデータ線及び走
査線とを更に備えており、前記周辺回路は、前記データ線
を駆動するデータ線駆動回路及び前記走査線を駆動する
走査線駆動回路を含み、前記外付け集積回路は、少なく
とも前記データ線駆動回路を含む。

【００３６】この態様によれば、データ線駆動回路及び
走査線駆動回路によりデータ線及び走査線を夫々駆動し
つつ、薄膜トランジスタで画素電極をスイッチング制御
することにより、所謂アクティブマトリクス駆動が可能
となる。ここで特に、ＣＯＧ型ＩＣ等の外付け集積回路
は、データ線駆動回路を含むので、データ線駆動回路に
ついては、スイッチング特性や消費電力特性に優れたト
ランジスタから構成可能となる。尚、走査線駆動回路に
ついては、要求される性能がデータ線駆動回路程には高
くないため、内蔵回路として基板上に作り込んでもよい
し、外付け集積回路として外付けしてもよい。

【００３７】この態様では、前記基板上に、前記データ線
に接続されたサンプリング回路を更に備えており、前記
配線は、サンプリング回路駆動信号線を含むように構成
してもよい。

【００３８】このように構成すれば、サンプリング回路
により、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデ
ータ線に供給することにより、より高品位の画像表示が
可能となる。ここで特に、サンプリング回路駆動信号線
は、サンプリング回路のピッチに合わせて作り込まれる
結果として第１のピッチを有することになり、これは接
続用パッドの第２のピッチとは異なることになるが、幅
広の連結部によって、これらのサンプリング回路駆動信
号線及び接続用パッド間には良好な電気的な接続が得ら
れる。

【００３９】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記周辺回路のうち前記外付け集積回路に含まれない部分
は、前記基板上に作り込まれた内蔵回路からなり、該内
蔵回路は、前記薄膜トランジスタと同一製造プロセスに
より形成される薄膜トランジスタを含んでなる。

【００４０】この態様によれば、基板上には、周辺回路
の一部分は、ＣＯＧ型ＩＣ等の外付け集積回路から構成
されている。周辺回路の他の部分は、画像表示領域に作
り込まれる高温又は低温ポリシリコン、アモルファスシ
リコン等を半導体層として用いたＴＦＴと同一製造プロ
セスにより形成されるＴＦＴを含んでなる内蔵回路から
構成される。従って内蔵回路における主な利益たる製造
及び積層構造の単純化及び小型薄型化と、外付け集積回
路における主な利益である高性能化及び低消費電力化と
の両方を、適当なバランスで享受可能となる。

【００４１】更に、上述のように外付け集積回路及び基
板間の熱収縮によるずれを幅広の連結部により吸収でき
るので、接続用パッドの第２のピッチに合わせて、これ
に先端が接続された配線の第１のピッチを調節する必要
性はない。このため、例えば、内蔵回路を構成するＴＦ
Ｔアレイ、これらに接続された回路素子等及び配線につ
いては、マスク作成時に優先的にグリッドに載せる配置
を採るようにすれば、設計者の意図しないＴＦＴの特性
や回路動作のばらつきを比較的簡単に低減できる。

【００４２】本発明の電子機器は上記課題を解決するた
めに、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態
様を含む）を具備する。

【００４３】本発明の電子機器によれば、上述した本発
明の電気光学装置を具備するので、外付け集積回路によ
る高性能化及び低消費電力化が図られており、しかも設
計が容易であり且つ製造コストに優れた、液晶テレビ、
携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファイ
ンダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワー
クステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ル、投射型表示装置などの各種電子機器を実現できる。

【００４４】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００４５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。

【００４６】（電気光学装置の全体構成）先ず、本発明
の実施形態における電気光学装置の全体構成について、
図１及び図２を参照して説明する。ここでは、電気光学
装置の一例である、駆動回路が部分的に内蔵されている
と共に部分的に外付けされている型のＴＦＴアクティブ
マトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

【００４７】図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成
された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。

【００４８】図１及び図２において、本実施形態に係る
電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１
０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材
５２により相互に接着されている。シール材５２は、両
基板を貼り合わせるために、例えば熱硬化樹脂、熱及び
光硬化樹脂、光硬化樹脂、紫外線硬化樹脂等からなり、
製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布さ
れた後、加熱、加熱及び光照射、光照射、紫外線照射等
により硬化させられたものである。

【００４９】このようなシール材５２中には、両基板間
の間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラス
ファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混合され
ている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェ
クタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに
適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレ
イや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置
であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含
まれてもよい。

【００５０】対向基板２０の４隅には、上下導通材１０
６が設けられており、ＴＦＴアレイ基板１０に設けられ
た上下導通端子と対向基板２０に設けられた対向電極２
１との間で電気的な導通をとる。

【００５１】図１及び図２において、シール材５２が配
置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１
０ａを規定する遮光性の額縁５３が対向基板２０側に設
けられている。額縁５３はＴＦＴアレイ基板１０側に設
けても良いことは言うまでもない。画像表示領域の周辺
に広がる周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシ
ール領域の外側部分には、データ線駆動回路１０１及び
外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺
に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、こ
の一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴ
ＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０
ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐ
ための複数の配線１０５が設けられている。

【００５２】図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等
の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形
成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２
１の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また、
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液
晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、
所定の配向状態をとる。

【００５３】本実施形態では、額縁５３下にあるＴＦＴ
アレイ基板１０上の領域に、サンプリング回路１１８が
設けられている。サンプリング回路１１８は、画像信号
線上の画像信号をデータ線駆動回路１０１から供給され
るサンプリング回路駆動信号に応じてサンプリングして
データ線に供給するように構成されている。

【００５４】本実施形態では特に、データ線駆動回路１
０１は、ＣＯＧ型ＩＣからなり、ＴＦＴアレイ基板１０
上に外付けされたものである。他方、走査線駆動回路１
０４及びサンプリング回路１１８は、ＴＦＴアレイ基板
１０に内蔵されており、後述の如く画像表示領域内にお
いて画素毎に設けられる画素スイッチング用ＴＦＴと同
一製造プロセスにより、形成されたＴＦＴを含んで構成
されている。

【００５５】（電気光学装置の回路構成及び動作）次に
以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及
び動作について図３を参照して説明する。図３は、電気
光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路
と周辺回路とを示すブロック図である。

【００５６】図３において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。

【００５７】画像表示領域１０ａ外である周辺領域に
は、データ線６ａの一端（図３中で下端）が、サンプリ
ング回路１１８の例えばＴＦＴからなる各スイッチング
素子のドレインに接続されている。他方、画像信号線１
１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路
１１８のＴＦＴのソースに接続されている。データ線駆
動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線
１１４は、サンプリング回路１１８のＴＦＴのゲートに
接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１か
らサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリ
ング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリン
グ回路１１８によりサンプリングされて各データ線６ａ
に供給されるように構成されている。

【００５８】このようにデータ線６ａに書き込む画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給して
も構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対
して、グループ毎に供給するようにしても良い。

【００５９】また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の
ゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定の
タイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、
Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この
順に線順次で印加するように構成されている。画素電極
９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供
給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミ
ングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の
一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号
Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電
極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加され
る電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化するこ
とにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマ
リーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマ
リーブラックモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体
として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラス
トを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号が
リークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２
１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を
付加する。

【００６０】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
の走査線駆動回路１０４、サンプリング回路１１８等に
加えて、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチ
ャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャ
ージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品
質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよ
い。

【００６１】本実施形態では特に、このようなプリチャ
ージ回路回路、検査回路等の周辺回路を、走査線駆動回
路１０４及びサンプリング回路１１８に加えて又は代え
て、内蔵回路として、ＴＦＴアレイ基板１０に作り込ん
でもよい。或いは、このようなプリチャージ回路回路、
検査回路等の周辺回路を、データ線駆動回路１０１に加
えて或いは代えて、外付けＩＣとして外付けしてもよ
い。いずれにせよ、本実施形態では、駆動回路のいずれ
かの部分が、外付けＩＣから構成される。

【００６２】（周辺領域における構成）次に、図４から
図１０を参照して、本実施形態の電気光学装置の周辺領
域における構成について説明する。ここでは周辺領域の
うち特に、ＣＯＧ型ＩＣからなるデータ線駆動回路１０
１を外付けする領域における接続用パッド及びこれに接
続されたサンプリング回路駆動信号線に係る第１から第
４の実施形態について説明する。即ち、以下に説明する
第１から第４実施形態は、この部分についてのみ相互に
異なり、それらの全体構成、回路構成及び画素部におけ
る構成等については、前述又後述の説明の通りであって
相互に同様である。先ず、周辺領域における構成に係る
第1実施形態について図４から図７を参照して説明する。
図４は、本実施形態の電気光学装置における外付けＩＣ
付近の３次元的な部分分解斜視図であり、図５は、ＴＦ
Ｔアレイ基板の外付けＩＣを外付けする領域付近を拡大
して示す部分拡大平面図であり、図６は、図５における
構成要素から連結部を除去して示す外付けＩＣを外付け
する領域付近の部分拡大平面図であり、図７は、一の比
較例における外付けＩＣを外付けする領域付近の部分拡
大平面図である。

【００６３】図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
上には、内蔵回路の一例としての走査線駆動回路１０４
及びサンプリング回路１１８が作り込まれている。デー
タ線駆動回路１０１を外付けする領域１０１Ｓ内におい
て、ＴＦＴアレイ基板１０上に配線されたサンプリング
回路駆動信号線１１４の先端には、接続用パッド２１１
が設けられている。データ線駆動回路１０１を外付けす
る領域１０１Ｓ内において、外部回路接続端子１０２か
ら延びる配線２０３の先端には、接続用パッド２１２が
設けられている。

【００６４】ＴＦＴアレイ基板１０上に外付けされるデ
ータ線駆動回路１０１は、出力端子２２１及び入力端子
２２２を有するＣＯＧ型ＩＣから構成されている。そし
て、出力端子２２１が接続用パッド２１１に接合され、
入力端子２２２が接続用パッド２１２に接続されるよう
に、データ線駆動回路１０１は、これを外付けする領域
１０１Ｓに面実装される。

【００６５】他方、走査線駆動回路１０４及びサンプリ
ング回路１１８は、例えば、後述の如く画像表示領域１
０ａ内に作り込まれる画素スイッチング用のＴＦＴと同
一製造工程で製造される高温又は低温ポリシリコンＴＦ
Ｔを含んでなり、ＴＦＴアレイ基板１０上に内蔵回路と
して作り込まれる。

【００６６】図５に示すように、第１実施形態では、接
続用パッド２１１は、ピッチａで配列されている。他
方、サンプリング回路駆動信号線１１４及び図示しない
サンプリング回路１１８を構成するサンプリングスイッ
チは、ピッチｂで配列されている。ここで、サンプリン
グ回路駆動信号線１１４のピッチｂについては、サンプ
リング回路１１８の回路特性或いは動作特性にばらつき
が無いように、後述のマスク作成時における、例えば
０．５μｍ間隔のグリッドに載せた配置とされており、
マスク作成時の丸め込みに左右されずに一定とされてい
る。例えば、ピッチｂは、４０μｍに固定されている。
他方、接続用パッド２１１のピッチａについては、この
ように配列されたサンプリング回路駆動信号線１１４に
対して、ＴＦＴアレイ基板１０とＣＯＧ型ＩＣからなる
データ線駆動回路１０１との熱膨張率の差を考慮した配
置とされている。例えば、ピッチａは、マスク作成時の
丸め込みに応じて４０μｍ±数百ｐｐｍとされる。

【００６７】しかるに、本実施形態は、接続用パッド２
１１及びサンプリング回路駆動信号線１１４を相互に接
続すると共にサンプリング回路駆動信号線１１４の幅ｗ
１よりも幅広に形成された連結部２５１を備えて構成さ
れている。このような連結部２５１は、例えば、接続用
パッド２１１、サンプリング回路駆動信号線１１４及び
連結部２５１のパターンのマスクで作成して、フォトリ
ソグラフィ及びエッチングにより、Ａｌ膜等の同一導電
層から接続用パッド２１１、サンプリング回路駆動信号
線１１４及び連結部２５１を一体形成することにより形
成されるものである。 従って本実施形態によれば、図５から分かるように、幅
広の連結部２５１の幅ｗ２の広さに応じて、上述のピッ
チａ及びピッチｂの差ΔＰ＝｜ａ−ｂ｜を吸収しつつ、
比較的簡単に接続用パッド２１１とサンプリング回路駆
動信号配線１１４との間における電気的な接続を確保で
きる。このように幅広の連結部２５１により吸収できる
範囲であれば、接続用パッド２１１及びサンプリング回
路駆動信号線１１４間における電気的な接続を確保する
のに困難性はなく、且つピッチ変更、熱収縮率の見直
し、回路要素の構成変更等に対して、接続用パッド２１
１や配線等の設計を容易に修正可能となる。

【００６８】以上説明したように第１実施形態によれ
ば、製造が比較的容易であり、しかもこのようなＴＦＴ
アレイ基板１０に作り込まれたサンプリング回路等にお
ける回路素子の特性や回路動作におけるばらつきが低減
された電気光学装置を実現できる。 尚、本実施形態では、接続用パッド２１１の幅ｗ４は、
サンプリング回路駆動信号線１１４の幅ｗ１よりも広
い。そして、接続用パッド２１１から連結部２５１まで
の間には、接続用パッド２１１と同じくピッチａで配列
されており且つ連結部２５１の幅ｗ２より狭い幅ｗ３を
有する、接続用パッド２１１の延長配線部２１１ａを含
んで構成されている。このように幅ｗ３が比較的狭い延
長配線部２１１ａを間に介在させても、幅広の連結部２
５１の存在により、接続用パッド２１１とサンプリング
回路駆動信号線１１４との間で、電気的な接続を確保す
るのに困難性はなく、且つ接続用パッド２１１や配線等
の設計を容易に修正可能となる。

【００６９】ここで図６に示すように、以上説明した第
１実施形態の構成において、幅広の連結部２５１が削除
された場合の構成について検討を加える。 このとき、ピッチｂのサンプリング回路駆動信号線１１
４をそのまま直線状に延ばすことにより、接続用パッド
２１１とサンプリング回路駆動信号線１１４との間を電
気的に接続しようとすれば、サンプリング回路駆動信号
線１１４の幅と、接続用パッド２１１の延長配線部２１
１ａの幅とでは、ピッチの差ΔＰを吸収できない場合が
あることは明らかである。このため、サンプリング回路
駆動信号線１１４の延長部と、接続用パッド２１１の延
長配線部２１１ａとの間で、電気的な接続がとれなくな
ってしまう。

【００７０】仮に、ピッチｂをピッチａに合わせたとす
ると、係るサンプリング回路駆動信号線１１４の延長部
と、接続用パッド２１１の延長配線部２１１ａとの間で
電気的な接続はとれるものの、今度は、サンプリング回
路１１８内における各回路要素はマスク精度を無視して
配置されることになる。マスク自体に意図しないサイズ
の丸め込まれが発生し、同一サイズで作図した素子が異
なるサイズの素子としてマスク上に描かれてしまう事態
が発生する。その結果当該マスクを使用して素子を作成
すると回路素子特性のばらつきや動作特性のばらつきが
生じて、最終的に高品位の画像表示が著しく困難になっ
てしまうのである。 そこで図７に示した比較例のように、このようにピッチ
の差ΔＰを、サンプリング回路駆動信号線１１４の延長
部１１４ａの方向で吸収することが考えられるが、はな
はだ煩雑な作図作業となってしまう。特にピッチ変更の
場合には全体にわたって結線の作図をやり直す必要を生
じる。

【００７１】以上図６及び図７を参照して説明したよう
に、ＣＯＧ型ＩＣ等の外付けＩＣからなるデータ線駆動
回路１０１とＴＦＴアレイ基板１０との間に無視し得な
い程度の熱膨張率の差が存在するために、マスク作成精
度に合わせて配置することの困難なＣＯＧ型ＩＣ接続用
パッドをアレイ状にピッチaで配列し、素子のサイズを
設計者の意図通りにするためにマスク作成精度に合わせ
て作図及び配置しなければならない回路群をアレイ状に
ピッチｂで配列するとき、それぞれを接続し、且つピッ
チ変更などの作業を容易に実現できる結線形態を簡単に
実現している点で、本実施形態は非常に優れている。

【００７２】次に、周辺領域における構成に係る第２実
施形態について図８を参照して説明する。図８は、本実
施形態におけるＴＦＴアレイ基板の外付けＩＣを外付け
する領域付近を拡大して示す部分拡大平面図である。
尚、図８において、図５に示した第１実施形態と同様の
構成要素には同様の参照符号を付し、それらの説明は適
宜省略する。 図８に示すように、第２実施形態では、幅広の連結部２
５２は、円形の平面形状を有する。その他の構成につい
ては、第１実施形態と同様である。幅広の連結部があれ
ば特にその平面形状に限定はないことはいうまでもな
い。

【００７３】従って、第２実施形態によれば、円形の平
面形状を有する幅広の連結部２５２により、接続用パッ
ド２１１とサンプリング回路駆動信号線１１４との間に
おける電気的な接続を問題なく得られ、且つ接続用パッ
ド２１１や配線等の設計を容易に修正可能となる。この
ような円形であれば、連結部２５２と共にサンプリング
回路駆動信号線１１４並びに接続用パッド２１１及びそ
の延長配線部２１１ａのパターンに対応するマスクを用
いて、これらをＴＦＴアレイ基板１０上に、Ａｌ膜等の
同一導電膜から形成する製造プロセスも、比較的簡単に
行える。

【００７４】次に、周辺領域における構成に係る第３実
施形態について図９を参照して説明する。図９は、本実
施形態におけるＴＦＴアレイ基板の外付けＩＣを外付け
する領域付近を拡大して示す部分拡大平面図である。
尚、図９において、図５に示した第１実施形態と同様の
構成要素には同様の参照符号を付し、それらの説明は適
宜省略する。 図９に示すように、第３実施形態では、図４に示した接
続用パッド２１１は、連結部２５３を兼ねる。即ち、接
続用パッド２１１は、サンプリング回路駆動信号線１１
４の幅ｗ１よりも広い幅ｗ５を有しており、このような
接続用パッド２１１から、ピッチａで配列された連結部
２５３が構築される。即ち、ピッチｂのサンプリング回
路駆動信号線１１４は、幅ｗ５且つピッチａの接続用パ
ッド２１１に直接接続されている。また、データ線駆動
回路１０１を構成するＣＯＧ型ＩＣにおける出力端子２
２１は、接続用パッド２１１に対応する位置に設けられ
ている。その他の構成については、第１実施形態と同様
である。 従って、第４実施形態によれば、接続用パッド２１１及
び連結部２５３間の接続関係が問題なることは全くなく
なり、接続用パッド２１１及びサンプリング回路駆動信
号線１１４間の電気的な接続を非常に簡単に確保でき
る。

【００７５】次に、周辺領域における構成に係る第４実
施形態について図１０を参照して説明する。図１０は、
本実施形態におけるＴＦＴアレイ基板の外付けＩＣを外
付けする領域付近を拡大して示す部分拡大平面図であ
る。尚、図１０において、図５に示した第１実施形態と
同様の構成要素には同様の参照符号を付し、それらの説
明は適宜省略する。 図１０に示すように、第４実施形態では、第１実施形態
における連結部２５１に類似した幅広の連結部２５１’
と、第３実施形態における接続用パッド２１１が兼ねる
連結部２５３に類似した幅広の連結部２５３’とが、そ
れらの配列方向（図１０中で、横方向）に千鳥足状に配
列されている。しかも、連結部２５１’に接続された接
続用パッド２１１’と、連結部２５３’を兼ねる接続用
パッド２１１’についても、それらの配列方向（図１０
中で、横方向）に千鳥足状に配列されている。また、デ
ータ線駆動回路１０１を構成するＣＯＧ型ＩＣにおける
出力端子２２１は、接続用パッド２１１に対応する位置
に千鳥足状に設けられている。その他の構成について
は、第１実施形態と同様である。 従って、第４実施形態によれば、第1から第３実施形態
の如く同一線上に接続用パッドと連結部とを配列する場
合と比較して、接続用パッド２１１’の形成領域並びに
連結部２５１’及び２５３’の形成領域として割り与え
可能な領域が増加する。このため、図１０から分かるよ
うに、これらの幅ｗ１’、ｗ２’及びｗ３’を一層広げ
ることが可能となる。これらの結果、ＣＯＧ型ＩＣから
なるデータ線駆動回路１０１及びＴＦＴアレイ基板１０
間の熱膨張率の差に基づくピッチ差ΔＰ（＝｜ａ−ｂ
｜）が一層大きくなっても、サンプリング回路駆動信号
線１１４及び接続用パッド２１１’間の電気的な接続を
容易に確保可能となり、また接続端子数が多くなっても
対応可能になる。

【００７６】尚、以上説明した第１から第４実施形態で
は、サンプリング回路駆動信号線１１４と接続用パッド
２１１との間における接続を例にとり説明している。し
かしながら、接続用パッド２１１に接続される配線は、
サンプリング回路駆動信号線１１４に限られないことは
言うまでもなく、接続用パッドのピッチで配列されるこ
とが回路素子特性や動作特性にばらつきを生じさせるこ
とが望ましくないような回路素子等に接続されており所
定ピッチを持つべき配線であれば、サンプリング回路駆
動信号線１１４に代えて或いは加えて、任意の配線につ
いて本発明を適用可能であり、これにより上述の各実施
形態の場合と同様の利益が得られる。 （製造プロセス）次に以上の如き構成を有する電気光学
装置の製造プロセスについて、図４から図１０に示した
周辺領域部分における製造プロセスを中心として図１１
を参照して説明する。ここに、図１１は、電気光学装置
の製造プロセスを外付けＩＣの設置領域付近におけるプ
ロセスを中心として順を追って示す工程図である。 図１１において、先ず画像表示領域１０ａや周辺領域に
おけるＴＦＴ３０、走査線３ａ、蓄積容量７０、データ
線６ａ等の形成が公知の成膜技術及びパターニング技術
等により行われる（ステップＳ１１）。 次に、図５又は図８から１１に示したようなサンプリン
グ回路駆動信号線１１４、接続用パッド２１１等及びそ
れらの連結部２５１等を含むパターンをＣＡＤにより描
画する。この際、サンプリング回路駆動信号線１１４の
レイアウトについては、後工程となるマスク作成時のグ
リッドに載る配置となることを優先して、例えば４０μ
ｍ程度に固定されたピッチｂとする。これに対し、接続
用パッド２１１等のレイアウトについては、後工程とな
るマスク作成時のグリッドとは無関係に、ＣＯＧ型ＩＣ
からなるデータ線駆動回路１０１とＴＦＴアレイ基板１
０との熱膨張率の差に基づいて、例えば４０μｍ±数百
ｐｐｍ程度に、配列方向に沿って可変なピッチａとする
（ステップＳ１２）。

【００７７】次に、この描画されたパターンに基づいて
マスクを作成する。このマスク作成時の解像度は、例え
ば０．５μｍ程度である。このため、マスク作成時の丸
め込みにより（即ち、設計者の意図を正確に反映するこ
となく）、グリッドに載る配置とされていない接続用パ
ッド２１１等及びこれと同一ピッチａを持つ延長配線部
２１１ａ等は、位置或いは寸法にばらつきが生じ得る。
これに対し、グリッドに載る配置とされているサンプリ
ング回路駆動信号線１１４及びこれと同一ピッチｂを持
つ連結部２５１等は、マスク作成時の丸め込みに左右さ
れないので（即ち、設計者の意図を反映したものとなる
ので）、位置或いは寸法にばらつきが生じない。このよ
うにして、サンプリング回路駆動信号線１１４、接続用
パッド２１１及びそれらの連結部２５１等を含むパター
ンを持つマスクを作成する（ステップＳ１３）。 次に、このように作成されたマスクを用いて、ＴＦＴア
レイ基板１０上のレジストを露光する等のフォトリソグ
ラフィを行なった後（ステップＳ１４）、ドライエッチ
ング又はウエットエッチング若しくは両者の組み合わせ
により、Ａｌ膜等に対するエッチングを行なって、Ａｌ
膜等からなるサンプリング回路駆動信号線１１４、接続
用パッド２１１等及びそれらの連結部２５１等を形成す
る（ステップＳ１５）。

【００７８】次に、画像表示領域１０ａや周辺領域にお
ける画素電極等の形成が、公知の成膜技術及びパターン
ニング技術等により行われる（ステップＳ１６）。 その後、対向基板２０（図１及び図２参照）を、ＴＦＴ
アレイ基板１０に張り合わせること等により、パネルの
組み立てを行なった後（ステップＳ１７）、両基板間に
液晶を封入する（ステップＳ１８）。

【００７９】最後に、ＴＦＴアレイ基板１０上における
領域１０１Ｓに、ＣＯＧ型ＩＣからなるデータ線駆動回
路１０１を実装する。即ち、出力端子２２１を接続用パ
ッド２１１に且つ入力端子２２２を接続用パッド２１２
に熱圧着する（ステップＳ１９）。この熱圧着時の加熱
に起因した熱収縮（熱膨張）によりＣＯＧ型ＩＣからな
るデータ線駆動回路１０１の多数の出力端子２２１は若
干歪むが、接続用パッド２１１等はこの歪みを考慮して
そのピッチａが決められているので、出力端子２２１と
接続用パッド２１１とが外れることはない。他方で、接
続用パッド２１１等及びサンプリング回路駆動信号線１
１４間の電気的な接続についても、幅広の連結部２５１
等の存在により、問題なく確保されている。

【００８０】以上説明した製造プロセスによれば、最終
的に得られるサンプリング回路駆動信号線１１４やサン
プリング回路１１８における素子特性や動作特性のばら
つきを低減できる。また、ピッチ変更、熱収縮率（熱膨
張率）の見直し、回路要素の構成変更等に対して、接続
用パッドや配線等の設計を容易に修正可能となる。

【００８１】尚、上述のステップＳ１３からＳ１５の各
工程は、ステップＳ１１における画像表示領域や周辺領
域におけるＴＦＴ３０、走査線３ａ、蓄積容量７０、デ
ータ線６ａ等の形成と部分的に同時に行ってもよいし、
部分的に相前後して行なってもよく、更に、ステップＳ
１６における画素電極等の形成と部分的に同時に行って
もよいし、部分的に相前後して行なってもよい。

【００８２】また上述の製造プロセスでは、ステップＳ
１３におけるマスク作成後に、ステップＳ１４及びＳ１
５においてフォトリソグラフィ及びエッチングを行なう
こととしたが、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成したレジ
ストに対して直接、ステップＳ１２でＣＡＤにより描画
したパターンをレーザー露光により書き込むことも可能
である。 （画素部における構成）次に、本実施形態における電気
光学装置の画素部における構成について、図１２及び図
１３を参照して説明する。図１２は、データ線、走査
線、画素電極等が形成された電気光学装置の相隣接する
複数の画素群の平面図であり、図１３は、図１２のＡ−
Ａ’断面図である。尚、図１３においては、各層や各部
材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層
や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００８３】図１２において、電気光学装置の基板１０
上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点
線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられてお
り、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６
ａ、走査線３ａが設けられている。

【００８４】また、半導体層１ａのうち図中右下がりの
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６
ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走
査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０が設けられている。

【００８５】本実施形態では、容量線３００が、図中太
線で示したように走査線３ａの形成領域に重ねて形成さ
れている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａ
に沿って延びる本線部と、図１２中、データ線６ａと交
差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出
した突出部と、コンタクトホール８４に対応する個所が
僅かに括れた括れ部とを備えている。

【００８６】図１２及び図１３に示すように、高濃度ド
レイン領域１ｅには、画素電極９ａが、コンタクトホー
ル８３及び８５を介して中継接続用の導電層としても機
能するドレイン電極３０２により中継接続されている。
高濃度ソース領域１ｄには、データ線６ａが、コンタク
トホール８１及び８２を介して中継接続用の導電層とし
ても機能するソース電極３０３により中継接続されてい
る。

【００８７】ドレイン電極３０２の一部からなる画素電
位側容量電極上には、誘電体膜３０１を介して固定電位
側容量電極を含む容量線３００が形成されている。容量
線３００は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ
（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロ
ム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ
（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点金属のうちの少
なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイ
ド、ポリサイド、これらを積層したもの等からなる。本
実施形態では、このようにドレイン電極３０２の一部
と、容量線３００の一部とが誘電体膜３０１を介して対
向配置されることにより、蓄積容量７０が構築されてい
る。

【００８８】容量線３００上には、ソース電極３０３と
データ線６ａとを通じるコンタクトホール８１及びドレ
イン電極３０２と画素電極９ａとを通じるコンタクトホ
ール８５が各々形成された第２層間絶縁膜４２が形成さ
れている。第２層間絶縁膜４２は、例えばシリケートガ
ラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等から形成さ
れ、その膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度と
する。

【００８９】第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａ
が形成されており、これらの上には更に、ドレイン電極
３０２へのコンタクトホール８５が形成された第３層間
絶縁膜４３が形成されている。係るデータ線６ａは、例
えば、スパッタリング、フォトリソグラフィ、エッチン
グ等により、所定パターンを持つようにＡｌ（アルミニ
ウム）等の低抵抗金属膜から形成され、その膜厚は、配
線幅に応じて必要な導電性が得られるように、例えば数
百ｎｍ程度とされる。他方、第３層間絶縁膜４３は、例
えばシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコ
ン膜等から形成され、その膜厚は、例えば約５００〜２
０００ｎｍ程度とする。

【００９０】画素電極９ａは、このように構成された第
３層間絶縁膜７の上面に設けられている。画素電極９ａ
は、例えばスパッタリング、フォトリソグラフィ、エッ
チング等により、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透
明導電性膜から形成する。尚、後述の電気光学装置のよ
うに、ラビング処理を施された配向膜を形成してもよ
い。

【００９１】データ線６ａは、ソース電極３０３を中継
することにより、コンタクトホール８１及びコンタクト
ホール８２を介して半導体層１ａのうち高濃度ソース領
域１ｄに電気的に接続されている。他方、画素電極９ａ
は、ソース電極３０３と同一膜からなるドレイン電極３
０２を中継層として利用して中継することにより、コン
タクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち
高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。

【００９２】このようにドレイン電極３０２を中継層と
して用いることにより、画素電極９ａとＴＦＴ３０を構
成する半導体層１ａとの間の層間距離が例えば１０００
ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホール
で接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つ
の直列なコンタクトホール８３及び８５で両者間を良好
に接続でき、画素開口率を高めること可能となる。特に
このような中継層を用いれば、コンタクトホール開孔時
におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。同様
に、ソース電極３０３を用いることにより、データ線６
ａとＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとの間の層間距
離が長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続
する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つの直列
なコンタクトホール８１及び８２で両者間を良好に接続
できる。

【００９３】図１２及び図１３に示すように、ドレイン
電極３０２と容量線３００とが誘電体膜３０１を介して
対向配置されることにより、平面的に見て走査線３ａに
重なる領域及びデータ線６ａに重なる領域に、蓄積容量
７０が構築されている。

【００９４】即ち、容量線３００は、走査線３ａを覆う
ように延びると共に、データ線６ａの領域下で、ドレイ
ン電極３０２を覆うように突き出す突出部を有し櫛歯状
に形成している。ドレイン電極３０２は、走査線３ａと
データ線６ａの交差部から、一方がデータ線６ａの領域
下にある容量線３００の突出部に沿って延び、他方が走
査線３ａの領域上にある容量線３００に沿って隣接する
データ線６ａ近傍まで延びるＬ字状の島状容量電極を形
成している。そして、誘電体膜３０１を介して容量線３
００にＬ字状のドレイン電極３０２が重なる領域で蓄積
容量７０が形成される。

【００９５】蓄積容量７０の一方の容量電極を含むドレ
イン電極３０２は、コンタクトホール８５で画素電極９
ａと接続されており且つコンタクトホール８３で高濃度
ドレイン領域１ｅと接続されており、画素電極電位とさ
れる。

【００９６】蓄積容量７０の他方の容量電極を含む容量
線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域か
らその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続され
て、固定電位とされる。定電位源としては、ＴＦＴ３０
を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するため
の走査線駆動回路や画像信号をデータ線６ａに供給する
サンプリング回路を制御するデータ線駆動回路に供給さ
れる正電源や負電源の定電位源でも良いし、対向基板に
供給される定電位でも構わない。

【００９７】蓄積容量７０の誘電体膜３０１は、例えば
膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ膜（高温酸
化膜）、ＬＴＯ膜（低温酸化膜）等の酸化シリコン膜、
あるいは窒化シリコン膜等から構成される。誘電体膜３
０１は、ドレイン電極３０２の表面を酸化することによ
って得た熱酸化膜でもよい。蓄積容量７０を増大させる
観点からは、膜厚の信頼性が十分に得られる限りにおい
て、誘電体膜３０１は薄い程良い。

【００９８】図１３に示すように、電気光学装置は、基
板装置２００と、これに対向配置される透明な対向基板
２０とを備えている。対向基板２０は、例えばガラス基
板や石英基板からなる。基板１０には、画素電極９ａが
設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定
の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。ま
た配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜から
なる。

【００９９】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。

【０１００】基板１０には、各画素電極９ａに隣接する
位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素ス
イッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

【０１０１】対向基板２０には、更に遮光膜を設けるよ
うにしてもよい。このような構成を採ることで、対向基
板２０側から入射光がＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャ
ネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレ
イン領域１ｃに侵入するのを抑制できる。更に、対向基
板上の遮光膜は、入射光が照射される面を高反射な膜で
形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働
きをする。

【０１０２】尚、本実施形態では、Ａｌ膜等からなる遮
光性のデータ線６ａで、各画素の遮光領域のうちデータ
線６ａに沿った部分を遮光してもよいし、容量線３００
を遮光性の膜で形成することによりチャネル領域１ａ’
等を遮光することができる。

【０１０３】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置された基板１０と対向
基板２０との間には、シール材により囲まれた空間に電
気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が
形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が
印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定
の配向状態をとる。

【０１０４】以上説明した実施形態では、多数の導電層
を積層することにより、データ線６ａや走査線３ａに沿
った領域に段差が生じるが、第１層間絶縁膜４１、第２
層間絶縁膜４２に溝を掘って、データ線６ａ等の配線や
ＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行って
もよいし、第３層間絶縁膜４３や第２層間絶縁膜４２の
上面の段差をＣＭＰ処理等で研磨することにより、或い
は有機ＳＯＧを用いて平らに形成することにより、当該
平坦化処理を行ってもよい。

【０１０５】更に以上説明した実施形態では、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図１３に示したよ
うにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低
濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオ
フセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からな
るゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込
み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成
するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本
実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート
電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１
ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、
これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。
このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上で
ＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領
域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を
低減することができる。そして、周辺回路を構成するＴ
ＦＴについても同様に各種のＴＦＴとして構築可能であ
る。

【０１０６】以上図１から図１３を参照して説明した実
施形態では、対向基板２０の投射光が入射する側及び基
板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ
（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligne
d）モード、ＰＤＬＣ(PolymerDispersed Liquid Crysta
l)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード
／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィル
ム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置さ
れる。

【０１０７】以上説明した実施形態における電気光学装
置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学
装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各
ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイック
ミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々
入射されることになる。従って、各実施形態では、対向
基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しか
しながら、対向基板に遮光膜の形成されていない画素電
極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタを
その保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。
このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型
のカラー電気光学装置について、各実施形態における電
気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画
素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよ
い。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向
する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィル
タ層を形成することも可能である。このようにすれば、
入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装
置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層も
の屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉
を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィル
タを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き
対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実
現できる。

【０１０８】（電子機器）次に、以上詳細に説明した電
気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例
たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全
体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図
１４は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。

【０１０９】図１４において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装
置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧ
Ｂ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと
して用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プ
ロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白
色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられ
ると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイック
ミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光
成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバル
ブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。こ
の際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、
入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レ
ンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して
導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及
び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成
分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成
された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１
２０にカラー画像として投射される。

【０１１０】本発明は、上述した各実施形態に限られる
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう電気光学装置及びその
ような電気光学装置を具備する電子機器もまた本発明の
技術的範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦ
Ｔアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対
向基板の側から見た平面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。

【図３】実施形態の電気光学装置における画像表示領域
を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種
素子、配線等の等価回路である。

【図４】本発明の第１実施形態における外付けＩＣ付近
の３次元的な部分分解斜視図である。

【図５】第１実施形態における外付けＩＣを設置する領
域付近における電気光学装置の部分拡大平面図である。

【図６】図５における構成要素から連結部を除去して示
す外付けＩＣを外付けする領域付近の部分拡大平面図で
ある。

【図７】一の比較例における外付けＩＣを設置する領域
付近における電気光学装置の部分拡大平面図である。

【図８】第２実施形態における外付けＩＣを設置する領
域付近における電気光学装置の部分拡大平面図である。

【図９】第３実施形態における外付けＩＣを設置する領
域付近における電気光学装置の部分拡大平面図である。

【図１０】第４実施形態における外付けＩＣを設置する
領域付近における電気光学装置の部分拡大平面図であ
る。

【図１１】各実施形態の電気光学装置の製造プロセスを
外付けＩＣの設置領域付近におけるプロセスを中心とし
て順を追って示す工程図である。

【図１２】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、
走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相
隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１３】図１２のＡ−Ａ’断面図である。

【図１４】本発明の電子機器の実施形態である投射型カ
ラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す
図式的断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ２…絶縁膜 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…基板 １１ａ…下側遮光膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 ８１、８２、８３、８５…コンタクトホール １０１…データ線駆動回路 １０１Ｓ…データ線駆動回路を設置する領域 １０２…外部回路接続端子 １０４…走査線駆動回路 １１４…サンプリング回路駆動信号線 １１８…サンプリング回路 ２１１、２１２…接続用パッド ２２１…出力端子 ２２２…入力端子 ２３０…パターン ２５１、２５２、２５３、２５４…幅広の連結部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２１Ｍ 3/36 3/36 Ｆターム(参考） 2H092 GA33 GA41 GA48 GA59 GA60 JA24 JB35 MA32 NA27 PA06 RA05 5C006 BB16 BC20 EB03 EB06 FA37 5C080 AA10 BB05 DD28 FF11 JJ02 JJ06 JJ07 KK43 5C094 AA43 BA03 BA43 CA19 DA09 DA14 DA15 DB01 DB02 DB03 DB04 EA04 EA07 EB02 5G435 AA17 BB12 CC09 EE33 EE36 EE37 EE41 EE42 GG21 HH12

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、画素電極と、該画素電極が配置
   された画像表示領域の周辺に位置する周辺領域にアレイ
   状に第１のピッチで配列されていると共に周辺回路の一
   部を構成する回路群から延在する複数の配線と、 前記周辺回路の他の部分を構成する外付け集積回路が有
   する複数の出力端子が夫々接合されると共に前記第１の
   ピッチと異なる第２のピッチでアレイ状に配列された複
   数の接続用パッドと、 前記接続用パッド及び前記配線を相互に接続すると共に
   前記配線の幅よりも幅広に形成された連結部とを備えた
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記接続用パッドは、前記配線よりも幅
   広であり、 前記接続用パッドから前記連結部まで延びると共に前記
   連結部より幅狭の他の配線を更に備えたことを特徴とす
   る請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記連結部は、前記第１のピッチで配列
   されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電
   気光学装置。
4. 【請求項４】 前記接続用パッドは、前記連結部を兼ね
   ることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記複数の接続用パッドのうち、その配
   列方向に奇数番目又は偶数番目の接続用パッドは、前記
   連結部を兼ね、 前記複数の接続用パッドのうち前記連結部を兼ねない接
   続用パッドは、前記連結部により前記配線に接続されて
   いることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記連結部を兼ねない接続用パッドに接
   続された前記連結部は、前記第１のピッチで配列されて
   いることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記奇数番目又は偶数番目の接続用パッ
   ドと、前記連結部とは、千鳥足状に２列に並べられてい
   ることを特徴とする請求項５又は６に記載の電気光学装
   置。
8. 【請求項８】 前記奇数番目又は偶数番目の接続用パッ
   ドと前記連結部を兼ねない接続用パッドとは、千鳥足状
   に２列に並べられていることを特徴とする請求項５から
   ７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記配線、前記接続用パッド及び前記連
   結部は、同一導電層から形成されていることを特徴とす
   る請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装
   置。
10. 【請求項１０】 前記外付け集積回路は、ＣＯＧ型集積
    回路からなり、前記出力端子が前記接続用パッドに接続
    されるように前記基板上に実装されていることを特徴と
    する請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装
    置。
11. 【請求項１１】 前記連結部は、前記配線の幅と比べて、
    前記第１のピッチと前記第２のピッチとの差以上に幅広
    に形成されていることを特徴とする請求項１から１０の
    いずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記基板上に、前記画素電極に接続さ
    れた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続さ
    れたデータ線及び走査線とを更に備えており、前記周辺
    回路は、前記データ線を駆動するデータ線駆動回路及び
    前記走査線を駆動する走査線駆動回路を含み、 前記外付け集積回路は、少なくとも前記データ線駆動回
    路を含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか
    一項に記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記基板上に、前記データ線に接続さ
    れたサンプリング回路を更に備えており、前記配線は、サ
    ンプリング回路駆動信号線を含むことを特徴とする請求
    項１２に記載の電気光学装置。
14. 【請求項１４】 前記周辺回路のうち前記外付け集積回
    路に含まれない部分は、前記基板上に作り込まれた内蔵
    回路からなり、 該内蔵回路は、前記薄膜トランジスタと同一製造プロセ
    スにより形成される薄膜トランジスタを含んでなること
    を特徴とする請求項１２又は１３に記載の電気光学装
    置。
15. 【請求項１５】 請求項１から１４のいずれか一項に記
    載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機
    器。