JP2003055758A - スッパタリング用タングステン焼結体ターゲット及びその製造方法 - Google Patents

スッパタリング用タングステン焼結体ターゲット及びその製造方法

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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005073418A1 (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Nippon Tungsten Co., Ltd. タングステン系焼結体およびその製造方法
WO2009116213A1 (ja) * 2008-03-17 2009-09-24 日鉱金属株式会社 焼結体ターゲット及び焼結体の製造方法
JPWO2009147900A1 (ja) * 2008-06-02 2011-10-27 Jx日鉱日石金属株式会社 タングステン焼結体スパッタリングターゲット
WO2012042791A1 (ja) * 2010-09-29 2012-04-05 株式会社アルバック タングステンターゲットおよびその製造方法
CN103567443A (zh) * 2012-07-25 2014-02-12 宁波江丰电子材料有限公司 钨靶材的制作方法
CN103805952A (zh) * 2013-12-12 2014-05-21 株洲硬质合金集团有限公司 一种大尺寸高纯钨靶材及其生产方法
US9299543B2 (en) 2009-05-27 2016-03-29 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Target of sintered compact, and method of producing the sintered compact
CN107429388A (zh) * 2015-03-06 2017-12-01 恩特格里斯公司 用于固体来源输送的高纯度六羰基钨
WO2018179770A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 Ｊｘ金属株式会社 タングステンターゲット
WO2019092969A1 (ja) * 2017-11-10 2019-05-16 Ｊｘ金属株式会社 タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法
CN113523273A (zh) * 2021-06-17 2021-10-22 北京科技大学 多场耦合下快速制备超细晶纯钨材料的粉末冶金方法
CN115415526A (zh) * 2021-05-13 2022-12-02 安泰天龙钨钼科技有限公司 一种超大尺寸钨管及其制备方法
JP7278463B1 (ja) 2022-06-27 2023-05-19 株式会社アルバック タングステンターゲットおよびその製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105345007B (zh) * 2014-08-15 2017-11-07 安泰科技股份有限公司 一种高致密铬钨合金靶材的制备方法
JP2020153015A (ja) * 2019-03-15 2020-09-24 三菱マテリアル株式会社 酸化タングステンスパッタリングターゲット

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0593267A (ja) * 1991-10-01 1993-04-16 Hitachi Metals Ltd 半導体用タングステンターゲツトおよびその製造方法
JP3280054B2 (ja) * 1992-02-10 2002-04-30 日立金属株式会社 半導体用タングステンターゲットの製造方法
JPH0776771A (ja) * 1993-09-08 1995-03-20 Japan Energy Corp タングステンスパッタリングターゲット
JP3086447B1 (ja) * 1999-03-04 2000-09-11 株式会社ジャパンエナジー スパッタリング用タングステンターゲットおよびその製造方法
JP3721014B2 (ja) * 1999-09-28 2005-11-30 株式会社日鉱マテリアルズ スッパタリング用タングステンターゲットの製造方法

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005073418A1 (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Nippon Tungsten Co., Ltd. タングステン系焼結体およびその製造方法
JP4885305B2 (ja) * 2008-03-17 2012-02-29 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 焼結体ターゲット及び焼結体の製造方法
WO2009116213A1 (ja) * 2008-03-17 2009-09-24 日鉱金属株式会社 焼結体ターゲット及び焼結体の製造方法
KR101249153B1 (ko) 2008-03-17 2013-03-29 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 소결체 타겟 및 소결체의 제조 방법
EP2284289A4 (en) * 2008-06-02 2011-11-09 Jx Nippon Mining & Metals Corp SPUTTERING TARGET OF TUNGSTENGESINTERTEM MATERIAL
JPWO2009147900A1 (ja) * 2008-06-02 2011-10-27 Jx日鉱日石金属株式会社 タングステン焼結体スパッタリングターゲット
US9299543B2 (en) 2009-05-27 2016-03-29 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Target of sintered compact, and method of producing the sintered compact
WO2012042791A1 (ja) * 2010-09-29 2012-04-05 株式会社アルバック タングステンターゲットおよびその製造方法
CN103124804A (zh) * 2010-09-29 2013-05-29 株式会社爱发科 钨靶及其制造方法
JPWO2012042791A1 (ja) * 2010-09-29 2014-02-03 株式会社アルバック タングステンターゲットおよびその製造方法
US9388489B2 (en) 2010-09-29 2016-07-12 Ulvac, Inc. Tungsten target and method for producing same
CN103567443A (zh) * 2012-07-25 2014-02-12 宁波江丰电子材料有限公司 钨靶材的制作方法
CN103805952A (zh) * 2013-12-12 2014-05-21 株洲硬质合金集团有限公司 一种大尺寸高纯钨靶材及其生产方法
JP2018510265A (ja) * 2015-03-06 2018-04-12 インテグリス・インコーポレーテッド 固体ソース送出用の高純度タングステンヘキサカルボニル
US10526697B2 (en) 2015-03-06 2020-01-07 Entegris, Inc. High-purity tungsten hexacarbonyl for solid source delivery
CN107429388B (zh) * 2015-03-06 2020-08-14 恩特格里斯公司 用于固体来源输送的高纯度六羰基钨
CN107429388A (zh) * 2015-03-06 2017-12-01 恩特格里斯公司 用于固体来源输送的高纯度六羰基钨
WO2018179770A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 Ｊｘ金属株式会社 タングステンターゲット
KR20190120292A (ko) 2017-03-31 2019-10-23 제이엑스금속주식회사 텅스텐 타깃
US11939647B2 (en) 2017-03-31 2024-03-26 Jx Metals Corporation Tungsten target
US11939661B2 (en) 2017-11-10 2024-03-26 Jx Metals Corporation Tungsten sputtering target and method for manufacturing the same
WO2019092969A1 (ja) * 2017-11-10 2019-05-16 Ｊｘ金属株式会社 タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法
CN115415526A (zh) * 2021-05-13 2022-12-02 安泰天龙钨钼科技有限公司 一种超大尺寸钨管及其制备方法
CN113523273A (zh) * 2021-06-17 2021-10-22 北京科技大学 多场耦合下快速制备超细晶纯钨材料的粉末冶金方法
CN113523273B (zh) * 2021-06-17 2022-10-21 北京科技大学 多场耦合下快速制备超细晶纯钨材料的粉末冶金方法
WO2024004554A1 (ja) * 2022-06-27 2024-01-04 株式会社アルバック タングステンターゲットおよびその製造方法
JP2024003721A (ja) * 2022-06-27 2024-01-15 株式会社アルバック タングステンターゲットおよびその製造方法
JP7278463B1 (ja) 2022-06-27 2023-05-19 株式会社アルバック タングステンターゲットおよびその製造方法
TWI876391B (zh) * 2022-06-27 2025-03-11 日商愛發科股份有限公司 鎢靶材及其製造方法

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