JP2003055545A - 半導電性加硫ゴム用組成物 - Google Patents
半導電性加硫ゴム用組成物Info
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- JP2003055545A JP2003055545A JP2001247395A JP2001247395A JP2003055545A JP 2003055545 A JP2003055545 A JP 2003055545A JP 2001247395 A JP2001247395 A JP 2001247395A JP 2001247395 A JP2001247395 A JP 2001247395A JP 2003055545 A JP2003055545 A JP 2003055545A
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- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Dry Development In Electrophotography (AREA)
- Electrophotography Configuration And Component (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コピー機、プリンター等に使用される電子写
真用プロセスの現像、帯電、転写などの半導電ゴムロー
ルおよび半導電性無端ベルト等に用いられる半導電性加
硫ゴム用組成物およびその組成物を加硫してなる半導電
性ゴム材料を提供する。 【解決手段】 下記、（１）〜（３）成分からなる三元
共重合体（Ａ）１００〜５重量部とエピクロルヒドリン
系重合体ゴム（Ｂ）０〜９５重量％とを含む半導電性加
硫ゴム用組成物とする。また、その組成物を加硫して半
導電性ゴム材料とする。 （１）一般式（Ｉ）で表される単量体、 【化１】 （２）アルキレンオキサイド、（３）アリルグリシジル
エーテル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシ
ジルから選ばれるエチレン性不飽和基含有モノマー。
真用プロセスの現像、帯電、転写などの半導電ゴムロー
ルおよび半導電性無端ベルト等に用いられる半導電性加
硫ゴム用組成物およびその組成物を加硫してなる半導電
性ゴム材料を提供する。 【解決手段】 下記、（１）〜（３）成分からなる三元
共重合体（Ａ）１００〜５重量部とエピクロルヒドリン
系重合体ゴム（Ｂ）０〜９５重量％とを含む半導電性加
硫ゴム用組成物とする。また、その組成物を加硫して半
導電性ゴム材料とする。 （１）一般式（Ｉ）で表される単量体、 【化１】 （２）アルキレンオキサイド、（３）アリルグリシジル
エーテル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシ
ジルから選ばれるエチレン性不飽和基含有モノマー。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、コピー機、プリ
ンター等に使用される電子写真用プロセスの現像、帯
電、転写などの半導電ゴムロールおよび半導電性無端ベ
ルト等に用いられる半導電性加硫ゴム用組成物およびそ
の組成物を加硫してなる半導電性ゴム材料に関するもの
である。
ンター等に使用される電子写真用プロセスの現像、帯
電、転写などの半導電ゴムロールおよび半導電性無端ベ
ルト等に用いられる半導電性加硫ゴム用組成物およびそ
の組成物を加硫してなる半導電性ゴム材料に関するもの
である。
【０００２】
【従来技術】 近年、接触型帯電方式に用いられる帯電
ロール、転写ロール、現像ロールにおいて、高画質化や
高速化等の要求から、基材部分であるゴム材料の更なる
物性向上が求められている。
ロール、転写ロール、現像ロールにおいて、高画質化や
高速化等の要求から、基材部分であるゴム材料の更なる
物性向上が求められている。
【０００３】例えば、帯電ロール、現像ロール等におけ
るゴム層の材料としては、電気抵抗値が１０5〜１０9Ω
ｃｍ 程度で、安定した電気抵抗値を示すものが要求さ
れている。通常、帯電ロール、現像ロール等は、トナー
との離型性やロール自身の耐久性を考慮して、ゴム層の
表面 にコーティング層が設けられている。従って、ロ
ール全体としての抵抗値は高くなるので、ゴム層自身の
抵抗値は低いほうが望ましい。この要求を満たすた
め、導電性を有する添加物をゴム成分に添加する方法が
従来から考案されている。
るゴム層の材料としては、電気抵抗値が１０5〜１０9Ω
ｃｍ 程度で、安定した電気抵抗値を示すものが要求さ
れている。通常、帯電ロール、現像ロール等は、トナー
との離型性やロール自身の耐久性を考慮して、ゴム層の
表面 にコーティング層が設けられている。従って、ロ
ール全体としての抵抗値は高くなるので、ゴム層自身の
抵抗値は低いほうが望ましい。この要求を満たすた
め、導電性を有する添加物をゴム成分に添加する方法が
従来から考案されている。
【０００４】しかし、こうして得られたゴム材料の電気
抵抗は、導電性を有する添加物の添加量や分散状態によ
って 大きく左右される。例えば、ゴム成分にカーボン
ブラックを添加した場合は、わずかな添加量の差異や、
カーボンブラックの分散不良等により、電気抵抗が著
しく変化する問題や、得られるゴム材料が剛直になると
いった問題がある。また、ゴム成分にイオン導電剤を添
加する方法も公知であるが、添加によるゴム 物性の低
下、ゴム材料からのブリードによる表面汚染が生じやす
い等の本質的な欠点がある。
抵抗は、導電性を有する添加物の添加量や分散状態によ
って 大きく左右される。例えば、ゴム成分にカーボン
ブラックを添加した場合は、わずかな添加量の差異や、
カーボンブラックの分散不良等により、電気抵抗が著
しく変化する問題や、得られるゴム材料が剛直になると
いった問題がある。また、ゴム成分にイオン導電剤を添
加する方法も公知であるが、添加によるゴム 物性の低
下、ゴム材料からのブリードによる表面汚染が生じやす
い等の本質的な欠点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は、コピー
機、プリンター等に使用される電子写真用プロ セスの
現像、帯電、転写などの半導電ゴムロールおよび半導電
性無端ベルト等に用いられる半導電性加硫 ゴム用組成
物およびその組成物を加硫してなる半導電性ゴム材料を
提供することを目的とする。
機、プリンター等に使用される電子写真用プロ セスの
現像、帯電、転写などの半導電ゴムロールおよび半導電
性無端ベルト等に用いられる半導電性加硫 ゴム用組成
物およびその組成物を加硫してなる半導電性ゴム材料を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 本発明者らは、上記課
題について鋭意研究の結果、下記、（Ａ）お よび
（Ｂ）成分を所定の割合で含有することにより、上述の
目的を達成し得ることを見出し本発明を完成 したもの
である。すなわち下記、（１）〜（３）成分からなる三
元共重合体（Ａ）１００〜５重量部とエピクロルヒドリ
ン系重合体ゴム（Ｂ）０〜９５重量％とを含むことを
特徴とする半導電性加硫ゴム用組成物である。
題について鋭意研究の結果、下記、（Ａ）お よび
（Ｂ）成分を所定の割合で含有することにより、上述の
目的を達成し得ることを見出し本発明を完成 したもの
である。すなわち下記、（１）〜（３）成分からなる三
元共重合体（Ａ）１００〜５重量部とエピクロルヒドリ
ン系重合体ゴム（Ｂ）０〜９５重量％とを含むことを
特徴とする半導電性加硫ゴム用組成物である。
【０００７】（１）一般式（Ｉ）で表される単量体、
【化２】
【０００８】（２）アルキレンオキサイド
（３）アリルグリシジルエーテル、アクリル酸グリシジ
ル、メタクリル酸グリシジルから選ばれるエチレン性不
飽和基含有モノマー また前記半導電性加硫ゴム用組成物を加硫してなる半導
電性加硫ゴム材料、特に半導電性加硫ゴムロー ル及び
半導電性加硫ゴムベルトも本発明に属する。
ル、メタクリル酸グリシジルから選ばれるエチレン性不
飽和基含有モノマー また前記半導電性加硫ゴム用組成物を加硫してなる半導
電性加硫ゴム材料、特に半導電性加硫ゴムロー ル及び
半導電性加硫ゴムベルトも本発明に属する。
【０００９】本発明においては、下記、（１）〜（３）
からなる三元共重合体（Ａ）を用いることにより、
（１）一般式（Ｉ）で表される単量体、
からなる三元共重合体（Ａ）を用いることにより、
（１）一般式（Ｉ）で表される単量体、
【化３】
【００１０】（２）アルキレンオキサイド、（３）アリ
ルグリシジルエーテル、アクリル酸グリシジル、メタク
リル酸グリシジルから選ばれるエチレン性不飽和基含有
モノマー 得られる半導電性加硫ゴム用組成物の低抵抗化が容易と
なり、特に、（１）成分で、ｎ=２〜７の単量 体では、
低抵抗化がより一層容易になるため好適である。すなわ
ち、（１）成分のｎが２以上では、本発 明の共重合比
で実質的に非結晶性であり、特に安定した低抵抗の半導
電性加硫ゴム用組成物が得られる。 また、（１）成分
のｎが７以下では、共重合されることで配置される側鎖
同士が結晶化傾向を示すことが 実質的になく、同様
に、特に安定した低抵抗の半導電性加硫ゴム用組成物が
得られる。（２）アルキレンオキサイドとしてはエチレ
ンオキサイド、プロピレンオキサイドなどが挙げられ
る。
ルグリシジルエーテル、アクリル酸グリシジル、メタク
リル酸グリシジルから選ばれるエチレン性不飽和基含有
モノマー 得られる半導電性加硫ゴム用組成物の低抵抗化が容易と
なり、特に、（１）成分で、ｎ=２〜７の単量 体では、
低抵抗化がより一層容易になるため好適である。すなわ
ち、（１）成分のｎが２以上では、本発 明の共重合比
で実質的に非結晶性であり、特に安定した低抵抗の半導
電性加硫ゴム用組成物が得られる。 また、（１）成分
のｎが７以下では、共重合されることで配置される側鎖
同士が結晶化傾向を示すことが 実質的になく、同様
に、特に安定した低抵抗の半導電性加硫ゴム用組成物が
得られる。（２）アルキレンオキサイドとしてはエチレ
ンオキサイド、プロピレンオキサイドなどが挙げられ
る。
【００１１】上記（１）、（２）、（３）の比率は
（１）２ｍｏｌ％〜４０ｍｏｌ％
（２）５０ｍｏｌ％〜９７ｍｏｌ％
（３）１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％
好ましくは
（１）５ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％
（２）６５ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％
（３）２ｍｏｌ％〜７ｍｏｌ％
の三元共重合体が使用される。
【００１２】本発明においては、これらの三元共重合体
（Ａ）は、単一ゴムあるいは二種以上の混合ゴムとして
用い られ、ムーニー粘度表示によるＭＬ1+4（１００
℃）＝１０〜１００程度のものがそのまま用いられる。
（Ａ）は、単一ゴムあるいは二種以上の混合ゴムとして
用い られ、ムーニー粘度表示によるＭＬ1+4（１００
℃）＝１０〜１００程度のものがそのまま用いられる。
【００１３】三元共重合体（Ａ）は、本出願人の特開昭
６３−１５４７３６号公報に記載されている方法により
製造 することができる。すなわち開環重合用触媒とし
て有機アルミニウムを主体とする触媒系、有機亜鉛を主
体とする触媒系、有機錫−リン酸エステル縮合物触媒
系などを用いて、上記（１）、（２）、（３）の単量体
を溶媒の存在下または不存在下で、反応温度１０〜８０
℃、攪拌下で反応させることによってえられ る。なか
でも、重合度あるいは作られる共重合体の性質などの点
から、有機錫−リン酸エステル縮合物触 媒系特に好ま
しい。
６３−１５４７３６号公報に記載されている方法により
製造 することができる。すなわち開環重合用触媒とし
て有機アルミニウムを主体とする触媒系、有機亜鉛を主
体とする触媒系、有機錫−リン酸エステル縮合物触媒
系などを用いて、上記（１）、（２）、（３）の単量体
を溶媒の存在下または不存在下で、反応温度１０〜８０
℃、攪拌下で反応させることによってえられ る。なか
でも、重合度あるいは作られる共重合体の性質などの点
から、有機錫−リン酸エステル縮合物触 媒系特に好ま
しい。
【００１４】本発明に用いられるエピクロルヒドリン系
重合体ゴム（Ｂ）としては、エピクロルヒドリン単独重
合体（ａ）、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド
共重合体（ｂ）、エピクロルヒドリン−アリルグリシジ
ルエーテル共重合体（ｃ）、エピクロルヒドリン−エチ
レンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合
体（ｄ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド
共重合体、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド
−アリルグリシジルエーテル三元共重合体、エピクロル
ヒドリン−エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド
−アリルグリシジルエーテル四元共重合体が挙げられ
る。特にエピクロルヒドリン単独重合体（ａ）、エピク
ロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体（ｂ）、エ
ピクロルヒドリン−アリルグリシジルエーテル共重合体
（ｃ）、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−ア
リルグリシジルエーテル三元共重合体（ｄ）である。こ
れらの重合体は、抵抗値が比較的低いことが従来より知
られており、得られる半導電性加硫ゴム用組成物の導電
性の制御が可能となる。特に、エピクロルヒドリン含量
が高いほど、環境による抵抗値の変動が抑制され、エチ
レンオキサイド含量が高いほど、低抵抗化が可能とな
り、アリルグリシジルエーテル含量が高いほど、耐オゾ
ン性が優れる、といった特徴がある。
重合体ゴム（Ｂ）としては、エピクロルヒドリン単独重
合体（ａ）、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド
共重合体（ｂ）、エピクロルヒドリン−アリルグリシジ
ルエーテル共重合体（ｃ）、エピクロルヒドリン−エチ
レンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合
体（ｄ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド
共重合体、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド
−アリルグリシジルエーテル三元共重合体、エピクロル
ヒドリン−エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド
−アリルグリシジルエーテル四元共重合体が挙げられ
る。特にエピクロルヒドリン単独重合体（ａ）、エピク
ロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体（ｂ）、エ
ピクロルヒドリン−アリルグリシジルエーテル共重合体
（ｃ）、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−ア
リルグリシジルエーテル三元共重合体（ｄ）である。こ
れらの重合体は、抵抗値が比較的低いことが従来より知
られており、得られる半導電性加硫ゴム用組成物の導電
性の制御が可能となる。特に、エピクロルヒドリン含量
が高いほど、環境による抵抗値の変動が抑制され、エチ
レンオキサイド含量が高いほど、低抵抗化が可能とな
り、アリルグリシジルエーテル含量が高いほど、耐オゾ
ン性が優れる、といった特徴がある。
【００１５】エピクロルヒドリン系重合体ゴム（Ｂ）の
成分組成は通常、エピクロルヒドリン−エチレンオキサ
イド共重合体（ｂ）では、エピクロルヒドリン成分が２
０ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％、エチレンオキサイド成分が
３０ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％であり、またエピクロルヒ
ドリン−アリルグリシジルエーテル共重合体（ｃ）で
は、エピクロルヒドリン成分が８５ｍｏｌ％〜９９ｍｏ
ｌ％、アリルグリシジルエーテル成分が１ｍｏｌ％〜１
５ｍｏｌ％であり、またエピクロルヒドリン−エチレン
オキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体
（ｄ）では、エピクロルヒドリン成分が５ｍｏｌ％〜７
５ｍｏｌ％、エチレンオキサイド成分が２０ｍｏｌ％〜
９０ｍｏｌ％、アリルグリシジルエーテル成分が１ｍｏ
ｌ％〜１０ｍｏｌ％であるものが用いられる。
成分組成は通常、エピクロルヒドリン−エチレンオキサ
イド共重合体（ｂ）では、エピクロルヒドリン成分が２
０ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％、エチレンオキサイド成分が
３０ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％であり、またエピクロルヒ
ドリン−アリルグリシジルエーテル共重合体（ｃ）で
は、エピクロルヒドリン成分が８５ｍｏｌ％〜９９ｍｏ
ｌ％、アリルグリシジルエーテル成分が１ｍｏｌ％〜１
５ｍｏｌ％であり、またエピクロルヒドリン−エチレン
オキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体
（ｄ）では、エピクロルヒドリン成分が５ｍｏｌ％〜７
５ｍｏｌ％、エチレンオキサイド成分が２０ｍｏｌ％〜
９０ｍｏｌ％、アリルグリシジルエーテル成分が１ｍｏ
ｌ％〜１０ｍｏｌ％であるものが用いられる。
【００１６】好ましくはエピクロルヒドリン−エチレン
オキサイド共重合体（ｂ）では、エピクロルヒドリン成
分が３０ｍｏｌ％〜６０ｍｏｌ％、エチレンオキサイド
成分が４０ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％であり、エピクロル
ヒドリン−アリルグリシジルエーテル共重合体（ｃ）で
は、エピクロルヒドリン成分が９０ｍｏｌ％〜９８ｍｏ
ｌ％、アリルグリシジルエーテル成分が２ｍｏｌ％〜１
０ｍｏｌ％であり、またエピクロルヒドリン−エチレン
オキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体
（ｄ）では、エピクロルヒドリン成分が１０ｍｏｌ％〜
６５ｍｏｌ％、エチレンオキサイド成分が３０ｍｏｌ％
〜８５ｍｏｌ％、アリルグリシジルエーテル成分が２ｍ
ｏｌ％〜８ｍｏｌ％である。
オキサイド共重合体（ｂ）では、エピクロルヒドリン成
分が３０ｍｏｌ％〜６０ｍｏｌ％、エチレンオキサイド
成分が４０ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％であり、エピクロル
ヒドリン−アリルグリシジルエーテル共重合体（ｃ）で
は、エピクロルヒドリン成分が９０ｍｏｌ％〜９８ｍｏ
ｌ％、アリルグリシジルエーテル成分が２ｍｏｌ％〜１
０ｍｏｌ％であり、またエピクロルヒドリン−エチレン
オキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体
（ｄ）では、エピクロルヒドリン成分が１０ｍｏｌ％〜
６５ｍｏｌ％、エチレンオキサイド成分が３０ｍｏｌ％
〜８５ｍｏｌ％、アリルグリシジルエーテル成分が２ｍ
ｏｌ％〜８ｍｏｌ％である。
【００１７】本発明においてはエピクロルヒドリン系重
合体ゴム（Ｂ）は、これらの単一ゴムあるいは二種以上
の混合ゴムとして用いられ、ムーニー粘度表示によるＭ
Ｌ1+ 4（１００℃）＝３０〜１５０程度のものがそのま
ま用いられる。
合体ゴム（Ｂ）は、これらの単一ゴムあるいは二種以上
の混合ゴムとして用いられ、ムーニー粘度表示によるＭ
Ｌ1+ 4（１００℃）＝３０〜１５０程度のものがそのま
ま用いられる。
【００１８】三元共重合体（Ａ）とエピクロルヒドリン
系重合体ゴム（Ｂ）の比率は、三元共重合体（Ａ）１０
０〜 ５重量部に対しエピクロルヒドリン系重合体ゴム
（Ｂ）０〜９５重量部、例えば三元共重合体（Ａ）１０
０〜２０重量部に対しエピクロルヒドリン系重合体ゴ
ム（Ｂ）０〜８０重量部である。
系重合体ゴム（Ｂ）の比率は、三元共重合体（Ａ）１０
０〜 ５重量部に対しエピクロルヒドリン系重合体ゴム
（Ｂ）０〜９５重量部、例えば三元共重合体（Ａ）１０
０〜２０重量部に対しエピクロルヒドリン系重合体ゴ
ム（Ｂ）０〜８０重量部である。
【００１９】本発明の半導電性加硫ゴム用組成物におい
て用いられる加硫剤としては、塩素原子の反応性を利用
する公知の加硫剤、即ちポリアミン類、チオウレア類、
チアジアゾール類、メルカプトトリアジン類、キノキサ
リン類等が、また、側鎖二重合結合の反応性を利用する
公知の加硫剤、例えば、有機過酸化物、硫黄、モルホリ
ンポリスルフィド類、チオラムポリスルフィド類等があ
る。
て用いられる加硫剤としては、塩素原子の反応性を利用
する公知の加硫剤、即ちポリアミン類、チオウレア類、
チアジアゾール類、メルカプトトリアジン類、キノキサ
リン類等が、また、側鎖二重合結合の反応性を利用する
公知の加硫剤、例えば、有機過酸化物、硫黄、モルホリ
ンポリスルフィド類、チオラムポリスルフィド類等があ
る。
【００２０】これらの加硫剤を例示すれば、ポリアミン
類としては、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、
ヘキサメチレンテトラミン、p−フェニレンジアミン、
クメンジアミン、N,N'−ジシンナミリデン−1,6−ヘキ
サンジアミン、エチレンジアミンカーバメート、ヘキサ
メチレンジアミンカーバメート等があげられる。チオウ
レア類としては、エチレンチオウレア、1,3−ジエチル
チオウレア、1,3−ジブチルチオウレア、トリメチルチ
オウレア等があげられる。チアジアゾール類としては、
2,5−ジメルカプト−１,３,４−チアジアゾール、2−メ
ルカプト−1,3,4−チアジアゾール―5―チオベンゾエー
ト等があげられる。メルカプトトリアジン類としては、
2,4,6−トリメルカプト−1,3,5−トリアジン、1−メト
キシ−3,5−ジメルカプトトリアジン、1−ヘキシルアミ
ノ−3,5−ジメルカプトトリアジン、1−ジエチルアミノ
−3,5−ジメルカプトトリアジン、1−シクロヘキサンア
ミノ−3,5−ジメルカプトトリアジン、1−ジブチルアミ
ノ−3,5−ジメルカプトトリアジン、2−アニリノ−4,6
−ジメルカプトトリアジン、1−フェニルアミノ−3,5−
ジメルカプトトリアジン等があげられる。キノキサリン
類としては、2,3-ジメルカプトキノキサリン誘導体等が
あげられ、2,3-ジメルカプトキノキサリン誘導体を例示
すると、キノキサリン-2,3-ジチオカーボネート、6-メ
チルキノキサリン-2,3-ジチオカーボネート、6-イソプ
ロピルキノキサリン-2,3-ジチオカーボネート、5,8-ジ
メチルキノキサリン-2,3-ジチオカーボネート等があげ
られる。有機過酸化物としては、tert−ブチルヒドロパ
ーオキサイド、p−メンタンヒドロパーオキサイド、ジ
クミルパーオキサイド、 tert−ブチルパーオキサイ
ド、1,3−ビス（tert−ブチルパーオキシイソプロピ
ル）ベンゼン、2,5−ジメチル−2,5−ジ（tert−ブチル
パーオキシ）ヘキサン、ベンゾイルパーオキサイド、te
rt−ブチルパーオキシベンゾエート等があげられる。モ
ルホリンポリスルフィド類としては、モルホリンジスル
フィド等があげられる。チオラムポリスルフィド類とし
ては、テトラメチルチウラムジスルフィド、テトラエチ
ルチウラムジスルフィド、テトラブチルチウラムジスル
フィド、N,N'−ジメチル−N,N'−ジフェニルチウラムジ
スルフィド、ジペンタンメチレンチウラムテトラスルフ
ィド、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド、ジ
ペンタメチレンチウラムヘキサスルフィド等をあげられ
る。
類としては、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、
ヘキサメチレンテトラミン、p−フェニレンジアミン、
クメンジアミン、N,N'−ジシンナミリデン−1,6−ヘキ
サンジアミン、エチレンジアミンカーバメート、ヘキサ
メチレンジアミンカーバメート等があげられる。チオウ
レア類としては、エチレンチオウレア、1,3−ジエチル
チオウレア、1,3−ジブチルチオウレア、トリメチルチ
オウレア等があげられる。チアジアゾール類としては、
2,5−ジメルカプト−１,３,４−チアジアゾール、2−メ
ルカプト−1,3,4−チアジアゾール―5―チオベンゾエー
ト等があげられる。メルカプトトリアジン類としては、
2,4,6−トリメルカプト−1,3,5−トリアジン、1−メト
キシ−3,5−ジメルカプトトリアジン、1−ヘキシルアミ
ノ−3,5−ジメルカプトトリアジン、1−ジエチルアミノ
−3,5−ジメルカプトトリアジン、1−シクロヘキサンア
ミノ−3,5−ジメルカプトトリアジン、1−ジブチルアミ
ノ−3,5−ジメルカプトトリアジン、2−アニリノ−4,6
−ジメルカプトトリアジン、1−フェニルアミノ−3,5−
ジメルカプトトリアジン等があげられる。キノキサリン
類としては、2,3-ジメルカプトキノキサリン誘導体等が
あげられ、2,3-ジメルカプトキノキサリン誘導体を例示
すると、キノキサリン-2,3-ジチオカーボネート、6-メ
チルキノキサリン-2,3-ジチオカーボネート、6-イソプ
ロピルキノキサリン-2,3-ジチオカーボネート、5,8-ジ
メチルキノキサリン-2,3-ジチオカーボネート等があげ
られる。有機過酸化物としては、tert−ブチルヒドロパ
ーオキサイド、p−メンタンヒドロパーオキサイド、ジ
クミルパーオキサイド、 tert−ブチルパーオキサイ
ド、1,3−ビス（tert−ブチルパーオキシイソプロピ
ル）ベンゼン、2,5−ジメチル−2,5−ジ（tert−ブチル
パーオキシ）ヘキサン、ベンゾイルパーオキサイド、te
rt−ブチルパーオキシベンゾエート等があげられる。モ
ルホリンポリスルフィド類としては、モルホリンジスル
フィド等があげられる。チオラムポリスルフィド類とし
ては、テトラメチルチウラムジスルフィド、テトラエチ
ルチウラムジスルフィド、テトラブチルチウラムジスル
フィド、N,N'−ジメチル−N,N'−ジフェニルチウラムジ
スルフィド、ジペンタンメチレンチウラムテトラスルフ
ィド、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド、ジ
ペンタメチレンチウラムヘキサスルフィド等をあげられ
る。
【００２１】これら加硫剤は、通常、ゴム成分１００重
量部に対して０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜
５重量部が用いられる。
量部に対して０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜
５重量部が用いられる。
【００２２】また、加硫剤と共に公知の促進剤（加硫促
進剤）および遅延剤を本発明による半導電性加硫ゴム用
組成物に添加することもできる。加硫促進剤の例として
は、塩基性シリカ、１級、２級、３級アミン、該アミン
の有機酸塩もしくはその付加物、アルデヒドアンモニア
系促進剤、アルデヒドアミン系促進剤、グアニジン系促
進剤、チアゾール系促進剤、スルフェンアミド系促進
剤、チウラム系促進剤およびジチオカルバミン酸系促進
剤、1、8-ジアザビシクロ（5,4,0）ウンデセン−７及び
その弱酸塩、1,5−ジアザビシクロ（4,3,0）ノネン−
5、6−ジブチルアミノ1,8−ジアザビシクロ（5,4,0）ウ
ンデセン−７及びその弱酸塩、第４級アンモニウム化合
物、の１種、もしくはこれらの２種以上の組わせであ
る。ただし、加硫促進剤はこれらに限定されない。
進剤）および遅延剤を本発明による半導電性加硫ゴム用
組成物に添加することもできる。加硫促進剤の例として
は、塩基性シリカ、１級、２級、３級アミン、該アミン
の有機酸塩もしくはその付加物、アルデヒドアンモニア
系促進剤、アルデヒドアミン系促進剤、グアニジン系促
進剤、チアゾール系促進剤、スルフェンアミド系促進
剤、チウラム系促進剤およびジチオカルバミン酸系促進
剤、1、8-ジアザビシクロ（5,4,0）ウンデセン−７及び
その弱酸塩、1,5−ジアザビシクロ（4,3,0）ノネン−
5、6−ジブチルアミノ1,8−ジアザビシクロ（5,4,0）ウ
ンデセン−７及びその弱酸塩、第４級アンモニウム化合
物、の１種、もしくはこれらの２種以上の組わせであ
る。ただし、加硫促進剤はこれらに限定されない。
【００２３】１級、２級、３級アミンとしては、特に炭
素数５〜２０の脂肪族または環式脂肪酸の第１、第２も
しくは第３アミンが好ましく、このようなアミンの代表
例は、n−ヘキシルアミン、オクチルアミン、ジブチル
アミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジ
（２−エチルヘキシル）アミン、ジシクロヘキシルアミ
ン、ヘキサメチレンジアミンなどである。
素数５〜２０の脂肪族または環式脂肪酸の第１、第２も
しくは第３アミンが好ましく、このようなアミンの代表
例は、n−ヘキシルアミン、オクチルアミン、ジブチル
アミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジ
（２−エチルヘキシル）アミン、ジシクロヘキシルアミ
ン、ヘキサメチレンジアミンなどである。
【００２４】上記アミンと塩を形成する有機酸として
は、カルボン酸、カルバミン酸、２−メルカプトベンゾ
チアゾール、ジチオ燐酸等が例示される。また上記アミ
ンと付加物を形成する物質としては、アルコール類、オ
キシム類等が例示される。アミンの有機酸塩もしくは付
加物の具体例としては、n−ブチルアミン・酢酸塩、ジ
ブチルアミン・オレイン酸塩、ヘキサメチレンジアミン
・カルバミン酸塩、２−メルカプトベンゾチアゾールの
ジシクロヘキシルアミン塩等が挙げられる。
は、カルボン酸、カルバミン酸、２−メルカプトベンゾ
チアゾール、ジチオ燐酸等が例示される。また上記アミ
ンと付加物を形成する物質としては、アルコール類、オ
キシム類等が例示される。アミンの有機酸塩もしくは付
加物の具体例としては、n−ブチルアミン・酢酸塩、ジ
ブチルアミン・オレイン酸塩、ヘキサメチレンジアミン
・カルバミン酸塩、２−メルカプトベンゾチアゾールの
ジシクロヘキシルアミン塩等が挙げられる。
【００２５】アルデヒドアンモニア系促進剤の例として
は、ヘキサメチレンテトラミン、アセトアルデヒドとア
ンモニアの反応生成物、等が挙げられる。アルデヒドア
ミン系促進剤の例としては、アミンと少なくとも１種の
炭素数１〜７のアルデヒドとの縮合生成物であり、この
ようなアミンの例としては、アニリン、ブチルアミン等
が挙げられる。これらのなかで、アニリンと少なくとも
１種の炭素数１〜７のアルデヒドとの縮合生成物が好ま
しい。具体例としては、アニリンとブチルアルデヒドの
縮合物、アニリンとヘプタアルデヒドの縮合物、アニリ
ンとアセトアルデヒドおよびブチルアルデヒドの縮合物
などがある。
は、ヘキサメチレンテトラミン、アセトアルデヒドとア
ンモニアの反応生成物、等が挙げられる。アルデヒドア
ミン系促進剤の例としては、アミンと少なくとも１種の
炭素数１〜７のアルデヒドとの縮合生成物であり、この
ようなアミンの例としては、アニリン、ブチルアミン等
が挙げられる。これらのなかで、アニリンと少なくとも
１種の炭素数１〜７のアルデヒドとの縮合生成物が好ま
しい。具体例としては、アニリンとブチルアルデヒドの
縮合物、アニリンとヘプタアルデヒドの縮合物、アニリ
ンとアセトアルデヒドおよびブチルアルデヒドの縮合物
などがある。
【００２６】グアニジン系促進剤の例としては、ジフェ
ニルグアニジン、ジトリルグアニジン等が挙げられる。
ニルグアニジン、ジトリルグアニジン等が挙げられる。
【００２７】チアゾール系促進剤の例としては、２―メ
ルカプトベンゾチアゾール、ジベンゾチアジルジスルフ
ィド、２―メルカプトベンゾチアゾールの亜鉛塩、等が
挙げられる。
ルカプトベンゾチアゾール、ジベンゾチアジルジスルフ
ィド、２―メルカプトベンゾチアゾールの亜鉛塩、等が
挙げられる。
【００２８】スルフェンアミド系加硫促進剤の具体例と
しては、Ｎ−エチル−２−ベンゾチアジルスルフェンア
ミド、Ｎ−ｔ−ブチル−２−ベンゾチアジルスルフェン
アミド、Ｎ,Ｎ−ジ−イソプロピル−２−ベンゾチアジ
ルスルフェンアミド、Ｎ,Ｎ−ジ−シクロヘキシル−２
−ベンゾチアジルスルフェンアミド、Ｎ−オキシ−ジ−
エチレン−２−ベンゾチアジルスルフェンアミドなどが
挙げられる。
しては、Ｎ−エチル−２−ベンゾチアジルスルフェンア
ミド、Ｎ−ｔ−ブチル−２−ベンゾチアジルスルフェン
アミド、Ｎ,Ｎ−ジ−イソプロピル−２−ベンゾチアジ
ルスルフェンアミド、Ｎ,Ｎ−ジ−シクロヘキシル−２
−ベンゾチアジルスルフェンアミド、Ｎ−オキシ−ジ−
エチレン−２−ベンゾチアジルスルフェンアミドなどが
挙げられる。
【００２９】チウラムの化合物の具体例としては、テト
ラメチルチウラムジスルフィド、テトラメチルチウラム
モノスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、
テトラブチルチウラムジスルフィド、ジペンタメチレン
チウラムテトラスルフィド等が挙げられる。
ラメチルチウラムジスルフィド、テトラメチルチウラム
モノスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、
テトラブチルチウラムジスルフィド、ジペンタメチレン
チウラムテトラスルフィド等が挙げられる。
【００３０】ジチオカルバミン酸系促進剤の例として
は、ペンタメチレンジチオカルバミン酸ピペリジン塩、
ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチルカルバミン
酸銅、等が挙げられる。
は、ペンタメチレンジチオカルバミン酸ピペリジン塩、
ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチルカルバミン
酸銅、等が挙げられる。
【００３１】上記促進剤は、無機充填剤、オイル、ポリ
マー等に予備分散させた形で使用しても良い。
マー等に予備分散させた形で使用しても良い。
【００３２】これらの加硫促進剤は単独で用いてもよい
し、２種類以上の組み合わせで用いてもよい。促進剤ま
たは遅延剤の量は、ゴム成分１００重量部に対して０〜
１０重量部、好ましくは０．１〜５重量部である。
し、２種類以上の組み合わせで用いてもよい。促進剤ま
たは遅延剤の量は、ゴム成分１００重量部に対して０〜
１０重量部、好ましくは０．１〜５重量部である。
【００３３】本発明の半導電性加硫ゴム用組成物におい
て用いられる受酸剤としては、周期表第ＩＩ族金属酸化
物、水酸化物、炭酸塩、カルボン酸塩、ケイ酸塩、ホウ
酸塩、亜リン酸塩、周期表第ＩＶ族金属の酸化物、塩基
性炭酸塩、塩基性カルボン酸塩、塩基性亜リン酸塩、塩
基性亜硫酸塩、三塩基性硫酸鉛等、および下記一般式
(Ｉ)で示される Mgx Zny AlZ (OH)2(x+y)+3Z-2 CO3・wH2O （ＩＩ） （但しx、yは0〜10、x+y=1〜10、zは1〜5、wは正の実数
を表す） 合成ハイドロタルサイト類等がある。
て用いられる受酸剤としては、周期表第ＩＩ族金属酸化
物、水酸化物、炭酸塩、カルボン酸塩、ケイ酸塩、ホウ
酸塩、亜リン酸塩、周期表第ＩＶ族金属の酸化物、塩基
性炭酸塩、塩基性カルボン酸塩、塩基性亜リン酸塩、塩
基性亜硫酸塩、三塩基性硫酸鉛等、および下記一般式
(Ｉ)で示される Mgx Zny AlZ (OH)2(x+y)+3Z-2 CO3・wH2O （ＩＩ） （但しx、yは0〜10、x+y=1〜10、zは1〜5、wは正の実数
を表す） 合成ハイドロタルサイト類等がある。
【００３４】受酸剤の具体的な例としては、マグネシ
ア、水酸化マグネシウム、水酸化バリウム、炭酸マグネ
シウム、炭酸バリウム、生石灰、消石灰、炭酸カルシウ
ム、ケイ酸カルシウム、ステアリン酸カルシウム、ステ
アリン酸亜鉛、フタル酸カルシウム、亜リン酸カルシウ
ム、酸化亜鉛、酸化錫、リサージ、鉛丹、鉛白、二塩基
性フタル酸鉛、二塩基性炭酸鉛、ステアリン酸錫、塩基
性亜リン酸鉛、塩基性亜リン酸錫、塩基性亜硫酸鉛、三
塩基性硫酸鉛、をあげることができる。さらに、合成ハ
イドロタルサイト類においては、例えば、 Mgx Aly (OH)2x+3y-2 CO3・wH2O （ＩＩＩ） （但しxは1〜10、yは1〜10、wは正の実数を表す）であ
ってよい。ハイドロタルサイト類を例示すれば、Ｍｇ
4.5Ａｌ2(ＯＨ)13ＣＯ3・3.5Ｈ2Ｏ、Ｍｇ4.5Ａｌ2(Ｏ
Ｈ)13ＣＯ3、Ｍｇ4Ａｌ2(ＯＨ)12ＣＯ3・3.5Ｈ2Ｏ、Ｍ
ｇ6Ａｌ2(ＯＨ)16ＣＯ3・4Ｈ2Ｏ、Ｍｇ3Ａｌ2(ＯＨ)10
ＣＯ3・1.7Ｈ2Ｏ等を挙げることができる。受酸剤の量
は、ゴム成分１００重量部に対して０．５〜５０重量
部、好ましくは１〜２０重量部であり、１種または２種
以上を組み合わせて用いることもできる。
ア、水酸化マグネシウム、水酸化バリウム、炭酸マグネ
シウム、炭酸バリウム、生石灰、消石灰、炭酸カルシウ
ム、ケイ酸カルシウム、ステアリン酸カルシウム、ステ
アリン酸亜鉛、フタル酸カルシウム、亜リン酸カルシウ
ム、酸化亜鉛、酸化錫、リサージ、鉛丹、鉛白、二塩基
性フタル酸鉛、二塩基性炭酸鉛、ステアリン酸錫、塩基
性亜リン酸鉛、塩基性亜リン酸錫、塩基性亜硫酸鉛、三
塩基性硫酸鉛、をあげることができる。さらに、合成ハ
イドロタルサイト類においては、例えば、 Mgx Aly (OH)2x+3y-2 CO3・wH2O （ＩＩＩ） （但しxは1〜10、yは1〜10、wは正の実数を表す）であ
ってよい。ハイドロタルサイト類を例示すれば、Ｍｇ
4.5Ａｌ2(ＯＨ)13ＣＯ3・3.5Ｈ2Ｏ、Ｍｇ4.5Ａｌ2(Ｏ
Ｈ)13ＣＯ3、Ｍｇ4Ａｌ2(ＯＨ)12ＣＯ3・3.5Ｈ2Ｏ、Ｍ
ｇ6Ａｌ2(ＯＨ)16ＣＯ3・4Ｈ2Ｏ、Ｍｇ3Ａｌ2(ＯＨ)10
ＣＯ3・1.7Ｈ2Ｏ等を挙げることができる。受酸剤の量
は、ゴム成分１００重量部に対して０．５〜５０重量
部、好ましくは１〜２０重量部であり、１種または２種
以上を組み合わせて用いることもできる。
【００３５】また、本発明の半導電性加硫ゴム用組成物
は、他の添加剤、例えば滑剤、老化防止剤、充填剤、補
強剤、可塑剤、加工助剤、難燃剤、顔料等を任意に配合
できる。更に本発明の特性が失われない範囲で、当該技
術分野で通常行われているゴム、樹脂等とのブレンドを
行うことも可能である。本発明に用いられるゴムを例示
すれば、ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、
イソプレンゴム、天然ゴム、アクリロニトリル−ブタジ
エンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン−イソプレン
ゴム、エチレン−プロピレン−ジエンゴム、クロロプレ
ンゴム等が挙げられ、また樹脂を例示すれば、PMMA（ポ
リメタクリル酸メチル）樹脂、PS（ポリスチレン）樹
脂、、PUR（ポリウレタン）樹脂、PVC（ポリ塩化ビニ
ル）樹脂、EVA（エチレン/酢酸ビニル）樹脂、AS（スチ
レン/アクリロニトリル）樹脂、PE（ポリエチレン）樹
脂、CPE（塩素化ポリエチレン）樹脂等が挙げられる。
上記ゴムや樹脂のブレンド比は、ゴム成分１００重量部
に対して、３〜５０重量部、例えば３〜３０重量部であ
り、１種または２種以上を組み合わせて用いることもで
きる。
は、他の添加剤、例えば滑剤、老化防止剤、充填剤、補
強剤、可塑剤、加工助剤、難燃剤、顔料等を任意に配合
できる。更に本発明の特性が失われない範囲で、当該技
術分野で通常行われているゴム、樹脂等とのブレンドを
行うことも可能である。本発明に用いられるゴムを例示
すれば、ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、
イソプレンゴム、天然ゴム、アクリロニトリル−ブタジ
エンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン−イソプレン
ゴム、エチレン−プロピレン−ジエンゴム、クロロプレ
ンゴム等が挙げられ、また樹脂を例示すれば、PMMA（ポ
リメタクリル酸メチル）樹脂、PS（ポリスチレン）樹
脂、、PUR（ポリウレタン）樹脂、PVC（ポリ塩化ビニ
ル）樹脂、EVA（エチレン/酢酸ビニル）樹脂、AS（スチ
レン/アクリロニトリル）樹脂、PE（ポリエチレン）樹
脂、CPE（塩素化ポリエチレン）樹脂等が挙げられる。
上記ゴムや樹脂のブレンド比は、ゴム成分１００重量部
に対して、３〜５０重量部、例えば３〜３０重量部であ
り、１種または２種以上を組み合わせて用いることもで
きる。
【００３６】更に、本発明の半導電性加硫ゴム用組成物
において、導電付与剤として、アルカリ金属塩やアルカ
リ土類金属塩などの金属塩、カチオン種が一般式（Ｉ
Ｖ）で表され、
において、導電付与剤として、アルカリ金属塩やアルカ
リ土類金属塩などの金属塩、カチオン種が一般式（Ｉ
Ｖ）で表され、
【化４】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ同一または
異なって、炭素数１〜１８のアルキル基、アルケニル
基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基ある
いは主鎖がポリオキシエチレン鎖もしくはポリオキシプ
ロピレン鎖で、末端にアルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、水酸基を有
する基である。）
異なって、炭素数１〜１８のアルキル基、アルケニル
基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基ある
いは主鎖がポリオキシエチレン鎖もしくはポリオキシプ
ロピレン鎖で、末端にアルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、水酸基を有
する基である。）
【００３７】アニオン種が過塩素酸イオンのような無機
酸イオン、または、塩化物イオンのようなハロゲンイオ
ンなどを有した第四級アンモニウム塩などを任意に添加
してよい。これら導電付与剤となる塩において、カチオ
ン種としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、
Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａや遷移金属であるＦｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＡｇ金属の陽イオンや、テ
トラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、
テトラブチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウ
ム、ラウリルトリメチルアンモニウム、ステアリルトリ
メチルアンモニウム、オクタデシルトリメチルアンモニ
ウム、ドデシルトリメチルアンモニウム、トリメチルフ
ェニルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウ
ム、トリメチル２−（２−メトキシエトキシ）エチルア
ンモニウム、トリメチル２−（２−メトキシプロキシ）
エチルアンモニウム、ジメチルオクチル２−（２−ヒド
ロキシエトキシ）エチルアンモニウム、ジメチルドデシ
ル２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチルアンモニウ
ム、ジメチルオクタデシル２−（２−ヒドロキシエトキ
シ）エチルアンモニウム等の第四級アンモニウムイオ
ン、テトラメチルホスホニウム、トリエチルメチルホス
ホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラプロピル
ホスホニウム、テトラブチルホスホニウム等のホスホニ
ウムイオンが挙げられる。また、アニオン種としては、
例えば、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、酢酸
イオン、硫酸イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イ
オン、テトラフルオロホウ素酸イオン、硝酸イオン、Ａ
ｓＦ６−、ＰＦ６−、ステアリルスルホン酸イオン、オ
クチルスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸
イオン、ナフタレンスルホン酸イオン、ドデシルナフタ
レンスルホン酸イオン等が挙げられ、これら任意の組み
合わせから選ばれた化合物が導電付与剤として挙げられ
る。導電付与剤の量は、ゴム成分１００重量部に対して
０〜１０重量部、例えば０〜５重量部である。
酸イオン、または、塩化物イオンのようなハロゲンイオ
ンなどを有した第四級アンモニウム塩などを任意に添加
してよい。これら導電付与剤となる塩において、カチオ
ン種としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、
Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａや遷移金属であるＦｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＡｇ金属の陽イオンや、テ
トラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、
テトラブチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウ
ム、ラウリルトリメチルアンモニウム、ステアリルトリ
メチルアンモニウム、オクタデシルトリメチルアンモニ
ウム、ドデシルトリメチルアンモニウム、トリメチルフ
ェニルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウ
ム、トリメチル２−（２−メトキシエトキシ）エチルア
ンモニウム、トリメチル２−（２−メトキシプロキシ）
エチルアンモニウム、ジメチルオクチル２−（２−ヒド
ロキシエトキシ）エチルアンモニウム、ジメチルドデシ
ル２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチルアンモニウ
ム、ジメチルオクタデシル２−（２−ヒドロキシエトキ
シ）エチルアンモニウム等の第四級アンモニウムイオ
ン、テトラメチルホスホニウム、トリエチルメチルホス
ホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラプロピル
ホスホニウム、テトラブチルホスホニウム等のホスホニ
ウムイオンが挙げられる。また、アニオン種としては、
例えば、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、酢酸
イオン、硫酸イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イ
オン、テトラフルオロホウ素酸イオン、硝酸イオン、Ａ
ｓＦ６−、ＰＦ６−、ステアリルスルホン酸イオン、オ
クチルスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸
イオン、ナフタレンスルホン酸イオン、ドデシルナフタ
レンスルホン酸イオン等が挙げられ、これら任意の組み
合わせから選ばれた化合物が導電付与剤として挙げられ
る。導電付与剤の量は、ゴム成分１００重量部に対して
０〜１０重量部、例えば０〜５重量部である。
【００３８】本発明の組成物の配合方法としては、従来
ポリマー加工の分野において利用されている任意の手
段、例えばミキシングロール、バンバリーミキサー、各
種ニーダー類等を利用することができる。
ポリマー加工の分野において利用されている任意の手
段、例えばミキシングロール、バンバリーミキサー、各
種ニーダー類等を利用することができる。
【００３９】本発明の半導電性加硫ゴム材料は、通常１
００〜２５０℃に加熱することで加硫物とすることがで
きる。加硫時間は温度によって異なるが、０．５〜３０
０分の間で行われるのが普通である。加硫成型の方法と
しては、金型による圧縮成型、射出成型、スチーム缶、
エアーバス、赤外線、あるいはマイクロウェーブによる
加熱等任意の方法を用いることができる。
００〜２５０℃に加熱することで加硫物とすることがで
きる。加硫時間は温度によって異なるが、０．５〜３０
０分の間で行われるのが普通である。加硫成型の方法と
しては、金型による圧縮成型、射出成型、スチーム缶、
エアーバス、赤外線、あるいはマイクロウェーブによる
加熱等任意の方法を用いることができる。
【００４０】本発明の半導電性加硫ゴム材料は、電気抵
抗性が低いためコピー機、プリンター等に使用される電
子写真用プロセスの現像、帯電、転写などの半導電性ロ
ーラや半導電性ベルト等に好適に用いることができる。
抗性が低いためコピー機、プリンター等に使用される電
子写真用プロセスの現像、帯電、転写などの半導電性ロ
ーラや半導電性ベルト等に好適に用いることができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下実施例、比較例により本発明
を具体的に説明するが、実施例は本発明を限定するもの
ではない。
を具体的に説明するが、実施例は本発明を限定するもの
ではない。
【００４２】
【実施例】（実施例１〜７）有機錫−リン酸エステル縮
合物触媒系触媒により表１の三元共重合体ゴム（１）、
（２）、（３）を重合した。エピクロルヒドリン系重合
体ゴム（４）、（５）、（６）はダイソー（株）製のゴ
ムである。 （４）エピクロマー Ｈ （５）エピクロマー Ｃ （６）エピクロマー ＣＧ−１０２
合物触媒系触媒により表１の三元共重合体ゴム（１）、
（２）、（３）を重合した。エピクロルヒドリン系重合
体ゴム（４）、（５）、（６）はダイソー（株）製のゴ
ムである。 （４）エピクロマー Ｈ （５）エピクロマー Ｃ （６）エピクロマー ＣＧ−１０２
【００４３】表１の各種重合体ゴムを他の配合剤と共に
表２に示す各配合組成で、７０℃に調整したオープンロ
ールで混練り配合し、更に１７０℃×１５分プレス加硫
して、２mm厚の加硫シートを得た。同シートの硬度およ
び体積抵抗率を測定し結果を表３に示す。
表２に示す各配合組成で、７０℃に調整したオープンロ
ールで混練り配合し、更に１７０℃×１５分プレス加硫
して、２mm厚の加硫シートを得た。同シートの硬度およ
び体積抵抗率を測定し結果を表３に示す。
【００４４】・硬度測定
ＪＩＳ Ｋ６２５１に基づき表面硬度を測定した。
【００４５】・体積抵抗率の測定
加硫ゴムシート（厚さ２mm）および絶縁抵抗計（三菱油
化（株）製 ハイレスタHP）を１０℃×１５%RH、２３
℃×５０%RH、３０℃×８０%RHのそれぞれの環境条件下
に設定した恒温恒湿槽中に入れ、２４時間以上放置した
後、１０V印可し、１分後の値を読みとった。
化（株）製 ハイレスタHP）を１０℃×１５%RH、２３
℃×５０%RH、３０℃×８０%RHのそれぞれの環境条件下
に設定した恒温恒湿槽中に入れ、２４時間以上放置した
後、１０V印可し、１分後の値を読みとった。
【００４６】（比較例１〜３）表１に示すエピクロルヒ
ドリン系重合体ゴムと表４に示す各配合物とを用いた以
外は、実施例１〜７と同様に行った。同シートの硬度お
よび体積抵抗率を測定し結果を表５に示す。
ドリン系重合体ゴムと表４に示す各配合物とを用いた以
外は、実施例１〜７と同様に行った。同シートの硬度お
よび体積抵抗率を測定し結果を表５に示す。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】
【表３】
【００５０】
【表４】
【００５１】
【表５】
【００５２】
【発明の効果】本発明の導電性加硫ゴム用組成物は、従
来の中電気抵抗エピクロルヒドリン系重合体ゴムより更
に低電気抵抗を有し、本発明より得られる半導電性加硫
ゴム材料は、コピー機、プリンター等の半導電性ゴムロ
ール、半導電性無端ベルト等に非常に有用である。 ９
来の中電気抵抗エピクロルヒドリン系重合体ゴムより更
に低電気抵抗を有し、本発明より得られる半導電性加硫
ゴム材料は、コピー機、プリンター等の半導電性ゴムロ
ール、半導電性無端ベルト等に非常に有用である。 ９
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０３Ｇ 15/02 １０１ Ｇ０３Ｇ 15/02 １０１
15/08 ５０１ 15/08 ５０１Ｄ
15/16 15/16
１０３ １０３
// Ｂ２９Ｋ 19:00 Ｂ２９Ｋ 19:00
105:24 105:24
Ｂ２９Ｌ 29:00 Ｂ２９Ｌ 29:00
31:32 31:32
(72)発明者 的場 康夫
大阪府大阪市西区江戸堀１丁目10番８号
ダイソー株式会社内
(72)発明者 服部 弘一
大阪府大阪市西区江戸堀１丁目10番８号
ダイソー株式会社内
Ｆターム(参考） 2H071 BA42 BA43 DA06 DA08 DA09
2H077 AD02 AD06 AD07 FA22 FA25
GA02
2H200 FA01 FA08 FA09 FA13 HA02
HA28 HB12 HB13 HB22 HB45
HB46 HB47 JA02 JA25 JA26
JA27 JB06 JB45 JB46 JB47
JC02 JC03 JC15 JC16 JC17
LC03 LC09 MA03 MA11 MA13
MA17 MA20 MB02 MB04 MC02
MC18
4F203 AA45 AB13 AE03 AH04 AH12
DA11 DB01 DC01 DF01
4J002 CH02W CH04X FD010 FD110
FD146 FD150 GM00 GM01
GQ00
Claims (7)
- 【請求項１】 下記、（１）〜（３）成分からなる三元
共重合体（Ａ）１００〜５重量部とエピクロ ルヒドリ
ン系重合体ゴム（Ｂ）０〜９５重量部とを含むことを特
徴とする半導電性加硫ゴム用組成物。 （１）一般式（Ｉ）で表される単量体、 【化１】 （２）アルキレンオキサイド、（３）アリルグリシジル
エーテル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシ
ジルから選ばれるエチレン性不飽和基含有モノマー - 【請求項２】 （２）アルキレンオキサイドがエチレン
オキサイドであり、（３）エチレン性不飽和基含有モノ
マーがアリルグリシジルエーテルであることを特徴とす
る請求項１に記載の半導電性加硫ゴム用組成物。 - 【請求項３】 三元共重合体（Ａ）の単量体成分（１）
が一般式（Ｉ）においてｎが２〜７であり、 かつ単量
体成分（１）が２ｍｏｌ％〜４０ｍｏｌ％、エチレンオ
キサイド成分（２）が５０ｍｏｌ％〜９ ７ｍｏｌ％、
アリルグリシジルエーテル成分（３）が１ｍｏｌ％〜１
０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１または２に
記載の半導電性加硫ゴム用組成物。 - 【請求項４】 エピクロルヒドリン系重合体ゴム（Ｂ）
が、エピクロルヒドリン単独重合体（ａ）、エピクロル
ヒドリン−エチレンオキサイド共重合体（ｂ）、エピク
ロルヒドリン−アリルグリシジルエーテル共重合体
（ｃ）、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−ア
リルグリシジルエーテル三元共重合体（ｄ）から選ばれ
た少なくとも１種の重合体を含むゴムであることを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導電性加硫ゴ
ム用組成物。 - 【請求項５】 エピクロルヒドリン−エチレンオキサイ
ド共重合体（ｂ）のエピクロルヒドリン成分が２０ｍｏ
ｌ％〜７０ｍｏｌ％、エチレンオキサイド成分が３０ｍ
ｏｌ％〜８０ｍｏｌ％であり、エピクロルヒドリン−ア
リルグリシジルエーテル共重合体（ｃ）のエピクロルヒ
ドリン成分が８５ｍｏｌ％〜９９ｍｏｌ％、アリルグリ
シジルエーテル成分が１ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％であ
り、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリル
グリシジルエーテル三元共重合体（ｄ）のエピクロルヒ
ドリン成分が２０ｍｏｌ％〜６５ｍｏｌ％、エチレンオ
キサイド成分が２０ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％、アリルグ
リシジルエーテル成分が１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％であ
ることを特徴とする請求項４に記載の半導電性加硫ゴム
用組成物。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の半導電
性加硫ゴム用組成物を加硫してなる半導電性加硫ゴム材
料。 - 【請求項７】 請求項６に記載の半導電性加硫ゴム材料
よりなる半導電ゴムロールまたは半導電性無端ベルト。
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| JP2001247395A JP5093636B2 (ja) | 2001-08-16 | 2001-08-16 | 半導電性加硫ゴム用組成物 |
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