JP2003049264A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003049264A5 JP2003049264A5 JP2001264741A JP2001264741A JP2003049264A5 JP 2003049264 A5 JP2003049264 A5 JP 2003049264A5 JP 2001264741 A JP2001264741 A JP 2001264741A JP 2001264741 A JP2001264741 A JP 2001264741A JP 2003049264 A5 JP2003049264 A5 JP 2003049264A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- tungsten
- target according
- less
- sputtered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 16
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 15
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264741A JP4945037B2 (ja) | 2000-09-07 | 2001-08-31 | タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000270998 | 2000-09-07 | ||
| JP2000-270998 | 2000-09-07 | ||
| JP2000270998 | 2000-09-07 | ||
| JP2001-161617 | 2001-05-30 | ||
| JP2001161617 | 2001-05-30 | ||
| JP2001161617 | 2001-05-30 | ||
| JP2001264741A JP4945037B2 (ja) | 2000-09-07 | 2001-08-31 | タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011277559A Division JP5562929B2 (ja) | 2000-09-07 | 2011-12-19 | タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2011277558A Division JP5562928B2 (ja) | 2000-09-07 | 2011-12-19 | タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2011277560A Division JP5675577B2 (ja) | 2000-09-07 | 2011-12-19 | タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003049264A JP2003049264A (ja) | 2003-02-21 |
| JP2003049264A5 true JP2003049264A5 (enExample) | 2008-08-28 |
| JP4945037B2 JP4945037B2 (ja) | 2012-06-06 |
Family
ID=27344566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001264741A Expired - Lifetime JP4945037B2 (ja) | 2000-09-07 | 2001-08-31 | タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4945037B2 (enExample) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100994663B1 (ko) | 2005-10-04 | 2010-11-16 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃 |
| WO2007052743A1 (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| US20070215463A1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Applied Materials, Inc. | Pre-conditioning a sputtering target prior to sputtering |
| JP4885065B2 (ja) * | 2007-06-11 | 2012-02-29 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スッパタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法 |
| WO2009147900A1 (ja) | 2008-06-02 | 2009-12-10 | 日鉱金属株式会社 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット |
| KR101078630B1 (ko) * | 2009-04-17 | 2011-11-01 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 반도체 배선용 배리어막, 소결체 스퍼터링 타겟 및 스퍼터링 타겟의 제조 방법 |
| KR101273021B1 (ko) * | 2009-08-12 | 2013-06-10 | 가부시키가이샤 아루박 | 스퍼터링 타겟의 제조 방법 및 스퍼터링 타겟 |
| US9388489B2 (en) | 2010-09-29 | 2016-07-12 | Ulvac, Inc. | Tungsten target and method for producing same |
| WO2014046040A1 (ja) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| KR20180085059A (ko) * | 2014-03-31 | 2018-07-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 스퍼터링 타깃의 제조 방법 및 스퍼터링 타깃 |
| US11313019B2 (en) | 2015-12-23 | 2022-04-26 | Norsk Hydro Asa | Method for producing a heat treatable aluminum alloy with improved mechanical properties |
| CN108607943A (zh) * | 2016-12-09 | 2018-10-02 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 锻造方法及靶材的形成方法 |
| JP2020143359A (ja) * | 2019-03-08 | 2020-09-10 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット部材の製造方法及びスパッタリングターゲット部材 |
| CN115740452B (zh) * | 2022-11-09 | 2024-11-22 | 有研亿金新材料(山东)有限公司 | 一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04160104A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-03 | Hitachi Metals Ltd | タングステンターゲットの製造方法 |
| JPH0593267A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Hitachi Metals Ltd | 半導体用タングステンターゲツトおよびその製造方法 |
| JP3280054B2 (ja) * | 1992-02-10 | 2002-04-30 | 日立金属株式会社 | 半導体用タングステンターゲットの製造方法 |
| JP2646058B2 (ja) * | 1993-01-29 | 1997-08-25 | 東京タングステン株式会社 | スパッターターゲット材及びその製造方法 |
| JPH0776771A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Japan Energy Corp | タングステンスパッタリングターゲット |
| JP3112804B2 (ja) * | 1995-03-13 | 2000-11-27 | セントラル硝子株式会社 | 半導体用タングステンターゲット |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001264741A patent/JP4945037B2/ja not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003049264A5 (enExample) | ||
| TWI464839B (zh) | 單層鑽石顆粒散熱器及其相關方法 | |
| CN111357100B (zh) | 散热板及其制造方法 | |
| JP5952272B2 (ja) | モリブデンを含有したターゲット | |
| JP5562929B2 (ja) | タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| TWI633637B (zh) | 放熱板及其製造方法、以及具備其的半導體封裝與半導體模組 | |
| JPS5819428B2 (ja) | 研摩用物体及びその製造方法 | |
| TW200947643A (en) | Heat sink and method for producing a heat sink | |
| JP2004249589A (ja) | 銅−モリブデン複合材料およびそれを用いたヒートシンク | |
| JP2860037B2 (ja) | 半導体装置用放熱基板の製造方法 | |
| JP2021046610A5 (enExample) | ||
| JP4945037B2 (ja) | タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2019135443A (ja) | 放熱装置 | |
| JP6466541B2 (ja) | 放熱ユニットの製造方法 | |
| JP3818102B2 (ja) | 放熱基板とその製造方法及び半導体装置 | |
| JP7087229B2 (ja) | コーティング源 | |
| CN116851742A (zh) | 一种铜基纳米碳化物金刚石复合材料及其制备方法 | |
| JPH0677365A (ja) | 放熱基板材料 | |
| JP2004009681A (ja) | 積層体の製造方法、それに用いる金型および金型の製造方法 | |
| CN114710847B (zh) | 半导体芯片封测用电子陶瓷加热器及其制备方法 | |
| US20250389027A1 (en) | Direct diffusion bonding of materials with surface treatment | |
| JPS58211861A (ja) | 研摩本体 | |
| JPS62292261A (ja) | 硬ろう付法 | |
| JP7630771B2 (ja) | 放熱板および半導体パッケージ | |
| JPS6054362B2 (ja) | 複合焼結体工具 |