JPH0677365A - 放熱基板材料 - Google Patents
放熱基板材料Info
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- JPH0677365A JPH0677365A JP4252095A JP25209592A JPH0677365A JP H0677365 A JPH0677365 A JP H0677365A JP 4252095 A JP4252095 A JP 4252095A JP 25209592 A JP25209592 A JP 25209592A JP H0677365 A JPH0677365 A JP H0677365A
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- JP
- Japan
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- sheet
- copper
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- metal
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 良好な熱伝導率、塑性加工性及び機械加工性
を備えた半導体素子搭載用の放熱用基板材料を提供す
る。 【構成】 銅、銅−タングステンまたは銅−モリブデン
でつくられた金属板１と、モリブデンまたはタングステ
ンの金属細線を編んだ金属網２とを重ね合わせて一体化
してなる放熱基板用材料。
を備えた半導体素子搭載用の放熱用基板材料を提供す
る。 【構成】 銅、銅−タングステンまたは銅−モリブデン
でつくられた金属板１と、モリブデンまたはタングステ
ンの金属細線を編んだ金属網２とを重ね合わせて一体化
してなる放熱基板用材料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を搭載する
ための放熱用基板材料に関し、より詳しくは、線膨張係
数が半導体素子（一般的にはＳｉ、ＧａＡｓ等が使用さ
れる）のそれに近似するとともに、良好な熱伝導率、塑
性加工性及び機械加工性を備えた放熱用基板材料に関す
るものである。
ための放熱用基板材料に関し、より詳しくは、線膨張係
数が半導体素子（一般的にはＳｉ、ＧａＡｓ等が使用さ
れる）のそれに近似するとともに、良好な熱伝導率、塑
性加工性及び機械加工性を備えた放熱用基板材料に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩ，ＶＬＳＩ，ダイオード等
に使われる各種の基板は、使用中の発熱によって昇温す
るので、性能を劣化させないよう、これを如何に冷却す
るかが重要な課題となっている。これを解決すべく、一
般には各種基板に金属製放熱基板材料を接合して放熱を
行う冷却方法が採用されている。この種の半導体搭載用
放熱基板材料には良好な熱伝導性が要求されるが、これ
に加えて線膨張係数が半導体素子および他のパッケージ
構成材料や回路基板のそれに近似している事、更に塑性
加工性や機械加工性が良く安価に製造出来る事も欠かせ
ない特性とされる。放熱基板に求められる上記要求特性
を一応は満たす材料として、Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金，Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合金，Ａｌ，Ｓｉ等の単体部
材を組み立てたもの、及びこれら単体材料の複合体が知
られている。前記単体の組立材は、各部材間の熱膨張係
数差により接触面積を大きく出来ないため、熱抵抗を一
定レベル以下に出来ず、設計、製造にも制約を受けると
いう問題点がある。
に使われる各種の基板は、使用中の発熱によって昇温す
るので、性能を劣化させないよう、これを如何に冷却す
るかが重要な課題となっている。これを解決すべく、一
般には各種基板に金属製放熱基板材料を接合して放熱を
行う冷却方法が採用されている。この種の半導体搭載用
放熱基板材料には良好な熱伝導性が要求されるが、これ
に加えて線膨張係数が半導体素子および他のパッケージ
構成材料や回路基板のそれに近似している事、更に塑性
加工性や機械加工性が良く安価に製造出来る事も欠かせ
ない特性とされる。放熱基板に求められる上記要求特性
を一応は満たす材料として、Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金，Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合金，Ａｌ，Ｓｉ等の単体部
材を組み立てたもの、及びこれら単体材料の複合体が知
られている。前記単体の組立材は、各部材間の熱膨張係
数差により接触面積を大きく出来ないため、熱抵抗を一
定レベル以下に出来ず、設計、製造にも制約を受けると
いう問題点がある。
【０００３】このため、単体の複合体が一般に使われて
いるが、複合体にも以下のような問題がある。上記複合
体の製造には、主として「板クラッド法」と「粉末焼結
法」とが採用されており、このうち板クラッド法は、熱
伝導率が大きくかつ熱膨張係数の大きな材料（例えばＣ
ｕ等）と、熱伝導率が小さくかつ線膨張係数が小さい材
料（例えばＮｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合金等）
との組合わせによる多層の板状素材を積層圧接する方法
であり、複合体の工業的な量産が可能で比較的安価で大
面積の基板を得る事が出来る反面、複合体の特性に異方
性が生じ、しかも接合が困難である等の問題がある。即
ちクラッド板複合体は板面方向の熱伝導性は良好である
が、板厚方向には悪い。又線膨張係数も板面方向には低
いが板厚方向には高くなる。従って回路組立の際に搭載
された素子にクラックや剥離が生じたり、リ−クして半
導体そのものの機能や寿命を落とす懸念がある。
いるが、複合体にも以下のような問題がある。上記複合
体の製造には、主として「板クラッド法」と「粉末焼結
法」とが採用されており、このうち板クラッド法は、熱
伝導率が大きくかつ熱膨張係数の大きな材料（例えばＣ
ｕ等）と、熱伝導率が小さくかつ線膨張係数が小さい材
料（例えばＮｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合金等）
との組合わせによる多層の板状素材を積層圧接する方法
であり、複合体の工業的な量産が可能で比較的安価で大
面積の基板を得る事が出来る反面、複合体の特性に異方
性が生じ、しかも接合が困難である等の問題がある。即
ちクラッド板複合体は板面方向の熱伝導性は良好である
が、板厚方向には悪い。又線膨張係数も板面方向には低
いが板厚方向には高くなる。従って回路組立の際に搭載
された素子にクラックや剥離が生じたり、リ−クして半
導体そのものの機能や寿命を落とす懸念がある。
【０００４】一方、粉末焼結法には、混合焼結法と溶浸
法があり、前者は複合化しようとする金属粉末（例えば
Ｃｕ，Ｗ）を混合して、加圧成形した後、焼結して固め
る方法であり、同一のＣｕ含有率であれば溶浸法のもの
より線膨張係数が大きくなるという好ましくない傾向が
ある。
法があり、前者は複合化しようとする金属粉末（例えば
Ｃｕ，Ｗ）を混合して、加圧成形した後、焼結して固め
る方法であり、同一のＣｕ含有率であれば溶浸法のもの
より線膨張係数が大きくなるという好ましくない傾向が
ある。
【０００５】後者は、Ｗ粉末をプレス成形して焼結する
ことにより、微細な空孔が均一にかつ開放して分布した
多孔質体のスケルトンを形成した後、この多孔質体に溶
融Ｃｕを含浸させる方法であり、この方法で得られる複
合体は、ＷスケルトンがＣｕの熱膨張を拘束するため、
好適な線膨張係数の実現が可能である。このため、放熱
基板として用いられるＣｕ−Ｗ複合体は、好ましい熱膨
張と、高熱伝導性を有する製品の実現に有利な「溶浸
法」で製造されるのが一般的であるが、この方法は、コ
ストが高く、しかも加工性が悪いため用途面で制約を受
ける。
ことにより、微細な空孔が均一にかつ開放して分布した
多孔質体のスケルトンを形成した後、この多孔質体に溶
融Ｃｕを含浸させる方法であり、この方法で得られる複
合体は、ＷスケルトンがＣｕの熱膨張を拘束するため、
好適な線膨張係数の実現が可能である。このため、放熱
基板として用いられるＣｕ−Ｗ複合体は、好ましい熱膨
張と、高熱伝導性を有する製品の実現に有利な「溶浸
法」で製造されるのが一般的であるが、この方法は、コ
ストが高く、しかも加工性が悪いため用途面で制約を受
ける。
【０００６】以上に述べたように、従来知られていた放
熱用基板材料の中、板クラッド材は量産が可能で、安価
に大面積の基板を得る事が出来るが、熱伝導率、熱膨張
率の異方性が大きいという問題があり、粉末焼結材は熱
伝導率及び熱膨張率には異方性がなく、特性的に好適な
ものが得易いが、難加工性で製造コストが高くなるた
め、両者共必ずしも満足できる放熱基板材料とは言えな
かった。
熱用基板材料の中、板クラッド材は量産が可能で、安価
に大面積の基板を得る事が出来るが、熱伝導率、熱膨張
率の異方性が大きいという問題があり、粉末焼結材は熱
伝導率及び熱膨張率には異方性がなく、特性的に好適な
ものが得易いが、難加工性で製造コストが高くなるた
め、両者共必ずしも満足できる放熱基板材料とは言えな
かった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、良好
な塑性加工性、機械加工性および熱伝導率を備え、しか
も熱伝導率、熱膨張率の異方性を極力抑えた放熱基板材
料を提供することを課題としている。
な塑性加工性、機械加工性および熱伝導率を備え、しか
も熱伝導率、熱膨張率の異方性を極力抑えた放熱基板材
料を提供することを課題としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次のような構成を採用した。すなわち、本
発明にかかる放熱基板材料は、銅、銅−タングステンま
たは銅−モリブデンでつくられた金属板と、モリブデン
またはタングステンの金属細線を編んだ金属網とを重ね
合わせて一体化してなる。金属板として用いる銅板は、
無酸素銅板が好ましい。また、金属板として、銅−タン
グステン合金（Ｃｕ−Ｗ）または銅−モリブデン合金
（Ｃｕ−Ｍｏ）を用いる場合は、銅（Ｃｕ）を４０％
（重量％、以下同じ）以上含有するものが、冷間又は熱
間で良好な塑性加工性を示すので好ましい。特に、銅−
タングステン合金の場合は、銅の含有量が４５％以上で
あるのが好ましい。なお、銅の含有量の上限は、９９％
程度まで可能である。
め、本発明は次のような構成を採用した。すなわち、本
発明にかかる放熱基板材料は、銅、銅−タングステンま
たは銅−モリブデンでつくられた金属板と、モリブデン
またはタングステンの金属細線を編んだ金属網とを重ね
合わせて一体化してなる。金属板として用いる銅板は、
無酸素銅板が好ましい。また、金属板として、銅−タン
グステン合金（Ｃｕ−Ｗ）または銅−モリブデン合金
（Ｃｕ−Ｍｏ）を用いる場合は、銅（Ｃｕ）を４０％
（重量％、以下同じ）以上含有するものが、冷間又は熱
間で良好な塑性加工性を示すので好ましい。特に、銅−
タングステン合金の場合は、銅の含有量が４５％以上で
あるのが好ましい。なお、銅の含有量の上限は、９９％
程度まで可能である。
【０００９】金属網はＭｏ線又はＷ線を網に編んで形成
されるもので、このＭｏ網又はＷ網と上記Ｃｕ板または
Ｃｕを４０ｗｔ％以上含有するＣｕ−Ｗ板又はＣｕ−Ｍ
０板とを重ね合わせて加熱、圧延して金属板と金属網と
が一体化した積層板となす。図１は圧延前の積層状態
を、図２は圧延後の積層状態をそれぞれ摸式的に表すも
のである。図２に示す如く、圧延により金属板１，１と
金属網２とが密着し一体化する。
されるもので、このＭｏ網又はＷ網と上記Ｃｕ板または
Ｃｕを４０ｗｔ％以上含有するＣｕ−Ｗ板又はＣｕ−Ｍ
０板とを重ね合わせて加熱、圧延して金属板と金属網と
が一体化した積層板となす。図１は圧延前の積層状態
を、図２は圧延後の積層状態をそれぞれ摸式的に表すも
のである。図２に示す如く、圧延により金属板１，１と
金属網２とが密着し一体化する。
【００１０】積層板の熱膨張率を所定の値に制御するた
めには、単位面積当りの網重量とＣｕ，Ｃｕ−Ｗ，Ｃｕ
−Ｍｏ板のＣｕ含有量及び板厚との関係を、予め実験的
に確認された結果に基づいて調節すればよい。図３、図
４は金属網の量と得られる積層板の熱膨張係数の関係を
表す。例えば、Ｃｕ板とＭｏ網の組み合わせでは、Ｃｕ
板１重量部に対しＭｏ網を２〜４重量部とするのが適当
である。また、Ｃｕ−Ｗ合金板またはＣｕ−Ｍｏ合金板
とＭｏ網の場合は、Ｃｕ−Ｗ合金板またはＣｕ−Ｍｏ合
金板１重量部に対しＭｏ網を２〜４重量部とするのが好
ましい。このＭｏ網の代わりにＷ網を用いる場合も、上
記と同様な比率とするのが好ましい。
めには、単位面積当りの網重量とＣｕ，Ｃｕ−Ｗ，Ｃｕ
−Ｍｏ板のＣｕ含有量及び板厚との関係を、予め実験的
に確認された結果に基づいて調節すればよい。図３、図
４は金属網の量と得られる積層板の熱膨張係数の関係を
表す。例えば、Ｃｕ板とＭｏ網の組み合わせでは、Ｃｕ
板１重量部に対しＭｏ網を２〜４重量部とするのが適当
である。また、Ｃｕ−Ｗ合金板またはＣｕ−Ｍｏ合金板
とＭｏ網の場合は、Ｃｕ−Ｗ合金板またはＣｕ−Ｍｏ合
金板１重量部に対しＭｏ網を２〜４重量部とするのが好
ましい。このＭｏ網の代わりにＷ網を用いる場合も、上
記と同様な比率とするのが好ましい。
【００１１】Ｍｏ網、Ｗ網としては、２から１０μｍの
Ｎｉメッキを施した線を用いて編んだものがより好まし
い。線の状態でメッキを施さず、編み上がった金属網に
２〜１０ミクロンのメッキを施してもよい。この金属網
は、有機洗浄、酸洗い、電解研摩による表面処理も有効
であるが、Ｎｉメッキが最もよい親和性を示す。
Ｎｉメッキを施した線を用いて編んだものがより好まし
い。線の状態でメッキを施さず、編み上がった金属網に
２〜１０ミクロンのメッキを施してもよい。この金属網
は、有機洗浄、酸洗い、電解研摩による表面処理も有効
であるが、Ｎｉメッキが最もよい親和性を示す。
【００１２】圧延後の厚さは初期断面厚さの３／１０以
下にすることにより、未接合部分を完全除去出来るの
で、この程度の圧延加工を施しておくのが好ましい。
下にすることにより、未接合部分を完全除去出来るの
で、この程度の圧延加工を施しておくのが好ましい。
【００１３】本発明の放熱基板材料は、線材を熱膨張率
制御材としているため、粉末焼結法や含浸法により製造
した物よりも更に熱膨張率制御力が優れる。同一の熱膨
張率を得るにも更に多くのＣｕを含有する事が出来、熱
伝導率を更に改善することが出来る。
制御材としているため、粉末焼結法や含浸法により製造
した物よりも更に熱膨張率制御力が優れる。同一の熱膨
張率を得るにも更に多くのＣｕを含有する事が出来、熱
伝導率を更に改善することが出来る。
【００１４】また、Ｗ線やＭｏ線を網にしてあるため平
面方向の熱膨張係数異方性及び熱伝導率異方性が少な
い。更にＣｕ−Ｍｏ，Ｃｕ−Ｗ粉末焼結圧延板との組合
わせは、その含有Ｍｏ、Ｗ粉末量が多いほど積層板の熱
膨張率及び熱伝導率の異方性が減少する。
面方向の熱膨張係数異方性及び熱伝導率異方性が少な
い。更にＣｕ−Ｍｏ，Ｃｕ−Ｗ粉末焼結圧延板との組合
わせは、その含有Ｍｏ、Ｗ粉末量が多いほど積層板の熱
膨張率及び熱伝導率の異方性が減少する。
【００１５】さらに、圧延、打抜きの加工性がよいた
め、量産に適しており、従って製造コストの大幅な削減
が図れるのである。
め、量産に適しており、従って製造コストの大幅な削減
が図れるのである。
【００１６】
【実施例】（実施例１）厚さ０．０４ｍｍの無酸素銅板
と、線径０．５ｍｍのＭｏ線に厚さ３〜５μｍのＮｉメ
ッキを施し、６００度Ｃで焼き締めしたＭｏ線で眼開き
１５メッシュに編んだＭｏ網とを互層して（両最外側の
銅板のみ厚さを１．５ｍｍとした）１５ｍｍ厚さとし、
Ｈ2 雰囲気中、１２７３ｋ、３．６ｋｓ間、加熱拡散処
理した。この互層板を水素炎バーナで約１００度に温
め、鍛造機にて７．５ｍｍ厚さとした。この鍛造板をＨ
2 雰囲気中、９７３ｋ、０．９ｋｓ間加熱して、クロス
圧延し、２．０ｍｍ厚さとした。各圧延率は１５％とし
た。この熱間圧延板をスケールとりのため、硝酸と硫酸
の混酸（１＋１）に浸漬、溶解して厚さを１．８ｍｍと
した。ワ−クロ−ル及び圧延板を３３３ｋから３３７ｋ
に温めて、各圧延率１０％で延圧して１．０５ｍｍとし
た。この圧延板を所定の形状に打ち抜いて、上下面をラ
ップ加工して、面粗さをＲａ＝０．８μｍ、厚さを１．
００ｍｍとした。得られた打ち抜き板の熱膨張係数は板
厚方向に対して垂直方向は６．０１×１０-6／度Ｃ、平
行方向は８．２３×１０-6／度Ｃであり、熱伝導率は垂
直方向で２３５Ｗ／ｍ．ｋであった。
と、線径０．５ｍｍのＭｏ線に厚さ３〜５μｍのＮｉメ
ッキを施し、６００度Ｃで焼き締めしたＭｏ線で眼開き
１５メッシュに編んだＭｏ網とを互層して（両最外側の
銅板のみ厚さを１．５ｍｍとした）１５ｍｍ厚さとし、
Ｈ2 雰囲気中、１２７３ｋ、３．６ｋｓ間、加熱拡散処
理した。この互層板を水素炎バーナで約１００度に温
め、鍛造機にて７．５ｍｍ厚さとした。この鍛造板をＨ
2 雰囲気中、９７３ｋ、０．９ｋｓ間加熱して、クロス
圧延し、２．０ｍｍ厚さとした。各圧延率は１５％とし
た。この熱間圧延板をスケールとりのため、硝酸と硫酸
の混酸（１＋１）に浸漬、溶解して厚さを１．８ｍｍと
した。ワ−クロ−ル及び圧延板を３３３ｋから３３７ｋ
に温めて、各圧延率１０％で延圧して１．０５ｍｍとし
た。この圧延板を所定の形状に打ち抜いて、上下面をラ
ップ加工して、面粗さをＲａ＝０．８μｍ、厚さを１．
００ｍｍとした。得られた打ち抜き板の熱膨張係数は板
厚方向に対して垂直方向は６．０１×１０-6／度Ｃ、平
行方向は８．２３×１０-6／度Ｃであり、熱伝導率は垂
直方向で２３５Ｗ／ｍ．ｋであった。
【００１７】（実施例２）平均粉末粒子サイズ２μｍの
Ｗ粉末と平均粒子サイズ２．５μｍのＣｕ粉末を各々３
０重量％、７０重量％配合して、エタノール中でボール
ミル混合した。混合粉末を乾燥、圧粉成形して、Ｈ2 雰
囲気中、１２７３Ｋで３．６ｋｓ焼結した。焼結上がり
板厚を５ｍｍとした。焼結体の圧延には、各パス毎に１
１２３Ｋ、０．６ＫＳ間加熱した。各パス毎の圧延率は
１５％とし、Ｗ粉末の一方向展延を避けるため、クロス
圧延した。板厚０．０６７ｍｍで硝酸と硫酸の混酸（１
＋１）でスケール取り酸洗いして板厚を０．０５ｍｍと
した。この圧延Ｃｕ−Ｗ合金板と（実施例１）と同様に
ＮｉメッキＭｏ線網とを互層（この場合最外側は１．５
ｍｍの酸洗い面を持つ７０Ｃｕ−３０Ｗ合金圧延板を積
層した）、以後（実施例１）と同様の工程を通って１．
００ｍｍの積層板を得、打ち抜き加工、ラップ処理して
製品とした。得られた打ち抜き板の熱膨張係数は板厚方
向に対して垂直方向は６．２３×１０-6／度Ｃ、平行方
向は７．４６×１０-6／度Ｃであり、熱伝導率は垂直方
向で２２５Ｗ／ｍ．Ｋであった。
Ｗ粉末と平均粒子サイズ２．５μｍのＣｕ粉末を各々３
０重量％、７０重量％配合して、エタノール中でボール
ミル混合した。混合粉末を乾燥、圧粉成形して、Ｈ2 雰
囲気中、１２７３Ｋで３．６ｋｓ焼結した。焼結上がり
板厚を５ｍｍとした。焼結体の圧延には、各パス毎に１
１２３Ｋ、０．６ＫＳ間加熱した。各パス毎の圧延率は
１５％とし、Ｗ粉末の一方向展延を避けるため、クロス
圧延した。板厚０．０６７ｍｍで硝酸と硫酸の混酸（１
＋１）でスケール取り酸洗いして板厚を０．０５ｍｍと
した。この圧延Ｃｕ−Ｗ合金板と（実施例１）と同様に
ＮｉメッキＭｏ線網とを互層（この場合最外側は１．５
ｍｍの酸洗い面を持つ７０Ｃｕ−３０Ｗ合金圧延板を積
層した）、以後（実施例１）と同様の工程を通って１．
００ｍｍの積層板を得、打ち抜き加工、ラップ処理して
製品とした。得られた打ち抜き板の熱膨張係数は板厚方
向に対して垂直方向は６．２３×１０-6／度Ｃ、平行方
向は７．４６×１０-6／度Ｃであり、熱伝導率は垂直方
向で２２５Ｗ／ｍ．Ｋであった。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明のごとく、本発明にかかる放
熱基板は、熱膨張率の制御も容易で、混合法や溶浸方に
より製造されたＣｕ−Ｗ，Ｃｕ−Ｍｏ合金放熱基板より
更に向上した熱伝導率を持っている。しかも圧延性、打
ち抜き加工性に優れ、大幅に製造コストを下げる事が出
来る。
熱基板は、熱膨張率の制御も容易で、混合法や溶浸方に
より製造されたＣｕ−Ｗ，Ｃｕ−Ｍｏ合金放熱基板より
更に向上した熱伝導率を持っている。しかも圧延性、打
ち抜き加工性に優れ、大幅に製造コストを下げる事が出
来る。
【図１】圧延前の積層状態を表す断面図である。
【図２】圧延後の積層状態を表す断面図である。
【図３】タングステン網の含有量と熱膨張係数の関係を
表すグラフである。
表すグラフである。
【図４】モリブデン網の含有量と熱膨張係数の関係を表
すグラフである。
すグラフである。
１ 金属板 ２ 金属網
Claims (1)
- 【請求項１】 銅、銅−タングステンまたは銅−モリブ
デンでつくられた金属板と、モリブデンまたはタングス
テンの金属細線を編んだ金属網とを重ね合わせて一体化
してなる放熱基板用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4252095A JPH0677365A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 放熱基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4252095A JPH0677365A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 放熱基板材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677365A true JPH0677365A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=17232466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4252095A Pending JPH0677365A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 放熱基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677365A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0851172A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Tokyo Tungsten Co Ltd | セラミックパッケージ及び放熱基板 |
| US6994917B2 (en) | 2003-01-15 | 2006-02-07 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Composite material and method for manufacturing the same |
| US7097914B2 (en) | 2001-08-28 | 2006-08-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Composite structural material, and method of producing the same |
| JP2010182858A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Toshiba Corp | 半導体パッケージおよびその作製方法 |
| JP2011038534A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Osaka Vacuum Ltd | 分子ポンプの軸受放熱構造 |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP4252095A patent/JPH0677365A/ja active Pending
Cited By (5)
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| JPH0851172A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Tokyo Tungsten Co Ltd | セラミックパッケージ及び放熱基板 |
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