JP2003045906A - 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および樹脂封止装置Info
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 136
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハを金型内に装着しウエハの表面
を樹脂封止する工程において、樹脂の流動経路を短くす
ることを目的とする。 【構成】 下型２００に樹脂を導入するためのポット２
０４が設けられており、また、このポット２０４に半導
体ウエハ２１０の略中央部が対応するように半導体ウエ
ハ２１０を下型２００に搭載する。樹脂は半導体ウエハ
２１０の略中央部から周辺部にかけて導入される。
を樹脂封止する工程において、樹脂の流動経路を短くす
ることを目的とする。 【構成】 下型２００に樹脂を導入するためのポット２
０４が設けられており、また、このポット２０４に半導
体ウエハ２１０の略中央部が対応するように半導体ウエ
ハ２１０を下型２００に搭載する。樹脂は半導体ウエハ
２１０の略中央部から周辺部にかけて導入される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体素子
が形成された半導体ウエハをウエハ状態のまま樹脂で封
止する技術に関するものである。
が形成された半導体ウエハをウエハ状態のまま樹脂で封
止する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化の要求に伴い半
導体装置の小型化がますます求められている。そこで、
半導体装置の小型化を実現するための一つの方法とし
て、半導体装置の形状を半導体素子（ＩＣチップ）に極
力近づけたチップサイズパッケージ構造（ＣＳＰ構造）
の半導体装置が提案されている。
導体装置の小型化がますます求められている。そこで、
半導体装置の小型化を実現するための一つの方法とし
て、半導体装置の形状を半導体素子（ＩＣチップ）に極
力近づけたチップサイズパッケージ構造（ＣＳＰ構造）
の半導体装置が提案されている。
【０００３】このＣＳＰ構造の半導体装置は一般的には
以下のような工程により形成されている。すなわち、複
数の半導体素子を半導体ウエハ上に形成する工程の後、
その半導体ウエハを金型内に装着し熱硬化性の樹脂でそ
の半導体ウエハの半導体素子が形成された面を樹脂封止
する工程、樹脂封止された半導体ウエハを金型から取り
出して樹脂を所定の厚さだけ研磨し各半導体素子上の電
極を露出させる工程、半導体ウエハを切断し個々の半導
体装置に分離する工程が順に施されることにより、ＣＳ
Ｐ構造の半導体装置が得られる。露出した半導体素子の
電極上に半田ボールなどの外部電極を形成することも必
要により行われる。また、半導体ウエハを金型内に装着
しウエハの表面を樹脂封止する工程においては、樹脂を
ウエハの一端から注入してウエハ全体に広げていた。
以下のような工程により形成されている。すなわち、複
数の半導体素子を半導体ウエハ上に形成する工程の後、
その半導体ウエハを金型内に装着し熱硬化性の樹脂でそ
の半導体ウエハの半導体素子が形成された面を樹脂封止
する工程、樹脂封止された半導体ウエハを金型から取り
出して樹脂を所定の厚さだけ研磨し各半導体素子上の電
極を露出させる工程、半導体ウエハを切断し個々の半導
体装置に分離する工程が順に施されることにより、ＣＳ
Ｐ構造の半導体装置が得られる。露出した半導体素子の
電極上に半田ボールなどの外部電極を形成することも必
要により行われる。また、半導体ウエハを金型内に装着
しウエハの表面を樹脂封止する工程においては、樹脂を
ウエハの一端から注入してウエハ全体に広げていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＳＰ
構造の半導体装置を得るための従来の製造方法では、半
導体ウエハを金型内に装着しウエハの表面を樹脂封止す
る工程において、樹脂をウエハの一端から注入して全体
に広げていたため、樹脂の流動経路が長かった。ウエハ
表面を封止する熱硬化性樹脂は、加熱することにより一
旦は溶融するが、一定の時間が経過すると再度固化する
性質を持っている。このため、ウエハの一端から他端ま
で樹脂を流す場合、固化する前にウエハ全体に樹脂を広
げるために、樹脂を短時間で全体に行き渡らせなければ
ならず、樹脂の流動速度を上げるなどの工夫を施さなけ
ればならなかった。
構造の半導体装置を得るための従来の製造方法では、半
導体ウエハを金型内に装着しウエハの表面を樹脂封止す
る工程において、樹脂をウエハの一端から注入して全体
に広げていたため、樹脂の流動経路が長かった。ウエハ
表面を封止する熱硬化性樹脂は、加熱することにより一
旦は溶融するが、一定の時間が経過すると再度固化する
性質を持っている。このため、ウエハの一端から他端ま
で樹脂を流す場合、固化する前にウエハ全体に樹脂を広
げるために、樹脂を短時間で全体に行き渡らせなければ
ならず、樹脂の流動速度を上げるなどの工夫を施さなけ
ればならなかった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願の代表的な発明の目
的は、半導体ウエハを金型内に装着しウエハの表面を樹
脂封止する工程において、樹脂の流動経路を短くするこ
とである。
的は、半導体ウエハを金型内に装着しウエハの表面を樹
脂封止する工程において、樹脂の流動経路を短くするこ
とである。
【０００６】上述の目的を達成するため、本願の代表的
な発明では、下型に樹脂を導入するためのポットが設け
られており、ウエハの略中央部から周辺部にかけて樹脂
が導入される。
な発明では、下型に樹脂を導入するためのポットが設け
られており、ウエハの略中央部から周辺部にかけて樹脂
が導入される。
【０００７】このため、樹脂の流動経路が短くなり、樹
脂の流動速度を上げなくても短時間でウエハ全体に樹脂
を行き渡らせることができる。
脂の流動速度を上げなくても短時間でウエハ全体に樹脂
を行き渡らせることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本欄では発明の理解を容易にする
ため、代表的な要素のみが説明される。この説明に供す
る図面は説明の都合に応じて適宜縮尺あるいは拡大され
ている。
ため、代表的な要素のみが説明される。この説明に供す
る図面は説明の都合に応じて適宜縮尺あるいは拡大され
ている。
【０００９】図１〜図４には本発明の実施の形態に係る
半導体ウエハの樹脂封止工程が示されている。各図にお
いて、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説
明が省略される場合がある。
半導体ウエハの樹脂封止工程が示されている。各図にお
いて、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説
明が省略される場合がある。
【００１０】図１（ａ）において、樹脂封止装置１００
は、下型２００と上型３００とにより構成される。下型
２００は、チェイス２０１、キャビティブロック２０
２、エジェクタプレート２０３、ポット２０４、エジェ
クタピン２０５、プランジャ２０６を含んでいる。下型
２００および上型３００は、鉛直線上にそれぞれ配置さ
れており、下型２００は上型３００に対して鉛直下側に
配置される。
は、下型２００と上型３００とにより構成される。下型
２００は、チェイス２０１、キャビティブロック２０
２、エジェクタプレート２０３、ポット２０４、エジェ
クタピン２０５、プランジャ２０６を含んでいる。下型
２００および上型３００は、鉛直線上にそれぞれ配置さ
れており、下型２００は上型３００に対して鉛直下側に
配置される。
【００１１】キャビティブロック２０２には、凹部２０
８が設けられており、下型２００と上型３００とで挟ま
れた凹部２０８に対応する空間がキャビティとなる。
８が設けられており、下型２００と上型３００とで挟ま
れた凹部２０８に対応する空間がキャビティとなる。
【００１２】ポット２０４、エジェクタピン２０５は、
キャビティブロック２０２に設けられた凹部２０８の底
部に設けられ、キャビティブロック２０２とチェイス２
０１とをそれぞれ貫通している。
キャビティブロック２０２に設けられた凹部２０８の底
部に設けられ、キャビティブロック２０２とチェイス２
０１とをそれぞれ貫通している。
【００１３】キャビティブロック２０２は、チェイス２
０１に固定されている。また、ポット２０４とエジェク
タピン２０５はそれぞれエジェクタプレート２０３に固
定されている。ポット２０４およびエジェクタピン２０
５は、チェイス２０１およびキャビティブロック２０２
に対して可動である。すなわち、ポット２０４およびエ
ジェクタピン２０５は、エジェクタプレート２０３に連
動してキャビティブロック２０２に対して鉛直方向に上
下動を行うとともに、キャビティブロック２０２から突
出可能になっている。
０１に固定されている。また、ポット２０４とエジェク
タピン２０５はそれぞれエジェクタプレート２０３に固
定されている。ポット２０４およびエジェクタピン２０
５は、チェイス２０１およびキャビティブロック２０２
に対して可動である。すなわち、ポット２０４およびエ
ジェクタピン２０５は、エジェクタプレート２０３に連
動してキャビティブロック２０２に対して鉛直方向に上
下動を行うとともに、キャビティブロック２０２から突
出可能になっている。
【００１４】プランジャ２０６は、樹脂封止が開始され
る前は凹部２０８の底部よりも下がった位置にあり、ポ
ット２０４内のプランジャ２０６上部には空間が形成さ
れている。
る前は凹部２０８の底部よりも下がった位置にあり、ポ
ット２０４内のプランジャ２０６上部には空間が形成さ
れている。
【００１５】樹脂封止するにあたっては、まず、ポット
２０４内に固形の樹脂タブレット１１０を投入する。樹
脂タブレット１１０は、ポット２０４の径よりも小さい
ものを用いる。本実施の形態では、ポット２０４をキャ
ビティに対して鉛直方向の下側に設けている。このた
め、ポット２０４の径よりも小さい樹脂タブレット１１
０を用いると、樹脂タブレット１１０をポット２０４内
に落とし込むだけで樹脂タブレット１１０を適切な位置
にセットすることができる。
２０４内に固形の樹脂タブレット１１０を投入する。樹
脂タブレット１１０は、ポット２０４の径よりも小さい
ものを用いる。本実施の形態では、ポット２０４をキャ
ビティに対して鉛直方向の下側に設けている。このた
め、ポット２０４の径よりも小さい樹脂タブレット１１
０を用いると、樹脂タブレット１１０をポット２０４内
に落とし込むだけで樹脂タブレット１１０を適切な位置
にセットすることができる。
【００１６】例えば、ポットがキャビティに対して鉛直
方向の上側に設けられている場合、ポットと同じ径の樹
脂タブレットをポット内に押し込むことによりポット内
に固定する必要がある。あるいは、半導体ウエハを金型
内に配置した後に、半導体ウエハ上に樹脂タブレットを
配置することも可能である。しかしながら、ポットと同
じ径の樹脂タブレットをポット内に押し込む場合は、樹
脂タブレットの径が少しでも設計値よりも大きい場合は
押し込むことが困難となる。また、半導体ウエハ上に樹
脂タブレットを配置する場合は、型締めする際にポット
との位置がずれると、樹脂タブレットにより半導体ウエ
ハを破損してしまう可能性が有る。
方向の上側に設けられている場合、ポットと同じ径の樹
脂タブレットをポット内に押し込むことによりポット内
に固定する必要がある。あるいは、半導体ウエハを金型
内に配置した後に、半導体ウエハ上に樹脂タブレットを
配置することも可能である。しかしながら、ポットと同
じ径の樹脂タブレットをポット内に押し込む場合は、樹
脂タブレットの径が少しでも設計値よりも大きい場合は
押し込むことが困難となる。また、半導体ウエハ上に樹
脂タブレットを配置する場合は、型締めする際にポット
との位置がずれると、樹脂タブレットにより半導体ウエ
ハを破損してしまう可能性が有る。
【００１７】したがって、ポットは、キャビティに対し
て鉛直方向の下側に配置することが望ましく、また、樹
脂タブレットは、ポットの径よりも小さい径のものを用
いることが望ましい。すなわち、樹脂タブレットは、重
力を利用して、ポット内に落とし込む形態が望ましい。
て鉛直方向の下側に配置することが望ましく、また、樹
脂タブレットは、ポットの径よりも小さい径のものを用
いることが望ましい。すなわち、樹脂タブレットは、重
力を利用して、ポット内に落とし込む形態が望ましい。
【００１８】次に、図１（ｂ）に示すように、キャビテ
ィブロック２０２の凹部２０８内に半導体ウエハ２１０
を配置する。このウエハ２１０は表面に複数の集積回路
が形成されている。
ィブロック２０２の凹部２０８内に半導体ウエハ２１０
を配置する。このウエハ２１０は表面に複数の集積回路
が形成されている。
【００１９】半導体ウエハ２１０の表面には、図６に示
すように、導電ポスト２１１が形成されている。この導
電ポスト２１１は、半導体ウエハ２１０に形成されてい
る集積回路と電気的に接続されている。具体的には、集
積回路と信号のやり取りを行う電極パッド２１２と、例
えば銅などの導電パターン２１３により接続される。
すように、導電ポスト２１１が形成されている。この導
電ポスト２１１は、半導体ウエハ２１０に形成されてい
る集積回路と電気的に接続されている。具体的には、集
積回路と信号のやり取りを行う電極パッド２１２と、例
えば銅などの導電パターン２１３により接続される。
【００２０】キャビティブロック２０２には、集積回路
が形成された面を下向きに半導体ウエハ２１０は配置さ
れる。すなわち、下型２００内のポット２０４と集積回
路が形成された面とが向かい合う格好となる。
が形成された面を下向きに半導体ウエハ２１０は配置さ
れる。すなわち、下型２００内のポット２０４と集積回
路が形成された面とが向かい合う格好となる。
【００２１】次に、図２（ａ）に示すように、下型２０
０が上昇し、半導体ウエハ２１０が上型３００と下型２
００とで型締めされる。上型３００は固定されており、
移動しない。型締めされることにより半導体ウエハ２０
１の裏面、すなわち、集積回路が形成された面と反対側
の面は実質的に全面が上型３００と密着する。半導体ウ
エハ２１０の表面、すなわち、集積回路が形成された面
は、周囲が下型２００と密着する。具体的には、半導体
ウエハ２１０の表面の周囲が下型２００の内キャビティ
ブロック２０２と密着する。
０が上昇し、半導体ウエハ２１０が上型３００と下型２
００とで型締めされる。上型３００は固定されており、
移動しない。型締めされることにより半導体ウエハ２０
１の裏面、すなわち、集積回路が形成された面と反対側
の面は実質的に全面が上型３００と密着する。半導体ウ
エハ２１０の表面、すなわち、集積回路が形成された面
は、周囲が下型２００と密着する。具体的には、半導体
ウエハ２１０の表面の周囲が下型２００の内キャビティ
ブロック２０２と密着する。
【００２２】この状態で、樹脂タブレット１１０を溶融
させる。樹脂タブレット１１０は、熱硬化性の樹脂が用
いられる。金型１００は、樹脂タブレット１１０を可塑
化させる温度、すなわち、樹脂タブレット１１０が溶融
する温度に加熱される。樹脂タブレット１１０が溶融す
る温度は例えば１７０℃程度である。
させる。樹脂タブレット１１０は、熱硬化性の樹脂が用
いられる。金型１００は、樹脂タブレット１１０を可塑
化させる温度、すなわち、樹脂タブレット１１０が溶融
する温度に加熱される。樹脂タブレット１１０が溶融す
る温度は例えば１７０℃程度である。
【００２３】次に、図２（ｂ）に示すように、プランジ
ャ２０６が上昇し、溶融した樹脂１１１が半導体ウエハ
２１０の表面に充填される。樹脂１１１が半導体ウエハ
２１０の表面に充填された後、プランジャ２０６により
樹脂１１１は所定の圧力に保持される。樹脂１１１は溶
融後、所定の時間が経過すると硬化する。硬化するまで
の間、樹脂１１１はプランジャ２０６により所定の圧力
が加え続けられる。
ャ２０６が上昇し、溶融した樹脂１１１が半導体ウエハ
２１０の表面に充填される。樹脂１１１が半導体ウエハ
２１０の表面に充填された後、プランジャ２０６により
樹脂１１１は所定の圧力に保持される。樹脂１１１は溶
融後、所定の時間が経過すると硬化する。硬化するまで
の間、樹脂１１１はプランジャ２０６により所定の圧力
が加え続けられる。
【００２４】熱硬化性樹脂は熱を与え続けることにより
粘度が低下して流動化し、所定時間加熱し続けると再度
粘度が高まり硬化する性質を有している。この流動化し
てから硬化するまでの時間は、樹脂の種類により異なる
が、一般的には数秒程度である。したがって、この樹脂
の粘度が低下している数秒の間に半導体ウエハ２１０の
表面全面に樹脂を行き渡らせなければならない。
粘度が低下して流動化し、所定時間加熱し続けると再度
粘度が高まり硬化する性質を有している。この流動化し
てから硬化するまでの時間は、樹脂の種類により異なる
が、一般的には数秒程度である。したがって、この樹脂
の粘度が低下している数秒の間に半導体ウエハ２１０の
表面全面に樹脂を行き渡らせなければならない。
【００２５】本実施形態では、半導体ウエハ２１０の中
央部分から周辺部分にかけて樹脂を注入しているため、
樹脂の流れる距離が半導体ウエハ２１０の半径の長さ程
度である。半導体ウエハの端から樹脂を注入する場合
は、樹脂の流れる距離は最大で半導体ウエハの直径の長
さとなる。したがって、同じ時間で樹脂を充填する場
合、中央から注入する場合の樹脂の流れる速度は、端か
ら注入する場合の樹脂の流れる速度の１／２で済む。さ
らに、中央から注入する場合は、中央から周辺にかけて
樹脂が広がるため、樹脂を均等に行き渡らせることがで
きる。
央部分から周辺部分にかけて樹脂を注入しているため、
樹脂の流れる距離が半導体ウエハ２１０の半径の長さ程
度である。半導体ウエハの端から樹脂を注入する場合
は、樹脂の流れる距離は最大で半導体ウエハの直径の長
さとなる。したがって、同じ時間で樹脂を充填する場
合、中央から注入する場合の樹脂の流れる速度は、端か
ら注入する場合の樹脂の流れる速度の１／２で済む。さ
らに、中央から注入する場合は、中央から周辺にかけて
樹脂が広がるため、樹脂を均等に行き渡らせることがで
きる。
【００２６】本実施形態に用いられる半導体ウエハ２１
０は、表面に導電ポスト２１１が形成されている。この
ため、樹脂の流れる速度が速くなると、導電ポスト２１
１の近傍において樹脂が空気を巻き込み、樹脂の成形後
に樹脂内に気泡ができる不良が起こることがある。本実
施形態においては、中央から樹脂を注入することによ
り、このような気泡の発生を抑制することができる。
０は、表面に導電ポスト２１１が形成されている。この
ため、樹脂の流れる速度が速くなると、導電ポスト２１
１の近傍において樹脂が空気を巻き込み、樹脂の成形後
に樹脂内に気泡ができる不良が起こることがある。本実
施形態においては、中央から樹脂を注入することによ
り、このような気泡の発生を抑制することができる。
【００２７】樹脂を中央から注入する場合、樹脂が半導
体ウエハ２１０内に完全に充填された後に、樹脂の表面
には突起部分１１２が形成される。樹脂の表面は後の工
程で研磨されるため、プランジャ２０６に対応する部分
の樹脂の面と、それ以外のキャビティブロック２０２に
対応する部分の樹脂の面とは同一面に形成することが望
ましい。
体ウエハ２１０内に完全に充填された後に、樹脂の表面
には突起部分１１２が形成される。樹脂の表面は後の工
程で研磨されるため、プランジャ２０６に対応する部分
の樹脂の面と、それ以外のキャビティブロック２０２に
対応する部分の樹脂の面とは同一面に形成することが望
ましい。
【００２８】しかしながら、樹脂タブレットの大きさの
ばらつきや、半導体ウエハ２１０の厚さのばらつき等に
より、完全に同一面にすることは困難である。もしも樹
脂量が足りなくて、プランジャ２０６が半導体ウエハ２
１０にあたってしまった場合、半導体ウエハ２１０が割
れてしまうことがある。
ばらつきや、半導体ウエハ２１０の厚さのばらつき等に
より、完全に同一面にすることは困難である。もしも樹
脂量が足りなくて、プランジャ２０６が半導体ウエハ２
１０にあたってしまった場合、半導体ウエハ２１０が割
れてしまうことがある。
【００２９】このような不良を回避するために、余裕を
見て大きめの樹脂タブレットを用いる必要がある。その
結果、樹脂１１１には突起部分１１２が形成されてしま
うのである。
見て大きめの樹脂タブレットを用いる必要がある。その
結果、樹脂１１１には突起部分１１２が形成されてしま
うのである。
【００３０】次に、図３（ａ）に示すように、下型２０
０が下降する。このとき、半導体ウエハ２１０は上型３
００から離れて、下型２００とともに下降する。
０が下降する。このとき、半導体ウエハ２１０は上型３
００から離れて、下型２００とともに下降する。
【００３１】下型２００が一定距離下降すると、エジェ
クタプレート２０３がエジェクトロット２２０に突き当
たる。
クタプレート２０３がエジェクトロット２２０に突き当
たる。
【００３２】エジェクトロット２２０に突き当たった
後、さらに下型２００を下降させる。チェイス２０１と
キャビティブロック２０２はさらに下降するが、エジェ
クタプレート２０３はエジェクトロット２２０に突き当
たっているためそれ以上下降できない。エジェクタピン
２０５とポット２０４は、エジェクタプレート２０３に
固定されているため、エジェクタピン２０５の先端とポ
ット２０４の先端はキャビティブロック２０２から突き
出す。すなわち、エジェクタピン２０５とポット２０４
とは、相対的にキャビティブロック２０２に対して上昇
する。これにより、樹脂封止された半導体ウエハ２１０
は下型２００から引き離される。このとき、プランジャ
２０６は、ポット２０４とともに、キャビティブロック
２０１に対して相対的に上昇する。
後、さらに下型２００を下降させる。チェイス２０１と
キャビティブロック２０２はさらに下降するが、エジェ
クタプレート２０３はエジェクトロット２２０に突き当
たっているためそれ以上下降できない。エジェクタピン
２０５とポット２０４は、エジェクタプレート２０３に
固定されているため、エジェクタピン２０５の先端とポ
ット２０４の先端はキャビティブロック２０２から突き
出す。すなわち、エジェクタピン２０５とポット２０４
とは、相対的にキャビティブロック２０２に対して上昇
する。これにより、樹脂封止された半導体ウエハ２１０
は下型２００から引き離される。このとき、プランジャ
２０６は、ポット２０４とともに、キャビティブロック
２０１に対して相対的に上昇する。
【００３３】ポット２０４とエジェクタピン２０５は、
ともに共通のエジェクタプレート２０３に固定されてい
るため、ポット２０４とエジェクタピン２０５とは同じ
動きをする。このため、半導体ウエハ２１０はバランス
よく突き上げられる。
ともに共通のエジェクタプレート２０３に固定されてい
るため、ポット２０４とエジェクタピン２０５とは同じ
動きをする。このため、半導体ウエハ２１０はバランス
よく突き上げられる。
【００３４】次に、図４に示すように、下型２００が上
昇する。チェイス２０１とエジェクタプレート２０３と
の間には図示しない例えばバネが挟まれており、このバ
ネは、下型２００を上昇させた時にチェイス２０１とエ
ジェクタプレート２０３との間を所定の間隔に広げる作
用をする。これにより、エジェクタピン２０５とポット
２０４とは、キャビティブロック２０２に対して相対的
に下降し、元の位置に戻る。このとき、プランジャ２０
６は動かさない。これにより、半導体ウエハ２１０の表
面に形成された樹脂における突起部分１１２はプランジ
ャ２０６によりポット２０４から押し出される。この状
態で、樹脂封止された半導体ウエハ２１０を金型１００
から取り出すことができる。
昇する。チェイス２０１とエジェクタプレート２０３と
の間には図示しない例えばバネが挟まれており、このバ
ネは、下型２００を上昇させた時にチェイス２０１とエ
ジェクタプレート２０３との間を所定の間隔に広げる作
用をする。これにより、エジェクタピン２０５とポット
２０４とは、キャビティブロック２０２に対して相対的
に下降し、元の位置に戻る。このとき、プランジャ２０
６は動かさない。これにより、半導体ウエハ２１０の表
面に形成された樹脂における突起部分１１２はプランジ
ャ２０６によりポット２０４から押し出される。この状
態で、樹脂封止された半導体ウエハ２１０を金型１００
から取り出すことができる。
【００３５】図５には、樹脂封止の終了した半導体ウエ
ハ２１０が示される。図５（ａ）には上面図、図５
（ｂ）には断面図が示される。
ハ２１０が示される。図５（ａ）には上面図、図５
（ｂ）には断面図が示される。
【００３６】半導体ウエハ２１０の表面には硬化した樹
脂１１１が形成されており、中央部には突起部分１１２
が形成されている。樹脂の表面を研磨する前に、突起部
分１１２を除去する。除去の方法としては、円形の回転
刃１１３により切断することができる。
脂１１１が形成されており、中央部には突起部分１１２
が形成されている。樹脂の表面を研磨する前に、突起部
分１１２を除去する。除去の方法としては、円形の回転
刃１１３により切断することができる。
【００３７】そして、突起部分を切断した後、図７
（ｂ）に示されるように、樹脂１１１の表面を研磨刃２
２１により研磨して半導体ウエハ２１０の表面に形成さ
れている導電ポストの先端を露出させる。
（ｂ）に示されるように、樹脂１１１の表面を研磨刃２
２１により研磨して半導体ウエハ２１０の表面に形成さ
れている導電ポストの先端を露出させる。
【００３８】突起部分１１２を除去する方法としては、
研磨装置を用いて研磨することも可能である。その場合
は、導電ポストの先端を露出させるための研磨よりも速
い速度で研磨することが望ましい。
研磨装置を用いて研磨することも可能である。その場合
は、導電ポストの先端を露出させるための研磨よりも速
い速度で研磨することが望ましい。
【００３９】図７（ｃ）に示すように、必要により露出
した導電ポストの先端にボール電極２２２を形成した
後、円形のダイシングブレード２２３を用いて個々のチ
ップ２２５に分割する。分割された個々のチップ２２５
は、表面が樹脂で覆われた一般にチップ・サイズ・パッ
ケージと呼ばれるものである。
した導電ポストの先端にボール電極２２２を形成した
後、円形のダイシングブレード２２３を用いて個々のチ
ップ２２５に分割する。分割された個々のチップ２２５
は、表面が樹脂で覆われた一般にチップ・サイズ・パッ
ケージと呼ばれるものである。
【００４０】このように、本願発明では、半導体ウエハ
２１０の中央部分から周辺部分にかけて樹脂を導入して
半導体ウエハ２１０の表面を封止しているため、樹脂が
流れる経路が短くて済み、したがって、樹脂の流れる速
度を遅くすることができる。このため、樹脂内の気泡の
発生を抑制することができる。
２１０の中央部分から周辺部分にかけて樹脂を導入して
半導体ウエハ２１０の表面を封止しているため、樹脂が
流れる経路が短くて済み、したがって、樹脂の流れる速
度を遅くすることができる。このため、樹脂内の気泡の
発生を抑制することができる。
【００４１】また、樹脂タブレットを下型内に設けられ
たポットに投入する形態としているため、樹脂タブレッ
トのセッティングが容易である。
たポットに投入する形態としているため、樹脂タブレッ
トのセッティングが容易である。
【００４２】本発明は例証的な実施態様を用いて説明さ
れたが、この説明は限定的な意味に受け取られてはなら
ない。この例証的な実施態様の様々な変更、並びに本発
明のその他の実施態様は当業者にはこの説明を参考にす
ることによって明らかになるであろうと考えられる。従
って、特許請求の範囲はそれら全ての変更または実施態
様を本発明の真の範囲に含むものであろうと考えられ
る。
れたが、この説明は限定的な意味に受け取られてはなら
ない。この例証的な実施態様の様々な変更、並びに本発
明のその他の実施態様は当業者にはこの説明を参考にす
ることによって明らかになるであろうと考えられる。従
って、特許請求の範囲はそれら全ての変更または実施態
様を本発明の真の範囲に含むものであろうと考えられ
る。
【００４３】
【発明の効果】本発明の代表的な発明では、半導体ウエ
ハの中央部分から周辺部分にかけて樹脂を注入するた
め、樹脂の導入速度を遅くできる。
ハの中央部分から周辺部分にかけて樹脂を注入するた
め、樹脂の導入速度を遅くできる。
【００４４】また、樹脂タブレットを投入するポットを
下型に設けているため、樹脂タブレットのセッティング
が容易になる。
下型に設けているため、樹脂タブレットのセッティング
が容易になる。
【図１】樹脂封止工程を示す樹脂封止装置の断面図であ
る。
る。
【図２】図１につづく樹脂封止工程を示す樹脂封止装置
の断面図である。
の断面図である。
【図３】図２につづく樹脂封止工程を示す樹脂封止装置
の断面図である。
の断面図である。
【図４】図３につづく樹脂封止工程を示す樹脂封止装置
の断面図である。
の断面図である。
【図５】樹脂封止後の半導体ウエハを示す平面図および
断面図である。
断面図である。
【図６】導電ポストの形成された半導体ウエハの断面図
である。
である。
【図７】樹脂封止後の半導体ウエハを個片に分割する工
程を示す図である。
程を示す図である。
１００ 金型
１１０ 樹脂タブレット
２００ 下型
２０１ チェイス
２０２ キャビティブロック
２０３ エジェクタプレート
２０４ ポット
２０５ エジェクタピン
２０６ プランジャ
２１０ 半導体ウエハ
３００ 上型
Claims (12)
- 【請求項１】 下型に設けられた樹脂導入部内に固形樹
脂を投入する工程と、 前記樹脂の投入された下型と、前記下型と対向する上型
とにより構成されるキャビティ内に、表面に複数の半導
体素子が形成された半導体ウエハを、前記ウエハの前記
表面の略中央に前記樹脂導入口が配置されるように挟み
こむ工程と、 前記樹脂導入部内で加熱された前記樹脂を前記キャビテ
ィ内に導入し、前記ウエハの前記表面を前記樹脂で覆う
工程と、 前記樹脂にて封止された前記ウエハを個片に分割する工
程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１又は２記載の半導体装置の製造
方法において、前記樹脂により前記ウエハの表面を封止
する際に、前記ウエハの実質的に裏面全体が、前記上型
により支持されることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１〜３のいずれか１つに記載の半
導体装置の製造方法において、前記ウエハの周囲が前記
下型と上型とで挟まれた状態で前記樹脂が導入されるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記ウエハの前記表面を前記樹脂で覆う工程に
より、前記樹脂導入部に対応する突起が前記樹脂により
形成され、前記突起を除去した後に個片に分割する事を
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１つに記載の半
導体装置の製造方法において、前記樹脂導入部は前記下
型に対して移動可能に設けられたポットを含み、前記ウ
エハの前記表面を前記樹脂で覆った後、前記ウエハを前
記上型から引き離し、その後、前記下型に設けられたエ
ジェクタピンと前記ポットとを共に前記下型から突き上
げることにより前記下型から前記樹脂により封止された
前記ウエハを引き離すことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記上型を固定して前記下型を下方に移動させ
ることにより前記ウエハを前記上型から引き離し、その
後、前記エジェクタピンと前記ポットとを固定して前記
下型をさらに下方へ移動させることにより前記下型から
前記樹脂により封止された前記ウエハを引き離すことを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項４記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記突起を研磨した後に前記封止樹脂の表面全
体を前記凸部の研磨速度よりも遅い速度で研磨する工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 凹部を備えた下型の、前記凹部の底部に
設けられたポット内に樹脂タブレットを投入する工程
と、 表面に複数の集積回路素子が形成されたウエハの前記表
面を前記下型の前記凹部に対向させて配置し、前記ウエ
ハの裏面を上型により押さえつけ、前記上型と下型とに
より前記ウエハを型締めする工程と、 前記ポット内に投入された樹脂タブレットを加熱し、前
記樹脂タブレットを流動化させて前記凹部と前記ウエハ
の表面とで形成されるキャビティ内に充填する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記樹脂を前記キャビティ内に充填した後に、
前記樹脂が硬化するまで前記樹脂に所定圧力を与える工
程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置の製造方法
において、前記樹脂が硬化した後、前記下型の前記ウエ
ハの表面に対向する領域に設けられたエジェクタピンと
前記ポットとを上昇させ、前記樹脂を前記下型から引き
離す工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１１】 表面に複数の半導体素子が形成された
半導体ウエハを配置するためのキャビティを構成する上
型と下型とを含む樹脂封止装置において、 前記下型は、前記半導体ウエハの略中央に対応する部分
に設けられた、固形の樹脂を投入し、加熱して流動化さ
せるためのポットを含むことを特徴とする樹脂封止装
置。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の樹脂封止装置は、さ
らに、前記下型に設けられた、エジェクタピンと、前記
エジェクタピンと前記ポットとが固定されるエジェクタ
プレートとを有することを特徴とする樹脂封止装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001227945A JP3711333B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置 |
| US10/202,024 US7109057B2 (en) | 2001-07-27 | 2002-07-25 | Sealing apparatus for semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor device by using sealing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001227945A JP3711333B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003386295A Division JP3825028B2 (ja) | 2003-11-17 | 2003-11-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003045906A true JP2003045906A (ja) | 2003-02-14 |
| JP3711333B2 JP3711333B2 (ja) | 2005-11-02 |
Family
ID=19060529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001227945A Expired - Fee Related JP3711333B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7109057B2 (ja) |
| JP (1) | JP3711333B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040194803A1 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-07 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Cleaning of an electronic device |
| JP4084844B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2008-04-30 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| JP4855026B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2012-01-18 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| JP2007095804A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| US9847230B2 (en) * | 2015-06-09 | 2017-12-19 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Method and apparatus for using universal cavity wafer in wafer level packaging |
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Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920005448B1 (ko) * | 1988-03-14 | 1992-07-04 | 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 반도체 소자의 수지봉지장치 및 그것을 사용한 반도체 소자의 수지봉지방법 |
| JP2748592B2 (ja) * | 1989-09-18 | 1998-05-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型 |
| JPH04177845A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体樹脂封止金型 |
| JP3059560B2 (ja) * | 1991-12-25 | 2000-07-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法およびそれに使用される成形材料 |
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| TW421833B (en) * | 1998-07-10 | 2001-02-11 | Apic Yamada Corp | Method of manufacturing semiconductor devices and resin molding machine |
| JP2001047459A (ja) | 1999-08-10 | 2001-02-20 | Sony Corp | 樹脂封止装置 |
| JP3581814B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2004-10-27 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
| SE521607C2 (sv) * | 2000-04-07 | 2003-11-18 | Abb Ab | En linjär elektrisk maskin |
| JP2001326238A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Toshiba Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、樹脂封止金型及び半導体製造システム |
-
2001
- 2001-07-27 JP JP2001227945A patent/JP3711333B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2002-07-25 US US10/202,024 patent/US7109057B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000299335A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-10-24 | Apic Yamada Corp | 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3711333B2 (ja) | 2005-11-02 |
| US20030022418A1 (en) | 2003-01-30 |
| US7109057B2 (en) | 2006-09-19 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040309 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040422 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050809 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050815 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080819 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090819 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090819 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100819 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100819 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100819 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110819 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120819 Year of fee payment: 7 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120819 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120819 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130819 Year of fee payment: 8 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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