JPH0722451A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0722451A JPH0722451A JP16723593A JP16723593A JPH0722451A JP H0722451 A JPH0722451 A JP H0722451A JP 16723593 A JP16723593 A JP 16723593A JP 16723593 A JP16723593 A JP 16723593A JP H0722451 A JPH0722451 A JP H0722451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molded product
- plunger
- manufacturing apparatus
- gate
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/40—Removing or ejecting moulded articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【目的】 成形品側にゲートの熱硬化性樹脂が付着する
ことがなく、成形品が破損等することのない半導体製造
装置を提供する。 【構成】 ワイヤボンディングされた半導体チップ１を
搭載したリードフレーム２を下金型３に載置し、ポット
１３にエポキシ系封止樹脂（熱硬化性樹脂）１２を投入
してこれを溶融し、プランジャ１４を上昇させてエポキ
シ系封止樹脂１２を閉じた上下金型３，４のキャビティ
３ａ，４ａ内に注入して半導体チップ１を封止するロア
プランジャ型トランスファーモールド用の半導体製造装
置であって、エポキシ系封止樹脂１２の硬化後の離型動
作時に、エジェクタピン６ａ，６ｂとプランジャ１４と
が、リニアエンコーダ（同期作動手段）１７によって、
同時に同じ高さだけ成形品５とポット１３に残ったカル
１８とをそれぞれ押し上げる。
ことがなく、成形品が破損等することのない半導体製造
装置を提供する。 【構成】 ワイヤボンディングされた半導体チップ１を
搭載したリードフレーム２を下金型３に載置し、ポット
１３にエポキシ系封止樹脂（熱硬化性樹脂）１２を投入
してこれを溶融し、プランジャ１４を上昇させてエポキ
シ系封止樹脂１２を閉じた上下金型３，４のキャビティ
３ａ，４ａ内に注入して半導体チップ１を封止するロア
プランジャ型トランスファーモールド用の半導体製造装
置であって、エポキシ系封止樹脂１２の硬化後の離型動
作時に、エジェクタピン６ａ，６ｂとプランジャ１４と
が、リニアエンコーダ（同期作動手段）１７によって、
同時に同じ高さだけ成形品５とポット１３に残ったカル
１８とをそれぞれ押し上げる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に、ロアプランジャ型トランスファーモールド用の半
導体製造装置に適用して有効な技術に関する。
特に、ロアプランジャ型トランスファーモールド用の半
導体製造装置に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明者の検討によれば、半導体チップ
を搭載したリードフレームを所定の温度に加熱した金型
に載置し、ポットに熱硬化性樹脂を投入してプランジャ
を上昇させこの熱硬化性樹脂を金型のキャビティ内に注
入する、いわゆるロアプランジャ型トランスファーモー
ルド用の半導体製造装置では、熱硬化性樹脂の硬化され
た後の離型動作時において、まず、第１動作として、エ
ジェクタピンが半導体チップを封止した成形品を上方に
押し上げ、第２動作として、プランジャがポットに残っ
た熱硬化性樹脂であるカルを上方に押し上げて、成形品
とゲートとを分離している。
を搭載したリードフレームを所定の温度に加熱した金型
に載置し、ポットに熱硬化性樹脂を投入してプランジャ
を上昇させこの熱硬化性樹脂を金型のキャビティ内に注
入する、いわゆるロアプランジャ型トランスファーモー
ルド用の半導体製造装置では、熱硬化性樹脂の硬化され
た後の離型動作時において、まず、第１動作として、エ
ジェクタピンが半導体チップを封止した成形品を上方に
押し上げ、第２動作として、プランジャがポットに残っ
た熱硬化性樹脂であるカルを上方に押し上げて、成形品
とゲートとを分離している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の半導体
製造装置では、図２（ａ）に示すように、第１動作時に
おいては、未だポット内にカル３８が残留しているため
に、エジェクタピン２６ａ，２６ｂによって押し上げら
れる成形品２５はリードが僅かに屈折されてしまう。そ
のために、図２（ｂ）に示すように、ゲート３６の先端
部付近にストレスの集中が起こりクラックＡ1 が発生す
る。
製造装置では、図２（ａ）に示すように、第１動作時に
おいては、未だポット内にカル３８が残留しているため
に、エジェクタピン２６ａ，２６ｂによって押し上げら
れる成形品２５はリードが僅かに屈折されてしまう。そ
のために、図２（ｂ）に示すように、ゲート３６の先端
部付近にストレスの集中が起こりクラックＡ1 が発生す
る。
【０００４】したがって、第２動作時において、このゲ
ート３６先端付近のストレスが増長されて成形品２５と
ゲート３６との分離時に成形品２５側にゲート３６のエ
ポキシ系封止樹脂３２が付着し、この付着したエポキシ
系封止樹脂３２が、成形品２５を連結しているリードの
切断やリードの成形といった次工程の作業の邪魔とな
り、作業性を著しく悪化させている。
ート３６先端付近のストレスが増長されて成形品２５と
ゲート３６との分離時に成形品２５側にゲート３６のエ
ポキシ系封止樹脂３２が付着し、この付着したエポキシ
系封止樹脂３２が、成形品２５を連結しているリードの
切断やリードの成形といった次工程の作業の邪魔とな
り、作業性を著しく悪化させている。
【０００５】また、上記の半導体製造装置では、図２
（ｂ）に示すように、プランジャ３４がカル３８を上方
に押し上げる際に成形品２５が傾くので、成形品２５が
エジェクタピン２６ａ，２６ｂによって破損されてクラ
ックＡ2 が発生することがあった。
（ｂ）に示すように、プランジャ３４がカル３８を上方
に押し上げる際に成形品２５が傾くので、成形品２５が
エジェクタピン２６ａ，２６ｂによって破損されてクラ
ックＡ2 が発生することがあった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、成形品とゲート
との分離時に、成形品側にゲートの熱硬化性樹脂が付着
することのないロアプランジャ型トランスファーモール
ド用の半導体製造装置に関する技術を提供することにあ
る。
との分離時に、成形品側にゲートの熱硬化性樹脂が付着
することのないロアプランジャ型トランスファーモール
ド用の半導体製造装置に関する技術を提供することにあ
る。
【０００７】また、本発明の他の目的は、成形品が破損
したり、ゲートが欠けることのないロアプランジャ型ト
ランスファーモールド用の半導体製造装置に関する技術
を提供することにある。
したり、ゲートが欠けることのないロアプランジャ型ト
ランスファーモールド用の半導体製造装置に関する技術
を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【００１０】すなわち、本発明の半導体製造装置は、ワ
イヤボンディングされた半導体チップを搭載したリード
フレームを下金型に載置し、ポットに熱硬化性樹脂を投
入してこれを溶融し、プランジャを上昇させて熱硬化性
樹脂を閉じた上下金型のキャビティ内に注入し、半導体
チップを封止して成形品とするロアプランジャ型トラン
スファーモールド用の半導体製造装置であって、熱硬化
性樹脂の硬化後の離型動作時に、エジェクタピンとプラ
ンジャとが、同期作動手段によって、同時に同じ高さだ
け前記成形品と前記ポットに残ったカルとをそれぞれ押
し上げるものである。
イヤボンディングされた半導体チップを搭載したリード
フレームを下金型に載置し、ポットに熱硬化性樹脂を投
入してこれを溶融し、プランジャを上昇させて熱硬化性
樹脂を閉じた上下金型のキャビティ内に注入し、半導体
チップを封止して成形品とするロアプランジャ型トラン
スファーモールド用の半導体製造装置であって、熱硬化
性樹脂の硬化後の離型動作時に、エジェクタピンとプラ
ンジャとが、同期作動手段によって、同時に同じ高さだ
け前記成形品と前記ポットに残ったカルとをそれぞれ押
し上げるものである。
【００１１】
【作用】上記のような構成の半導体製造装置によれば、
エジェクタピンとプランジャとが、同時に同じ高さだけ
成形品とカルとを押し上げるので、エジェクタピンによ
って押し上げられる成形品のリードが屈折してゲートの
先端部付近にクラックが発生することがなく、したがっ
て、成形品とゲートとの分離時に成形品側にゲート部の
熱硬化性樹脂が付着することがない。
エジェクタピンとプランジャとが、同時に同じ高さだけ
成形品とカルとを押し上げるので、エジェクタピンによ
って押し上げられる成形品のリードが屈折してゲートの
先端部付近にクラックが発生することがなく、したがっ
て、成形品とゲートとの分離時に成形品側にゲート部の
熱硬化性樹脂が付着することがない。
【００１２】さらに、成形品とカルとが平行に押し上げ
られるので、成形品が傾いてエジェクタピンによって破
損されたりすることがなくなる。
られるので、成形品が傾いてエジェクタピンによって破
損されたりすることがなくなる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいてさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施例である半導体製
造装置を示す要部断面図である。
造装置を示す要部断面図である。
【００１５】本実施例における半導体製造装置は、いわ
ゆるロアプランジャ型トランスファーモールド用の半導
体製造装置であり、ワイヤボンディングされた半導体チ
ップ１を搭載したリードフレーム２が配置される下金型
３の上方には、この下金型３と係合して前記リードフレ
ーム２を密閉する上金型４が位置している。
ゆるロアプランジャ型トランスファーモールド用の半導
体製造装置であり、ワイヤボンディングされた半導体チ
ップ１を搭載したリードフレーム２が配置される下金型
３の上方には、この下金型３と係合して前記リードフレ
ーム２を密閉する上金型４が位置している。
【００１６】上下金型３，４には、半導体チップ２に該
当する樹脂注入部分であるキャビティ３ａ，４ａがそれ
ぞれ形成され、さらに下金型３側には、半導体チップ２
を封止した成形品５をキャビティ３ａから押し上げるた
めのエジェクタピン６ａ，６ｂが設けられている。
当する樹脂注入部分であるキャビティ３ａ，４ａがそれ
ぞれ形成され、さらに下金型３側には、半導体チップ２
を封止した成形品５をキャビティ３ａから押し上げるた
めのエジェクタピン６ａ，６ｂが設けられている。
【００１７】このエジェクタピン６ａ，６ｂの一端側は
プレート７に当接され、さらにこのプレート７は、ばね
８ａ，８ｂによって下方のプレート押上部材９の方向に
付勢されている。
プレート７に当接され、さらにこのプレート７は、ばね
８ａ，８ｂによって下方のプレート押上部材９の方向に
付勢されている。
【００１８】プレート押上部材９は、前記の下金型３が
載置され、第１のモータ（第１の駆動手段）１０によっ
て上下動自在に設けられた可動プラテン１１を貫通して
設けられており、可動プラテン１１が下方に移動したと
きにプレート押上部材９がプレート７を介してエジェク
タピン６ａ，６ｂを押し上げ、エジェクタピン６ａ，６
ｂが成形品５をキャビティ３ａから押し出すようになっ
ている。
載置され、第１のモータ（第１の駆動手段）１０によっ
て上下動自在に設けられた可動プラテン１１を貫通して
設けられており、可動プラテン１１が下方に移動したと
きにプレート押上部材９がプレート７を介してエジェク
タピン６ａ，６ｂを押し上げ、エジェクタピン６ａ，６
ｂが成形品５をキャビティ３ａから押し出すようになっ
ている。
【００１９】下金型３には、エポキシ系封止樹脂（熱硬
化性樹脂）１２が投入されるポット１３が形成され、ポ
ット１３に投入されたエポキシ系封止樹脂１２は、ポッ
ト１３内に設けられたプランジャ１４が第２のモータ
（第２の駆動手段）１５によって上昇されることによっ
て加圧移動され、ゲート１６を通ってキャビティ３ａ，
４ａ内に注入されるようになっている。
化性樹脂）１２が投入されるポット１３が形成され、ポ
ット１３に投入されたエポキシ系封止樹脂１２は、ポッ
ト１３内に設けられたプランジャ１４が第２のモータ
（第２の駆動手段）１５によって上昇されることによっ
て加圧移動され、ゲート１６を通ってキャビティ３ａ，
４ａ内に注入されるようになっている。
【００２０】ここで、前記した第１のモータ１０と第２
のモータ１５とはリニアエンコーダ（同期作動手段）１
７と電気的に接続されており、第１のモータ１０と第２
のモータ１５がこのリニアエンコーダ１７によって制御
されることで、エジェクタピン６ａ，６ｂとプランジャ
１４とが同時に同じ高さだけ上方に相対移動されるよう
になっている。
のモータ１５とはリニアエンコーダ（同期作動手段）１
７と電気的に接続されており、第１のモータ１０と第２
のモータ１５がこのリニアエンコーダ１７によって制御
されることで、エジェクタピン６ａ，６ｂとプランジャ
１４とが同時に同じ高さだけ上方に相対移動されるよう
になっている。
【００２１】次に、本実施例の半導体製造装置の作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２２】まず、ワイヤボンディングまでされたリー
ドフレーム２を下金型のキャビティ３ａ上に配置して上
下金型３，４を閉じ、リードフレーム２を固定する。一
方、たとえば高周波加熱機（図示せず）で予備加熱さ
れ、ある程度軟化したエポキシ系封止樹脂１２をポット
１３内に投入する。
ドフレーム２を下金型のキャビティ３ａ上に配置して上
下金型３，４を閉じ、リードフレーム２を固定する。一
方、たとえば高周波加熱機（図示せず）で予備加熱さ
れ、ある程度軟化したエポキシ系封止樹脂１２をポット
１３内に投入する。
【００２３】次に、プランジャ１４を第２のモータ１５
によって上昇させてエポキシ系封止樹脂１２を加圧移動
させる。すると、エポキシ系封止樹脂１２はゲート１６
を通ってキャビティ３ａ，４ａ内に注入され、これによ
って半導体チップ１が封止される。
によって上昇させてエポキシ系封止樹脂１２を加圧移動
させる。すると、エポキシ系封止樹脂１２はゲート１６
を通ってキャビティ３ａ，４ａ内に注入され、これによ
って半導体チップ１が封止される。
【００２４】そして、所定時間経過して前記のエポキシ
系封止樹脂１２が硬化したところで上下金型３，４を開
き、リニアエンコーダ１７によって制御される第１のモ
ータ１０と第２のモータ１５によってエジェクタピン６
ａ，６ｂとプランジャ１４とを作動させ、成形品５とポ
ット１３内に残留しているカル１８を同時に同じ高さだ
け押し上げて取り出す。
系封止樹脂１２が硬化したところで上下金型３，４を開
き、リニアエンコーダ１７によって制御される第１のモ
ータ１０と第２のモータ１５によってエジェクタピン６
ａ，６ｂとプランジャ１４とを作動させ、成形品５とポ
ット１３内に残留しているカル１８を同時に同じ高さだ
け押し上げて取り出す。
【００２５】このようにして半導体チップ１およびリー
ドフレーム２の一部が封止された成形品５が得られ、ま
た、ポット１３からカル１８が除去されて新たなエポキ
シ系封止樹脂１２が投入されることとなる。
ドフレーム２の一部が封止された成形品５が得られ、ま
た、ポット１３からカル１８が除去されて新たなエポキ
シ系封止樹脂１２が投入されることとなる。
【００２６】このように、本実施例の半導体製造装置に
よれば、エポキシ系封止樹脂１２の硬化後における離型
動作時に、リニアエンコーダ１７によってエジェクタピ
ン６ａ，６ｂとプランジャ１４とが同時に同じ高さだけ
成形品５とカル１８とを押し上げるので、エジェクタピ
ン６ａ，６ｂによって押し上げられる成形品５のリード
が屈折してゲート１６の先端部付近にクラックが発生す
ることがない。したがって、成形品５とゲート１６との
分離時に成形品５側にゲート１６側のエポキシ系封止樹
脂１２が付着することがない。
よれば、エポキシ系封止樹脂１２の硬化後における離型
動作時に、リニアエンコーダ１７によってエジェクタピ
ン６ａ，６ｂとプランジャ１４とが同時に同じ高さだけ
成形品５とカル１８とを押し上げるので、エジェクタピ
ン６ａ，６ｂによって押し上げられる成形品５のリード
が屈折してゲート１６の先端部付近にクラックが発生す
ることがない。したがって、成形品５とゲート１６との
分離時に成形品５側にゲート１６側のエポキシ系封止樹
脂１２が付着することがない。
【００２７】また、成形品５とカル１８とが平行に押し
上げられるので、成形品５が傾いてエジェクタピン６
ａ，６ｂによって破損されたり、あるいは、エジェクタ
ピン６ａ，６ｂが成形品５によって欠けたりすることも
ない。
上げられるので、成形品５が傾いてエジェクタピン６
ａ，６ｂによって破損されたり、あるいは、エジェクタ
ピン６ａ，６ｂが成形品５によって欠けたりすることも
ない。
【００２８】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００２９】たとえば、本実施例においてはエジェクタ
ピンは各キャビティに２本ずつ設けられているが何本で
あってもよく、また、プランジャの個数についても単数
であっても複数であってもよい。
ピンは各キャビティに２本ずつ設けられているが何本で
あってもよく、また、プランジャの個数についても単数
であっても複数であってもよい。
【００３０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【００３１】(1).すなわち、本発明の半導体製造装置に
よれば、熱硬化性樹脂の硬化後における離型動作時に、
エジェクタピンとプランジャとが、同期作動手段によっ
て同時に同じ高さだけ成形品とポットに残留したカルと
をそれぞれ押し上げるので、エジェクタピンによって押
し上げられる成形品のリードが屈折してゲートの先端部
付近にクラックが発生することがない。
よれば、熱硬化性樹脂の硬化後における離型動作時に、
エジェクタピンとプランジャとが、同期作動手段によっ
て同時に同じ高さだけ成形品とポットに残留したカルと
をそれぞれ押し上げるので、エジェクタピンによって押
し上げられる成形品のリードが屈折してゲートの先端部
付近にクラックが発生することがない。
【００３２】(2).したがって、成形品とゲートとの分離
時において、成形品側にゲート部の熱硬化性樹脂が付着
することがなく、リードの切断やリードの成形等の次工
程の作業の作業性が悪化されることがない。
時において、成形品側にゲート部の熱硬化性樹脂が付着
することがなく、リードの切断やリードの成形等の次工
程の作業の作業性が悪化されることがない。
【００３３】(3).さらに、成形品とカルとが平行に押し
上げられるので、成形品が傾いてエジェクタピンによっ
て破損されてクラックが発生することもない。
上げられるので、成形品が傾いてエジェクタピンによっ
て破損されてクラックが発生することもない。
【図１】本発明の実施例による半導体製造装置を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図２】本発明者により検討された半導体製造装置を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
１ 半導体チップ ２ リードフレーム ３ 下金型 ３ａ キャビティ ４ 上金型 ４ａ キャビティ ５ 成形品 ６ａ エジェクタピン ６ｂ エジェクタピン ７ プレート ８ａ ばね ８ｂ ばね ９ プレート押上部材 １０ 第１のモータ（第１の駆動手段） １１ 可動プラテン １２ エポキシ系封止樹脂（熱硬化性樹脂） １３ ポット １４ プランジャ １５ 第２のモータ（第２の駆動手段） １６ ゲート １７ リニアエンコーダ（同期作動手段） １８ カル ２５ 成形品 ２６ａ エジェクタピン ２６ｂ エジェクタピン ３２ エポキシ系封止樹脂 ３４ プランジャ ３６ ゲート ３８ カル Ａ1 クラック Ａ2 クラック
Claims (2)
- 【請求項１】 ワイヤボンディングされた半導体チップ
を搭載したリードフレームを下金型に載置し、ポットに
熱硬化性樹脂を投入してこれを溶融し、プランジャを上
昇させて前記熱硬化性樹脂を閉じた上下金型のキャビテ
ィ内に注入し、前記半導体チップを封止して成形品とす
るロアプランジャ型トランスファーモールド用の半導体
製造装置であって、前記熱硬化性樹脂の硬化後の離型動
作時に、エジェクタピンと前記プランジャとが、同期作
動手段によって、同時に同じ高さだけ前記成形品と前記
ポットに残留したカルとをそれぞれ押し上げることを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記同期作動手段は、前記エジェクタピ
ンと前記プランジャとにそれぞれ連結されてそれらを上
方に相対移動させる第１および第２のモータを同期作動
させるリニアエンコーダよりなることを特徴とする請求
項１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16723593A JPH0722451A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16723593A JPH0722451A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722451A true JPH0722451A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15845966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16723593A Pending JPH0722451A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722451A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009329A1 (fr) * | 1996-08-29 | 1998-03-05 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteur scelle par resine, et son procede de production |
| US7109057B2 (en) * | 2001-07-27 | 2006-09-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor device by using sealing apparatus |
| KR100793273B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-01-10 | 세크론 주식회사 | 수지금형의 몰딩체 분리방법 |
-
1993
- 1993-07-07 JP JP16723593A patent/JPH0722451A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009329A1 (fr) * | 1996-08-29 | 1998-03-05 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteur scelle par resine, et son procede de production |
| US7109057B2 (en) * | 2001-07-27 | 2006-09-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor device by using sealing apparatus |
| KR100793273B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-01-10 | 세크론 주식회사 | 수지금형의 몰딩체 분리방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1999050908A1 (fr) | Procede de fabrication de dispositif a semi-conducteur, appareil pour le moulage de dispositif a semi-conducteur et semi-conducteur | |
| JP2004216558A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 | |
| KR920009914B1 (ko) | 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법 | |
| WO1995019251A1 (fr) | Procede de soudage par resine de dispositifs semi-conducteurs | |
| US5254501A (en) | Same-side gated process for encapsulating semiconductor devices | |
| JP5065747B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び製造装置 | |
| US20130140737A1 (en) | Stacked substrate molding | |
| JPH0722451A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2004153045A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 | |
| JP4202632B2 (ja) | 一括封止型半導体パッケージの樹脂封止構造およびその製造装置 | |
| JP2003324116A (ja) | 樹脂封止金型および樹脂封止装置 | |
| JPS6154633A (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| JP3602422B2 (ja) | 樹脂封止装置 | |
| JP3524982B2 (ja) | 半導体モールド装置 | |
| JPH10109330A (ja) | モールド装置およびゲート切断方法ならびに半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP3543742B2 (ja) | 樹脂封止成形装置 | |
| JPH11191563A (ja) | モールド方法および装置 | |
| KR100456082B1 (ko) | 반도체패키지의제조방법 | |
| JPH11330112A (ja) | 半導体装置の製造方法およびトランスファモールド装置 | |
| JPH09115937A (ja) | 半導体装置の製造方法ならびにモールド装置およびリードフレーム | |
| JP2842272B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法及びその封止装置 | |
| JPH0919939A (ja) | トランスファ成形装置 | |
| JP2639858B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
| JP2002187175A (ja) | 半導体樹脂封止成形品の取出方法 | |
| JP3109919B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び金型 |