JPH0645383A - 樹脂封止方法及びその金型 - Google Patents
樹脂封止方法及びその金型Info
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- JPH0645383A JPH0645383A JP19933092A JP19933092A JPH0645383A JP H0645383 A JPH0645383 A JP H0645383A JP 19933092 A JP19933092 A JP 19933092A JP 19933092 A JP19933092 A JP 19933092A JP H0645383 A JPH0645383 A JP H0645383A
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- semiconductor chip
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】注入される樹脂の流れにより半導体チップ１の
傾きや、本来封止樹脂で被覆されなければならないリー
ド部及び搭載部並び金属配線４の露出して樹脂封止され
ないようにする。 【構成】半導体装置の樹脂封止方法及びその金型におい
て、封止半導体チップ１のリードフレーム２における搭
載部を支持するピン１６を設け、樹脂がキャビティ１５
に注入されて硬化（架橋）が始まる前にピン１ｂを後退
させ、その先端がキャビティ１５の面と一致する位置ま
で移動させる。このことにより樹脂の流れによる半導体
チップの傾き、及び傾きによる構成部品の樹脂体からの
露出を防止している。
傾きや、本来封止樹脂で被覆されなければならないリー
ド部及び搭載部並び金属配線４の露出して樹脂封止され
ないようにする。 【構成】半導体装置の樹脂封止方法及びその金型におい
て、封止半導体チップ１のリードフレーム２における搭
載部を支持するピン１６を設け、樹脂がキャビティ１５
に注入されて硬化（架橋）が始まる前にピン１ｂを後退
させ、その先端がキャビティ１５の面と一致する位置ま
で移動させる。このことにより樹脂の流れによる半導体
チップの傾き、及び傾きによる構成部品の樹脂体からの
露出を防止している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームに搭載さ
れた半導体チップを樹脂封止する樹脂封止及びその金型
に関する。
れた半導体チップを樹脂封止する樹脂封止及びその金型
に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、樹脂封止型の半導体装置は、複数
の半導体チップをリードフレームのアイランドに並べて
搭載し、この搭載された半導体チップの電極パッドとリ
ードフレームのリード部とを金属細線で接続し、その後
に並べて搭載された半導体チップのそれぞれを樹脂封止
して組立てられていた。
の半導体チップをリードフレームのアイランドに並べて
搭載し、この搭載された半導体チップの電極パッドとリ
ードフレームのリード部とを金属細線で接続し、その後
に並べて搭載された半導体チップのそれぞれを樹脂封止
して組立てられていた。
【０００３】図３は従来の一例を示す樹脂封止金型の斜
視図、図４は図３の樹脂封止金型の断面部分図である。
この樹脂封止金型は、図３に示すように、固形樹脂９を
入れるポット部１０を備えるとともに表面に複数の窪み
が形成される上型６と、この上型６に対応する窪みとで
キャビティを形成するとともにこのキャビティ１５に溶
融樹脂を注入するランナ部１３をもつ下型７とを有して
いる。また、固形樹脂１０は内蔵されるヒータ１２によ
って溶融され、プランジャ１１によって押圧され、キャ
ビティ１５に注入される。
視図、図４は図３の樹脂封止金型の断面部分図である。
この樹脂封止金型は、図３に示すように、固形樹脂９を
入れるポット部１０を備えるとともに表面に複数の窪み
が形成される上型６と、この上型６に対応する窪みとで
キャビティを形成するとともにこのキャビティ１５に溶
融樹脂を注入するランナ部１３をもつ下型７とを有して
いる。また、固形樹脂１０は内蔵されるヒータ１２によ
って溶融され、プランジャ１１によって押圧され、キャ
ビティ１５に注入される。
【０００４】次に、この樹脂封止金型を使用して半導体
装置の樹脂封止方法を説明する。まず、図３の上型６と
下型７を開き、リードフレームのガイドホールを金型に
設置された位置決めピンをはめ込むことで位置合せを行
う。次に、下型６と上型７を閉じる。次に、樹脂の粉体
をタブレット状に加工した固形樹脂９をポッド部１０に
挿入し、図示しないプレス機でプランジャ１１を下方に
移動させる。固形樹脂９は熱硬化性樹脂が一般的である
こと及び金型はヒータ１２で１８０℃近辺に加熱されて
いるので固形樹脂９は一旦溶融する。溶融した樹脂９は
流路であるランナ部１３を流れ、ランナ部１３に設けら
れたゲート部を通過し、図４の上下金型６，７で形成さ
れるキャビティ１５に流れ込む。樹脂の充填が完了する
と数分後樹脂は硬化し上下金型６，７を開口し、リード
フレーム２で取り出され封止が完了する。
装置の樹脂封止方法を説明する。まず、図３の上型６と
下型７を開き、リードフレームのガイドホールを金型に
設置された位置決めピンをはめ込むことで位置合せを行
う。次に、下型６と上型７を閉じる。次に、樹脂の粉体
をタブレット状に加工した固形樹脂９をポッド部１０に
挿入し、図示しないプレス機でプランジャ１１を下方に
移動させる。固形樹脂９は熱硬化性樹脂が一般的である
こと及び金型はヒータ１２で１８０℃近辺に加熱されて
いるので固形樹脂９は一旦溶融する。溶融した樹脂９は
流路であるランナ部１３を流れ、ランナ部１３に設けら
れたゲート部を通過し、図４の上下金型６，７で形成さ
れるキャビティ１５に流れ込む。樹脂の充填が完了する
と数分後樹脂は硬化し上下金型６，７を開口し、リード
フレーム２で取り出され封止が完了する。
【０００５】尚、その後、リードフレームの不要な部分
を除去し半田めっきや捺印が施こされ半導体装置の完成
品となる。
を除去し半田めっきや捺印が施こされ半導体装置の完成
品となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の樹脂封止方法及びその金型では、各キャビティへの樹
脂流動速度の差異により、封止樹脂が充填される時に、
半導体チップが斜めに傾いた状態で樹脂封止され、使用
時に受ける温度サイクル負荷による半導体装置の信頼性
を著しく低下されることがある。また半導体チップや本
来封止樹脂で被覆されなければならないインナーリー
ド，金属配線，半導体チップの搭載部が露出し封止工程
の歩留りを著しく悪化する欠点があった。最近では、半
導体装置の外郭体の薄型傾向になり、このような問題が
益々クローズアップされてきた。
の樹脂封止方法及びその金型では、各キャビティへの樹
脂流動速度の差異により、封止樹脂が充填される時に、
半導体チップが斜めに傾いた状態で樹脂封止され、使用
時に受ける温度サイクル負荷による半導体装置の信頼性
を著しく低下されることがある。また半導体チップや本
来封止樹脂で被覆されなければならないインナーリー
ド，金属配線，半導体チップの搭載部が露出し封止工程
の歩留りを著しく悪化する欠点があった。最近では、半
導体装置の外郭体の薄型傾向になり、このような問題が
益々クローズアップされてきた。
【０００７】一方、このような樹脂封止された半導体装
置の実装方法は、赤外線リフローやベーパーフェイズソ
ルダリング等の方法により、プリント基板への実装され
た半導体装置を加熱し、一括して接続実装が図られてい
る。
置の実装方法は、赤外線リフローやベーパーフェイズソ
ルダリング等の方法により、プリント基板への実装され
た半導体装置を加熱し、一括して接続実装が図られてい
る。
【０００８】しかしながら半導体装置は通常エポキシ樹
脂で封止されているため、外気の水分濃度が高いときは
半導体装置の樹脂が吸湿し、樹脂中の水分が気化するた
めの蒸気圧の影響で半導体装置の樹脂に亀裂が生じる欠
点が生じている。この問題の対策として、封止樹脂の強
度を向上させるため、封止樹脂の酸化ケイ素等のフィラ
ーの含有率を上げる方法が採用されている。封止樹脂の
強度とは相反して封止樹脂の充填中の溶融粘度はかえっ
て上昇し、前述した封止工程の半導体素子の傾きや露出
による歩留り低下の問題はさらに大きくなっている。
脂で封止されているため、外気の水分濃度が高いときは
半導体装置の樹脂が吸湿し、樹脂中の水分が気化するた
めの蒸気圧の影響で半導体装置の樹脂に亀裂が生じる欠
点が生じている。この問題の対策として、封止樹脂の強
度を向上させるため、封止樹脂の酸化ケイ素等のフィラ
ーの含有率を上げる方法が採用されている。封止樹脂の
強度とは相反して封止樹脂の充填中の溶融粘度はかえっ
て上昇し、前述した封止工程の半導体素子の傾きや露出
による歩留り低下の問題はさらに大きくなっている。
【０００９】本発明の目的は、半導体チップの傾きや、
半導体チップを含む構成部品の露出を起すことなく樹脂
封止出来る樹脂封止方法及びその金型を提供することで
ある。
半導体チップを含む構成部品の露出を起すことなく樹脂
封止出来る樹脂封止方法及びその金型を提供することで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止方法
は、上型と下型と閉じて半導体チップを搭載するリード
フレームを挟み保持するステップと、前記半導体チップ
及びこの半導体チップを搭載する構成部材のいずれかを
支持部材で支持するステップと、この支持部材及び前記
半導体チップ並びに前記構成部品の周囲を閉塞する空間
部に溶融される樹脂を充填するステップと、溶融樹脂が
硬化する前に、前記支持部材を後退させその先端を前記
空間部の壁面と同一面にするステップとを含んで構成さ
れる。
は、上型と下型と閉じて半導体チップを搭載するリード
フレームを挟み保持するステップと、前記半導体チップ
及びこの半導体チップを搭載する構成部材のいずれかを
支持部材で支持するステップと、この支持部材及び前記
半導体チップ並びに前記構成部品の周囲を閉塞する空間
部に溶融される樹脂を充填するステップと、溶融樹脂が
硬化する前に、前記支持部材を後退させその先端を前記
空間部の壁面と同一面にするステップとを含んで構成さ
れる。
【００１１】また、本発明の樹脂封止金型は、表面に複
数の窪みが形成される上型と、前記窪みとで前記空間部
を構成する窪みとこれら窪みと湯留り部と連らなるラン
ナ部とが形成される下型とを有する樹脂封止金型におい
て、前記空間部の壁面より出入するとともに前記半導体
チップ及び半導体チップを搭載する構成部品を支える前
記支持部材を備えている。
数の窪みが形成される上型と、前記窪みとで前記空間部
を構成する窪みとこれら窪みと湯留り部と連らなるラン
ナ部とが形成される下型とを有する樹脂封止金型におい
て、前記空間部の壁面より出入するとともに前記半導体
チップ及び半導体チップを搭載する構成部品を支える前
記支持部材を備えている。
【００１２】
【実施例】次に本発明を図面を参照して説明する。
【００１３】図１は本発明の樹脂封止方法及びその金型
の一実施例を説明するための金型の一部を示す断面図で
ある。この樹脂封止金型は、図１に示すように、プラン
ジャの押圧動作と同期して下型７の窪みより突出してリ
ードフレーム２を支えるピン１６を設けたことである。
そして樹脂が注入され、硬化を進む寸前にこのピン１６
を下降させ先端がキャビティの表面と同一になるように
ピン１６の位置を固定し、硬化後、従来例と同じよう
に、図示していないエジェクタピンで樹脂封止された半
導体装置を金型より外す。
の一実施例を説明するための金型の一部を示す断面図で
ある。この樹脂封止金型は、図１に示すように、プラン
ジャの押圧動作と同期して下型７の窪みより突出してリ
ードフレーム２を支えるピン１６を設けたことである。
そして樹脂が注入され、硬化を進む寸前にこのピン１６
を下降させ先端がキャビティの表面と同一になるように
ピン１６の位置を固定し、硬化後、従来例と同じよう
に、図示していないエジェクタピンで樹脂封止された半
導体装置を金型より外す。
【００１４】この樹脂封止金型は、上型の窪みと下型の
窪みの深さに異なる場合であって、深い窪み側に流れる
樹脂の流速の方が浅い窪み側に流れる樹脂の流速し比較
して速いため半導体チップ及び半導体チップを搭載する
構成部分には圧力のアンバランスが生じる。この場合で
は、上型６の窪みが深いので上型６か下型７への圧力が
かかる。このため下型７より半導体チップ１及びリード
フレーム２を支えるピン１６を設けてある。また、上下
の型の窪みの深さが同一であれば、上型にも下型にもピ
ンを設けることである。
窪みの深さに異なる場合であって、深い窪み側に流れる
樹脂の流速の方が浅い窪み側に流れる樹脂の流速し比較
して速いため半導体チップ及び半導体チップを搭載する
構成部分には圧力のアンバランスが生じる。この場合で
は、上型６の窪みが深いので上型６か下型７への圧力が
かかる。このため下型７より半導体チップ１及びリード
フレーム２を支えるピン１６を設けてある。また、上下
の型の窪みの深さが同一であれば、上型にも下型にもピ
ンを設けることである。
【００１５】このように半導体チップ搭載部を支持する
インナリードを固定しながら封止樹脂の充填を行うこと
で半導体チップの傾きや露出を防止することができる。
インナリードを固定しながら封止樹脂の充填を行うこと
で半導体チップの傾きや露出を防止することができる。
【００１６】図２は本発明の樹脂封止方法及びその金型
の他の実施例を説明するための金型の一部を示す断面図
である。この樹脂封止金型は、図２に示すように、リー
ドフレーム２における半導体チップ１の搭載部を裏面よ
り支えるピン１６ａと、半導体チップ１の保護膜に接し
て支えるピン１６ａとを上型６と下型７にそれぞれ設け
ることである。この金型は、前述の実施例と同様にピン
１６ａ，１６ｂはプランジャの動作と同調して図示しな
いモールド機で上型６のピン１６ｂで半導体チップの表
面を固定し、下型７のピン１６ａで半導体チップの半導
体チップの搭載部裏面を固定する。
の他の実施例を説明するための金型の一部を示す断面図
である。この樹脂封止金型は、図２に示すように、リー
ドフレーム２における半導体チップ１の搭載部を裏面よ
り支えるピン１６ａと、半導体チップ１の保護膜に接し
て支えるピン１６ａとを上型６と下型７にそれぞれ設け
ることである。この金型は、前述の実施例と同様にピン
１６ａ，１６ｂはプランジャの動作と同調して図示しな
いモールド機で上型６のピン１６ｂで半導体チップの表
面を固定し、下型７のピン１６ａで半導体チップの半導
体チップの搭載部裏面を固定する。
【００１７】このように半導体チップと半導体チップ搭
載部を固定することで前述の傾き及び露出を防止するこ
とが可能である。
載部を固定することで前述の傾き及び露出を防止するこ
とが可能である。
【００１８】また、この実施例では、半導体チップや搭
載部の大きさが異なるものに対しても、ピンの位置を変
えない限り、金型が共用できる利点がある。
載部の大きさが異なるものに対しても、ピンの位置を変
えない限り、金型が共用できる利点がある。
【００１９】尚、このピンは、前述の実施例で説明した
ように、窪みの深さに相違があれば、上金型か下金型の
一方のみに設けても同様の効果が得られる。
ように、窪みの深さに相違があれば、上金型か下金型の
一方のみに設けても同様の効果が得られる。
【００２０】なお、この実施例において懸念されるピン
によって生ずる樹脂外郭体への窪みの問題は、樹脂の架
橋が進まない内にピンを退避すれば解決する問題であ
り、従来から使用しているエポキシ樹脂では、架橋度が
１０〜３６％程度でも十分樹脂がピンによって生ずる穴
を満たし、ほとんど跡が見られなかった。また、このピ
ンは樹脂と接着しないように、六フッ化ビニールか銅棒
にテフロン処理を施したものを使用する。
によって生ずる樹脂外郭体への窪みの問題は、樹脂の架
橋が進まない内にピンを退避すれば解決する問題であ
り、従来から使用しているエポキシ樹脂では、架橋度が
１０〜３６％程度でも十分樹脂がピンによって生ずる穴
を満たし、ほとんど跡が見られなかった。また、このピ
ンは樹脂と接着しないように、六フッ化ビニールか銅棒
にテフロン処理を施したものを使用する。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップ及び半導体チップを支持する部材のいずれかを支持
するピンを設け、このピンを樹脂注入中に突出させ前記
部材を支持し、樹脂が充填され架橋化が進まない内に前
記ピンを後退させ、先端をキャビティ面と同一面にする
ことによって、半導体チップの傾きや半導体チップ及び
本来封止樹脂で被覆されなければならないインナーリー
ド、及び搭載部の露出を起すことなく樹脂封止出来ると
いう効果がある。
ップ及び半導体チップを支持する部材のいずれかを支持
するピンを設け、このピンを樹脂注入中に突出させ前記
部材を支持し、樹脂が充填され架橋化が進まない内に前
記ピンを後退させ、先端をキャビティ面と同一面にする
ことによって、半導体チップの傾きや半導体チップ及び
本来封止樹脂で被覆されなければならないインナーリー
ド、及び搭載部の露出を起すことなく樹脂封止出来ると
いう効果がある。
【図１】本発明の樹脂封止方法及びその金型の一実施例
を説明するための金型の一部を示す断面図である。
を説明するための金型の一部を示す断面図である。
【図２】本発明の樹脂封止方法及びその金型の他の実施
例を説明するための金型の一部を示す断面図である。
例を説明するための金型の一部を示す断面図である。
【図３】従来の樹脂封止金型の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図４】図３の樹脂封止金型の一部を示す断面図であ
る。
る。
１ 半導体チップ ２ リードフレーム ４ 金属配線 ６ 上型 ７ 下型 ９ 固形樹脂 １０ ポット部 １１ プランジャ １２ ヒータ １３ ランナ部 １５ キャビティ １６，１６ａ，１６ｂ ピン
Claims (2)
- 【請求項１】 上型と下型と閉じて半導体チップを搭載
するリードフレームを挟み保持するステップと、前記半
導体チップ及びこの半導体チップを搭載する構成部材の
いずれかを支持部材で支持するステップと、この支持部
材及び前記半導体チップ並びに前記構成部品の周囲を閉
塞する空間部に溶融される樹脂を充填するステップと、
溶融樹脂が硬化する前に、前記支持部材を後退させその
先端を前記空間部の壁面と同一面にするステップとを含
んでいることを特徴とする樹脂封止方法。 - 【請求項２】 表面に複数の窪みが形成される上型と、
前記窪みとで前記空間部を構成する窪みとこれら窪みと
湯留り部と連らなるランナ部とが形成される下型とを有
する樹脂封止金型において、前記空間部の壁面より出入
するとともに前記半導体チップ及び半導体チップを搭載
する構成部品を支える前記支持部材を備えることを特徴
とする樹脂封止金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19933092A JPH0645383A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 樹脂封止方法及びその金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19933092A JPH0645383A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 樹脂封止方法及びその金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645383A true JPH0645383A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16406007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19933092A Withdrawn JPH0645383A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 樹脂封止方法及びその金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645383A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008512647A (ja) * | 2004-09-07 | 2008-04-24 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 空洞ハウジングおよびセンサチップを含む半導体センサ装置、および、その製造方法 |
| CN102756457A (zh) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | 无锡华润安盛科技有限公司 | 用于预塑封传感器芯片的模具 |
| JP2015185833A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| JP2018154103A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | キヤノン株式会社 | 一体成形方法、および一体成形装置 |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP19933092A patent/JPH0645383A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008512647A (ja) * | 2004-09-07 | 2008-04-24 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 空洞ハウジングおよびセンサチップを含む半導体センサ装置、および、その製造方法 |
| JP4712042B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2011-06-29 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 空洞ハウジングおよびセンサチップを含む半導体センサ装置、および、その製造方法 |
| CN102756457A (zh) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | 无锡华润安盛科技有限公司 | 用于预塑封传感器芯片的模具 |
| JP2015185833A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| JP2018154103A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | キヤノン株式会社 | 一体成形方法、および一体成形装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |