JP2003045807A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003045807A5
JP2003045807A5 JP2001228429A JP2001228429A JP2003045807A5 JP 2003045807 A5 JP2003045807 A5 JP 2003045807A5 JP 2001228429 A JP2001228429 A JP 2001228429A JP 2001228429 A JP2001228429 A JP 2001228429A JP 2003045807 A5 JP2003045807 A5 JP 2003045807A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride semiconductor
substrate
region
semiconductor layer
growing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001228429A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4784012B2 (ja
JP2003045807A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2001228429A priority Critical patent/JP4784012B2/ja
Priority claimed from JP2001228429A external-priority patent/JP4784012B2/ja
Publication of JP2003045807A publication Critical patent/JP2003045807A/ja
Publication of JP2003045807A5 publication Critical patent/JP2003045807A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4784012B2 publication Critical patent/JP4784012B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2001228429A 2001-07-27 2001-07-27 窒化物半導体基板、及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4784012B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001228429A JP4784012B2 (ja) 2001-07-27 2001-07-27 窒化物半導体基板、及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001228429A JP4784012B2 (ja) 2001-07-27 2001-07-27 窒化物半導体基板、及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003045807A JP2003045807A (ja) 2003-02-14
JP2003045807A5 true JP2003045807A5 (enExample) 2008-09-04
JP4784012B2 JP4784012B2 (ja) 2011-09-28

Family

ID=19060941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001228429A Expired - Fee Related JP4784012B2 (ja) 2001-07-27 2001-07-27 窒化物半導体基板、及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4784012B2 (enExample)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4883931B2 (ja) * 2005-04-26 2012-02-22 京セラ株式会社 半導体積層基板の製造方法
JP5136437B2 (ja) * 2009-01-23 2013-02-06 住友電気工業株式会社 窒化物系半導体光素子を作製する方法
JP2011114160A (ja) * 2009-11-26 2011-06-09 Sumitomo Chemical Co Ltd 半導体基板、電子デバイスおよび半導体基板の製造方法
JP5667360B2 (ja) * 2009-12-21 2015-02-12 住友化学株式会社 半導体基板、電子デバイスおよび半導体基板の製造方法
JP2014072428A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujitsu Ltd 半導体結晶基板の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体結晶基板及び半導体装置
JP5685617B2 (ja) * 2013-03-29 2015-03-18 ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 発光ダイオード装置の製造方法
JP2015065465A (ja) * 2014-12-04 2015-04-09 ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 発光ダイオード装置の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0754806B2 (ja) * 1987-01-20 1995-06-07 日本電信電話株式会社 化合物半導体単結晶膜の成長方法
JP2704931B2 (ja) * 1993-11-19 1998-01-26 光技術研究開発株式会社 選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法
JP4301592B2 (ja) * 1998-01-16 2009-07-22 三菱マテリアル株式会社 窒化物半導体層付き基板の製造方法
JP3791246B2 (ja) * 1999-06-15 2006-06-28 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法、及びそれを用いた窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体レーザ素子の製造方法
JP2001148544A (ja) * 1999-09-10 2001-05-29 Sharp Corp 半導体発光素子
JP3427047B2 (ja) * 1999-09-24 2003-07-14 三洋電機株式会社 窒化物系半導体素子、窒化物系半導体の形成方法および窒化物系半導体素子の製造方法
AU8009500A (en) * 1999-10-14 2001-04-23 Cree, Inc. Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of group iii-nitride layers
JP2001144014A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Ngk Insulators Ltd エピタキシャル成長用基板およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3875821B2 (ja) GaN膜の製造方法
KR101119728B1 (ko) 대면적, 균일한 저전위 밀도 GaN 기판 및 그 제조방법
JP3886341B2 (ja) 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板
CN100377306C (zh) 非极性单晶a-面氮化物半导体晶圆及其制备
EP1363322A3 (en) GaN single-crystal substrate, nitride type semiconductor epitaxial substrate, nitride type semiconductor device, and methods of making the same
CN101071794B (zh) Iii-v族晶体及其生产方法
JP5323792B2 (ja) 窒化ガリウム半導体構造体の製造方法、半導体構造体の製造方法および半導体構造体
EP2472567A3 (en) Semiconductor layer
TW541733B (en) Epitaxial wafer having a gallium nitride epitaxial layer deposited on semiconductor substrate and method for preparing the same
CA2412855A1 (en) Thick single crystal diamond layer method for making it and gemstones produced from the layer
WO2004051707A3 (en) Gallium nitride-based devices and manufacturing process
JP2005047792A (ja) 微細構造、特にヘテロエピタキシャル微細構造およびそのための方法
EP1288346A3 (en) Method of manufacturing compound single crystal
CN1305639A (zh) 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
JP2003069159A5 (enExample)
KR20090023198A (ko) Ⅲ족 질화물 반도체와 그 제조 방법
EP1614775A3 (en) Method of improving surface flatness of group-III nitride crystal, substrate for epitaxial growth, and semiconductor device
TW200703485A (en) Method of surface treating substrates and method of manufacturing III-V compound semiconductors
JP6933265B2 (ja) Iii族窒化物半導体基板の製造方法
EP1061564A3 (en) MBE growth of group III-nitride semiconductor layers
JP3441415B2 (ja) 半導体結晶の製造方法
TW200604102A (en) Gallium oxide single-crystal complex, its manufacturing method, and method for manufacturing nitride semiconductor film using the same
CN113643960A (zh) 一种基于脉冲法的β-Ga2O3薄膜及其制备方法
JP4852795B2 (ja) 化合物半導体の製造方法
CN108428621A (zh) 一种在非晶态SiO2衬底上生长GaN薄膜的方法