JP2003045807A5 - - Google Patents
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 38
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001228429A JP4784012B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | 窒化物半導体基板、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001228429A JP4784012B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | 窒化物半導体基板、及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003045807A JP2003045807A (ja) | 2003-02-14 |
| JP2003045807A5 true JP2003045807A5 (enExample) | 2008-09-04 |
| JP4784012B2 JP4784012B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=19060941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001228429A Expired - Fee Related JP4784012B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | 窒化物半導体基板、及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4784012B2 (enExample) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4883931B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2012-02-22 | 京セラ株式会社 | 半導体積層基板の製造方法 |
| JP5136437B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2013-02-06 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物系半導体光素子を作製する方法 |
| JP2011114160A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、電子デバイスおよび半導体基板の製造方法 |
| JP5667360B2 (ja) * | 2009-12-21 | 2015-02-12 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイスおよび半導体基板の製造方法 |
| JP2014072428A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶基板の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体結晶基板及び半導体装置 |
| JP5685617B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2015-03-18 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
| JP2015065465A (ja) * | 2014-12-04 | 2015-04-09 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0754806B2 (ja) * | 1987-01-20 | 1995-06-07 | 日本電信電話株式会社 | 化合物半導体単結晶膜の成長方法 |
| JP2704931B2 (ja) * | 1993-11-19 | 1998-01-26 | 光技術研究開発株式会社 | 選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法 |
| JP4301592B2 (ja) * | 1998-01-16 | 2009-07-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 窒化物半導体層付き基板の製造方法 |
| JP3791246B2 (ja) * | 1999-06-15 | 2006-06-28 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体の成長方法、及びそれを用いた窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2001148544A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-05-29 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
| JP3427047B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2003-07-14 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子、窒化物系半導体の形成方法および窒化物系半導体素子の製造方法 |
| AU8009500A (en) * | 1999-10-14 | 2001-04-23 | Cree, Inc. | Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of group iii-nitride layers |
| JP2001144014A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-07-27 JP JP2001228429A patent/JP4784012B2/ja not_active Expired - Fee Related
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