JP2003037214A - 回路装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック基板、フレキシブルシート等を支
持基板として回路素子が実装された回路装置がある。し
かし、回路装置の小型薄型化した場合に量産性の高い製
造方法が確立されていない問題があった。 【解決手段】 分離溝６１により電気的に分離された
各搭載部の複数の導電パターン５１と、分離溝６１を埋
めて導電パターン５１表面を覆う熱硬化性樹脂層５０Ａ
と、回路素子５２を被覆し熱硬化性樹脂層５０Ａと結合
した絶縁性樹脂５０Ｂとを備え、分離溝６１と熱硬化性
樹脂層５０Ａおよび絶縁性樹脂５０Ｂとの接着強度を向
上でき、裏面に導電箔６０から形成した突起状の外部電
極５６を設けた回路装置を実現する。
持基板として回路素子が実装された回路装置がある。し
かし、回路装置の小型薄型化した場合に量産性の高い製
造方法が確立されていない問題があった。 【解決手段】 分離溝６１により電気的に分離された
各搭載部の複数の導電パターン５１と、分離溝６１を埋
めて導電パターン５１表面を覆う熱硬化性樹脂層５０Ａ
と、回路素子５２を被覆し熱硬化性樹脂層５０Ａと結合
した絶縁性樹脂５０Ｂとを備え、分離溝６１と熱硬化性
樹脂層５０Ａおよび絶縁性樹脂５０Ｂとの接着強度を向
上でき、裏面に導電箔６０から形成した突起状の外部電
極５６を設けた回路装置を実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路装置およびそ
の製造方法に関し、特に支持基板を不要にし且つ封止す
る絶縁樹脂層との接着強度を強化した薄型の回路装置お
よびその製造方法に関するものである。
の製造方法に関し、特に支持基板を不要にし且つ封止す
る絶縁樹脂層との接着強度を強化した薄型の回路装置お
よびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器にセットされる回路装置
は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用される
ため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。
は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用される
ため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。
【０００３】例えば、回路装置として半導体装置を例に
して述べると、一般的な半導体装置として、従来通常の
トランスファーモールドで封止されたパッケージ型半導
体装置がある。この半導体装置は、図１５のように、プ
リント基板ＰＳに実装される。
して述べると、一般的な半導体装置として、従来通常の
トランスファーモールドで封止されたパッケージ型半導
体装置がある。この半導体装置は、図１５のように、プ
リント基板ＰＳに実装される。
【０００４】またこのパッケージ型半導体装置は、半導
体チップ２の周囲を樹脂層３で被覆し、この樹脂層３の
側部から外部接続用のリード端子４が導出されたもので
ある。
体チップ２の周囲を樹脂層３で被覆し、この樹脂層３の
側部から外部接続用のリード端子４が導出されたもので
ある。
【０００５】しかしこのパッケージ型半導体装置１は、
リード端子４が樹脂層３から外に出ており、全体のサイ
ズが大きく、小型化、薄型化および軽量化を満足するも
のではなかった。
リード端子４が樹脂層３から外に出ており、全体のサイ
ズが大きく、小型化、薄型化および軽量化を満足するも
のではなかった。
【０００６】そのため、各社が競って小型化、薄型化お
よび軽量化を実現すべく、色々な構造を開発し、最近で
はＣＳＰ（チップサイズパッケージ）と呼ばれる、チッ
プのサイズと同等のウェハスケールＣＳＰ、またはチッ
プサイズよりも若干大きいサイズのＣＳＰが開発されて
いる。
よび軽量化を実現すべく、色々な構造を開発し、最近で
はＣＳＰ（チップサイズパッケージ）と呼ばれる、チッ
プのサイズと同等のウェハスケールＣＳＰ、またはチッ
プサイズよりも若干大きいサイズのＣＳＰが開発されて
いる。
【０００７】図１６は、支持基板としてガラスエポキシ
基板５を採用した、チップサイズよりも若干大きいＣＳ
Ｐ６を示すものである。ここではガラスエポキシ基板５
にトランジスタチップＴが実装されたものとして説明し
ていく。
基板５を採用した、チップサイズよりも若干大きいＣＳ
Ｐ６を示すものである。ここではガラスエポキシ基板５
にトランジスタチップＴが実装されたものとして説明し
ていく。
【０００８】このガラスエポキシ基板５の表面には、第
１の電極７、第２の電極８およびダイパッド９が形成さ
れ、裏面には第１の裏面電極１０と第２の裏面電極１１
が形成されている。そしてスルーホールＴＨを介して、
前記第１の電極７と第１の裏面電極１０が、第２の電極
８と第２の裏面電極１１が電気的に接続されている。ま
たダイパッド９には前記ベアのトランジスタチップＴが
固着され、トランジスタのエミッタ電極と第１の電極７
がボンディングワイヤー１２を介して接続され、トラン
ジスタのベース電極と第２の電極８がボンディングワイ
ヤー１２を介して接続されている。更にトランジスタチ
ップＴを覆うようにガラスエポキシ基板５に樹脂層１３
が設けられている。
１の電極７、第２の電極８およびダイパッド９が形成さ
れ、裏面には第１の裏面電極１０と第２の裏面電極１１
が形成されている。そしてスルーホールＴＨを介して、
前記第１の電極７と第１の裏面電極１０が、第２の電極
８と第２の裏面電極１１が電気的に接続されている。ま
たダイパッド９には前記ベアのトランジスタチップＴが
固着され、トランジスタのエミッタ電極と第１の電極７
がボンディングワイヤー１２を介して接続され、トラン
ジスタのベース電極と第２の電極８がボンディングワイ
ヤー１２を介して接続されている。更にトランジスタチ
ップＴを覆うようにガラスエポキシ基板５に樹脂層１３
が設けられている。
【０００９】前記ＣＳＰ６は、ガラスエポキシ基板５を
採用するが、ウェハスケールＣＳＰと違い、チップＴか
ら外部接続用の裏面電極１０、１１までの延在構造が簡
単であり、安価に製造できるメリットを有する。
採用するが、ウェハスケールＣＳＰと違い、チップＴか
ら外部接続用の裏面電極１０、１１までの延在構造が簡
単であり、安価に製造できるメリットを有する。
【００１０】また前記ＣＳＰ６は、図１５のように、プ
リント基板ＰＳに実装される。プリント基板ＰＳには、
電気回路を構成する電極、配線が設けられ、前記ＣＳＰ
６、パッケージ型半導体装置１、チップ抵抗ＣＲまたは
チップコンデンサＣＣ等が電気的に接続されて固着され
る。
リント基板ＰＳに実装される。プリント基板ＰＳには、
電気回路を構成する電極、配線が設けられ、前記ＣＳＰ
６、パッケージ型半導体装置１、チップ抵抗ＣＲまたは
チップコンデンサＣＣ等が電気的に接続されて固着され
る。
【００１１】そしてこのプリント基板で構成された回路
は、色々なセットの中に取り付けられる。
は、色々なセットの中に取り付けられる。
【００１２】つぎに、このＣＳＰの製造方法を図１７お
よび図１８を参照しながら説明する。
よび図１８を参照しながら説明する。
【００１３】まず基材（支持基板）としてガラスエポキ
シ基板５を用意し、この両面に絶縁性接着剤を介してＣ
ｕ箔２０、２１を圧着する。（以上図１７Ａを参照） 続いて、第１の電極７，第２の電極８、ダイパッド９、
第１の裏面電極１０および第２の裏面電極１１に対応す
るＣｕ箔２０、２１に耐エッチング性のレジスト２２を
被覆し、Ｃｕ箔２０、２１をパターニングする。尚、パ
ターニングは、表と裏で別々にしても良い。（以上図１
７Ｂを参照） 続いて、ドリルやレーザを利用してスルーホールＴＨの
ための孔を前記ガラスエポキシ基板に形成し、この孔に
メッキを施し、スルーホールＴＨを形成する。このスル
ーホールＴＨにより第１の電極７と第１の裏面電極１
０、第２の電極８と第２の裏面電極１０が電気的に接続
される。（以上図１７Ｃを参照） 更に、図面では省略をしたが、ボンデイングポストと成
る第１の電極７，第２の電極８にＮｉメッキを施すと共
に、ダイボンディングポストとなるダイパッド９にＡｕ
メッキを施し、トランジスタチップＴをダイボンディン
グする。
シ基板５を用意し、この両面に絶縁性接着剤を介してＣ
ｕ箔２０、２１を圧着する。（以上図１７Ａを参照） 続いて、第１の電極７，第２の電極８、ダイパッド９、
第１の裏面電極１０および第２の裏面電極１１に対応す
るＣｕ箔２０、２１に耐エッチング性のレジスト２２を
被覆し、Ｃｕ箔２０、２１をパターニングする。尚、パ
ターニングは、表と裏で別々にしても良い。（以上図１
７Ｂを参照） 続いて、ドリルやレーザを利用してスルーホールＴＨの
ための孔を前記ガラスエポキシ基板に形成し、この孔に
メッキを施し、スルーホールＴＨを形成する。このスル
ーホールＴＨにより第１の電極７と第１の裏面電極１
０、第２の電極８と第２の裏面電極１０が電気的に接続
される。（以上図１７Ｃを参照） 更に、図面では省略をしたが、ボンデイングポストと成
る第１の電極７，第２の電極８にＮｉメッキを施すと共
に、ダイボンディングポストとなるダイパッド９にＡｕ
メッキを施し、トランジスタチップＴをダイボンディン
グする。
【００１４】最後に、トランジスタチップＴのエミッタ
電極と第１の電極７、トランジスタチップＴのベース電
極と第２の電極８をボンディングワイヤー１２を介して
接続し、樹脂層１３で被覆している。（以上図１７Ｄを
参照） 以上の製造方法により、支持基板５を採用したＣＳＰ型
の電気素子が完成する。この製造方法は、支持基板とし
てフレキシブルシートを採用しても同様である。
電極と第１の電極７、トランジスタチップＴのベース電
極と第２の電極８をボンディングワイヤー１２を介して
接続し、樹脂層１３で被覆している。（以上図１７Ｄを
参照） 以上の製造方法により、支持基板５を採用したＣＳＰ型
の電気素子が完成する。この製造方法は、支持基板とし
てフレキシブルシートを採用しても同様である。
【００１５】一方、セラミック基板を採用した製造方法
を図１８のフローに示す。支持基板であるセラミック基
板を用意した後、スルーホールを形成し、その後、導電
ペーストを使い、表と裏の電極を印刷し、焼結してい
る。その後、前製造方法の樹脂層を被覆するまでは図１
６の製造方法と同じであるが、セラミック基板は、非常
にもろく、フレキシブルシートやガラスエポキシ基板と
異なり、直ぐに欠けてしまうため金型を用いたモールド
ができない問題がある。そのため、封止樹脂をポッティ
ングし、硬化した後、封止樹脂を平らにする研磨を施
し、最後にダイシング装置を使って個別分離している。
を図１８のフローに示す。支持基板であるセラミック基
板を用意した後、スルーホールを形成し、その後、導電
ペーストを使い、表と裏の電極を印刷し、焼結してい
る。その後、前製造方法の樹脂層を被覆するまでは図１
６の製造方法と同じであるが、セラミック基板は、非常
にもろく、フレキシブルシートやガラスエポキシ基板と
異なり、直ぐに欠けてしまうため金型を用いたモールド
ができない問題がある。そのため、封止樹脂をポッティ
ングし、硬化した後、封止樹脂を平らにする研磨を施
し、最後にダイシング装置を使って個別分離している。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】図１６に於いて、トラ
ンジスタチップＴ、接続手段７〜１２および樹脂層１３
は、外部との電気的接続、トランジスタの保護をする上
で、必要な構成要素であるが、これだけの構成要素で小
型化、薄型化、軽量化を実現する回路素子を提供するの
は難しかった。
ンジスタチップＴ、接続手段７〜１２および樹脂層１３
は、外部との電気的接続、トランジスタの保護をする上
で、必要な構成要素であるが、これだけの構成要素で小
型化、薄型化、軽量化を実現する回路素子を提供するの
は難しかった。
【００１７】また、支持基板となるガラスエポキシ基板
５は、前述したように本来不要なものである。しかし製
造方法上、電極を貼り合わせるため、支持基板として採
用しており、このガラスエポキシ基板５を無くすことが
できなかった。
５は、前述したように本来不要なものである。しかし製
造方法上、電極を貼り合わせるため、支持基板として採
用しており、このガラスエポキシ基板５を無くすことが
できなかった。
【００１８】そのため、このガラスエポキシ基板５を採
用することによって、コストが上昇し、更にはガラスエ
ポキシ基板５が厚いために、回路素子として厚くなり、
小型化、薄型化、軽量化に限界があった。
用することによって、コストが上昇し、更にはガラスエ
ポキシ基板５が厚いために、回路素子として厚くなり、
小型化、薄型化、軽量化に限界があった。
【００１９】更に、ガラスエポキシ基板やセラミック基
板では必ず両面の電極を接続するスルーホール形成工程
が不可欠であり、製造工程も長くなり量産に向かない問
題もあった。
板では必ず両面の電極を接続するスルーホール形成工程
が不可欠であり、製造工程も長くなり量産に向かない問
題もあった。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した多く
の課題に鑑みて成され、分離溝により電気的に分離され
た各搭載部の複数の導電パターンと、前記分離溝を埋め
て前記導電パターン表面を覆う熱硬化性樹脂層と、前記
熱硬化性樹脂層上に固着された回路素子と、該回路素子
を被覆し前記熱硬化性樹脂層と結合した前記導電パター
ンを一体に支持する絶縁性樹脂と、前記導電パターンの
裏面を露出した外部電極とを備えたことを特徴とする。
の課題に鑑みて成され、分離溝により電気的に分離され
た各搭載部の複数の導電パターンと、前記分離溝を埋め
て前記導電パターン表面を覆う熱硬化性樹脂層と、前記
熱硬化性樹脂層上に固着された回路素子と、該回路素子
を被覆し前記熱硬化性樹脂層と結合した前記導電パター
ンを一体に支持する絶縁性樹脂と、前記導電パターンの
裏面を露出した外部電極とを備えたことを特徴とする。
【００２１】本発明では、分離溝を埋めて導電パターン
表面を覆う熱硬化性樹脂層を設けることにより、回路素
子を被覆する絶縁性樹脂との結合が強化され良好な封止
構造の小型化、薄型化、軽量化の回路装置が実現でき、
従来の課題を解決することができる。また、導電パター
ンを厚く残した外部電極を設けることで極めて放熱性の
高い回路装置を実現できる。
表面を覆う熱硬化性樹脂層を設けることにより、回路素
子を被覆する絶縁性樹脂との結合が強化され良好な封止
構造の小型化、薄型化、軽量化の回路装置が実現でき、
従来の課題を解決することができる。また、導電パター
ンを厚く残した外部電極を設けることで極めて放熱性の
高い回路装置を実現できる。
【００２２】本発明の製造方法では、導電箔を用意し、
少なくとも導電パターンと成る領域を除いた前記導電箔
に、前記導電箔の厚みよりも浅い分離溝を形成して導電
パターンを形成する工程と、前記分離溝を埋めて前記導
電パターン表面を熱硬化性樹脂層で覆う工程と、前記導
電パターン上の前記回路素子の電極を接続する部分の前
記熱硬化性樹脂層を選択的に除去する工程と、前記熱硬
化性樹脂層上に回路素子を固着する工程と、前記回路素
子の電極と所望の前記導電パターンとを電気的に接続す
る接続手段を形成する工程と、前記回路素子を被覆し、
前記熱硬化性樹脂層と結合して絶縁性樹脂でモールドす
る工程と、前記分離溝部分の残された前記導電箔を除去
して前記熱硬化性樹脂層裏面より突出した外部電極を形
成する工程とを具備することを特徴とする。
少なくとも導電パターンと成る領域を除いた前記導電箔
に、前記導電箔の厚みよりも浅い分離溝を形成して導電
パターンを形成する工程と、前記分離溝を埋めて前記導
電パターン表面を熱硬化性樹脂層で覆う工程と、前記導
電パターン上の前記回路素子の電極を接続する部分の前
記熱硬化性樹脂層を選択的に除去する工程と、前記熱硬
化性樹脂層上に回路素子を固着する工程と、前記回路素
子の電極と所望の前記導電パターンとを電気的に接続す
る接続手段を形成する工程と、前記回路素子を被覆し、
前記熱硬化性樹脂層と結合して絶縁性樹脂でモールドす
る工程と、前記分離溝部分の残された前記導電箔を除去
して前記熱硬化性樹脂層裏面より突出した外部電極を形
成する工程とを具備することを特徴とする。
【００２３】この製造方法では、分離溝に熱硬化性樹脂
層を埋め込み且つ絶縁性樹脂と結合させるので、絶縁性
樹脂と導電パターンの接着強度が増して良好な封止構造
を得られ、従来の課題を解決することができる。また分
離溝部分の残された前記導電箔を除去することで熱硬化
性樹脂層裏面より突出した外部電極を容易に形成でき、
放熱性に富んだ回路装置を製造できる。
層を埋め込み且つ絶縁性樹脂と結合させるので、絶縁性
樹脂と導電パターンの接着強度が増して良好な封止構造
を得られ、従来の課題を解決することができる。また分
離溝部分の残された前記導電箔を除去することで熱硬化
性樹脂層裏面より突出した外部電極を容易に形成でき、
放熱性に富んだ回路装置を製造できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の回路装置の実施の形態
本発明の回路装置について図１を参照して説明する。
【００２５】本発明に依る回路装置は、分離溝により電
気的に分離された各搭載部の複数の導電パターンと、前
記分離溝を埋めて前記導電パターン表面を覆う熱硬化性
樹脂層と、前記熱硬化性樹脂層から露出された所望の前
記導電パターン上に固着された回路素子と、該回路素子
を被覆し前記熱硬化性樹脂層と結合した前記導電パター
ンを一体に支持する絶縁性樹脂と、前記導電パターンの
裏面を露出した外部電極とから構成されている。
気的に分離された各搭載部の複数の導電パターンと、前
記分離溝を埋めて前記導電パターン表面を覆う熱硬化性
樹脂層と、前記熱硬化性樹脂層から露出された所望の前
記導電パターン上に固着された回路素子と、該回路素子
を被覆し前記熱硬化性樹脂層と結合した前記導電パター
ンを一体に支持する絶縁性樹脂と、前記導電パターンの
裏面を露出した外部電極とから構成されている。
【００２６】図１には、熱硬化性樹脂層５０Ａに埋め込
まれた導電パターン５１を有し、前記導電パターン５１
上には回路素子５２が固着され、前記熱硬化性樹脂層５
０Ａと結合した絶縁性樹脂５０Ｂで導電パターン５１を
支持して成る回路装置５３が示されている。
まれた導電パターン５１を有し、前記導電パターン５１
上には回路素子５２が固着され、前記熱硬化性樹脂層５
０Ａと結合した絶縁性樹脂５０Ｂで導電パターン５１を
支持して成る回路装置５３が示されている。
【００２７】本構造は、回路素子５２、複数の導電パタ
ーン５１と、この導電パターン５１を埋め込む熱硬化性
樹脂層５０Ａおよびそれと結合する絶縁性樹脂５０Ｂの
4つの材料で構成され、導電パターン５１間には、この
熱硬化性樹脂層５０Ａで充填された分離溝６１が設けら
れる。そして熱硬化性樹脂層５０Ａおよび絶縁性樹脂５
０Ｂにより前記導電パターン５１が支持されている。
ーン５１と、この導電パターン５１を埋め込む熱硬化性
樹脂層５０Ａおよびそれと結合する絶縁性樹脂５０Ｂの
4つの材料で構成され、導電パターン５１間には、この
熱硬化性樹脂層５０Ａで充填された分離溝６１が設けら
れる。そして熱硬化性樹脂層５０Ａおよび絶縁性樹脂５
０Ｂにより前記導電パターン５１が支持されている。
【００２８】本発明の特徴である熱硬化性樹脂層５０Ａ
としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられ、
分離溝６１を埋め込み且つ導電パターン５１の表面を被
覆するように設けられる。この熱硬化性樹脂層５０Ａは
熱硬化性樹脂を有機溶剤に溶かした液状の材料をキャス
ティングして分離溝６１および導電パターン５１表面に
塗布し、半硬化して有機溶剤を飛ばした後に本硬化して
形成される。また熱硬化性樹脂層５０Ａにはシリカ、ア
ルミナ等のフィラーを混入して導電パターン５１との熱
膨張係数を緩和すると良い。一般的にエポキシ樹脂の熱
膨張係数は５０ｐｐｍ／℃であり、上記したフィラー入
りのエポキシ樹脂の熱膨張係数は１５〜３０ｐｐｍ／℃
であり、導電パターン５１を形成する銅の熱膨張係数は
１８ｐｐｍ／℃であるので、エポキシ樹脂と銅との熱膨
張係数のミスマッチを改善できる。
としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられ、
分離溝６１を埋め込み且つ導電パターン５１の表面を被
覆するように設けられる。この熱硬化性樹脂層５０Ａは
熱硬化性樹脂を有機溶剤に溶かした液状の材料をキャス
ティングして分離溝６１および導電パターン５１表面に
塗布し、半硬化して有機溶剤を飛ばした後に本硬化して
形成される。また熱硬化性樹脂層５０Ａにはシリカ、ア
ルミナ等のフィラーを混入して導電パターン５１との熱
膨張係数を緩和すると良い。一般的にエポキシ樹脂の熱
膨張係数は５０ｐｐｍ／℃であり、上記したフィラー入
りのエポキシ樹脂の熱膨張係数は１５〜３０ｐｐｍ／℃
であり、導電パターン５１を形成する銅の熱膨張係数は
１８ｐｐｍ／℃であるので、エポキシ樹脂と銅との熱膨
張係数のミスマッチを改善できる。
【００２９】また熱硬化性樹脂層５０Ａは液状の状態で
分離溝６１に充填されるので、トランスファーモールド
されるエポキシ樹脂に比較して低粘度のため分離溝６１
の内壁に密着でき、両者の接着強度が大幅に増加でき
る。
分離溝６１に充填されるので、トランスファーモールド
されるエポキシ樹脂に比較して低粘度のため分離溝６１
の内壁に密着でき、両者の接着強度が大幅に増加でき
る。
【００３０】更に熱硬化性樹脂層５０Ａは予め半硬化し
たシート状のフィルムを加熱圧着して本硬化して、溶融
したエポキシ樹脂で分離溝６１および導電パターン５１
表面に付着する方法も採用できる。
たシート状のフィルムを加熱圧着して本硬化して、溶融
したエポキシ樹脂で分離溝６１および導電パターン５１
表面に付着する方法も採用できる。
【００３１】絶縁性樹脂５０Ｂとしては、エポキシ樹脂
等の熱硬化性樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱
可塑性樹脂を用いることができる。また絶縁性樹脂は、
金型を用いて固める樹脂、ディップ、塗布をして被覆で
きる樹脂であれば、全ての樹脂が採用できる。しかし、
熱硬化性樹脂層５０Ａとの結合強度を考慮すると、同種
の樹脂が好ましいので絶縁性樹脂５０Ｂとしてはエポキ
シ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いる。
等の熱硬化性樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱
可塑性樹脂を用いることができる。また絶縁性樹脂は、
金型を用いて固める樹脂、ディップ、塗布をして被覆で
きる樹脂であれば、全ての樹脂が採用できる。しかし、
熱硬化性樹脂層５０Ａとの結合強度を考慮すると、同種
の樹脂が好ましいので絶縁性樹脂５０Ｂとしてはエポキ
シ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いる。
【００３２】導電パターン５１としては、Ｃｕを主材料
とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔、またはＦｅ
−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等を用いることができ
る。もちろん、他の導電材料でも可能であり、特にエッ
チングできる導電材、レーザで蒸発する導電材が好まし
い。
とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔、またはＦｅ
−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等を用いることができ
る。もちろん、他の導電材料でも可能であり、特にエッ
チングできる導電材、レーザで蒸発する導電材が好まし
い。
【００３３】回路素子５２の接続手段は、フェースアッ
プ構造の場合はボンディングワイヤー５５を用い、フェ
ースダウン構造の場合はロウ材から成る導電ボール、扁
平する導電ボール、半田等のロウ材を用いる。これら接
続手段は、回路素子５２の種類、回路素子５２の実装形
態で選択される。
プ構造の場合はボンディングワイヤー５５を用い、フェ
ースダウン構造の場合はロウ材から成る導電ボール、扁
平する導電ボール、半田等のロウ材を用いる。これら接
続手段は、回路素子５２の種類、回路素子５２の実装形
態で選択される。
【００３４】なおボンディングワイヤー５５あるいはロ
ウ材が固着される導電パターン５１は選択的に熱硬化性
樹脂層５０Ａから露出されており、露出された導電パタ
ーン５１表面には導電被膜５４が設けられている。この
導電被膜５４として考えられる材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐ
ｔまたはＰｄ等であり、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ
等の低真空、または高真空下の被着、メッキまたは焼結
等により被覆される。
ウ材が固着される導電パターン５１は選択的に熱硬化性
樹脂層５０Ａから露出されており、露出された導電パタ
ーン５１表面には導電被膜５４が設けられている。この
導電被膜５４として考えられる材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐ
ｔまたはＰｄ等であり、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ
等の低真空、または高真空下の被着、メッキまたは焼結
等により被覆される。
【００３５】外部電極５６は本発明の特徴とする点であ
り、導電パターン５１の分離溝６１の下側に残された導
電箔６０を利用して形成され、熱硬化性樹脂層５０Ａの
裏面より突出した形状に形成される。従って、外部電極
５６は導電箔６０の一部を用いて約１００μｍほど突出
した電極となる。そのために図１（Ａ）に示すように、
外部電極５６に付着される半田等のロウ材５７は外部電
極５６の側面まで回り、外部電極５６のプリント基板の
導電路等への固着強度が強まる。
り、導電パターン５１の分離溝６１の下側に残された導
電箔６０を利用して形成され、熱硬化性樹脂層５０Ａの
裏面より突出した形状に形成される。従って、外部電極
５６は導電箔６０の一部を用いて約１００μｍほど突出
した電極となる。そのために図１（Ａ）に示すように、
外部電極５６に付着される半田等のロウ材５７は外部電
極５６の側面まで回り、外部電極５６のプリント基板の
導電路等への固着強度が強まる。
【００３６】また、発熱を伴う半導体チップ等を固着し
た導電パターン５１は外部電極５６Ａと共に導電箔６０
の厚みのヒートシンクを構成するので、極めて低熱抵抗
の構造を提供できる。
た導電パターン５１は外部電極５６Ａと共に導電箔６０
の厚みのヒートシンクを構成するので、極めて低熱抵抗
の構造を提供できる。
【００３７】更に、図１（Ｂ）に示すように、外部電極
５６の表面に薄く金メッキ層５７’を施せば、ランドグ
リッドアレイ（ＬＧＡ）構造を実現できるのでわざわざ
メッキ処理をして突起電極を形成する工程が不要とな
る。
５６の表面に薄く金メッキ層５７’を施せば、ランドグ
リッドアレイ（ＬＧＡ）構造を実現できるのでわざわざ
メッキ処理をして突起電極を形成する工程が不要とな
る。
【００３８】本回路装置は、導電パターン５１は熱硬化
性樹脂層５０Ａおよび絶縁性樹脂５０Ｂで支持している
ため、支持基板が不要となる。この構成は、本発明の特
徴である。従来の技術の欄でも説明したように、従来の
回路装置の導電路は、支持基板で支持されていたり、リ
ードフレームで支持されているため、本来不要にしても
良い構成が付加されている。しかし、本回路装置は、必
要最小限の構成要素で構成され、支持基板を不要として
いるため、薄型で安価となる特徴を有する。
性樹脂層５０Ａおよび絶縁性樹脂５０Ｂで支持している
ため、支持基板が不要となる。この構成は、本発明の特
徴である。従来の技術の欄でも説明したように、従来の
回路装置の導電路は、支持基板で支持されていたり、リ
ードフレームで支持されているため、本来不要にしても
良い構成が付加されている。しかし、本回路装置は、必
要最小限の構成要素で構成され、支持基板を不要として
いるため、薄型で安価となる特徴を有する。
【００３９】また、回路素子５２を被覆し且つ導電パタ
ーン５１間の分離溝６１に充填された熱硬化性樹脂層５
０Ａを有し、お互いの絶縁がはかれるメリットを有す
る。
ーン５１間の分離溝６１に充填された熱硬化性樹脂層５
０Ａを有し、お互いの絶縁がはかれるメリットを有す
る。
【００４０】また、回路素子５２を被覆し且つ導電パタ
ーン５１間の分離溝６１に充填され導電パターン５１の
裏面のみを露出して一体に支持する熱硬化性樹脂層５０
Ａおよび絶縁性樹脂５０Ｂを有している。
ーン５１間の分離溝６１に充填され導電パターン５１の
裏面のみを露出して一体に支持する熱硬化性樹脂層５０
Ａおよび絶縁性樹脂５０Ｂを有している。
【００４１】回路素子５２は導電パターン５１を被覆す
る熱硬化性樹脂層５０Ａ上に絶縁性接着剤５８で固着さ
れ、回路素子５２と導電パターン５１とは電気的に絶縁
されている。この結果、回路素子５２の下にはファイン
パターンの導電パターン５１が自由に配線でき、配線の
自由度が大幅に増大する。回路素子５２の各電極パッド
は周辺に設けた導電パターン５１の一部で形成されるボ
ンデイングパッドと供する導電被膜５４にボンディング
ワイヤー５５で接続されている。従って裏面電極５６を
回路素子５２の下にある導電パターン５１にも形成で
き、等価的に２層配線構造を実現できる。
る熱硬化性樹脂層５０Ａ上に絶縁性接着剤５８で固着さ
れ、回路素子５２と導電パターン５１とは電気的に絶縁
されている。この結果、回路素子５２の下にはファイン
パターンの導電パターン５１が自由に配線でき、配線の
自由度が大幅に増大する。回路素子５２の各電極パッド
は周辺に設けた導電パターン５１の一部で形成されるボ
ンデイングパッドと供する導電被膜５４にボンディング
ワイヤー５５で接続されている。従って裏面電極５６を
回路素子５２の下にある導電パターン５１にも形成で
き、等価的に２層配線構造を実現できる。
【００４２】この導電パターンの裏面を露出する点は、
本発明の特徴の一つである。導電パターンの裏面が外部
電極５６として外部との接続に供することができると共
に、外部電極５６がヒートシンクや突起電極として働く
ことができる。
本発明の特徴の一つである。導電パターンの裏面が外部
電極５６として外部との接続に供することができると共
に、外部電極５６がヒートシンクや突起電極として働く
ことができる。
【００４３】しかも回路素子５２は薄い熱硬化性樹脂層
５０Ａ上に絶縁性接着剤５８で固着配置されているの
で、回路素子５２から発生する熱は熱硬化性樹脂層５０
Ａを通して導電パターン５１を介して実装基板に伝える
ことができる。特に放熱により、駆動電流の上昇等の特
性改善が可能となる半導体チップに有効である。
５０Ａ上に絶縁性接着剤５８で固着配置されているの
で、回路素子５２から発生する熱は熱硬化性樹脂層５０
Ａを通して導電パターン５１を介して実装基板に伝える
ことができる。特に放熱により、駆動電流の上昇等の特
性改善が可能となる半導体チップに有効である。
【００４４】なお、他の実施例として熱硬化性樹脂層５
０Ａの代わりにＵＶ硬化樹脂を用いることもできる。す
なわち、ＵＶ硬化樹脂を真空ラミネータで塗膜した後
に、ＵＶ照射、現像して本硬化すると、分離溝６１およ
び導電パターン５１の所望の表面を被覆するようにＵＶ
硬化樹脂を形成することができる。ＵＶ硬化樹脂もエポ
キシ樹脂系であり、熱硬化性樹脂層５０Ａと同様の効果
が得られる。 本発明の回路装置の製造方法の実施の形態 まず本発明の回路装置の製造方法について図２を参照し
ながら説明する。
０Ａの代わりにＵＶ硬化樹脂を用いることもできる。す
なわち、ＵＶ硬化樹脂を真空ラミネータで塗膜した後
に、ＵＶ照射、現像して本硬化すると、分離溝６１およ
び導電パターン５１の所望の表面を被覆するようにＵＶ
硬化樹脂を形成することができる。ＵＶ硬化樹脂もエポ
キシ樹脂系であり、熱硬化性樹脂層５０Ａと同様の効果
が得られる。 本発明の回路装置の製造方法の実施の形態 まず本発明の回路装置の製造方法について図２を参照し
ながら説明する。
【００４５】本発明は、導電箔を用意し、少なくとも回
路素子の搭載部を多数個形成する導電パターンを除く領
域の前記導電箔に前記導電箔の厚みよりも浅い分離溝を
形成して導電パターンを形成する工程と、熱硬化性樹脂
で分離溝および導電パターンを被覆する工程と、所定の
導電パターン表面をレーザーエッチングで露出する工程
と、露出された導電パターンに選択的に導電被膜を形成
する工程と、前記各搭載部の熱硬化性樹脂層上に回路素
子を固着する工程と、回路素子の電極と導電パターンの
導電被膜とをワイヤーボンディングする工程と、各搭載
部の前記回路素子を一括して被覆し、前記分離溝に充填
されるように絶縁性樹脂で共通モールドする工程と、前
記分離溝部分の前記導電箔を除去する工程と、複数個の
前記ブロックを前記絶縁性樹脂を当接させて粘着シート
に貼り付ける工程と、前記粘着シートに貼り付けられた
状態で前記ブロックの各搭載部の前記回路素子の特性の
測定を行う工程と、前記粘着シートに貼り付けられた状
態で前記ブロックの前記絶縁性樹脂を各搭載部毎にダイ
シングにより分離する工程とから構成されている。
路素子の搭載部を多数個形成する導電パターンを除く領
域の前記導電箔に前記導電箔の厚みよりも浅い分離溝を
形成して導電パターンを形成する工程と、熱硬化性樹脂
で分離溝および導電パターンを被覆する工程と、所定の
導電パターン表面をレーザーエッチングで露出する工程
と、露出された導電パターンに選択的に導電被膜を形成
する工程と、前記各搭載部の熱硬化性樹脂層上に回路素
子を固着する工程と、回路素子の電極と導電パターンの
導電被膜とをワイヤーボンディングする工程と、各搭載
部の前記回路素子を一括して被覆し、前記分離溝に充填
されるように絶縁性樹脂で共通モールドする工程と、前
記分離溝部分の前記導電箔を除去する工程と、複数個の
前記ブロックを前記絶縁性樹脂を当接させて粘着シート
に貼り付ける工程と、前記粘着シートに貼り付けられた
状態で前記ブロックの各搭載部の前記回路素子の特性の
測定を行う工程と、前記粘着シートに貼り付けられた状
態で前記ブロックの前記絶縁性樹脂を各搭載部毎にダイ
シングにより分離する工程とから構成されている。
【００４６】図２に示すフローは上述した工程とは一致
していないが、Ｃｕ箔、ハーフエッチングの２つのフロ
ーで導電パターンの形成が行われる。熱硬化性樹脂のフ
ローで分離溝および導電パターン表面を熱硬化性樹脂で
覆う。ダイボンドおよびワイヤーボンディングの２つの
フローで各搭載部への回路素子の固着と回路素子の電極
と導電パターンの接続が行われる。トランスファーモー
ルドのフローでは絶縁性樹脂による共通モールドが行わ
れる。裏面Ｃｕ箔除去のフローでは分離溝部分の導電箔
のエッチングが行われる。裏面処理のフローでは裏面に
露出した外部電極の表面処理が行われる。粘着シートの
フローでは粘着シートに複数個のブロックが貼り付けら
れる。測定のフローでは各搭載部に組み込まれた回路素
子の良品判別や特性ランク分けが行われる。ダイシング
のフローでは絶縁性樹脂からダイシングで個別の回路素
子への分離が行われる。
していないが、Ｃｕ箔、ハーフエッチングの２つのフロ
ーで導電パターンの形成が行われる。熱硬化性樹脂のフ
ローで分離溝および導電パターン表面を熱硬化性樹脂で
覆う。ダイボンドおよびワイヤーボンディングの２つの
フローで各搭載部への回路素子の固着と回路素子の電極
と導電パターンの接続が行われる。トランスファーモー
ルドのフローでは絶縁性樹脂による共通モールドが行わ
れる。裏面Ｃｕ箔除去のフローでは分離溝部分の導電箔
のエッチングが行われる。裏面処理のフローでは裏面に
露出した外部電極の表面処理が行われる。粘着シートの
フローでは粘着シートに複数個のブロックが貼り付けら
れる。測定のフローでは各搭載部に組み込まれた回路素
子の良品判別や特性ランク分けが行われる。ダイシング
のフローでは絶縁性樹脂からダイシングで個別の回路素
子への分離が行われる。
【００４７】以下に、本発明の各工程を図１および図３
〜図１３を参照して説明する。
〜図１３を参照して説明する。
【００４８】本発明の第１の工程は、図３から図５に示
すように、導電箔６０を用意し、少なくとも回路素子５
２の搭載部を多数個形成する導電パターン５１を除く領
域の導電箔６０に導電箔６０の厚みよりも浅い分離溝６
１を形成してブロック毎の導電パターン５１を形成する
ことにある。
すように、導電箔６０を用意し、少なくとも回路素子５
２の搭載部を多数個形成する導電パターン５１を除く領
域の導電箔６０に導電箔６０の厚みよりも浅い分離溝６
１を形成してブロック毎の導電パターン５１を形成する
ことにある。
【００４９】本工程では、まず図３Ａの如く、シート状
の導電箔６０を用意する。この導電箔６０は、ロウ材の
付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材
料が選択され、材料としては、Ｃｕを主材料とした導電
箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等の合
金から成る導電箔等が採用される。
の導電箔６０を用意する。この導電箔６０は、ロウ材の
付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材
料が選択され、材料としては、Ｃｕを主材料とした導電
箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等の合
金から成る導電箔等が採用される。
【００５０】導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮す
ると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましく、ここでは１
２５μｍの銅箔を採用した。しかし３００μｍ以上でも
１０μｍ以下でも基本的には良い。後述するように、導
電箔６０の厚みよりも浅い分離溝６１が形成できればよ
い。
ると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましく、ここでは１
２５μｍの銅箔を採用した。しかし３００μｍ以上でも
１０μｍ以下でも基本的には良い。後述するように、導
電箔６０の厚みよりも浅い分離溝６１が形成できればよ
い。
【００５１】尚、シート状の導電箔６０は、所定の幅、
例えば４５ｍｍでロール状に巻かれて用意され、これが
後述する各工程に搬送されても良いし、所定の大きさに
カットされた短冊状の導電箔６０が用意され、後述する
各工程に搬送されても良い。
例えば４５ｍｍでロール状に巻かれて用意され、これが
後述する各工程に搬送されても良いし、所定の大きさに
カットされた短冊状の導電箔６０が用意され、後述する
各工程に搬送されても良い。
【００５２】具体的には、図３Ｂに示す如く、短冊状の
導電箔６０に多数の搭載部が形成されるブロック６２が
４〜５個離間して並べられる。各ブロック６２間にはス
リット６３が設けられ、モールド工程等での加熱処理で
発生する導電箔６０の応力を吸収する。また導電箔６０
の上下周端にはインデックス孔６４が一定の間隔で設け
られ、各工程での位置決めに用いられる。
導電箔６０に多数の搭載部が形成されるブロック６２が
４〜５個離間して並べられる。各ブロック６２間にはス
リット６３が設けられ、モールド工程等での加熱処理で
発生する導電箔６０の応力を吸収する。また導電箔６０
の上下周端にはインデックス孔６４が一定の間隔で設け
られ、各工程での位置決めに用いられる。
【００５３】続いて、ブロック毎の導電パターン５１を
形成する。
形成する。
【００５４】まず、図４に示す如く、Ｃｕ箔６０の上
に、ホトレジスト（耐エッチングマスク）ＰＲを形成
し、導電パターン５１となる領域を除いた導電箔６０が
露出するようにホトレジストＰＲをパターニングする。
そして、図５Ａに示す如く、ホトレジストＰＲを介して
導電箔６０を選択的にエッチングする。
に、ホトレジスト（耐エッチングマスク）ＰＲを形成
し、導電パターン５１となる領域を除いた導電箔６０が
露出するようにホトレジストＰＲをパターニングする。
そして、図５Ａに示す如く、ホトレジストＰＲを介して
導電箔６０を選択的にエッチングする。
【００５５】エッチングにより形成された分離溝６１の
深さは、例えば２０〜３０μｍであり、その側面は、酸
化処理や化学研磨処理されて粗面化され、熱硬化性樹脂
層５０Ａとの接着強度が向上される。
深さは、例えば２０〜３０μｍであり、その側面は、酸
化処理や化学研磨処理されて粗面化され、熱硬化性樹脂
層５０Ａとの接着強度が向上される。
【００５６】またこの分離溝６１の側壁は、模式的にス
トレートで図示しているが、除去方法により異なる構造
となる。この除去工程は、ウェットエッチング、ドライ
エッチング、レーザによる蒸発、ダイシングが採用でき
る。ウェットエッチングの場合、エッチャントは、塩化
第二鉄または塩化第二銅が主に採用され、前記導電箔
は、このエッチャントの中にディッピングされるか、こ
のエッチャントでシャワーリングされる。ここでウェッ
トエッチングは、一般に非異方性にエッチングされるた
め、側面は湾曲構造になる。
トレートで図示しているが、除去方法により異なる構造
となる。この除去工程は、ウェットエッチング、ドライ
エッチング、レーザによる蒸発、ダイシングが採用でき
る。ウェットエッチングの場合、エッチャントは、塩化
第二鉄または塩化第二銅が主に採用され、前記導電箔
は、このエッチャントの中にディッピングされるか、こ
のエッチャントでシャワーリングされる。ここでウェッ
トエッチングは、一般に非異方性にエッチングされるた
め、側面は湾曲構造になる。
【００５７】またドライエッチングの場合は、異方性、
非異方性でエッチングが可能である。現在では、Ｃｕを
反応性イオンエッチングで取り除くことは不可能といわ
れているが、スパッタリングで除去できる。またスパッ
タリングの条件によって異方性、非異方性でエッチング
できる。
非異方性でエッチングが可能である。現在では、Ｃｕを
反応性イオンエッチングで取り除くことは不可能といわ
れているが、スパッタリングで除去できる。またスパッ
タリングの条件によって異方性、非異方性でエッチング
できる。
【００５８】またレーザでは、直接レーザ光を当てて分
離溝６１を形成でき、この場合は、どちらかといえば分
離溝６１の側面はストレートに形成される。
離溝６１を形成でき、この場合は、どちらかといえば分
離溝６１の側面はストレートに形成される。
【００５９】図５Ｂに具体的な導電パターン５１を示
す。本図は図３Ｂで示したブロック６２の１個を拡大し
たものに対応する。黒く塗られた部分の１個が１つの搭
載部６５であり、導電パターン５１を構成し、１つのブ
ロック６２には５行１０列のマトリックス状に多数の搭
載部６５が配列され、各搭載部６５毎に同一の導電パタ
ーン５１が設けられている。各ブロックの周辺には枠状
のパターン６６が設けられ、それと少し離間してその内
側にダイシング時の位置合わせマーク６７が設けられて
いる。枠状のパターン６６はモールド金型との嵌合に使
用され、また導電箔６０の裏面エッチング後には絶縁性
樹脂５０の補強をする働きを有する。
す。本図は図３Ｂで示したブロック６２の１個を拡大し
たものに対応する。黒く塗られた部分の１個が１つの搭
載部６５であり、導電パターン５１を構成し、１つのブ
ロック６２には５行１０列のマトリックス状に多数の搭
載部６５が配列され、各搭載部６５毎に同一の導電パタ
ーン５１が設けられている。各ブロックの周辺には枠状
のパターン６６が設けられ、それと少し離間してその内
側にダイシング時の位置合わせマーク６７が設けられて
いる。枠状のパターン６６はモールド金型との嵌合に使
用され、また導電箔６０の裏面エッチング後には絶縁性
樹脂５０の補強をする働きを有する。
【００６０】本発明の第２の工程は、図６に示す如く、
分離溝６１および導電パターン５１の表面を被覆するよ
うに熱硬化性樹脂層５０Ａを形成することにある。
分離溝６１および導電パターン５１の表面を被覆するよ
うに熱硬化性樹脂層５０Ａを形成することにある。
【００６１】本工程は本発明の特徴とする工程であり、
熱硬化性樹脂層５０Ａとしては、エポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂が用いられ、分離溝６１を埋め込み且つ導電パ
ターン５１の表面を被覆するように設けられる。この熱
硬化性樹脂層５０Ａは熱硬化性樹脂を有機溶剤に溶かし
た液状の材料をキャスティングして分離溝６１および導
電パターン５１表面に塗布し、８０℃から１００℃の加
熱をして半硬化させ有機溶剤を飛ばした後に、１５０℃
から１７０℃で１．５時間程度加熱して本硬化して形成
される。従って、半硬化の状態では熱硬化性樹脂はＢス
テージの状態であり、熱硬化されていない。
熱硬化性樹脂層５０Ａとしては、エポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂が用いられ、分離溝６１を埋め込み且つ導電パ
ターン５１の表面を被覆するように設けられる。この熱
硬化性樹脂層５０Ａは熱硬化性樹脂を有機溶剤に溶かし
た液状の材料をキャスティングして分離溝６１および導
電パターン５１表面に塗布し、８０℃から１００℃の加
熱をして半硬化させ有機溶剤を飛ばした後に、１５０℃
から１７０℃で１．５時間程度加熱して本硬化して形成
される。従って、半硬化の状態では熱硬化性樹脂はＢス
テージの状態であり、熱硬化されていない。
【００６２】また熱硬化性樹脂層５０Ａにはシリカ、ア
ルミナ等のフィラーを混入して導電パターン５１との熱
膨張係数を緩和すると良い。一般的にエポキシ樹脂の熱
膨張係数は５０ｐｐｍ／℃であり、上記したフィラー入
りのエポキシ樹脂の熱膨張係数は１５〜３０ｐｐｍ／℃
であり、導電パターン５１を形成する銅の熱膨張係数は
１８ｐｐｍ／℃であるので、エポキシ樹脂と銅との熱膨
張係数のミスマッチを改善できる。
ルミナ等のフィラーを混入して導電パターン５１との熱
膨張係数を緩和すると良い。一般的にエポキシ樹脂の熱
膨張係数は５０ｐｐｍ／℃であり、上記したフィラー入
りのエポキシ樹脂の熱膨張係数は１５〜３０ｐｐｍ／℃
であり、導電パターン５１を形成する銅の熱膨張係数は
１８ｐｐｍ／℃であるので、エポキシ樹脂と銅との熱膨
張係数のミスマッチを改善できる。
【００６３】また熱硬化性樹脂層５０Ａは液状の状態で
分離溝６１に充填されるので、トランスファーモールド
されるエポキシ樹脂に比較して低粘度のため分離溝６１
の内壁に密着でき、両者の接着強度が大幅に増加でき
る。この結果、今まででは約６０μｍの分離溝６１で接
着強度を確保していたが、接着強度の向上により分離溝
６１は２０〜３０μｍと半分の深さで済み、導電パター
ン５１をよりファインパターンに形成できる利点が得ら
れる。
分離溝６１に充填されるので、トランスファーモールド
されるエポキシ樹脂に比較して低粘度のため分離溝６１
の内壁に密着でき、両者の接着強度が大幅に増加でき
る。この結果、今まででは約６０μｍの分離溝６１で接
着強度を確保していたが、接着強度の向上により分離溝
６１は２０〜３０μｍと半分の深さで済み、導電パター
ン５１をよりファインパターンに形成できる利点が得ら
れる。
【００６４】他の方法として、熱硬化性樹脂層５０Ａは
予め半硬化したシート状の熱硬化性樹脂フィルムを加熱
圧着して本硬化して、溶融したエポキシ樹脂で分離溝６
１および導電パターン５１表面に付着する方法も採用で
きる。熱硬化性樹脂フィルムをその表面をクッション紙
で覆い、１ｃｍ2当たり１００ｋｇで圧着して１５０℃
から１７０℃で加熱して溶融したエポキシ樹脂で分離溝
６１および導電パターン５１表面を被覆した状態で本硬
化させる。
予め半硬化したシート状の熱硬化性樹脂フィルムを加熱
圧着して本硬化して、溶融したエポキシ樹脂で分離溝６
１および導電パターン５１表面に付着する方法も採用で
きる。熱硬化性樹脂フィルムをその表面をクッション紙
で覆い、１ｃｍ2当たり１００ｋｇで圧着して１５０℃
から１７０℃で加熱して溶融したエポキシ樹脂で分離溝
６１および導電パターン５１表面を被覆した状態で本硬
化させる。
【００６５】なお、本工程では分離溝６１と熱硬化性樹
脂層５０Ａとの接着強度を高めるために分離溝６１の内
壁を酸化処理するか、有機酸系のエッチング処理液を用
いて分離溝６１の壁面を化学研磨して粗面化すると良
い。有機酸系のエッチング液としては、メック（株）製
ＣＺ−８１００を用い、このエッチング液に数分間浸漬
して表面に１〜２μｍ程度の凹凸を形成する。これによ
り分離溝６１の内壁表面が粗面化されるので、分離溝６
１と熱硬化性樹脂層５０Ａとの接着強度を高めることが
できる。
脂層５０Ａとの接着強度を高めるために分離溝６１の内
壁を酸化処理するか、有機酸系のエッチング処理液を用
いて分離溝６１の壁面を化学研磨して粗面化すると良
い。有機酸系のエッチング液としては、メック（株）製
ＣＺ−８１００を用い、このエッチング液に数分間浸漬
して表面に１〜２μｍ程度の凹凸を形成する。これによ
り分離溝６１の内壁表面が粗面化されるので、分離溝６
１と熱硬化性樹脂層５０Ａとの接着強度を高めることが
できる。
【００６６】また本工程では、他の実施例として熱硬化
性樹脂の代わりにＵＶ硬化樹脂を用いることもできる。
すなわち、ＵＶ硬化樹脂を真空ラミネータで塗膜した後
に、ＵＶ照射、現像して本硬化すると、分離溝６１およ
び導電パターン５１の所望の表面を被覆するようにＵＶ
硬化樹脂を形成することができる。この場合は、次の第
３の工程を一緒に行うので、工程が簡単になる。
性樹脂の代わりにＵＶ硬化樹脂を用いることもできる。
すなわち、ＵＶ硬化樹脂を真空ラミネータで塗膜した後
に、ＵＶ照射、現像して本硬化すると、分離溝６１およ
び導電パターン５１の所望の表面を被覆するようにＵＶ
硬化樹脂を形成することができる。この場合は、次の第
３の工程を一緒に行うので、工程が簡単になる。
【００６７】本発明の第３の工程は、図７に示す如く、
所望の導電パターン５１表面の熱硬化性樹脂層５０Ａを
レーザーエッチングで除去して露出することにある。
所望の導電パターン５１表面の熱硬化性樹脂層５０Ａを
レーザーエッチングで除去して露出することにある。
【００６８】本工程では、直接描画でレーザーエッチン
グにより熱硬化性樹脂層５０Ａを選択的に取り除き、導
電パターン５１を露出させる。レーザーとしては、炭酸
ガスレーザーが好ましいが、エキシマレーザーやＹＡＧ
レ−ザーも利用できる。またレーザーで絶縁樹脂を蒸発
させた後、開口部の底部に残査がある場合は、過マンガ
ン酸ソーダまたは過硫酸アンモニウム等でウェットエッ
チングもしくはエキシマレーザー等でドライエッチング
し、この残査を取り除く。
グにより熱硬化性樹脂層５０Ａを選択的に取り除き、導
電パターン５１を露出させる。レーザーとしては、炭酸
ガスレーザーが好ましいが、エキシマレーザーやＹＡＧ
レ−ザーも利用できる。またレーザーで絶縁樹脂を蒸発
させた後、開口部の底部に残査がある場合は、過マンガ
ン酸ソーダまたは過硫酸アンモニウム等でウェットエッ
チングもしくはエキシマレーザー等でドライエッチング
し、この残査を取り除く。
【００６９】本発明の第４の工程は、図８に示す如く、
露出された導電パターン５１に導電被膜５４を形成す
る。
露出された導電パターン５１に導電被膜５４を形成す
る。
【００７０】この導電被膜５４は残された熱硬化性樹脂
層５０Ａをマスクとして用い、金、銀あるいはパラジュ
ームを電界あるいは無電界メッキで付着され、ダイパッ
ド、ボンディングパッドとして活用される。
層５０Ａをマスクとして用い、金、銀あるいはパラジュ
ームを電界あるいは無電界メッキで付着され、ダイパッ
ド、ボンディングパッドとして活用される。
【００７１】例えば銀被膜は、金線と接着する。また銀
の導電被膜にはＡｕ細線が接着できるため、ワイヤーボ
ンディングも可能となる。従ってこれらの導電被膜５４
をそのままボンディングパッドとして活用できるメリッ
トを有する。
の導電被膜にはＡｕ細線が接着できるため、ワイヤーボ
ンディングも可能となる。従ってこれらの導電被膜５４
をそのままボンディングパッドとして活用できるメリッ
トを有する。
【００７２】本発明の第５の工程は、図９に示す如く、
各搭載部６５の熱硬化性樹脂性層５０Ａ上に回路素子５
２を絶縁性接着剤５８で固着し、各搭載部６５の回路素
子５２の電極と所望の導電パターン５１とを電気的に接
続する接続手段を形成することにある。
各搭載部６５の熱硬化性樹脂性層５０Ａ上に回路素子５
２を絶縁性接着剤５８で固着し、各搭載部６５の回路素
子５２の電極と所望の導電パターン５１とを電気的に接
続する接続手段を形成することにある。
【００７３】回路素子５２としては、トランジスタ、ダ
イオード、ＩＣチップ等の半導体素子、チップコンデン
サ、チップ抵抗等の受動素子である。また厚みが厚くは
なるが、ＣＳＰ、ＢＧＡ等のフェイスダウンの半導体素
子も実装できる。更に回路素子５２は複数個のＩＣチッ
プを積み重ねたり、平面的に配置しても良い。
イオード、ＩＣチップ等の半導体素子、チップコンデン
サ、チップ抵抗等の受動素子である。また厚みが厚くは
なるが、ＣＳＰ、ＢＧＡ等のフェイスダウンの半導体素
子も実装できる。更に回路素子５２は複数個のＩＣチッ
プを積み重ねたり、平面的に配置しても良い。
【００７４】ここでは、ベアのトランジスタチップ５２
熱硬化性樹脂層５０Ａ上にエポキシ樹脂等の絶縁接着剤
５８で固着され、ＩＣチップ５２の各電極と各搭載部６
５の周囲に配列された導電パターン５１上の導電被膜５
４とが熱圧着によるボールボンディングあるいは超音波
によるウェッヂボンディング等により固着されたボンデ
ィングワイヤー５５を介して接続される。
熱硬化性樹脂層５０Ａ上にエポキシ樹脂等の絶縁接着剤
５８で固着され、ＩＣチップ５２の各電極と各搭載部６
５の周囲に配列された導電パターン５１上の導電被膜５
４とが熱圧着によるボールボンディングあるいは超音波
によるウェッヂボンディング等により固着されたボンデ
ィングワイヤー５５を介して接続される。
【００７５】本工程では、各ブロック６２に多数の導電
パターン５１が集積されているので、回路素子５２の固
着およびワイヤーボンディングが極めて効率的に行える
利点がある。
パターン５１が集積されているので、回路素子５２の固
着およびワイヤーボンディングが極めて効率的に行える
利点がある。
【００７６】本発明の第６の工程は、図１０に示す如
く、各搭載部６３の回路素子５２を一括して被覆し、分
離溝６１に充填された熱硬化性樹脂層５０Ａと結合する
ように絶縁性樹脂５０Ｂで共通モールドすることにあ
る。
く、各搭載部６３の回路素子５２を一括して被覆し、分
離溝６１に充填された熱硬化性樹脂層５０Ａと結合する
ように絶縁性樹脂５０Ｂで共通モールドすることにあ
る。
【００７７】本工程では、図１０Ａに示す如く、既に前
の工程で分離溝６１および複数の導電パターン５１は熱
硬化性樹脂層５０Ａで被覆されているので、絶縁性樹脂
５０Ｂは回路素子５２を被覆し、分離溝６１および導電
パターン５１表面に残された熱硬化性樹脂層５０Ａと結
合される。特に、熱硬化性樹脂層５０Ａと絶縁性樹脂５
０Ｂとは同種のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いれ
ばお互いに馴染みが良いのでより強力な接着強度を得ら
れる。更に強い接着強度を実現するには絶縁性樹脂５０
Ｂでモールドする前に、熱硬化性樹脂層５０Ａの表面を
ＵＶ照射もしくはプラズマ照射して熱硬化性樹脂層５０
Ａ表面の樹脂の極性基を活性化すると良い。そして熱硬
化性樹脂層５０Ａと絶縁性樹脂５０Ｂとで一体となりよ
り導電パターン５１が支持されている。
の工程で分離溝６１および複数の導電パターン５１は熱
硬化性樹脂層５０Ａで被覆されているので、絶縁性樹脂
５０Ｂは回路素子５２を被覆し、分離溝６１および導電
パターン５１表面に残された熱硬化性樹脂層５０Ａと結
合される。特に、熱硬化性樹脂層５０Ａと絶縁性樹脂５
０Ｂとは同種のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いれ
ばお互いに馴染みが良いのでより強力な接着強度を得ら
れる。更に強い接着強度を実現するには絶縁性樹脂５０
Ｂでモールドする前に、熱硬化性樹脂層５０Ａの表面を
ＵＶ照射もしくはプラズマ照射して熱硬化性樹脂層５０
Ａ表面の樹脂の極性基を活性化すると良い。そして熱硬
化性樹脂層５０Ａと絶縁性樹脂５０Ｂとで一体となりよ
り導電パターン５１が支持されている。
【００７８】また本工程では、トランスファーモール
ド、インジェクションモールド、またはディッピングに
より実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の
熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポ
リイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑
性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。
ド、インジェクションモールド、またはディッピングに
より実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の
熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポ
リイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑
性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。
【００７９】更に、本工程でトランスファーモールドあ
るいはインジェクションモールドする際に、図１０Ｂに
示すように各ブロック６２は１つの共通のモールド金型
に搭載部６３を納め、各ブロック毎に１つの絶縁性樹脂
５０で共通にモールドを行う。このために従来のトラン
スファーモールド等の様に各搭載部を個別にモールドす
る方法に比べて、大幅な樹脂量の削減が図れ、モールド
金型の共通化も図れる。
るいはインジェクションモールドする際に、図１０Ｂに
示すように各ブロック６２は１つの共通のモールド金型
に搭載部６３を納め、各ブロック毎に１つの絶縁性樹脂
５０で共通にモールドを行う。このために従来のトラン
スファーモールド等の様に各搭載部を個別にモールドす
る方法に比べて、大幅な樹脂量の削減が図れ、モールド
金型の共通化も図れる。
【００８０】導電箔６０表面に被覆された絶縁性樹脂５
０Ｂの厚さは、回路素子５２の最頂部から約約１００μ
ｍ程度が被覆されるように調整されている。この厚み
は、強度を考慮して厚くすることも、薄くすることも可
能である。
０Ｂの厚さは、回路素子５２の最頂部から約約１００μ
ｍ程度が被覆されるように調整されている。この厚み
は、強度を考慮して厚くすることも、薄くすることも可
能である。
【００８１】本工程の特徴は、絶縁性樹脂５０Ｂを被覆
するまでは、導電パターン５１となる導電箔６０が支持
基板となることである。従来では、図１６の様に、本来
必要としない支持基板５を採用して導電路７〜１１を形
成しているが、本発明では、支持基板となる導電箔６０
は、電極材料として必要な材料である。そのため、構成
材料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの
低下も実現できる。
するまでは、導電パターン５１となる導電箔６０が支持
基板となることである。従来では、図１６の様に、本来
必要としない支持基板５を採用して導電路７〜１１を形
成しているが、本発明では、支持基板となる導電箔６０
は、電極材料として必要な材料である。そのため、構成
材料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの
低下も実現できる。
【００８２】また分離溝６１は、導電箔の厚みよりも浅
く形成されているため、導電箔６０が導電パターン５１
として個々に分離されていない。従ってシート状の導電
箔６０として一体で取り扱え、絶縁性樹脂５０Ｂをモー
ルドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常
に楽になる特徴を有する。
く形成されているため、導電箔６０が導電パターン５１
として個々に分離されていない。従ってシート状の導電
箔６０として一体で取り扱え、絶縁性樹脂５０Ｂをモー
ルドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常
に楽になる特徴を有する。
【００８３】本発明の第7の工程は、同様に図１１に示
す如く、分離溝６１部分の導電箔６０を除去することに
ある。
す如く、分離溝６１部分の導電箔６０を除去することに
ある。
【００８４】本工程では導電箔６０の裏面にレジスト層
５９を分離溝６１に対応する部分を除いて付着し、この
レジスト層５９をマスクとして導電箔６０の塩化第二鉄
等の溶液で化学的なエッチングを行う。この結果、分離
溝６１部分の導電箔６０が選択的に除去され、熱硬化性
樹脂層５０Ａの底面が露出される。導電箔６０の分離溝
６１を設けていない連結部分が除去されるので、導電箔
６０の厚さの導電パターン５１となって分離される。
５９を分離溝６１に対応する部分を除いて付着し、この
レジスト層５９をマスクとして導電箔６０の塩化第二鉄
等の溶液で化学的なエッチングを行う。この結果、分離
溝６１部分の導電箔６０が選択的に除去され、熱硬化性
樹脂層５０Ａの底面が露出される。導電箔６０の分離溝
６１を設けていない連結部分が除去されるので、導電箔
６０の厚さの導電パターン５１となって分離される。
【００８５】この結果、熱硬化性樹脂層５０Ａにほぼ埋
め込まれた導電パターン５１の裏面が露出する構造とな
り、熱硬化性樹脂層５０Ａの裏面から約１００μｍほど
突出した外部電極５６が突起電極として形成される。す
なわち、外部電極５６は導電箔６０の分離溝６１を設け
ていない連結部分を用いて突起電極として形成されるこ
とを意味する。
め込まれた導電パターン５１の裏面が露出する構造とな
り、熱硬化性樹脂層５０Ａの裏面から約１００μｍほど
突出した外部電極５６が突起電極として形成される。す
なわち、外部電極５６は導電箔６０の分離溝６１を設け
ていない連結部分を用いて突起電極として形成されるこ
とを意味する。
【００８６】更に、外部電極５６の裏面処理を行い、図
1に示す最終構造を得る。すなわち、その表面に半田等
の導電材を被着した外部電極５６を形成し、回路装置と
して完成する。この場合半田等の導電材は外部電極５６
の側面まで回り、プリント基板の導電路と外部電極５６
の表面及び側面で固着でき、固着強度が増加する。
1に示す最終構造を得る。すなわち、その表面に半田等
の導電材を被着した外部電極５６を形成し、回路装置と
して完成する。この場合半田等の導電材は外部電極５６
の側面まで回り、プリント基板の導電路と外部電極５６
の表面及び側面で固着でき、固着強度が増加する。
【００８７】更にまた、外部電極５６に薄い金メッキ層
５７’を設けると、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）構
造を実現できる。
５７’を設けると、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）構
造を実現できる。
【００８８】この裏面処理では、外部電極５６のみが熱
硬化性樹脂層５０Ａおよび絶縁性樹脂５０Ｂから露出さ
れているので、マスクを用いる必要が無く極めて簡単に
できる利点がある。
硬化性樹脂層５０Ａおよび絶縁性樹脂５０Ｂから露出さ
れているので、マスクを用いる必要が無く極めて簡単に
できる利点がある。
【００８９】本発明の第８の工程は、図１２に示す如
く、複数個のブロック６２を絶縁性樹脂５０Ｂを当接さ
せて粘着シート８０に貼り付けることにある。
く、複数個のブロック６２を絶縁性樹脂５０Ｂを当接さ
せて粘着シート８０に貼り付けることにある。
【００９０】前工程で導電箔６０の裏面エッチングをし
た後に、導電箔６０から各ブロック６２が切り離され
る。このブロック６２は熱硬化性樹脂層５０Ａと絶縁性
樹脂５０Ｂで導電箔６０の残余部と連結されているの
で、切断金型を用いず機械的に導電箔６０の残余部から
剥がすことで達成できる。
た後に、導電箔６０から各ブロック６２が切り離され
る。このブロック６２は熱硬化性樹脂層５０Ａと絶縁性
樹脂５０Ｂで導電箔６０の残余部と連結されているの
で、切断金型を用いず機械的に導電箔６０の残余部から
剥がすことで達成できる。
【００９１】本工程では、ステンレス製のリング状の金
属枠８１に粘着シート８０の周辺を貼り付け、粘着シー
ト８０の中央部分には４個のブロック６２をダイシング
時のブレードが当たらないような間隔を設けて絶縁性樹
脂５０Ｂを当接させて貼り付けられる。粘着シート８０
としてはＵＶシート（リンテック社製）が用いられる
が、各ブロック６２は絶縁性樹脂５０Ｂで機械的強度が
あるので、安価なダイシングシートでも使用できる。
属枠８１に粘着シート８０の周辺を貼り付け、粘着シー
ト８０の中央部分には４個のブロック６２をダイシング
時のブレードが当たらないような間隔を設けて絶縁性樹
脂５０Ｂを当接させて貼り付けられる。粘着シート８０
としてはＵＶシート（リンテック社製）が用いられる
が、各ブロック６２は絶縁性樹脂５０Ｂで機械的強度が
あるので、安価なダイシングシートでも使用できる。
【００９２】本発明の第９の工程は、図１３に示す如
く、粘着シート８０に貼り付けられた状態で熱硬化性樹
脂層５０Ａと絶縁性樹脂５０Ｂで一括してモールドされ
た各ブロック６２の各搭載部６５の回路素子５２の特性
の測定を行うことにある。
く、粘着シート８０に貼り付けられた状態で熱硬化性樹
脂層５０Ａと絶縁性樹脂５０Ｂで一括してモールドされ
た各ブロック６２の各搭載部６５の回路素子５２の特性
の測定を行うことにある。
【００９３】各ブロック６２の裏面には図１に示すよう
に、外部電極５６が露出されており、各搭載部６５が導
電パターン５１形成時と全く同一にマトリックス状に配
列されている。この導電パターン５１の絶縁性樹脂５０
Ｂから露出した外部電極５６にプローブ６８を当てて、
各搭載部６５の回路素子５２の特性パラメータ等を個別
に測定して良不良の判定を行い、不良品には磁気インク
等でマーキングを行う。
に、外部電極５６が露出されており、各搭載部６５が導
電パターン５１形成時と全く同一にマトリックス状に配
列されている。この導電パターン５１の絶縁性樹脂５０
Ｂから露出した外部電極５６にプローブ６８を当てて、
各搭載部６５の回路素子５２の特性パラメータ等を個別
に測定して良不良の判定を行い、不良品には磁気インク
等でマーキングを行う。
【００９４】本工程では、各搭載部６５の回路装置５３
は絶縁性樹脂５０Ｂでブロック６２毎に一体で支持され
ているので、個別にバラバラに分離されていない。従っ
て、粘着シート８０に貼り付けられた複数個のブロック
６２をテスターの載置台に真空で吸着させ、ブロック６
２毎に搭載部６５のサイズ分だけ矢印のように縦方向お
よび横方向にピッチ送りをすることで、極めて早く大量
にブロック６２の各搭載部６５の回路装置５３の測定を
行える。すなわち、従来必要であった回路装置の表裏の
判別、電極の位置の認識等が不要にでき、更に複数個の
ブロック６２を同時に処理するので、測定時間の大幅な
短縮を図れる。
は絶縁性樹脂５０Ｂでブロック６２毎に一体で支持され
ているので、個別にバラバラに分離されていない。従っ
て、粘着シート８０に貼り付けられた複数個のブロック
６２をテスターの載置台に真空で吸着させ、ブロック６
２毎に搭載部６５のサイズ分だけ矢印のように縦方向お
よび横方向にピッチ送りをすることで、極めて早く大量
にブロック６２の各搭載部６５の回路装置５３の測定を
行える。すなわち、従来必要であった回路装置の表裏の
判別、電極の位置の認識等が不要にでき、更に複数個の
ブロック６２を同時に処理するので、測定時間の大幅な
短縮を図れる。
【００９５】本発明の第１０の工程は、図１４に示す如
く、粘着シート８０に貼り付けられた状態でブロック６
２の熱硬化性樹脂層５０Ａと絶縁性樹脂５０Ｂを各搭載
部６５毎にダイシングにより分離することにある。
く、粘着シート８０に貼り付けられた状態でブロック６
２の熱硬化性樹脂層５０Ａと絶縁性樹脂５０Ｂを各搭載
部６５毎にダイシングにより分離することにある。
【００９６】本工程では、粘着シート８０に貼り付けら
れた複数個のブロック６２をダイシング装置の載置台に
真空で吸着させ、ダイシングブレード６９で各搭載部６
５間のダイシングライン７０に沿って分離溝６１上の熱
硬化性樹脂層５０Ａと絶縁性樹脂５０Ｂをダイシング
し、個別の回路装置５３に分離する。
れた複数個のブロック６２をダイシング装置の載置台に
真空で吸着させ、ダイシングブレード６９で各搭載部６
５間のダイシングライン７０に沿って分離溝６１上の熱
硬化性樹脂層５０Ａと絶縁性樹脂５０Ｂをダイシング
し、個別の回路装置５３に分離する。
【００９７】本工程で、ダイシングブレード６９は完全
に熱硬化性樹脂層５０Ａと絶縁性樹脂５０Ｂを切断し粘
着シートの表面に達する切削深さでダイシングを行い、
完全に各搭載部６５毎に分離する。ダイシング時は予め
前述した第１の工程で設けた各ブロックの周辺の枠状の
パターン６６の内側に設けた位置合わせマーク６７を認
識して、これを基準としてダイシングを行う。周知では
あるが、ダイシングは縦方向にすべてのダイシングライ
ン７０をダイシングをした後、載置台を９０度回転させ
て横方向のダイシングライン７０に従ってダイシングを
行う。
に熱硬化性樹脂層５０Ａと絶縁性樹脂５０Ｂを切断し粘
着シートの表面に達する切削深さでダイシングを行い、
完全に各搭載部６５毎に分離する。ダイシング時は予め
前述した第１の工程で設けた各ブロックの周辺の枠状の
パターン６６の内側に設けた位置合わせマーク６７を認
識して、これを基準としてダイシングを行う。周知では
あるが、ダイシングは縦方向にすべてのダイシングライ
ン７０をダイシングをした後、載置台を９０度回転させ
て横方向のダイシングライン７０に従ってダイシングを
行う。
【００９８】また本工程では、ダイシングライン７０に
は分離溝６１に充填された熱硬化性樹脂層５０Ａとその
上に結合された絶縁性樹脂５０Ｂしか存在しないので、
ダイシングブレード６９の摩耗は少なく、金属バリも発
生せず極めて正確な外形にダイシングできる特徴があ
る。
は分離溝６１に充填された熱硬化性樹脂層５０Ａとその
上に結合された絶縁性樹脂５０Ｂしか存在しないので、
ダイシングブレード６９の摩耗は少なく、金属バリも発
生せず極めて正確な外形にダイシングできる特徴があ
る。
【００９９】更に本工程後でも、ダイシング後も粘着シ
ート８０の働きで個別の回路装置にバラバラにならず、
その後のテーピング工程でも効率よく作業できる。すな
わち、粘着シート８０に一体に支持された回路装置は良
品のみを識別してキャリアテープの収納孔に吸着コレッ
トで粘着シート８０から離脱させて収納できる。このた
めに微小な回路装置であっても、テーピングまで一度も
バラバラに分離されない特徴がある。
ート８０の働きで個別の回路装置にバラバラにならず、
その後のテーピング工程でも効率よく作業できる。すな
わち、粘着シート８０に一体に支持された回路装置は良
品のみを識別してキャリアテープの収納孔に吸着コレッ
トで粘着シート８０から離脱させて収納できる。このた
めに微小な回路装置であっても、テーピングまで一度も
バラバラに分離されない特徴がある。
【０１００】以上に本発明の製造方法を詳述したが、測
定工程とダイシング工程を逆にしても粘着シート８０で
一体に支持されているので、問題なく測定をテスターで
行えることは言うまでもない。ただダイシング後は粘着
シート８０での支持のために測定時に粘着シート８０が
撓むことを配慮すれば足りる。
定工程とダイシング工程を逆にしても粘着シート８０で
一体に支持されているので、問題なく測定をテスターで
行えることは言うまでもない。ただダイシング後は粘着
シート８０での支持のために測定時に粘着シート８０が
撓むことを配慮すれば足りる。
【０１０１】
【発明の効果】本発明では、導電パターンの材料となる
導電箔自体を支持基板として機能させ、分離溝の形成時
あるいは回路素子の実装、絶縁性樹脂の被着時までは導
電箔で全体を支持し、また導電箔を各導電パターンとし
て分離する時は、絶縁性樹脂を支持基板にして機能させ
ている。従って、回路素子、導電箔、絶縁性樹脂の必要
最小限で製造できる。従来例で説明した如く、本来回路
装置を構成する上で支持基板が要らなくなり、コスト的
にも安価にできる。また支持基板が不要であること、導
電パターンが絶縁性樹脂に埋め込まれていること、更に
は絶縁性樹脂と導電箔の厚みの調整が可能であることに
より、非常に薄い回路装置が形成できるメリットもあ
る。
導電箔自体を支持基板として機能させ、分離溝の形成時
あるいは回路素子の実装、絶縁性樹脂の被着時までは導
電箔で全体を支持し、また導電箔を各導電パターンとし
て分離する時は、絶縁性樹脂を支持基板にして機能させ
ている。従って、回路素子、導電箔、絶縁性樹脂の必要
最小限で製造できる。従来例で説明した如く、本来回路
装置を構成する上で支持基板が要らなくなり、コスト的
にも安価にできる。また支持基板が不要であること、導
電パターンが絶縁性樹脂に埋め込まれていること、更に
は絶縁性樹脂と導電箔の厚みの調整が可能であることに
より、非常に薄い回路装置が形成できるメリットもあ
る。
【０１０２】また、熱硬化性樹脂で分離溝および導電パ
ターンを覆うので、熱硬化性樹脂が低粘度で分離溝との
接着強度を増加できる利点がある。更に、熱硬化性樹脂
と絶縁性樹脂との結合が樹脂同士であり馴染み易く、両
者が一体となってより封止性の高い実装構造を実現でき
る。従って、導電パターンの片面モールドの構造であり
ながら、分離溝からの熱硬化性樹脂層と絶縁性樹脂とが
剥がれやすい欠点を十分に克服できる。また接着強度の
向上により分離溝は２０〜３０μｍと半分の深さで済
み、導電パターンをよりファインパターンに形成できる
利点が得られる。
ターンを覆うので、熱硬化性樹脂が低粘度で分離溝との
接着強度を増加できる利点がある。更に、熱硬化性樹脂
と絶縁性樹脂との結合が樹脂同士であり馴染み易く、両
者が一体となってより封止性の高い実装構造を実現でき
る。従って、導電パターンの片面モールドの構造であり
ながら、分離溝からの熱硬化性樹脂層と絶縁性樹脂とが
剥がれやすい欠点を十分に克服できる。また接着強度の
向上により分離溝は２０〜３０μｍと半分の深さで済
み、導電パターンをよりファインパターンに形成できる
利点が得られる。
【０１０３】更に、導電パターンは熱硬化性樹脂層と導
電被膜で覆われているので表面の酸化が防止でき、特に
銅箔を用いた場合の銅箔表面の酸化防止を実現する構造
となる利点がある。
電被膜で覆われているので表面の酸化が防止でき、特に
銅箔を用いた場合の銅箔表面の酸化防止を実現する構造
となる利点がある。
【０１０４】更に、導電箔の分離溝を設けない連結部分
を用いて外部電極を形成するので、容易に突起電極を実
現でき、それをヒートシンクとして用いれば回路素子の
放熱性も向上できる。
を用いて外部電極を形成するので、容易に突起電極を実
現でき、それをヒートシンクとして用いれば回路素子の
放熱性も向上できる。
【０１０５】更に、導電パターンを回路素子の下で自由
に引き回せるので、多層配線はできないが多層配線に近
い配線密度を単層で実現できる。
に引き回せるので、多層配線はできないが多層配線に近
い配線密度を単層で実現できる。
【０１０６】本発明の製造方法では、導電パターン形成
後にすぐに半硬化した熱硬化性樹脂層で被覆するので、
液状の低粘度の熱硬化性樹脂で分離溝を完全に充填で
き、両者の接着強度を著しく向上できる利点がある。ま
た熱硬化性樹脂層は導電パターン形成後すぐに導電パタ
ーンを覆うので、導電パターン表面がその後のダイボン
ドやワイヤーボンディング等の加熱工程で酸化されず信
頼性の向上に寄与できる。
後にすぐに半硬化した熱硬化性樹脂層で被覆するので、
液状の低粘度の熱硬化性樹脂で分離溝を完全に充填で
き、両者の接着強度を著しく向上できる利点がある。ま
た熱硬化性樹脂層は導電パターン形成後すぐに導電パタ
ーンを覆うので、導電パターン表面がその後のダイボン
ドやワイヤーボンディング等の加熱工程で酸化されず信
頼性の向上に寄与できる。
【０１０７】また、熱硬化性樹脂層はレーザーエッチン
グにより容易に選択的に除去することができ、残された
熱硬化性樹脂層をマスクとして導電被膜をメッキで形成
でき、工程をシンプル化できる。
グにより容易に選択的に除去することができ、残された
熱硬化性樹脂層をマスクとして導電被膜をメッキで形成
でき、工程をシンプル化できる。
【０１０８】更に、従来の分離溝にトランスファーモー
ルドで絶縁性樹脂を充填する場合、絶縁性樹脂の粘度が
高いために分離溝に絶縁性樹脂を十分に充填できないた
め、分離溝と絶縁性樹脂の接着強度は十分に得られず絶
縁性樹脂が導電パターンから剥がれる問題があった。本
発明では分離溝と熱硬化性樹脂層との接着強度は低粘度
の半硬化した熱硬化性樹脂を用いることで解決し、熱硬
化性樹脂層と絶縁性樹脂は樹脂同士で馴染みが良いの
で、導電パターンと熱硬化性樹脂層および絶縁性樹脂と
の接着強度はより大幅に向上できる。
ルドで絶縁性樹脂を充填する場合、絶縁性樹脂の粘度が
高いために分離溝に絶縁性樹脂を十分に充填できないた
め、分離溝と絶縁性樹脂の接着強度は十分に得られず絶
縁性樹脂が導電パターンから剥がれる問題があった。本
発明では分離溝と熱硬化性樹脂層との接着強度は低粘度
の半硬化した熱硬化性樹脂を用いることで解決し、熱硬
化性樹脂層と絶縁性樹脂は樹脂同士で馴染みが良いの
で、導電パターンと熱硬化性樹脂層および絶縁性樹脂と
の接着強度はより大幅に向上できる。
【０１０９】更に、分離溝部分の導電箔の連結部分を選
択的にエッチング除去して外部電極を形成するので、メ
ッキ処理なしで容易に突起電極を実現できる。
択的にエッチング除去して外部電極を形成するので、メ
ッキ処理なしで容易に突起電極を実現できる。
【０１１０】更に、導電箔は分離溝部分を除きすべてを
導電パターンと外部電極で用いるので極めて廃棄する部
分が少ない省資源な製造方法を提供できる。
導電パターンと外部電極で用いるので極めて廃棄する部
分が少ない省資源な製造方法を提供できる。
【図１】本発明の回路装置を説明する図である。
【図２】本発明の製造フローを説明する図である。
【図３】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。
る。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。
る。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。
る。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。
る。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。
る。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。
る。
【図９】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。
る。
【図１０】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。
ある。
【図１１】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。
ある。
【図１２】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。
ある。
【図１３】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。
ある。
【図１４】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。
ある。
【図１５】従来の回路装置の実装構造を説明する図であ
る。
る。
【図１６】従来の回路装置を説明する図である。
【図１７】従来の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。
る。
【図１８】従来の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。
る。
５０Ａ 熱硬化性樹脂層
５０Ｂ 絶縁性樹脂
５１ 導電パターン
５２ 回路素子
５３ 回路装置
５６ 外部電極
６１ 分離溝
６２ ブロック
８０ 粘着シート
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中村 岳史
大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三
洋電機株式会社内
(72)発明者 小林 義幸
大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三
洋電機株式会社内
Ｆターム(参考） 5F061 BA04 CA21 CB13
Claims (26)
- 【請求項１】 分離溝により電気的に分離された各搭載
部の複数の導電パターンと、前記分離溝を埋めて前記導
電パターン表面を覆う熱硬化性樹脂層と、前記熱硬化性
樹脂層上に固着された回路素子と、該回路素子を被覆し
前記熱硬化性樹脂層と結合した前記導電パターンを一体
に支持する絶縁性樹脂と、前記導電パターンの裏面を露
出した外部電極とを備えたことを特徴とする回路装置。 - 【請求項２】 分離溝により電気的に分離された各搭載
部の複数の導電パターンと、前記分離溝を埋めて前記導
電パターン表面を覆う熱硬化性樹脂層と、前記熱硬化性
樹脂層上に固着された回路素子と、該回路素子を被覆し
前記熱硬化性樹脂層と結合し且つ前記導電パターンの裏
面のみを露出して前記導電パターンを一体に支持する絶
縁性樹脂と、前記導電パターンの裏面を露出した外部電
極とを備えたことを特徴とする回路装置。 - 【請求項３】 分離溝により電気的に分離された各搭載
部の複数の導電パターンと、前記分離溝を埋めて前記導
電パターン表面を覆う熱硬化性樹脂層と、前記熱硬化性
樹脂層上に固着された回路素子と、該回路素子の電極と
他の前記導電パターンとを接続する接続手段と、前記回
路素子を被覆し前記熱硬化性樹脂層と結合した前記導電
パターンを一体に支持する絶縁性樹脂と、前記導電パタ
ーンの裏面を露出した外部電極とを備えたことを特徴と
する回路装置。 - 【請求項４】 分離溝により電気的に分離された各搭載
部の複数の導電パターンと、前記分離溝を埋めて前記導
電パターン表面を覆う熱硬化性樹脂層と、前記熱硬化性
樹脂層上に固着された回路素子と、該回路素子の所望の
電極と他の前記導電パターンとを接続する接続手段と、
前記回路素子を被覆し前記熱硬化性樹脂層と結合し且つ
前記導電パターンの裏面のみを露出して前記導電パター
ンを一体に支持する絶縁性樹脂と、前記導電パターンの
裏面を露出した外部電極とを備えたことを特徴とする回
路装置。 - 【請求項５】 前記導電パターンは銅、アルミニウム、
鉄−ニッケルのいずれかの導電箔で構成されることを特
徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載された
回路装置。 - 【請求項６】 前記熱硬化性樹脂層から露出された所望
の前記導電パターン上には前記導電パターンとは異なる
金属材料より成る導電被膜を設けることを特徴とする請
求項１から請求項４のいずれかに記載された回路装置。 - 【請求項７】 前記導電被膜は金、銀あるいはパラジウ
ムメッキで構成されることを特徴とする請求項６に記載
された回路装置。 - 【請求項８】 前記回路素子は半導体ベアチップで構成
されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれ
かに記載された回路装置。 - 【請求項９】 前記接続手段はボンディングワイヤーで
構成されることを特徴とする請求項３または請求項４に
記載された回路装置。 - 【請求項１０】 前記導電パターンの裏面は前記熱硬化
性樹脂層の裏面から突出した前記外部電極を構成するこ
とを特徴とする請求項１または請求項４に記載された回
路装置。 - 【請求項１１】 前記導電パターンは電極またはボンデ
ィングパッドとして用いられることを特徴とした請求項
１から請求項４のいずれかに記載された回路装置。 - 【請求項１２】 導電箔を用意し、少なくとも導電パタ
ーンと成る領域を除いた前記導電箔に、前記導電箔の厚
みよりも浅い分離溝を形成して導電パターンを形成する
工程と、 前記分離溝を埋めて前記導電パターン表面を熱硬化性樹
脂層で覆う工程と、 前記導電パターン上の回路素子の電極を接続する部分の
前記熱硬化性樹脂層を選択的に除去する工程と、 前記熱硬化性樹脂層上に回路素子を固着する工程と、 前記回路素子の電極と所望の前記導電パターンとを電気
的に接続する接続手段を形成する工程と、 前記回路素子を被覆し、前記熱硬化性樹脂層と結合して
絶縁性樹脂でモールドする工程と、 前記分離溝部分の残された前記導電箔を除去して前記熱
硬化性樹脂層裏面より突出した外部電極を形成する工程
とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 【請求項１３】 導電箔を用意し、少なくとも導電パタ
ーンと成る領域を除いた前記導電箔に、前記導電箔の厚
みよりも浅い分離溝を形成して導電パターンを形成する
工程と、 前記分離溝を埋めて前記導電パターン表面を熱硬化性樹
脂層で覆う工程と、 前記導電パターン上の回路素子の電極を接続す部分の前
記熱硬化性樹脂層を選択的に除去する工程と、 前記熱硬化性樹脂層上に前記回路素子を固着する工程
と、 前記回路素子の電極と所望の前記導電パターンとを電気
的に接続する接続手段を形成する工程と、 前記回路素子を被覆し、前記熱硬化性樹脂層と結合して
絶縁性樹脂でモールドする工程と、 前記分離溝部分の残された前記導電箔を除去して前記熱
硬化性樹脂層裏面より突出した外部電極を形成する工程
と、 前記絶縁性樹脂を切断して個別の回路装置に分離する工
程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 【請求項１４】 導電箔を用意し、少なくとも導電パタ
ーンと成る領域を除いた前記導電箔に、前記導電箔の厚
みよりも浅い分離溝を形成して導電パターンを形成する
工程と、 前記分離溝を埋めて前記導電パターン表面を熱硬化性樹
脂層で覆う工程と、 前記導電パターン上の複数の回路素子の電極を接続する
部分の前記熱硬化性樹脂層を選択的に除去する工程と、 前記熱硬化性樹脂層上に前記複数の回路素子を固着する
工程と、 前記回路素子の電極と所望の前記導電パターンとを電気
的に接続する接続手段を形成する工程と、 前記複数の回路素子を被覆し、前記熱硬化性樹脂層と結
合して絶縁性樹脂でモールドする工程と、 前記分離溝部分の残された前記導電箔を除去して前記熱
硬化性樹脂層裏面より突出した外部電極を形成する工程
とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 【請求項１５】 導電箔を用意し、少なくとも導電パタ
ーンと成る領域を除いた前記導電箔に、前記導電箔の厚
みよりも浅い分離溝を形成して導電パターンを形成する
工程と、 前記分離溝を埋めて前記導電パターン表面を熱硬化性樹
脂層で覆う工程と、 前記導電パターン上の回路素子の電極を接続する部分の
前記熱硬化性樹脂層を選択的に除去する工程と、 前記熱硬化性樹脂層上に前記回路素子を固着する工程
と、 前記回路素子の電極と所望の前記導電パターンとを電気
的に接続する接続手段を形成する工程と、 前記回路素子を被覆し、前記熱硬化性樹脂層と結合して
絶縁性樹脂でモールドする工程と、 前記分離溝部分の残された前記導電箔を除去して前記熱
硬化性樹脂層裏面より突出した外部電極を形成する工程
と、 前記外部電極にマスクを用いないで裏面処理を行う工程
とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 【請求項１６】 導電箔を用意し、少なくとも導電パタ
ーンと成る領域を除いた前記導電箔に、前記導電箔の厚
みよりも浅い分離溝を形成して導電パターンを形成する
工程と、 前記分離溝を埋めて前記導電パターン表面を熱硬化性樹
脂層で覆う工程と、 前記導電パターン上の回路素子の電極を接続する部分の
前記熱硬化性樹脂層を選択的に除去する工程と、 前記熱硬化性樹脂層上に前記回路素子を固着する工程
と、 前記回路素子の電極と所望の前記導電パターンとを電気
的に接続する接続手段を形成する工程と、 前記回路素子を被覆し、前記熱硬化性樹脂層と結合して
絶縁性樹脂でモールドする工程と、 前記分離溝部分の残された前記導電箔を除去して前記熱
硬化性樹脂層裏面より突出した外部電極を形成する工程
と、 前記絶縁性樹脂を切断して個別の回路装置に分離する工
程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記導電箔は銅、アルミニウム、鉄−
ニッケルのいずれかで構成されることを特徴とする請求
項１２から請求項１６のいずれかに記載された回路装置
の製造方法。 - 【請求項１８】 前記導電箔に選択的に形成される前記
分離溝は化学的あるいは物理的エッチングにより形成さ
れることを特徴とする請求項１２から請求項１６のいず
れかに記載された回路装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記回路素子は半導体ベアチップを固
着されることを特徴とする請求項１２から請求項１６の
いずれかに記載された回路装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記熱硬化性樹脂層から露出された所
望の前記導電パターン上には前記熱硬化性樹脂層をマス
クとして用い、前記導電パターンとは異なる金属材料よ
り成る導電被膜を設けることを特徴とする請求項１２か
ら請求項１６のいずれかに記載された回路装置の製造方
法。 - 【請求項２１】 前記導電被膜は金、銀あるいはパラジ
ウムメッキで形成されることを特徴とする請求項２０に
記載された回路装置の製造方法。 - 【請求項２２】 前記接続手段はワイヤーボンディング
で形成されることを特徴とする請求項１２から請求項１
６のいずれかに記載された回路装置の製造方法。 - 【請求項２３】 前記絶縁性樹脂はトランスファーモー
ルドで付着され、前記熱硬化性樹脂層はトランスファー
モールド時に前記絶縁性樹脂と結合されることを特徴と
する請求項１２から請求項１６のいずれかに記載された
回路装置の製造方法。 - 【請求項２４】 前記絶縁性樹脂はダイシングにより個
別の回路装置に分離することを特徴とする請求項１３ま
たは請求項１６に記載された回路装置の製造方法。 - 【請求項２５】 前記熱硬化性樹脂層の代わりにＵＶ硬
化樹脂を用いることを特徴とする請求項１から請求項４
のいずれかに記載の回路装置。 - 【請求項２６】 前記熱硬化性樹脂層の代わりにＵＶ硬
化樹脂を用いることを特徴とする請求項１２から請求項
１６のいずれかに記載の回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001225109A JP4748892B2 (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001225109A JP4748892B2 (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003037214A true JP2003037214A (ja) | 2003-02-07 |
| JP4748892B2 JP4748892B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=19058155
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001225109A Expired - Fee Related JP4748892B2 (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 回路装置の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4748892B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003155591A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状体の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260560A (ja) * | 1996-03-21 | 1997-10-03 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
| JPH09321173A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージ及び半導体装置とそれらの製造方法 |
| JP2000332145A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置用の回路部材とそれを用いた樹脂封止型半導体装置および回路部材の製造方法 |
-
2001
- 2001-07-25 JP JP2001225109A patent/JP4748892B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260560A (ja) * | 1996-03-21 | 1997-10-03 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
| JPH09321173A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージ及び半導体装置とそれらの製造方法 |
| JP2000332145A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置用の回路部材とそれを用いた樹脂封止型半導体装置および回路部材の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2003155591A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状体の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080718 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100901 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101027 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110202 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110318 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110420 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |