JP4803931B2 - 回路モジュール - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は回路モジュールに関し、特に回路モジュール内部に於いて、半導体素子を立体的に実装することを可能とする回路モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、電子機器にセットされる回路モジュールは、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。
【0003】
例えば、回路モジュールとして半導体装置を例にして述べると、一般的な半導体装置として、従来通常のトランスファーモールドで封止されたパッケージ型半導体装置がある。この半導体装置は、図15のように、プリント基板PSに実装される。
【0004】
またこのパッケージ型半導体装置は、半導体チップ2の周囲を樹脂層3で被覆し、この樹脂層3の側部から外部接続用のリード端子4が導出されたものである。
【0005】
しかしこのパッケージ型半導体装置1は、リード端子4が樹脂層3から外に出ており、全体のサイズが大きく、小型化、薄型化および軽量化を満足するものではなかった。
【0006】
そのため、各社が競って小型化、薄型化および軽量化を実現すべく、色々な構造を開発し、最近ではCSP(チップサイズパッケージ)と呼ばれる、チップのサイズと同等のウェハスケールCSP、またはチップサイズよりも若干大きいサイズのCSPが開発されている。
【0007】
図16は、支持基板としてガラスエポキシ基板5を採用した、チップサイズよりも若干大きいCSP6を示すものである。ここではガラスエポキシ基板5にトランジスタチップTが実装されたものとして説明していく。
【0008】
このガラスエポキシ基板5の表面には、第1の電極7、第2の電極8およびダイパッド9が形成され、裏面には第1の裏面電極10と第2の裏面電極11が形成されている。そしてスルーホールTHを介して、前記第1の電極7と第1の裏面電極10が、第2の電極8と第2の裏面電極11が電気的に接続されている。またダイパッド9には前記ベアのトランジスタチップTが固着され、トランジスタのエミッタ電極と第1の電極7が金属細線12を介して接続され、トランジスタのベース電極と第2の電極8が金属細線12を介して接続されている。更にトランジスタチップTを覆うようにガラスエポキシ基板5に樹脂層13が設けられている。
【0009】
前記CSP6は、ガラスエポキシ基板5を採用するが、ウェハスケールCSPと違い、チップTから外部接続用の裏面電極10、11までの延在構造が簡単であり、安価に製造できるメリットを有する。
【0010】
また前記CSP6は、図15のように、プリント基板PSに実装される。プリント基板PSには、電気回路を構成する電極、配線が設けられ、前記CSP6、パッケージ型半導体装置1、チップ抵抗CRまたはチップコンデンサCC等が電気的に接続されて固着される。
【0011】
そしてこのプリント基板で構成された回路は、色々なセットの中に取り付けられる。
【0012】
つぎに、このCSPの製造方法を図17および図18を参照しながら説明する。
【0013】
まず基材(支持基板)としてガラスエポキシ基板5を用意し、この両面に絶縁性接着剤を介してCu箔20、21を圧着する。(以上図17(A)を参照)
続いて、第1の電極7,第2の電極8、ダイパッド9、第1の裏面電極10および第2の裏面電極11対応するCu箔20、21に耐エッチング性のレジスト22を被覆し、Cu箔20、21をパターニングする。尚、パターニングは、表と裏で別々にしても良い(以上図17(B)を参照)
続いて、ドリルやレーザを利用してスルーホールTHのための孔を前記ガラスエポキシ基板に形成し、この孔にメッキを施し、スルーホールTHを形成する。このスルーホールTHにより第1の電極7と第1の裏面電極10、第2の電極8と第2の裏面電極10が電気的に接続される。(以上図17(C)を参照)
更に、図面では省略をしたが、ボンデイングポストと成る第1の電極7,第2の電極8にAuメッキを施すと共に、ダイボンディングポストとなるダイパッド9にAuメッキを施し、トランジスタチップTをダイボンディングする。
【0014】
最後に、トランジスタチップTのエミッタ電極と第1の電極7、トランジスタチップTのベース電極と第2の電極8を金属細線12を介して接続し、樹脂層13で被覆している。(以上図17(D)を参照)
以上の製造方法により、支持基板5を採用したCSP型の電気素子が完成する。この製造方法は、支持基板としてフレキシブルシートを採用しても同様である。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
図16に於いて、トランジスタチップT、接続手段7〜12および樹脂層13は、外部との電気的接続、トランジスタの保護をする上で、必要な構成要素であるが、これだけの構成要素で小型化、薄型化、軽量化を実現する回路素子を提供するのは難しかった。
【0016】
また、支持基板となるガラスエポキシ基板5は、前述したように本来不要なものである。しかし製造方法上、電極を貼り合わせるため、支持基板として採用しており、このガラスエポキシ基板5を無くすことができなかった。
【0017】
そのため、このガラスエポキシ基板5を採用することによって、コストが上昇し、更にはガラスエポキシ基板5が厚いために、回路素子として厚くなり、小型化、薄型化、軽量化に限界があった。
【0018】
更にまた、従来の回路モジュールでは、実装基板に平面的に半導体素子が実装されており、実装密度を向上させることが難しかった。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明の回路モジュールは、前述した課題に鑑みて成され、第1に、絶縁樹脂に埋め込まれた第1の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けられた第2の導電パターンから形成される支持基板を有し、前記第1の導電パターンにフリップチップボンディングにより固着された第1の半導体素子および内部チップ部品を有し、前記半導体素子および前記内部チップ部品を被覆する第1の絶縁性樹脂を有する半導体モジュールと、
前記半導体モジュールが前記第2の導電パターンを上側にして固着された導電箔パターンを埋め込んだ第2の絶縁性樹脂と、
前記第2の導電パターン上に実装された第2の半導体素子および裏面チップ部品と、
前記半導体モジュールの取り出し電極と、前記導電箔パターンとの電気的接続を行う金属細線と、
前記導電箔パターンに形成された外部接続電極とを有することで解決するものである。
【0020】
第2に、前記第1の半導体素子および前記第2の半導体素子は、LSIであることで解決するものである。
【0021】
第3に、前記第2の半導体素子は、前記第1の半導体素子よりも大きいことで解決するものである。
【0022】
第4に、前記内部チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることで解決するものである。
【0023】
第5に、前記裏面チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることで解決するものである。
【0024】
第6に、前記第導電箔パターンには、前記半導体モジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはLSIが実装されることで解決するものである。
【0025】
第7に、前記第1の導電パターン、前記第2の導電箔パターンおよび前記導電箔パターンは銅、アルミニウムまたは鉄−ニッケルのいずれかを主材料として構成されることで解決するものである。
【0026】
第8に、前記取り出し電極は、前記半導体モジュールの周辺部に設けられることで解決するものである。
【0027】
第9に、絶縁樹脂に埋め込まれた第1の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けられた第2の導電パターンから形成される第1の支持基板を有し、前記第1の導電パターンにフリップチップボンディングにより固着された第1の半導体素子および内部チップ部品を有し、前記半導体素子および前記内部チップ部品を被覆する第1の絶縁性樹脂を有する半導体モジュールと、
絶縁樹脂に埋め込まれた第3の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けた第4の導電パターンを有し、前記半導体モジュールが第2の導電パターンを上側にして第3の導電パターンに固着された第2の支持基板と、
前記第2の導電パターン上に実装された第2の半導体素子および裏面チップ部品と、
前記半導体モジュールの取り出し電極と、前記第3の導電パターンとの電気的接続を行う金属細線と、
前記半導体モジュール、前記裏面チップ部品および前記金属細線を被覆し、且つ全体を支持する第2の絶縁性樹脂と、
前記第4の導電パターンに形成された外部接続電極とを有することで解決するものである。
【0028】
第10に、前記第1の半導体素子および前記第2の半導体素子は、LSIであることで解決するものである。
【0029】
第11に、前記第2の半導体素子は、前記第1の半導体素子よりも大きいことで解決するものである。
【0030】
第12に、前記内部チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることで解決するものである。
【0031】
第13に、前記裏面チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることで解決するものである。
【0032】
第14に、前記第3の導電パターンには、前記半導体モジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはLSIが実装されることで解決するものである。
【0033】
第15に、前記第1の導電パターン、前記第2の導電箔パターン、第3の導電パターンおよび第4の導電パターンは銅、アルミニウムまたは鉄−ニッケルのいずれかを主材料として構成されることで解決するものである。
【0034】
第16に、前記取り出し電極は、前記半導体モジュールの周辺部に設けられることで解決するものである。
【0035】
【発明の実施の形態】
回路モジュールの構造を説明する第1の実施の形態
先ず、本発明の回路モジュール30について、図1を参照しながら説明する。図1(A)は回路モジュール30の断面図であり、図1(B)はその上面図である。本実施の形態では、第2の絶縁性樹脂35Bに導電箔パターン39が埋め込まれた、単層配線の導電箔パターン39を有する回路モジュール30を説明する。
【0036】
図1(A)を参照して、本発明に係る回路モジュール30は、導電箔パターン39と、導電箔パターン39上に実装されたチップ部品33および半導体モジュール40と、半導体モジュール40が有する第2の導電パターン37上に実装された第2の半導体素子47および裏面チップ部品36と、半導体モジュール40の取り出し電極42と導電箔パターン39との電気的接続を行う金属細線34と、上記要素を被覆し且つ全体を支持する第2の絶縁性樹脂35Bとから構成されている。
【0037】
上記した回路モジュール30を構成する各要素の説明を行う。
【0038】
半導体モジュール40は、第1の導電パターン41に第1の半導体素子31をフリップチップで実装して構成されている。そして、この半導体モジュール40は導電箔パターン39に、絶縁性接着剤を用いてフェイスアップで実装されている。半導体モジュール40の取り出し電極42と導電箔パターン39との電気的接続は金属細線40で行われている。また、半導体モジュール40には第2の導電パターン37に第2の半導体素子47および裏面チップ部品36が実装され、実装基板の働きも有する。半導体モジュール40の詳細な構成および製造方法は後述する。
【0039】
導電箔パターン39としては、Cuを主材料とした導電箔、Alを主材料とした導電箔、またはFe−Ni等の合金から成る導電箔等を用いることができる。もちろん、他の導電材料でも可能であり、特にエッチングできる導電材、レーザで蒸発する導電材が好ましい。また、この導電箔パターン39は、第2の絶縁性樹脂35Bに埋め込まれている。従って、回路モジュール30は、従来に於ける支持基板を必要としないので非常に薄型・軽量にすることができる。
【0040】
チップ部品33としては、コンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはLSIがフェイスダウンで導電箔パターン39に実装される。ここで、チップ部品33は、半導体モジュール40と電気的に接続される場合と、半導体モジュール40と電気的に接続されない場合とがある。
【0041】
裏面チップ部品36としては、チップ部品39と同じく、コンデンサ、抵抗、トランジスタ、またはダイオードが採用される。また、第2の半導体素子47としてはLSIが採用される。そして、裏面チップ部品36および第2の半導体素子47は、フェイスダウンで半導体モジュール40の第2の導電パターン37上に実装される。このように、半導体モジュール40の裏面を実装基板として利用することにより、回路モジュール30の実装密度を向上させることが可能となる。従って、回路モジュール30を小型化・薄型化することができる。
【0042】
ここで、第2の半導体素子47、チップ部品33および裏面チップ部品36の接続は、金属接続板、ロウ材から成る導電ボール、半田等のロウ材、Agペースト等の導電ペーストを用いて行う。
【0043】
第2の絶縁性樹脂35Bとしては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また絶縁性樹脂は、金型を用いて固める樹脂、ディップ、塗布をして被覆できる樹脂であれば、全ての樹脂が採用できる。本発明に於いて、絶縁性樹脂35は半導体素子等を封止すると同時に、回路モジュール全体を支持する働きも有する。
【0044】
図1(B)を参照して、取り出し電極42は半導体モジュール40の周辺部に設けられる。取り出し電極42を介して、半導体モジュール40と導電箔パターン39は、金属細線34で電気的に接続される。この図では取り出し電極42は20個程度だが、実際には多数設けられる。
【0045】
次に、図2を参照して、導電箔パターン39に実装される半導体モジュール40の構造について説明する。図2(A)は半導体モジュール40の断面図であり、図2(B)はその上面図であり、図2(C)は裏面図である。
【0046】
図2(A)を参照して、半導体モジュール40は、絶縁樹脂に埋め込まれた第1の導電パターン41と、層間絶縁膜38を介して設けた第2の導電パターン37と、第1の導電パターンに固着された第1の半導体素子31および内部チップ部品48と、第2の導電パターンに固着された第2の半導体素子47および裏面チップ部品36と、第2の導電パターンで形成される取り出し電極42とから構成される。
【0047】
次に、半導体モジュール40を構成する各要素の説明を行う。
【0048】
層間絶縁膜38は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等が望ましい。ペースト状のものを塗ってシートとするキャスティング法の場合、その膜厚は10μm〜100μm程度である。また、シートとして形成する場合、市販のものは25μmが最小の膜厚である。また、熱伝導性が考慮されて中にフィラーが混入されても良い。材料としては、ガラス、酸化Si、酸化アルミニウム、窒化Al、Siカーバイト、窒化ボロン等が使用される。第1の導電パターン41および第2の導電パターン37はこの層間絶縁膜38を介して接合され、支持基板の働きを有する。従って、従来の半導体装置で使用された実装基板を不要としていることから、半導体モジュール40は薄型・軽量となっている。
【0049】
第1の半導体素子31としてはLSIが採用され、第2の導電パターン37から形成される接続電極43にフリップチップ実装される。
【0050】
内部チップ部品48としては、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードが採用され、第1の半導体素子31と同じように第2の導電パターン上にフリップチップ実装される。
【0051】
第1の絶縁性樹脂35Aとしては、前述した第2の絶縁性樹脂35Bと同じく、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。第1の絶縁性樹脂35Aは、第1の半導体素子31および内部チップ部品48を被覆し、半導体モジュール40全体を支持する働きを有する。
【0052】
ここで、半導体モジュール40は、第2の半導体素子47および裏面チップ部品36を実装する支持基板の働きを有する。従って、半導体モジュール40を大きくするほど、より多数の半導体素子およびチップ部品を支持基板46に実装することが可能となり、回路モジュール30の実装密度を向上させることができる。
【0053】
図2(B)を参照して、第2の導電パターン37は、パッド45および取り出し電極42を形成する。そして、パット45には、裏面チップ部品36および第2の半導体素子47が実装される。更に、第2の導電パターン37は、パッド45と取り出し電極42を電気的に接続するパターンも形成する。また、反対の面に設けられた接続電極43と、取り出し電極42を電気的に接続するパターンも設けられる。このパターンは、スルーホール44を介して、電気的接続を行っている。このことにより、より複雑な導電パターンを作成することができる。
【0054】
図2(C)を参照して、第1の導電パターンは、主に、第1の半導体素子31および内部チップ部品をフリップチップ実装するための接続電極43を形成する。また、パット45と取り出し電極42の電気的接続を行うパターンも形成する。なお、第1の導電パターンおよび第2の導電パターン37の材料としては、Cuを主材料とした導電箔、Alを主材料とした導電箔、またはFe−Ni等の合金から成る導電箔等が使用される。また、第1の導電パターン41が第1の半導体素子31とショートするのを防止するために、第1の導電パターン41は絶縁性樹脂で部分的に覆われる。
【0055】
本発明にかかる回路モジュール30の特徴は、図1(A)に示す如く、立体的に半導体素子が実装されることにある。
【0056】
この特徴を具体的に説明する。半導体モジュール40は、第1の半導体素子31および内部チップ部品48を内蔵し、更に、その裏面には第2の導電パターン37を有する。従って、第2の導電パターン37で形成されるパッドに第2の半導体素子47およびチップ部品36を実装することができる。つまり、導電箔パターン39に実装される半導体モジュール40に、更に、第2の半導体素子47および裏面チップ部品36を実装することができる。このことから、従来に於いては実装基板上に平面的に半導体素子実装したが、本発明の回路モジュール30は半導体素子を立体的に内蔵している。
【0057】
また、半導体モジュール40の支持基板は第1の導電パターン41と第2の導電パターン37を有するので、多層配線が可能となり、複雑な導電パターンを形成することができる。このことにより、第2の半導体素子47としてLSI等の入力・出力端子の多い半導体素子を採用することが可能となる。
【0058】
更に、半導体モジュール40は複数の半導体素子を内蔵しており、その裏面の面積は半導体素子1つの大きさよりも大きい。従って、第2の半導体素子37としては、第1の半導体素子31と同等以上の大きさのLSIを採用することができる。そして、複数の半導体素子を半導体モジュール40の裏面に実装することができる。また、半導体モジュール40は多層配線を有し、第2の半導体素子47を実装する位置が規制されないので、任意の位置に第2の半導体素子47を実装することができる。
【0059】
更に、本発明の回路モジュール30は、絶縁性樹脂35Bで全体が支持されているので、必要最小限の構成要素で形成されている。
【0060】
以上のことから、本発明の回路モジュール30は薄型・軽量となっている。
回路モジュールの構造を説明する第2の実施の形態
本発明の回路モジュール50について、図3を参照しながら説明する。図3(A)は回路モジュール50の断面図であり、図3(B)はその上面図である。ここで、図3に於いて、図1と同一の符号を付した部分は同一物を表している。
【0061】
本実施の形態では、層間絶縁膜53を介して設けられた第3の導電パターン51および第4の導電パターン52を備えた回路モジュール50を説明する。
【0062】
図3(A)を参照して、本発明に係る回路モジュール50は、層間絶縁膜53を介して設けられた第3の導電パターン51および第4の導電パターン52と、第3の導電パターン51上に実装されたチップ部品33および半導体モジュール40と、半導体モジュール40が有する第2の導電パターン37上に実装された第2の半導体素子47および裏面チップ部品36と、半導体モジュール40の取り出し電極42と導電パターン39との電気的接続を行う金属細線34と、上記要素を被覆し且つ全体を支持する第2の絶縁性樹脂35Bとから構成されている。
【0063】
このように、回路モジュール50の構成要素は、第1の実施の形態で説明した回路モジュール30と基本的に同一である。回路モジュール50のポイントは、層間絶縁膜53を介して設けられた第3の導電パターン51および第4の導電パターン52にある。従って、本実施の形態に於いては、このポイントのみについて説明を行い、それ以外の要素の説明は割愛する。
【0064】
層間絶縁膜53は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等が望ましい。ペースト状のものを塗ってシートとするキャスティング法の場合、その膜厚は10μm〜100μm程度である。また、シートとして形成する場合、市販のものは25μmが最小の膜厚である。また、熱伝導性が考慮されて中にフィラーが混入されても良い。材料としては、ガラス、酸化Si、酸化アルミニウム、窒化Al、Siカーバイト、窒化ボロン等が使用される。
【0065】
第3の導電パターン51は、シート状の導電膜をエッチングして形成される。第1の導電膜は厚さが5〜35μm程度に形成され、エッチングによりボンディングパッドや配線が形成される。ボンディングパッドの数は、半導体モジュール40の取り出し電極42の数が多いほど、ファインパターン化が要求される。また、第3の導電パターンの、金属細線34またはチップ部品33の電極と接続する部分は、ボンディングが行えるように金あるいは銀メッキが表面に施されている。
【0066】
第4の導電パターン52は、第3の導電パターン51と同様に、シート状の導電膜をエッチングして形成される。第4の導電パターン52の厚さは70μmから200μm程度であり、ファインパターンには適さないが、外部接続電極32を形成するのが主であり、必要に応じて多層配線を形成する。
【0067】
半導体モジュール40は、第3の導電パターン51を被覆する絶縁性樹脂54上に接着剤で固着され、半導体モジュール40と第3の導電パターン51は電気的に絶縁されている。この結果、半導体モジュール40の下方にはファインパターンの第3の導電パターン51が自由に配線でき、配線の自由度が大幅に増大する。
【0068】
図3に示す回路モジュール50は、2層の多層配線を有するが、必要に応じて3層以上の導電パターンを設けることも可能となる。導電パターンの層数を増やすことにより、より複雑な導電パターンを形成することが可能となり、回路モジュールの実装密度を向上させることができる。
回路モジュールの製造方法を説明する第3の実施の形態
次に、図4〜図14を参照して、回路モジュール30の製造方法を説明する。ここでは、実装部品である半導体モジュール40を製造し、さらに回路モジュール30を製造するまでの工程を説明する。
【0069】
本実施例では、図1に示す回路モジュール30の製造方法を説明する。図3に示す回路モジュール50の製造方法も、導電箔パターン39を製造する工程以外は、図1の回路モジュール30と同一である。
【0070】
図4に、回路モジュールを製造するフローを示す。このフローに示す如く、半導体モジュールのフローで半導体モジュールが製造される。Cu箔、Agメッキ、ハーフエッチングの3つのフローで導電箔パターンの形成が行われる。ダイボンドのフローでは各搭載部への半導体モジュールおよびチップ部品の固着が行われる。それと同時に、半導体モジュールの裏面に第2の半導体素子47および裏面チップ部品が実装される。ワイヤーボンディングのフローでは半導体モジュールと導電箔パターンとの電気的接続が行われる。トランスファーモールドのフローでは絶縁性樹脂による共通モールドが行われる。裏面Cu箔除去のフローでは絶縁性樹脂が露出するまで導電箔の裏面全域のエッチングが行われる。測定のフローでは各搭載部に組み込まれた半導体素子の良品判別や特性ランク分けが行われる。ダイシングのフローでは絶縁性樹脂からダイシングで個別の回路モジュールへの分離が行われる。
【0071】
以下に、本発明の回路モジュールを製造する各工程を図5〜図14を参照して説明する。
【0072】
第1の工程は、図5から図6に示すように、回路モジュール30に内蔵される半導体モジュール40を製造することにある。
【0073】
本工程では、まず図5(A)を参照して、層間絶縁膜38を介して接着された第1の導電パターン41および第2の導電パターン37を有する支持基板46を用意する。なお、第1の導電パターン41は上方に第1の半導体素子31および内部チップ部品48が実装されるので、樹脂層でオーバーコートされている。そして、第1の導電パターン41から形成される外部接続電極43には、第1の半導体素子31との電気的接続のために、表面にメッキが施されている。
【0074】
次に、図5(B)を参照して、支持基板46上に第1の半導体素子31および内部チップ部品48を実装する。ここで、第1の半導体素子31および内部チップ部品48はフリップチップ実装で支持基板46に実装される。
【0075】
次に、図6(A)を参照して、第1の半導体素子31および内部チップ部品48を第1の絶縁性樹脂35Aで封止する。
【0076】
次に、図6(B)を参照して、第1の半導体素子31および内部チップ部品48が内蔵された支持基板46を、ダイシングブレード49を用いて、個々の半導体モジュール40に分離する。
【0077】
最後に、図6(C)を参照して、半導体モジュール40が完成する。半導体モジュール40は、後の工程で導電箔パターン39に実装される。また、第2の導電箔パターン37上には、第2の半導体素子47および裏面チップ部品が実装される。
【0078】
第2の工程は、図7から図9に示すように、導電箔60を用意し、少なくとも半導体モジュール40およびチップ部品33の搭載部を多数個形成する導電箔パターン39を除く領域の導電箔60に導電箔60の厚みよりも浅い分離溝を化学的エッチングにより形成して導電箔パターン39を形成することにある。
【0079】
本工程では、まず図7(A)の如く、シート状の導電箔60を用意する。この導電箔60は、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、材料としては、Cuを主材料とした導電箔、Alを主材料とした導電箔またはFe−Ni等の合金から成る導電箔等が採用される。
【0080】
導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮すると10μm〜300μm程度が好ましい。しかし、後述するように、導電箔60の厚みよりも浅い分離溝61が形成できる厚さであれば良い。
【0081】
尚、シート状の導電箔60は、所定の幅、例えば45mmでロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた短冊状の導電箔60が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。
【0082】
具体的には、図7(B)に示す如く、短冊状の導電箔60に多数の搭載部が形成されるブロック62が4〜5個離間して並べられる。各ブロック62間にはスリット63が設けられ、モールド工程等での加熱処理で発生する導電箔60の応力を吸収する。また導電箔60の上下周端にはインデックス孔64が一定の間隔で設けられ、各工程での位置決めに用いられる。
【0083】
続いて、導電箔パターンを形成する。
【0084】
まず、図8に示す如く、Cu箔60の上に、ホトレジスト(耐エッチングマスク)PRを形成し、導電箔パターン39となる領域を除いた導電箔60が露出するようにホトレジストPRをパターニングする。そして、ホトレジストPRを介して導電箔60を選択的にエッチングする。
【0085】
具体的に、この化学的エッチングにより形成された分離溝61の深さは、例えば50μmであり、その側面は、粗面となり、非異方性にエッチングされるためにその側面は湾曲構造となり、第2の絶縁性樹脂35Bとの接着性が向上される。
【0086】
なお、図8に於いて、ホトレジストの代わりにエッチング液に対して耐食性のある導電被膜(図示せず)を選択的に被覆しても良い。導電路と成る部分に選択的に被着すれば、この導電被膜がエッチング保護膜となり、レジストを採用することなく分離溝をエッチングできる。この導電被膜として考えられる材料は、Ag、Ni、Au、PtまたはPd等である。しかもこれら耐食性の導電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッドとしてそのまま活用できる特徴を有する。
【0087】
例えばAg被膜は、Auと接着するし、ロウ材とも接着する。よってチップ裏面にAu被膜が被覆されていれば、そのまま導電箔パターン39上のAg被膜にチップを熱圧着でき、また半田等のロウ材を介してチップを固着できる。またAgの導電被膜にはAu細線が接着できるため、ワイヤーボンディングも可能となる。従ってこれらの導電被膜をそのままダイパッド、ボンディングパッドとして活用できるメリットを有する。
【0088】
図9に具体的な導電箔パターンを示す。本図は図7(B)で示したブロック62の1個を拡大したもの対応する。黒く塗られた部分の1個が1つの搭載部65であり、導電箔パターン39を構成し、1つのブロック62にはマトリックス状に多数の搭載部65が配列され、各搭載部65毎に同一の導電箔パターン39が設けられている。各ブロックの周辺には枠状のパターン66が設けられ、それと少し離間しその内側にダイシング時の位置合わせマーク67が設けられている。枠状のパターン66はモールド金型との嵌合に使用し、また導電箔60の裏面エッチング後には第2の絶縁性樹脂35Bの補強をする働きを有する。
【0089】
また、上記の説明では単層の導電箔パターンを形成する方法を説明したが、導電パターンは層間絶縁膜を用いた多層のものでも良い。
【0090】
第3の工程は、図10に示す如く、各搭載部の所望の導電箔パターン39に半導体モジュール40およびチップ部品36を固着し、更に、半導体モジュール40裏面に第2の半導体素子および裏面チップ部品36を実装することにある。図10(A)は1つの搭載部の平面図であり、図10(B)は図10(A)のA−A線での断面図である。
【0091】
半導体モジュール40は、フェイスアップで実装される。そして、チップ部品33としてはコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはLSIが実装される。ここでは、半導体モジュール40が導電箔パターン39に絶縁性接着剤で実装され、チップ部品33は半田等のロウ材または導電ペーストで導電箔パターン39に固着される。
【0092】
図10(B)を参照して、本発明のポイントは、半導体モジュール40に第2の半導体素子および裏面チップ部品36を実装することにある。半導体モジュール40の実装基板である支持基板は、その裏面に、第2の導電パターン37を有する。第2の導電パターンはパッドを有しており、このパッドに第2の半導体素子および裏面チップ部品36を実装することができる。このことから、本発明の回路モジュール30では、その内部に於いて半導体素子を立体的に実装することができる。なお、図10(A)に於いては、半導体モジュール40上に3つの半導体素子が実装されているが、実際には多数の半導体素子を実装することができる。
【0093】
第4の工程は、図11に示す如く、各搭載部65の半導体モジュール40の取り出し電極42と所望の導電箔パターン39とをワイヤボンディングすることにある。図11(A)は1つの搭載部の平面図であり、図11(B)は図11(A)のA−A線での断面図である。
【0094】
本工程では、ブロック62内の各搭載部の半導体モジュール40の取り出し電極42と所望の導電箔パターン39を、熱圧着によるボールボンディング及び超音波によるウェッヂボンディングにより一括してワイヤボンディングを行う。
【0095】
また本発明では、各搭載部毎にクランパを使用してワイヤボンディングを行っていた従来の回路装置の製造方法と比較して、極めて効率的にワイヤボンディングを行うことができる。
【0096】
第5の工程は、図12に示す如く、各搭載部65の半導体モジュール40等を一括して被覆し、分離溝61に充填されるように第2の絶縁性樹脂35Bで共通モールドすることにある。
【0097】
本工程では、図12(A)に示すように、第2の絶縁性樹脂35Bは半導体モジュール40、チップ部品33および裏面チップ部品36を完全に被覆し、導電箔パターン39間の分離溝61には第2の絶縁性樹脂35Bが充填されて、導電箔パターンの側面の湾曲構造と嵌合して強固に結合する。そして第2の絶縁性樹脂35Bにより導電箔パターン39が支持されている。
【0098】
また本工程では、トランスファーモールド、インジェクションモールド、またはポッティングにより実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。
【0099】
更に、本工程でトランスファーモールドあるいはインジェクションモールドする際に、図12(B)に示すように各ブロック62は1つの共通のモールド金型に搭載部65を納め、各ブロック毎に1つの第2の絶縁性樹脂35Bで共通にモールドを行う。このために従来のトランスファーモールド等の様に各搭載部を個別にモールドする方法に比べて、大幅な樹脂量の削減が図れる。
【0100】
導電箔60表面に被覆された第2の絶縁性樹脂35Bの厚さは、金属細線34の最頂部から約100μm程度が被覆されるように調整されている。この厚みは、強度を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能である。
【0101】
本工程の特徴は、第2の絶縁性樹脂35Bを被覆するまでは、導電箔パターン39となる導電箔60が支持基板となることである。尚、本発明では、支持基板となる導電箔60は、電極材料として必要な材料である。そのため、構成材料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの低下も実現できる。
【0102】
また分離溝61は、導電箔の厚みよりも浅く形成されているため、導電箔60が導電箔パターン39として個々に分離されていない。従ってシート状の導電箔60として一体で取り扱え、第2の絶縁性樹脂35Bでモールドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽になる特徴を有する。
【0103】
第6の工程は、図12(A)に示す如く、第2の絶縁性樹脂35Bが露出するまで、導電箔60の裏面全域をエッチングすることにある。
【0104】
本工程は、導電箔60の裏面を化学的および/または物理的に除き、導電箔パターン39として分離するものである。この工程は、研磨、研削、エッチング、レーザの金属蒸発等により施される。
【0105】
実験では研磨装置または研削装置により全面を30μm程度削り、分離溝61から第2の絶縁性樹脂35Bを露出させている。この露出される面を図12(A)では点線で示している。その結果、約40μmの厚さの導電箔パターン39となって分離される。また、第2の絶縁性樹脂35Bが露出する手前まで、導電箔60を全面ウェトエッチングし、その後、研磨または研削装置により全面を削り、第2の絶縁性樹脂35Bを露出させても良い。更に、導電箔60を点線で示す位置まで全面ウェトエッチングし、第2の絶縁性樹脂35Bを露出させても良い。
【0106】
この結果、第2の絶縁性樹脂35Bに導電箔パターン39の裏面が露出する構造となる。すなわち、分離溝61に充填された第2の絶縁性樹脂35Bの表面と導電箔パターン39の表面は、実質的に一致している構造となっている。従って、本発明の回路モジュール30は図16に示した従来の裏面電極10、11のように段差が設けられないため、マウント時に半田等の表面張力でそのまま水平に移動してセルフアラインできる特徴を有する。
【0107】
更に、導電箔パターン39の裏面処理を行い、図1に示すような回路モジュール30を得る。
【0108】
第7の工程は、図13に示す如く、第2の絶縁性樹脂35Bで一括してモールドされた各搭載部65の半導体素子の特性の測定を行うことにある。
【0109】
前工程で導電箔60の裏面エッチングをした後に、導電箔60から各ブロック62が切り離される。このブロック62は第2の絶縁性樹脂35Bで導電箔60の残余部と連結されているので、切断金型を用いず機械的に導電箔60の残余部から剥がすことで達成できる。
【0110】
各ブロック62の裏面には図13に示すように導電箔パターン39の裏面が露出されており、各搭載部65が導電箔パターン39形成時と全く同一にマトリックス状に配列されている。この導電箔パターン39の第2の絶縁性樹脂35Bから露出した外部接続電極32にプローブ68を当てて、回路モジュール30の特性パラメータ等を個別に測定して良不良の判定を行い、不良品には磁気インク等でマーキングを行う。
【0111】
本工程では、各搭載部65の回路モジュール30は第2の絶縁性樹脂35Bでブロック62毎に一体で支持されているので、個別にバラバラに分離されていない。従って、テスターの載置台に置かれたブロック62は搭載部65のサイズ分だけ矢印のように縦方向および横方向にピッチ送りをすることで、極めて早く大量にブロック62の各搭載部65の回路モジュール30の測定を行える。すなわち、従来必要であった半導体装置の表裏の判別、電極の位置の認識等が不要にできるので、測定時間の大幅な短縮を図れる。
【0112】
第8の工程は、図14に示す如く、第2の絶縁性樹脂35Bを各搭載部65毎にダイシングにより分離することにある。
【0113】
本工程では、ブロック62をダイシング装置の載置台に真空で吸着させ、ダイシングブレード69で各搭載部65間のダイシングライン70に沿って分離溝61の第2の絶縁性樹脂35Bをダイシングし、個別の回路モジュール30に分離する。
【0114】
本工程で、ダイシングブレード69はほぼ第2の絶縁性樹脂35Bを切断する切削深さで行い、ダイシング装置からブロック62を取り出した後にローラでチョコレートブレークするとよい。ダイシング時は予め前述した第1の工程で設けた各ブロックの周辺の枠状のパターン66の内側の相対向する位置合わせマーク67を認識して、これを基準としてダイシングを行う。周知ではあるが、ダイシングは縦方向にすべてのダイシングライン70をダイシングをした後、載置台を90度回転させて横方向のダイシングライン70に従ってダイシングを行う。
【0115】
上記した製造方法によるメリットの1つは、既存の技術および設備で本発明の回路モジュール30が製造できることにある。つまり、既存の技術および設備で、回路モジュール30内部に於いて、立体的にLSI等を配置できることである。このことにより、回路モジュール30の実装密度を向上させることができる。従って、回路モジュールの薄型化・軽量化を実現できる。
【0116】
【発明の効果】
本発明の回路モジュールによれば、以下に示すような効果を奏することができる。
【0117】
第1に、複数の半導体素子が絶縁性樹脂で封止された半導体モジュールを導電箔パターンにフェイスアップで実装し、半導体モジュールの裏面に半導体素子および裏面チップ部品を実装することにより、立体的に半導体素子を実装することができる。半導体モジュールは、第1の導電パターンと第2の導電パターンが層間絶縁膜で接着された支持基板を有し、第1の導電パターンに複数の半導体素子が実装されたものである。従って、第2の導電パターン上に複数の半導体素子を実装することができる。このことから、回路モジュールの実装密度を向上させることができ、更に、回路モジュールを小型化・軽量化することができる。
【0118】
第2に、半導体モジュールは複数の半導体素子が内蔵されているので、内蔵される半導体素子よりも大きいサイズの半導体素子を、半導体モジュールの裏面に実装することができる。また、半導体モジュールの支持基板は多層配線を有するので、半導体モジュール裏面の任意の位置に半導体素子を実装することができる。
【0119】
第3に、本発明の回路モジュールは、半導体モジュール等を被覆する絶縁性樹脂で全体が支持されており、実装基板を使用しない薄型・軽量のものである。このことにより、回路モジュールを更に薄型・軽量化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の回路モジュールを説明する図である。
【図2】本発明の回路モジュールを構成する半導体モジュールを説明する図である。
【図3】本発明の回路モジュールを説明する図である。
【図4】本発明の回路モジュールの製造方法を説明するフローチャートである。
【図5】本発明の回路モジュールを構成する半導体モジュールの製造方法を説明する図である。
【図6】本発明の回路モジュールを構成する半導体モジュールの製造方法を説明する図である。
【図7】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図8】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図9】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図10】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図11】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図12】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図13】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図14】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図15】従来の回路モジュールを説明する図である。
【図16】従来の回路モジュールを説明する図である。
【図17】従来の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図18】従来の回路モジュールの製造方法を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
30 回路モジュール
31 LSI
40 半導体モジュール
33 チップ部品
36 裏面チップ部品
38 層間絶縁膜
Claims (16)
- 第1の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けられた第2の導電パターンから形成される支持基板を有し、前記第1の導電パターンにフリップチップボンディングにより固着された第1の半導体素子および内部チップ部品を有し、前記半導体素子および前記内部チップ部品を被覆する第1の絶縁性樹脂を有する半導体モジュールと、
前記半導体モジュールが前記第2の導電パターンを上側にして固着された導電箔パターンを埋め込んだ第2の絶縁性樹脂と、
前記第2の導電パターン上に実装された第2の半導体素子および裏面チップ部品と、
前記半導体モジュールの前記支持基板における前記第2の導電パターンと同一の面に設けられた取り出し電極と前記導電箔パターンとの電気的接続を行う金属細線と、
前記導電箔パターンに形成された外部接続電極とを有することを特徴とする回路モジュール。 - 前記第1の半導体素子および前記第2の半導体素子は、LSIであることを特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。
- 前記第2の半導体素子は、前記第1の半導体素子よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。
- 前記内部チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。
- 前記裏面チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。
- 前記導電箔パターンには、前記半導体モジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはLSIが実装されることを特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。
- 前記第1の導電パターン、前記第2の導電箔パターンおよび前記導電箔パターンは銅、アルミニウムまたは鉄−ニッケルのいずれかを主材料として構成されることを特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。
- 前記取り出し電極は、前記半導体モジュールの周辺部に設けられることを特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。
- 第1の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けられた第2の導電パターンから形成される第1の支持基板を有し、前記第1の導電パターンにフリップチップボンディングにより固着された第1の半導体素子および内部チップ部品を有し、前記半導体素子および前記内部チップ部品を被覆する第1の絶縁性樹脂を有する半導体モジュールと、
第3の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けた第4の導電パターンを有し、前記半導体モジュールが第2の導電パターンを上側にして第3の導電パターンに固着された第2の支持基板と、
前記第2の導電パターン上に実装された第2の半導体素子および裏面チップ部品と、
前記半導体モジュールの前記第1の支持基板における前記第2の導電パターンと同一の面に設けられた取り出し電極と前記第3の導電パターンとの電気的接続を行う金属細線と、
前記半導体モジュール、前記裏面チップ部品および前記金属細線を被覆し、且つ全体を支持する第2の絶縁性樹脂と、
前記第4の導電パターンに形成された外部接続電極とを有することを特徴とする回路モジュール。 - 前記第1の半導体素子および前記第2の半導体素子は、LSIであることを特徴とする請求項9に記載の回路モジュール。
- 前記第2の半導体素子は、前記第1の半導体素子よりも大きいことを特徴とする請求項9に記載の回路モジュール。
- 前記内部チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることを特徴とする請求項9に記載の回路モジュール。
- 前記裏面チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることを特徴とする請求項9に記載の回路モジュール。
- 前記第3の導電パターンには、前記半導体モジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはLSIが実装されることを特徴とする請求項9に記載の回路モジュール。
- 前記第1の導電パターン、前記第2の導電パターン、第3の導電パターンおよび第4の導電パターンは銅、アルミニウムまたは鉄−ニッケルのいずれかを主材料として構成されることを特徴とする請求項9に記載の回路モジュール。
- 前記取り出し電極は、前記半導体モジュールの周辺部に設けられることを特徴とする請求項9に記載の回路モジュール。
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