JP2003110945A

JP2003110945A - カメラモジュール

Info

Publication number: JP2003110945A
Application number: JP2001294667A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Kobayashi; 健一小林
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2001-09-26
Filing date: 2001-09-26
Publication date: 2003-04-11

Abstract

(57)【要約】【課題】回路モジュールを実装基板無しで構成し、そ
の内部に半導体素子を立体的に実装する。【解決手段】導電箔パターン３９上に、ＤＳＰ３１が
実装された半導体モジュール４０およびチップ部品３３
を実装する。半導体モジュール４０に設けられた第２の
導電箔パターン３７に、ＣＣＤ５５および裏面チップ部
品３６を実装する。ＣＣＤ５５の周辺はモールドを行わ
ない空洞部５９と成る。絶縁性樹脂３５上面の空洞部５
９を覆うようにホルダー５６を実装し、ホルダー５６の
上部にレンズ５８を有するレンズバレル５７を実装す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はカメラモジュールに
関し、特に実装基板を不要にし且つその内部に於いて半
導体素子を立体的に実装することにより薄型・軽量化し
たカメラモジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、カメラモジュールは、携帯電話、
携帯用のコンピューター等に積極的に採用されるように
なった。従ってカメラモジュールは、小型化、薄型化、
軽量化が求められている。

【０００３】本発明では、１例として、半導体撮像素子
としてＣＣＤを用いたカメラモジュールを用いて説明を
行う。尚、ＣＣＤ以外の半導体撮像素子（例えばＣＭＯ
Ｓセンサー等）を用いても同様である。

【０００４】図１８を参照して、従来のカメラモジュー
ルの構造を説明する。先ず、実装基板１にＣＣＤ２が実
装されている。そして、ＣＣＤ２の上方に、外部からの
光を集めるレンズ５がレンズバレル６に固定されてい
る。また、レンズバレル６はレンズホルダー７によって
ホールドされており、レンズホルダー７はレンズ止めビ
ス８によって実装基板１に実装されている。

【０００５】ここで、ＣＣＤは、（ＣｈａｒｇｅＣｏ
ｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）の略で、レンズ５によって
集められた光の強さに応じた電荷を出力する働きを有す
る。また、レンズバレル６は側面がねじ状になっており
（図示せず）、回転することによってレンズ５の焦点を
合わせる働きを有する。

【０００６】更に、実装基板１の表面および裏面に、チ
ップ部品３と裏面チップ部品４が実装されている。これ
らチップ部品としては、ＤＳＰ、ドライブ用ＩＣ、コン
デンサ、抵抗、ダイオードが挙げられる。ＤＳＰは（Ｄ
ｉｇｉｔａｌＳｉｇｎａｌＰｒｏｃｅｓｓｏｒ）の略
で、ＣＣＤから送られたデジタル信号を高速に処理する
働きを有する。また、ドライブ用ＩＣは、ＣＣＤを駆動
させるためにＤＳＰからの駆動信号を昇圧して、ＣＣＤ
内に蓄積された電荷を転送させる働きを有する。

【０００７】次に、図１９を参照して、このカメラモジ
ュールの組立方法を説明する。

【０００８】先ず、図１９（Ａ）を参照して、実装基板
１を用意し、その表面にＣＣＤ２とチップ部品３を実装
する。

【０００９】次に、図１９（Ｂ）を参照して、実装基板
１の裏面に裏面チップ部品４を実装する。

【００１０】最後に、図１９（Ｃ）を参照して、レンズ
５が固定されたレンズバレル６をレンズホルダー７に固
定し、レンズ止めビス８を用いて、レンズホルダー７を
実装基板１に固定する。なお、レンズ止めビス８でレン
ズホルダー７を固定するためには、対応する箇所にスル
ーホールが必要である。

【００１１】以上の方法により、実装基板１を用いた従
来型のカメラモジュールが完成する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】図１８に於いて、チッ
プ部品３、裏面チップ部品４、レンズ、レンズバレル
６、レンズホルダー７、ＣＣＤ２は必要な構成要素であ
るが、これだけの構成要素で小型化、薄型化、軽量化を
実現するカメラモジュールを提供するのは難しかった。

【００１３】また、実装基板１は本来不要なものであ
る。しかし製造方法上、電極を貼り合わせるために、ま
たレンズホルダー７を固定するために実装基板を利用し
ている。従って、この実装基板１を無くすことができな
かった。

【００１４】そのため、この実装基板１を採用すること
によって、コストが上昇し、更には実装基板１が厚いた
めに、カメラモジュールとして厚くなり、小型化、薄型
化、軽量化に限界があった。

【００１５】更に、実装基板にはチップ部品３および裏
面チップ部品４が別々に実装されている。従って、実装
面積が大きく成ってしまう問題があった。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明のカメラモジュー
ルは前述した課題に鑑みて成され、第１に、第１の導電
パターンおよび第２の導電パターンから形成される第１
の支持基板を有し、前記第１の導電パターンにフリップ
チップボンディングにより固着された半導体素子を有す
る半導体モジュールと、前記第２の導電パターン上に実
装された半導体撮像素子および裏面チップ部品と、前記
半導体モジュールおよび前記裏面チップ部品を被覆し、
前記半導体撮像素子周辺に空洞部を形成する絶縁性樹脂
と、前記空洞部上部に固着されるホルダーと、前記ホル
ダー上部に固着され、レンズを有するレンズバレルと、
前記半導体モジュールが前記第２の導電パターンを上側
にして固着された第２の支持基板と、前記半導体モジュ
ールの取り出し電極と、前記第２の支持基板との電気的
接続を行う金属細線と、前記第２の支持基板に形成され
た外部接続電極とを有することで解決するものである。

【００１７】第１の支持基板に実装される半導体モジュ
ールの上に、ＣＣＤ等の半導体撮像素子を載置すること
によって、カメラモジュールの実装密度を向上させるこ
とができる。更に、絶縁性樹脂による封止が行われない
空洞部をＣＣＤ周辺部に設け、空洞部上部にホルダーや
レンズバレルを実装することにより、実装基板を不要に
してカメラモジュールを構成することが可能となる。

【００１８】第２に、前記絶縁性樹脂は、前記ホルダー
の位置を固定するための凹部を有し、前記ホルダーは前
記凸部に対応する凸部を有することで解決するものであ
る。

【００１９】第３に、前記半導体撮像素子の上面は、前
記絶縁性樹脂の上面よりも下方に位置することで解決す
るものである。

【００２０】第４に、前記空洞部の面方向の断面は、前
記半導体撮像素子の面方向の断面よりも大きいことで解
決するものである。

【００２１】第５に、前記半導体撮像素子の撮像エリア
の中心軸と前記レンズの中心軸は、一致することで解決
するものである。

【００２２】第６に、前記半導体撮像素子は、ＣＣＤま
たはＣＭＯＳセンサーであることで解決するものであ
る。

【００２３】第７に、前記半導体素子は、ＤＳＰまたは
ドライバー用ＩＣであることで解決するものである。

【００２４】第８に、前記裏面チップ部品は、コンデン
サ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩであ
ることで解決するものである。

【００２５】第９に、前記第２の支持基板には、前記半
導体モジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジス
タ、ダイオードまたはＬＳＩが実装されることで解決す
るものである。

【００２６】第１０に、前記取り出し電極は、前記半導
体モジュールの周辺部に設けられることで解決するもの
である。

【００２７】第１１に、前記第１の支持基板は、絶縁フ
ィルムの両面に前記第１の導電パターンおよび前記第２
の導電パターンを有することで解決するものである。

【００２８】第１２に、前記絶縁フィルムは、フレキシ
ブルシートであることで解決するものである。

【００２９】第１３に、前記第１の支持基板は、前記絶
縁性樹脂に埋め込まれた前記第１の導電パターンおよび
層間絶縁膜を介して設けられた前記第２の導電パターン
を有することで解決するものである。

【００３０】層間絶縁膜を介して第１の導電パターンお
よび第２の導電パターンを構成することにより、多層配
線が可能となる。従って、第２の導電パターン上に載置
する裏面チップ部品として、入力・出力端子の多いＬＳ
Ｉ等を採用することができる。

【００３１】第１４に、前記第２の支持基板は、前記絶
縁性樹脂に埋め込まれた第３の導電パターンおよび層間
絶縁膜を介して設けられた第４の導電パターンを有する
ことで解決するものである。

【００３２】第１５に、前記金属細線は、前記取り出し
電極と前記第３の導電パターンとの電気的接続を行うこ
とで解決するものである。

【００３３】第１６に、前記第２の支持基板は、前記絶
縁性樹脂に埋め込まれた導電箔パターンであることで解
決するものである。

【００３４】第１７に、前記金属細線は、前記取り出し
電極と前記導電箔導電パターンとの電気的接続を行うこ
とで解決するものである。

【００３５】第１８に、前記半導体モジュールは、前記
第１の導電パターンおよび前記第２の導電パターンから
形成される前記第１の支持基板と、前記第１の導電パタ
ーンにフリップチップボンディングにより固着された前
記半導体素子および内部チップ部品と、前記半導体素子
および前記内部チップ部品を被覆し且つ全体を支持する
絶縁樹脂層とを有することで解決するものである。

【００３６】カメラモジュールに内蔵される半導体モジ
ュールに、複数の半導体素子を内蔵させることにより、
半導体モジュールの裏面面積を大きくすることができ
る。従って、より多くの裏面チップ部品を半導体モジュ
ールの裏面に実装することが可能となり、カメラモジュ
ールの実装密度を更に向上させることができる。

【００３７】

【発明の実施の形態】カメラモジュールの構造を説明す
る第１の実施の形態先ず、本発明のカメラモジュール３０について、図１を
参照しながら説明する。図１（Ａ）はカメラモジュール
３０の断面図であり、図１（Ｂ）はその上面図である。
本実施の形態では、絶縁性樹脂３５に導電箔パターン３
９が埋め込まれた、単層配線の導電箔パターン３９を有
するカメラモジュール３０を説明する。

【００３８】図１（Ａ）を参照して、本発明に係るカメ
ラモジュール３０は、導電箔パターン３９と、導電箔パ
ターン３９上に実装されたチップ部品３３および半導体
モジュール４０と、半導体モジュール４０の取り出し電
極４２と導電箔パターン３９との電気的接続を行う金属
細線３４と、半導体モジュール４０が有する第２の導電
パターン上に実装されたＣＣＤ５５および裏面チップ部
品３６と、ＣＣＤ５５の周辺部に空洞部５９を形成し且
つ全体を支持する絶縁性樹脂３５と、ＣＣＤ５５の上方
に実装されたホルダー５６と、ホルダー５６上部に実装
され且つ上部にレンズ５８を有するレンズバレル５７と
から構成されている。

【００３９】上記したカメラモジュール３０を構成する
各要素の説明を行う。

【００４０】半導体モジュール４０は、第１の導電パタ
ーン４１にＤＳＰ３１をフリップチップで実装して構成
されている。そして、この半導体モジュール４０は導電
箔パターン３９に、絶縁性接着剤を用いてフェイスアッ
プで実装されている。半導体モジュール４０の取り出し
電極４２と導電箔パターン３９との電気的接続は金属細
線４０で行われている。また、半導体モジュール４０に
は第２の導電パターン３７に裏面チップ部品３６が実装
され、実装基板の働きも有する。半導体モジュール４０
の詳細な構成および製造方法は後述する。ここでは半導
体モジュール４０はＤＳＰ３１を内蔵しているが、ドラ
イバー用ＩＣ等を内蔵しても良い。

【００４１】導電箔パターン３９としては、Ｃｕを主材
料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔、またはＦ
ｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等を用いることができ
る。もちろん、他の導電材料でも可能であり、特にエッ
チングできる導電材、レーザで蒸発する導電材が好まし
い。

【００４２】チップ部品３３としては、コンデンサ、抵
抗、トランジスタ、ダイオードまたはＩＳＩがフェイス
ダウンで導電箔パターン３９に実装される。

【００４３】ＣＣＤ５５は半導体撮像素子であり、半導
体モジュール４０の裏面に設けられる。また半導体モジ
ュール４０の裏面にＣＣＤ５５が実装できるように、周
辺部には空洞部５９が設けられている。このＣＣＤ５５
は、レンズ５８によって集められた光を電気信号に変換
する働きを有し、入ってきた光の光量に応じた電荷を出
力する。また、撮像素子としてＣＣＤではなく、ＣＭＯ
Ｓセンサーを用いる場合もある。本発明に於いてはＣＣ
Ｄ５５を用いた場合のみについて説明を行うが、半導体
撮像素子としてＣＭＯＳセンサーを用いても同様の効果
が得られる。

【００４４】裏面チップ部品３６としては、チップ部品
３９と同じく、コンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイ
オードまたはＩＳＩが採用される。そして、裏面チップ
部品３６は、フェイスダウンで半導体モジュール４０の
第２の導電パターン３７上に実装される。

【００４５】ここで、ＣＣＤ５５、チップ部品３３およ
び裏面チップ部品３６の接続は、金属接続板、ロウ材か
ら成る導電ボール、半田等のロウ材、Ａｇペースト等の
導電ペーストを用いて行う。

【００４６】このように、ＣＣＤ５５および裏面チップ
部品３６を半導体モジュール４０の裏面に実装すること
により、カメラモジュール３０の実装密度を向上させる
ことが可能となる。従って、カメラモジュール３０を小
型化・薄型化することができる。

【００４７】絶縁性樹脂３５としては、エポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサル
ファイド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また
絶縁性樹脂は、金型を用いて固める樹脂、ディップ、塗
布をして被覆できる樹脂であれば、全ての樹脂が採用で
きる。本発明に於いて、絶縁性樹脂３５は半導体素子等
を封止すると同時に、カメラモジュール全体を支持する
働きも有する。また、絶縁性樹脂３５は、カメラモジュ
ール３０の内蔵される部品を全て封止するのではない。
絶縁性樹脂３５は、ＣＣＤ５５が実装される半導体モジ
ュール４０の裏面の周辺部を露出させている。そして、
半導体モジュール４０の裏面が露出される部分は空洞部
５９となる。更に、絶縁性樹脂３５の上面には、ホルダ
ー５６の実装位置を固定するための凹部４９Ａが設けら
れる。

【００４８】空洞部５９は、カメラモジュール３０にお
いて、絶縁性樹脂３５による封止が行われない部分であ
る。そして、空洞部５９の底部には、半導体モジュール
４０の裏面に設けられた第２の導電パターン３７が露出
している。空洞部５９内部にはＣＣＤ５５が完全に収納
されるので、そのサイズはＣＣＤ５５よりも充分大き
い。つまり、空洞部５９の横方向の断面はＣＣＤ５５よ
りも大きく、空洞部５９の深さはＣＣＤ５５の高さより
も長い。

【００４９】ホルダー５６は、ＣＣＤ５５が収納される
空洞部５９の上部を覆うように絶縁性樹脂３５の上面に
実装される。ホルダー５６と絶縁性樹脂３５との接合は
接着剤を介して行われる。また、ホルダー５６の下面に
は、絶縁性樹脂３５の上面に設けられた凹部４９Ａに対
応した凸部４９Ｂが設けられている。従って、ホルダー
５６が有する凸部４９Ｂを、絶縁性樹脂３５に設けられ
た凹部４９Ａにはめこむことにより、ホルダー５６の位
置を正確に固定することができる。

【００５０】レンズバレル５７は、上部にレンズ５８を
有し、ホルダー５６の上部に接着剤を介して実装され
る。また、レンズバレル５７は、レンズ５８を上下に動
かして焦点を合わせるために、その内部にねじ構造を有
する。ここで、レンズ５８の中心軸と、レンズ５８の下
方に載置されたＣＣＤ５５の撮像エリアの中心軸は実質
的に一致している。従って、レンズ５８により屈折した
光は、正確にＣＣＤ５５の撮像エリアに集中する。

【００５１】図１（Ｂ）を参照して、取り出し電極４２
は半導体モジュール４０の周辺部に設けられる。取り出
し電極４２を介して、半導体モジュール４０と導電箔パ
ターン３９は、金属細線３４で電気的に接続される。こ
の図では取り出し電極４２は２０個程度だが、実際には
多数設けられる。

【００５２】次に、図２を参照して、導電箔パターン３
９に実装される半導体モジュール４０の構造について説
明する。図２（Ａ）は半導体モジュール４０の断面図で
あり、図２（Ｂ）はその上面図であり、図２（Ｃ）は裏
面図である。

【００５３】図２（Ａ）を参照して、半導体モジュール
４０は、絶縁樹脂に埋め込まれた第１の導電パターン４
１と、層間絶縁膜３８を介して設けた第２の導電パター
ン３７と、第１の導電パターンに固着されたＤＳＰ３１
と、第２の導電パターンに固着されたＣＣＤ５５および
裏面チップ部品３６と、第２の導電パターンで形成され
る取り出し電極４２とから構成される。

【００５４】次に、半導体モジュール４０を構成する各
要素の説明を行う。

【００５５】層間絶縁膜３８は、ポリイミド樹脂、エポ
キシ樹脂等が望ましい。ペースト状のものを塗ってシー
トとするキャスティング法の場合、その膜厚は１０μｍ
〜１００μｍ程度である。また、シートとして形成する
場合、市販のものは２５μｍが最小の膜厚である。ま
た、熱伝導性が考慮されて中にフィラーが混入されても
良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓｉ、酸化アルミニ
ウム、窒化ＡＤＳＰカーバイト、窒化ボロン等が使用さ
れる。第１の導電パターン４１および第２の導電パター
ン３７はこの層間絶縁膜３８を介して接合され、支持基
板の働きを有する。従って、従来の半導体装置で使用さ
れた実装基板を不要としていることから、半導体モジュ
ール４０は薄型・軽量となっている。

【００５６】ＤＳＰ３１は、第２の導電パターン３７か
ら形成される接続電極４３にフリップチップ実装され
る。裏面チップ部品３６を実装する支持基板４６の大き
さは、このＤＳＰ３１の大きさにより決定される。ここ
で、ＤＳＰ３１は、カメラモジュール３０に実装される
回路素子の中で、比較的大型のものである。このことに
より、より多数のチップ部品を支持基板４６に実装する
ことが可能となり、カメラモジュール３０の実装密度を
向上させることができる。ＤＳＰ３１の機能的な説明
は、従来の技術の欄で説明したので割愛する。また、Ｄ
ＳＰ３１の代わりにドライバー用ＩＣ等が、接続電極４
３にフリップチップ実装されても良い。

【００５７】図２（Ｂ）を参照して、第２の導電パター
ン３７は、ＣＣＤ５５および裏面チップが実装されるパ
ッド４５および取り出し電極４２を形成する。更に、パ
ッド４５と取り出し電極４２を電気的に接続するパター
ンも形成される。また、反対の面に設けられた接続電極
４３と、取り出し電極４２を電気的に接続するパターン
も設けられる。このパターンは、スルーホール４４を介
して、電気的接続を行っている。このことにより、より
複雑な導電パターンを作成することができる。

【００５８】図２（Ｃ）を参照して、第１の導電パター
ンは、主に、ＤＳＰ３１をフリップチップ実装するため
の接続電極４３を形成する。また、裏面チップ部品３６
と取り出し電極４２の電気的接続を行うパターンも形成
する。なお、第１の導電パターンおよび第２の導電パタ
ーンの材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌ
を主材料とした導電箔、またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から
成る導電箔等が使用される。また、第１の導電パターン
４１がＤＳＰ３１とショートするのを防止するために、
第１の導電パターン４１は絶縁性樹脂で部分的に覆われ
ることもある。

【００５９】以上の半導体モジュール４０の説明では、
層間絶縁膜３８を介して第１の導電パターン４１および
第２の導電パターン３７が設けられて多層配線を実現し
ていた。ここで、層間絶縁膜３８の代替にフレキシブル
シート等の絶縁フィルムを使用しても良い。つまりフレ
キシブルシートの両面に、第１の導電パターン４１およ
び第２の導電パターン３７を設ける。このことにより、
多層配線を実現することができる。

【００６０】本発明にかかるカメラモジュール３０は、
図１に示す如く、絶縁性樹脂３５の上面にホルダー５６
およびレンズバレル５７を実装することに特徴を有す
る。

【００６１】この特徴を具体的に説明する。絶縁性樹脂
３５は、ＣＣＤ５５が実装される半導体モジュール４０
の裏面を露出させて全体を封止している。従って、ＣＣ
Ｄ５５周辺には空洞部５９が形成される。そして、空洞
部５９を覆うように、絶縁性樹脂３５の上面にホルダー
５６が実装される。また、ホルダー５６上部にはレンズ
５８を有するレンズバレル５７が実装される。

【００６２】従来に於いては、ビス等を用いてホルダー
５６等のカメラモジュールの構成要素を基板に実装して
いた。それに対して本発明では、空洞部５９にＣＣＤ５
５を収納し、絶縁性樹脂３５の上面にホルダー５６を実
装している。つまり、絶縁性樹脂３５の上面が従来の実
装基板の如き働きを有している。

【００６３】また、絶縁性樹脂３５の上面には凹部４９
Ａが設けられており、ホルダー５６は凹部４９Ａに対応
する箇所に凸部４９Ｂが設けられている。従って、凹部
４９Ａと凸部４９Ｂを嵌合させるだけで、ホルダー５６
を所定の位置に実装することができる。

【００６４】このことにより、本発明のカメラモジュー
ル３０は実装基板を不要にして構成されている。つま
り、本来必要な構成要素だけで構成されている。従って
カメラモジュール３０は薄型・軽量となっている。

【００６５】本発明にかかるカメラモジュール３０は、
図１に示す如く、立体的に半導体素子を内蔵することに
も特徴を有する。

【００６６】この特徴を具体的に説明する。半導体モジ
ュール４０は、ＤＳＰ３１を内蔵し、更に、その裏面に
は第２の導電パターン３７を有する。従って、第２の導
電パターン３７で形成されるパッドに、ＣＣＤ５５およ
びチップ部品３６を実装することができる。つまり、導
電箔パターン３９に実装される半導体モジュール４０
に、更に、ＣＣＤ５５および裏面チップ部品３６を実装
することができる。このことから、従来に於いては実装
基板上に平面的に半導体素子等を実装したが、本発明の
カメラモジュール３０は半導体素子を立体的に内蔵して
いる。

【００６７】また、半導体モジュール４０の支持基板は
第１の導電パターン４１と第２の導電パターン３７を有
するので、多層配線が可能となり、複雑な導電パターン
を形成することができる。このことにより、ＣＣＤ５５
等の入力・出力端子の多い半導体素子を採用することが
可能となる。

【００６８】更に、本発明のカメラモジュール３０は、
絶縁性樹脂３５で全体が支持されているので、必要最小
限の構成要素で形成されている。

【００６９】以上のことから、本発明のカメラモジュー
ル３０は薄型・軽量となっている。

【００７０】尚、本発明に斯かるカメラモジュール２８
の大きさは、縦×横×高さが９ｍｍ×９ｍｍ×５ｍｍで
ある。それに対して従来のカメラモジュールの大きさ
は、縦×横×高さが１９ｍｍ×１３ｍｍ×７ｍｍであ
る。従って本発明に斯かるカメラモジュール２８は、従
来のものと比較して容積比で１／４以下となり、非常に
小型のものとなっている。

【００７１】更にカメラモジュール３０は、図１に示す
如く、ＤＳＰ３１を導電箔パターン３９の上部に配置す
ることにも特徴を有する。

【００７２】図１（Ａ）を参照して、ＤＳＰ３１が実装
された半導体モジュール４０はフェイスアップで導電箔
パターン３９に実装されている。つまり、ＤＳＰ３１が
導電箔パターン３９に直接固着される形となるので、Ｄ
ＳＰ３１から発生した熱は導電箔パターン３９を介して
容易に外部に放出される。このことから、本発明に斯か
るカメラモジュール３０は熱の放散性が非常に優れてい
ると言える。

【００７３】ここで、ＤＳＰ３１は導電箔パターン３９
を介して外部に熱を放出できるのに対し、裏面チップ部
品３６は絶縁性樹脂３５に封止されているので熱の放出
が容易ではない。従って、発熱量が小さい小信号系の半
導体素子を裏面チップ部品３６として採用し、発熱量が
大きいＤＳＰ３１をこのように配置することにより、カ
メラモジュール３０の放熱性を更に向上させることがで
きる。カメラモジュールの構造を説明する第２の実施の形態本発明のカメラモジュール３０について、図３を参照し
ながら説明する。図３（Ａ）はカメラモジュール３０の
断面図であり、図３（Ｂ）はその上面図である。ここ
で、図３に於いて、図１と同一の符号を付した部分は同
一物を表している。

【００７４】本実施の形態では、層間絶縁膜５３を介し
て設けられた第３の導電パターン５１および第４の導電
パターン５２を備えたカメラモジュール３０を説明す
る。

【００７５】図３（Ａ）を参照して、本発明に係るカメ
ラモジュール３０は、層間絶縁膜５３を介して設けられ
た第３の導電パターン５１および第４の導電パターン５
２と、導電箔パターン３９上に実装されたチップ部品３
３および半導体モジュール４０と、半導体モジュール４
０の取り出し電極４２と導電箔パターン３９との電気的
接続を行う金属細線３４と、半導体モジュール４０が有
する第２の導電パターン上に実装されたＣＣＤ５５およ
び裏面チップ部品３６と、ＣＣＤ５５の周辺部に空洞部
５９を形成し且つ全体を支持する絶縁性樹脂３５と、Ｃ
ＣＤ５５の上方に実装されたホルダー５６と、ホルダー
５６上部に実装され且つ上部にレンズ５８を有するレン
ズバレル５７とから構成されている。

【００７６】このように、カメラモジュール３０の構成
要素は、第１の実施の形態で説明したカメラモジュール
３０と基本的に同一である。本実施の形態に係るカメラ
モジュール３０のポイントは、層間絶縁膜５３を介して
設けられた第３の導電パターン５１および第４の導電パ
ターン５２にある。従って、本実施の形態に於いては、
このポイントのみについて説明を行い、それ以外の要素
の説明は割愛する。

【００７７】層間絶縁膜５３は、ポリイミド樹脂、エポ
キシ樹脂等が望ましい。ペースト状のものを塗ってシー
トとするキャスティング法の場合、その膜厚は１０μｍ
〜１００μｍ程度である。また、シートとして形成する
場合、市販のものは２５μｍが最小の膜厚である。ま
た、熱伝導性が考慮されて中にフィラーが混入されても
良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓｉ、酸化アルミニ
ウム、窒化ＡＤＳＰカーバイト、窒化ボロン等が使用さ
れる。

【００７８】第３の導電パターン５１は、シート状の導
電膜をエッチングして形成される。第１の導電膜は厚さ
が５〜３５μｍ程度に形成され、エッチングによりボン
ディングパッドや配線が形成される。ボンディングパッ
ドの数は、半導体モジュール４０の取り出し電極４２の
数が多いほど、ファインパターン化が要求される。ま
た、第３の導電パターンの、金属細線３４またはチップ
部品３３の電極と接続する部分は、ボンディングが行え
るように金あるいは銀メッキが表面に施されている。

【００７９】第４の導電パターン５２は、第３の導電パ
ターン５１と同様に、シート状の導電膜をエッチングし
て形成される。第４の導電パターン５２の厚さは７０μ
ｍから２００μｍ程度であり、ファインパターンには適
さないが、外部接続電極３２を形成するのが主であり、
必要に応じて多層配線を形成する。

【００８０】半導体モジュール４０は、第３の導電パタ
ーン５１を被覆する絶縁性樹脂５４上に接着剤で固着さ
れ、半導体モジュール４０と第３の導電パターン５１は
電気的に絶縁されている。この結果、半導体モジュール
４０の下方にはファインパターンの第３の導電パターン
５１が自由に配線でき、配線の自由度が大幅に増大す
る。

【００８１】図３に示すカメラモジュール３０は、２層
の多層配線を有するが、必要に応じて３層以上の導電パ
ターンを設けることも可能となる。導電パターンの層数
を増やすことにより、より複雑な導電パターンを形成す
ることが可能となり、カメラモジュールの実装密度を向
上させることができる。カメラモジュールの構造を説明する第３の実施の形態本発明のカメラモジュール３０について、図４を参照し
ながら説明する。図４（Ａ）はカメラモジュール３０の
断面図であり、図４（Ｂ）はその上面図である。ここ
で、図４に於いて、図１と同一の符号を付した部分は同
一物を表している。

【００８２】図４（Ａ）を参照して、本発明に係るカメ
ラモジュール３０は、導電箔パターン３９と、導電箔パ
ターン３９上に実装されたチップ部品３３および半導体
モジュール４０と、半導体モジュール４０の取り出し電
極４２と導電箔パターン３９との電気的接続を行う金属
細線３４と、半導体モジュール４０が有する第２の導電
パターン上に実装されたＣＣＤ５５および裏面チップ部
品３６と、ＣＣＤ５５の周辺部に空洞部５９を形成し且
つ全体を支持する絶縁性樹脂３５と、ＣＣＤ５５の上方
に実装されたホルダー５６と、ホルダー５６上部に実装
され且つ上部にレンズ５８を有するレンズバレル５７と
から構成されている。

【００８３】このように、カメラモジュール３０の構成
要素は、第１の実施の形態で説明したカメラモジュール
３０と基本的に同一である。本実施の形態に係るカメラ
モジュール３０のポイントは、導電箔パターン３９に実
装される半導体モジュール４０の構造にある。従って、
本実施の形態に於いては、このポイントのみについて説
明を行い、それ以外の要素の説明は割愛する。

【００８４】図４（Ａ）を参照して、半導体モジュール
４０は、絶縁樹脂層に埋め込まれた第１の導電パターン
４１と、層間絶縁膜３８を介して設けた第２の導電パタ
ーン３７と、第１の導電パターンに固着されたＤＳＰ３
１および内部チップ部品４８と、第２の導電パターンに
固着されたＣＣＤ５５および裏面チップ部品３６と、第
２の導電パターンで形成される取り出し電極４２と、Ｄ
ＳＰ３１および内部チップ部品４８を被覆する絶縁樹脂
層とから構成される。

【００８５】このように、複数の半導体素子が絶縁樹脂
層で被覆された半導体モジュール４０を採用することに
より、半導体モジュール４０の裏面の面積は大きくな
る。従って、より多数の裏面チップ部品３６を実装する
ことが可能となり、カメラモジュール３０の実装密度を
更に向上させることができる。

【００８６】なお本実施の形態に於いても、図３に示す
ように、第３の導電パターンおよび第４の導電パターン
を設けることができる。つまり、カメラモジュール３０
の支持基板を多層配線の構造にすることができる。この
ことによりカメラモジュール３０の実装密度をさらに向
上させることができる。カメラモジュールの製造方法を説明する第４の実施の形
態次に、図５〜図１７を参照して、カメラモジュール３０
の製造方法を説明する。ここでは、実装部品である半導
体モジュール４０を製造し、さらにカメラモジュール３
０を製造するまでの工程を説明する。

【００８７】本実施例では、図１に示すカメラモジュー
ル３０の製造方法を説明する。図３および図４に示すカ
メラモジュールの製造方法も、半導体モジュール４０を
製造する工程および導電箔パターン３９を製造する工程
以外のは、図１のカメラモジュール３０と同一である。

【００８８】図５に、カメラモジュールを製造するフロ
ーを示す。このフローに示す如く、半導体モジュールの
フローで半導体モジュールが製造される。Ｃｕ箔、Ａｇ
メッキ、ハーフエッチングの３つのフローで導電箔パタ
ーンの形成が行われる。ダイボンドのフローでは各搭載
部への半導体モジュールおよびチップ部品の固着が行わ
れる。それと同時に、半導体モジュールの裏面に裏面チ
ップ部品が実装される。ワイヤーボンディングのフロー
では半導体モジュールと導電箔パターンとの電気的接続
が行われる。トランスファーモールドのフローでは絶縁
性樹脂による共通モールドが行われる。その後にＣＣＤ
が半導体モジュールの裏面に実装される。裏面Ｃｕ箔除
去のフローでは絶縁性樹脂が露出するまで導電箔の裏面
全域のエッチングが行われる。ホルダー実装のフローで
は、各搭載部の半導体モジュール裏面にホルダーが実装
される。測定のフローでは各搭載部に組み込まれた半導
体素子の良品判別や特性ランク分けが行われる。ダイシ
ングのフローでは絶縁性樹脂をダイシングすることで個
別のカメラモジュールへの分離が行われる。レンズバレ
ル実装のフローでは、個別のカメラモジュールのホルダ
ー上部にレンズバレルが実装される。

【００８９】以下に、本発明のカメラモジュールを製造
する各工程を図５〜図１４を参照して説明する。

【００９０】第１の工程は、図６から図７に示すよう
に、カメラモジュール３０に内蔵される半導体モジュー
ル４０を製造することにある。

【００９１】本工程では、まず図６（Ａ）を参照して、
層間絶縁膜３８を介して接着された第１の導電パターン
４１および第２の導電パターン３７を有する支持基板４
６を用意する。なお、第１の導電パターン４１は上方に
ＤＳＰが実装されるので、樹脂層でオーバーコートされ
ている。そして、第１の導電パターン４１から形成され
る外部接続電極４３には、ＤＳＰ３１との電気的接続の
ために、表面にメッキが施されている。

【００９２】次に、図６（Ｂ）を参照して、支持基板４
６上にＤＳＰ３１を絶縁性接着剤を介して実装する。こ
こで、ＤＳＰ３１と支持基板４６との電気的接続は、Ｄ
ＳＰ３１の電極と支持基板の接続電極３１との接合で行
われる。

【００９３】次に、図７（Ａ）を参照して、ＤＳＰ３１
が実装された支持基板４６を、ダイシングブレードＤを
用いて、個々の半導体モジュール４０に分離する。

【００９４】最後に、図７（Ｂ）を参照して、半導体モ
ジュール４０が完成する。半導体モジュール４０は、後
の工程で導電箔パターン３９に実装される。また、第２
の導電箔パターン３７上には、ＣＣＤ５５および裏面チ
ップ部品が実装される。

【００９５】なお、図６および図７ではＤＳＰ３１が実
装される面が上方向になっている。しかし、半導体モジ
ュール４０が導電箔パターン３９に実装される際は、上
下逆で実装される。つまり、ＤＳＰ３１を下方向にして
半導体モジュール４０は実装される。

【００９６】第２の工程は、図８から図１０に示すよう
に、導電箔６０を用意し、少なくとも半導体モジュール
４０およびチップ部品３３の搭載部を多数個形成する導
電箔パターン３９を除く領域の導電箔６０に導電箔６０
の厚みよりも浅い分離溝を化学的エッチングにより形成
して導電箔パターン３９を形成することにある。

【００９７】本工程では、まず図８（Ａ）の如く、シー
ト状の導電箔６０を用意する。この導電箔６０は、ロウ
材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてそ
の材料が選択され、材料としては、Ｃｕを主材料とした
導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等
の合金から成る導電箔等が採用される。

【００９８】導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮す
ると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましい。しかし、後
述するように、導電箔６０の厚みよりも浅い分離溝６１
が形成できる厚さであれば良い。

【００９９】尚、シート状の導電箔６０は、所定の幅、
例えば４５ｍｍでロール状に巻かれて用意され、これが
後述する各工程に搬送されても良いし、所定の大きさに
カットされた短冊状の導電箔６０が用意され、後述する
各工程に搬送されても良い。

【０１００】具体的には、図８（Ｂ）に示す如く、短冊
状の導電箔６０に多数の搭載部が形成されるブロック６
２が４〜５個離間して並べられる。各ブロック６２間に
はスリット６３が設けられ、モールド工程等での加熱処
理で発生する導電箔６０の応力を吸収する。また導電箔
６０の上下周端にはインデックス孔６４が一定の間隔で
設けられ、各工程での位置決めに用いられる。

【０１０１】続いて、導電箔パターンを形成する。

【０１０２】まず、図９に示す如く、Ｃｕ箔６０の上
に、ホトレジスト（耐エッチングマスク）ＰＲを形成
し、導電箔パターン３９となる領域を除いた導電箔６０
が露出するようにホトレジストＰＲをパターニングす
る。そして、ホトレジストＰＲを介して導電箔６０を選
択的にエッチングする。

【０１０３】具体的に、この化学的エッチングにより形
成された分離溝６１の深さは、例えば５０μｍであり、
その側面は、粗面となり、非異方性にエッチングされる
ためにその側面は湾曲構造となり、絶縁性樹脂３５との
接着性が向上される。

【０１０４】なお、図９に於いて、ホトレジストの代わ
りにエッチング液に対して耐食性のある導電被膜（図示
せず）を選択的に被覆しても良い。導電路と成る部分に
選択的に被着すれば、この導電被膜がエッチング保護膜
となり、レジストを採用することなく分離溝をエッチン
グできる。この導電被膜として考えられる材料は、Ａ
ｇ、Ｎｉ、Ａｕ、ＰｔまたはＰｄ等である。しかもこれ
ら耐食性の導電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッ
ドとしてそのまま活用できる特徴を有する。

【０１０５】例えばＡｇ被膜は、Ａｕと接着するし、ロ
ウ材とも接着する。よってチップ裏面にＡｕ被膜が被覆
されていれば、そのまま導電箔パターン３９上のＡｇ被
膜にチップを熱圧着でき、また半田等のロウ材を介して
チップを固着できる。またＡｇの導電被膜にはＡｕ細線
が接着できるため、ワイヤーボンディングも可能とな
る。従ってこれらの導電被膜をそのままダイパッド、ボ
ンディングパッドとして活用できるメリットを有する。

【０１０６】図１０に具体的な導電箔パターンを示す。
本図は図８（Ｂ）で示したブロック６２の１個を拡大し
たもの対応する。黒く塗られた部分の１個が１つの搭載
部６５であり、導電箔パターン３９を構成し、１つのブ
ロック６２にはマトリックス状に多数の搭載部６５が配
列され、各搭載部６５毎に同一の導電箔パターン３９が
設けられている。各ブロックの周辺には枠状のパターン
６６が設けられ、それと少し離間しその内側にダイシン
グ時の位置合わせマーク６７が設けられている。枠状の
パターン６６はモールド金型との嵌合に使用し、また導
電箔６０の裏面エッチング後には絶縁性樹脂３５の補強
をする働きを有する。

【０１０７】また、上記の説明では単層の導電箔パター
ンを形成する方法を説明したが、導電パターンは層間絶
縁膜を用いた多層のものでも良い。

【０１０８】第３の工程は、図１１に示す如く、各搭載
部の所望の導電箔パターン３９に半導体モジュール４０
およびチップ部品３６を固着し、更に、半導体モジュー
ル４０裏面に裏面チップ部品３６を実装することにあ
る。図１１（Ａ）は１つの搭載部の平面図であり、図１
１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。

【０１０９】半導体モジュール４０は、フェイスアップ
で実装される。そして、チップ部品３３としてはコンデ
ンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩが
実装される。ここでは、半導体モジュール４０が導電箔
パターン３９に絶縁性接着剤で実装され、チップ部品３
３は半田等のロウ材または導電ペーストで導電箔パター
ン３９に固着される。

【０１１０】図１１（Ｂ）を参照して、本発明のポイン
トは、半導体モジュール４０上に裏面チップ部品３６を
実装することにある。半導体モジュール４０の支持基板
は、その裏面に、第２の導電パターン３７を有する。第
２の導電パターンは裏面チップ部品３６を実装するパッ
ドを有しており、このパッドに裏面チップ部品３６を実
装することができる。このことから、本発明のカメラモ
ジュール３０では、その内部に於いて半導体素子を立体
的に実装することができる。

【０１１１】なお、本工程では、第２の導電パターン３
７上にＣＣＤ５５の実装は行わない。その理由は、後の
トランスファーモールの工程で、この領域に空洞部が形
成されるからである。つまり、ＣＣＤ５５が実装される
領域は、モールド金型で押圧され、部分的にモールドが
行われない空洞部が形成される。

【０１１２】第４の工程は、図１２に示す如く、各搭載
部６５の半導体モジュール４０の取り出し電極４２と所
望の導電箔パターン３９とをワイヤボンディングするこ
とにある。図１２（Ａ）は１つの搭載部の平面図であ
り、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＡ−Ａ線での断面図
である。

【０１１３】本工程では、ブロック６２内の各搭載部の
半導体モジュール４０の取り出し電極４２と所望の導電
箔パターン３９を、熱圧着によるボールボンディング及
び超音波によるウェッヂボンディングにより一括してワ
イヤボンディングを行う。

【０１１４】また本発明では、各搭載部毎にクランパを
使用してワイヤボンディングを行っていた従来の回路装
置の製造方法と比較して、極めて効率的にワイヤボンデ
ィングを行うことができる。

【０１１５】第５の工程は、図１３に示す如く、各搭載
部６５の半導体モジュール４０等を一括して被覆し、分
離溝６１に充填されるように絶縁性樹脂３５で共通モー
ルドすることにある。そして、共通モールドを行った後
に、第２の導電パターン３７上にＣＣＤ５５を実装す
る。

【０１１６】本工程では、図１３（Ａ）に示すように、
絶縁性樹脂３５は半導体モジュール４０、チップ部品３
３および裏面チップ部品３６を完全に被覆し、導電箔パ
ターン３９間の分離溝６１には絶縁性樹脂３５が充填さ
れて、導電箔パターンの側面の湾曲構造と嵌合して強固
に結合する。そして絶縁性樹脂３５により導電箔パター
ン３９が支持されている。

【０１１７】本工程のポイントは、ＣＣＤ５５の周辺に
空洞部５９を形成して全体を封止することにある。つま
り、ＣＣＤ５５が実装される部分のモールドを行わない
ことで、ＣＣＤ５５が実装される第２の導電パターンを
露出させることができる。さらには、ＣＣＤ５５を収納
できる空間である空洞部５９を確保することができる。

【０１１８】そして、モールドが終了した後に、空洞部
５９内部の第２の導電パターン上にＣＣＤ５５が実装さ
れる。ＣＣＤ５５は、裏面チップ部品３６と共に第２の
導電パターン上に実装される半導体素子である。しか
し、裏面チップ部品３６の実装はモールド工程の前に行
い、ＣＣＤ５５の実装はモールド工程の後に行う。この
理由は、モールド工程の前にＣＣＤ５５を実装すると空
洞部５９がモールド金型により形成できないからであ
る。

【０１１９】ここで、ＣＣＤ５５の表面は樹脂製のカバ
ーで覆われる（図示せず）。このことにより、後のダイ
シングの工程でＣＣＤ５５の撮像エリア等が傷つくのを
防止することができる。この樹脂製のカバーはダイシン
グが終了した時点で剥がされる。

【０１２０】また本工程では、絶縁性樹脂３５の上面の
空洞部５９付近に凹部４９Ａが形成される。この凹部４
９Ａは、空洞部５９上部に実装されるホルダー５６の位
置を固定するために使用される。具体的な位置固定方法
は、ホルダー実装の工程で後述する。

【０１２１】更にまた本工程では、トランスファーモー
ルドまたはインジェクションモールドにより実現でき
る。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
がトランスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹
脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はイ
ンジェクションモールドで実現できる。

【０１２２】更に、本工程でトランスファーモールドあ
るいはインジェクションモールドする際に、図１３
（Ｂ）に示すように各ブロック６２は１つの共通のモー
ルド金型に搭載部６５を納め、各ブロック毎に１つの絶
縁性樹脂３５で共通にモールドを行う。このために従来
のトランスファーモールド等の様に各搭載部を個別にモ
ールドする方法に比べて、大幅な樹脂量の削減が図れ
る。

【０１２３】導電箔６０表面に被覆された絶縁性樹脂３
５の厚さは、金属細線３４の最頂部から約１００μｍ程
度が被覆されるように調整されている。この厚みは、強
度を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能であ
る。

【０１２４】本工程の特徴は、絶縁性樹脂３５を被覆す
るまでは、導電箔パターン３９となる導電箔６０が支持
基板となることである。尚、本発明では、支持基板とな
る導電箔６０は、電極材料として必要な材料である。そ
のため、構成材料を極力省いて作業できるメリットを有
し、コストの低下も実現できる。

【０１２５】また分離溝６１は、導電箔の厚みよりも浅
く形成されているため、導電箔６０が導電箔パターン３
９として個々に分離されていない。従ってシート状の導
電箔６０として一体で取り扱え、絶縁性樹脂３５でモー
ルドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常
に楽になる特徴を有する。

【０１２６】第６の工程は、図１３（Ａ）に示す如く、
絶縁性樹脂３５が露出するまで、導電箔６０の裏面全域
をエッチングすることにある。

【０１２７】本工程は、導電箔６０の裏面を化学的およ
び／または物理的に除き、導電箔パターン３９として分
離するものである。この工程は、研磨、研削、エッチン
グ、レーザの金属蒸発等により施される。

【０１２８】実験では研磨装置または研削装置により全
面を３０μｍ程度削り、分離溝６１から絶縁性樹脂３５
を露出させている。この露出される面を図１３（Ａ）で
は点線で示している。その結果、約４０μｍの厚さの導
電箔パターン３９となって分離される。また、絶縁性樹
脂３５が露出する手前まで、導電箔６０を全面ウェトエ
ッチングし、その後、研磨または研削装置により全面を
削り、絶縁性樹脂３５を露出させても良い。更に、導電
箔６０を点線で示す位置まで全面ウェトエッチングし、
絶縁性樹脂３５を露出させても良い。

【０１２９】この結果、絶縁性樹脂３５に導電箔パター
ン３９の裏面が露出する構造となる。すなわち、分離溝
６１に充填された絶縁性樹脂３５の表面と導電箔パター
ン３９の表面は、実質的に一致している構造となってい
る。従って、本発明のカメラモジュール３０は図１６に
示した従来の裏面電極１０、１１のように段差が設けら
れないため、マウント時に半田等の表面張力でそのまま
水平に移動してセルフアラインできる特徴を有する。

【０１３０】第７の工程は、図１４に示す如く、空洞部
５９上部にホルダー５６を実装することにある。

【０１３１】ホルダー５６は、ＣＣＤ５５が収納される
空洞部５９の上方を覆うように絶縁性樹脂３５の上面に
実装される。ホルダー５６と絶縁性樹脂３５との接合は
接着剤を介して行われる。また、ホルダー５６の下面に
は、絶縁性樹脂３５の上面に設けられた凹部４９Ａに対
応した凸部４９Ｂが設けられている。従って、ホルダー
５６が有する凸部４９Ｂを、絶縁性樹脂３５に設けられ
た凹部４９Ａにはめこむことにより、ホルダー５６の位
置を正確に固定することができる。

【０１３２】第８の工程は、図１５に示す如く、絶縁性
樹脂３５で一括してモールドされた各搭載部６５の半導
体素子の特性の測定を行うことにある。

【０１３３】前工程で導電箔６０の裏面エッチングをし
た後に、導電箔６０から各ブロック６２が切り離され
る。このブロック６２は絶縁性樹脂３５で導電箔６０の
残余部と連結されているので、切断金型を用いず機械的
に導電箔６０の残余部から剥がすことで達成できる。

【０１３４】各ブロック６２の裏面には図１５に示すよ
うに導電箔パターン３９の裏面が露出されており、各搭
載部６５が導電箔パターン３９形成時と全く同一にマト
リックス状に配列されている。この導電箔パターン３９
の絶縁性樹脂３５から露出した外部接続電極３２にプロ
ーブ６８を当てて、カメラモジュール３０の特性パラメ
ータ等を個別に測定して良不良の判定を行い、不良品に
は磁気インク等でマーキングを行う。

【０１３５】本工程では、各搭載部６５のカメラモジュ
ール３０は絶縁性樹脂３５でブロック６２毎に一体で支
持されているので、個別にバラバラに分離されていな
い。従って、テスターの載置台に置かれたブロック６２
は搭載部６５のサイズ分だけ縦方向および横方向にピッ
チ送りをすることで、極めて早く大量にブロック６２の
各搭載部６５のカメラモジュール３０の測定を行える。
すなわち、従来必要であった半導体装置の表裏の判別、
電極の位置の認識等が不要にできるので、測定時間の大
幅な短縮を図れる。

【０１３６】第９の工程は、図１６に示す如く、絶縁性
樹脂３５を各搭載部６５毎にダイシングにより分離する
ことにある。

【０１３７】本工程では、ブロック６２をダイシング装
置の載置台に真空で吸着させ、ダイシングブレード６９
で各搭載部６５間のダイシングライン７０に沿って分離
溝６１の絶縁性樹脂３５をダイシングし、個別のカメラ
モジュール３０に分離する。

【０１３８】本工程で、ダイシングブレード６９はほぼ
絶縁性樹脂３５を切断する切削深さで行い、ダイシング
装置からブロック６２を取り出した後にローラでチョコ
レートブレークするとよい。ダイシング時は予め前述し
た第１の工程で設けた各ブロックの周辺の枠状のパター
ン６６の内側の相対向する位置合わせマーク６７を認識
して、これを基準としてダイシングを行う。周知ではあ
るが、ダイシングは縦方向にすべてのダイシングライン
７０をダイシングをした後、載置台を９０度回転させて
横方向のダイシングライン７０に従ってダイシングを行
う。

【０１３９】第１０の工程は、図１７に示す如く、ホル
ダー５６の上部にレンズバレル５７を実装することにあ
る。

【０１４０】本工程では、接着剤を用いてホルダー５６
の上部にレンズバレル５７を実装する。ここで、ホルダ
ー５６の上部にはレンズ５８が設けられている。また、
レンズ５８の中心軸と、レンズ５８の下方に位置するＣ
ＣＤ５５の撮像エリアの中心軸が一致するように、レン
ズバレル５７の位置は固定される。

【０１４１】本工程は、前工程でダイシングを行い、個
々のカメラモジュールに分割してから行われる。工程の
簡略化を考えた場合、ダイシングを行う前にレンズバレ
ル５７の実装は行う方が良い。つまり、ブロック毎に搭
載部６５が連結されている状態で実装作業を行う方が、
実装が簡単になる。ところが、レンズバレル５７は上部
にレンズ５８を有しているので、レンズバレル５７を実
装してからダイシングを行うと、レンズ５８が汚れた
り、レンズ５８に傷が付いたりする恐れがある。従っ
て、レンズバレル５７の実装はダイシングの後に行う。

【０１４２】上記した製造方法によるメリットの１つ
は、既存の技術および設備で本発明のカメラモジュール
３０が製造できることにある。つまり、既存の技術およ
び設備で、カメラモジュール３０内部に於いて、立体的
にＤＳＰ等を配置できることである。更に、実装基板無
しでカメラモジュール３０を構成することができる。こ
のことにより、比較的簡単な工程でカメラモジュール３
０の実装密度を向上させることができる。しかも、カメ
ラモジュールの薄型化・軽量化を実現できる。

【０１４３】

【発明の効果】本発明のカメラモジュールによれば、以
下に示すような効果を奏することができる。

【０１４４】第１に、カメラモジュールに設けられた空
洞部にＣＣＤを収納し、絶縁性樹脂の上面の空洞部を覆
うようにホルダーを実装し、ホルダー上部にレンズを有
するレンズバレルを実装することにより、実装基板を不
要にしてカメラモジュールを構成することができる。従
って、カメラモジュールを構成する部品数を低減するこ
とが可能となり、更に、カメラモジュールを薄型・軽量
化することができる。

【０１４５】第２に、導電箔パターンにフェイスアップ
で実装した半導体モジュールの裏面に、ＣＣＤおよび裏
面チップ部品を実装することにより、立体的に半導体素
子を実装することができる。半導体モジュールは、第１
の導電パターンと第２の導電パターンが層間絶縁膜で接
着された支持基板を有し、第１の導電パターンにＤＳＰ
が実装されたものである。従って、第２の導電パターン
上に複数の裏面チップ部品を実装することができる。こ
のことから、カメラモジュールの実装密度を向上させる
ことができ、更に、カメラモジュールを小型化・軽量化
することができる。

【０１４６】第３に、本発明のカメラモジュールは、半
導体モジュール等を被覆する絶縁性樹脂で全体が支持さ
れており、実装基板を使用しない薄型・軽量のものであ
る。このことにより、カメラモジュールを更に薄型・軽
量化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のカメラモジュールを説明する図であ
る。

【図２】本発明のカメラモジュールを構成する半導体モ
ジュールを説明する図である。

【図３】本発明のカメラモジュールを説明する図であ
る。

【図４】本発明のカメラモジュールを説明する図であ
る。

【図５】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明す
るフローチャートである。

【図６】本発明のカメラモジュールを構成する半導体モ
ジュールの製造方法を説明する図である。

【図７】本発明のカメラモジュールを構成する半導体モ
ジュールの製造方法を説明する図である。

【図８】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明す
る図である。

【図９】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明す
る図である。

【図１０】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１１】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１２】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１３】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１４】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１５】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１６】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１７】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１８】従来のカメラモジュールを説明する図であ
る。

【図１９】従来のカメラモジュールの製造方法を説明す
る図である。

【符号の説明】

３０カメラモジュール３１ＤＳＰ４０半導体モジュール３３チップ部品３６裏面チップ部品５５ＣＣＤ５６ホルダー５７レンズバレル５９空洞部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の導電パターンおよび第２の導電パ
ターンから形成される第１の支持基板を有し、前記第１
の導電パターンにフリップチップボンディングにより固
着された半導体素子を有する半導体モジュールと、前記第２の導電パターン上に実装された半導体撮像素子
および裏面チップ部品と、前記半導体モジュールおよび前記裏面チップ部品を被覆
し、前記半導体撮像素子周辺に空洞部を形成する絶縁性
樹脂と、前記空洞部上部に固着されるホルダーと、前記ホルダー上部に固着され、レンズを有するレンズバ
レルと、前記半導体モジュールが前記第２の導電パターンを上側
にして固着された第２の支持基板と、前記半導体モジュールの取り出し電極と、前記第２の支
持基板との電気的接続を行う金属細線と、前記第２の支持基板に形成された外部接続電極とを有す
ることを特徴とするカメラモジュール。
【請求項２】前記絶縁性樹脂は、前記ホルダーの位置
を固定するための凹部を有し、前記ホルダーは前記凸部
に対応する凸部を有することを特徴とする請求項１記載
のカメラモジュール。
【請求項３】前記半導体撮像素子の上面は、前記絶縁
性樹脂の上面よりも下方に位置することを特徴とする請
求項１記載のカメラモジュール。
【請求項４】前記空洞部の面方向の断面は、前記半導
体撮像素子の面方向の断面よりも大きいことを特徴とす
る請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項５】前記半導体撮像素子の撮像エリアの中心
軸と前記レンズの中心軸は、一致することを特徴とする
請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項６】前記半導体撮像素子は、ＣＣＤまたはＣ
ＭＯＳセンサーであることを特徴とする請求項１記載の
カメラモジュール。
【請求項７】前記半導体素子は、ＤＳＰまたはドライ
バー用ＩＣであることを特徴とする請求項１記載のカメ
ラモジュール。
【請求項８】前記裏面チップ部品は、コンデンサ、抵
抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩであること
を特徴とする請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項９】前記第２の支持基板には、前記半導体モ
ジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイ
オードまたはＬＳＩが実装されることを特徴とする請求
項１記載のカメラモジュール。
【請求項１０】前記取り出し電極は、前記半導体モジ
ュールの周辺部に設けられることを特徴とする請求項１
記載のカメラモジュール。
【請求項１１】前記第１の支持基板は、絶縁フィルム
の両面に前記第１の導電パターンおよび前記第２の導電
パターンを有することを特徴とする請求項１記載のカメ
ラモジュール。
【請求項１２】前記絶縁フィルムは、フレキシブルシ
ートであることを特徴とする請求項１１記載のカメラモ
ジュール。
【請求項１３】前記第１の支持基板は、前記絶縁性樹
脂に埋め込まれた前記第１の導電パターンおよび層間絶
縁膜を介して設けられた前記第２の導電パターンを有す
ることを特徴とする請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項１４】前記第２の支持基板は、前記絶縁性樹
脂に埋め込まれた第３の導電パターンおよび層間絶縁膜
を介して設けられた第４の導電パターンを有することを
特徴とする請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項１５】前記金属細線は、前記取り出し電極と
前記第３の導電パターンとの電気的接続を行うことを特
徴とする請求項１４記載のカメラモジュール。
【請求項１６】前記第２の支持基板は、前記絶縁性樹
脂に埋め込まれた導電箔パターンであることを特徴とす
る請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項１７】前記金属細線は、前記取り出し電極と
前記導電箔導電パターンとの電気的接続を行うことを特
徴とする請求項１６記載のカメラモジュール。
【請求項１８】前記半導体モジュールは、前記第１の
導電パターンおよび前記第２の導電パターンから形成さ
れる前記第１の支持基板と、前記第１の導電パターンに
フリップチップボンディングにより固着された前記半導
体素子および内部チップ部品と、前記半導体素子および
前記内部チップ部品を被覆し且つ全体を支持する絶縁樹
脂層とを有することを特徴とする請求項１記載のカメラ
モジュール。