JP2003110892A

JP2003110892A - カメラモジュール

Info

Publication number: JP2003110892A
Application number: JP2001294668A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Kobayashi; 健一小林
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2001-09-26
Filing date: 2001-09-26
Publication date: 2003-04-11

Abstract

(57)【要約】【課題】回路モジュールを実装基板無しで構成し、そ
の内部に半導体素子を立体的に実装する。【解決手段】ＣＣＤ５５および半導体モジュール４０
等の内蔵部品を透明樹脂３５で封止する。ＣＣＤ５５の
上方に対応する部分に空洞部５９を有するホルダー５６
で、透明樹脂３５を全体的に覆うように実装する。ホル
ダー５６の上面の空洞部５６を覆うように、レンズ５８
を有するレンズバレル５７を実装する。このようにカメ
ラモジュール３０を構成することにより、レンズ５８に
依って集光された光は、空洞部５９を通過してＣＣＤ５
５に到達することができる。従って、必要最小限の要素
でカメラモジュール３０を構成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はカメラモジュールに
関し、特に実装基板を不要にし且つその内部に於いて半
導体素子を立体的に実装することにより薄型・軽量化し
たカメラモジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、カメラモジュールは、携帯電話、
携帯用のコンピューター等に積極的に採用されるように
なった。従ってカメラモジュールは、小型化、薄型化、
軽量化が求められている。

【０００３】本発明では、１例として、半導体撮像素子
としてＣＣＤを用いたカメラモジュールを用いて説明を
行う。尚、ＣＣＤ以外の半導体撮像素子（例えばＣＭＯ
Ｓセンサー等）を用いても同様である。

【０００４】図１８を参照して、従来のカメラモジュー
ルの構造を説明する。先ず、実装基板１にＣＣＤ２が実
装されている。そして、ＣＣＤ２の上方に、外部からの
光を集めるレンズ５がレンズバレル６に固定されてい
る。また、レンズバレル６はレンズホルダー７によって
ホールドされており、レンズホルダー７はレンズ止めビ
ス８によって実装基板１に実装されている。

【０００５】ここで、ＣＣＤは、（ＣｈａｒｇｅＣｏ
ｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）の略で、レンズ５によって
集められた光の強さに応じた電荷を出力する働きを有す
る。また、レンズバレル６は側面がねじ状になっており
（図示せず）、回転することによってレンズ５の焦点を
合わせる働きを有する。

【０００６】更に、実装基板１の表面および裏面に、チ
ップ部品３と裏面チップ部品４が実装されている。これ
らチップ部品としては、ＤＳＰ、ドライブ用ＩＣ、コン
デンサ、抵抗、ダイオードが挙げられる。ＤＳＰは（Ｄ
ｉｇｉｔａｌＳｉｇｎａｌＰｒｏｃｅｓｓｏｒ）の略
で、ＣＣＤから送られたデジタル信号を高速に処理する
働きを有する。また、ドライブ用ＩＣは、ＣＣＤを駆動
させるためにＤＳＰからの駆動信号を昇圧して、ＣＣＤ
内に蓄積された電荷を転送させる働きを有する。

【０００７】次に、図１９を参照して、このカメラモジ
ュールの組立方法を説明する。

【０００８】先ず、図１９（Ａ）を参照して、実装基板
１を用意し、その表面にＣＣＤ２とチップ部品３を実装
する。

【０００９】次に、図１９（Ｂ）を参照して、実装基板
１の裏面に裏面チップ部品４を実装する。

【００１０】最後に、図１９（Ｃ）を参照して、レンズ
５が固定されたレンズバレル６をレンズホルダー７に固
定し、レンズ止めビス８を用いて、レンズホルダー７を
実装基板１に固定する。なお、レンズ止めビス８でレン
ズホルダー７を固定するためには、対応する箇所にスル
ーホールが必要である。

【００１１】以上の方法により、実装基板１を用いた従
来型のカメラモジュールが完成する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】図１８に於いて、チッ
プ部品３、裏面チップ部品４、レンズ、レンズバレル
６、レンズホルダー７、ＣＣＤ２は必要な構成要素であ
るが、これだけの構成要素で小型化、薄型化、軽量化を
実現するカメラモジュールを提供するのは難しかった。

【００１３】また、実装基板１は本来不要なものであ
る。しかし製造方法上、電極を貼り合わせるために、ま
たレンズホルダー７を固定するために実装基板を利用し
ている。従って、この実装基板１を無くすことができな
かった。

【００１４】そのため、この実装基板１を採用すること
によって、コストが上昇し、更には実装基板１が厚いた
めに、カメラモジュールとして厚くなり、小型化、薄型
化、軽量化に限界があった。

【００１５】更に、実装基板にはチップ部品３および裏
面チップ部品４が別々に実装されている。従って、実装
面積が大きく成ってしまう問題があった。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明のカメラモジュー
ルは前述した課題に鑑みて成され、第１に、第１の導電
パターンおよび第２の導電パターンから形成される第１
の支持基板を有し、前記第１の導電パターンにフリップ
チップボンディングにより固着された半導体素子を有す
る半導体モジュールと、前記第２の導電パターン上に実
装された半導体撮像素子および裏面チップ部品と、前記
半導体モジュール、前記半導体撮像素子および前記裏面
チップ部品を被覆する透明樹脂と、前記透明樹脂を全体
的に覆い、前記半導体撮像素子の上方に対応する部分に
空洞部を有するホルダーと、前記ホルダー上面に前記空
洞部を覆うように固着され、上部にレンズを有するレン
ズバレルと、前記半導体モジュールが前記第２の導電パ
ターンを上側にして固着された第２の支持基板と、前記
半導体モジュールの取り出し電極と、前記第２の支持基
板との電気的接続を行う金属細線と、前記第２の支持基
板に形成された外部接続電極とを有することで解決する
ものである。

【００１７】半導体撮像素子は、半導体モジュールの裏
面を実装基板としているため、実装基板無しでカメラモ
ジュールを構成することができる。また、透明樹脂を用
いて半導体撮像素子等を封止することにより、半導体撮
像素子を保護できると同時に、レンズによって集光され
た光が透明樹脂を通過して半導体撮像素子に到達するこ
とができる。

【００１８】第２に、前記透明樹脂は、前記ホルダーの
位置を固定するための凹部を有し、前記ホルダーは前記
凹部に対応する凸部を有することで解決するものであ
る。

【００１９】第３に、前記透明樹脂は、可視光線に対し
て透明な材料で構成されていることで解決するものであ
る。

【００２０】第４に、前記ホルダーは遮光性の材料で構
成されることで解決するものである。

【００２１】第５に、前記空洞部の面方向の断面は、前
記半導体撮像素子の面方向の断面よりも大きいことで解
決するものである。

【００２２】第６に、前記半導体撮像素子の撮像エリア
の中心軸と前記レンズの中心軸は、一致することで解決
するものである。

【００２３】第７に、前記半導体撮像素子は、ＣＣＤま
たはＣＭＯＳセンサーであることで解決するものであ
る。

【００２４】第８に、前記半導体素子は、ＤＳＰまたは
ドライバー用ＩＣであることで解決するものである。

【００２５】第９に、前記裏面チップ部品は、コンデン
サ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩであ
ることで解決するものである。

【００２６】第１０に、前記第２の支持基板には、前記
半導体モジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジス
タ、ダイオードまたはＬＳＩが実装されることで解決す
るものである。

【００２７】第１１に、前記取り出し電極は、前記半導
体モジュールの周辺部に設けられることで解決するもの
である。

【００２８】第１２に、前記第１の支持基板は、絶縁フ
ィルムの両面に前記第１の導電パターンおよび前記第２
の導電パターンを有することで解決するものである。

【００２９】第１３に、前記絶縁フィルムは、フレキシ
ブルシートであることで解決するものである。

【００３０】第１４に、前記第１の支持基板は、前記絶
縁性樹脂に埋め込まれた前記第１の導電パターンおよび
層間絶縁膜を介して設けられた前記第２の導電パターン
を有することで解決するものである。

【００３１】層間絶縁膜を介して第１の導電パターンお
よび第２の導電パターンを構成することにより、多層配
線が可能となる。従って、第２の導電パターン上に載置
する裏面チップ部品として、入力・出力端子の多いＬＳ
Ｉ等を採用することができる。

【００３２】第１５に、前記第２の支持基板は、前記絶
縁性樹脂に埋め込まれた第３の導電パターンおよび層間
絶縁膜を介して設けられた第４の導電パターンを有する
ことで解決するものである。

【００３３】第１６に、前記金属細線は、前記取り出し
電極と前記第３の導電パターンとの電気的接続を行うこ
とで解決するものである。

【００３４】第１７に、前記第２の支持基板は、前記絶
縁性樹脂に埋め込まれた導電箔パターンであることで解
決するものである。

【００３５】第１８に、前記金属細線は、前記取り出し
電極と前記導電箔導電パターンとの電気的接続を行うこ
とで解決するものである。

【００３６】第１９に、前記半導体モジュールは、前記
第１の導電パターンおよび前記第２の導電パターンから
形成される前記第１の支持基板と、前記第１の導電パタ
ーンにフリップチップボンディングにより固着された前
記半導体素子および内部チップ部品と、前記半導体素子
および前記内部チップ部品を被覆し且つ全体を支持する
絶縁樹脂層とを有することで解決するものである。

【００３７】カメラモジュールに内蔵される半導体モジ
ュールに、複数の半導体素子を内蔵させることにより、
半導体モジュールの裏面面積を大きくすることができ
る。従って、より多くの裏面チップ部品を半導体モジュ
ールの裏面に実装することが可能となり、カメラモジュ
ールの実装密度を更に向上させることができる。

【００３８】

【発明の実施の形態】カメラモジュールの構造を説明す
る第１の実施の形態先ず、本発明のカメラモジュール３０について、図１を
参照しながら説明する。図１（Ａ）はカメラモジュール
３０の断面図であり、図１（Ｂ）はその上面図である。
本実施の形態では、第２の支持基板として、透明樹脂３
５に導電箔パターン３９が埋め込まれた、単層配線の導
電箔パターン３９を採用したカメラモジュール３０を説
明する。

【００３９】図１（Ａ）を参照して、本発明に係るカメ
ラモジュール３０は、導電箔パターン３９と、導電箔パ
ターン３９上に実装されたチップ部品３３および半導体
モジュール４０と、半導体モジュール４０の取り出し電
極４２と導電箔パターン３９との電気的接続を行う金属
細線３４と、半導体モジュール４０が有する第２の導電
パターン上に実装されたＣＣＤ５５および裏面チップ部
品３６と、ＣＣＤ５５を含む上記要素を被覆し且つ全体
を支持する透明樹脂３５と、透明樹脂３５を全体的に被
覆し且つＣＣＤ５５の上方に対応する部分に空洞部５９
を有するホルダー５６と、ホルダー５６上面の空洞部５
９を覆うように実装され且つ上部にレンズ５８を有する
レンズバレル５７とから構成されている。

【００４０】上記したカメラモジュール３０を構成する
各要素の説明を行う。

【００４１】半導体モジュール４０は、第１の導電パタ
ーン４１にＤＳＰ３１をフリップチップで実装して構成
されている。そして、この半導体モジュール４０は導電
箔パターン３９に、絶縁性接着剤を用いてフェイスアッ
プで実装されている。半導体モジュール４０の取り出し
電極４２と導電箔パターン３９との電気的接続は金属細
線４０で行われている。また、半導体モジュール４０に
は第２の導電パターン３７にＣＣＤ５５および裏面チッ
プ部品３６が実装され、実装基板の働きも有する。半導
体モジュール４０の詳細な構成および製造方法は後述す
る。ここでは半導体モジュール４０はＤＳＰ３１を内蔵
しているが、ドライバー用ＩＣ等を内蔵しても良い。

【００４２】導電箔パターン３９としては、Ｃｕを主材
料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔、またはＦ
ｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等を用いることができ
る。もちろん、他の導電材料でも可能であり、特にエッ
チングできる導電材、レーザで蒸発する導電材が好まし
い。

【００４３】チップ部品３３としては、コンデンサ、抵
抗、トランジスタ、ダイオードまたはＩＳＩがフェイス
ダウンで導電箔パターン３９に実装される。

【００４４】ＣＣＤ５５は半導体撮像素子であり、半導
体モジュール４０の裏面に設けられる。このＣＣＤ５５
は、レンズ５８によって集められた光を電気信号に変換
する働きを有し、入ってきた光の光量に応じた電荷を出
力する。また、撮像素子としてＣＣＤではなく、ＣＭＯ
Ｓセンサーを用いる場合もある。本発明に於いてはＣＣ
Ｄ５５を用いた場合のみについて説明を行うが、半導体
撮像素子としてＣＭＯＳセンサーを用いても同様の効果
が得られる。

【００４５】裏面チップ部品３６としては、チップ部品
３９と同じく、コンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイ
オードまたはＩＳＩが採用される。そして、裏面チップ
部品３６は、フェイスダウンで半導体モジュール４０の
第２の導電パターン３７上に実装される。

【００４６】ここで、ＣＣＤ５５、チップ部品３３およ
び裏面チップ部品３６の接続は、金属接続板、ロウ材か
ら成る導電ボール、半田等のロウ材、Ａｇペースト等の
導電ペーストを用いて行う。

【００４７】このように、ＣＣＤ５５および裏面チップ
部品３６を半導体モジュール４０の裏面に実装すること
により、カメラモジュール３０の実装密度を向上させる
ことが可能となる。従って、カメラモジュール３０を小
型化・薄型化することができる。

【００４８】透明樹脂３５としては、エポキシ樹脂等の
熱硬化性樹脂を用いることができる。また本発明に於い
て、透明樹脂３５は半導体素子等を封止すると同時に、
カメラモジュール全体を支持する働きも有する。更に、
透明樹脂３５の上面には、ホルダー５６の実装位置を固
定するための凹部４９Ａが設けられる。

【００４９】ホルダー５６は、透明樹脂３５を全体的に
被覆し、上部にレンズバレル５７が実装される。ホルダ
ー５６と透明樹脂３５との接合は接着剤を介して行われ
る。また、ホルダー５６の下面には、透明樹脂３５の上
面に設けられた凹部４９Ａに対応した凸部４９Ｂが設け
られている。従って、ホルダー５６が有する凸部４９Ｂ
を、透明樹脂３５に設けられた凹部４９Ａにはめこむこ
とにより、ホルダー５６の位置を正確に固定することが
できる。またホルダー５６は、ＣＣＤ５５の上方に対応
する部分に空洞部５９を有している。ここで、ホルダー
５６の材料としては遮光性の樹脂等が用いられる。

【００５０】空洞部５９は、ホルダー５６において、Ｃ
ＣＤ５５の上方に対応する部分に設けられている。従っ
てホルダー５６を透明樹脂３５に実装すると、空洞部５
９の底部には、透明樹脂３５が露出する。空洞部５９
は、ＣＣＤ５５に集光される光が通過するので、そのサ
イズはＣＣＤ５５よりも充分大きい。つまり、空洞部５
９の横方向の断面はＣＣＤ５５よりも大きい。

【００５１】レンズバレル５７は、上部にレンズ５８を
有し、ホルダー５６の上部に接着剤を介して実装され
る。また、レンズバレル５７は、レンズ５８を上下に動
かして焦点を合わせるために、その内部にねじ構造を有
する。ここで、レンズ５８の中心軸と、レンズ５８の下
方に載置されたＣＣＤ５５の撮像エリアの中心軸は実質
的に一致している。従って、レンズ５８により屈折した
光は、正確にＣＣＤ５５の撮像エリアに集中する。

【００５２】図１（Ｂ）を参照して、取り出し電極４２
は半導体モジュール４０の周辺部に設けられる。取り出
し電極４２を介して、半導体モジュール４０と導電箔パ
ターン３９は、金属細線３４で電気的に接続される。こ
の図では取り出し電極４２は２０個程度だが、実際には
多数設けられる。

【００５３】次に、図２を参照して、導電箔パターン３
９に実装される半導体モジュール４０の構造について説
明する。図２（Ａ）は半導体モジュール４０の断面図で
あり、図２（Ｂ）はその上面図であり、図２（Ｃ）は裏
面図である。

【００５４】図２（Ａ）を参照して、半導体モジュール
４０は、絶縁樹脂に埋め込まれた第１の導電パターン４
１と、層間絶縁膜３８を介して設けた第２の導電パター
ン３７と、第１の導電パターンに固着されたＤＳＰ３１
と、第２の導電パターンに固着されたＣＣＤ５５および
裏面チップ部品３６と、第２の導電パターンで形成され
る取り出し電極４２とから構成される。

【００５５】次に、半導体モジュール４０を構成する各
要素の説明を行う。

【００５６】層間絶縁膜３８は、ポリイミド樹脂、エポ
キシ樹脂等が望ましい。ペースト状のものを塗ってシー
トとするキャスティング法の場合、その膜厚は１０μｍ
〜１００μｍ程度である。また、シートとして形成する
場合、市販のものは２５μｍが最小の膜厚である。ま
た、熱伝導性が考慮されて中にフィラーが混入されても
良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓｉ、酸化アルミニ
ウム、窒化ＡＤＳＰカーバイト、窒化ボロン等が使用さ
れる。第１の導電パターン４１および第２の導電パター
ン３７はこの層間絶縁膜３８を介して接合され、支持基
板の働きを有する。従って、従来の半導体装置で使用さ
れた実装基板を不要としていることから、半導体モジュ
ール４０は薄型・軽量となっている。

【００５７】ＤＳＰ３１は、第２の導電パターン３７か
ら形成される接続電極４３にフリップチップ実装され
る。裏面チップ部品３６を実装する支持基板４６の大き
さは、このＤＳＰ３１の大きさにより決定される。ここ
で、ＤＳＰ３１は、カメラモジュール３０に実装される
回路素子の中で、比較的大型のものである。このことに
より、より多数のチップ部品を支持基板４６に実装する
ことが可能となり、カメラモジュール３０の実装密度を
向上させることができる。ＤＳＰ３１の機能的な説明
は、従来の技術の欄で説明したので割愛する。また、Ｄ
ＳＰ３１の代わりにドライバー用ＩＣ等が、接続電極４
３にフリップチップ実装されても良い。

【００５８】図２（Ｂ）を参照して、第２の導電パター
ン３７は、ＣＣＤ５５および裏面チップが実装されるパ
ッド４５および取り出し電極４２を形成する。更に、パ
ッド４５と取り出し電極４２を電気的に接続するパター
ンも形成される。また、反対の面に設けられた接続電極
４３と、取り出し電極４２を電気的に接続するパターン
も設けられる。このパターンは、スルーホール４４を介
して、電気的接続を行っている。このことにより、より
複雑な導電パターンを作成することができる。

【００５９】図２（Ｃ）を参照して、第１の導電パター
ンは、主に、ＤＳＰ３１をフリップチップ実装するため
の接続電極４３を形成する。また、裏面チップ部品３６
と取り出し電極４２の電気的接続を行うパターンも形成
する。なお、第１の導電パターンおよび第２の導電パタ
ーンの材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌ
を主材料とした導電箔、またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から
成る導電箔等が使用される。また、第１の導電パターン
４１がＤＳＰ３１とショートするのを防止するために、
第１の導電パターン４１は絶縁性樹脂で部分的に覆われ
る。

【００６０】以上の半導体モジュール４０の説明では、
層間絶縁膜３８を介して第１の導電パターン４１および
第２の導電パターン３７が設けられて多層配線を実現し
ていた。ここで、層間絶縁膜３８の代替にフレキシブル
シート等の絶縁フィルムを使用しても良い。つまりフレ
キシブルシートの両面に、第１の導電パターン４１およ
び第２の導電パターン３７を設ける。このことにより、
多層配線を実現することができる。

【００６１】本発明にかかるカメラモジュール３０は、
図１に示す如く、ＣＣＤ５５および半導体モジュール４
０等の内蔵部品を透明樹脂３５で被覆することに特徴を
有する。

【００６２】この特徴を具体的に説明する。透明樹脂３
５は、ＣＣＤ５５および半導体モジュール４０等の内蔵
部品の全てを被覆している。透明樹脂３５は、可視光線
が通過できるような透明な材料で構成されているので、
光を通過させることができる。従って、ＣＣＤ５５は絶
縁性樹脂で封止されているが、外部からの光を受光する
ことができる。

【００６３】またホルダー５６は、ＣＣＤ５５上方に対
応する空洞部５９を除いて、透明樹脂３５を全面的に覆
っている。ホルダー５６は遮光性の材料から構成されて
いるので、空洞部５９以外の部分から光は透明樹脂３５
内部に進入しない。また空洞部上部にはレンズバレル５
７が実装され、レンズバレル５７は上部にレンズ５８を
有する。従って、レンズ５８に依って集光された光は、
空洞部５９と透明樹脂３５を通過してＣＣＤ５５に到達
することができる。

【００６４】更にＤＳＰ３１は、上面が半導体モジュー
ル４０の支持基板に接着され、下面が導電箔パターン３
９に接着されている。従ってＤＳＰ３１には光が入光し
ない。光がＤＳＰ等のＬＳＩに入光してしまった場合、
電子が励起されてしまいＬＳＩが誤作動してしまうこと
がある。しかし本発明のカメラモジュール３０では、Ｄ
ＳＰ３１には光が入光しないので、誤作動を防止するこ
とができる。

【００６５】従来に於いては、ビス等を用いてホルダー
５６等のカメラモジュールの構成要素を基板に実装して
いた。それに対して本発明では、ＣＣＤ５５等の内蔵部
品を透明樹脂３５で封止し、透明樹脂３５を全体的に覆
うようにホルダー５６を実装している。つまり、透明樹
脂３５の上面が従来の実装基板の如き働きを有してい
る。

【００６６】また、透明樹脂３５の上面には凹部４９Ａ
が設けられており、ホルダー５６は凹部４９Ａに対応す
る箇所に凸部４９Ｂが設けられている。従って、凹部４
９Ａと凸部４９Ｂを嵌合させるだけで、ホルダー５６を
所定の位置に実装することができる。

【００６７】このことにより、本発明のカメラモジュー
ル３０は実装基板を不要にして構成されている。つま
り、本来必要な構成要素だけで構成されている。従って
カメラモジュール３０は薄型・軽量となっている。

【００６８】本発明にかかるカメラモジュール３０は、
図１に示す如く、立体的に半導体素子を内蔵することに
も特徴を有する。

【００６９】この特徴を具体的に説明する。半導体モジ
ュール４０は、ＤＳＰ３１を内蔵し、更に、その裏面に
は第２の導電パターン３７を有する。従って、第２の導
電パターン３７で形成されるパッドに、ＣＣＤ５５およ
びチップ部品３６を実装することができる。つまり、導
電箔パターン３９に実装される半導体モジュール４０
に、更に、ＣＣＤ５５および裏面チップ部品３６を実装
することができる。このことから、従来に於いては実装
基板上に平面的に半導体素子等を実装したが、本発明の
カメラモジュール３０は半導体素子を立体的に内蔵して
いる。

【００７０】また、半導体モジュール４０の支持基板は
第１の導電パターン４１と第２の導電パターン３７を有
するので、多層配線が可能となり、複雑な導電パターン
を形成することができる。このことにより、ＣＣＤ５５
等の入力・出力端子の多い半導体素子を採用することが
可能となる。

【００７１】更に、本発明のカメラモジュール３０は、
透明樹脂３５で全体が支持されているので、必要最小限
の構成要素で形成されている。

【００７２】以上のことから、本発明のカメラモジュー
ル３０は薄型・軽量となっている。

【００７３】尚、本発明に斯かるカメラモジュール２８
の大きさは、縦×横×高さが９ｍｍ×９ｍｍ×５ｍｍで
ある。それに対して従来のカメラモジュールの大きさ
は、縦×横×高さが１９ｍｍ×１３ｍｍ×７ｍｍであ
る。従って本発明に斯かるカメラモジュール２８は、従
来のものと比較して容積比で１／４以下となり、非常に
小型のものとなっている。

【００７４】更にカメラモジュール３０は、図１に示す
如く、ＤＳＰ３１を導電箔パターン３９の上部に配置す
ることにも特徴を有する。

【００７５】図１（Ａ）を参照して、ＤＳＰ３１が実装
された半導体モジュール４０はフェイスアップで導電箔
パターン３９に実装されている。つまり、ＤＳＰ３１が
導電箔パターン３９に直接固着される形となるので、Ｄ
ＳＰ３１から発生した熱は導電箔パターン３９を介して
容易に外部に放出される。このことから、本発明に斯か
るカメラモジュール３０は熱の放散性が非常に優れてい
ると言える。

【００７６】ここで、ＤＳＰ３１は導電箔パターン３９
を介して外部に熱を放出できるのに対し、裏面チップ部
品３６は透明樹脂３５に封止されているので熱の放出が
容易ではない。従って、発熱量が小さい小信号系の半導
体素子を裏面チップ部品３６として採用し、発熱量が大
きいＤＳＰ３１をこのように配置することにより、カメ
ラモジュール３０の放熱性を更に向上させることができ
る。カメラモジュールの構造を説明する第２の実施の形
態本発明のカメラモジュール３０について、図３を参照
しながら説明する。図３（Ａ）はカメラモジュール３０
の断面図であり、図３（Ｂ）はその上面図である。ここ
で、図３に於いて、図１と同一の符号を付した部分は同
一物を表している。

【００７７】本実施の形態では、第２の支持基板とし
て、層間絶縁膜５３を介して設けられた第３の導電パタ
ーン５１および第４の導電パターン５２を採用したカメ
ラモジュール３０を説明する。

【００７８】図３（Ａ）を参照して、本発明に係るカメ
ラモジュール３０は、層間絶縁膜５３を介して設けられ
た第３の導電パターン５１および第４の導電パターン５
２と、導電箔パターン３９上に実装されたチップ部品３
３および半導体モジュール４０と、半導体モジュール４
０の取り出し電極４２と導電箔パターン３９との電気的
接続を行う金属細線３４と、半導体モジュール４０が有
する第２の導電パターン上に実装されたＣＣＤ５５およ
び裏面チップ部品３６と、ＣＣＤ５５を含む上記要素を
被覆し且つ全体を支持する透明樹脂３５と、透明樹脂３
５を全体的に被覆し且つＣＣＤ５５の上方に対応する部
分に空洞部５９を有するホルダー５６と、ホルダー５６
上面の空洞部５９を覆うように実装され且つ上部にレン
ズ５８を有するレンズバレル５７とから構成されてい
る。

【００７９】このように、カメラモジュール３０の構成
要素は、第１の実施の形態で説明したカメラモジュール
３０と基本的に同一である。本実施の形態に係るカメラ
モジュール３０のポイントは、層間絶縁膜５３を介して
設けられた第３の導電パターン５１および第４の導電パ
ターン５２にある。従って、本実施の形態に於いては、
このポイントのみについて説明を行い、それ以外の要素
の説明は割愛する。

【００８０】層間絶縁膜５３は、ポリイミド樹脂、エポ
キシ樹脂等が望ましい。ペースト状のものを塗ってシー
トとするキャスティング法の場合、その膜厚は１０μｍ
〜１００μｍ程度である。また、シートとして形成する
場合、市販のものは２５μｍが最小の膜厚である。ま
た、熱伝導性が考慮されて中にフィラーが混入されても
良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓｉ、酸化アルミニ
ウム、窒化ＡＤＳＰカーバイト、窒化ボロン等が使用さ
れる。

【００８１】第３の導電パターン５１は、シート状の導
電膜をエッチングして形成される。第１の導電膜は厚さ
が５〜３５μｍ程度に形成され、エッチングによりボン
ディングパッドや配線が形成される。ボンディングパッ
ドの数は、半導体モジュール４０の取り出し電極４２の
数が多いほど、ファインパターン化が要求される。ま
た、第３の導電パターンの、金属細線３４またはチップ
部品３３の電極と接続する部分は、ボンディングが行え
るように金あるいは銀メッキが表面に施されている。

【００８２】第４の導電パターン５２は、第３の導電パ
ターン５１と同様に、シート状の導電膜をエッチングし
て形成される。第４の導電パターン５２の厚さは７０μ
ｍから２００μｍ程度であり、ファインパターンには適
さないが、外部接続電極３２を形成するのが主であり、
必要に応じて多層配線を形成する。

【００８３】半導体モジュール４０は、第３の導電パタ
ーン５１を被覆する絶縁性樹脂５４上に接着剤で固着さ
れ、半導体モジュール４０と第３の導電パターン５１は
電気的に絶縁されている。この結果、半導体モジュール
４０の下方にはファインパターンの第３の導電パターン
５１が自由に配線でき、配線の自由度が大幅に増大す
る。

【００８４】図３に示すカメラモジュール３０は、２層
の多層配線を有するが、必要に応じて３層以上の導電パ
ターンを設けることも可能となる。導電パターンの層数
を増やすことにより、より複雑な導電パターンを形成す
ることが可能となり、カメラモジュールの実装密度を向
上させることができる。カメラモジュールの構造を説明する第３の実施の形態本発明のカメラモジュール３０について、図４を参照し
ながら説明する。図４（Ａ）はカメラモジュール３０の
断面図であり、図４（Ｂ）はその上面図である。ここ
で、図４に於いて、図１と同一の符号を付した部分は同
一物を表している。

【００８５】図４（Ａ）を参照して、本発明に係るカメ
ラモジュール３０は、導電箔パターン３９と、導電箔パ
ターン３９上に実装されたチップ部品３３および半導体
モジュール４０と、半導体モジュール４０の取り出し電
極４２と導電箔パターン３９との電気的接続を行う金属
細線３４と、半導体モジュール４０が有する第２の導電
パターン上に実装されたＣＣＤ５５および裏面チップ部
品３６と、ＣＣＤ５５を含む上記要素を被覆し且つ全体
を支持する透明樹脂３５と、透明樹脂３５を全体的に被
覆し且つＣＣＤ５５の上方に対応する部分に空洞部５９
を有するホルダー５６と、ホルダー５６上面の空洞部５
９を覆うように実装され且つ上部にレンズ５８を有する
レンズバレル５７とから構成されている。

【００８６】このように、カメラモジュール３０の構成
要素は、第１の実施の形態で説明したカメラモジュール
３０と基本的に同一である。本実施の形態に係るカメラ
モジュール３０のポイントは、導電箔パターン３９に実
装される半導体モジュール４０の構造にある。従って、
本実施の形態に於いては、このポイントのみについて説
明を行い、それ以外の要素の説明は割愛する。

【００８７】図４（Ａ）を参照して、半導体モジュール
４０は、絶縁樹脂層に埋め込まれた第１の導電パターン
４１と、層間絶縁膜３８を介して設けた第２の導電パタ
ーン３７と、第１の導電パターンに固着されたＤＳＰ３
１および内部チップ部品４８と、第２の導電パターンに
固着されたＣＣＤ５５および裏面チップ部品３６と、第
２の導電パターンで形成される取り出し電極４２と、Ｄ
ＳＰ３１および内部チップ部品４８を被覆する絶縁樹脂
層とから構成される。

【００８８】このように、複数の半導体素子が絶縁樹脂
層で被覆された半導体モジュール４０を採用することに
より、半導体モジュール４０の裏面の面積は大きくな
る。従って、より多数の裏面チップ部品３６を実装する
ことが可能となり、カメラモジュール３０の実装密度を
更に向上させることができる。

【００８９】なお本実施の形態に於いても、図３に示す
ように、第３の導電パターンおよび第４の導電パターン
を設けることができる。つまり、カメラモジュール３０
の第２の支持基板を多層配線の構造にすることができ
る。このことによりカメラモジュール３０の実装密度を
さらに向上させることができる。カメラモジュールの製造方法を説明する第４の実施の形
態次に、図５〜図１７を参照して、カメラモジュール３０
の製造方法を説明する。ここでは、実装部品である半導
体モジュール４０を製造し、さらにカメラモジュール３
０を製造するまでの工程を説明する。

【００９０】本実施例では、図１に示すカメラモジュー
ル３０の製造方法を説明する。つまり本実施の形態に係
るカメラモジュール３０は、第２の支持基板として単層
の導電箔パターン３９を採用している。図３および図４
に示すカメラモジュールの製造方法も、半導体モジュー
ル４０を製造する工程および導電箔パターン３９を製造
する工程以外のは、図１のカメラモジュール３０と同一
である。

【００９１】図５に、カメラモジュールを製造するフロ
ーを示す。このフローに示す如く、半導体モジュールの
フローでカメラモジュールに内蔵される半導体モジュー
ルが製造される。Ｃｕ箔、Ａｇメッキ、ハーフエッチン
グの３つのフローで導電箔パターンの形成が行われる。
ダイボンドのフローでは各搭載部への半導体モジュール
およびチップ部品の固着が行われる。それと同時に、半
導体モジュールの裏面にＣＣＤおよび裏面チップ部品が
実装される。ワイヤーボンディングのフローでは半導体
モジュールと導電箔パターンとの電気的接続が行われ
る。トランスファーモールドのフローでは絶縁性樹脂に
よる共通モールドが行われる。裏面Ｃｕ箔除去のフロー
では絶縁性樹脂が露出するまで導電箔の裏面全域のエッ
チングが行われる。測定のフローでは各搭載部に組み込
まれた半導体素子の良品判別や特性ランク分けが行われ
る。ダイシングのフローでは絶縁性樹脂をダイシングす
ることで個別のカメラモジュールへの分離が行われる。
ホルダー実装およびレンズバレル実装のフローでは、個
別のカメラモジュールのホルダー上部にホルダーおよび
レンズバレルが実装される。

【００９２】以下に、本発明のカメラモジュールを製造
する各工程を図６〜図１７を参照して説明する。

【００９３】第１の工程は、図６から図７に示すよう
に、カメラモジュール３０に内蔵される半導体モジュー
ル４０を製造することにある。

【００９４】本工程では、まず図６（Ａ）を参照して、
層間絶縁膜３８を介して接着された第１の導電パターン
４１および第２の導電パターン３７を有する支持基板４
６を用意する。なお、第１の導電パターン４１は上方に
ＤＳＰが実装されるので、樹脂層でオーバーコートされ
ている。そして、第１の導電パターン４１から形成され
る外部接続電極４３には、ＤＳＰ３１との電気的接続の
ために、表面にメッキが施されている。

【００９５】次に、図６（Ｂ）を参照して、支持基板４
６上にＤＳＰ３１を絶縁性接着剤を介して実装する。こ
こで、ＤＳＰ３１と支持基板４６との電気的接続は、Ｄ
ＳＰ３１の電極と支持基板の接続電極３１との接合で行
われる。

【００９６】次に、図７（Ａ）を参照して、ＤＳＰ３１
が実装された支持基板４６を、ダイシングブレードＤを
用いて、個々の半導体モジュール４０に分離する。

【００９７】最後に、図７（Ｂ）を参照して、半導体モ
ジュール４０が完成する。半導体モジュール４０は、後
の工程で導電箔パターン３９に実装される。また、第２
の導電箔パターン３７上には、ＣＣＤ５５および裏面チ
ップ部品が実装される。

【００９８】なお、図６および図７ではＤＳＰ３１が実
装される面が上方向になっている。しかし、半導体モジ
ュール４０が導電箔パターン３９に実装される際は、上
下逆で実装される。つまり、ＤＳＰ３１を下方向にして
半導体モジュール４０は実装される。

【００９９】第２の工程は、図８から図１０に示すよう
に、導電箔６０を用意し、少なくとも半導体モジュール
４０およびチップ部品３３の搭載部を多数個形成する導
電箔パターン３９を除く領域の導電箔６０に導電箔６０
の厚みよりも浅い分離溝を化学的エッチングにより形成
して導電箔パターン３９を形成することにある。

【０１００】本工程では、まず図８（Ａ）の如く、シー
ト状の導電箔６０を用意する。この導電箔６０は、ロウ
材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてそ
の材料が選択され、材料としては、Ｃｕを主材料とした
導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等
の合金から成る導電箔等が採用される。

【０１０１】導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮す
ると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましい。しかし、後
述するように、導電箔６０の厚みよりも浅い分離溝６１
が形成できる厚さであれば良い。

【０１０２】尚、シート状の導電箔６０は、所定の幅、
例えば４５ｍｍでロール状に巻かれて用意され、これが
後述する各工程に搬送されても良いし、所定の大きさに
カットされた短冊状の導電箔６０が用意され、後述する
各工程に搬送されても良い。

【０１０３】具体的には、図８（Ｂ）に示す如く、短冊
状の導電箔６０に多数の搭載部が形成されるブロック６
２が４〜５個離間して並べられる。各ブロック６２間に
はスリット６３が設けられ、モールド工程等での加熱処
理で発生する導電箔６０の応力を吸収する。また導電箔
６０の上下周端にはインデックス孔６４が一定の間隔で
設けられ、各工程での位置決めに用いられる。

【０１０４】続いて、導電箔パターンを形成する。

【０１０５】まず、図９に示す如く、Ｃｕ箔６０の上
に、ホトレジスト（耐エッチングマスク）ＰＲを形成
し、導電箔パターン３９となる領域を除いた導電箔６０
が露出するようにホトレジストＰＲをパターニングす
る。そして、ホトレジストＰＲを介して導電箔６０を選
択的にエッチングする。

【０１０６】具体的に、この化学的エッチングにより形
成された分離溝６１の深さは、例えば５０μｍであり、
その側面は、粗面となり、非異方性にエッチングされる
ためにその側面は湾曲構造となり、透明樹脂３５との接
着性が向上される。

【０１０７】なお、図９に於いて、ホトレジストの代わ
りにエッチング液に対して耐食性のある導電被膜（図示
せず）を選択的に被覆しても良い。導電路と成る部分に
選択的に被着すれば、この導電被膜がエッチング保護膜
となり、レジストを採用することなく分離溝をエッチン
グできる。この導電被膜として考えられる材料は、Ａ
ｇ、Ｎｉ、Ａｕ、ＰｔまたはＰｄ等である。しかもこれ
ら耐食性の導電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッ
ドとしてそのまま活用できる特徴を有する。

【０１０８】例えばＡｇ被膜は、Ａｕと接着するし、ロ
ウ材とも接着する。よってチップ裏面にＡｕ被膜が被覆
されていれば、そのまま導電箔パターン３９上のＡｇ被
膜にチップを熱圧着でき、また半田等のロウ材を介して
チップを固着できる。またＡｇの導電被膜にはＡｕ細線
が接着できるため、ワイヤーボンディングも可能とな
る。従ってこれらの導電被膜をそのままダイパッド、ボ
ンディングパッドとして活用できるメリットを有する。

【０１０９】図１０に具体的な導電箔パターンを示す。
本図は図８（Ｂ）で示したブロック６２の１個を拡大し
たもの対応する。黒く塗られた部分の１個が１つの搭載
部６５であり、導電箔パターン３９を構成し、１つのブ
ロック６２にはマトリックス状に多数の搭載部６５が配
列され、各搭載部６５毎に同一の導電箔パターン３９が
設けられている。各ブロックの周辺には枠状のパターン
６６が設けられ、それと少し離間しその内側にダイシン
グ時の位置合わせマーク６７が設けられている。枠状の
パターン６６はモールド金型との嵌合に使用し、また導
電箔６０の裏面エッチング後には透明樹脂３５の補強を
する働きを有する。

【０１１０】また、上記の説明では単層の導電箔パター
ンを形成する方法を説明したが、導電パターンは層間絶
縁膜を用いた多層のものでも良い。

【０１１１】第３の工程は、図１１に示す如く、各搭載
部の所望の導電箔パターン３９に半導体モジュール４０
およびチップ部品３６を固着し、更に、半導体モジュー
ル４０裏面にＣＣＤ５５および裏面チップ部品３６を実
装することにある。図１１（Ａ）は１つの搭載部の平面
図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＡ−Ａ線での
断面図である。

【０１１２】半導体モジュール４０は、フェイスアップ
で実装される。そして、チップ部品３３としてはコンデ
ンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩが
実装される。ここでは、半導体モジュール４０が導電箔
パターン３９に絶縁性接着剤で実装され、チップ部品３
３は半田等のロウ材または導電ペーストで導電箔パター
ン３９に固着される。

【０１１３】図１１（Ｂ）を参照して、本発明のポイン
トは、半導体モジュール４０上にＣＣＤ５５および裏面
チップ部品３６を実装することにある。半導体モジュー
ル４０の支持基板は、その裏面に、第２の導電パターン
３７を有する。第２の導電パターンは裏面チップ部品３
６を実装するパッドを有しており、このパッドに裏面チ
ップ部品３６を実装することができる。このことから、
本発明のカメラモジュール３０では、その内部に於いて
半導体素子を立体的に実装することができる。

【０１１４】第４の工程は、図１２に示す如く、各搭載
部６５の半導体モジュール４０の取り出し電極４２と所
望の導電箔パターン３９とをワイヤボンディングするこ
とにある。図１２（Ａ）は１つの搭載部の平面図であ
り、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＡ−Ａ線での断面図
である。

【０１１５】本工程では、ブロック６２内の各搭載部の
半導体モジュール４０の取り出し電極４２と所望の導電
箔パターン３９を、熱圧着によるボールボンディング及
び超音波によるウェッヂボンディングにより一括してワ
イヤボンディングを行う。

【０１１６】また本発明では、各搭載部毎にクランパを
使用してワイヤボンディングを行っていた従来の回路装
置の製造方法と比較して、極めて効率的にワイヤボンデ
ィングを行うことができる。

【０１１７】第５の工程は、図１３に示す如く、各搭載
部６５の半導体モジュール４０等を一括して被覆し、分
離溝６１に充填されるように透明樹脂３５で共通モール
ドすることにある。そして、共通モールドを行った後
に、第２の導電パターン３７上にＣＣＤ５５を実装す
る。

【０１１８】本工程では、図１３（Ａ）に示すように、
透明樹脂３５は半導体モジュール４０、チップ部品３３
および裏面チップ部品３６を完全に被覆し、導電箔パタ
ーン３９間の分離溝６１には透明樹脂３５が充填され
て、導電箔パターンの側面の湾曲構造と嵌合して強固に
結合する。そして透明樹脂３５により導電箔パターン３
９が支持されている。

【０１１９】また本工程では、透明樹脂３５の上面の空
洞部５９付近に凹部４９Ａが形成される。この凹部４９
Ａは、空洞部５９上部に実装されるホルダー５６の位置
を固定するために使用される。具体的な位置固定方法
は、ホルダー実装の工程で後述する。

【０１２０】更にまた本工程では、トランスファーモー
ルドにより実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹
脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現で
きる。

【０１２１】更に、本工程でトランスファーモールドあ
るいはインジェクションモールドする際に、図１３
（Ｂ）に示すように各ブロック６２は１つの共通のモー
ルド金型に搭載部６５を納め、各ブロック毎に１つの透
明樹脂３５で共通にモールドを行う。このために従来の
トランスファーモールド等の様に各搭載部を個別にモー
ルドする方法に比べて、大幅な樹脂量の削減が図れる。

【０１２２】導電箔６０表面に被覆された透明樹脂３５
の厚さは、金属細線３４の最頂部から約１００μｍ程度
が被覆されるように調整されている。この厚みは、強度
を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能であ
る。

【０１２３】本工程の特徴は、透明樹脂３５を被覆する
までは、導電箔パターン３９となる導電箔６０が支持基
板となることである。尚、本発明では、支持基板となる
導電箔６０は、電極材料として必要な材料である。その
ため、構成材料を極力省いて作業できるメリットを有
し、コストの低下も実現できる。

【０１２４】また分離溝６１は、導電箔の厚みよりも浅
く形成されているため、導電箔６０が導電箔パターン３
９として個々に分離されていない。従ってシート状の導
電箔６０として一体で取り扱え、透明樹脂３５でモール
ドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常に
楽になる特徴を有する。

【０１２５】第６の工程は、図１３（Ａ）に示す如く、
透明樹脂３５が露出するまで、導電箔６０の裏面全域を
エッチングすることにある。

【０１２６】本工程は、導電箔６０の裏面を化学的およ
び／または物理的に除き、導電箔パターン３９として分
離するものである。この工程は、研磨、研削、エッチン
グ、レーザの金属蒸発等により施される。

【０１２７】実験では研磨装置または研削装置により全
面を３０μｍ程度削り、分離溝６１から透明樹脂３５を
露出させている。この露出される面を図１３（Ａ）では
点線で示している。その結果、約４０μｍの厚さの導電
箔パターン３９となって分離される。また、透明樹脂３
５が露出する手前まで、導電箔６０を全面ウェトエッチ
ングし、その後、研磨または研削装置により全面を削
り、透明樹脂３５を露出させても良い。更に、導電箔６
０を点線で示す位置まで全面ウェトエッチングし、透明
樹脂３５を露出させても良い。

【０１２８】この結果、透明樹脂３５に導電箔パターン
３９の裏面が露出する構造となる。すなわち、分離溝６
１に充填された透明樹脂３５の表面と導電箔パターン３
９の表面は、実質的に一致している構造となっている。
従って、本発明のカメラモジュール３０は図１６に示し
た従来の裏面電極１０、１１のように段差が設けられな
いため、マウント時に半田等の表面張力でそのまま水平
に移動してセルフアラインできる特徴を有する。

【０１２９】第７の工程は、図１４に示す如く、透明樹
脂３５で一括してモールドされた各搭載部６５の半導体
素子の特性の測定を行うことにある。

【０１３０】前工程で導電箔６０の裏面エッチングをし
た後に、導電箔６０から各ブロック６２が切り離され
る。このブロック６２は透明樹脂３５で導電箔６０の残
余部と連結されているので、切断金型を用いず機械的に
導電箔６０の残余部から剥がすことで達成できる。

【０１３１】各ブロック６２の裏面には図１５に示すよ
うに導電箔パターン３９の裏面が露出されており、各搭
載部６５が導電箔パターン３９形成時と全く同一にマト
リックス状に配列されている。この導電箔パターン３９
の透明樹脂３５から露出した外部接続電極３２にプロー
ブ６８を当てて、カメラモジュール３０の特性パラメー
タ等を個別に測定して良不良の判定を行い、不良品には
磁気インク等でマーキングを行う。

【０１３２】本工程では、各搭載部６５のカメラモジュ
ール３０は透明樹脂３５でブロック６２毎に一体で支持
されているので、個別にバラバラに分離されていない。
従って、テスターの載置台に置かれたブロック６２は搭
載部６５のサイズ分だけ縦方向および横方向にピッチ送
りをすることで、極めて早く大量にブロック６２の各搭
載部６５のカメラモジュール３０の測定を行える。すな
わち、従来必要であった半導体装置の表裏の判別、電極
の位置の認識等が不要にできるので、測定時間の大幅な
短縮を図れる。

【０１３３】第８の工程は、図１５に示す如く、透明樹
脂３５を各搭載部６５毎にダイシングにより分離するこ
とにある。

【０１３４】本工程では、ブロック６２をダイシング装
置の載置台に真空で吸着させ、ダイシングブレード６９
で各搭載部６５間のダイシングライン７０に沿って分離
溝６１の透明樹脂３５をダイシングし、個別のカメラモ
ジュール３０に分離する。

【０１３５】本工程で、ダイシングブレード６９はほぼ
透明樹脂３５を切断する切削深さで行い、ダイシング装
置からブロック６２を取り出した後にローラでチョコレ
ートブレークするとよい。ダイシング時は予め前述した
第１の工程で設けた各ブロックの周辺の枠状のパターン
６６の内側の相対向する位置合わせマーク６７を認識し
て、これを基準としてダイシングを行う。周知ではある
が、ダイシングは縦方向にすべてのダイシングライン７
０をダイシングをした後、載置台を９０度回転させて横
方向のダイシングライン７０に従ってダイシングを行
う。

【０１３６】第９の工程は、図１６に示す如く、ホルダ
ー５６を実装することにある。

【０１３７】ホルダー５６は、透明樹脂３５全体をを覆
うように実装される。ホルダー５６と透明樹脂３５との
接合は接着剤を介して行われる。また、ホルダー５６の
下面には、透明樹脂３５の上面に設けられた凹部４９Ａ
に対応した凸部４９Ｂが設けられている。従って、ホル
ダー５６が有する凸部４９Ｂを、透明樹脂３５に設けら
れた凹部４９Ａにはめこむことにより、ホルダー５６の
位置を正確に固定することができる。

【０１３８】ホルダー５６は、ＣＣＤ５５の上方に対応
する部分に空洞部５９を有する。この空洞部５９は、次
工程で実装されるレンズ５８で集光された光を通過させ
る働きを有する。

【０１３９】第１０の工程は、図１７に示す如く、ホル
ダー５６の上部にレンズバレル５７を実装することにあ
る。

【０１４０】本工程では、接着剤を用いてホルダー５６
の上部にレンズバレル５７を実装する。ここで、ホルダ
ー５６の上部にはレンズ５８が設けられている。また、
レンズ５８の中心軸と、レンズ５８の下方に位置するＣ
ＣＤ５５の撮像エリアの中心軸が一致するように、レン
ズバレル５７の位置は固定される。

【０１４１】上記した製造方法によるメリットの１つ
は、既存の技術および設備で本発明のカメラモジュール
３０が製造できることにある。つまり、既存の技術およ
び設備で、カメラモジュール３０内部に於いて、立体的
にＤＳＰ等を配置できることである。更に、実装基板無
しでカメラモジュール３０を構成することができる。こ
のことにより、比較的簡単な工程でカメラモジュール３
０の実装密度を向上させることができる。しかも、カメ
ラモジュールの薄型化・軽量化を実現できる。

【０１４２】

【発明の効果】本発明のカメラモジュールによれば、以
下に示すような効果を奏することができる。

【０１４３】第１に、ＣＣＤおよび半導体モジュール等
の内蔵部品を透明樹脂で封止し、透明樹脂全体を空洞部
を除いてホルダーで覆い、ホルダー上面の空洞部を覆う
ようにレンズバレルを実装することにより、実装基板を
不要にしてカメラモジュールを構成することができる。
従って、カメラモジュールを構成する部品数を低減する
ことが可能となり、更に、カメラモジュールを薄型・軽
量化することができる。

【０１４４】第２に、導電箔パターンにフェイスアップ
で実装した半導体モジュールの裏面に、ＣＣＤおよび裏
面チップ部品を実装することにより、立体的に半導体素
子を実装することができる。半導体モジュールは、第１
の導電パターンと第２の導電パターンが層間絶縁膜で接
着された支持基板を有し、第１の導電パターンにＤＳＰ
が実装されたものである。従って、第２の導電パターン
上に複数の裏面チップ部品を実装することができる。こ
のことから、カメラモジュールの実装密度を向上させる
ことができ、更に、カメラモジュールを小型化・軽量化
することができる。

【０１４５】第３に、本発明のカメラモジュールは、半
導体モジュール等を被覆する絶縁性樹脂で全体が支持さ
れており、実装基板を使用しない薄型・軽量のものであ
る。このことにより、カメラモジュールを更に薄型・軽
量化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のカメラモジュールを説明する図であ
る。

【図２】本発明のカメラモジュールを構成する半導体モ
ジュールを説明する図である。

【図３】本発明のカメラモジュールを説明する図であ
る。

【図４】本発明のカメラモジュールを説明する図であ
る。

【図５】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明す
るフローチャートである。

【図６】本発明のカメラモジュールを構成する半導体モ
ジュールの製造方法を説明する図である。

【図７】本発明のカメラモジュールを構成する半導体モ
ジュールの製造方法を説明する図である。

【図８】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明す
る図である。

【図９】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明す
る図である。

【図１０】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１１】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１２】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１３】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１４】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１５】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１６】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１７】本発明のカメラモジュールの製造方法を説明
する図である。

【図１８】従来のカメラモジュールを説明する図であ
る。

【図１９】従来のカメラモジュールの製造方法を説明す
る図である。

【符号の説明】

３０カメラモジュール３１ＤＳＰ３３チップ部品３５透明樹脂３６裏面チップ部品４０半導体モジュール５５ＣＣＤ５６ホルダー５７レンズバレル５９空洞部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の導電パターンおよび第２の導電パ
ターンから形成される第１の支持基板を有し、前記第１
の導電パターンにフリップチップボンディングにより固
着された半導体素子を有する半導体モジュールと、前記第２の導電パターン上に実装された半導体撮像素子
および裏面チップ部品と、前記半導体モジュール、前記半導体撮像素子および前記
裏面チップ部品を被覆する透明樹脂と、前記透明樹脂を全体的に覆い、前記半導体撮像素子の上
方に対応する部分に空洞部を有するホルダーと、前記ホルダー上面に前記空洞部を覆うように固着され、
上部にレンズを有するレンズバレルと、前記半導体モジュールが前記第２の導電パターンを上側
にして固着された第２の支持基板と、前記半導体モジュールの取り出し電極と、前記第２の支
持基板との電気的接続を行う金属細線と、前記第２の支持基板に形成された外部接続電極とを有す
ることを特徴とするカメラモジュール。
【請求項２】前記透明樹脂は、前記ホルダーの位置を
固定するための凹部を有し、前記ホルダーは前記凹部に
対応する凸部を有することを特徴とする請求項１記載の
カメラモジュール。
【請求項３】前記透明樹脂は、可視光線に対して透明
な材料で構成されていることを特徴とする請求項１記載
のカメラモジュール。
【請求項４】前記ホルダーは遮光性の材料で構成され
ることを特徴とする請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項５】前記空洞部の面方向の断面は、前記半導
体撮像素子の面方向の断面よりも大きいことを特徴とす
る請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項６】前記半導体撮像素子の撮像エリアの中心
軸と前記レンズの中心軸は、一致することを特徴とする
請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項７】前記半導体撮像素子は、ＣＣＤまたはＣ
ＭＯＳセンサーであることを特徴とする請求項１記載の
カメラモジュール。
【請求項８】前記半導体素子は、ＤＳＰまたはドライ
バー用ＩＣであることを特徴とする請求項１記載のカメ
ラモジュール。
【請求項９】前記裏面チップ部品は、コンデンサ、抵
抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩであること
を特徴とする請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項１０】前記第２の支持基板には、前記半導体
モジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダ
イオードまたはＬＳＩが実装されることを特徴とする請
求項１記載のカメラモジュール。
【請求項１１】前記取り出し電極は、前記半導体モジ
ュールの周辺部に設けられることを特徴とする請求項１
記載のカメラモジュール。
【請求項１２】前記第１の支持基板は、絶縁フィルム
の両面に前記第１の導電パターンおよび前記第２の導電
パターンを有することを特徴とする請求項１記載のカメ
ラモジュール。
【請求項１３】前記絶縁フィルムは、フレキシブルシ
ートであることを特徴とする請求項１２記載のカメラモ
ジュール。
【請求項１４】前記第１の支持基板は、前記絶縁性樹
脂に埋め込まれた前記第１の導電パターンおよび層間絶
縁膜を介して設けられた前記第２の導電パターンを有す
ることを特徴とする請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項１５】前記第２の支持基板は、前記絶縁性樹
脂に埋め込まれた第３の導電パターンおよび層間絶縁膜
を介して設けられた第４の導電パターンを有することを
特徴とする請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項１６】前記金属細線は、前記取り出し電極と
前記第３の導電パターンとの電気的接続を行うことを特
徴とする請求項１５記載のカメラモジュール。
【請求項１７】前記第２の支持基板は、前記絶縁性樹
脂に埋め込まれた導電箔パターンであることを特徴とす
る請求項１記載のカメラモジュール。
【請求項１８】前記金属細線は、前記取り出し電極と
前記導電箔導電パターンとの電気的接続を行うことを特
徴とする請求項１６記載のカメラモジュール。
【請求項１９】前記半導体モジュールは、前記第１の
導電パターンおよび前記第２の導電パターンから形成さ
れる前記第１の支持基板と、前記第１の導電パターンに
フリップチップボンディングにより固着された前記半導
体素子および内部チップ部品と、前記半導体素子および
前記内部チップ部品を被覆し且つ全体を支持する絶縁樹
脂層とを有することを特徴とする請求項１記載のカメラ
モジュール。