JP2003023768A - Igbtインバータのゲート駆動回路 - Google Patents

Igbtインバータのゲート駆動回路

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    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のIGBTインバータにおいては、ノイ
ズが臨界電圧を超えないようにゲート駆動距離を最小化
させるために、ゲート駆動抵抗またはゲート駆動回路の
選定を自由に行うことができず、また、ゲート駆動距離
を自由に調節することができなかった。 【解決手段】 コレクタが直流電圧手段に接続された第
1のIGBT21と、該第1のIGBTのエミッタにコレ
クタが接続され、エミッタが接地された第2のIGBT
22と、前記第1および第2のIGBTのゲート−エミッ
タ間に第1および第2のゲート抵抗Rg21,Rg22を介して
連結され、駆動直流電圧をそれぞれ供給する第1および
第2の駆動回路23,24と、前記第1および第2のIGB
Tのゲート−エミッタと前記第1および第2の駆動回路
との間にそれぞれ接続され、ノイズを遮断する第1およ
び第2のノイズ遮断回路30,40と、を備えるように構成
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IGBT(Insula
ted Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲート型バイポー
ラトランジスタ)インバータのゲート駆動回路に係るも
ので、詳しくは、IGBTインバータの単電源ゲート駆
動回路において、ゲート駆動距離が長くなることによっ
て発生するノイズを除去することで、遠距離ゲート駆動
を行い得るIGBTインバータのゲート駆動回路に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、IGBT素子を示す等価回路に
おいては、図2に示すように、単電源駆動方式としてI
GBTインバータに、正の電圧および零(0)の電圧の
みが印加される駆動方式と、正電源駆動方式として、I
GBT素子に正の電圧または零の電圧若しくは、負の電
圧が印加される駆動方式とがあって、ゲート−エミッタ
間に直流電圧が印加されると、コレクタ−エミッタ間が
電気的に導通(ON)され、ゲート−エミッタ間に零の
電圧が印加されると、コレクタ−エミッタ間が電気的に
遮断(OFF)される。すなわち、このIGBT素子
は、ゲートに印加される電圧によってスイッチング動作
を行う。ここで、参照符号Cce、CcgおよびCge
は、それぞれコレクタ−エミッタ間、コレクタ−ゲート
間およびゲート−エミッタ間に存在する微小な容量の等
価キャパシタンスを示す。
【0003】上述したように、IGBTインバータのゲ
ート駆動用直流電源として、正の直流電圧および負の直
流電圧または零の電圧を備える正電源駆動方式を利用し
たが、複雑な回路を単純化させて、インバータを小型化
して費用を節減するために、正の直流電圧および零
(0)の電圧の二つの電圧のみを備える単電源駆動方式
が商用化されている。
【0004】すなわち、IGBTを利用したスイッチン
グ素子においては、図3に示すように、コレクタが直流
電圧手段に接続された(コレクタに直流電圧Vdcが印
加された)第1のIGBT1と、コレクタが第1のIG
BT1のエミッタに接続され、エミッタが接地GNDさ
れた第2のIGBT2と、を備えて構成され、それら第
1のまたは第2のIGBT1,2のゲートに相補の(相
互反対の極性を有する)直流駆動信号3,4がそれぞれ
印加されると、第1および第2のIGBT1,2の接続
点から出力信号Voutが発生される。ここで、図3に
示す回路は、インバータ回路の一部を示している。
【0005】このように構成されたIGBTを利用した
スイッチング素子は、第1および第2のIGBT1,2
のゲートに印加される直流駆動信号3,4によって、そ
れら第1および第2のIGBT1,2を導通させるかま
たは遮断させ、直流電圧Vdcまたは接地GNDの電位
により出力信号Voutを発生するようになっている。
【0006】すなわち、直流駆動信号3,4によって、
第1のIGBT1が導通されて第2のIGBT2が遮断
される場合、出力信号Voutは直流電圧Vdcにな
る。
【0007】一方、直流駆動信号3,4によって、第1
のIGBT1が遮断されて第2のIGBT2が導通され
る場合、出力信号Voutは接地GNDの電位になる。
【0008】従って、第1および第2のIGBT1,2
が、導通および遮断されることで、インバータとしての
機能が発揮される。
【0009】この時、直流駆動信号3,4は、第1およ
び第2のIGBT1,2が同時に導通されることを絶対
的に防止するために、第1および第2のIGBT1,2
が相互に反対の極性を有するようにして、それら第1お
よび第2のIGBT1,2のゲート−エミッタ間に印加
される電圧を臨界電圧以上に維持すべきである。
【0010】そして、従来のIGBTインバータにおい
ては、図4に示すように、コレクタが直流電圧手段(V
dc)に接続された第1のIGBT11と、該第1のI
GBT11のエミッタにコレクタが接続されて、エミッ
タが接地された第2のIGBT12と、前記第1のIG
BT11のゲート−エミッタ間に接続されて、抵抗R1
を通って該第1のIGBT11のゲートに駆動電圧(駆
動直流電圧)Vgeを供給する第1の駆動回路13と、
前記第2のIGBT12のゲート−エミッタ間に接続さ
れて、抵抗R2を通って前記第2のIGBT12のゲー
トに駆動電圧Vgeを供給する第2の駆動回路14と、
から構成され、そして、前記第1および第2のIGBT
11,12の接続点から出力信号Voutが出力される
ようになっている。
【0011】このように構成された従来のIGBTイン
バータは、図3に示すように、第1および第2の駆動回
路13,14を通って、第1および第2のIGBT1
1,12のゲート−エミッタ間に直流駆動電圧を印加
し、第1および第2のIGBT11,12の導通および
遮断を制御する。
【0012】この時、抵抗R1,R2の値を設定するこ
とにより、第1および第2のIGBT11,12のゲー
トに印加される電流値を調節し、該第1および第2のI
GBT11,12のコレクタ−エミッタ間の導通および
遮断速度を制御し、さらに、第1および第2の駆動回路
13,14を通って印加される直流電圧の大きさによっ
て、第1のまたは第2のIGBT11,12が導通され
た時、コレクタ−エミッタ間の電圧を決定する。
【0013】以下、第1のIGBTが導通されて第2の
IGBTが遮断される場合または第1のIGBTが遮断
されて第2のIGBTが導通される場合の従来のIGB
Tインバータの動作について、図5および図6を参照し
て説明する。
【0014】先ず、図4に示す第1のIGBT11が駆
動される場合の動作においては、図5に示すように、時
間t1の時点で駆動電圧が印加されて第1のIGBT1
1が導通されると、直流電圧Vdcが第2のIGBT1
2のコレクタ−エミッタ間に印加されて、出力電流I1
が出力信号Vout側に流れると同時に第2のIGBT
12のコレクタ−ゲート間の等価キャパシタンスCcg
を通って、ゲート−エミッタ間の等価キャパシタンスC
geを充電させる電流I2が発生する。これにより、第
2のIGBT12のゲート−エミッタ間の等価キャパシ
タンスCgeに充電された電荷が接地GNDに放電され
る短い時間の間、第2のIGBT12の駆動信号からノ
イズが発生する。
【0015】また、第2のIGBT12が駆動される時
の動作は、図6に示すように、時間t2の時点で駆動電
圧が印加されて第2のIGBT12が導通されるが、こ
の時、直流電圧Vdcが第1のIGBT11のコレクタ
−エミッタ間に印加されて、出力電流I1は出力信号V
out側から接地GNDに流れると同時に、第1のIG
BT11のコレクタ−ゲート間の等価キャパシタンスC
cgによってゲート−エミッタ間の等価キャパシタンス
Cgeを充電させる電流I2が発生する。これにより、
第1のIGBT11のゲート−エミッタ間の等価キャパ
シタンスCgeに充電された電荷が接地GNDに放電さ
れる短い時間の間、第1のIGBT11の駆動信号から
ノイズが発生する。
【0016】このように構成された従来のIGBTイン
バータは、第1または第2のIGBTのゲートの駆動信
号から発生するノイズが臨界電圧を超える場合には、そ
れら第1および第2のIGBTが全て導通されて直流電
圧と接地とが短絡されることで、大きい電流が流れてI
GBTが破壊される。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のIG
BTインバータにおいては、上述したようなノイズが臨
界電圧を超えないようにゲート駆動距離を最小化させる
ために、駆動回路(駆動集積回路)の選定およびゲート
駆動抵抗の選定に格別な神経を使わなければならないと
いう不都合な点があった。
【0018】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたもので、ゲート駆動抵抗またはゲート駆動回路
の選定にあまり影響を及ぼすことなく、ゲート駆動距離
を自由に調節し得るIGBTインバータのゲート駆動回
路を提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明に係るIGBTインバータのゲート駆動
回路においては、コレクタが直流電圧手段に接続された
第1のIGBTと、該第1のIGBTのエミッタにコレ
クタが接続され、前記第1のIGBTとの接続点から出
力信号が出力されるように、エミッタが接地GNDされ
た第2のIGBTと、それら第1および第2のIGBT
のゲート−エミッタ間に連結されて第1および第2のゲ
ート抵抗を通って駆動直流電圧をそれぞれ供給する第1
および第2の駆動回路と、前記第1および第2のIGB
Tのゲート−エミッタと第1および第2の駆動回路間に
それぞれ接続され、ノイズを遮断する第1および第2の
ノイズ遮断回路と、を備えることを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るIGBTイン
バータのゲート駆動回路の実施例を、図面を参照して詳
述する。
【0021】本発明に係るIGBTインバータのゲート
駆動回路は、図1に示すように、コレクタが直流電圧手
段に接続された(コレクタに直流電圧が印加された)第
1のIGBT21と、該第1のIGBT21のエミッタ
にコレクタが接続され、その接続点から出力信号が出力
されるように、エミッタが接地された第2のIGBT2
2と、それら第1および第2のIGBT21,22のゲ
ート−エミッタ間の第1および第2のゲート抵抗Rg2
1,Rg22を通って、駆動直流電圧をそれぞれ供給す
る第1および第2の駆動回路(駆動集積回路部)23,
24と、それら第1および第2のIGBT21,22の
ゲート−エミッタと第1および第2の駆動回路23,2
4との間にそれぞれ接続されてノイズを遮断する第1お
よび第2のノイズ遮断回路30,40と、を備えて構成
される。
【0022】ここで、第1のノイズ遮断回路30は、電
源電圧手段(電源電圧Vcc)と第1のIGBT21の
エミッタ間に直列接続された第1および第2の抵抗R1
01,R102と、第1のIGBT21のゲート−エミ
ッタ間に直列接続された第1のダイオードD101並び
に第3および第4の抵抗R103,R104と、第1の
駆動回路23の駆動直流電圧を第1のダイオードD10
1および第3の抵抗R103の接続点に印加する第2の
ダイオードD102と、第1および第2の抵抗R10
1,R102の接続点と第1のIGBT21のエミッタ
間に接続された第3および第4の抵抗R103,R10
4を通って分圧された駆動直流電圧により導通および遮
断制御される第1のスイッチSW101と、第1のIG
BT21のゲート−エミッタ間に接続されて第1および
第2の抵抗R101,R102の接続点電圧により導通
および遮断制御される第2のスイッチSW102と、を
備えて構成される。
【0023】また、第2のノイズ遮断部40は、第2の
IGBT22および第2の駆動回路24間に接続され、
第1のノイズ遮断回路と同様の構成とされている。従っ
て、図面においては省略されている。
【0024】このように構成された本発明に係るIGB
Tインバータのゲート駆動回路の動作について、図面を
参照して説明する。
【0025】先ず、第1の駆動回路23から第1のIG
BT21のゲート−エミッタ間に駆動直流電圧Vgeが
印加される場合、駆動直流電圧Vgeが第2のダイオー
ドD102を通って第3および第4の抵抗R103,R
104に印加されて分圧されるため、下記の式(1)に
示した分圧電圧V1が第1のスイッチSW101の導通
制御(オン/オフ制御)信号として入力される。
【0026】
【数1】
【0027】この時、分圧電圧V1は、第1のスイッチ
SW101を導通するのに十分な値の電圧であるべき
で、第1のスイッチSW101の導通によって流れる電
流があまり大きくならないように、電源電圧Vccと第
1のIGBT21間に直列接続された第1および第2の
抵抗R101,R102を通って調節される。この時、
第1のスイッチSW101を導通するための駆動直流電
圧Vgeおよび分圧電圧V1の値は、ノイズ遮断回路3
0として構成された回路素子の特性によって変わること
がある。
【0028】また、第1のスイッチSW101が導通さ
れることで、第2のスイッチSW102に導通制御信号
である零(0)の電圧が印加されて第2のスイッチSW
102が遮断されるため、第1のIGBT21のゲート
−エミッタ間に駆動直流電圧Vgeが印加される。ま
た、第1の駆動回路23から第1のIGBT21のゲー
ト−エミッタ間に印加される駆動直流電圧Vgeが零の
電圧に変わる瞬間、すなわち、第1の駆動回路23の駆
動直流電圧Vgeである零の電圧が印加される瞬間に、
第1のIGBT21のゲート−エミッタ間の電圧は第1
のゲート抵抗Rg21によって、若干の時間的な傾斜を
有して減少する。
【0029】この時、第1のIGBT21のゲート−エ
ミッタ間の電圧は、第1のダイオードD101を通っ
て、第3および第4の抵抗R103,R104に印加さ
れて分圧されることで、上記の式(1)に示した分圧電
圧V1が第1のスイッチSW101に導通制御信号とし
て入力されて、このような分圧電圧V1が第1のスイッ
チSW101の臨界電圧以下に減少すると、第1のスイ
ッチSW101が遮断される。
【0030】従って、第2のスイッチSW102は、下
記の式(2)に示すように、電源電圧Vccと第1のI
GBT21のエミッタ間に直列接続された第1および第
2の抵抗R101,R102により分圧された分圧電圧
V2により導通制御される。
【0031】
【数2】
【0032】この時、分圧された電圧V2が第2のスイ
ッチSW102を導通させるように、第1および第2の
抵抗R101,R102の値が調節されるべきである。
【0033】従って、第2のスイッチSW102が導通
されて、第1のIGBT21のゲート−エミッタ間が短
絡(ショート)されるので、ゲート−エミッタ間が零の
電圧により拘束されて、ゲート−エミッタ間の等価キャ
パシタンスCgeによるノイズが放電されることで、ノ
イズの発生が抑制される。
【0034】次いで、第1の駆動回路23から第1のI
GBT21のゲート−エミッタ間に印加される駆動直流
電圧Vgeが零の電圧から駆動電圧に変わる瞬間に駆動
電圧が第2のダイオードD102を通って、第3および
第4の抵抗R1O3,R104に印加されて前述した式
(1)のように分圧されることで、分圧電圧V1が第1
のスイッチSW101を導通させる。この時、第1のゲ
ート抵抗Rg21によって駆動電圧が遅延されること
で、第1のダイオードD101を通った駆動電圧が先に
印加されることはない。
【0035】また、第1のスイッチSW101が導通さ
れることで、第2のスイッチSW102の導通制御信号
に零の電圧が印加され、第2のスイッチSW102が遮
断された後、第1のIGBT21のゲート−エミッタ間
に第1のゲート抵抗Rg21により遅延された駆動直流
電圧Vgeが正常に印加される。
【0036】さらに、第2のノイズ遮断回路40の動作
が、第1のノイズ遮断回路30と同様に行われて、結果
的に第1および第2のIGBTは、第1および第2のノ
イズ遮断回路30,40がゲート−エミッタ間の等価キ
ャパシタンスCgeによるノイズの発生を抑制すること
で、破壊の危険が低減されることになる。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るIG
BTインバータのゲート駆動回路においては、IGBT
および駆動回路間に接続されるノイズ遮断回路を用い
て、駆動直流電圧が遷移する時に発生するノイズを遮断
することにより、ゲート駆動抵抗またはゲート駆動回路
の選定にあまり影響を及ぼすことなく、ゲート駆動距離
を自由に調節することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るIGBTインバータのゲート駆動
回路を示す図である。
【図2】一般のIGBT素子を示す等価回路図である。
【図3】従来のIGBTを利用したスイッチング素子の
一例を示す図である。
【図4】従来のIGBTインバータを示す回路図であ
る。
【図5】図4の第1のIGBT(11)の動作を説明す
るための図である。
【図6】図4の第2のIGBT(12)の動作を説明す
るための図である。
【符号の説明】
21…第1のIGBT 22…第2のIGBT 23…第1の駆動回路 24…第2の駆動回路 30…第1のノイズ遮断回路 40…第2のノイズ遮断回路 Cce…IGBTのコレクタ−エミッタ間の等価キャパ
シタンス Ccg…IGBTのコレクタ−ゲート間の等価キャパシ
タンス Cge…IGBTのゲート−エミッタ間の等価キャパシ
タンス D101…第1のダイオード D102…第2のダイオード GND…接地 R101…第1の抵抗(第2の抵抗手段) R102…第2の抵抗(第2の抵抗手段) R103…第3の抵抗(第1の抵抗手段) R104…第4の抵抗(第1の抵抗手段) Rg21…第1のゲート抵抗 Rg22…第2のゲート抵抗 SW101…第1のスイッチ SW102…第2のスイッチ Vcc…電源電圧 Vdc…直流電圧(直流電圧手段) Vge…駆動直流電圧 Vout…出力信号

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コレクタが直流電圧手段に接続された第
    1のIGBT(21)と、 該第1のIGBT(21)のエミッタにコレクタが接続
    され、前記第1のIGBT(21)との接続点から出力
    信号が出力されるように、エミッタが接地(GND)さ
    れた第2のIGBT(22)と、 前記第1および第2のIGBT(21,22)のゲート
    −エミッタ間に第1および第2のゲート抵抗(Rg2
    1,Rg22)を介して連結され、駆動直流電圧をそれ
    ぞれ供給する第1および第2の駆動回路(23,24)
    と、 前記第1および第2のIGBT(21,22)のゲート
    −エミッタと前記第1および第2の駆動回路(23,2
    4)との間にそれぞれ接続され、ノイズを遮断する第1
    および第2のノイズ遮断回路(30,40)と、を備え
    ることを特徴とするIGBTインバータのゲート駆動回
    路。
  2. 【請求項2】 前記各第1および第2のノイズ遮断回路
    (30,40)は、分圧抵抗およびスイッチを用いてゲ
    ート−エミッタ間の等価キャパシタンス(Cge)によ
    るノイズを抑制することを特徴とする請求項1に記載の
    IGBTインバータのゲート駆動回路。
  3. 【請求項3】 コレクタが直流電圧手段に接続された第
    1のIGBT(21)と、 該第1のIGBT(21)のエミッタにコレクタが接続
    され、エミッタが接地(GND)された第2のIGBT
    (22)と、 前記第1および第2のIGBT(21,22)のゲート
    −エミッタ間に第1および第2のゲート抵抗(Rg2
    1,Rg22)を介して連続され、駆動直流電圧をそれ
    ぞれ供給する第1および第2の駆動回路(23,24)
    と、 前記第1および第2のIGBT(21,22)のゲート
    −エミッタと前記第1および第2の駆動回路(23,2
    4)との間にそれぞれ接続され、スイッチング制御によ
    りノイズを遮断する第1および第2のノイズ遮断回路
    (30,40)と、を備えることを特徴とするIGBT
    インバータのゲート駆動回路。
  4. 【請求項4】 前記第1のノイズ遮断回路(30)は、 前記第1のIGBT(21)のゲート−エミッタ間に直
    列接続され、前記第1の駆動回路(23)の駆動直流電
    圧を印加するダイオード(D101,D102)と、 前記駆動直流電圧を分圧する第1の抵抗手段(R10
    3,R104)と、 前記分圧された駆動直流電圧により導通制御される第1
    のスイッチ(SW101)と、 電源電圧と前記第1のIGBT(21)のエミッタ間に
    直列接続されて、前記第1のスイッチ(SW101)の
    スイッチング状態によって、前記電源電圧を分圧する第
    2の抵抗手段(R101,R102)と、 前記分圧された電源電圧により導通制御される第2のス
    イッチ(SW102)と、を備えることを特徴とする請
    求項3に記載のIGBTインバータのゲート駆動回路。
  5. 【請求項5】 前記第2のノイズ遮断回路(40)は、 前記第2のIGBT(22)のゲート−エミッタ間に直
    列接続され、前記第2の駆動回路(24)の駆動直流電
    圧を印加するダイオード(D101,D102)と、 前記駆動直流電圧を分圧する第1の抵抗手段(R10
    3,R104)と、 前記分圧された駆動直流電圧により導通制御される第1
    のスイッチ(SW101)と、 電源電圧と前記第1のIGBT(21)のエミッタ間に
    直列接続されて、前記第1のスイッチ(SW101)の
    スイッチング状態によって、前記電源電圧を分圧する第
    2の抵抗手段(R101,R102)と、 前記分圧された電源電圧により導通制御される第2のス
    イッチ(SW102)と、を備えることを特徴とする請
    求項3に記載のIGBTインバータのゲート駆動回路。
  6. 【請求項6】 前記各第1および第2のスイッチ(SW
    101,SW102)は、分圧された電圧により導通制
    御されることを特徴とする請求項4または5に記載のI
    GBTインバータのゲート駆動回路。
  7. 【請求項7】 前記各第1および第2のノイズ遮断部
    (30,40)は、 前記駆動直流電圧から印加された電圧により導通制御さ
    れる第1のスイッチ(SW101)と、 前記導通制御された第1のスイッチ(SW101)のス
    イッチング状態によって導通制御される第2のスイッチ
    (SW102)と、を備えることを特徴とする請求項3
    に記載のIGBTインバータのゲート駆動回路。
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