JP2003021605A - パターン検査方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】パターン検査装置ではステージ走査を繰返して
画像を取得し、検出した順に検出画像を記憶しておいた
同一のパターンが期待できる場所同士の画像を比較して
異なる場所を欠陥候補とし、２回欠陥候補となった場所
を真の欠陥とする。異なるステージ走査で得られた画像
の比較、又は１回しか検査できない場所が発生し、それ
ぞれ各種誤差欠陥検出性能低下、又は検査不可能領域と
なる。 【解決手段】高感度な条件で検出した欠陥を欠陥候補と
考え、欠陥候補部の限界しきい値（しきい値がこの値以
下の場合に欠陥と判定される値）を画像回路、又は欠陥
候補部の画像をソフトウェアで処理することで得る。得
られた限界しきい値を複数のしきい値と比較することで
複数の検査結果を１回の検査から得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置や液晶な
どの回路パターンを有する基板製造装置にかかわり、特
に製造途中の基板のパターンを検査する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光学式、又は電子線式パターン検
査装置は特開平５−２５８７０３号公報、特開平１１−
１６０２４７号公報等に記述されている。

【０００３】電子線式パターン検査装置の例として特開
平５−２５８７０３号公報に開示されている構成を図１
に示す。電子線源１からの電子線２を偏向器３でＸ方向
に偏向し、対物レンズ４を介して対象物基板５に照射
し、同時にステージ６をＹ方向に連続で移動させなが
ら、対象物基板５からの二次電子等７を検出器８で検出
し、検出信号をA/D変換器９でA/D変換し、デジタル画像
とし、画像処理回路１０で本来同一である事が期待でき
る場所のデジタル画像と比較し、差がある場所をパター
ン欠陥１１として検出し、欠陥位置を確定するものであ
る。

【０００４】光学式の検査装置の例として特開平１１−
１６０２４７号公報に開示されている構成を図２に示
す。光源２１よりの光を対物レンズ２２を介して対象物
基板５に照射し、その時の反射光をイメージセンサ２３
で検出する。ステージ６を一定速度で移動しながら検出
を繰返すことで画像を検出画像２４として検出し、メモ
リ２５に記憶する。検出画像２４と同一のパターンであ
ることが期待できるメモリ２５上の記憶画像２７と比較
し、同一のパターンであれば正常部、パターンが異なれ
ばパターン欠陥１１として検出し、欠陥位置を確定する
ものである。

【０００５】一例として、対象物基板５がウェーハ３１
の場合のレイアウトを図３に示す。ウェーハ３１上に最
終的に切離されて同一品種の個別の製品になるダイ３２
が形成されている。ステージ６を走査線３３に沿って移
動し、ストライプ領域３４の画像を検出する。現在、検
出位置Aが３５の場合に、メモリ２５上の検出位置B３６
の画像を記憶画像２７として取出し、比較する。これに
より、同一パターンであることが期待できるパターンと
比較する。ここで、メモリ２５は同一パターンであるこ
とが期待できる画像を保持可能な容量を持ち、リング状
に使いまわすことで実際の回路を構成する。以下に述べ
る２つの例は、２値画像で欠陥判定をする対象物に対し
てパターンの検出に同期してパターンが欠陥かどうかを
判定すると共に特定のマスク領域の欠陥を無視して検査
している。

【０００６】特開昭６１−２７８７０６号公報には、プ
リント板のスルーホールの検査の例が開示されている。
予め、非検査領域にすべき領域のみに穿孔したプリント
板を用意し、そのプリント板の画像を検査に先立って検
出し、穿孔有り無しの２値画像にすることでマスキング
の要否を検知し、マスキングデータ記憶部に画像データ
として記憶する。検査時に２値画像に差異を生じている
場所がマスキングデータ記憶部に記憶している画像領域
である場合に差異を無視することで非検査にする。

【０００７】特開平７−５１１６号公報には、プリント
基板の検査の例が開示されている。パターン形状を検出
して２値化し、検出パターンより正常／異常を判定し、
検出したパターンが規則パターン中にあるかどうかを判
定し、不適合パターンが規則パターン中にある場合のみ
に異常と判定するものである。

【０００８】以下に述べる２つの例は、パターン情報よ
りパターン境界部分の誤差を許容する目的で境界部分に
不感帯を設けて検査している。特開平２−１４６６８２
号公報には、マスクパターンを設計情報と比較する検出
の例が開示されている。設計情報からパターンを一定の
幅だけ縮小して得られた縮小画像と、一定の幅だけ拡大
して得られた拡大画像を計算、その共通部分を取出すこ
とで、一定の幅の不感帯を設ける。つまり、設計情報よ
りパターン境界部分の一定幅の誤差は無視するようにマ
スク領域を設定して検査している。特開平９−３１２３
１８号公報には、走査型電子顕微鏡（Scanning Electro
nMicroscope ; 以下、SEMと記す）を用いてパターンを検
査する例である。予め取得している参照画像より、パタ
ーンエッジの微細なずれは欠陥ではないのでパターンエ
ッジ近傍を致命な欠陥の生じない領域として設定し、致
命的な欠陥の生じない領域の画像を取得しない。画像を
取得した領域で参照画像との差異が認められた場合に欠
陥として判定している。特開平３−８５７４２号公報に
は、プリント基板のパターンを比較検査する装置の例が
開示されている。比較検査で得られた欠陥候補の画像を
メモリに記憶し、記憶画像を基に検査と非同期で真の欠
陥かどうかを判定するものである。

【０００９】特開平８−２４５１６１号公報には、複数
の繰返しパターンを有する検査対象に対して繰返し候補
部分と比較し、全ての比較で正常と判定された場合に正
常と判定するもので同時にＮ箇所の画像と比較判定して
いる。

【００１０】特開平３−２３２２５０号公報には繰返し
を有する部分を検査するためのセル比較（繰り返しパタ
ーン比較）方式とダイ全面を検査するダイ比較（チップ
比較）方式を同時に判定している。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】検査には、大きく分類
すると統計的な意味を持たせる為の安定な検査とデバイ
ス開発時に適用する高感度検査の２種類の要求がある。
統計的な意味を持たせる検査は、例えば同一条件で特定
の工程のウェーハを定期的に検査し、その欠陥の個数を
管理する手法で一般に安定な検査条件ではあるが、低感
度で比較的大きい欠陥のみしか検出できない条件での検
査である。一方、デバイス開発時に適用する検査は全て
の欠陥モードや、微細な欠陥までを確実に検出する目的
で高感度で検査している。

【００１２】従来の検査装置ではこれら２つの検査をす
るためには検査条件を換えて２種類の検査を行う必要が
あった。この為、複数回分の検査時間を要する。又は複
数の検査レシピを用意する必要がある。また、 SEM式の
検査装置の場合には複数回検査を実行すると電子線を複
数回照射することになり、電子線照射により対象物の状
態が変化し、変化した状態での不正確な検査しか出来な
い。これら問題に対して従来の検査方法と装置では十分
に配慮しているとは言えなかった。

【００１３】また、検査対象は設計情報に基づいて製作
されている。パターンの密度、材質、形状は設計により
決まり、場所により偏差がある。パターン密度が異なる
と、検出系に解像度の限界があるため、検出パターンの
検出信号量の振幅が異なる。同様にパターン形状、材質
によっても同様のことが発生する。従って、同一寸法の
欠陥であっても背景パターンが異なるために、均一な感
度で検査すると、検出される場所と検出されない場所が
生じる。また、同一寸法の欠陥であっても致命的な欠陥
となりうるかどうかが異なる。つまり、パターン密度の
小さい場所の欠陥は致命性が低い。逆にパターン密度の
高い場所は微小欠陥であっても致命的な欠陥となりう
る。従って欠陥の重要性はパターン密度に左右される。
同様に材質、形状によっても異なる。検出感度、欠陥の
管理と設計情報は切離して考えることは出来ない。これ
らの問題に対して従来の検査装置と方法はこれらの問題
に対して十分に配慮しているとは言えなかった。

【００１４】特開平５−２５８７０３号公報、特開平１
１−１６０２４７号公報に開示されている従来の光学
式、又は電子線式パターン検査装置では、１個の検査条
件で全領域を均一な条件で検査することしか出来ない。
特開昭６１−２７８７０６号公報、特開平７−５１１６
号公報に開示されている技術では、検査条件を変更する
非検査領域を設定しているが、特開昭６１−２７８７０
６号公報に開示されている例では、非常に大きい検査面
積中の非検査領域をビットパターンで設定する必要があ
る。ウェーハ検査に適用する場合には、直径３００mmの
検査面積を0.1μm画素で検査することを考えると、７兆
画素（7Tbit）であり、実質上不可能である。また、特
開平７−５１１６号公報に開示されている発明では、規
則パターン部以外は非検査領域となるが、ウェーハパタ
ーンの場合には非常に複雑なパターンで構成されている
ため、単純な規則性を利用するのみでは非検査領域を設
定することは出来ない。また、複数の検査結果を１回の
検査であることもできない。特開平２−１４６６８２号
公報、特開平９−３１２３１８号公報等に記述されてい
る検査条件を変更する非検査領域はパターンエッジに限
定されるため必要な場所に非検査領域を設定することは
出来ない。また、複数の検査結果を１回の検査であるこ
ともできない。特開平３−８５７４２号公報に記述され
ている方式では欠陥候補部の画像情報を保存し、保存し
た画像情報を基に詳細に検査をし、真の欠陥かどうかを
判定するもので複雑なパターン形状に対応することが出
来る。しかしながら、１個の一律の基準で欠陥かどうか
を判定し、欠陥でないものは正常部と考えている。つま
り、一旦正常部と考えられたものは情報が失われてい
る。また、複数の検査結果を１回の検査で得ることもで
きない。

【００１５】特開平８−２４５１６１号、又は特開平３
−２３２２５０公報に記載されている方式は同時にＮ方
式で検査しているが、異なる場所との比較であり、同一
箇所に対する異なる検査条件での結果を得てはいない。

【００１６】

【課題を解決するための手段】問題を解決する為の構成
を説明する。ここでは電子線を用いた構成を示すが、本
質的には光学式と同一である。まず第１の例を図４に示
す。電子線２を発生させる電子線源１、及び電子線２を
偏向させる偏向器３、及び電子線２を対象物基板５上に
収束させる対物レンズ４、及び対象物基板５を保持し、
走査又は位置決めをするステージ６、及び対象物基板５
からの二次電子等７を検出する検出器８、及び検出信号
をA/D変換しデジタル画像にするA/D変換器９、及びデジ
タル画像より本来同一である事が期待できる場所のデジ
タル画像と比較し、差がある場所を欠陥候補４０として
検出する画像処理回路１０、欠陥候補４０の座標、投影
長、画像情報等の特徴量を記憶する欠陥候補記憶部４
１、欠陥候補記憶部４１に記憶された欠陥候補４０の特
徴量、又は設計情報４２を用いて各検査条件で検査した
場合に欠陥となる欠陥候補を選択し、パターン欠陥１１
を出力する欠陥選択部４３より構成される。

【００１７】問題を解決する為の構成の第２の例を図５
に示す。電子線２を発生させる電子線源１、及び電子線
２を偏向させる偏向器３、及び電子線２を対象物基板５
上に収束させる対物レンズ４、及び対象物基板５を保持
し、走査又は位置決めをするステージ６、及び対象物基
板５からの二次電子等７を検出する検出器８、及び検出
信号をA/D変換しデジタル画像にするA/D変換器９、及び
デジタル画像より本来同一である事が期待できる場所の
デジタル画像と第１の条件で比較し、差がある場所を第
１の条件での欠陥候補Ａ４４として検出する画像処理回
路Ａ４５、及びデジタル画像より本来同一である事が期
待できる場所のデジタル画像と第２の条件で比較し、差
がある場所を第２の条件での欠陥候補Ｂ４６として検出
する画像処理回路Ｂ４７、及び第１、第２の条件で検査
した場合に抽出される欠陥候補Ａ４４、欠陥候補Ｂ４６
の座標、投影長、画像情報等の特徴量を選択、記憶し、
最終的なパターン欠陥１１を出力する欠陥選択記憶部４
８より構成される。

【００１８】第１の構成の第１の動作を説明する。電子
線源１からの電子線２を偏向器３でＸ方向に偏向し、対
物レンズ４を介して対象物基板５に照射し、同時にステ
ージ６をＹ方向に連続で移動させながら、対象物基板５
からの二次電子等７を検出器８で検出し、検出信号をA/
D変換器９でA/D変換し、デジタル画像とし、高感度な画
像処理条件Ａ５０(図示していない)を用いて画像処理回
路１０で本来同一であることが期待出来る場所のディジ
タル画像と比較し、差が有る場所を欠陥候補４０とし、
その座標、投影長、画像情報などの特徴量、又は画像デ
ータを欠陥候補記憶部４１に記憶し、欠陥選択部４２で
は低感度な画像処理条件Ｂ５１(図示していない)を用い
た場合に差が有ると判定されるかどうかを判断し、差が
有る場合には画像処理条件Ａ５０、及び画像処理条件Ｂ
５１何れもでも欠陥となる情報を付加する。差が無い場
合には画像処理条件Ａ５０でのみ欠陥となる情報を付加
する。情報を付加しパターン欠陥１１とする。パターン
欠陥１１には画像処理条件Ａ５０、画像処理条件Ｂ５１
で検査した場合に欠陥として判定されるかの情報が含ま
れている。この動作では設計情報４２は用いていない。

【００１９】第１の構成の第２の動作を説明する。電子
線源１からの電子線２を偏向器３でＸ方向に偏向し、対
物レンズ４を介して対象物基板５に照射し、同時にステ
ージ６をＹ方向に連続で移動させながら、対象物基板５
からの二次電子等７を検出器８で検出し、検出信号をA/
D変換器９でA/D変換し、デジタル画像とし、高感度な画
像処理条件Ａ５０(図示していない)を用いて画像処理回
路Ａ４４で本来同一であることが期待出来る場所のディ
ジタル画像と比較し、差が有る場所を欠陥候補Ａ４５と
し、その座標、投影長、画像情報などの特徴量、又は画
像データを欠陥候補記憶部４１に記憶し、欠陥選択部４
２では設計情報を用いて低感度な画像処理条件Ｂ５１
(図示していない)を用いるべきかを判断し、差が有る場
合で有って、設計情報４２で低感度で検査すべき場所と
判定した場合には画像処理条件Ａ５０、及び画像処理条
件Ｂ５１何れもでも欠陥となる情報を付加する。それ以
外の場合には画像処理条件Ａ５０でのみ欠陥となる情報
を付加しパターン欠陥１１とする。パターン欠陥１１に
は画像処理条件Ａ５０、画像処理条件Ｂ５１で検査した
場合に欠陥として判定されるかの情報が含まれている。

【００２０】また、設計情報ではなく、欠陥候補記憶部
４１に記憶されている情報を用いて、例えばパターン密
度が高い、又は画像の微分値の総和が大きい、又は低感
度で検査すべき特定形状のパターンである等を用いて、
設計情報４２を用いない。又は設計情報４２と欠陥候補
記憶部４１に記憶されている情報を併用する方法があ
る。例えば、設計情報４２を用い冗長配線かどうかを判
断し、冗長配線上は欠陥候補記憶部４１に記憶されてい
る寸法情報が特定寸法以上で有る場合に画像処理条件Ｂ
５１で欠陥と判定するとする。

【００２１】第２の構成の第１の動作を説明する。電子
線源１からの電子線２を偏向器３でＸ方向に偏向し、対
物レンズ４を介して対象物基板５に照射し、同時にステ
ージ６をＹ方向に連続で移動させながら、対象物基板５
からの二次電子等７を検出器８で検出し、検出信号をA/
D変換器９でA/D変換し、デジタル画像とし、画像処理回
路Ａ４５でデジタル画像より本来同一である事が期待で
きる場所のデジタル画像と高感度な画像処理条件Ａ５０
である第１の条件で比較し、差がある場所を第１の条件
での欠陥候補Ａ４４として判定する。画像処理回路Ｂ４
７でデジタル画像より本来同一である事が期待できる場
所のデジタル画像と低感度な画像処理条件Ｂ５１である
第２の条件で比較し、差がある場所を第２の条件での欠
陥候補Ｂ４６として判定する。欠陥選択部４３で欠陥候
補Ａ４４の中で欠陥候補Ｂ４６と同一座標である欠陥候
補Ａ４４の情報に画像処理条件Ａ５０、及び画像処理条
件Ｂ５１何れもでも欠陥となる情報を付加する。これに
より、高感度な画像処理条件Ａ５０、低感度な画像処理
条件Ｂ５１で欠陥として判定する情報が含まれている。
この動作では設計情報４２は用いていない。

【００２２】第２の構成の第２の動作を説明する。電子
線源１からの電子線２を偏向器３でＸ方向に偏向し、対
物レンズ４を介して対象物基板５に照射し、同時にステ
ージ６をＹ方向に連続で移動させながら、対象物基板５
からの二次電子等７を検出器８で検出し、検出信号をA/
D変換器９でA/D変換し、デジタル画像とし、画像処理回
路Ａ４５でデジタル画像より本来同一である事が期待で
きる場所のデジタル画像と高感度な画像処理条件Ａ５０
である第１の条件で比較し、差がある場所を第１の条件
での欠陥候補Ａ４４として判定する。画像処理回路Ｂ４
７でデジタル画像より本来同一である事が期待できる場
所のデジタル画像と低感度な画像処理条件Ｂ５１である
第２の条件で比較し、差がある場所を第２の条件での欠
陥候補Ｂ４６として判定する。

【００２３】欠陥選択部４３において欠陥候補Ａ４４の
中で欠陥候補Ｂ４６と同一座標である欠陥候補Ａ４４の
情報に画像処理条件Ａ５０、及び画像処理条件Ｂ５１何
れもでも欠陥となる情報を仮に付加する。設計情報４２
で低感度で検査すべき場所と判定した場合で仮に付加さ
れた画像処理条件Ａ５０、及び画像処理条件Ｂ５１何れ
もでも欠陥となる情報が有る場合に、真の画像処理条件
Ａ５０、及び画像処理条件Ｂ５１何れもでも欠陥となる
情報を付加する。仮の情報のみの場合には画像処理条件
Ａ５０でのみ欠陥となる情報を付加する。情報を付加し
パターン欠陥１１とする。パターン欠陥１１には画像処
理条件Ａ５０、画像処理条件Ｂ５１で検査した場合に欠
陥として判定されるかの情報が含まれている。また、設
計情報ではなく、欠陥候補記憶部４１に記憶されている
情報を用いて、例えばパターン密度が高い、又は画像の
微分値の総和が大きい、又は低感度で検査すべき特定形
状のパターンである等を用いて、設計情報４２を用いな
い。又は設計情報４２と欠陥候補記憶部４１に記憶され
ている情報を併用する方法がある。例えば、設計情報４
２を用い冗長配線かどうかを判断し、冗長配線上は欠陥
候補記憶部４１に記憶されている寸法情報が特定寸法以
上で有る場合に画像処理条件Ｂ５１で欠陥と判定すると
する。

【００２４】これらにより、１回の検査で複数の検査条
件での検査を実施することができる。また、設計情報を
元にした場所、欠陥の存在する場所の検査時の画像情報
を用いて画像処理の感度を変更することができる。ま
た、パターンによらず同一の感度で検査することができ
る。また、同一の致命性である欠陥を検査することがで
きる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を、具
体的な図を用いて説明する。 （第１の実施の形態）本発明の第１の実施形態を説明す
る。図６に第１の実施形態の構成を示す。

【００２６】電子線２を発生させる電子線源１、及び電
子線源１からの電子線２を電極で加速して取出し静電又
は磁界重畳レンズで一定場所に仮想光源１０１を作る電
子銃１０２と仮想光源１０１よりの電子線２を一定場所
に収束させるコンデンサレンズ１０３と電子銃１０２で
収束した位置の近傍に設置し電子線２のON/OFFを制御を
するブランキングプレート１０４と電子線２をＸＹ方向
に偏向する偏向器１０５と電子線２を対象物基板５上に
収束させる対物レンズ４よりなる電子光学系１０６、及
び対象物基板であるウェーハ３１を真空に保持する試料
室１０７、及びウェーハ３１を搭載し任意の位置の画像
検出を可能とするリターディング電圧１０８を印可した
ステージ６、及び対象物基板５からの二次電子等７を検
出する検出器８、及び検出器８で検出した検出信号をＡ
／Ｄ変換器しデジタル画像を得るＡ／Ｄ変換器９、及び
デジタル画像を記憶しておくメモリ１０９、及びメモリ
１０９に記憶した記憶画像とＡ／Ｄ変換したデジタル画
像を比較して、差がある場所を欠陥候補４０として検出
する画像処理回路１０、欠陥候補４０の座標、投影長、
面積、限界しきい値DD（しきい値がこの値以下の場合に
欠陥と検出されるしきい値）、差画像平均値、差画像分
散、最大画像差、欠陥画像テクスチャ、参照画像テクス
チャ、画像情報等の特徴量を記憶する欠陥候補記憶部４
１、欠陥候補記憶部４１よりの欠陥候補４０に情報を付
加したパターン欠陥１１を出力する欠陥選択部４３、装
置全体の制御と欠陥選択部４３からのパターン欠陥１１
を受け取る全体制御部１１０(全体制御部１１０からの
制御線は図上では省略)、及び各種操作をする操作画面
５２、及び操作を指示するキーボード１２０とマウス１
２１とつまみ１２２(いずれも非表示)、及びウェーハ３
１の高さを測定し対物レンズ４の電流値をオフセット１
１２を加算して制御することで検出されるディジタル画
像の焦点位置を一定に保つＺセンサ１１３、及びカセッ
ト１１４内のウェーハ３１を試料室１０７に出し入れす
るローダ１１６(非表示)、及びウェーハ３１の外形形状
を基準にウェーハ３１を位置決めするオリフラ検出器１
１７(非表示)、及びウェーハ３１上のパターンを観察す
る為の光学式顕微鏡１１８、及びステージ６上に設けた
標準試料片１１９よりなる。

【００２７】第１の実施形態の動作を説明する。動作に
はＮ式のしきい値を設定する条件出しと、検出した欠陥
候補４０に夫々のしきい値の場合に欠陥となるかの情報
を付加したパターン欠陥情報として出力する検査があ
る。

【００２８】条件出しは操作画面５２に図７で示した開
始画面を表示し、ユーザが対象となるウェーハ３１のあ
る棚番を棚番選択部品１３０で選択し、レシピ選定部品
１３１で対象となるウェーハ３１の品種、工程を指定
し、レシピ作成開始ボタン１３２を押すことで条件出し
を開始する。条件出しには電子光学系の条件を設定する
コントラスト設定、ウェーハ３１のパターンレイアウト
設定、ウェーハ３１のパターンの位置決めをするアライ
メント、ウェーハ３１の信号量を的確に表現する場所で
信号量の確認をするキャリブレーション、画像処理しき
い値の設定と確認をする画像処理条件設定がある。ここ
では関連するコントラストの設定、画像処理条件の設定
の２点について説明する。

【００２９】開始すると全体制御部１１０は各部に動作
を以下の手順で指示する。ローダ１１６(非表示)に指示
を出し、ローダ１１６はウェーハ３１をカセット１１４
から取出し、オリフラ検出器１１７(非表示)で外形形状
を基準にウェーハを位置決めし、ステージ６にウェーハ
３１を搭載し、試料室１０７内を真空にする。搭載と共
に、電子光学系１０６とリターディング電圧１０８の条
件を設定し、ブランキングプレート１０４に電圧を印可
して電子線２をOFFする。ステージを標準試料片１１９
に移動し、Ｚセンサ１１３有効として焦点をＺセンサ１
１３の検出値値＋オフセット１１２の一定に保ち、偏向
器１０５をラスタスキャンし、スキャンに同期してブラ
ンキングプレート１０４の電圧を切り、電子線２を必要
なときのみウェーハ３１に照射し、その時ウェーハ３１
より発生する反射電子又は二次電子を検出器８で検出、
Ａ／Ｄ変換器９でデジタル画像とする。

【００３０】オフセット１１２を変更してデジタル画像
を複数枚検出し、検出毎に全体制御部１１０で最も画像
の微分値の画像内総和が最高となる最適オフセット１１
１を現在のオフセット値として設定する。設定後Ｚセン
サ１１３を無効にし、画面を図８で示したコントラスト
調整画面に遷移する。コントラスト調整画面はマップ表
示とウェーハ全体又はダイ全体等とマップの表示方法を
制御するボタンとマウス(図には非表示)で選択した時そ
こに移動する又そこの項目を選択するという動作を指示
するマウス動作指示ボタン１４０を備えたマップ表示部
５５、及び画像を表示する部分と画像の倍率と光顕１１
８での光顕画像又は電子光学系１０６でのSEM画像と画
像の種類を指定する画像切替ボタン１４１を備えた画像
表示部５６、及びレシピ作成項目選択ボタン１４２、及
びレシピ作成終了ボタン１３３、及びレシピ保存ボタン
１３４より構成される。

【００３１】コントラスト調整画面ではマウス動作指示
ボタン１４０を移動モードにし、マウス１２１クリック
でマップ上を移動し、その場所の画像を画像表示部に表
示する。つまみ１２２に電子光学系調整項目を割り当
て、電子光学系１０６の各部を調整して適切なコントラ
ストを得る。レシピ作成終了ボタン１３３、及びレシピ
保存ボタン１３４、及びレシピ作成項目選択ボタン１４
２はそれぞれレシピ作成の終了、及びレシピ条件の保
存、及び別の条件の設定と画面遷移を指示するボタンで
全画面共通である。レシピ作成項目選択ボタン１４２を
画像処理条件設定画面に切り替えることで図９に示す画
像処理条件設定画面に遷移する。

【００３２】画像処理条件設定画面はマップ表示部５
５、及びレシピ作成終了ボタン１３３、及びレシピ保存
ボタン１３４、及びレシピ作成項目選択ボタン１４２、
及び検査開始ボタン１４３、及び検査終了ボタン１４
４、及び初期しきい値設定部品１４５より構成される。
マウス動作選択ボタン１４０は選択モードにしてある。
ユーザがマップ表示部のダイをクリックすることで試し
に検査の対象となるダイの選択／非選択を切り替え、検
査対象とするダイを選択する。検査対象のダイを選定
し、初期しきい値設定部品１４５で初期しきい値th0１
４６(図示していない)を設定後、検査開始ボタン１４３
で試し検査の開始を指示する。試し検査を開始するとス
テージ６を移動し、搭載したウェーハ３１の検査すべき
領域の走査開始位置に移動する。

【００３３】オフセット１１２に予め測定しておいたウ
ェーハ固有のオフセットを加算して設定し、Ｚセンサ１
１３を有効にし、図３に示した走査線３３に沿ってステ
ージ６をＹ方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器
１０５をＸ方向に走査し、有効走査時にブランキングプ
レート１０４の電圧を切り電子線２をウェーハ３１に照
射、走査する。ウェーハ３１より発生する反射電子又は
二次電子を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器９でストライ
プ領域３４のデジタル画像を得、メモリ１０９に記憶す
る。ステージ６の走査終了後Ｚセンサ１１３を無効とす
る。ステージ走査を繰り返すことで必要な領域全面の検
査をする。ウェーハ３１の全面を検査する場合には図１
０に示した順で検査する。

【００３４】画像処理回路１０で検出位置A ３５を検出
している場合にはメモリ１０９に記憶した検出位置B ３
６の画像と比較し初期しきい値th0１４６以上の差があ
る場所を欠陥候補４０として抽出し、欠陥候補４０の座
標、投影長、面積、限界しきい値（しきい値がこの値以
下の場合に欠陥と検出されるしきい値）、差画像平均
値、差画像分散、最大画像差、欠陥画像テクスチャ、参
照画像テクスチャ、画像情報等の特徴量を欠陥候補記憶
部４１に記憶する。欠陥候補記憶部４１では欠陥候補４
０の限界しきい値DDがN式の検査しきい値thN(但しこの
時点ではthNは1式でthN=th0)以上であるかどうかの情報
を付加してパターン欠陥１１のリストを作成し、全体制
御部１１０に送信する。全体制御部１１０では欠陥候補
記憶部４１からのパターン欠陥１１の特徴量を受け取
る。必要な領域の検査終了後に図１１に示した欠陥確認
画面を表示する。

【００３５】欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分
類を編集できる欠陥表示編集部品１５０、及び現在位置
を示す現在位置表示５９と分類番号を記号表示したパタ
ーン欠陥１１をウェーハ３１のレイアウト情報とともに
表示したマップ表示部５５、及び現在の位置の画像を表
示した画像表示部５６、表示する欠陥のしきい値の範囲
(上限しきい値thh、下限しきい値thl)を設定する表示し
きい値設定部品１５２、及びＮ式の検査しきい値thN１
４７(図示していない)、及び表示しきい値設定部品１５
２で設定したしきい値の範囲のうちの表示すべき欠陥候
補のしきい値を切り替える表示切替ボタン１５１、現在
の表示しきい値設定部品１５２で設定されている表示し
きい値の上限thh、又は下限thl、又は任意のしきい値を
Ｎ式の検査しきい値thN１４７のうちの１個に設定する
検査しきい値設定部品１５３、及びすでに説明した各種
ボタンで構成されている。表示切り換えボタン１５１を
表示しきい値設定部品１５２で設定したしきい値を表示
するモードとする。

【００３６】表示しきい値設定部品１５２の上下限しき
い値thl、thhを設定する。thl、thhの設定を変更する
と、各欠陥候補の限界しきい値DDとthl、thhを比較し、
thl<DD<thhの欠陥候補のみをマップ表示部５５に表示す
る。表示したマウス動作指示ボタン１４０を選択モード
とし、パターン欠陥１１をクリックすることでその画像
情報として保存している検査時の画像、又は再度欠陥の
場所に移動して画像を取得した画像を画像表示部５６、
特徴量を欠陥表示編集部品１５０に表示する。画像と特
徴量を基にパターン欠陥１１を分類し、欠陥表示編集部
品１５０で分類番号をそのパターン欠陥１１の特徴量に
付与する。

【００３７】分類を付与するとマップ表示部で分類を表
示図形、又は表示色等の違いとして識別可能とする。マ
ップ表示部５５に表示されている付与した分類を参考に
Ｎ式の検査しきい値thN１４７をユーザが判断して決定
する。決定した検査しきい値thNを検査しきい値設定部
品１５３でN式の検査しきい値thN１４７のうちの１つに
設定する。N式の検査しきい値thN１４７設定後に、表示
切替ボタン１５１で検査しきい値thN１４７の表示モー
ドに切換える。各欠陥候補のDDがDD>thNを満足する欠陥
候補のみがマップ表示部５５に表示され、検査しきい値
thN１４７の妥当性を確認できる。この表示状態で検査
しきい値設定部品１５３で検査しきい値thN１４７を変
更するとマップ表示部５５に表示される欠陥候補が変化
する。この変化を見て検査しきい値thN１４７を微調整
することができる。

【００３８】設定終了後に、レシピ保存ボタンで設定し
た初期しきい値th0１４６、N式の検査しきい値thN１４
７などをレシピに保存する。また、検査終了ボタンで画
像処理条件設定初期画面に戻る。また、必要に応じて結
果保存ボタン(非表示)で検査結果を保存することができ
る。欠陥候補４０として検出されるものは初期しきい値
th0１４６以上の差をもつものである。従って、表示し
きい値設定部品１５２、検査しきい値設定部品１５３で
設定するしきい値はth0より大き必要がある。th0を十分
小さく設定しておけば必要な値を設定可能である。

【００３９】画像処理条件設定初期画面では再度試し検
査の検査ダイを設定し、試し検査を行うこともできる。
確認終了で、レシピ終了ボタン１３３を押してレシピ作
成を終了する。作成終了でウェーハ３１をアンロードし
て元のカセット１１４に戻す。次に、検査について説明
する。検査は操作画面５２に図７で示した開始画面を表
示し、ユーザが対象となるウェーハ３１の存在する棚番
を棚番選択部品１３０で選択し、レシピ選定部品１３１
で対象となるウェーハ３１の品種、工程を指定し、検査
開始ボタン３３０を押すことで検査を開始する。検査は
ウェーハのロード、アライメント、キャリブレーション
を行った後、検査処理を行い、欠陥確認、欠陥出力後、
ウェーハをアンロードして終了する。ここでは、本発明
に関連のある検査処理と、欠陥確認について説明する。

【００４０】検査開始ボタン３３０で検査の開始を指示
する。検査を開始するとステージ６を移動し、搭載した
ウェーハ３１の検査すべき領域の走査開始位置に移動す
る。オフセット１１２に予め測定しておいたウェーハ固
有のオフセットを加算して設定し、Ｚセンサ１１３を有
効にし、図３に示した走査線３３に沿ってステージ６を
Ｙ方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器１０５を
Ｘ方向に走査し、有効走査時にブランキングプレート１
０４の電圧を切り電子線２をウェーハ３１に照射、走査
する。ウェーハ３１より発生する反射電子又は二次電子
を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器９でストライプ領域３
４のデジタル画像を得、メモリ１０９に記憶する。ステ
ージ６の走査終了後Ｚセンサ１１３を無効とする。ステ
ージ走査を繰り返すことで必要な領域全面の検査をす
る。ウェーハ３１の全面を検査する場合には図１０に示
した順で検査する。

【００４１】画像処理回路１０で検出位置A ３５を検出
している場合にはメモリ１０９に記憶した検出位置B ３
６の画像と比較し初期しきい値th0１４６以上の差があ
る場所を欠陥候補４０として抽出し、欠陥選択部１４３
で欠陥候補４０の限界しきい値DDがN式の検査しきい値t
hN以上であるかどうかの情報を付加してパターン欠陥１
１のリストを作成し、全体制御部１１０に送信する。全
体制御部１１０では欠陥候補記憶部４１からのパターン
欠陥１１の特徴量を受け取り、必要な領域の検査終了後
に図１２に示した検査時欠陥確認画面を表示する。

【００４２】欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分
類を編集できる欠陥表示編集部品１５０、及び現在位置
を示す現在位置表示５９と分類番号を記号表示したパタ
ーン欠陥１１をウェーハ３１のレイアウト情報とともに
表示したマップ表示部５５、及び現在の位置の画像を表
示した画像表示部５６、及びN式の検査しきい値thNを切
り替える表示切替ボタン１５１、及び検査終了を指示す
る検査終了ボタン１４４より構成されている。マウス動
作指示ボタン１４０を選択モードとし、パターン欠陥１
１をクリックすることでその画像を画像表示部５６、特
徴量を欠陥表示編集部品１５０に表示する。画像と特徴
量を基にパターン欠陥１１を分類し、欠陥表示編集部品
１５０で分類番号をそのパターン欠陥１１の特徴量に付
与する。

【００４３】N式の検査しきい値thNを切り替える表示切
替ボタン１５１で検査しきい値thNを切り換えてそのし
きい値で欠陥となる欠陥候補のみを表示できる。また、
表示切り換えボタン１５１で表示しきい値を表示するモ
ードに切り換えて表示しきい値設定部品１５２で設定し
たしきい値範囲thlとthhの範囲の欠陥候補４０を表示さ
せることも出来る。検査終了ボタンで欠陥確認を終了
し、結果を出力後に初期画面に戻る。

【００４４】本実施形態によると、N式のしきい値の検
査結果を1回の検査で得ることができる。また、検査後
にしきい値が妥当でなかった場合にしきい値を修正して
確認することができる。また、しきい値の設定、結果の
確認で検査時の画像を用いて確認できるため、検査対象
に対して１回目に電子線を当てた時の画像を基に欠陥か
どうかを判断できる。また、しきい値の設定、結果の確
認で検査時の画像と再度検出した画像を切り換えて確認
できるため、より正確に欠陥かどうかを判断できる。ま
た、初期しきい値で欠陥候補を取出し、その情報を保持
しているため、検査しきい値よりも高感度な条件で検査
した場合に結果を得たい場合にも対応可能である。欠陥
リストに画像情報を含んでいるため結果ファイルを基
に、欠陥確認時に重要性を認識できなかった欠陥につい
て後から検査時の画像を確認できる。また、画像処理条
件設定の欠陥確認画面で検査結果の保存ができるため、
１回のみの検査の場合に検査条件設定と検査結果出力を
同時に行うことができる。

【００４５】本実施形態の第１変形は初期しきい値th0
１４６をオペレータが設定しているが、装置自身が持つ
ノイズ、統計的揺らぎで決まる最低限必要なしきい値に
自動設定する、又は自動設定したものを最初にオペレー
タに提示することも出来る。本変形によると無意味に大
量の真の欠陥で無い欠陥候補を検出する高感度なしきい
値を設定することが無い。

【００４６】本実施形態の第２の変形は限界しきい値DD
を画像処理回路１０で計算しているが、欠陥選択部４３
で欠陥候補４０の座標、投影長、面積、差画像平均値、
差画像分散、最大画像差、欠陥画像テクスチャ、参照画
像テクスチャ、画像情報等の特徴量から演算する。特徴
量としてN番目に大きい画像差を用いれば、一定面積以
上の差が大きい場所を欠陥と定義すれば限界しきい値DD
を演算できる。また、特徴量として画像情報（欠陥部と
参照画像を中心に切り出した２枚の画像）を用いれば２
枚の画像から再度、欠陥選択部と同等の欠陥判定するこ
とで限界しきい値DDを演算できる。本変形によると、画
像処理回路１０は従来の画像処理回路をそのまま用いる
ことができ、欠陥選択部４３をソフトウェアで構成すれ
ば小さい開発工数で実現できる。

【００４７】本実施形態の第３の変形はN式の検査しき
い値をオペレータが手動で設定したが、各欠陥の限界し
きい値DDの頻度分布を用いて自動で演算する。例えば、
図１３にDDの頻度分布の一例を示す。一般に正常部のDD
は小さく、欠陥部のDDは大きい。従って、頻度分布の谷
にN式の検査しきい値のうちの１つを設定する。これに
より、正常部と欠陥部を識別する検査しきい値を設定す
ることが出来る。本変形によればオペレータが設定する
必要が無い、又は設定をアシストすることができ、熟練
しないオペレータであっても正確なしきい値設定が出来
る。また、本実施形態の第４の変形は第３の実施形態で
説明したDDの頻度分布を表示し、オペレータの検査しき
い値の設定を容易にする。本変形によると視覚的に確認
しながら検査しきい値を設定できる。

【００４８】本実施形態の第５の変形は限界しきい値DD
を画像処理回路１０で計算しているが、欠陥選択部４３
で欠陥候補４０の座標、投影長、面積、差画像平均値、
差画像分散、最大画像差、欠陥画像テクスチャ、参照画
像テクスチャ、画像情報等の特徴量から演算する。特徴
量としてN番目に大きい画像差と参照画像のテクスチャ
を用いてテクスチャに応じて画像差にオフセットを加算
すれば、パターン密度に応じた限界しきい値DDを演算で
きる。また、特徴量として画像情報（欠陥部と参照画像
を中心に切り出した２枚の画像）を用いて２枚の画像か
ら欠陥選択部と異なる方式で欠陥判定することでパター
ン密度に応じた限界しきい値DDを演算できる。本変形に
よると、パターン密度に応じて感度を変更できるため、
背景のパターン密度によらない欠陥検出感度を設定でき
る。また、ソフトウェアを変更することにより感度条件
を柔軟に設定できる。本実施形態の第６の変形は欠陥選
択部４３でN式の画像処理方式と感度で欠陥判定する。
これにより、単純なしきい値の調整ではなく、より柔軟
なユーザニーズに合せた判定方法を選択、感度調整でき
る。

【００４９】本実施形態の第７の変形は欠陥候補記憶部
４１に記憶する欠陥候補４０は一定の個数に達した場合
に限界しきい値DDの大きいものを残し、小さいものを上
書きする。または、削除すべき欠陥候補を一定基準で選
択して削除フラグを立て、削除フラグのついた欠陥候補
を追加する欠陥候補で上書きする。本変形によれば、限
定された欠陥候補記憶部４３の容量でもシステムを構成
できる。

【００５０】本実施形態の第８の変形は画像処理回路１
０での特徴量にＭ式のしきい値で検査した場合に欠陥と
なるかの情報を欠陥候補４０の特徴量として出力するよ
うにし、Ｎ式の検査しきい値thN１４７を設定する場合
にはＭ式の中から選択する形式とする。本変形によれ
ば、限界しきい値DDの演算が不要である。また、単本実
施例の第９の変形はＭ式の検査条件で検査した場合に欠
陥となるかの情報を欠陥候補４０の特徴量として出力す
る。本変形によればしきい値は単純な純なしきい値でな
く例えばランクバリューフィルタなどのノイズ欠陥除去
パラメータや面積しきい値などの画像処理パラメータを
変更することができ、より柔軟にユーザニーズにこたえ
ることができる。尚、本変形には画像処理回路自体をＭ
式持つ方式をも含んでいる。

【００５１】本実施形態の第９の変形は欠陥確認は一旦
検査結果を記憶媒体に保存し、保存した検査結果を読み
出して行う。本変形によれば検査対象であるウェーハが
無くとも、検査時の画像情報を基に欠陥確認できる特徴
がある。また、検査後に判定条件やしきい値条件等の画
像処理条件を変更した場合の検査結果を得ることができ
る特徴がある。

【００５２】本実施形態の第１０の変形は検出手段とし
て光を用いる方式の例である。光学式の装置の構成を図
１４に示す。

【００５３】光源２１、及び光源２１よりの光をハーフ
ミラー(番号未設定)を介して対象物基板であるウェーハ
３１上に収束させる対物レンズ２２、及び試料室１０
７、及びウェーハ３１を搭載し任意の位置の画像検出を
可能とするステージ６、及びウェーハ３１からの反射光
を検出する一次元のイメージセンサ２３、及び二次元の
イメージセンサ４５０、及びイメージセンサ２３と二次
元イメージセンサ４５０の信号を切り替えるスイッチ４
５１、及び切り替えた検出信号をＡ／Ｄ変換器しデジタ
ル画像を得るＡ／Ｄ変換器９、及びデジタル画像を記憶
しておくメモリ１０９、及びメモリ１０９に記憶した記
憶画像とＡ／Ｄ変換したデジタル画像を比較して、差が
ある場所を欠陥候補４０として検出する画像処理回路１
０、欠陥候補４０の座標、投影長、面積、限界しきい値
DD（しきい値がこの値以下の場合に欠陥と検出されるし
きい値）、差画像平均値、差画像分散、最大画像差、欠
陥画像テクスチャ、参照画像テクスチャ、画像情報等の
特徴量を記憶する欠陥候補記憶部４１、欠陥候補記憶部
４１よりの欠陥候補４０に情報を付加したパターン欠陥
１１を出力する欠陥選択部４３、装置全体の制御と欠陥
選択部４３からのパターン欠陥１１を受け取る全体制御
部１１０(全体制御部１１０からの制御線は図上では省
略)、及び各種操作をする操作画面５２、及び操作を指
示するキーボード１２０とマウス１２１とつまみ１２２
(いずれも非表示)、及びウェーハ３１の高さを測定し対
物レンズ４の電流値をオフセット１１２を加算して制御
することで検出されるディジタル画像の焦点位置を一定
に保つＺセンサ１１３、及びカセット１１４内のウェー
ハ３１を試料室１０７に出し入れするローダ１１６(非
表示)、及びウェーハ３１の外形形状を基準にウェーハ
３１を位置決めするオリフラ検出器１１７(非表示)、及
びステージ６上に設けた標準試料片１１９よりなる。

【００５４】次に動作を説明する。動作にはSEM式と同
様にＮ式のしきい値を設定する条件出しと、検出した欠
陥候補４０に夫々のしきい値の場合に欠陥となるかの情
報を付加したパターン欠陥情報として出力する検査があ
る。ここではＳＥＭ式との差異のある部分のみについて
説明する。条件設定を開始すると全体制御部１１０は各
部に動作を以下の手順で指示する。ローダ１１６(非表
示)に指示を出し、ローダ１１６はウェーハ３１をカセ
ット１１４から取出し、オリフラ検出器１１７(非表示)
で外形形状を基準にウェーハを位置決めし、ステージ６
にウェーハ３１を搭載する。ステージ６を標準試料片１
１９に移動し、Ｚセンサ１１３有効として対物レンズ２
２の位置をＺセンサ１１３の検出値値＋オフセット１１
２の一定に保つ事で焦点位置を調整する。

【００５５】スイッチ４５１を二次元イメージセンサ４
５１に切り替え、イメージセンサ４５０で検出した信号
をＡ／Ｄ変換器９でデジタル画像とする。オフセット１
１２を変更してデジタル画像を複数枚検出し、検出毎に
全体制御部１１０で最も画像の微分値の画像内総和が最
高となる最適オフセット１１１を現在のオフセット値と
して設定する。設定後Ｚセンサ１１３を無効にし、画面
を図８で示したコントラスト調整画面に遷移する。

【００５６】コントラスト調整画面はマップ表示とウェ
ーハ全体又はダイ全体等とマップの表示方法を制御する
ボタンとマウス(図には非表示)で選択した時そこに移動
する又そこの項目を選択するという動作を指示するマウ
ス動作指示ボタン１４０を備えたマップ表示部５５、及
び二次元イメージセンサ４５０で検出した画像を表示す
る部分と画像のデジタルでズーミングした倍率を指定す
る画像切替ボタン１４１を備えた画像表示部５６、及び
レシピ作成項目選択ボタン１４２、及びレシピ作成終了
ボタン１３３、及びレシピ保存ボタン１３４より構成さ
れる。

【００５７】コントラスト調整画面ではマウス動作指示
ボタン１４０を移動モードにし、マウス１２１クリック
でマップ上を移動し、その場所の画像を画像表示部に表
示する。つまみ１２２をオフセット１１２に割り当て、
調整して適切なコントラストを得る。この時の調整値を
ウェーハ固有のオフセットとして記憶する。レシピ作成
終了ボタン１３３、及びレシピ保存ボタン１３４、及び
レシピ作成項目選択ボタン１４２はそれぞれレシピ作成
の終了、及びレシピ条件の保存、及び別の条件の設定と
画面遷移を指示するボタンで全画面共通である。レシピ
作成項目選択ボタン１４２を画像処理条件設定画面に切
り替えることで図９に示す画像処理条件設定画面に遷移
する。

【００５８】試し検査開始画面はマップ表示部５５、及
びレシピ作成終了ボタン１３３、及びレシピ保存ボタン
１３４、及びレシピ作成項目選択ボタン１４２、及び検
査開始ボタン１４３、及び検査終了ボタン１４４、及び
初期しきい値設定部品１４５より構成される。マウス動
作選択ボタン１４０は選択モードにしてある。ユーザが
マップ表示部のダイをクリックすることで試しに検査の
対象となるダイの選択／非選択を切り替え、検査対象と
するダイを選択する。検査対象のダイを選定し、初期し
きい値設定部品１４５で初期しきい値th0１４６(図示し
ていない)を設定後、検査開始ボタン１４３で試し検査
の開始を指示する。試し検査を開始するとステージ６を
移動し、搭載したウェーハ３１の検査すべき領域の走査
開始位置に移動する。

【００５９】オフセット１１２に予め測定しておいたウ
ェーハ固有のオフセットを加算して設定し、Ｚセンサ１
１３を有効にし、スイッチ４５１をイメージセンサ２３
に切り替える。図３に示した走査線３３に沿ってステー
ジ６をＹ方向走査し、反射光をイメージセンサ２３で検
出、Ａ／Ｄ変換器９でストライプ領域３４のデジタル画
像を得、メモリ１０９に記憶する。ステージ６の走査終
了後Ｚセンサ１１３を無効とする。ステージ走査を繰り
返すことで必要な領域全面の検査をする。ウェーハ３１
の全面を検査する場合には図１０に示した順で検査す
る。本変形によれば光学式の検査装置でウェーハ３１を
検査できるためＳＥＭ式とは異なった欠陥種を検出可能
な特徴がある。

【００６０】本実施例の第１１の変形の構成を図１５に
示す。図はネットワーク５００に接続した構成を示して
いる。ネットワーク５００にはサーバ５０１、及び検査
装置Ａ５０２、及び検査装置Ｂ５０３、及びレビュー装
置５０４、及び欠陥確認装置５０５を接続する。検査装
置Ａ５０２、又は検査装置Ｂ５０３で検出したパターン
欠陥１１の情報をネットワーク経由で一旦サーバ５０１
に記憶する。ウェーハ３１を検査装置Ａ５０２、又は検
査装置Ｂ５０３から取り出し、レビュー装置５０４に設
定する。

【００６１】レビュー時に図１２に示した検査時欠陥確
認画面を表示する。この時、画像表示部５６に表示する
画像は検査装置Ａ５０２、又は検査装置Ｂ５０３が検査
時に取得した画像、又はレビュー装置で欠陥位置に移動
して取得した画像を切り替えて表示できる。これにより
レビュー装置で検査時の画像を確認できる。また、検査
しきい値設定部品１５３を切り替えることでレビュー装
置上でＮ式の検査しきい値thN１４７を切り替えて確認
できる。また、表示しきい値設定部品１５２を調整する
ことで表示するしきい値を調整できる。

【００６２】これらにより、レビュー装置上で多くの情
報を得ることができ、必要な判断を正確に下すことがで
きる。また、レビュー装置上の自動欠陥分類機能に検査
時の画像情報を用いることで、一部のシーケンスを簡略
化したり、より正確な分類ができる特徴がある。また、
欠陥確認装置５０５ではウェーハ３１はハンドリングし
ないが、パターン欠陥１１の情報を解析する装置であ
る。

【００６３】画像表示部５６に表示する画像は検査装置
Ａ５０２、又は検査装置Ｂ５０３が検査時に取得した画
像を表示できる。これにより欠陥確認装置５０５での解
析時に検査時の画像を確認できる。また、検査しきい値
設定部品１５３を切り替えることでレビュー装置上でＮ
式の検査しきい値thN１４７を切り替えて確認できる。
また、表示しきい値設定部品１５２を調整することで表
示するしきい値を調整できる。これらにより、欠陥確認
装置５０５上で多くの情報を得ることができ、必要な判
断を正確に下すことができる。

【００６４】また、欠陥確認装置で複数枚のウェーハの
情報を扱う場合に、表示しきい値を変えた場合の情報変
化、複数の検査しきい値thN１４７を切り替えたときの
情報変化を確認できる。また、解析の過程で特定の場所
の欠陥について情報が更に必要となった場合に、対象と
なるウェーハが既に無くなった後でも検査時の画像を確
認できる。これらにより、複数枚のウェーハの統計解析
時により多くの情報を得ることができ、正確に判断でき
る。また、ウェーハがメモリ製品の場合にはフェイルビ
ットマップとの突き合わせ時、その他の製品であっても
電気的特性検査時に特定場所の欠陥が問題になることが
ある。対象となるウェーハが既にに無くなった後でも検
査時の画像を確認できる。これらにより、フェイルビッ
トマップとの突き合わせ時、電気的特性検査時により多
くの情報を得ることができ、正確に判断できる。

【００６５】尚、情報はサーバ５０１を介して転送する
と説明したが、直接必要な装置に転送することもでき
る。小規模なシステム構成時に有効な特徴がある。

【００６６】尚、情報の転送をネットワーク経由で説明
したが、フロッピー（登録商標）ディスク、Ｍｏディス
ク、ＤＶＤＲＡＭ、テープ等の記憶媒体を用いても良
い。この場合、転送する情報を一定期間、例えばウェー
ハの製造が完了するまでの期間、又は半永久的に保管し
ておき、必要なときに取り出して確認できる特徴があ
る。

【００６７】本実施例の第１２の変形を説明する。検査
時欠陥確認画面を図１２ではなく図１１を用いる。これ
により、実際の検査であっても検査しきい値を変更でき
る。より柔軟に条件設定ができる特徴がある。

【００６８】〔第２の実施の形態〕本発明の第２の実施
形態を説明する。図１６に第２の実施形態の構成を示
す。

【００６９】電子線２を発生させる電子線源１、及び電
子線源１からの電子線２を電極で加速して取出し静電又
は磁界重畳レンズで一定場所に仮想光源１０１を作る電
子銃１０２と仮想光源１０１よりの電子線２を一定場所
に収束させるコンデンサレンズ１０３と電子銃１０２で
収束した位置の近傍に設置し電子線２のON/OFFを制御を
するブランキングプレート１０４と電子線２をＸＹ方向
に偏向する偏向器１０５と電子線２を対象物基板５上に
収束させる対物レンズ４よりなる電子光学系１０６、及
び対象物基板であるウェーハ３１を真空に保持する試料
室１０７、及びウェーハ３１を搭載し任意の位置の画像
検出を可能とするリターディング電圧１０８を印可した
ステージ６、及び対象物基板５からの二次電子等７を検
出する検出器８、及び検出器８で検出した検出信号をＡ
／Ｄ変換器しデジタル画像を得るＡ／Ｄ変換器９、及び
デジタル画像を記憶しておくメモリ１０９、及びメモリ
１０９に記憶した記憶画像とＡ／Ｄ変換したデジタル画
像を比較して、差がある場所を欠陥候補Ａ４４（欠陥候
補Ａ４４には座標、投影長、面積、限界しきい値DD（し
きい値がこの値以下の場合に欠陥と検出されるしきい
値）、差画像平均値、差画像分散、最大画像差、欠陥画
像テクスチャ、参照画像テクスチャ、画像情報等の特徴
量を含んでいる）として検出する画像処理回路Ａ４５、
及びメモリ１０９に記憶した記憶画像とＡ／Ｄ変換した
デジタル画像を比較して、差がある場所を欠陥候補Ｂ４
６（欠陥候補Ｂ４６には座標、投影長、面積、限界しき
い値DD（しきい値がこの値以下の場合に欠陥と検出され
るしきい値）、差画像平均値、差画像分散、最大画像
差、欠陥画像テクスチャ、参照画像テクスチャ、画像情
報等の特徴量を含んでいる。）として検出する画像処理
回路Ｂ４７、及び欠陥候補Ａ４４と欠陥候補Ｂ４６を選
択して記憶する欠陥選択記憶部４８、及び装置全体の制
御と欠陥選択記憶部４８からのパターン欠陥１１を受け
取る全体制御部１１０(全体制御部１１０からの制御線
は図上では省略)、及び各種操作をする操作画面５２、
及び操作を指示するキーボード１２０とマウス１２１と
つまみ１２２(いずれも非表示)、及びウェーハ３１の高
さを測定し対物レンズ４の電流値をオフセット１１２を
加算して制御することで検出されるディジタル画像の焦
点位置を一定に保つＺセンサ１１３、及びカセット１１
４内のウェーハ３１を試料室１０７に出し入れするロー
ダ１１６(非表示)、及びウェーハ３１の外形形状を基準
にウェーハ３１を位置決めするオリフラ検出器１１７
(非表示)、及びウェーハ３１上のパターンを観察する為
の光学式顕微鏡１１８、及びステージ６上に設けた標準
試料片１１９よりなる。

【００７０】第２の実施形態の動作を説明する。動作に
はＮ式のしきい値を設定する条件出しと、検出した欠陥
候補４０に夫々のしきい値の場合に欠陥となるかの情報
を付加したパターン欠陥情報として出力する検査があ
る。

【００７１】条件出しは操作画面５２に図７で示した開
始画面を表示し、ユーザが対象となるウェーハ３１のあ
る棚番を棚番選択部品１３０で選択し、レシピ選定部品
１３１で対象となるウェーハ３１の品種、工程を指定
し、レシピ作成開始ボタン１３２を押すことで条件出し
を開始する。条件出しには電子光学系の条件を設定する
コントラスト設定、ウェーハ３１のパターンレイアウト
設定、ウェーハ３１のパターンの位置決めをするアライ
メント、ウェーハ３１の信号量を的確に表現する場所で
信号量の確認をするキャリブレーション、画像処理しき
い値の設定と確認をする画像処理条件設定がある。ここ
では関連するコントラストの設定、画像処理条件の設定
の２点について説明する。

【００７２】開始すると全体制御部１１０は各部に動作
を以下の手順で指示する。ローダ１１６(非表示)に指示
を出し、ローダ１１６はウェーハ３１をカセット１１４
から取出し、オリフラ検出器１１７(非表示)で外形形状
を基準にウェーハを位置決めし、ステージ６にウェーハ
３１を搭載し、試料室１０７内を真空にする。搭載と共
に、電子光学系１０６とリターディング電圧１０８の条
件を設定し、ブランキングプレート１０４に電圧を印可
して電子線２をOFFする。

【００７３】ステージを標準試料片１１９に移動し、Ｚ
センサ１１３有効として焦点をＺセンサ１１３の検出値
値＋オフセット１１２の一定に保ち、偏向器１０５をラ
スタスキャンし、スキャンに同期してブランキングプレ
ート１０４の電圧を切り、電子線２を必要なときのみウ
ェーハ３１に照射し、その時ウェーハ３１より発生する
反射電子又は二次電子を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器
９でデジタル画像とする。オフセット１１２を変更して
デジタル画像を複数枚検出し、検出毎に全体制御部１１
０で最も画像の微分値の画像内総和が最高となる最適オ
フセット１１１を現在のオフセット値として設定する。

【００７４】設定後、Ｚセンサ１１３を無効にし、画面
を図８で示したコントラスト調整画面に遷移する。コン
トラスト調整画面はマップ表示とウェーハ全体又はダイ
全体等とマップの表示方法を制御するボタンとマウス
(図には非表示)で選択した時そこに移動する又そこの項
目を選択するという動作を指示するマウス動作指示ボタ
ン１４０を備えたマップ表示部５５、及び画像を表示す
る部分と画像の倍率と光顕１１８での光顕画像又は電子
光学系１０６でのSEM画像と画像の種類を指定する画像
切替ボタン１４１を備えた画像表示部５６、及びレシピ
作成項目選択ボタン１４２、及びレシピ作成終了ボタン
１３３、及びレシピ保存ボタン１３４より構成される。
コントラスト調整画面ではマウス動作指示ボタン１４０
を移動モードにし、マウス１２１クリックでマップ上を
移動し、その場所の画像を画像表示部に表示する。つま
み１２２に電子光学系調整項目を割り当て、電子光学系
１０６の各部を調整して適切なコントラストを得る。

【００７５】レシピ作成終了ボタン１３３、及びレシピ
保存ボタン１３４、及びレシピ作成項目選択ボタン１４
２はそれぞれレシピ作成の終了、及びレシピ条件の保
存、及び別の条件の設定と画面遷移を指示するボタンで
全画面共通である。レシピ作成項目選択ボタン１４２を
画像処理条件設定画面に切り替えることで図１７に示す
画像処理条件設定画面に遷移する。

【００７６】試し検査開始画面はマップ表示部５５、及
びレシピ作成終了ボタン１３３、及びレシピ保存ボタン
１３４、及びレシピ作成項目選択ボタン１４２、及び検
査開始ボタン１４３、及び検査終了ボタン１４４、及び
画像処理回路Ａ４５のしきい値設定部品Ａ４１０、及び
画像処理回路Ｂ４７のしきい値設定部品Ｂ４１１より構
成される。マウス動作選択ボタン１４０は選択モードに
してある。ユーザがマップ表示部のダイをクリックする
ことで試しに検査の対象となるダイの選択／非選択を切
り替え、検査対象とするダイを選択する。検査対象のダ
イを選定し、しきい値設定部品Ａ４１０、及びしきい値
設定部品Ｂ４１１でしきい値thA４１２、thB４１３(図
示していない)を設定後、検査開始ボタン１４３で試し
検査の開始を指示する。

【００７７】試し検査を開始するとステージ６を移動
し、搭載したウェーハ３１の検査すべき領域の走査開始
位置に移動する。オフセット１１２に予め測定しておい
たウェーハ固有のオフセットを加算して設定し、Ｚセン
サ１１３を有効にし、図３に示した走査線３３に沿って
ステージ６をＹ方向走査し、ステージ走査に同期して偏
向器１０５をＸ方向に走査し、有効走査時にブランキン
グプレート１０４の電圧を切り電子線２をウェーハ３１
に照射、走査する。ウェーハ３１より発生する反射電子
又は二次電子を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器９でスト
ライプ領域３４のデジタル画像を得、メモリ１０９に記
憶する。ステージ６の走査終了後Ｚセンサ１１３を無効
とする。ステージ走査を繰り返すことで必要な領域全面
の検査をする。ウェーハ３１の全面を検査する場合には
図１０に示した順で検査する。

【００７８】画像処理回路Ａ４５、画像処理回路Ｂ４７
で検出位置A ３５を検出している場合にはメモリ１０９
に記憶した検出位置B ３６の画像と比較しそれぞれしき
い値thA４１２、thB４１３以上の差がある場所をそれぞ
れ欠陥候補A４４、欠陥候補B４６として抽出し、欠陥選
択記憶部４８で欠陥情報をマージして欠陥候補A４４の
みに現れるか、欠陥候補B４６に現れるか、双方に現れ
るかの情報を付加してパターン欠陥１１のリストを作成
し、全体制御部１１０に送信する。全体制御部１１０で
は欠陥候補記憶部４１からのパターン欠陥１１の特徴量
を受け取る。必要な領域の検査終了後に図１８に示した
欠陥確認画面を表示する。

【００７９】欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分
類を編集できる欠陥表示編集部品１５０、及び現在位置
を示す現在位置表示５９と分類番号を記号表示したパタ
ーン欠陥１１をウェーハ３１のレイアウト情報とともに
表示したマップ表示部５５、及び現在の位置の画像を表
示した画像表示部５６、及び欠陥候補Ａ４４と欠陥候補
Ｂ４６の表示を切り替える表示切替ボタン１５１、及び
すでに説明した各種ボタンで構成されている。表示切り
換えボタン１５１で表示する欠陥候補Ａ４４と欠陥候補
Ｂ４６を切り換える。

【００８０】マウス動作指示ボタン１４０を選択モード
とし、パターン欠陥１１をクリックすることでその画像
情報として保存している検査時の画像、又は再度欠陥の
場所に移動して画像を取得した画像を画像表示部５６、
特徴量を欠陥表示編集部品１５０に表示する。画像と特
徴量を基にパターン欠陥１１を分類し、欠陥表示編集部
品１５０で分類番号をそのパターン欠陥１１の特徴量に
付与する。分類を付与するとマップ表示部で分類を表示
図形、又は表示色等の違いとして識別可能とする。オペ
レータはマップ表示部５５に表示されている付与した分
類を参考にしきい値thA４１２とthB４１３の妥当性を確
認する。設定が良くない場合には画像処理条件設定画面
に戻り再度条件設定、検査、欠陥確認をする。設定終了
後に、レシピ保存ボタンで設定したしきい値thA４１２
とthB４１３などをレシピに保存する。また、検査終了
ボタンで試し検査初期画面に戻る。

【００８１】保存終了後に完了ボタン１６１で試し検査
の欠陥確認画面に戻る。更に、欠陥確認画面の検査終了
ボタン１４４で試し検査初期画面に戻る。再度試し検査
の検査ダイを設定し、試し検査を行うこともできる。確
認終了で、レシピ終了ボタン１３３を押してレシピ作成
を終了する。作成終了でウェーハ３１をアンロードして
元のカセット１１４に戻す。

【００８２】次に、検査について説明する。検査は操作
画面５２に図７で示した開始画面を表示し、ユーザが対
象となるウェーハ３１の存在する棚番を棚番選択部品１
３０で選択し、レシピ選定部品１３１で対象となるウェ
ーハ３１の品種、工程を指定し、検査開始ボタン３３０
を押すことで検査を開始する。検査はウェーハのロー
ド、アライメント、キャリブレーションを行った後、検
査処理を行い、欠陥確認、欠陥出力後、ウェーハをアン
ロードして終了する。ここでは、本発明に関連のある検
査処理と、欠陥確認について説明する。

【００８３】検査開始ボタン３３０で検査の開始を指示
する。検査を開始するとステージ６を移動し、搭載した
ウェーハ３１の検査すべき領域の走査開始位置に移動す
る。オフセット１１２に予め測定しておいたウェーハ固
有のオフセットを加算して設定し、Ｚセンサ１１３を有
効にし、図３に示した走査線３３に沿ってステージ６を
Ｙ方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器１０５を
Ｘ方向に走査し、有効走査時にブランキングプレート１
０４の電圧を切り電子線２をウェーハ３１に照射、走査
する。ウェーハ３１より発生する反射電子又は二次電子
を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器９でストライプ領域３
４のデジタル画像を得、メモリ１０９に記憶する。ステ
ージ６の走査終了後Ｚセンサ１１３を無効とする。ステ
ージ走査を繰り返すことで必要な領域全面の検査をす
る。ウェーハ３１の全面を検査する場合には図１０に示
した順で検査する。

【００８４】画像処理回路A４５、画像処理回路B４７で
検出位置A ３５を検出している場合にはメモリ１０９に
記憶した検出位置B ３６の画像と比較しそれぞれしきい
値thA４１２とthB４１３以上の差がある場所をそれぞれ
欠陥候補A４４、欠陥候補B４６として抽出し、欠陥選択
記憶部１４８でパターン欠陥１１のリストを作成し、全
体制御部１１０に送信する。全体制御部１１０では欠陥
候補記憶部４１からのパターン欠陥１１の特徴量を受け
取り、必要な領域の検査終了後に図１９に示した欠陥確
認画面を表示する。

【００８５】欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分
類を編集できる欠陥表示編集部品１５０、及び現在位置
を示す現在位置表示５９と分類番号を記号表示したパタ
ーン欠陥１１をウェーハ３１のレイアウト情報とともに
表示したマップ表示部５５、及び現在の位置の画像を表
示した画像表示部５６、及び欠陥候補Ａ４４と欠陥候補
Ｂ４６を切り替える表示切替ボタン１５１、及び検査終
了を指示する検査終了ボタン１４４より構成されてい
る。マウス動作指示ボタン１４０を選択モードとし、パ
ターン欠陥１１をクリックすることでその画像を画像表
示部５６、特徴量を欠陥表示編集部品１５０に表示す
る。画像と特徴量を基にパターン欠陥１１を分類し、欠
陥表示編集部品１５０で分類番号をそのパターン欠陥１
１の特徴量に付与する。N式の検査しきい値thNを切り替
える表示切替ボタン１５１で検査しきい値thNを切り換
えてそのしきい値で欠陥となる欠陥候補のみを表示でき
る。検査終了ボタンで欠陥確認を終了し、結果を出力後
に初期画面に戻る。

【００８６】本実施形態によると、N式のしきい値の検
査結果を1回の検査で得ることができる。また、しきい
値の設定、結果の確認で検査時の画像を用いて確認でき
るため、検査対象に対して１回目に電子線を当てた時の
画像を基に欠陥かどうかを判断できる。また、しきい値
の設定、結果の確認で検査時の画像と再度検出した画像
を切り換えて確認できるため、より正確に欠陥かどうか
を判断できる。欠陥リストに画像情報を含んであるため
結果ファイルを基に、欠陥確認時に重要性を認識できな
かった欠陥について後から検査時の画像を確認できる。

【００８７】〔第３の実施の形態〕本発明の第３の実施
形態を説明する。図２０に第３の実施形態の構成を示
す。電子線２を発生させる電子線源１、及び電子線源１
からの電子線２を電極で加速して取出し静電又は磁界重
畳レンズで一定場所に仮想光源１０１を作る電子銃１０
２と仮想光源１０１よりの電子線２を一定場所に収束さ
せるコンデンサレンズ１０３と電子銃１０２で収束した
位置の近傍に設置し電子線２のON/OFFを制御をするブラ
ンキングプレート１０４と電子線２をＸＹ方向に偏向す
る偏向器１０５と電子線２を対象物基板５上に収束させ
る対物レンズ４よりなる電子光学系１０６、及び対象物
基板であるウェーハ３１を真空に保持する試料室１０
７、及びウェーハ３１を搭載し任意の位置の画像検出を
可能とするリターディング電圧１０８を印可したステー
ジ６、及び対象物基板５からの二次電子等７を検出する
検出器８、及び検出器８で検出した検出信号をＡ／Ｄ変
換器しデジタル画像を得るＡ／Ｄ変換器９、及びデジタ
ル画像を記憶しておくメモリ１０９、及びメモリ１０９
に記憶した記憶画像とＡ／Ｄ変換したデジタル画像を比
較して、差がある場所を欠陥候補４０として検出する画
像処理回路１０、欠陥候補４０の座標、投影長、面積、
限界しきい値DD（しきい値がこの値以下の場合に欠陥と
検出されるしきい値）、差画像平均値、差画像分散、最
大画像差、欠陥画像テクスチャ、参照画像テクスチャ、
画像情報等の特徴量を記憶する欠陥候補記憶部４１、欠
陥候補記憶部４１よりの欠陥候補４０に設計情報４２を
もとに情報を付加してパターン欠陥１１を出力する欠陥
選択部４３、装置全体の制御と欠陥選択部４３からのパ
ターン欠陥１１を受け取る全体制御部１１０(全体制御
部１１０からの制御線は図上では省略)、及び各種操作
をする操作画面５２、及び操作を指示するキーボード１
２０とマウス１２１とつまみ１２２(いずれも非表示)、
及びウェーハ３１の高さを測定し対物レンズ４の電流値
をオフセット１１２を加算して制御することで検出され
るディジタル画像の焦点位置を一定に保つＺセンサ１１
３、及びカセット１１４内のウェーハ３１を試料室１０
７に出し入れするローダ１１６(非表示)、及びウェーハ
３１の外形形状を基準にウェーハ３１を位置決めするオ
リフラ検出器１１７(非表示)、及びウェーハ３１上のパ
ターンを観察する為の光学式顕微鏡１１８、及びステー
ジ６上に設けた標準試料片１１９よりなる。

【００８８】第３の実施形態の動作を説明する。動作に
は設計情報をもとにしきい値を設定する条件出しと、検
出した欠陥候補４０に領域毎に感度を調整した場合に欠
陥となるかの情報を付加したパターン欠陥情報として出
力する検査がある。

【００８９】条件出しは操作画面５２に図７で示した開
始画面を表示し、ユーザが対象となるウェーハ３１のあ
る棚番を棚番選択部品１３０で選択し、レシピ選定部品
１３１で対象となるウェーハ３１の品種、工程を指定
し、レシピ作成開始ボタン１３２を押すことで条件出し
を開始する。条件出しには電子光学系の条件を設定する
コントラスト設定、ウェーハ３１のパターンレイアウト
設定、ウェーハ３１のパターンの位置決めをするアライ
メント、ウェーハ３１の信号量を的確に表現する場所で
信号量の確認をするキャリブレーション、画像処理しき
い値の設定と確認をする画像処理条件設定がある。ここ
では関連するコントラストの設定、画像処理条件の設定
の２点について説明する。

【００９０】開始すると全体制御部１１０は各部に動作
を以下の手順で指示する。ローダ１１６(非表示)に指示
を出し、ローダ１１６はウェーハ３１をカセット１１４
から取出し、オリフラ検出器１１７(非表示)で外形形状
を基準にウェーハを位置決めし、ステージ６にウェーハ
３１を搭載し、試料室１０７内を真空にする。搭載と共
に、電子光学系１０６とリターディング電圧１０８の条
件を設定し、ブランキングプレート１０４に電圧を印可
して電子線２をOFFする。

【００９１】ステージを標準試料片１１９に移動し、Ｚ
センサ１１３有効として焦点をＺセンサ１１３の検出値
値＋オフセット１１２の一定に保ち、偏向器１０５をラ
スタスキャンし、スキャンに同期してブランキングプレ
ート１０４の電圧を切り、電子線２を必要なときのみウ
ェーハ３１に照射し、その時ウェーハ３１より発生する
反射電子又は二次電子を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器
９でデジタル画像とする。オフセット１１２を変更して
デジタル画像を複数枚検出し、検出毎に全体制御部１１
０で最も画像の微分値の画像内総和が最高となる最適オ
フセット１１１を現在のオフセット値として設定する。

【００９２】設定後、Ｚセンサ１１３を無効にし、画面
を図８で示したコントラスト調整画面に遷移する。コン
トラスト調整画面はマップ表示とウェーハ全体又はダイ
全体等とマップの表示方法を制御するボタンとマウス
(図には非表示)で選択した時そこに移動する又そこの項
目を選択するという動作を指示するマウス動作指示ボタ
ン１４０を備えたマップ表示部５５、及び画像を表示す
る部分と画像の倍率と光顕１１８での光顕画像又は電子
光学系１０６でのSEM画像と画像の種類を指定する画像
切替ボタン１４１を備えた画像表示部５６、及びレシピ
作成項目選択ボタン１４２、及びレシピ作成終了ボタン
１３３、及びレシピ保存ボタン１３４より構成される。
コントラスト調整画面ではマウス動作指示ボタン１４０
を移動モードにし、マウス１２１クリックでマップ上を
移動し、その場所の画像を画像表示部に表示する。つま
み１２２に電子光学系調整項目を割り当て、電子光学系
１０６の各部を調整して適切なコントラストを得る。

【００９３】レシピ作成終了ボタン１３３、及びレシピ
保存ボタン１３４、及びレシピ作成項目選択ボタン１４
２はそれぞれレシピ作成の終了、及びレシピ条件の保
存、及び別の条件の設定と画面遷移を指示するボタンで
全画面共通である。レシピ作成項目選択ボタン１４２を
画像処理条件設定画面に切り替えることで図９に示す画
像処理条件設定画面に遷移する。

【００９４】試し検査開始画面はマップ表示部５５、及
びレシピ作成終了ボタン１３３、及びレシピ保存ボタン
１３４、及びレシピ作成項目選択ボタン１４２、及び検
査開始ボタン１４３、及び検査終了ボタン１４４、及び
初期しきい値設定部品１４５より構成される。マウス動
作選択ボタン１４０は選択モードにしてある。ユーザが
マップ表示部のダイをクリックすることで試しに検査の
対象となるダイの選択／非選択を切り替え、検査対象と
するダイを選択する。検査対象のダイを選定し、初期し
きい値設定部品１４５で初期しきい値th0１４６(図示し
ていない)を設定後、検査開始ボタン１４３で試し検査
の開始を指示する。

【００９５】試し検査を開始するとステージ６を移動
し、搭載したウェーハ３１の検査すべき領域の走査開始
位置に移動する。オフセット１１２に予め測定しておい
たウェーハ固有のオフセットを加算して設定し、Ｚセン
サ１１３を有効にし、図３に示した走査線３３に沿って
ステージ６をＹ方向走査し、ステージ走査に同期して偏
向器１０５をＸ方向に走査し、有効走査時にブランキン
グプレート１０４の電圧を切り電子線２をウェーハ３１
に照射、走査する。ウェーハ３１より発生する反射電子
又は二次電子を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器９でスト
ライプ領域３４のデジタル画像を得、メモリ１０９に記
憶する。ステージ６の走査終了後Ｚセンサ１１３を無効
とする。ステージ走査を繰り返すことで必要な領域全面
の検査をする。ウェーハ３１の全面を検査する場合には
図１０に示した順で検査する。

【００９６】画像処理回路１０で検出位置A ３５を検出
している場合にはメモリ１０９に記憶した検出位置B ３
６の画像と比較し初期しきい値th0１４６以上の差があ
る場所を欠陥候補４０として抽出し、欠陥候補４０の座
標、投影長、面積、限界しきい値（しきい値がこの値以
下の場合に欠陥と検出されるしきい値）、差画像平均
値、差画像分散、最大画像差、欠陥画像テクスチャ、参
照画像テクスチャ、画像情報等の特徴量を欠陥候補記憶
部４１に記憶する。欠陥選択部４３では欠陥候補４０の
限界しきい値DDがN式の検査しきい値thI(但しこの時点
ではthIは１式でthN=th0)以上であるかどうかの情報を
付加してパターン欠陥１１のリストを作成し、全体制御
部１１０に送信する。全体制御部１１０では欠陥選択部
４３からのパターン欠陥１１の特徴量を受け取る。必要
な領域の検査終了後に図１１に示した欠陥確認画面を表
示する。

【００９７】欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分
類を編集できる欠陥表示編集部品１５０、及び現在位置
を示す現在位置表示５９と分類番号を記号表示したパタ
ーン欠陥１１をウェーハ３１のレイアウト情報とともに
表示したマップ表示部５５、及び現在の位置の画像を表
示した画像表示部５６、表示する欠陥のしきい値の範囲
(上限しきい値thh、下限しきい値thl)を設定する表示し
きい値設定部品１５２、及び設計情報４２を基に高感度
で検査したい一定以上のパターン密度を持つ又は特定の
材質で構成された領域などの欠陥候補のみを表示する表
示切替ボタン１５１、現在の表示しきい値設定部品１５
２で設定されている表示しきい値の上限thh、又は下限t
hl、又は任意のしきい値を設計情報の条件毎に設定する
検査しきい値設定部品１５３、及びすでに説明した各種
ボタンで構成されている。

【００９８】表示しきい値設定部品１５２の上下限しき
い値thl、thhを設定する。thl、thhの設定を変更する
と、各欠陥候補の限界しきい値DDとthl、thhを比較し、
thl<DD<thhの欠陥候補のみをマップ表示部５５に表示す
る。

【００９９】表示したマウス動作指示ボタン１４０を選
択モードとし、パターン欠陥１１をクリックすることで
その画像情報として保存している検査時の画像、又は再
度欠陥の場所に移動して画像を取得した画像を画像表示
部５６、特徴量を欠陥表示編集部品１５０に表示する。
画像と特徴量を基にパターン欠陥１１を分類し、欠陥表
示編集部品１５０で分類番号をそのパターン欠陥１１の
特徴量に付与する。分類を付与するとマップ表示部で分
類を表示図形、又は表示色等の違いとして識別可能とす
る。

【０１００】マップ表示部５５に表示されている付与し
た分類を参考に設計情報の条件毎の検査しきい値thI４
２０（表示していない）をユーザが判断して決定する。
決定した検査しきい値を検査しきい値設定部品１５３で
現在の設計情報の条件毎の検査しきい値thI４２０に設
定する。設定終了後に、レシピ保存ボタンで設定した初
期しきい値th0１４６、設計情報の条件毎の検査しきい
値thI４２０などをレシピに保存する。また、検査終了
ボタンで試し検査初期画面に戻る。欠陥候補４０として
検出されるものは初期しきい値th0１４６以上の差をも
つものである。従って、表示しきい値設定部品１５２、
検査しきい値設定部品１５３で設定するしきい値はth0
より大き必要がある。th0を十分小さく設定しておけば
必要な値を設定可能である。

【０１０１】保存終了後に完了ボタン１６１で試し検査
の欠陥確認画面に戻る。更に、欠陥確認画面の検査終了
ボタン１４４で試し検査初期画面に戻る。再度試し検査
の検査ダイを設定し、試し検査を行うこともできる。確
認終了で、レシピ終了ボタン１３３を押してレシピ作成
を終了する。作成終了でウェーハ３１をアンロードして
元のカセット１１４に戻す。

【０１０２】次に、検査について説明する。検査は操作
画面５２に図７で示した開始画面を表示し、ユーザが対
象となるウェーハ３１の存在する棚番を棚番選択部品１
３０で選択し、レシピ選定部品１３１で対象となるウェ
ーハ３１の品種、工程を指定し、検査開始ボタン３３０
を押すことで検査を開始する。検査はウェーハのロー
ド、アライメント、キャリブレーションを行った後、検
査処理を行い、欠陥確認、欠陥出力後、ウェーハをアン
ロードして終了する。ここでは、本発明に関連のある検
査処理と、欠陥確認について説明する。

【０１０３】検査開始ボタン３３０で検査の開始を指示
する。検査を開始するとステージ６を移動し、搭載した
ウェーハ３１の検査すべき領域の走査開始位置に移動す
る。オフセット１１２に予め測定しておいたウェーハ固
有のオフセットを加算して設定し、Ｚセンサ１１３を有
効にし、図３に示した走査線３３に沿ってステージ６を
Ｙ方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器１０５を
Ｘ方向に走査し、有効走査時にブランキングプレート１
０４の電圧を切り電子線２をウェーハ３１に照射、走査
する。ウェーハ３１より発生する反射電子又は二次電子
を検出器８で検出、Ａ／Ｄ変換器９でストライプ領域３
４のデジタル画像を得、メモリ１０９に記憶する。ステ
ージ６の走査終了後Ｚセンサ１１３を無効とする。ステ
ージ走査を繰り返すことで必要な領域全面の検査をす
る。ウェーハ３１の全面を検査する場合には図１０に示
した順で検査する。

【０１０４】画像処理回路１０で検出位置A ３５を検出
している場合にはメモリ１０９に記憶した検出位置B ３
６の画像と比較し初期しきい値th0１４６以上の差があ
る場所を欠陥候補４０として抽出し、欠陥選択部１４３
で欠陥候補４０の限界しきい値DDが設計情報の条件毎に
設定した検査しきい値thI以上であるかどうかの情報を
付加してパターン欠陥１１のリストを作成し、全体制御
部１１０に送信する。全体制御部１１０では欠陥候補記
憶部４１からのパターン欠陥１１の特徴量を受け取り、
必要な領域の検査終了後に図１２に示した検査時欠陥確
認画面を表示する。

【０１０５】欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分
類を編集できる欠陥表示編集部品１５０、及び現在位置
を示す現在位置表示５９と分類番号を記号表示したパタ
ーン欠陥１１をウェーハ３１のレイアウト情報とともに
表示したマップ表示部５５、及び現在の位置の画像を表
示した画像表示部５６、及び設計情報４２を基に高感度
で検査したい一定以上のパターン密度を持つ又は特定の
材質で構成された領域などの欠陥候補のみを表示する表
示切替ボタン１５１、及び検査終了を指示する検査終了
ボタン１４４より構成されている。

【０１０６】マウス動作指示ボタン１４０を選択モード
とし、パターン欠陥１１をクリックすることでその画像
を画像表示部５６、特徴量を欠陥表示編集部品１５０に
表示する。画像と特徴量を基にパターン欠陥１１を分類
し、欠陥表示編集部品１５０で分類番号をそのパターン
欠陥１１の特徴量に付与する。設計情報４２を基に特定
の領域の欠陥候補のみを表示する表示切替ボタン１５１
で検査しきい値thIを切り換えてその特定領域でその領
域の検査しきい値thIで欠陥となる欠陥候補のみを表示
できる。また、表示しきい値設定部品１５２で設定した
しきい値範囲thlとthhの範囲の欠陥候補４０を表示させ
ることも出来る。検査終了ボタンで欠陥確認を終了し、
結果を出力後に初期画面に戻る。

【０１０７】本実施形態によると、設計情報４２を基に
特定の領域の毎に異なる画像処理条件の検査結果を得る
ことができる。また、検査後にしきい値が妥当でなかっ
た場合にしきい値を修正して確認することができる。ま
た、しきい値の設定、結果の確認で検査時の画像を用い
て確認できるため、検査対象に対して１回目に電子線を
当てた時の画像を基に欠陥かどうかを判断できる。ま
た、しきい値の設定、結果の確認で検査時の画像と再度
検出した画像を切り換えて確認できるため、より正確に
欠陥かどうかを判断できる。また、初期しきい値で欠陥
候補を取出し、その情報を保持しているため、検査しき
い値よりも高感度な条件で検査した場合に結果を得たい
場合にも対応可能である。欠陥リストに画像情報を含ん
であるため結果ファイルを基に、欠陥確認時に重要性を
認識できなかった欠陥について後から検査時の画像を確
認できる。

【０１０８】本実施形態の第１変形は初期しきい値th0
１４６をオペレータが設定しているが、装置自身が持つ
ノイズ、統計的揺らぎで決まる最低限必要なしきい値に
自動設定する、又は自動設定したものを最初にオペレー
タに提示することも出来る。

【０１０９】本変形例によると、無意味に大量の真の欠
陥でない欠陥候補を検出する高感度なしきい値を設定す
ることがない。

【０１１０】本実施形態の第２変形例は、限界しきい値
DDを画像処理回路１０で計算しているが、欠陥選択部４
３で欠陥候補４０の座標、投影長、面積、差画像平均
値、差画像分散、最大画像差、欠陥画像テクスチャ、参
照画像テクスチャ、画像情報等の特徴量から演算する。
特徴量としてN番目に大きい画像差を用いれば、一定面
積以上の差が大きい場所を欠陥と定義すれば限界しきい
値DDを演算できる。また、特徴量として画像情報（欠陥
部と参照画像を中心に切り出した２枚の画像）を用いれ
ば２枚の画像から再度、欠陥選択部で欠陥判定すること
で限界しきい値DDを演算できる。

【０１１１】本変形例によると、画像処理回路１０は従
来の画像処理回路をそのまま用いることができ、欠陥選
択部４３をソフトウェアで構成すれば小さい開発工数で
実現できる。

【０１１２】

【発明の効果】本発明によると、対象物基板を検査して
１回の検査でN式の画像処理方式やしきい値などの画像
処理条件の結果を同時に得ることが出来る。

【０１１３】また、本発明によると設計情報、又は検査
時の画像情報を含む特徴量を基に検査感度をパターン密
度、パターン形状、材質に応じて変更できる特徴があ
る。

【０１１４】また、本発明によると設計情報、又は検査
時の画像情報を含む特徴量を基に検査感度をパターン密
度、材質に応じて変更することで検査感度を一定に保
つ、又は致命欠陥の検出感度を一定に保つことができる
特徴がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の電子線式パターン検査装置の概略構成を
示す正面図である。

【図２】従来の光学式パターン検査装置の概略構成を示
す正面図である。

【図３】ウェーハのレイアウトを示す平面図である。

【図４】本発明の第１の解決手段の構成を示す電子線式
パターン検査装置の正面図である。

【図５】本発明の第２の解決手段の構成を示す電子線式
パターン検査装置の正面図である。

【図６】第１の実施形態の構成を示す電子線式パターン
検査装置の正面図である。

【図７】第１の実施形態の開始画面を示す表示画面の正
面図である。

【図８】第１の実施形態のレシピ作成のコントラスト設
定画面を示す表示画面の正面図である。

【図９】第１の実施形態のレシピ作成の試し検査初期画
面を示す表示画面の正面図である。

【図１０】第１の実施形態の走査順を示すウェハの平面
図である。

【図１１】第１の実施形態のレシピ作成の試し検査の欠
陥確認画面を示す表示画面の正面図である。

【図１２】第１の実施形態の検査の欠陥確認画面を示す
表示画面の正面図である。

【図１３】第１の実施形態の第３、第４の変形を説明す
る限界しきい値DDの頻度分布の一例を示すグラフであ
る。

【図１４】第１の実施形態の第１０の変形の構成を示す
光学式パターン検査装置の正面図である。

【図１５】第１の実施形態の第１１の変形の構成として
のネットワーク構成を示すシステム構成図である。

【図１６】第２の実施形態の構成を示す電子線式パター
ン検査装置の正面図である。

【図１７】第２の実施形態のレシピ作成の試し検査初期
画面を示す表示画面の正面図である。

【図１８】第２の実施形態のレシピ作成の試し検査の欠
陥確認画面を示す表示画面の正面図である。

【図１９】第２の実施形態の検査の欠陥確認画面を示す
表示画面の正面図である。

【図２０】第３の実施形態の構成を示す電子線式パター
ン検査装置の正面図である。

【符号の説明】

１・・・電子線源 ２・・・電子線 ５・・・対象物基板
８・・・検出器 １０・・・画像処理回路 １１・・・パターン欠陥 ２１
・・・光源 ２３・・・イメージセンサ ２４・・・検出画
像 ２７・・・記憶画像 ３５・・・検出位置Ａ ３６・・・検出位置Ｂ ４０・・・欠陥候補 ４１・・・欠
陥候補記憶部 ４３・・・欠陥選択部 ４５・・・画像処
理回路Ａ ４６・・・欠陥候補Ｂ ４７・・・画像処理回
路Ｂ ４８・・・欠陥選択記憶部 ５２・・・操作画面
５５・・・マップ表示部 ５６・・・画像表示部 ５９
・・・現在位置表示 １０６・・・電子光学系 １１０・・
・全体制御部 １１３・・・Zセンサ １３０・・・棚番選
択部品 １３１・・・レシピ選定部品 １３２・・・レシピ作成開始
部品 １３３・・・レシピ作成終了ボタン １３４・・・
レシピ保存ボタン １４０・・・マウス動作指示ボタン
１４１・・・画像切替ボタン １４２・・・レシピ作成
項目選択ボタン １４３・・・検査開始ボタン １４４・・・検査終了ボタン
１５１・・・表示切替ボタン １６１・・・完了ボタン
３３０・・・検査開始ボタン ４５０・・・二次元イメ
ージセンサ ４５１・・・スイッチ ５００・・・ネット
ワーク ５０１・・・サーバ ５０２・・・検査装置Ａ ５０３・・
・検査装置Ｂ ５０４・・・レビュー装置 ５０５・・・欠陥確認装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ａ Ｊ (72)発明者 田中 麻紀 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 久邇 朝宏 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 宍戸 千絵 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 宮井 裕史 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会 社日立製作所計測器グループ内 (72)発明者 奈良 安彦 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会 社日立製作所計測器グループ内 (72)発明者 磯部 光庸 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 2G001 AA03 AA07 BA07 BA11 BA15 CA03 DA06 DA09 FA01 FA06 GA04 GA05 GA06 GA07 GA09 JA02 JA03 JA07 JA16 KA03 LA11 MA05 PA07 PA11 QA02 2G051 AA51 AB02 BB11 CA03 CB01 DA06 EA11 EA14 4M106 AA01 BA02 CA39 CA50 DA15 DB05 DB21 DJ11 DJ14 DJ21 DJ23 5B057 AA03 BA02 CA12 CA16 DA03 DB02 DC04 DC32 DC36 5L096 BA03 CA02 FA41 FA59 HA07 JA11

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、発
   生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子の
   何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
   得、得られたディジタル画像を同一のパターンであるこ
   とが期待できるディジタル画像とを複数の検査方法で比
   較、又は複数のしきい値処理で得られる結果情報を得る
   事を特徴とするパターン検査方法。
2. 【請求項２】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、発
   生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子の
   何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
   得、得られたディジタル画像を同一のパターンであるこ
   とが期待できるディジタル画像とを比較して差がある場
   所を欠陥候補として判定し、判定した欠陥候補部の特徴
   量を記憶、特徴量を基に複数の検査方式又は複数のしき
   い値処理で得られる結果情報を得る事を特徴とするパタ
   ーン検査方法。
3. 【請求項３】請求項２記載の特徴量は座標、投影長、面
   積、限界しきい値（しきい値がこの値以下の場合に欠陥
   と検出されるしきい値）、差画像平均値、差画像分散、
   最大画像差、欠陥画像テクスチャ、参照画像テクスチ
   ャ、画像情報のうち少なくとも１個を含むことを特徴と
   するパターン検査方法。
4. 【請求項４】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、発
   生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子の
   何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
   得、得られたディジタル画像を同一のパターンであるこ
   とが期待できるディジタル画像とを比較して差がある場
   所を欠陥候補として判定し、判定した欠陥候補部の特徴
   量を記憶、特徴量を基に複数の検査方式又は複数しきい
   値処理で得られる結果情報を表示、又は記憶媒体に出力
   する事を特徴とするパターン検査方法。
5. 【請求項５】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、発
   生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子の
   何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
   得、得られたディジタル画像を同一のパターンであるこ
   とが期待できるディジタル画像とを比較して差がある場
   所を欠陥候補として判定し、判定した欠陥候補部の特徴
   量を記憶、特徴量を基に検査方式又はしきい値処理の条
   件を変更した場合に得られる結果情報を表示し、表示に
   基づき複数の検査方式又は複数のしきい値処理の条件を
   設定する事を特徴とするパターン検査方法。
6. 【請求項６】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、発
   生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子の
   何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
   得、得られたディジタル画像を同一のパターンであるこ
   とが期待できるディジタル画像とを比較して差がある場
   所を欠陥候補として判定し、判定した欠陥候補部の画像
   情報と位置情報を含む特徴量を記憶媒体に出力した後に
   記憶媒体に記憶された情報を基に欠陥候補を抽出する場
   合とは異なる条件で判定した場合の位置情報を表示又は
   異なる形式で再度、記憶媒体に出力する事を特徴とする
   パターン検査方法。
7. 【請求項７】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、発
   生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子の
   何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
   得、得られたディジタル画像を同一のパターンであるこ
   とが期待できるディジタル画像とを比較して差がある場
   所を欠陥候補として判定し、判定した欠陥候補部の画像
   情報と位置情報を含む特徴量を記憶、記憶した画像情
   報、及び位置情報を表示し、表示に基づき複数の検査方
   式又は複数のしきい値処理の条件を設定する事を特徴と
   するパターン検査方法。
8. 【請求項８】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、発
   生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子の
   何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
   得、得られたディジタル画像を同一のパターンであるこ
   とが期待できるディジタル画像とを第１の条件で比較し
   て差がある場所を欠陥候補として判定し、判定した欠陥
   候補部の特徴量を記憶、特徴量を基に第１の条件より低
   感度な第２の条件で判定した場合に得られる結果情報を
   得る事を特徴とするパターン検査方法。
9. 【請求項９】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、発
   生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子の
   何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
   得、得られたディジタル画像を同一のパターンであるこ
   とが期待できるディジタル画像とを比較して差がある場
   所を欠陥候補として判定し、判定した欠陥候補部の特徴
   量を記憶、記憶した特徴量の一部を上書き可能とする事
   で特徴量の記憶領域を確保する事を特徴とするパターン
   検査方法。
10. 【請求項１０】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
    発生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子
    の何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
    得、得られたディジタル画像を同一のパターンであるこ
    とが期待できるディジタル画像とを比較して差がある場
    所を欠陥候補として判定し、判定した欠陥候補部の特徴
    量を記憶、記憶した特徴量、及び検査対象基板の設計情
    報を用いて計算した情報を欠陥候補部の特徴量に付加す
    る事を特徴とするパターン検査方法。
11. 【請求項１１】請求項１０記載の検査対象基板の設計情
    報はパターンレイアウト情報、又は材質情報、又はレイ
    アウト情報から計算される情報（パターン密度、又はパ
    ターンピッチ、又はパターン形状、又は欠陥の検出感度
    に関する情報）である事を特徴とするパターン検査方
    法。
12. 【請求項１２】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
    発生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子
    の何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
    得、得られたディジタル画像を同一のパターンであるこ
    とが期待できるディジタル画像とを比較して差がある場
    所を欠陥候補として判定し、判定した欠陥候補部の特徴
    量を記憶、記憶した特徴量、及び検査対象基板の設計情
    報を用いて計算した情報を表示、又は記憶媒体に出力す
    る事を特徴とするパターン検査方法。
13. 【請求項１３】請求項１２記載の情報の表示、又は記憶
    媒体への出力は欠陥検出の感度の制御であって、制御し
    た場合と制御しなかった場合を切り換えて、又は双方を
    並べて表示、又は記憶媒体に出力する事を特徴とするパ
    ターン検査方法。
14. 【請求項１４】画像情報を含む欠陥情報を記憶媒体又は
    情報伝達手段より取得し、取得した情報に基づき複数の
    検査方式又は複数しきい値処理で得られる結果情報を表
    示、又は記憶媒体に出力する事を特徴とするパターン検
    査方法。
15. 【請求項１５】画像情報を含む欠陥情報を記憶媒体又は
    情報伝達手段より取得し、取得した情報に基づき検査時
    とは異なるの検査方式又は検査時とは異なるしきい値処
    理で得られる結果情報を表示、又は記憶媒体に出力する
    事を特徴とするパターン検査方法。
16. 【請求項１６】請求項１４、又は請求項１５記載の結果
    情報の表示は欠陥位置情報を対象全体、又は一部の拡
    大、又は同一形状部は重ね合わせて表示する事を特徴と
    するパターン検査方法。
17. 【請求項１７】画像情報を含む欠陥情報を記憶媒体又は
    情報伝達手段より取得し、検査時の画像情報又は検査時
    の画像情報を加工した情報を画像として表示する事を特
    徴とするパターン検査方法。
18. 【請求項１８】画像情報を含む欠陥情報を記憶媒体又は
    情報伝達手段より取得し、欠陥情報を取得した検査対象
    の欠陥部の画像を取得し、取得した画像情報、及び検査
    時に取得した画像情報を切り替えて、又は並列に表示す
    る事を特徴とするパターン検査方法。
19. 【請求項１９】画像情報を含む欠陥情報を記憶媒体又は
    情報伝達手段より取得し、欠陥情報を取得した検査対象
    の欠陥部の画像を取得し、取得した画像情報、及び検査
    時に取得した画像情報を用いて欠陥分類、詳細検査等の
    検査を行う事を特徴とするパターン検査方法。
20. 【請求項２０】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
    発生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子
    の何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
    得る検出手段、及び検出手段で得られたディジタル画像
    を同一のパターンであることが期待できるディジタル画
    像とを複数の検査方法で比較、又は複数のしきい値処理
    で得られる結果情報を得る画像処理手段を備えた事を特
    徴とするパターン検査装置。
21. 【請求項２１】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
    発生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子
    の何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
    得る検出手段、及び検出手段で得られたディジタル画像
    を同一のパターンであることが期待できるディジタル画
    像とを比較して欠陥候補の情報を得る画像処理手段、及
    び画像処理手段で得た欠陥候補の情報を基に複数の検査
    方法で比較、又は複数のしきい値処理で得られる結果情
    報を得る欠陥候補解析手段を備えた事を特徴とするパタ
    ーン検査装置。
22. 【請求項２２】欠陥候補の情報を記憶媒体、又は情報伝
    達手段より取得する取得手段、及び取得手段で取得した
    欠陥候補の情報を用いて複数の検査方法で比較、又は複
    数のしきい値処理で得られる結果情報を得る欠陥候補解
    析手段を備えた事を特徴とするパターン検査装置。
23. 【請求項２３】画像情報を含む欠陥候補の情報を記憶媒
    体、又は情報伝達手段より取得する取得手段、及び取得
    手段で取得した情報より複数の検査方法で比較、又は複
    数のしきい値処理で得られる結果情報を得る欠陥候補解
    析手段、及び画像情報表示手段を備えた事を特徴とする
    パターン検査装置。
24. 【請求項２４】欠陥候補の情報を検査により取得、又は
    他の装置から取得する取得手段、及び取得した欠陥候補
    の情報を基に複数の検査方法、又は複数のしきい値で検
    査した場合の複数の検査結果を得る再検査手段、及び再
    検査手段で得た複数の結果の欠陥の位置情報を切り替え
    て表示又は並列に表示する又は記憶媒体へ出力又は転送
    手段で他の装置に転送する出力手段を備えた事を特徴と
    するパターン検査装置。
25. 【請求項２５】検査結果情報から複数の検査方法、又は
    複数のしきい値で検査した場合の複数の欠陥の位置情報
    を切り替えて、又は並列に表示する表示手段を備えた事
    を特徴とするパターン検査装置。
26. 【請求項２６】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
    発生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子
    の何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
    得る検出手段、及び検出手段で得られたディジタル画像
    を同一のパターンであることが期待できるディジタル画
    像とを比較して差がある場所を欠陥候補として判定する
    判定手段、判定手段で判定した欠陥候補部の特徴量を記
    憶する記憶手段、記憶手段に記憶した特徴量を基に検査
    方式又はしきい値処理の条件を変更した場合に得られる
    結果情報を表示する表示手段、及び表示に基づき複数の
    検査方式又は複数のしきい値処理の条件を設定する設定
    手段を備える事を特徴とするパターン検査装置。
27. 【請求項２７】対象物基板に光又は荷電粒子を照射し、
    発生する光、二次電子、反射電子、透過電子、吸収電子
    の何れかを検出、A/D変換することでディジタル画像を
    得る検出手段、及び検出手段で得られたディジタル画像
    を同一のパターンであることが期待できるディジタル画
    像とを比較して差がある場所を欠陥候補として判定する
    判定手段、判定手段で判定した欠陥候補部の特徴量を記
    憶する記憶手段、記憶手段に記憶した特徴量を基に検査
    方式又はしきい値処理の条件を変更した場合に得られる
    結果情報を表示する表示手段、及び表示に基づき複数の
    検査方式又は複数のしきい値処理の条件を設定する設定
    手段、及び設定手段で設定した条件を再検査することな
    く検査結果として保存する結果保存手段を備える事を特
    徴とするパターン検査装置。