JP2003007882A - 光半導体気密封止容器及びそれを用いた光半導体モジュール - Google Patents
光半導体気密封止容器及びそれを用いた光半導体モジュールInfo
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックス端子部材に設けられた
メタライズ配線層の発熱を小さくし、消費電力も小さく
抑えつつ従来以上の大電流が流せ、その出力も安定した
光半導体気密封止容器およびそれを用いた光半導体モジ
ュールを提供する。 【解決手段】 セラミックス端子部材に設けられた
第１の電極層と、第１の電極層の上方に向かって第１の
電極層と垂直に接続される第２の電極層と、第２の電極
層と垂直に接続される１層以上の第３の電極層とを備え
たことを特徴とする光半導体用気密封止容器。
メタライズ配線層の発熱を小さくし、消費電力も小さく
抑えつつ従来以上の大電流が流せ、その出力も安定した
光半導体気密封止容器およびそれを用いた光半導体モジ
ュールを提供する。 【解決手段】 セラミックス端子部材に設けられた
第１の電極層と、第１の電極層の上方に向かって第１の
電極層と垂直に接続される第２の電極層と、第２の電極
層と垂直に接続される１層以上の第３の電極層とを備え
たことを特徴とする光半導体用気密封止容器。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体素子を収
納するための容器に関するものである。より詳しくは、
電極端子部に流す電流値が従来の２倍以上必要な光素子
や半導体ＩＣを搭載する光ファイバー増幅器や励起用光
源を収納する容器とモジュールに関する。
納するための容器に関するものである。より詳しくは、
電極端子部に流す電流値が従来の２倍以上必要な光素子
や半導体ＩＣを搭載する光ファイバー増幅器や励起用光
源を収納する容器とモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図６に示すように、光半導体素子
を収納するための光半導体気密封止容器は、中央上面に
光半導体素子が載置されるエリアを有する銅−タングス
テン合金から成る金属基板１と、前記光半導体素子載置
エリアを囲繞する鉄−ニッケル−コバルト系合金から成
る側枠部材２が金属基板上に鑞付けされ、前枠部に光フ
ァイバーを固定する手段と、鉄―ニッケル−コバルト合
金の外部リード線が接続されるメタライズ配線層を有す
るセラミックス端子部材３が側枠部材に嵌装され、上部
には光半導体素子を気密に封止する金属枠体となるシー
ルリング５を鑞付けして構成されている。
を収納するための光半導体気密封止容器は、中央上面に
光半導体素子が載置されるエリアを有する銅−タングス
テン合金から成る金属基板１と、前記光半導体素子載置
エリアを囲繞する鉄−ニッケル−コバルト系合金から成
る側枠部材２が金属基板上に鑞付けされ、前枠部に光フ
ァイバーを固定する手段と、鉄―ニッケル−コバルト合
金の外部リード線が接続されるメタライズ配線層を有す
るセラミックス端子部材３が側枠部材に嵌装され、上部
には光半導体素子を気密に封止する金属枠体となるシー
ルリング５を鑞付けして構成されている。
【０００３】そして、金属基板の光半導体素子載置エリ
アに光半導体素子やペルチェ素子を接着固定すると共
に、光半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介し
て外部リード線が接続されているメタライズ配線層に結
線し、次に前枠部の光ファイバー固定リングにレーザー
光線の照射によるＹＡＧ熔接によって光ファイバーを接
合させ、最後にシールリングの上面にカバーを被せて密
封し、ユニットとしての光半導体モジュールとして完成
するのが一般的である。
アに光半導体素子やペルチェ素子を接着固定すると共
に、光半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介し
て外部リード線が接続されているメタライズ配線層に結
線し、次に前枠部の光ファイバー固定リングにレーザー
光線の照射によるＹＡＧ熔接によって光ファイバーを接
合させ、最後にシールリングの上面にカバーを被せて密
封し、ユニットとしての光半導体モジュールとして完成
するのが一般的である。
【０００４】前記セラミックス端子部材は、２層以上の
セラミックスプリフォームを焼成して形成される。各プ
リフォームの表面にあらかじめメタライズ配線層を印刷
しておくことで、光半導体気密封止容器の内側と外側と
の電気的導通を取ることができる。メタライズは、タン
グステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属が使用
される。
セラミックスプリフォームを焼成して形成される。各プ
リフォームの表面にあらかじめメタライズ配線層を印刷
しておくことで、光半導体気密封止容器の内側と外側と
の電気的導通を取ることができる。メタライズは、タン
グステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属が使用
される。
【０００５】光半導体気密封止容器として要求される主
要な機能は、光信号と電気信号とを相互に変換する際の
発熱量を効率的に放熱することと、該容器の熱歪みによ
り光ファイバーと光半導体素子の光軸がずれないような
容器構造とすることである。発熱量を効率的に放熱する
ためには、光半導体素子の直下に電子冷却素子であるペ
ルチェ素子を配置したり、容器の構成部材に熱伝導率の
高い材料を採用することは周知の技術である。
要な機能は、光信号と電気信号とを相互に変換する際の
発熱量を効率的に放熱することと、該容器の熱歪みによ
り光ファイバーと光半導体素子の光軸がずれないような
容器構造とすることである。発熱量を効率的に放熱する
ためには、光半導体素子の直下に電子冷却素子であるペ
ルチェ素子を配置したり、容器の構成部材に熱伝導率の
高い材料を採用することは周知の技術である。
【０００６】このような光半導体気密封止容器として
は、例えば、特開平１１−１４５３１７号公報に、該容
器を、金属基板と光ファイバーを接続する手段が設けら
れた前枠部を含む側枠部材にて形成して、側枠部材の一
部をメタライズ配線が施された２層以上のセラミックス
端子部材にて構成し、前記セラミックス端子部材の下面
を側枠部材に、上面を金属製のシールリングに、長手方
向の一部を前枠部に、それぞれ当接させ、他端は自由端
とすることで、該容器の熱歪みの発生を抑えた光半導体
気密封止容器と光半導体モジュールが提案されている。
は、例えば、特開平１１−１４５３１７号公報に、該容
器を、金属基板と光ファイバーを接続する手段が設けら
れた前枠部を含む側枠部材にて形成して、側枠部材の一
部をメタライズ配線が施された２層以上のセラミックス
端子部材にて構成し、前記セラミックス端子部材の下面
を側枠部材に、上面を金属製のシールリングに、長手方
向の一部を前枠部に、それぞれ当接させ、他端は自由端
とすることで、該容器の熱歪みの発生を抑えた光半導体
気密封止容器と光半導体モジュールが提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、光半導
体気密封止容器の放熱特性は、構成材料などの工夫によ
っていた。従来のパッケージの構造では、セラミックス
端子部材のメタライズ配線層の電気抵抗が比較的高いた
め、電流を流すと発熱していたが、その発熱量は少なく
大きな問題ではなかった。ところが、近年の光ファイバ
ー増幅器や励起用光源に用いられるレーザーダイオード
（ＬＤ）の高出力化に伴い、ＬＤ素子を冷却するペルチ
ェ素子の駆動電流が、従来の２倍以上の大電流を必要と
するようになってきた。従来は、流す電流が、２Ａ以下
程度であったので、前記発熱は、無視できる程度であっ
たが、流す電流が２倍以上になると、その発熱量は無視
できなくなってきた。すなわち、消費電力もさることな
がら、メタライズ配線層の温度上昇も無視できなくなっ
てきた。該温度上昇により、メタライズ配線層の電気抵
抗がさらに増加することになり、ペルチェ素子の駆動制
御が困難になったり、配線層部の信頼性が低下したり、
ＬＤ素子へ、熱が回り込んで、光出力が低下する等の問
題が発生するようになってきた。
体気密封止容器の放熱特性は、構成材料などの工夫によ
っていた。従来のパッケージの構造では、セラミックス
端子部材のメタライズ配線層の電気抵抗が比較的高いた
め、電流を流すと発熱していたが、その発熱量は少なく
大きな問題ではなかった。ところが、近年の光ファイバ
ー増幅器や励起用光源に用いられるレーザーダイオード
（ＬＤ）の高出力化に伴い、ＬＤ素子を冷却するペルチ
ェ素子の駆動電流が、従来の２倍以上の大電流を必要と
するようになってきた。従来は、流す電流が、２Ａ以下
程度であったので、前記発熱は、無視できる程度であっ
たが、流す電流が２倍以上になると、その発熱量は無視
できなくなってきた。すなわち、消費電力もさることな
がら、メタライズ配線層の温度上昇も無視できなくなっ
てきた。該温度上昇により、メタライズ配線層の電気抵
抗がさらに増加することになり、ペルチェ素子の駆動制
御が困難になったり、配線層部の信頼性が低下したり、
ＬＤ素子へ、熱が回り込んで、光出力が低下する等の問
題が発生するようになってきた。
【０００８】セラミックス内部に形成した配線層の電気
抵抗を低下させるには、タングステン等の高融点金属よ
りも電気伝導率の良い金属の使用が考えられるが、この
方法では、セラミックスとの熱膨張係数の差が大きくな
るため、セラミックスに亀裂が発生する。また、配線層
の厚みを厚くして電気抵抗を下げることも考えられる
が、この方法では、プリフォームの焼成時にセラミック
スの間に隙間が出来てしまい気密封止ができない。さら
には、セラミックス表面とセラミックス内部に形成され
た配線層の横幅を同時に太くすれば、電気抵抗を低下さ
せることができるが、横隣の配線層と干渉したり、端子
数が減少する等の問題から十分に広げることはできなか
った。
抵抗を低下させるには、タングステン等の高融点金属よ
りも電気伝導率の良い金属の使用が考えられるが、この
方法では、セラミックスとの熱膨張係数の差が大きくな
るため、セラミックスに亀裂が発生する。また、配線層
の厚みを厚くして電気抵抗を下げることも考えられる
が、この方法では、プリフォームの焼成時にセラミック
スの間に隙間が出来てしまい気密封止ができない。さら
には、セラミックス表面とセラミックス内部に形成され
た配線層の横幅を同時に太くすれば、電気抵抗を低下さ
せることができるが、横隣の配線層と干渉したり、端子
数が減少する等の問題から十分に広げることはできなか
った。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の目的は、
上記課題を克服するため、セラミックス端子部材に設け
られたメタライズ配線層の電気抵抗値を下げて、配線部
の発熱を小さくし、消費電力も小さく抑えつつ、従来以
上の大電流が流せ、その出力も安定した光半導体気密封
止容器及びそれを用いた光半導体モジュールを提供する
ことである。
上記課題を克服するため、セラミックス端子部材に設け
られたメタライズ配線層の電気抵抗値を下げて、配線部
の発熱を小さくし、消費電力も小さく抑えつつ、従来以
上の大電流が流せ、その出力も安定した光半導体気密封
止容器及びそれを用いた光半導体モジュールを提供する
ことである。
【００１０】すなわち本発明は、光半導体気密封止容器
であって、前記セラミックス端子部を貫通する第１の電
極層と、第１の電極層の上方に向かって第１の電極と垂
直に接続される第２の電極層と、第２の電極層と垂直に
接続される１層以上の第３の電極層とを備える。
であって、前記セラミックス端子部を貫通する第１の電
極層と、第１の電極層の上方に向かって第１の電極と垂
直に接続される第２の電極層と、第２の電極層と垂直に
接続される１層以上の第３の電極層とを備える。
【００１１】本発明では、外部接続用のリードの厚み
が、前記第１の電極層と第３の電極層との間の距離より
も厚いことを特徴とする。あるいは、外部接続用のリー
ドが、屈曲部を有するＬ字形であって、該屈曲部の長さ
が、前記第１の電極層と第３の電極層との間の距離より
も長いことを特徴とする。
が、前記第１の電極層と第３の電極層との間の距離より
も厚いことを特徴とする。あるいは、外部接続用のリー
ドが、屈曲部を有するＬ字形であって、該屈曲部の長さ
が、前記第１の電極層と第３の電極層との間の距離より
も長いことを特徴とする。
【００１２】また、光半導体気密封止容器の内部に屈曲
部を有する金属体を備え、該屈曲部の長さが、前記第１
の電極層と第３の電極層との間の距離よりも長いことを
特徴とする。
部を有する金属体を備え、該屈曲部の長さが、前記第１
の電極層と第３の電極層との間の距離よりも長いことを
特徴とする。
【００１３】さらに、前記外部リードあるいは屈曲部を
有する金属体が、無酸素銅、アルミナを分散させた銅、
銅を鉄―ニッケル―コバルト合金で挟んだ材料のいずれ
かであり、これらの光半導体気密封止容器を用いた光半
導体モジュールも含まれる。
有する金属体が、無酸素銅、アルミナを分散させた銅、
銅を鉄―ニッケル―コバルト合金で挟んだ材料のいずれ
かであり、これらの光半導体気密封止容器を用いた光半
導体モジュールも含まれる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、従来の気密封止容器のセ
ラミックス端子部材の配線層のパターン及び構造を示
す。図１において、セラミック第１層３ｂの上に複数の
配線パターン３ｄが施されており、この配線パターン３
ｄを介して光半導体気密封止容器の内部と外部が電気的
に導通する。図２に、本発明の実施形態の一例を示す。
セラミック第１層の上に施された配線パターン３ｄ（第
１の電極層）は従来の気密封止容器と同じである。該配
線パターンは、セラミック第２層の側面に施された配線
パターン３ｅ（第２の電極層）に接続され、さらにセラ
ミック第２層の上に施された配線パターン３ｆ（第３の
電極層）に接続される。
ラミックス端子部材の配線層のパターン及び構造を示
す。図１において、セラミック第１層３ｂの上に複数の
配線パターン３ｄが施されており、この配線パターン３
ｄを介して光半導体気密封止容器の内部と外部が電気的
に導通する。図２に、本発明の実施形態の一例を示す。
セラミック第１層の上に施された配線パターン３ｄ（第
１の電極層）は従来の気密封止容器と同じである。該配
線パターンは、セラミック第２層の側面に施された配線
パターン３ｅ（第２の電極層）に接続され、さらにセラ
ミック第２層の上に施された配線パターン３ｆ（第３の
電極層）に接続される。
【００１５】図２においては、第３の電極層は１層のみ
記載しているが、多層積層してもよい。このような構成
とすることにより、従来気密封止容器の内部と外部とを
電気的に導通させているのは、セラミック第１層の上に
施された配線パターンのみであったものが、第１の電極
層と、１層または複数の第３の電極層との複数並列の配
線パターンとなるので、配線抵抗を、全体としては従来
のものより低下させることができるので、大電流を流し
た場合でも、発熱量を抑えることができる。
記載しているが、多層積層してもよい。このような構成
とすることにより、従来気密封止容器の内部と外部とを
電気的に導通させているのは、セラミック第１層の上に
施された配線パターンのみであったものが、第１の電極
層と、１層または複数の第３の電極層との複数並列の配
線パターンとなるので、配線抵抗を、全体としては従来
のものより低下させることができるので、大電流を流し
た場合でも、発熱量を抑えることができる。
【００１６】前記第２の電極層の電気抵抗も大電流を流
す場合は、問題となる。そこで、第２の電極層の電気抵
抗を低下させるために、図３に示すように第３の電極層
まで外部リード４の厚さを厚くすることが好ましい。あ
るいは、外部リード４を図４に示すようにＬ字形にして
屈曲部を第３の電極層まで届くようにしてもよい。ま
た、気密封止容器の内側は、図５に示すように第１の電
極層から第３の電極層まで届くようなＬ字形の金属体を
備えることが好ましい。
す場合は、問題となる。そこで、第２の電極層の電気抵
抗を低下させるために、図３に示すように第３の電極層
まで外部リード４の厚さを厚くすることが好ましい。あ
るいは、外部リード４を図４に示すようにＬ字形にして
屈曲部を第３の電極層まで届くようにしてもよい。ま
た、気密封止容器の内側は、図５に示すように第１の電
極層から第３の電極層まで届くようなＬ字形の金属体を
備えることが好ましい。
【００１７】本発明の気密封止容器では、各部材に熱伝
導性に優れしかもお互いの熱膨張係数の差を小さくする
材料を用いる。その一例として、以下その実施形態の一
つを説明する。
導性に優れしかもお互いの熱膨張係数の差を小さくする
材料を用いる。その一例として、以下その実施形態の一
つを説明する。
【００１８】光半導体を搭載する基板には、例えば、銅
―タングステン合金や銅―モリブデン合金を使用し、光
半導体素子載置エリアを囲繞する側枠部材には例えば鉄
−ニッケル−コバルト系合金を使用する。
―タングステン合金や銅―モリブデン合金を使用し、光
半導体素子載置エリアを囲繞する側枠部材には例えば鉄
−ニッケル−コバルト系合金を使用する。
【００１９】また、セラミックス端子部材のセラミック
スは、窒化アルミニウムや酸化アルミニウムを使用す
る。さらに、各電極層の配線パターンは、例えばタング
ステン、モリブデン、マンガン等の粉末に有機溶剤を添
加混合して得た高融点金属を含むペーストを周知のスク
リーン印刷法にて被着させる。また、第２の電極層は、
セラミックスシートに所定の貫通穴を設け、該貫通穴に
前記高融点金属を含むペーストを充填した後、前記貫通
穴の中央を分割するようにシートを切断することによっ
て作製することができる。このようにして、必要なセラ
ミックス層を用意した後、各セラミックス層を積層して
加圧し一体化し、高融点金属からなる配線パターンとと
もに焼成・焼結してセラミックス端子部材を作成する。
スは、窒化アルミニウムや酸化アルミニウムを使用す
る。さらに、各電極層の配線パターンは、例えばタング
ステン、モリブデン、マンガン等の粉末に有機溶剤を添
加混合して得た高融点金属を含むペーストを周知のスク
リーン印刷法にて被着させる。また、第２の電極層は、
セラミックスシートに所定の貫通穴を設け、該貫通穴に
前記高融点金属を含むペーストを充填した後、前記貫通
穴の中央を分割するようにシートを切断することによっ
て作製することができる。このようにして、必要なセラ
ミックス層を用意した後、各セラミックス層を積層して
加圧し一体化し、高融点金属からなる配線パターンとと
もに焼成・焼結してセラミックス端子部材を作成する。
【００２０】セラミックス端子部材３の上面と前枠部を
含む側枠部材２の上面の揃う所に、鉄―ニッケル―コバ
ルト合金のシールリング５を用意する。また、セラミッ
クス端子の内側には、Ｌ字形の金属体８を用意し、外側
には、厚さの厚いリードかもしくはＬ字形をしたリード
４を用意する。これらを銀鑞付けにより組み立てて光半
導体気密封止容器を得る。なお、前記Ｌ字形の金属体な
らびに外部リードの材質は、無酸素銅、アルミナを分散
した銅あるいは銅を鉄−ニッケル−コバルト合金で挟ん
だいわゆるクラッド材の何れかを用いるのが好ましい。
含む側枠部材２の上面の揃う所に、鉄―ニッケル―コバ
ルト合金のシールリング５を用意する。また、セラミッ
クス端子の内側には、Ｌ字形の金属体８を用意し、外側
には、厚さの厚いリードかもしくはＬ字形をしたリード
４を用意する。これらを銀鑞付けにより組み立てて光半
導体気密封止容器を得る。なお、前記Ｌ字形の金属体な
らびに外部リードの材質は、無酸素銅、アルミナを分散
した銅あるいは銅を鉄−ニッケル−コバルト合金で挟ん
だいわゆるクラッド材の何れかを用いるのが好ましい。
【００２１】このように構成した気密封止容器の内部
に、少なくとも光半導体素子と光ファイバーを搭載接合
した後、封止カバーにて密封すれば光半導体モジュール
として完成する。
に、少なくとも光半導体素子と光ファイバーを搭載接合
した後、封止カバーにて密封すれば光半導体モジュール
として完成する。
【００２２】以上のような方法で、種々の構成の気密封
止容器を作製し、セラミックス端子の配線パターンの容
器内外間の電気抵抗を測定した。図１に示した従来の構
成では、電気抵抗値は、１０．７ｍΩであった。なお、
図１において、一つの配線パターンの幅は、１．５ｍｍ
であり、タングステンペーストを用いて、焼成後の厚さ
１０μｍに形成した。
止容器を作製し、セラミックス端子の配線パターンの容
器内外間の電気抵抗を測定した。図１に示した従来の構
成では、電気抵抗値は、１０．７ｍΩであった。なお、
図１において、一つの配線パターンの幅は、１．５ｍｍ
であり、タングステンペーストを用いて、焼成後の厚さ
１０μｍに形成した。
【００２３】これに対して、図２のように、第２の電極
層３ｅと第３の電極層３ｆを１層形成した本件発明の実
施例では、電気抵抗値は、６．８ｍΩであった。なお、
配線パターンはタングステンペーストを用いて厚さ１０
μｍに形成した。また、第２の電極層を形成した第２の
セラミックスの厚みは、０．５ｍｍとした。
層３ｅと第３の電極層３ｆを１層形成した本件発明の実
施例では、電気抵抗値は、６．８ｍΩであった。なお、
配線パターンはタングステンペーストを用いて厚さ１０
μｍに形成した。また、第２の電極層を形成した第２の
セラミックスの厚みは、０．５ｍｍとした。
【００２４】また、図３に示すように第３の電極層が１
層であり、幅１．５ｍｍ、厚さ１ｍｍの無酸素銅からな
る外部リード４を銀ロー付けにより取りつけた場合、電
気抵抗値は、５．３ｍΩまで低減できた。
層であり、幅１．５ｍｍ、厚さ１ｍｍの無酸素銅からな
る外部リード４を銀ロー付けにより取りつけた場合、電
気抵抗値は、５．３ｍΩまで低減できた。
【００２５】さらに、図４に示すように、第３の電極層
を３層とし、厚さ３００μｍのＬ字型の無酸素銅の外部
リード４を取りつけた場合は、電気抵抗値は３．２ｍΩ
と従来の構造の約３分の１まで低減できた。さらに、図
５に示すように、容器の内部側にＬ字型の無酸素銅製厚
さ３００μｍの金属体６を取りつけると、電気抵抗値
は、２．１ｍΩと従来の構造の約５分の１まで抵抗値を
下げることができた。
を３層とし、厚さ３００μｍのＬ字型の無酸素銅の外部
リード４を取りつけた場合は、電気抵抗値は３．２ｍΩ
と従来の構造の約３分の１まで低減できた。さらに、図
５に示すように、容器の内部側にＬ字型の無酸素銅製厚
さ３００μｍの金属体６を取りつけると、電気抵抗値
は、２．１ｍΩと従来の構造の約５分の１まで抵抗値を
下げることができた。
【００２６】本実施例では、第３の電極層が、１層の場
合と３層の場合を示したが、第３の電極層の層数は、目
的とする電気抵抗値と組立工数の観点から適宜決めれば
よい。
合と３層の場合を示したが、第３の電極層の層数は、目
的とする電気抵抗値と組立工数の観点から適宜決めれば
よい。
【００２７】Ｌ字型の外部リードや金属体は、折り曲げ
部をハーフエッチングで折り目を付けた後、折り曲げる
ことにより、作製した。外部リードは、無酸素銅を用い
たが、外部リードを配線パターンに銀ロー付けした時、
銅が粒成長して強度が低下することがあるので、このよ
うな恐れのある場合には、アルミナ分散銅や銅を鉄−ニ
ッケル−コバルト合金で挟み込んだクラッド材を用い
た。この場合、無酸素銅を用いた場合よりは、電気抵抗
値の低減効果が少なくなり、例えば、アルミナ分散銅を
用いて、図３の構成にしたときには、電気抵抗値は５．
４ｍΩと、無酸素銅の場合の５．３ｍΩよりは高くなっ
たが、図１の従来の構成の１０．７ｍΩよりは、低減で
きた。
部をハーフエッチングで折り目を付けた後、折り曲げる
ことにより、作製した。外部リードは、無酸素銅を用い
たが、外部リードを配線パターンに銀ロー付けした時、
銅が粒成長して強度が低下することがあるので、このよ
うな恐れのある場合には、アルミナ分散銅や銅を鉄−ニ
ッケル−コバルト合金で挟み込んだクラッド材を用い
た。この場合、無酸素銅を用いた場合よりは、電気抵抗
値の低減効果が少なくなり、例えば、アルミナ分散銅を
用いて、図３の構成にしたときには、電気抵抗値は５．
４ｍΩと、無酸素銅の場合の５．３ｍΩよりは高くなっ
たが、図１の従来の構成の１０．７ｍΩよりは、低減で
きた。
【００２８】このようにして得た光半導体気密封止容器
の内部に、少なくとも光半導体素子と光ファイバーを搭
載した後、封止カバーにて密閉すれば光半導体モジュー
ルとして完成する。
の内部に、少なくとも光半導体素子と光ファイバーを搭
載した後、封止カバーにて密閉すれば光半導体モジュー
ルとして完成する。
【００２９】
【発明の効果】セラミックス端子部材に設けられた配線
パターンの電気抵抗値を下げることにより配線パターン
部での発熱が小さく、消費電力も抑えられた光半導体気
密封止容器と光出力の安定した光半導体モジュールを提
供できる。
パターンの電気抵抗値を下げることにより配線パターン
部での発熱が小さく、消費電力も抑えられた光半導体気
密封止容器と光出力の安定した光半導体モジュールを提
供できる。
【図１】従来のセラミックス端子部材の展開図である。
【図２】本発明の一つの実施形態であるセラミックス端
子部材の展開図である。
子部材の展開図である。
【図３】本発明の一つの実施形態であるセラミックス端
子部材と外部リードを示す斜視図である。
子部材と外部リードを示す斜視図である。
【図４】本発明の一つの実施形態であるセラミックス端
子部材と外部リードを示す斜視図である。
子部材と外部リードを示す斜視図である。
【図５】本発明の一つの実施形態であるセラミックス端
子部材とその内側を示す斜視図である。
子部材とその内側を示す斜視図である。
【図６】従来の光半導体気密封止容器の立体図である。
１：基板
２：側枠部材
３：セラミックス端子部材
４：外部端子
５：シールリング
６：金属体
フロントページの続き
(72)発明者 仁科 真哉
兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友
電気工業株式会社伊丹製作所内
Ｆターム(参考） 5F073 FA06 FA28 FA30
Claims (6)
- 【請求項１】 光半導体素子を搭載する基板と、セラミ
ックス端子部材を支持し光ファイバーを接続する手段を
有する側枠部材と、封止カバーとから成る光半導体素子
を収納する気密封止容器であって、前記セラミックス端
子部を貫通する第１の電極層と、第１の電極層の上方に
向かって第１の電極層と垂直に接続される第２の電極層
と、第２の電極層と垂直に接続される１層以上の第３の
電極層とを備えたことを特徴とする光半導体気密封止容
器。 - 【請求項２】 外部接続用のリードの厚みが、前記第１
の電極層と第３の電極層との間の距離よりも厚いことを
特徴とする請求項１に記載の光半導体気密封止容器。 - 【請求項３】 外部接続用のリードが、屈曲部を有する
Ｌ字形であって、該屈曲部の長さが、前記第１の電極層
と第３の電極層との間の距離よりも長いことを特徴とす
る請求項１に記載の光半導体気密封止容器。 - 【請求項４】 光半導体気密封止容器の内部に屈曲部を
有する金属体を備え、該屈曲部の長さが、前記第１の電
極層と第３の電極層との間の距離よりも長いことを特徴
とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光半導体気密
封止容器。 - 【請求項５】 前記外部リードあるいは屈曲部を有する
金属体が、無酸素銅、アルミナを分散させた銅、銅を鉄
―ニッケル―コバルト合金で挟んだ材料のいずれかであ
ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の
光半導体気密封止容器。 - 【請求項６】 請求項１乃至５に記載される光半導体気
密封止容器を用いた光半導体モジュール。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194457A JP2003007882A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 光半導体気密封止容器及びそれを用いた光半導体モジュール |
| CA002388890A CA2388890A1 (en) | 2001-06-27 | 2002-06-04 | Hermetically sealing enclosure for housing photo-semiconductor devices and photo-semiconductor module incorporating the enclosure |
| CN02122686A CN1393928A (zh) | 2001-06-27 | 2002-06-20 | 用于容放光半导体器件的密封封装容器和光半导体模块 |
| KR1020020035684A KR20030004030A (ko) | 2001-06-27 | 2002-06-25 | 광반도체소자를 내장한 기밀의 밀봉용기 및 그 용기와일체하는 광반도체모듈 |
| US10/178,520 US6600223B2 (en) | 2001-06-27 | 2002-06-25 | Hermetically sealing enclosure for housing photo-semiconductor devices and photo-semiconductor module incorporating the enclosure |
| EP02254474A EP1278242A3 (en) | 2001-06-27 | 2002-06-26 | Hermetically sealing enclosure for housing photo-semiconductor devices and photo-semiconductor module incorporating the enclosure |
| TW091114046A TW548807B (en) | 2001-06-27 | 2002-06-26 | Hermetically sealing enclosure for housing photo-semiconductor devices and photo-semiconductor module incorporating the enclosure |
| HK03101701.5A HK1049735A1 (zh) | 2001-06-27 | 2003-03-08 | 用於容放光半導體器件的密封封裝容器和光半導體模塊 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194457A JP2003007882A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 光半導体気密封止容器及びそれを用いた光半導体モジュール |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007882A true JP2003007882A (ja) | 2003-01-10 |
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ID=19032593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001194457A Pending JP2003007882A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 光半導体気密封止容器及びそれを用いた光半導体モジュール |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6600223B2 (ja) |
| EP (1) | EP1278242A3 (ja) |
| JP (1) | JP2003007882A (ja) |
| KR (1) | KR20030004030A (ja) |
| CN (1) | CN1393928A (ja) |
| CA (1) | CA2388890A1 (ja) |
| HK (1) | HK1049735A1 (ja) |
| TW (1) | TW548807B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128588A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | 入出力端子ならびにこれを用いた電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| JP2012049288A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置 |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN104553134B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-05-10 | 北京北冶功能材料有限公司 | 一种硬玻璃封装用三层复合材料及其制备方法 |
| CN114566337B (zh) * | 2022-01-23 | 2024-04-16 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种热测试芯片 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS574147A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Nec Corp | Semiconductor device and its manufacturing process |
| JPS57141946A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS6365649A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Nec Corp | 半導体用パツケ−ジ |
| JPH088321B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1996-01-29 | 住友電気工業株式会社 | 集積回路パツケ−ジ |
| JPH09237854A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Toshiba Corp | 半導体用パッケージ |
| JP2848359B2 (ja) | 1996-09-24 | 1999-01-20 | 住友電気工業株式会社 | セラミック端子板及び半導体気密封止容器並びに複合半導体デバイス |
| JP3013812B2 (ja) | 1997-07-15 | 2000-02-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体容器及び半導体モジュール |
| EP0899795A3 (en) | 1997-08-27 | 1999-05-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical-semiconductor container or module |
| JPH11145317A (ja) | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体素子用パッケージ及び光半導体モジュール |
| US6440778B1 (en) * | 2000-01-07 | 2002-08-27 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor element package and manufacturing method thereof |
| JP3436243B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2003-08-11 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体気密封止容器及びそれを用いた光半導体モジュール |
-
2001
- 2001-06-27 JP JP2001194457A patent/JP2003007882A/ja active Pending
-
2002
- 2002-06-04 CA CA002388890A patent/CA2388890A1/en not_active Abandoned
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- 2002-06-25 KR KR1020020035684A patent/KR20030004030A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-06-25 US US10/178,520 patent/US6600223B2/en not_active Expired - Fee Related
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-
2003
- 2003-03-08 HK HK03101701.5A patent/HK1049735A1/zh unknown
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2006128588A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | 入出力端子ならびにこれを用いた電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| JP4514595B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2010-07-28 | 京セラ株式会社 | 入出力端子ならびにこれを用いた電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
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| EP1278242A3 (en) | 2004-03-17 |
| CA2388890A1 (en) | 2002-12-27 |
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| US20030001259A1 (en) | 2003-01-02 |
| TW548807B (en) | 2003-08-21 |
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