JP2002543055A - 2−(n−フェニルアミノ)安息香酸の製造方法 - Google Patents
2−(n−フェニルアミノ)安息香酸の製造方法Info
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Abstract
Description
香酸の製造方法に関する。
ルメトキシ−3,4−ジフルオロ−ベンズアミンは癌、再発狭窄症、乾癬、及び
アテローム性動脈硬化症を含む増殖性疾患の治療のための選択的MEK−1阻害
剤として開発されている。例えば、1997年7月1日に提出された米国特許出
願第60/051,440号、又は1999年1月14日に公開されたPCT公
開特許出願第WO 99/01426号が参照され、前記文献は参照により本明
細書に組み入れる。2−(2−クロロ−4−ヨード−フェニルアミノ)−N−シ
クロプロピルメトキシ−3,4−ジフルオロ−ベンズアミンを製造するために必
要な中間物質の一つは2−(N−フェニルアミノ)安息香酸である。本発明は2
−(N−フェニルアミノ)安息香酸の製造方法を提供するものである。
は式I
は独立して水素、ハロゲン、C1〜C6アルキル、−OC1〜C6アルキル、CN、
又はNO2である。
はリチウムヘキサメチルジシラジド(LiHMDS)である。 本発明の別の好ましい実施態様においては、アルカリ金属ヘキサメチルジシラ
ジドは安息香酸に関して約3当量又はそれより多い。
はフッ素である。 本発明の別の好ましい実施態様においては、反応を極性非プロトン性溶媒中で
約−78℃ないし約25℃で実行する。 もっと好ましい実施態様においては、溶媒はテトラヒドロフランである。
ロ安息香酸でありそしてアニリンが2−クロロ−4−ヨードアニリンである。 本発明の別の好ましい実施態様においては、安息香酸及びアニリンは約1:1
モル比で存在する。
多い置換基Rが電子供与基である。 本発明の別の好ましい実施態様においては、アニリンの電子供与基は−OCH 3 である。
法は式III
チルジシラジドを塩基として使用する式I
る。従って、安息香酸のアニリンに対するモル比は約1:1である。その他に、
約3当量のアルカリ金属ヘキサメチルジシラジドの使用が好ましい;しかしなが
ら、3当量より多量のアルカリ金属ヘキサメチルジシラジドを使用することも可
能である。換言すると、安息香酸又はアニリンの各1モルに対して約3モルのア
ルカリ金属ヘキサメチルジシラジドが一般的に使用される。リチウムヘキサメチ
ルジシラジドはリチウム ビス(トリメチルシリル)アミドとも称し、このもの
はAldrich, Milwaukee, WIから購入することができる。
らこの塩基はアルカリ金属ヘキサメチルジシラジドでない他の塩基と比較した場
合得られる2−(N−フェニルアミノ)安息香酸の収率に予期しないそして驚く
べき増加をもたらすからである。最も好ましいアルカリ金属ヘキサメチルジシラ
ジドはリチウム ヘキサメチルジシラジドである。
ることができる。結合反応を実行する他の方法及び順序はこの技術分野の熟練者
が容易に決めることができる。3つの方法を下記に詳細に説明する。
(1当量)をテトラヒドロフラン(THF)中の安息香酸(1当量)の溶液に−
78℃で添加した。 第二のフラスコでは、LiHMDS(2当量)をTHF中のアニリン(1当量
)の溶液に−78℃で添加した。第一のフラスコの内容物を第二のフラスコに移
しそして得られた混合物を一晩置いて周囲温度に到達させた。次いで生成物をフ
ラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製した。
(1当量)の両方をTHFに溶解した。溶液を−78℃に冷却しそしてLiHM
DSを添加し、そして混合物を一晩置いて周囲温度に到達させた。次いで生成物
をフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製した。
HF中でアニリンに次いでTHF中の安息香酸の溶液を添加することを除いて、
A法と同様である。 種々な安息香酸と種々なアニリンとの結合の結果を下の表1に示す。
ジドでない他の塩基と比較した場合2−(N−フェニルアミノ)安息香酸の予期
しない優れた収率を与える。例えば、2,3,4−トリフルオロ安息香酸及び4−
ヨード−2−メチルアニリンの反応において、収率はLiHMDS使用は84%
であったが、リチウム ジイソプロピルアミン(LDA)使用は28%に過ぎな
かった。さらに、NaH又はトリエチルアミン(TEA)を使用した場合反応は
認められなかった。これらの比較試験の結果を下の表2に示す。
(N−フェニルアミノ)安息香酸の収率は減少する。結果を表3に示す。3当量
を超える塩基の使用は収率に有意な効果を示さなかった。
ば、2−フルオロ安息香酸のみアニリンと反応して適当な2−(N−フェニルア
ミノ)安息香酸を与える。表4は安息香酸の上のカルボン酸基に関するハロゲン
原子の位置の変化の結果を示す。
望の生成物をもたらした。これと対照的に、4−フルオロ安息香酸を使用した場
合、何の反応も認められなかった。
率に影響を与える。例えば、電子供与基、例えば−OC1〜C6アルキル、ハロゲ
ン、C1〜C6アルキル、ジアルキルアミン、又は−SC1〜C6アルキル、及びこ
の技術分野の熟練者によく知られたその他の基の存在はアニリンの反応性を増し
そしてその結果2−(N−フェニルアミノ)安息香酸のより高い収率をもたらす
。もし電子求引基例えばニトロ、ハロゲン、カルボニル(アルデヒド及びケトン
の両方)、エステル及びニトリル、並びにこの技術分野の熟練者によく知られた
その他の基がアニリンの置換基である場合、反応性は低下しそして2−(N−フ
ェニルアミノ)安息香酸の収率は減少する。これらの知見を表5に纏めて示す。
を高めることができ、そしてその結果、得られる2−(N−フェニルアミノ)安
息香酸の収率が増加する。
媒例えばテトラヒドロフラン及びジエチルエーテルである。反応温度は最大の収
率が得られるように選ぶ。適当な温度はこの技術分野の熟練者が容易に選択する
ことができる。好ましい温度範囲は約−78℃ないし約25℃である。
意味においても明細書又は特許請求の範囲を限定するためではない。
Claims (10)
- 【請求項1】 2−(N−フェニルアミノ)安息香酸の製造方法。この方法
は式I 【化1】 の安息香酸及び式II 【化2】 のアニリンをアルカリ金属ヘキサメチルジシラジドと反応させて式III 【化3】 の2−(N−フェニルアミノ)安息香酸を形成させる段階からなり、式中、各R
は独立して水素、ハロゲン、C1〜C6アルキル、−OC1〜C6アルキル、CN、
又はNO2である。 - 【請求項2】 アルカリ金属ヘキサメチルジシラジドがリチウムヘキサメチ
ルジシラジドである請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 アルカリ金属ヘキサメチルジシラジドが安息香酸について約
3当量又はそれより多い請求項1に記載の方法。 - 【請求項4】 安息香酸の2位のハロゲン置換基がフッ素である請求項1に
記載の方法。 - 【請求項5】 反応は極性非プロトン性溶媒中で約−78℃ないし約25℃
で行なわれる請求項1に記載の方法。 - 【請求項6】 極性非プロトン性溶媒がテトラヒドロフランである請求項5
に記載の方法。 - 【請求項7】 安息香酸が2,3,4−トリフルオロ安息香酸でありそしてア
ニリンが2−クロロ−4−ヨードアニリンである請求項1に記載の方法。 - 【請求項8】 安息香酸及びアニリンが約1:1モル比で存在する請求項1
に記載の方法。 - 【請求項9】 アニリンの上の1つ又はそれより多い置換基Rが電子供与基
である請求項1に記載の方法。 - 【請求項10】 電子供与基が−OCH3である請求項9に記載の方法。
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