JP2002540600A - 電子部品のプラスチックモールドパッケージ用のリードフレーム防湿バリヤ - Google Patents
電子部品のプラスチックモールドパッケージ用のリードフレーム防湿バリヤInfo
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- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 title claims abstract description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 claims description 5
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims description 4
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 2
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Cu] Chemical compound [Cr].[Cu] GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZUPBPXNOBDEWQT-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ni].[Cu] Chemical compound [Si].[Ni].[Cu] ZUPBPXNOBDEWQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XTYUEDCPRIMJNG-UHFFFAOYSA-N copper zirconium Chemical compound [Cu].[Zr] XTYUEDCPRIMJNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 2
- 229910021484 silicon-nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims 3
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- MUYPKJRPXSXUKL-UHFFFAOYSA-N [P].[Mg].[Cu] Chemical compound [P].[Mg].[Cu] MUYPKJRPXSXUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IYRDVAUFQZOLSB-UHFFFAOYSA-N copper iron Chemical compound [Fe].[Cu] IYRDVAUFQZOLSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 abstract 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 9
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 5
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004909 Moisturizer Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical group [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJIIVPNKKQIVGX-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Cu].[Cu] Chemical compound [Fe].[Cu].[Cu] XJIIVPNKKQIVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Cu] Chemical compound [Mg].[Cu] OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- ZKKLPDLKUGTPME-UHFFFAOYSA-N diazanium;bis(sulfanylidene)molybdenum;sulfanide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[SH-].[SH-].S=[Mo]=S ZKKLPDLKUGTPME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037228 dieting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- MHXKLVPAKMPZPT-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diamine;octadecanamide Chemical compound NCCN.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O MHXKLVPAKMPZPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical class C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004200 microcrystalline wax Substances 0.000 description 1
- 235000019808 microcrystalline wax Nutrition 0.000 description 1
- 230000001333 moisturizer Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010107 reaction injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
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- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
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Abstract
Description
ップを環境から保護するとともにエンクロージヤの外のリードからダイ回路への
電気的アクセスを提供する中空エンクロージャの中に集積回路ダイを収容するこ
とに関する。この発明は、具体的には、一般に水分および汚染ガスが浸透しない
ようにするバリヤとしてのエンクロージャに関する。
、ダイ回路と、印刷配線板などのキャリヤまたは基板上の回路との間の電気接続
を許容する。この発明の対象のパッケージは、ダイを完全に囲うものであって、
最初はその壁に埋包された電気リードすなわち「トレース」を有する開放容器と
して形成される。この容器がその壁の中に埋包されたリードを有して形成される
と、ダイがこの容器内に置かれてリードに電気的に接続される。次いで、この容
器を閉じて、さらなる電気的接続や電気的使用を含むさらなる処理のために密封
する。
信頼性の高い性能を達成するには、パツケージが一旦封止されたならば、水蒸気
その他の大気中の気体がパッケージ中に入らないようにすることが非常に重要で
ある。ダイを密封して、ダイがこれらの気体に曝されないように保護することに
よって、パッケージは、湿気その他の潜在的に有害な環境におけるダイの機能を
高める。ダイとパッケージの外側の部品との間の電気接続を形成するリードは、
パッケージの壁を貫通する金属の薄い帯状体であり、その帯状体の内側端はダイ
回路系に結合されそして外側端は基板回路系に結合するために利用可能になって
いる。これら帯状体とパッケージの壁とは、異なる材料でできているので、これ
ら両者の間に確実な結合を形成して、対蒸気バリヤとして作用させることは困難
である。この難しさは、これら材料の膨張率および収縮率に大きな差がある場合
、特に厳しい。この膨張と収縮は、ダイボンディング、ワイヤボンディングおよ
び半田づけなどの処理ステップ中にパッケージが遭遇する熱サイクルの中で起こ
る温度変化に応答して生じる。温度変化は、パツケージが使用される典型的な環
境の中でも生じるし、またダイ自体の中で使用される高い電流密度によっても生
じる。その結果、リードが壁を貫通している箇所は、特にギャップの形成を被り
やすく、そこから気体がパッケージに入ってダイを汚染することになりやすい。
に直接その壁をモールド成形することによってパッケージを形成する方法である
。射出成形法またはトランスファ成形法が典型的に利用され、これらの方法は、
溶融している熱硬化型の樹脂で始まり、その樹脂は成形工程中またはそれより短
時間後に後硬化工程で硬化する。これらの成形法は、金属とプラスチックの間の
機械的接合を形成するが、先に挙げた諸理由のため、高い電流密度を免れないパ
ッケージにとって十分に効果的であるとはいえない。さらに、これらの工程にお
いて、成形器具は典型的には100℃〜175℃の範囲内の温度に制御されるが
、リードの金属表面は温度がこの温度よりかなり低い。この温度差が、前記溶触
樹脂の硬化を阻害し、そのうえに、その接合強さを低下させる。成形コンパウン
ドとして使用される典型的な樹脂は、それ自体接着性を有しているために、成形
器具に接着するのを防止するための剥離剤を必要とすることから、追加の漏洩源
が生じる。典型的な剥離剤は、マイクロクリスタリンワックスであり、これは成
形コンパウンドの配合物中に混入される。この剥離剤も、残念ながら、成形コン
パウドと金属リードとの間の接合を弱くする。
が、一つの解決策としては、パッケージ本体をリードの上に成形する前に、単に
リードフレーム全体を接着剤コンパウンドでコートして、その成形用コンパウン
ドを硬化させるときに、その接着剤がリードと成形コンパウンドの間に化学結合
を形成する方法が考えられよう。その解決策の難しさは、リードとダイとの間に
形成しなければならない電気接続の厳しい性質である。接合箇所のリード表面の
いかなる汚染も、信頼性の高い電気接続がつくられるワイヤボンディング工程を
阻むであろう。この汚染は、成形工程が完了した後に行う高価でかつ困難な洗浄
工程でしか防止できない。この問題は、ダイとの電気的接触を高めるために銀ま
たは金などの導電性材料でメッキしたリードの場合、一層悪化する。
り硬化可能な」を意味する訳語として使用する)接着剤を、パッケージの壁に接
触するリードの表面の領域に選択的に塗布し、次いで、そのリードの周りにパッ
ケージをモールド成形することによって、対処される。したがって、その接着剤
は、モールド成形工程自体によって、またはパッケージ本体の後硬化中に硬化さ
れる。この接着剤は、一旦硬化されると、リードとパッケージ本体との間の界面
に、気体に対して実質的に非透過性の封止部を形成する。最適の一種類の接着剤
または複数種類の接着剤の混合物の選択は、リード金属の熱膨張率とパッケージ
本体の膨張率との間に差がある場合、その差の大きさに応じてなされる。接着剤
には、熱膨張率の程度に差がある場合に、封止部に弾力を与えるのに必要な熱可
塑性成分を含有させてもよい。界面を形成する金属の領域に接着剤の塗布を局在
させることにより、リードとダイ回路との間に強固な電気的接触を形成する性能
が保持される。
らかになるであろう。
ドとパッケージ本体に使用される材料によって決まる。それぞれについて、広範
囲の材料を使用することができ、多数のそのような材料が電子材料に関する刊行
文献に開示され、それら材料の有用性について産業界で知られている。
als Handbook」Vol.1、ASM International、Materials Park, Ohio、1989年
に示されているそれら金属の記号)は、 銅 銅-鉄合金:C19400、C19500、C19700、C19210 銅-クロム合金:CCZ、EFTEC647 銅-ニッケル-ケイ素合金:C7025、KLF125、C19010 銅-スズ合金:C50715、C50710 銅-ジルコニウム合金:C15100 銅-マグネシウム合金:C15500 鉄-ニッケル合金:ASTM F30(Alloy 42) 鉄-ニッケル-コバルト合金:ATTM F15(Kovar) 軟鋼 アルミニウム である。これらのうち好ましいのは、銅、銅が少なくとも95重量%を占める銅
含有合金、鉄が約50〜約75重量%を占める鉄−ニッケル合金、および鉄が約
50〜75重量%を占める鉄−ニッケル−コバルト合金である。鉄−ニッケル合
金の Alloy 42(Fe58%、Ni42%)および鉄−ニッケル−コバルト合金
の Kovar(鉄54%、Ni29%、Co17%)、並びに各種の銅合金が特に重
要である。
プは、熱硬化性材料と熱可塑性材料の両者である。熱可塑性材料の例は、エポキ
シ樹脂と改質エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、改質ポリイミド、ポリ
エステル、およびケイ素樹脂である。熱可塑性材料の例は、ポリフェニレンスル
フィド、液晶ポリマ、ポリスルホン、およびポリエーテルケトンである。熱硬化
性材料は、典型的にはトランスファ成形法でモールド成形されるが、熱可塑性材
料は、典型的には射出成形法でモールド成形される。しかし、それぞれについて
、異なるモールド成形法を使用することができる。
のは、熱膨張係数(「CTE」)であり、これは百万分率(重量)毎摂氏度の単
位で表される。CTEは、使用される材料によって広範囲にわたって変化するの
で、リードのCTEの範囲をパッケージ本体(プラスチックモールドのエンクロ
ージャ)の材料のCTEの範囲とオーバラップさせることができる。しかし、こ
の発明のある種の実施態様では、これらの範囲がオーバーラップしない。例えば
、リードフレーム(リードを含む)が約5ppm/℃〜約15ppm/℃の範囲
のCTEを有するのに、パッケージ本体の材料が硬化時(硬化された状態)に約
16ppm/℃〜約50ppm/℃の範囲のCTEを有することもある。あるい
は、リードフレーム材料のCTEとパッケージ本体の材料のCTEが、少なくと
も約10ppm/℃異なるか、または最大約100ppm/℃異なるか、または
約20ppm/℃〜約50ppm/℃の範囲内の値で異なることもある。CTE
の値の差が上記のようなタイプの場合、接着剤組成物は、好ましくは熱可塑性成
分を、単独接着剤成分としてまたは熱硬化性接着剤成分との混合物として含有さ
せる。
下記のとおりである。 熱硬化性樹脂: D.E.R. 322:ビスフェノールA含有エポキシ樹脂(Dow Chemical Company、米
国ミシガン州ミッドランド) ARALDITE(登録商標) ECN 1273:エポキシクレゾールノボラック(Ciba-Geigy
Corporation、米国ニューヨーク州アーズリー) ARALDITE(登録商標) MY 72:多官能価液状エポキシ樹脂(Ciba-Geigy Corpora
tion) QUARTEX(登録商標) 1410:ビスフェノールA含有エポキシ樹脂(Dow Chemical
Company) EPON (登録商標) 828、1001F、58005:改質ビスフェノールAエポキシ樹脂(S
hell Chemical Company、米国テキサス州ヒューストン) 熱可塑性樹脂: Phenoxy PKHJ:フェノキシ樹脂(Phenoxy Associates) ポリスルホン類。
または複数種の成分を含有する。例としては、硬化剤、泡止め剤、モイスチャゲ
ッタ(乾燥剤)、および嵩を増すための充填剤がある。硬化剤の例は、ポリアミ
ン類、ポリアミド類、ポリフェノール類、重合体チオール類、ポリカルボン酸類
、酸無水物類、ジシアンジアミド、シアノグアニジン、イミダゾール類、および
ルイス酸類例えば、三フッ化ホウ素とアミン類などとの複合体である。泡止め剤
の例は、疎水性のシリカ類例えばケイ素樹脂類とシラン類、フルオロカーボン類
例えばポリ四フッ化エチレン、脂肪酸アミド類例えばエチレンジアミンステアア
ミド、スルホナミド類、炭化水素ワックス類、および固体脂肪酸類とエステル類
である。モイスチャゲッタの例は、活性アルミナと活性炭素である。モイスチャ
ゲッタとして働く具体的な製品は、供給業者(米国ニュージャージー州ジャージ
ーシティ所在の Alpha Metals)が、GA200-2、SD1000、およびSD800として特定
する製品である。充填剤の例は、アルミナ、二酸化チタン、カーボンブラック、
炭酸カルシウム、カオリンクレイ、雲母、シリカ類、タルク、および木粉である
。
で、この明細書では詳細に考察しない。しかし、一般に、モールド成形は、一連
の金属リードを備えたリードフレームアセンブリ上に行われ、その金属リードは
、接続ウェブで接続されかつ各パッケージごとに一つのグループとして別々のグ
ループに配置され、隣接グループ同士は成形が完了したとき最終的に除去される
さらなる接続ウェブで接続されている。また、上記アセンブリは、リードに沿っ
た所定の位置にダムを備えており、そのダムは、成形コンパウンドの機械的スト
ップとして働いて成形コンパウンドを閉じこめるのに役立つ。なお、これらのダ
ムも、成形されたパッケージを分離する前に除去される。射出成形法、トランス
ファ成形法、インサート成形法および反応射出成型法などの従来の成形法が、使
用される材料に応じて使用される。
触する箇所に対応する、リードフレームの特定の箇所に塗布される。接着剤は、
そのシステムの特定の必要に応じて、リードフレームの片面または両面に塗布す
ればよい。塗布方法は、パッケージの壁の中に埋包されない領域に接着剤を所在
させることを実質的に避けるために、所望の領域に局在させる。この種の局在化
された塗布は、通常の印刷もしくはスタンプする方法、または好ましくは、米国
特許第5,816,158号「Inverted Stamping Process」、発明者 Richard
J. Ross、1998年10月6日発行、に開示されている方法と装置によってイ
ンバーテッドスタンピング法(inverted stamping)により達成することができ
る。なお、当該特許の内容は、ここに援用するものである。
物の各種混合物を代表する接着剤配合物の例である。
材料、手順、条件および他のパラメータは、この発明の精神と範囲を逸脱するこ
となく、種々のやり方でさらに変形または置換できることが当業者であれば容易
に分かるであろう。
Claims (10)
- 【請求項1】 導電性金属リードの周りにエンクロージャの壁をモールド成
形することによって当該エンクロージャ内に密封されるべきダイにアクセスする
ために前記導電性金属製リードが貫通しているプラスチックモールドのエンクロ
ージャを形成する方法において、 (a)成形時に、前記エンクロージャの壁に接触する前記リードの表面の領域に
選択的に熱硬化型の接着剤を塗布するステップと、 (b)前記熱硬化型の接着剤を塗布された前記リードの周りに前記エンクロージ
ャの壁を成形するステップと、 (c)前記エンクロージャの壁の成形中または成形後に前記熱硬化型の接着剤を
硬化させるステップとを含んでなり、 前記熱硬化型の接着剤は、硬化したときに前記リードの周りの前記エンクロー
ジャの壁を実質的に気体非透過性となるように封止すべく選択される ことを特徴とする改良された方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の方法において、 前記熱硬化型の接着剤が、熱硬化性樹脂類、熱可塑性樹脂類、および熱硬化性
樹脂類と熱可塑性樹脂類との混合物からなる群から選択された要素である ことを特徴とする方法。 - 【請求項3】 請求項1に記載の方法において、 前記熱硬化型の接着剤が、エポキシ樹脂と熱可塑性樹脂の混合物である ことを特徴とする方法。
- 【請求項4】 請求項1に記載の方法において、 前記金属リードが、銅、銅-鉄合金類、銅-クロム合金類、銅-ニッケル-ケイ素
合金類、銅-スズ合金類、銅-ジルコニウム合金類、銅-マグネシウム-リン合金類
、鉄-ニッケル合金類、鉄-ニッケル-コバルト合金類、軟鋼、またはアルミニウ
ムである ことを特徴とする方法。 - 【請求項5】 請求項1に記載の方法において、 前記プラスチックのエンクロージャが熱硬化性プラスチックで形成され、そし
て(b)のステップが前記エンクロージャの壁をトランスファ成形法で成形するこ
とを含んでいる ことを特徴とする方法。 - 【請求項6】 請求項1に記載の方法において、 前記プラスチック製エンクロージャが、熱可塑性材料で形成され、そして(b
)のステップが前記エンクロージャの壁を射出成形法で成形することを含んでい
る ことを特徴とする方法。 - 【請求項7】 請求項6に記載の方法において、 前記熱可塑性材料が、ポリフェニレンスルフィド、液晶ポリマ、ポリスルホン
、またはポリエーテルケトンである ことを特徴とする方法。 - 【請求項8】 請求項1に記載の方法において、 前記リードと硬化時の前記プラスチックモールドのエンクロージャの材料が、
互いに少なくとも約10ppm/℃異なる熱膨張係数を有している ことを特徴とする方法。 - 【請求項9】 請求項1に記載の方法において、 前記リードが銀または金でメツキされている ことを特徴とする方法。
- 【請求項10】 請求項1に記載の方法において、 前記熱硬化型の接着剤が、その中に分散された乾燥剤を有する樹脂で構成され
ている ことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/273,608 | 1999-03-22 | ||
US09/273,608 US6214152B1 (en) | 1999-03-22 | 1999-03-22 | Lead frame moisture barrier for molded plastic electronic packages |
PCT/US2000/007710 WO2000057466A1 (en) | 1999-03-22 | 2000-03-22 | Lead frame moisture barrier for molded plastic electronic packages |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002540600A true JP2002540600A (ja) | 2002-11-26 |
JP4351809B2 JP4351809B2 (ja) | 2009-10-28 |
Family
ID=23044680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000607260A Expired - Lifetime JP4351809B2 (ja) | 1999-03-22 | 2000-03-22 | 電子部品のプラスチックモールドパッケージ用のリードフレーム防湿バリヤ |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6214152B1 (ja) |
EP (1) | EP1171911A1 (ja) |
JP (1) | JP4351809B2 (ja) |
KR (1) | KR100605328B1 (ja) |
CN (1) | CN1146975C (ja) |
AP (1) | AP1317A (ja) |
AU (1) | AU3912500A (ja) |
CA (1) | CA2372172C (ja) |
FI (1) | FI20011860A (ja) |
HK (1) | HK1044224B (ja) |
IL (2) | IL145050A0 (ja) |
MX (1) | MXPA01009488A (ja) |
NO (2) | NO326807B1 (ja) |
TW (1) | TW446742B (ja) |
WO (1) | WO2000057466A1 (ja) |
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- 2000-03-22 WO PCT/US2000/007710 patent/WO2000057466A1/en active IP Right Grant
- 2000-03-22 MX MXPA01009488A patent/MXPA01009488A/es active IP Right Grant
- 2000-03-22 AP APAP/P/2001/002271A patent/AP1317A/en active
- 2000-03-22 CN CNB008051054A patent/CN1146975C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-22 JP JP2000607260A patent/JP4351809B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-22 IL IL14505000A patent/IL145050A0/xx active IP Right Grant
- 2000-03-22 KR KR1020017011849A patent/KR100605328B1/ko active IP Right Grant
- 2000-03-22 AU AU39125/00A patent/AU3912500A/en not_active Abandoned
- 2000-03-22 CA CA002372172A patent/CA2372172C/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-22 EP EP00918292A patent/EP1171911A1/en not_active Ceased
- 2000-03-23 TW TW089105158A patent/TW446742B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-08-22 IL IL145050A patent/IL145050A/en not_active IP Right Cessation
- 2001-09-18 NO NO20014533A patent/NO326807B1/no not_active IP Right Cessation
- 2001-09-21 FI FI20011860A patent/FI20011860A/fi not_active Application Discontinuation
-
2002
- 2002-08-07 HK HK02105774.9A patent/HK1044224B/zh unknown
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HK1044224A1 (en) | 2002-10-11 |
MXPA01009488A (es) | 2003-08-19 |
JP4351809B2 (ja) | 2009-10-28 |
NO20082268L (no) | 2001-09-18 |
CN1146975C (zh) | 2004-04-21 |
WO2000057466A1 (en) | 2000-09-28 |
FI20011860A (fi) | 2001-09-21 |
HK1044224B (zh) | 2004-12-31 |
CA2372172C (en) | 2009-10-27 |
NO20014533D0 (no) | 2001-09-18 |
NO326807B1 (no) | 2009-02-16 |
NO20014533L (no) | 2001-09-18 |
US6214152B1 (en) | 2001-04-10 |
CN1344425A (zh) | 2002-04-10 |
AU3912500A (en) | 2000-10-09 |
TW446742B (en) | 2001-07-21 |
EP1171911A1 (en) | 2002-01-16 |
CA2372172A1 (en) | 2000-09-28 |
IL145050A0 (en) | 2002-06-30 |
AP2001002271A0 (en) | 2001-09-30 |
AP1317A (en) | 2004-10-19 |
IL145050A (en) | 2006-12-10 |
KR20020010895A (ko) | 2002-02-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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