JPH06224241A - 樹脂封止回路装置の成形方法 - Google Patents
樹脂封止回路装置の成形方法Info
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- JPH06224241A JPH06224241A JP50A JP1015793A JPH06224241A JP H06224241 A JPH06224241 A JP H06224241A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 1015793 A JP1015793 A JP 1015793A JP H06224241 A JPH06224241 A JP H06224241A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】耐湿性及び耐熱衝撃性の向上が可能で、かつ生
産性にも優れた大型の樹脂封止回路装置の成形方法を提
供する。 【構成】実験の結果、エポキシ樹脂膜付の金属板からな
る回路基板の片面に樹脂をトランスファモールドする場
合に、回路基板を一辺が５〜１０ｃｍの四角形板とし、
前記熱硬化性樹脂の線膨張率を１．３５×１０-5／℃以
下、好ましくは１．３〜１．３５×１０-5／℃と従来に
比べて格段に低線膨張率としたところ、回路基板を一辺
が５〜１０ｃｍの四角形板と大型化しても、耐熱衝撃性
試験及び耐湿性試験をクリヤできることがわかった。一
方、線膨張率が１．３５×１０-5／℃を超えると回路基
板を一辺が５〜１０ｃｍの四角形板と大型化した場合
に、耐熱衝撃性試験又は耐湿性試験をクリヤできなかっ
た。
産性にも優れた大型の樹脂封止回路装置の成形方法を提
供する。 【構成】実験の結果、エポキシ樹脂膜付の金属板からな
る回路基板の片面に樹脂をトランスファモールドする場
合に、回路基板を一辺が５〜１０ｃｍの四角形板とし、
前記熱硬化性樹脂の線膨張率を１．３５×１０-5／℃以
下、好ましくは１．３〜１．３５×１０-5／℃と従来に
比べて格段に低線膨張率としたところ、回路基板を一辺
が５〜１０ｃｍの四角形板と大型化しても、耐熱衝撃性
試験及び耐湿性試験をクリヤできることがわかった。一
方、線膨張率が１．３５×１０-5／℃を超えると回路基
板を一辺が５〜１０ｃｍの四角形板と大型化した場合
に、耐熱衝撃性試験又は耐湿性試験をクリヤできなかっ
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止回路装置の成
形方法に関する。
形方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のハイブリッドＩＣは、リード取り
出し構造によりＳＩＰタイプ及びＤＩＰタイプに分類さ
れるが、いずれも樹脂モールド（封止）の場合は、注型
法、浸漬法、トランスファモールド法などにより金型又
はケースに回路基板を予め挿入しておき、可塑化した熱
硬化性樹脂（一般にエポキシ樹脂）をモールドしている
が、特にトランスファモールド法は他の方法に比べて耐
熱衝撃性及び耐湿性に優れるのでその主流となってい
る。
出し構造によりＳＩＰタイプ及びＤＩＰタイプに分類さ
れるが、いずれも樹脂モールド（封止）の場合は、注型
法、浸漬法、トランスファモールド法などにより金型又
はケースに回路基板を予め挿入しておき、可塑化した熱
硬化性樹脂（一般にエポキシ樹脂）をモールドしている
が、特にトランスファモールド法は他の方法に比べて耐
熱衝撃性及び耐湿性に優れるのでその主流となってい
る。
【０００３】従来のトランスファモールド法において、
キャビティに収容される回路基板は長辺が５ｃｍ以下の
長方形板であり、従来、用いていたエポキシ樹脂の成形
収縮率は４％程度、線膨張率は５×１０-5／℃程度であ
った。また、特開昭６０−７２２３５号公報、特開昭６
３−４７９５８号公報、特開昭６３−３１６４６２号公
報は、組成及び特性が異なる２重の樹脂層で樹脂封止を
行うことを開示する。
キャビティに収容される回路基板は長辺が５ｃｍ以下の
長方形板であり、従来、用いていたエポキシ樹脂の成形
収縮率は４％程度、線膨張率は５×１０-5／℃程度であ
った。また、特開昭６０−７２２３５号公報、特開昭６
３−４７９５８号公報、特開昭６３−３１６４６２号公
報は、組成及び特性が異なる２重の樹脂層で樹脂封止を
行うことを開示する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たトランスファモールドした樹脂封止回路装置でも、耐
熱衝撃性及び耐湿性の改善が依然として最大の問題とな
っている。ここで耐湿性を考える場合、回路基板とモー
ルド樹脂部との接合面における水分侵入防止が重要な要
素となると思われる。すなわち、回路基板とモールド樹
脂部とは線膨張率が異なるために接合面に沿って温度変
化とともに繰り返し応力が生じ、長期間の使用の間に接
合面に沿って微小な剥離が生じて外部の水分が内部に侵
入し、耐湿性が劣化する。
たトランスファモールドした樹脂封止回路装置でも、耐
熱衝撃性及び耐湿性の改善が依然として最大の問題とな
っている。ここで耐湿性を考える場合、回路基板とモー
ルド樹脂部との接合面における水分侵入防止が重要な要
素となると思われる。すなわち、回路基板とモールド樹
脂部とは線膨張率が異なるために接合面に沿って温度変
化とともに繰り返し応力が生じ、長期間の使用の間に接
合面に沿って微小な剥離が生じて外部の水分が内部に侵
入し、耐湿性が劣化する。
【０００５】また耐熱衝撃性を考える場合、温度変化に
より回路基板及びそれに搭載される回路素子やボンディ
ングワイヤとモールド樹脂との間の伸縮量の差（線膨張
率の差）がこれら回路素子やボンディングワイヤなどに
繰り返し応力を生じさせ、断線や特性変化などを生じさ
せる可能性がある。これらのは、回路基板が大型化する
ほど温度変化にともなう伸縮量の差が増大するため深刻
となり、現状では長辺が５ｃｍ以下の長方形の回路基板
だけがトランスファモールド法で樹脂モールドされてい
る。
より回路基板及びそれに搭載される回路素子やボンディ
ングワイヤとモールド樹脂との間の伸縮量の差（線膨張
率の差）がこれら回路素子やボンディングワイヤなどに
繰り返し応力を生じさせ、断線や特性変化などを生じさ
せる可能性がある。これらのは、回路基板が大型化する
ほど温度変化にともなう伸縮量の差が増大するため深刻
となり、現状では長辺が５ｃｍ以下の長方形の回路基板
だけがトランスファモールド法で樹脂モールドされてい
る。
【０００６】もちろん、回路基板の片面だけを樹脂モー
ルドする代わりに、回路基板全体をモールド樹脂で完全
にくるんだ形状とすれば、リードとの接合面だけが問題
となり、耐湿性は改善されるが、必要樹脂量が増大し、
熱抵抗の増大による温度上昇も問題となる。回路基板及
びモールド樹脂部の線膨張率を等しくすれば、温度変化
に伴う応力が発生せず上記耐湿性や耐熱衝撃性が向上す
るとも考えられるが、それらのことは実際に確認はされ
ていなかった。
ルドする代わりに、回路基板全体をモールド樹脂で完全
にくるんだ形状とすれば、リードとの接合面だけが問題
となり、耐湿性は改善されるが、必要樹脂量が増大し、
熱抵抗の増大による温度上昇も問題となる。回路基板及
びモールド樹脂部の線膨張率を等しくすれば、温度変化
に伴う応力が発生せず上記耐湿性や耐熱衝撃性が向上す
るとも考えられるが、それらのことは実際に確認はされ
ていなかった。
【０００７】また上記した２重樹脂層構造を採用すれ
ば、外側を硬質の樹脂で被覆して耐湿性を稼ぎ、内側に
軟質の樹脂を充填して熱応力を低減し耐熱衝撃性を向上
できる。しかしながらこのような２重樹脂層構造の採用
は工程の複雑化及び歩留りの低下を招くという新たな問
題を生む。本発明は上記問題点に鑑みなされたものであ
り、耐湿性及び耐熱衝撃性の向上が可能で、かつ生産性
にも優れた大型の樹脂封止回路装置の成形方法を提供す
ることを、その解決すべき課題としている。
ば、外側を硬質の樹脂で被覆して耐湿性を稼ぎ、内側に
軟質の樹脂を充填して熱応力を低減し耐熱衝撃性を向上
できる。しかしながらこのような２重樹脂層構造の採用
は工程の複雑化及び歩留りの低下を招くという新たな問
題を生む。本発明は上記問題点に鑑みなされたものであ
り、耐湿性及び耐熱衝撃性の向上が可能で、かつ生産性
にも優れた大型の樹脂封止回路装置の成形方法を提供す
ることを、その解決すべき課題としている。
【０００８】
【課題を解決するために手段】本発明の樹脂封止回路装
置の成形方法は、回路素子を片面に搭載する金属板から
なる回路基板を金型のキャビテイにセットし、トランス
ファモールド法により前記キャビテイに熱硬化性樹脂を
可塑化して圧入し、成形して前記回路基板の前記片面だ
けを被覆する樹脂封止回路装置の成形方法において、前
記熱硬化性樹脂の線膨張率を１．３５×１０-5／℃以下
とし、金型温度を１５０〜１６５℃としたことを特徴と
している。
置の成形方法は、回路素子を片面に搭載する金属板から
なる回路基板を金型のキャビテイにセットし、トランス
ファモールド法により前記キャビテイに熱硬化性樹脂を
可塑化して圧入し、成形して前記回路基板の前記片面だ
けを被覆する樹脂封止回路装置の成形方法において、前
記熱硬化性樹脂の線膨張率を１．３５×１０-5／℃以下
とし、金型温度を１５０〜１６５℃としたことを特徴と
している。
【０００９】好適な態様において、前記熱硬化性樹脂の
線膨張率を１．３〜１．３５×１０ -5／℃とされる。モ
ールド樹脂としてはエポキシ樹脂を採用することができ
る。回路基板としては、アルミニウム板などの金属板の
回路素子搭載面にエポキシ樹脂膜などの樹脂膜をコート
したものを用いることができ、その他、アルミナなどの
セラミックス基板も採用することができる。
線膨張率を１．３〜１．３５×１０ -5／℃とされる。モ
ールド樹脂としてはエポキシ樹脂を採用することができ
る。回路基板としては、アルミニウム板などの金属板の
回路素子搭載面にエポキシ樹脂膜などの樹脂膜をコート
したものを用いることができ、その他、アルミナなどの
セラミックス基板も採用することができる。
【００１０】
【発明の効果】実験の結果、エポキシ樹脂膜付のアルミ
ニウム板からなる回路基板の片面に樹脂をトランスファ
モールドする場合に、前記熱硬化性樹脂の線膨張率を
１．３５×１０-5／℃以下、好ましくは１．３〜１．３
５×１０-5／℃と従来に比べて格段に低線膨張率とした
ところ、回路基板を一辺が５〜１０ｃｍの四角形板と大
型化しても、耐熱衝撃性試験及び耐湿性試験をクリヤで
きることがわかった。
ニウム板からなる回路基板の片面に樹脂をトランスファ
モールドする場合に、前記熱硬化性樹脂の線膨張率を
１．３５×１０-5／℃以下、好ましくは１．３〜１．３
５×１０-5／℃と従来に比べて格段に低線膨張率とした
ところ、回路基板を一辺が５〜１０ｃｍの四角形板と大
型化しても、耐熱衝撃性試験及び耐湿性試験をクリヤで
きることがわかった。
【００１１】一方、線膨張率が１．３５×１０-5／℃を
超えると回路基板を一辺が５〜１０ｃｍの四角形板と大
型化すると、耐熱衝撃性試験及び耐湿性試験をクリヤで
きなかった。ちなみに、アルミニウムの線膨張率は２．
３１３×１０-5／℃であり、モールド樹脂（熱硬化性樹
脂）の線膨張率（１．３５×１０-5／℃以下）に比べて
大きかった。
超えると回路基板を一辺が５〜１０ｃｍの四角形板と大
型化すると、耐熱衝撃性試験及び耐湿性試験をクリヤで
きなかった。ちなみに、アルミニウムの線膨張率は２．
３１３×１０-5／℃であり、モールド樹脂（熱硬化性樹
脂）の線膨張率（１．３５×１０-5／℃以下）に比べて
大きかった。
【００１２】また、銅板（線膨張率１．４０９×１０-5
／℃）、鉄板（線膨張率１．１５×１０-5／℃）にエポ
キシ樹脂膜を貼付してトランスファモールドしたとこ
ろ、やはり同様の結果が出た。このことから、回路基板
の線膨張率にかかわらずモールド樹脂の線膨張率を１．
３５×１０-5／℃以下とすることが一辺が５〜１０ｃｍ
といった大型の回路基板の実用化のために必要であるこ
とがわかった。
／℃）、鉄板（線膨張率１．１５×１０-5／℃）にエポ
キシ樹脂膜を貼付してトランスファモールドしたとこ
ろ、やはり同様の結果が出た。このことから、回路基板
の線膨張率にかかわらずモールド樹脂の線膨張率を１．
３５×１０-5／℃以下とすることが一辺が５〜１０ｃｍ
といった大型の回路基板の実用化のために必要であるこ
とがわかった。
【００１３】
【実施例】（実施例１）本実施例で用いた樹脂封止回路
装置はハイブリッドＩＣであって、回路基板１と、回路
基板１上に搭載された回路素子２〜４と、回路基板１の
回路素子搭載面側にモールドされたモールド樹脂部５
と、回路基板１に一端が固着されてモールド樹脂部５を
貫通して外部に突出するリード６とからなる。
装置はハイブリッドＩＣであって、回路基板１と、回路
基板１上に搭載された回路素子２〜４と、回路基板１の
回路素子搭載面側にモールドされたモールド樹脂部５
と、回路基板１に一端が固着されてモールド樹脂部５を
貫通して外部に突出するリード６とからなる。
【００１４】回路基板１は、縦、横、厚さが５６ｍｍ×
８６ｍｍ×３ｍｍのアルミニウム板（Ａ５０５２）の表
面にエポキシ樹脂膜（図示せず、素材としてはモールド
樹脂部５のものと同じとする）をコートしたものであ
り、その表面にはＣｕからなる配線層が形成されてい
る。回路素子２〜４は、ＩＣ及び抵抗素子からなる発熱
部品である。
８６ｍｍ×３ｍｍのアルミニウム板（Ａ５０５２）の表
面にエポキシ樹脂膜（図示せず、素材としてはモールド
樹脂部５のものと同じとする）をコートしたものであ
り、その表面にはＣｕからなる配線層が形成されてい
る。回路素子２〜４は、ＩＣ及び抵抗素子からなる発熱
部品である。
【００１５】モールド樹脂部５は、エポキシ樹脂をトラ
ンスファモールドして成形されており、エポキシ樹脂と
しては例えば信越化学ＫＫ製の商品名ＫＭＣ１８８を用
いた。モールドが完了した回路装置の縦、横、厚さは６
０ｍｍ×９０ｍｍ×１０ｍｍとした。トランスファモー
ルドの条件を以下に記載する。
ンスファモールドして成形されており、エポキシ樹脂と
しては例えば信越化学ＫＫ製の商品名ＫＭＣ１８８を用
いた。モールドが完了した回路装置の縦、横、厚さは６
０ｍｍ×９０ｍｍ×１０ｍｍとした。トランスファモー
ルドの条件を以下に記載する。
【００１６】樹脂予熱温度８０℃、金型温度１５０〜１
６５℃、トランスファスピード２ｍｍ／秒、樹脂圧力７
０ｋｇ／ｃｍ2 、モールド時間１５０〜３００秒、トラ
ンスファモールド後のアフターキュア時間は金型温度と
同温で５時間とした。金型は２点ゲート構造であり、ト
ランスファスピードは１．６ｍｍ／ｓｅｃでの値であ
る。
６５℃、トランスファスピード２ｍｍ／秒、樹脂圧力７
０ｋｇ／ｃｍ2 、モールド時間１５０〜３００秒、トラ
ンスファモールド後のアフターキュア時間は金型温度と
同温で５時間とした。金型は２点ゲート構造であり、ト
ランスファスピードは１．６ｍｍ／ｓｅｃでの値であ
る。
【００１７】次に、各種の実施例品及び比較例品をそれ
ぞれ１０サンプルづつ準備し、それらの耐熱衝撃性試験
及び耐湿性試験を行った。実施例１品は信越化学ＫＫ製
の商品名ＫＭＣ１８８を用い、金型温度を１５０℃、モ
ールド時間を３００秒とした他は、上記と同じモールド
条件でモールドした。
ぞれ１０サンプルづつ準備し、それらの耐熱衝撃性試験
及び耐湿性試験を行った。実施例１品は信越化学ＫＫ製
の商品名ＫＭＣ１８８を用い、金型温度を１５０℃、モ
ールド時間を３００秒とした他は、上記と同じモールド
条件でモールドした。
【００１８】その線膨張率は約１．３×１０-5／℃、そ
の成形収縮率は約０．２３％であった。実施例２品は上
記と同じく信越化学ＫＫ製のＫＭＣ１８８を用い、金型
温度を１５５℃、モールド時間を２５０秒とした他は、
上記と同じモールド条件でモールドした。
の成形収縮率は約０．２３％であった。実施例２品は上
記と同じく信越化学ＫＫ製のＫＭＣ１８８を用い、金型
温度を１５５℃、モールド時間を２５０秒とした他は、
上記と同じモールド条件でモールドした。
【００１９】その線膨張率は約１．３３×１０-5／℃、
その成形収縮率は約０．３０％であった。実施例３品は
上記と同じく信越化学ＫＫ製のＫＭＣ１８８を用い、金
型温度を１６０℃、モールド時間を１８０秒とした他
は、上記と同じモールド条件でモールドした。
その成形収縮率は約０．３０％であった。実施例３品は
上記と同じく信越化学ＫＫ製のＫＭＣ１８８を用い、金
型温度を１６０℃、モールド時間を１８０秒とした他
は、上記と同じモールド条件でモールドした。
【００２０】その線膨張率は約１．３３×１０-5／℃、
その成形収縮率は約０．３５％であった。実施例４品は
上記と同じく信越化学ＫＫ製のＫＭＣ１８８を用い、金
型温度を１６５℃、モールド時間を１８０秒とした他
は、上記と同じモールド条件でモールドした。
その成形収縮率は約０．３５％であった。実施例４品は
上記と同じく信越化学ＫＫ製のＫＭＣ１８８を用い、金
型温度を１６５℃、モールド時間を１８０秒とした他
は、上記と同じモールド条件でモールドした。
【００２１】その線膨張率は１．３４×１０-5／℃、そ
の成形収縮率は０．３７％であった。次に比較例品３と
して、上記と同じく信越化学ＫＫ製のＫＭＣ１８８を用
い、金型温度を１７０℃、モールド時間を１８０秒とし
た他は、上記と同じモールド条件でモールドした。
の成形収縮率は０．３７％であった。次に比較例品３と
して、上記と同じく信越化学ＫＫ製のＫＭＣ１８８を用
い、金型温度を１７０℃、モールド時間を１８０秒とし
た他は、上記と同じモールド条件でモールドした。
【００２２】その線膨張率は１．３８×１０-5／℃、そ
の成形収縮率は０．３７％であった。次に比較例品４と
して、上記と同じく信越化学ＫＫ製のＫＭＣ１８８を用
い、金型温度を１７５℃、モールド時間を１８０秒とし
た他は、上記と同じモールド条件でモールドした。
の成形収縮率は０．３７％であった。次に比較例品４と
して、上記と同じく信越化学ＫＫ製のＫＭＣ１８８を用
い、金型温度を１７５℃、モールド時間を１８０秒とし
た他は、上記と同じモールド条件でモールドした。
【００２３】その線膨張率は１．４０×１０-5／℃、そ
の成形収縮率は０．３５％であった。耐熱衝撃性試験の
試験は、気槽式試験機を使用し、高低温をある時間間隔
で繰り返し、目標サイクルまで故障しなければ合格とす
る。また、耐湿性試験は、高圧、高温、高湿、環境下に
保存し目標時間まで故障しなければ合格とする。
の成形収縮率は０．３５％であった。耐熱衝撃性試験の
試験は、気槽式試験機を使用し、高低温をある時間間隔
で繰り返し、目標サイクルまで故障しなければ合格とす
る。また、耐湿性試験は、高圧、高温、高湿、環境下に
保存し目標時間まで故障しなければ合格とする。
【００２４】上記試験の結果、実施例品はすべて両試験
に合格した。なお、上記実施例品は１４０℃以下では流
動性（可塑性）の不足により良好な成形ができず、試験
するに至らなかった。比較例品３、４は耐熱衝撃性試験
には合格したが、耐湿性（ＰＣＴ）試験が不合格であっ
た。その結果、金型温度を１５０〜１６５℃としてモー
ルド樹脂部５の線膨張率を１．３〜１．３５×１０-5／
℃とすることにより、約６ｃｍ×約９ｃｍといった大型
の回路基板１においても、トランスファモールド法が適
用できることが判明した。
に合格した。なお、上記実施例品は１４０℃以下では流
動性（可塑性）の不足により良好な成形ができず、試験
するに至らなかった。比較例品３、４は耐熱衝撃性試験
には合格したが、耐湿性（ＰＣＴ）試験が不合格であっ
た。その結果、金型温度を１５０〜１６５℃としてモー
ルド樹脂部５の線膨張率を１．３〜１．３５×１０-5／
℃とすることにより、約６ｃｍ×約９ｃｍといった大型
の回路基板１においても、トランスファモールド法が適
用できることが判明した。
【００２５】次に、回路基板１の寸法を５ｃｍ×５ｃ
ｍ、５ｃｍ×１０ｃｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍとし、金型
温度を１５０℃、１６５℃とした他は上記と同じ実施例
品５〜８を作製し、上記両試験を行ったところいずれも
合格した。これにより、回路基板１の一辺が５ｃｍ〜１
０ｃｍの大型のものにおいてもトランスファモールド法
を採用可能なことが確認された。
ｍ、５ｃｍ×１０ｃｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍとし、金型
温度を１５０℃、１６５℃とした他は上記と同じ実施例
品５〜８を作製し、上記両試験を行ったところいずれも
合格した。これにより、回路基板１の一辺が５ｃｍ〜１
０ｃｍの大型のものにおいてもトランスファモールド法
を採用可能なことが確認された。
【００２６】次に、エポキシ樹脂を変更して比較試験を
行った。すなわち比較例品５として、商品名ＭＰ１９２
を用い、金型温度を１７５℃、モールド時間を１２０秒
とした他は、上記と同じモールド条件でモールドした。
その線膨張率は１．５×１０-5／℃、その成形収縮率は
０．４５％であった。また比較例品６として、商品名Ｍ
Ｐ１３０を用い、金型温度を１７５℃、モールド時間を
１２０秒とした他は、上記と同じモールド条件でモール
ドした。
行った。すなわち比較例品５として、商品名ＭＰ１９２
を用い、金型温度を１７５℃、モールド時間を１２０秒
とした他は、上記と同じモールド条件でモールドした。
その線膨張率は１．５×１０-5／℃、その成形収縮率は
０．４５％であった。また比較例品６として、商品名Ｍ
Ｐ１３０を用い、金型温度を１７５℃、モールド時間を
１２０秒とした他は、上記と同じモールド条件でモール
ドした。
【００２７】その線膨張率は１．９×１０-5／℃、その
成形収縮率は０．５０％であった。また比較例品７とし
て、ＭＰ４０００Ｈ７を用い、金型温度を１８０℃、モ
ールド時間を１５０秒とした他は、上記と同じモールド
条件でモールドした。その線膨張率は２．２×１０-5／
℃、その成形収縮率は０．５５％であった。これらの比
較例品５〜７に対し上記両試験を行ったところいずれも
不合格であった。
成形収縮率は０．５０％であった。また比較例品７とし
て、ＭＰ４０００Ｈ７を用い、金型温度を１８０℃、モ
ールド時間を１５０秒とした他は、上記と同じモールド
条件でモールドした。その線膨張率は２．２×１０-5／
℃、その成形収縮率は０．５５％であった。これらの比
較例品５〜７に対し上記両試験を行ったところいずれも
不合格であった。
【００２８】すなわち、比較例品５は耐湿性試験には合
格したが耐熱衝撃性試験に不合格であった。比較例品６
〜７は両試験とも不合格であった。
格したが耐熱衝撃性試験に不合格であった。比較例品６
〜７は両試験とも不合格であった。
【図１】実施例品を示す平面図、
【図２】図１のＡ−Ａ線矢視断面図、
１は回路基板、２、３、４は回路素子、５はモールド樹
脂部、６はリード。
脂部、６はリード。
Claims (2)
- 【請求項１】回路素子を片面に搭載する金属板からなる
回路基板を金型のキャビテイにセットし、トランスファ
モールド法により前記キャビテイに熱硬化性樹脂を可塑
化して圧入し、成形して前記回路基板の前記片面だけを
被覆する樹脂封止回路装置の成形方法において、 前記熱硬化性樹脂の線膨張率を１．３５×１０-5／℃以
下とし、金型温度を１５０〜１６５℃とすることを特徴
とする樹脂封止回路装置の成形方法。 - 【請求項２】前記熱硬化性樹脂の線膨張率を１．３〜
１．３５×１０-5／℃とした請求項１記載の樹脂封止回
路装置の成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06224241A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 樹脂封止回路装置の成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06224241A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 樹脂封止回路装置の成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224241A true JPH06224241A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11742448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50A Pending JPH06224241A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 樹脂封止回路装置の成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224241A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0458988A1 (en) * | 1989-12-20 | 1991-12-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Positive resist composition |
| JP2002373907A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
| JP2003017517A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
| JP2003017515A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
| JP2003017518A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置の製造方法 |
| US7458823B2 (en) | 2005-04-22 | 2008-12-02 | Denso Corporation | Electronic circuit device and manufacturing method of the same |
-
1993
- 1993-01-25 JP JP50A patent/JPH06224241A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0458988A1 (en) * | 1989-12-20 | 1991-12-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Positive resist composition |
| EP0458988B1 (en) * | 1989-12-20 | 1998-04-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Positive resist composition |
| JP2002373907A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
| JP4614579B2 (ja) * | 2001-06-14 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置の製造方法 |
| JP2003017517A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
| JP2003017515A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
| JP2003017518A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置の製造方法 |
| JP4614585B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置の製造方法 |
| JP4614586B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置の製造方法 |
| JP4614584B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
| US7458823B2 (en) | 2005-04-22 | 2008-12-02 | Denso Corporation | Electronic circuit device and manufacturing method of the same |
| US7604765B2 (en) | 2005-04-22 | 2009-10-20 | Denso Corporation | Electronic circuit device and manufacturing method of the same |
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