JPS6328772B2 - - Google Patents
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- JPS6328772B2 JPS6328772B2 JP54011458A JP1145879A JPS6328772B2 JP S6328772 B2 JPS6328772 B2 JP S6328772B2 JP 54011458 A JP54011458 A JP 54011458A JP 1145879 A JP1145879 A JP 1145879A JP S6328772 B2 JPS6328772 B2 JP S6328772B2
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Landscapes
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、量産性が極めてすぐれ、かつ耐水
性、耐冷熱衝撃性がすぐれた電子装置のモールド
法に関するものである。
性、耐冷熱衝撃性がすぐれた電子装置のモールド
法に関するものである。
これまで、電子部品を樹脂で保護被覆する場合
は、テイツプ法、トランスフアモールド法、流動
浸漬法、ポツテイング法、キヤステイング法など
の方法が採用されている。このうち、トランスフ
アモールド法は、モールドしたものを金型から離
型できるようモールド粉中に離型剤の添加が必要
である。そのためトランスフアモールドした電子
部品はモールド樹脂と電子部品との接着が本質的
に期待できない。したがつてトランスフアモール
ドした電子部品は水中或いは高湿度下で使用され
る用途において、リード線や端子部からの水の浸
入を防ぐことは極めて困難である。流動浸漬法
は、作業性の点ではすぐれたものであるが、ボイ
ドのない絶縁層の形成が困難でこれまた吸水劣化
に問題がある。また、流動浸漬法ではモールド層
を肉厚にすることも困難で外部からの応力に対し
て弱い部分が出来ることも欠点の一つである。デ
イツプ法は流動浸漬法に比べ耐水性は良好である
が、均一なモールド層の形成が困難で、クラツク
が発生し易い欠点がある。例えば、セラミツク基
板厚膜電子部品などにおいては、角の部分に樹脂
が付かず、ヒートサイクルが加わるとクラツクや
剥離が発生する。これらの方法に対して、ポツテ
イング法やキヤステイング法は耐水性の点では優
れたものである。
は、テイツプ法、トランスフアモールド法、流動
浸漬法、ポツテイング法、キヤステイング法など
の方法が採用されている。このうち、トランスフ
アモールド法は、モールドしたものを金型から離
型できるようモールド粉中に離型剤の添加が必要
である。そのためトランスフアモールドした電子
部品はモールド樹脂と電子部品との接着が本質的
に期待できない。したがつてトランスフアモール
ドした電子部品は水中或いは高湿度下で使用され
る用途において、リード線や端子部からの水の浸
入を防ぐことは極めて困難である。流動浸漬法
は、作業性の点ではすぐれたものであるが、ボイ
ドのない絶縁層の形成が困難でこれまた吸水劣化
に問題がある。また、流動浸漬法ではモールド層
を肉厚にすることも困難で外部からの応力に対し
て弱い部分が出来ることも欠点の一つである。デ
イツプ法は流動浸漬法に比べ耐水性は良好である
が、均一なモールド層の形成が困難で、クラツク
が発生し易い欠点がある。例えば、セラミツク基
板厚膜電子部品などにおいては、角の部分に樹脂
が付かず、ヒートサイクルが加わるとクラツクや
剥離が発生する。これらの方法に対して、ポツテ
イング法やキヤステイング法は耐水性の点では優
れたものである。
そこで本発明者は、エアコン、冷蔵庫、自動車
などの電子部品を対象として、これまで知られて
いるポツテイング法とキヤステイング法を検討し
た。その結果、キヤステイング法で製造した樹脂
モールド電子部品（例えば、第１図で示したもの
で１は電子部品、２はリード線、３は注型樹脂で
ある）は、耐水性及び耐熱衝撃性の点ではすぐれ
ているが、作業性の点で劣るという欠点があつ
た。特に、金型の中央部に電子部品を位置決めす
る作業に、長時間を要し、かつ位置決め不良の修
正も極めて困難である。更に高価な金型を使わな
ければならないことも大きな問題であつた。
などの電子部品を対象として、これまで知られて
いるポツテイング法とキヤステイング法を検討し
た。その結果、キヤステイング法で製造した樹脂
モールド電子部品（例えば、第１図で示したもの
で１は電子部品、２はリード線、３は注型樹脂で
ある）は、耐水性及び耐熱衝撃性の点ではすぐれ
ているが、作業性の点で劣るという欠点があつ
た。特に、金型の中央部に電子部品を位置決めす
る作業に、長時間を要し、かつ位置決め不良の修
正も極めて困難である。更に高価な金型を使わな
ければならないことも大きな問題であつた。
また、ポツテイング方式として、ケース（材質
エポキシなど）に溝を形成して、電子部品をそう
入して位置決めし、その後液状レジンを注入する
タイプ（例えば第２図のもので１は電子部品、２
はリード線、３は注型樹脂、４はケースである）
の場合、作業性の点では良好であるが耐熱衝撃性
が劣るという問題があつた。
エポキシなど）に溝を形成して、電子部品をそう
入して位置決めし、その後液状レジンを注入する
タイプ（例えば第２図のもので１は電子部品、２
はリード線、３は注型樹脂、４はケースである）
の場合、作業性の点では良好であるが耐熱衝撃性
が劣るという問題があつた。
ポツテイング式としては、第３図に示したよう
な、穴あきケースにリード線を差込み目止めして
からポツテイングする方式も検討した。（但し第
３図において１は電子部品、２はリード線、３は
注型樹脂、４はケース、５は目止め剤である。）
しかし、この場合も上記ポツテイング方式と同様
に耐熱衝撃性が劣るという問題があつた。そのう
え目止めに長い作業時間を要すること、目止めに
接着剤等を用いるので硬化するまでに電子部品の
位置ずれを起こすという作業上の問題もあつた。
な、穴あきケースにリード線を差込み目止めして
からポツテイングする方式も検討した。（但し第
３図において１は電子部品、２はリード線、３は
注型樹脂、４はケース、５は目止め剤である。）
しかし、この場合も上記ポツテイング方式と同様
に耐熱衝撃性が劣るという問題があつた。そのう
え目止めに長い作業時間を要すること、目止めに
接着剤等を用いるので硬化するまでに電子部品の
位置ずれを起こすという作業上の問題もあつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くしたうえに（ボイドがなく、接着性、耐クラツ
ク性、耐水性、耐熱衝撃性の良い）、量産性のす
ぐれた電子部品のモールド法を提供するにある。
くしたうえに（ボイドがなく、接着性、耐クラツ
ク性、耐水性、耐熱衝撃性の良い）、量産性のす
ぐれた電子部品のモールド法を提供するにある。
本発明の特徴とするところは、離型処理を施し
た金属ケースの中にリード線をつけた電子部品を
挿入し、リード線の被覆機の部分で、金属ケース
の一部をかしめることにより固定し、その後液状
熱硬化性樹脂を注入、硬化させる電子部品を樹脂
モールドする方法にある。あるいは、離型処理を
施した金属ケースに液状熱硬化性樹脂を注入した
後、電子部品を挿入し、金属ケースの一部をかし
めて固定し、その後液状熱硬化性樹脂を硬化する
電子部品を樹脂モールドする方法にある。そし
て、本発明はキヤステイング方式に比し以下(i)〜
(iii)項の特徴を有する。
た金属ケースの中にリード線をつけた電子部品を
挿入し、リード線の被覆機の部分で、金属ケース
の一部をかしめることにより固定し、その後液状
熱硬化性樹脂を注入、硬化させる電子部品を樹脂
モールドする方法にある。あるいは、離型処理を
施した金属ケースに液状熱硬化性樹脂を注入した
後、電子部品を挿入し、金属ケースの一部をかし
めて固定し、その後液状熱硬化性樹脂を硬化する
電子部品を樹脂モールドする方法にある。そし
て、本発明はキヤステイング方式に比し以下(i)〜
(iii)項の特徴を有する。
(i) キヤステイング方式の場合、電子部品の位置
決めは、寸法精度の高い治具が必要であり、硬
化するまで電子部品が動かないように十分注意
しなければならないが、これに比べ、単にケー
スをかしめるだけで済む。
決めは、寸法精度の高い治具が必要であり、硬
化するまで電子部品が動かないように十分注意
しなければならないが、これに比べ、単にケー
スをかしめるだけで済む。
(ii) キヤステイング方式の場合硬化後、金型から
モールド品を抜き取るが、本発明の場合はケー
スをつけたまま使用するので、この作業は不要
である。
モールド品を抜き取るが、本発明の場合はケー
スをつけたまま使用するので、この作業は不要
である。
(iii) キヤステイング方式の場合、金型から抜き取
るためには、精度が高い金型が必要であり、ま
た形状も制約されるが、本発明の場合抜き取ら
ないので精度も落せるため低コストで出来、か
つ形状の制約がない。
るためには、精度が高い金型が必要であり、ま
た形状も制約されるが、本発明の場合抜き取ら
ないので精度も落せるため低コストで出来、か
つ形状の制約がない。
また、従来のポツテイング方式に比べると、本
発明は、離型処理を施した金属ケースを用いるの
で注型樹脂はケースに拘束されずに変形でき、内
部応力が著しく低減して、上記のような不良は起
き難いなどの種々のメリツトがある。
発明は、離型処理を施した金属ケースを用いるの
で注型樹脂はケースに拘束されずに変形でき、内
部応力が著しく低減して、上記のような不良は起
き難いなどの種々のメリツトがある。
本発明で使用する金属ケースは、単に注入型に
するだけなので種々の材質が使用可能である。但
し、容易にかしめられるように軟質で展性がすぐ
れた例えばアルミニウムのような材質が良い。但
し、必ず離型処理を施して、注型樹脂が接着しな
いようにしなければならない。接着力が大きいと
低温に冷却したり冷熱サイクルなどによつて容易
にクラツクまたは電子部品と注型樹脂の界面には
くりが生じる。
するだけなので種々の材質が使用可能である。但
し、容易にかしめられるように軟質で展性がすぐ
れた例えばアルミニウムのような材質が良い。但
し、必ず離型処理を施して、注型樹脂が接着しな
いようにしなければならない。接着力が大きいと
低温に冷却したり冷熱サイクルなどによつて容易
にクラツクまたは電子部品と注型樹脂の界面には
くりが生じる。
以下、本発明を実施例により説明する。ここで
は電子部品としては厚膜サーミスタのみを例に上
げたが、本発明はこれに限定されるものではな
い。
は電子部品としては厚膜サーミスタのみを例に上
げたが、本発明はこれに限定されるものではな
い。
実施例 １
アルミナ基板（寸法５mm×６mm×0.5mmt）上に
形成した厚膜サーミスタにポリ塩化ビニル被覆電
線のリード線をハンダ付けした。これを離型処理
した金属ケース（アルミニウム製）に挿入し、第
４図（但し１は電子部品、２はリード線、３は、
注型樹脂、６は金属ケースである。）のようにリ
ード線の部分で金属ケースをかしめることにより
一体化した。次いで、下記のエポキシ樹脂組成物
を注入して、80℃／2h＋120℃／3hの条件で硬化
し、樹脂モールド電子部品を得た。
形成した厚膜サーミスタにポリ塩化ビニル被覆電
線のリード線をハンダ付けした。これを離型処理
した金属ケース（アルミニウム製）に挿入し、第
４図（但し１は電子部品、２はリード線、３は、
注型樹脂、６は金属ケースである。）のようにリ
ード線の部分で金属ケースをかしめることにより
一体化した。次いで、下記のエポキシ樹脂組成物
を注入して、80℃／2h＋120℃／3hの条件で硬化
し、樹脂モールド電子部品を得た。
ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当
量174） 100重量部 メチルナジツク酸無水物 30重量部 ポリアゼライン酸ポリ無水物 40重量部 ２−エチル、４−メチルイミダゾール
1.5重量部 γ−グリシドキシエチル・トリメトキシシラン
１重量部 次に、上記樹脂モールド電子部品を70℃水中に
40時間放置後70℃水中30分〜−70℃空気中30分の
ヒートサイクル試験を20回行ない、これを１サイ
クルとした吸水と熱衝撃の複合試験を行なつた。
50ケ試験した結果、上記の吸水熱衝撃試験を10サ
イクル行なつてもクラツク発生か全くなく、水中
絶縁抵抗は109Ω以上であつた。また、厚膜サー
ミスタの抵抗値を10±0.02℃以内で測定したが、
全数とも変化率は３％以内で、極めて良好であつ
た。
量174） 100重量部 メチルナジツク酸無水物 30重量部 ポリアゼライン酸ポリ無水物 40重量部 ２−エチル、４−メチルイミダゾール
1.5重量部 γ−グリシドキシエチル・トリメトキシシラン
１重量部 次に、上記樹脂モールド電子部品を70℃水中に
40時間放置後70℃水中30分〜−70℃空気中30分の
ヒートサイクル試験を20回行ない、これを１サイ
クルとした吸水と熱衝撃の複合試験を行なつた。
50ケ試験した結果、上記の吸水熱衝撃試験を10サ
イクル行なつてもクラツク発生か全くなく、水中
絶縁抵抗は109Ω以上であつた。また、厚膜サー
ミスタの抵抗値を10±0.02℃以内で測定したが、
全数とも変化率は３％以内で、極めて良好であつ
た。
実施例 ２
エポキシ樹脂組成物が以下のものである以外
は、すべて実施例１と同様にして厚膜サーミスタ
をモールドした。
は、すべて実施例１と同様にして厚膜サーミスタ
をモールドした。
ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当
量174） 100重量部 メチルナジツク酸無水物 20重量部 ポリアゼライン酸ポリ無水物 45重量部 ２−エチル、４−メチルイミダゾール
1.5重量部 γ−グリシドキシエチル、トリメトキシシラン
1.5重量部 325mesh以下のシリカ粉 100重量部 上記モールド品を実施例１と同様の吸水熱衝撃
複合試験を実施した結果、10サイクル後も実施例
１と同様に、全数（50ケ）水中絶縁抵抗が109Ω
以上、サーミスタ抵抗値の変化率も３％以内で良
好であつた。さらに30℃水中30分〜−30℃空気中
30分の冷熱サイクル試験を8000回実施したが、こ
の条件でも試験に用いたモールド品は異常なかつ
た。
量174） 100重量部 メチルナジツク酸無水物 20重量部 ポリアゼライン酸ポリ無水物 45重量部 ２−エチル、４−メチルイミダゾール
1.5重量部 γ−グリシドキシエチル、トリメトキシシラン
1.5重量部 325mesh以下のシリカ粉 100重量部 上記モールド品を実施例１と同様の吸水熱衝撃
複合試験を実施した結果、10サイクル後も実施例
１と同様に、全数（50ケ）水中絶縁抵抗が109Ω
以上、サーミスタ抵抗値の変化率も３％以内で良
好であつた。さらに30℃水中30分〜−30℃空気中
30分の冷熱サイクル試験を8000回実施したが、こ
の条件でも試験に用いたモールド品は異常なかつ
た。
実施例 ３
実施例１と同様の厚膜サーミスタを、実施例１
と同様の離型処理を施したアルミニウムケースに
約2/3程下記の液状熱硬化性樹脂組成物を注入し
た後に、挿入して実施例１と同様にケースをかし
め、120℃で４時間加熱して硬化し樹脂モールド
電子部品を得た。
と同様の離型処理を施したアルミニウムケースに
約2/3程下記の液状熱硬化性樹脂組成物を注入し
た後に、挿入して実施例１と同様にケースをかし
め、120℃で４時間加熱して硬化し樹脂モールド
電子部品を得た。
ビスフエノールＡ型エポキシレジン（エポキシ
当量174） 100重量部 メチルテトラヒドロフタル酸無水物 70重量部 末端カルボン酸飽和ポリエステル（アジピン酸
とプロピレングリコールとの縮合物） 40重量部 ２−エチル、４−メチルイミダゾール
1.5重量部 γ−グリシドキシエチル、トリメトキシシラン
1.5重量部 溶融〓粉（300mesh以下） 150重量部 次にモールド品を実施例２と同様の30℃水中30
分〜−30℃空気中30分の冷熱サイクル試験を実施
した。100ケ試験した結果、1000回実施後、水中
絶縁抵抗が109Ω以上、サーミスタ抵抗値変化率
も３％以内で良好であつた。
当量174） 100重量部 メチルテトラヒドロフタル酸無水物 70重量部 末端カルボン酸飽和ポリエステル（アジピン酸
とプロピレングリコールとの縮合物） 40重量部 ２−エチル、４−メチルイミダゾール
1.5重量部 γ−グリシドキシエチル、トリメトキシシラン
1.5重量部 溶融〓粉（300mesh以下） 150重量部 次にモールド品を実施例２と同様の30℃水中30
分〜−30℃空気中30分の冷熱サイクル試験を実施
した。100ケ試験した結果、1000回実施後、水中
絶縁抵抗が109Ω以上、サーミスタ抵抗値変化率
も３％以内で良好であつた。
比較例 １
第２図に示すごとくリード線２をつけた電子部
品１（厚膜サーミスタ）をケース４に入れ、実施
例１と同じ組成のエポキシ樹脂組成物を注入し、
実施例１と同じ条件で硬化させ注型樹脂３を得
た。これを実施例１と同じ吸水熱衝撃複合試験を
実施した。50個試験したところ、１サイクル後、
５個にクラツクが発生し、２サイクル後で８個、
３サイクル後で７個クラツクが発生した。この時
点で吸水熱衝撃試験を中止した。
品１（厚膜サーミスタ）をケース４に入れ、実施
例１と同じ組成のエポキシ樹脂組成物を注入し、
実施例１と同じ条件で硬化させ注型樹脂３を得
た。これを実施例１と同じ吸水熱衝撃複合試験を
実施した。50個試験したところ、１サイクル後、
５個にクラツクが発生し、２サイクル後で８個、
３サイクル後で７個クラツクが発生した。この時
点で吸水熱衝撃試験を中止した。
比較例 ２
第３図に示すように実施例１と同じ仕様のリー
ド線２のついた電子部品１（厚膜サーミスタ）を
リード線２を通す穴をあけたガラスせんい入りポ
リブチレンテレフタレート樹脂製のケース４にそ
う入し、もれ止め５を施した。実施例１と同じ組
成のエポキシ樹脂組成物を用い、実施例１と同条
件で硬化した。このようにして得た製品を実施例
１と同様の吸水、熱衝撃複合試験を行なつたとこ
ろ、１サイクル後20個の試料のうち２個、２サイ
クル後に４個クラツクが生じ対地間絶縁抵抗が
106Ω以下に抵下した。
ド線２のついた電子部品１（厚膜サーミスタ）を
リード線２を通す穴をあけたガラスせんい入りポ
リブチレンテレフタレート樹脂製のケース４にそ
う入し、もれ止め５を施した。実施例１と同じ組
成のエポキシ樹脂組成物を用い、実施例１と同条
件で硬化した。このようにして得た製品を実施例
１と同様の吸水、熱衝撃複合試験を行なつたとこ
ろ、１サイクル後20個の試料のうち２個、２サイ
クル後に４個クラツクが生じ対地間絶縁抵抗が
106Ω以下に抵下した。
比較例 ３
実施例１と同様の仕様の樹脂モールド厚膜サー
ミスタを、金属ケースを離型処理せずに洗浄した
だけのものを用いて作成した。次に実施例１と同
様に吸水冷熱衝撃試験を行なつた結果、ヒートサ
イクルを５回行なつた後に全数（20ケ）金属ケー
ス内にクラツクが入り、水中絶縁抵抗値が106Ω
以下に低下した。
ミスタを、金属ケースを離型処理せずに洗浄した
だけのものを用いて作成した。次に実施例１と同
様に吸水冷熱衝撃試験を行なつた結果、ヒートサ
イクルを５回行なつた後に全数（20ケ）金属ケー
ス内にクラツクが入り、水中絶縁抵抗値が106Ω
以下に低下した。
第１図〜第３図は従来法により製作した樹脂モ
ールド型厚膜サーミスタ、第４図は本発明の方法
で製作した樹脂モールド型厚膜サーミスタ、第５
図は、第４図のＡ−Ａ断面図である。 １……電子部品、２……リード線、３……注型
樹脂、４……樹脂ケース、５……目止め樹脂、６
……離型処理した金属ケース。
ールド型厚膜サーミスタ、第４図は本発明の方法
で製作した樹脂モールド型厚膜サーミスタ、第５
図は、第４図のＡ−Ａ断面図である。 １……電子部品、２……リード線、３……注型
樹脂、４……樹脂ケース、５……目止め樹脂、６
……離型処理した金属ケース。
Claims (1)
- １ リード線のついた電子部品の電子部品部と電
子部品に接続しているリード線の一部を、離型処
理を施した金属ケースに挿入し金属ケースの一部
をリード線の部分でかしめることにより電子部品
を金属ケース内に固定させ、液状の熱硬化性樹脂
を電子部品の挿入前あるいは金属ケースをかしめ
た後に注入、硬化することを特徴とする電子部品
の樹脂モールド法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145879A JPS55103914A (en) | 1979-02-05 | 1979-02-05 | Resin molding method for electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145879A JPS55103914A (en) | 1979-02-05 | 1979-02-05 | Resin molding method for electronic parts |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55103914A JPS55103914A (en) | 1980-08-08 |
| JPS6328772B2 true JPS6328772B2 (ja) | 1988-06-09 |
Family
ID=11778645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1145879A Granted JPS55103914A (en) | 1979-02-05 | 1979-02-05 | Resin molding method for electronic parts |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55103914A (ja) |
-
1979
- 1979-02-05 JP JP1145879A patent/JPS55103914A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55103914A (en) | 1980-08-08 |
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