JP2002526910A - 高い障害耐性を有する磁気抵抗メモリ - Google Patents

高い障害耐性を有する磁気抵抗メモリ

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ヴェーバー ヴェルナー
テーヴェス ローラント
プラザ グンター
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インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
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Abstract

(57)【要約】 本発明は小さなチップ面積で障害耐性の改善を達成できる磁気抵抗メモリを対象としている。本発明ではワード線が相補的な２つのビット線間に垂直に設けられており、ビット線とワード線との間に正規のセルを有する磁気抵抗メモリ装置が設けられており、相補的なビット線とワード線との間に相補的なメモリセルを有する所属の磁気抵抗メモリ装置が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、磁気により可変のメモリセル電気抵抗のメモリ作用を利用した磁気
抵抗性書き込み／読み出しメモリＭＲＡＭに関する。
【０００２】 国際公開特許出願第５１０１２号明細書から、不揮発性の強磁性書き込み／読
み出しメモリが公知である。このメモリでは非磁性の非伝導層が２つの強磁性層
間に設けられている。ここで一方の層は固定の配向状態、他方の層は駆動によっ
て定められる配向状態を有しており、２つの強磁性層を介した抵抗はそれぞれの
磁気モーメントの配向状態によって変化する。
【０００３】 本発明の基礎とする課題は、磁気抵抗性書き込み／読み出しメモリを提供して
、できる限り小さなチップ面積で高い障害耐性を達成することである。
【０００４】 この課題は本発明の請求項１の特徴部分に記載の構成により解決される。他の
請求項は本発明の有利な実施形態に関している。
【０００５】 以下に本発明の実施例を図に則して詳細に説明する。図１には本発明のＭＲＡ
Ｍの断面図が示されている。図２には図１の磁気抵抗層装置の断面図が示されて
いる。
【０００６】 本発明では主として、個々の各メモリセルに対してローカルの基準メモリセル
が設けられており、これら２つのメモリセル間に垂直方向で共通のワード線が設
けられている。これにより面積が大幅に節約され、特に良好な障害補償が可能と
なる。
【０００７】
【外３】
【０００８】 層装置ＭＲＳは主として軟磁性層ＷＭおよび硬磁性層ＨＭから成っており、こ
れら２つの層は酸化物トンネルＴＯＸによって相互に分離されている。強磁性層
は通常、鉄、ニッケルおよびコバルトのうち少なくとも１つの物質を含む材料か
ら形成され、硬磁性層ＨＭの材料は軟磁性層ＷＭの材料よりも高い保磁性磁界強
度を有する。酸化物トンネルＴＯＸは例えばＡｌ２Ｏ３から成る。酸化物トンネ
ルＴＯＸに代えて別の薄いアイソレーション層、例えば窒化ケイ素その他から成
る層を使用することもできる。
【０００９】 磁気抵抗層装置は例えば、選択されたビット線ＢＬおよび選択されたワード線
ＷＬでの充分な電流により、セルＺの軟磁性層ＷＭの磁化方向を変化させて保持
し、これにより論理状態０または１を記憶することができる。セルＺの読み出し
はこのセルを通って電流が所属のワード線から所属のビット線へ流れることによ
って作用し、その電流強度は軟磁性層ＷＭの磁化方向に依存する。電流強度は例
えば軟磁性層ＷＭおよび硬磁性層ＨＭの磁化方向が平行である場合または反平行
である場合に異なる。なぜならこの２つのケースではトンネリングの確率が異な
るからである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のＭＲＡＭの断面図である。
【図２】 図１の磁気抵抗層装置の断面図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年８月２９日（２０００．８．２９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【外１】
【外２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】 国際公開特許出願第９５／１０１１２号明細書および米国特許出願第５６９９
２９３号明細書から、不揮発性の強磁性書き込み／読み出しメモリが公知である
。このメモリでは非磁性の非伝導層が２つの強磁性層間に設けられている。ここ
で一方の層は固定の配向状態、他方の層は駆動によって定められる配向状態を有
しており、２つの強磁性層を介した抵抗はそれぞれの磁気モーメントの配向状態
によって変化する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グンター プラザ ドイツ連邦共和国 グリューンヴァルト ラウフツォルナー シュトラーセ 10アー Ｆターム(参考） 5E049 AC05 BA06 BA11 CB01 5F083 FZ10

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 【外１】
  2. 【請求項２】 【外２】
  3. 【請求項３】 前記磁気抵抗層装置（ＭＲＳ）は軟磁性層（ＷＭ）および硬
    磁性層（ＨＭ）を有しており、該軟磁性層および硬磁性層は薄い酸化物トンネル
    （ＴＯＸ）を介して相互に分離されている、請求項１または２記載の磁気抵抗メ
    モリ。
JP2000572855A 1998-09-30 1999-09-29 高い障害耐性を有する磁気抵抗メモリ Pending JP2002526910A (ja)

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DE19845069.9 1998-09-30
DE19845069 1998-09-30
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