JP2002525426A - バリウムとストロンチウムとを含有する酸化物薄膜を成長させる方法 - Google Patents
バリウムとストロンチウムとを含有する酸化物薄膜を成長させる方法Info
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Abstract
Description
よび超伝導材料に関する。本発明の特定の目的は、かかる膜および材料を製造す
るための請求項1の前文による方法である。
クトロニクスの多くの準領域で必要とされている。特に継続的なマイクロエレク
トロニクス素子のサイズの減少が、このような誘電膜の使用の必要性を増加させ
てきた。例えば、DRAM(Dynamic Random Access Memory)コンデンサーの容
量は、これらのサイズが急激に減少している一方で、ほぼ一定のままでなければ
ならず、これまで使用されてきたSiO2およびSi3N4をこれらより高い誘電
率を有する材料に置き換えることが必要である。オプトエレクトロニクスにおい
ては、高い誘電率を有する誘電膜は、例えばエレクトロルミネセンスディスプレ
イにおいて活用することができ、これによりディスプレイの作動電圧を減少させ
ることができる。例えばBaTiO3のようないくつかの高い誘電率を有する材
料は常温で強誘電性材料でもあり、これらの例えばNVRAM(Nonvolatile Ra
ndom Access Memory)への潜在的な用途、および、様々なマイクロエレクトロメ
カニカルな応用を拡大する要因となっている。
壊電界を有することが要求される。これらの両特性の達成には、緻密で欠陥の無
い膜構造が前提となる。当然、膜の特性は使用状態において安定でなければなら
ない。さらに、特にマイクロエレクトロニクスでの応用においては、膜の適合性
、すなわち複雑な形状の表面を均一な厚さの膜で覆う能力が重要である。なぜな
らば、マイクロエレクトロニクス素子の製造では、深い溝や孔にさえも膜を堆積
させる必要があるからである。
を有する誘電膜として検討されている。バリウムおよびストロンチウムを含む重
要な酸化物薄膜としては、例えばBaTiO3、SrTiO3およびBa1- xSrx TiO3(xは0〜1)が挙げられる。これらに加えて、高温超伝導体、例えば
YBa2Cu3O7-x(xは0〜1)、Bi2Sr2Can - 1CunO5 +(2n-1)+ δおよ
びTl2Ba2Can - 1CunO5 +(2n-1)+ δおよびこれらと格子が適合する誘電材
料、PrBa2Cu3O7 - δおよびSr2AlTaO6(D.L. Schulz and T.J. Mar
ks, Advanced Materials 6 (1994) 719)が挙げられる。前記の全ての式中、n
は1〜3でδは0〜1である。バリウムおよびストロンチウムを含む他の酸化物
薄膜としては、様々なニオブ酸塩(Sr,Ba)Nb2O6および(Pb,Ba)
Nb2O6(L.M. Shepard, Ceramic Bulletin 71 (1992) 85)が挙げられる。こ
れらの膜は、ゾル−ゲル法、様々な物理的蒸着法(PVD)(例えば、蒸発、ス
パッターリング、レーザーアブレーション)および化学蒸着法(CVD)といっ
た多くの異なった方法で製造することができる。
ッターリング、レーザーアブレーション)によって、および、化学蒸着法(CV
D)によって製造した膜は高品質なものである。その代わり、部片の表面構造が
複雑な場合、均一な品質と厚さとの膜の製造には成功しないであろう。化学蒸着
法(CVD)による場合のみ、深い溝や孔に適合した膜を堆積させることが可能
である(S.M. Bilodeau, Soloid State Technology, July (1997) 235)。CV
D法においてでさえ、膜成長速度が、膜表面上の前駆物質の拡散によってではな
く、表面反応速度によって定まるときにのみ、高い適合性が得られる。これは、
表面反応が膜表面上での前駆物質の拡散よりも遅い場合に達成される。低温では
表面反応は遅いが、かかる場合、膜のその他の特性はしばしば不十分なままであ
ろう。これは、膜の不十分な結晶度とその組成制御の困難さとの両方による(C.
S. Kang et al., Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 36 (1997) 69
46; M.Kiyotoshi and K. Eguchi, Electrochemical Society Proceedings 97-25
(1997) 1063)。
いる原子層エピタキシー(ALE)は、薄膜の堆積のための公知の方法である(
米国特許第4,085,430号)。この方法においては、薄膜は交互の飽和表面反応に
よって堆積される。これらの反応は、気体あるいは蒸発した前駆物質を交互に反
応器に供給し、かかる前駆物質のパルスの間に不活性ガスで反応器をパージする
ことによっておこなわれる(T. Suntola, Thin Solid Films 215 (1992) 84; Ni
inisto et al., Materials Science and Engineering B41 (1996) 23 )。加え
てALEは、大きな表面上にさえ、均一な厚さの層を堆積するために使用するこ
とができ、反応サイクルの数による厚さおよび組成の制御は正確かつ簡便である
。ALE法は、以前、TiO2膜を作るために使用されてきたが(Ritala et al.
, Thin Solid Films 225 (1993) 288, Chemistry of Materials 5 (1993) 1174
and 6 (1994) 556)、これまで、自己制御してALE法によって、本発明の目的
であるバリウム含有酸化物薄膜およびストロンチウム含有酸化物薄膜を製造する
ことはできなかった。超伝導膜の自己制御堆積の試みも失敗に終わっている。上
記化合物を製造しない最も重要な理由は、BaおよびSrの適当な前駆物質がな
いことである。これら元素の化合物で揮発性のものはほとんど無く、CVDおよ
びALEの両方に用いられる前駆物質は、たいてい一つの化合物のタイプ、すな
わち、β−ジケトネートである(W.A. Wojtcak et al., Advances in Organomet
allic Chemistry 40 (1996) 215, Tiitta and Niinisto, Chemical Vapor Depos
ition 3 (1997) 167)。BaおよびSrのβ−ジケトネートの問題点は、これら
が熱分解しないような温度において、最も一般的にALE法において使用される
酸素原であるH2O、H2O2およびO2と反応しないことである。これらの金属の
ヨウ化物もCVD法に使用されているが(P. Martensson and A. Harsta, Journ
al of Crystal Growth 156 (1995) 67)、この場合、ほとんどの応用に対して高
すぎる温度を用いる必要があることである。
る方法を記載している。ALE法も記載されている。当該公開公報は、これらの
方法において前駆物質として使用できる好適な有機金属化合物も挙げている。バ
リウムシクロペンタジエニルもそれらに含まれている。しかしながら、当該公開
公報において、具体的にALE法により、そして、具体的にバリウムシクロペン
タジエニルを前駆物質として使用して膜は堆積されていない。さらに、当該欧州
特許出願公開公報は、膜成長の好適な条件を与えていない。というのは、どのよ
うに、あるいは、いかなる条件でシクロペンタジエニル化合物を使用すべきか、
どのように酸素を酸化物に導入するのか、また、当該公開公報に記載されている
代わりのどのエピタキシー法においてでも、バリウムシクロペンタジエニルを前
駆物質として使用することにより、具体的にいかなる利点があるのか、といった
ことを記述していないからである。
よび、バリウムおよびストロンチウムを含む超伝導材料を提供することである。
安定であり、ALE技法においてこれら化合物を前駆物質として使用できるため
、バリウムおよびストロンチウムを含む酸化物薄膜を制御して堆積できる、とい
う検討結果に基づく。バリウムおよびストロンチウムのシクロペンタジエニル化
合物は、このように蒸発可能な化合物である。膜の堆積においては、前記バリウ
ムおよびストロンチウム化合物は、反応性酸素前駆物質および揮発性チタン化合
物と共に、ALEの原理に従う方法において前駆物質として使用される。
って特徴づけられる。 本発明を添付図面の補助のもとに説明する。
℃、好ましくは150〜400℃で堆積される。シート形状(ガラスあるいはシ
リコンウエハなど)または粉状材料のいずれも基板として使用することができる
。ALE法によれば、アルカリ土類金属を含むシクロペンタジエニル化合物を蒸
発し、その後、反応器を不活性ガスでパージ(purge)して、酸素前駆物質
を反応器に供給し、そして、不活性ガスで反応器の2度目のパージをおこなう。
これらの工程の全てはひとまとめで、一回の堆積サイクルを構成する。堆積サイ
クルは、膜が所望の厚さになるまで繰り返される。多成分膜は、前駆物質を変え
ることによって得られる。
合物が前駆物質として使用される。これらの化合物は式I〜IVのものが挙げら
れる。 M(Cp)2 (I) M(Cp)2 Ln (II) M(Cp)X (III) M(Cp)XLn (IV)
あり、式IおよびIIに存在するCp基は互いに同一または異なっており、Xは
Cp以外の配位子であって−1の価数を有し、Lnはその原子の一つまたはいく
つか数個で金属と結合している中性の付加配位子であり、そして、nは結合して
いる配位子の数を表している。
合、2つのCp基の間の結合は、Si、N、P、SeまたはSといったヘテロ原
子を含んでいてもよい、置換のまたは未置換のC1−C6鎖で形成されている。
窒素化合物、ハロゲン化物、アミド、アルコキシド、カルボキシレートまたはシ
ッフ塩基である。
くは未置換の、環状、鎖状または枝分かれ状のアルキル、アルケニル、アリール
、アルキルアリール、アリールアルキル、アルコキシ、チオ、シアノまたはシリ
ル基である。R1の環状または芳香族の環はヘテロ原子を含んでいてもよい。式
(V)で表される配位子は、炭素原子に結合した水素またはR1のような置換基
のいずれかを有していてもよい、 (d)エーテルまたはチオエーテル である。
タジエニルであって、かつ、Rは1〜20の炭素原子を有する炭化水素基、好ま
しくはC1〜C6炭化水素である。Rは相互に同一若しくは異なるものであっても
よい。Rは置換の若しくは未置換の、環状、鎖状または枝分かれ状のアルキル、
アルケニル、アリール、アルキルアリール、アリールアルキル、アルコキシ、チ
オ、アミノ、シアノまたはシリル基であってもよい。置換基の環状または芳香族
の環は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。メチル、エチル、プロピルおよびイソ
プロピル基を、かかる置換基の例として挙げることができる。
ある式IIの有機金属錯体を使用することができる。中性付加配位子L(式II
およびIV)として、例えば1原子で金属と結合するエーテル、アミンまたは溶
媒分子(例えばテトラヒドロフラン)を使用することができる。ポリエーテルお
よびポリアミンを、それらの原子のいくつかによって金属に結合する好適な配位
子の例として挙げることができる。
ウムまたはストロンチウムのビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)または
ビス(トリイソプロピルシクロペンタジエニル)のTHF付加物である。
シクロペンタジエニル化合物は、揮発性チタン化合物(例えば、ハロゲン化物、
アルコキシド、シクロペンタジエニル、アルキルアミド)および反応性酸素前駆
体(例えば、H2O、H2O2)と一緒に使用される。ここでBaTiO3、SrT
iO3およびBaJ-XSRXTiO3膜の場合は、低い堆積温度(325℃)でのA
LE法により成長させることができる。前記前駆体はバリウムおよび/またはス
トロンチウムを含有するほかの酸化物薄膜のALE堆積にも利用することができ
る。
の使用に適するチタン化合物を列挙する。従って好ましくは1種またはそれ以上
の以下の化合物を揮発性チタン化合物として使用する: チタニウムハライド、例えばTiCl4、TiCl3、TiBr3、TiI4、T
iI3、 チタニウムアルコキシド、例えばTi(OC2H5)4、Ti(OiPr)4、T
i(OnBu)4およびチタニウム(IV)−エチルヘキサオキシド、 チタニウムナイトレート(Ti(NO3)4)、 チタンのアルキルアミノ錯体、例えばテトラキス(ジエチルアミノ)チタニウ
ム、テトラキス(ジメチルアミノ)チタニウム、テトラキス(エチルメチルアミ
ノ)チタニウム、テトラキス(イソプロピルメチルアミノ)チタニウム、ビス(
シクロペンタジエニル)ビス(ジメチルアミノ)チタニウム、トリス(ジメチル
アミノ)(N,N,N’−トリメチルエチルジアミノ)チタニウムおよびt−ブ
チルトリス(ジメチルアミノ)チタニウム;さらに米国特許第5,659,05
7号明細書に記載された適用できる例示化合物、 チタンのシクロペンタジエニル錯体、例えばTi(η5−C5H5)2、Ti(η 5 −C5H5)(η7−C7H7)、(η5−C5H5)TiR2、ここでRはアルキル(
例えばCH3)、ベンジル(C6H5)またはカルボニルである、ビス(t−ブチ
ルシクロペンタジエニル)チタニウム ジクロライド、ビス(ペンタメチルシク
ロペンタジエニル)チタニウム ジクロライド、および(C5H5)2Ti(CO
)2、 チタンのシリルアミド錯体、例えばTi{N4[Si(CH3)3]4[Si(C
H3)2]2};さらに米国特許第5,603,988号明細書に記載された適用
できる例示化合物、 チタニウムジアルキルジチオカルバメート、および チタニウム−β−ジケトネート、例えばジ(i−プロポキシド)ビス(2,2
,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)チタニウム、およびトリ
ス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)チタニウム(
III)。
の使用である。 酸素前駆体はALE技術で使用可能ないずれの酸素化合物であってもよい。好
ましい酸素前駆体は、水、酸素および過酸化水素、および過酸化水素水溶液であ
る。オゾン(O3)は特に好ましい酸素前駆体である。もしオゾンが酸素に対す
る前駆体として使用されるならば、物質の濃厚な層が酸化物形成から得られ、そ
れによって酸化物薄膜の誘電率が改良できることは、文献に基づいて公知である
。
lO4)、しかしこれらとアルカリ土類金属との親和性(compatibil
ity)は制限される、 過酸(−O−O−H)、例えば過安息香酸(C6H5COOOH)および過酢酸
(CH3COOOH)、 アルコール、例えばメタノール(CH3OH)およびエタノール(CH3CH2
OH)、および 種々のラジカル、例えば酸素ラジカル(O¨)およびヒドロキシルラジカル
(・OH)。
化物(例えばBaTiO3、SrTiO3およびBaJ-XSRXTiO3 )を生成す
る堆積サイクルの比(例えばTi−O、Sr−OおよびBa−O)をコントロー
ルする。もし例えばSr/Tiが0.8〜1.2であれば、好ましくは約1の結
晶性膜が得られる(実施例1参照)。従って組成物は簡単にかつ精密にコントロ
ールすることができる。膜の組成物を均一にすべきためには堆積サイクルを異な
る物質ができるだけ完全に混合するように、すなわち連続的な類似サイクルの1
〜10、好ましくは1〜2サイクルになるように実施する。
300℃)で成長し、それによってアモルファス薄膜が得られる。膜の構造はポ
ストアニーリング中に結晶となる。ポストアニーリングは成長温度より高い温度
で行い、その時間は変わり得る。本発明の好ましい実施態様によれば、ポストア
ニーリングの時間は60分であり、500℃でのエアースチーム中で実施する。
させることを経て成長するので、その成長は自己制御され、優れた順応性または
適合性(conformality)が確保される。前記からの証拠のように、ストロンチウ
ムおよびバリウムのシクロペンタジエニル化合物は広範な温度範囲内で成分を蒸
発するように使用でき、その場合作製された薄膜の構造およびその結晶性は反応
温度および金属混合割合の選択によりおよび電位の後処理により効果的にコント
ロールすることができる。本発明の前駆体は、それらが最終生成物における有意
な炭素および水素残基を遊離しないであろうとの理由から、ALE技術における
使用のために特に有利である。一方、バリウムおよびストロンチウム含有酸化物
薄膜の誘電率は非常に高く、従って特にバリウムおよびストロンチウムの酸化物
は誘電性薄膜用物質として特に適当である。それらの高い誘電率のために、それ
らは記憶回路およびゲート酸化物に特に適する。揮発性チタニウム化合物と一緒
になったバリウムのシクロペンタジエニル化合物の使用により、低温成長プロセ
スが達成され、これは誘電膜の大部分の適用に重要なことである。
する。誘電率は、より薄い膜の誘電率がより低くなるように膜の厚さに従って変
化する。例示として約50nm厚の膜に関しては、高い誘電率は約50以上、好
ましくは約100以上であることに留意すべきである。
る。本発明の膜は、例えば白金(Pt)、RuO2、IrO2、SrRuO3、L
aSrCoO3、IrO2/Ir、RuO2/Pt、シリカ(SiO2)、窒化ケイ
素およびシリコン表面上に堆積される。
Ba2Cu3O7-X(xは0から1)、Bi2Sr2Can-JCunO5+(2n-1)+ δおよ
びTl2Ba2Can-lCunO5+(2n-l)+ δ、およびそれらと格子適合した(latti
ce-matched)誘電性物質、例えばPrBa2Cu3O7- δおよびSR2AlTaO6 (D. L. SchulzおよびT. J. Marks, Advanced Materials 6 (1994) 719)を作製
することができる。 本発明を例示するために以下に3つの実施例を説明する。
ikrokemia Oy)内で成長させた。使用したストロンチウム前駆体はビス(トリイ
ソプロピルシクロペンタジエニル)ストロンチウムのTHF付加物、Sr(C5
(iC3H7)3H2)THFGp、ここでpは0〜2およびTHFはテトラヒドロフ
ラン、であり、これを100℃の温度にまで加熱することにより反応機内で蒸発
させた。使用したチタニウム前駆体はチタニウムテトライソプロポキシド(Ti
(OiC3H7)4)であり、これを40℃の温度で反応機内で蒸発させた。使用し
た酸素源は水であり、これを外部から反応機内に供給した。これら前駆体からの
TiO2の成長は前に説明した(Ritala et al., Chemistry of Materials 5 (19
93) 1174)。
った。Ti−Oサイクルは、(i)0.6sパルスのTi(OiC3H7)4、(i
i)不活性窒素ガスによる0.5sパージ、(iii)0.6sパルスのH2O
、および(iv)窒素ガスによる0.5sパージ、の4工程からなっていた。そ
れぞれのSr−Oサイクルの構成は(i)0.6sパルスのSr(C5(iC3H7 )THFp、(ii)窒素ガスによる0.5sパージ、(iii)0.5sパル
スのH2O、および(iv)窒素ガスによる0.5sパージ。その膜の組成はT
i−OおよびSr−Oサイクルの比によりコントロールした。Ti−OおよびS
r−Oサイクルの交換は連続して2つの類似サイクルが最大となるように行った
。例えば、サイクル比Ti−O/Sr−O=1:1は、サイクリング式q[(T
i−O)(Sr−O)]を繰り返すことにより達成され、比Ti−O/Sr−O
=3:4は、式q[(Ti−O)(Sr−O)(Ti−O)(Sr−O)(Ti
−O)(Sr−O)(Sr−O)]により達成され、ここで式qはこのサイクリ
ングの繰り返し回数を示す。従ってqは膜の厚さを決定する。
り得る(図1)。図に示した曲線の直線性は組成がサイクル比により良くコント
ロールできることを示している。Sr/Ti比が1に近い値を有する膜は、X線
回折分析によれば、結晶性SrTiO3であった(図2)。TOF−ERDA(T
ime-of-Flight Elastic Recoil and Detection Analysis)は、膜が%で0.2
より低い炭素および水素残基を含有することを示し、他の可能性のある不純物残
基は関連する方法により検出できないほど低いものであった。
最大で118であるが、500℃の温度での空気中での60分間のアニーリング
は誘電率を有意に最大値180に増加させる。ポストアニーリングもX線反射の
強度を増加させ、改良された膜結晶性を示した。
成長させた膜はアモルファスであったが、空気中500℃で60分間加熱させる
と結晶化した。
ペンタジエニル)バリウムのTHF付加物、Ba(C5(CH3)4)THFp、こ
こでpは0〜2である、を使用する以外は実施例1記載の方法により、BaTi
O3膜を成長させた。堆積温度は250℃であった。(Ti−O)/(Ba−O
)の堆積サイクル比が6:5を使用した場合、アモルファス膜が得られた。この
膜を空気中500℃で60分間加熱すると、BaTiO3として結晶化し、これ
を測定すると165の誘電率を示した。
酸化物である)から測定した場合の、サイクル比の関数としての、325℃で堆
積した膜の誘電率を示す。
Claims (19)
- 【請求項1】 酸化物薄膜をALE技術により前駆体としてストロンチウム
および/またはバリウムのシクロペンタジエニル化合物を、一つまたはそれ以上
の揮発性チタン化合物、および反応性酸素前駆体と共に用いることにより作製す
ることを特徴とする薄膜を成長させる方法。 - 【請求項2】 成長させる酸化物薄膜が誘電性であることを特徴とする請求
項1記載の方法。 - 【請求項3】 連続した、1〜10の、好適には1〜2の、同様な成長サイ
クルがあり、一つの成長サイクルが、Ba化合物、Sr化合物または揮発性チタ
ン化合物を供給すること;不活性パージを行うこと;酸素の前駆体を供給するこ
と;および第2の不活性パージを行うことから構成されるものであることを特徴
とする請求項1または2記載の方法。 - 【請求項4】 アルカリ土類金属化合物とチタン化合物のサイクル比が、0
.8〜1.2であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の方法。 - 【請求項5】 揮発性チタン化合物が、チタニウムハライド、チタニウムア
ルコキシド、チタニウムナイトレート(Ti(NO3)4)、チタンのアルキルア
ミノ錯体、チタンのシクロペンタジエニル錯体、チタンのシリルアミド錯体、チ
タニウムジアルキルジチオカルバメート、またはチタニウム−β−ジケトネート
であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の方法。 - 【請求項6】 膜成長物質が、白金(Pt)、RuO2、IrO2、SrRu
O3、LaSrCoO3、IrO2/Ir、RuO2/Pt、シリカ(SiO2)、
窒化ケイ素またはシリコンの表面であることを特徴とする前記請求項のいずれか
に記載の方法。 - 【請求項7】 用いる反応性酸素前駆体は、酸素(O2)、水蒸気、過酸化
水素または過酸化水素の水溶液、および/またはオゾンであることを特徴とする
前記請求項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項8】 前駆体の式が、 M(Cp)2 またはM(Cp)2Ln であり、 式中、MはSrまたはBaであり、 Cpは、形態Cp’RmH5-m (ここで、mは0〜5の整数であり、Rは炭化水
素基であり、この炭化水素基は複数存在するときは互に同一であるか、または異
なる)を有する縮合した、または単一のシクロペンタジエニル基であり、 このCp基が複数存在するときは同一であるかまたは異なっている、 Lnは、一つまたは数個の原子によって、金属へ結合する、中性の付加配位子
であることを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項9】 Srおよび/またはBaの前駆体は、形態M(Cp)Xまた
はM(Cp)XLnを有しており、この式中、MはSrまたはBaであり、 Cpは、形態Cp’RmH5-m (ここで、mは0〜5の整数であり、Rは炭化水
素基であり、このRは複数存在するときは互に同一であるか、または異なり)を
有する縮合した、または単一のシクロペンタジエニル基であり、 Xは、−1の価数を有する、Cp以外の、配位子であり、 Lは、一つまたは数個の原子によって、当該金属へ結合する、中性の付加配位
子である、ことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の方法。 - 【請求項10】 シクロペンタジエニル基が、シクロペンタジエニル、ペン
タメチルシクロペンタジエニル、トリイソプロピルシクロペンタジエニル、イン
デニル、またはフルオレニルであることを特徴とする請求項8または9に記載の
方法。 - 【請求項11】 Cp基が同一の分子に含まれていることを特徴とする請求
項8または9に記載の方法。 - 【請求項12】 2つのCp基の間のブリッジ(bridge)が、置換さ
れたまたは置換されていないC1〜C6炭素鎖から構成されていることを特徴とす
る請求項11に記載の方法。 - 【請求項13】 当該ブリッジを構成する炭素鎖が、シリコン、窒素、リン
、セレン、または硫黄であるヘテロ原子を含むことを特徴とする請求項12に記
載の方法。 - 【請求項14】 Rが置換されたまたは置換されていない、環状、線状また
は枝分かれ状の、アルキル、アルケニル、アリール、アルキルアリール、アリー
ルアルキル、アルコキシ、チオ、アミノ、シアノまたはシリル基であることを特
徴とする請求項8または9に記載の方法。 - 【請求項15】 中性の付加配位子Lが、 (i)炭化水素、 (ii)酸素を含有する炭化水素、 (iii)窒素を含有する炭化水素、 (iv)硫黄を含有する炭化水素、 (v)リンを含有する炭化水素、 (vi)ヒ素を含有する炭化水素、 (vii)セレンを含有する炭化水素、および/または (viii)テルルを含有する、炭化水素 であることを特徴とする請求項8または9に記載の方法。
- 【請求項16】 Lが、 (a)アミンまたはポリアミン、 (b)ビピリジン、 (c)次の式 【化1】 により表される配位子(式中、Gは−O−、−S−、または−NR1−であり、
ここでR1は水素または置換されたまたは置換されていない、環状、線状または
枝分かれ状の、アルキル、アルケニル、アリール、アルキルアリール、アリール
アルキル、アルコキシ、チオ、アミノ、シアノまたはシリル基であり、この式に
よる環の各炭素原子には、R1のような置換基があり、これらは互に同一である
かまたは異なるものであり)、 (d)エーテル、または (e)チオエーテル であることであることを特徴とする請求項8または9に記載の方法。 - 【請求項17】 Lが、エーテル、ポリエーテル、アミン、ポリアミン、ビ
ピリジンまたはテトラヒドロフランであることを特徴とする請求項8または9に
記載の方法。 - 【請求項18】 Xが、β−ケトネートまたは対応する硫黄または窒素化合
物、アルキル、ハロゲン化物、アミド、アルコキシド、カルボキシレートまたは
シッフ塩基であることを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 【請求項19】 膜の成長を250〜300℃で行い、膜の成長を行った後
、ポストアニ−リングを、堆積温度より高い温度で、好ましくは500℃で行う
ことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の方法。
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