JP2002523327A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002523327A5 JP2002523327A5 JP2000566199A JP2000566199A JP2002523327A5 JP 2002523327 A5 JP2002523327 A5 JP 2002523327A5 JP 2000566199 A JP2000566199 A JP 2000566199A JP 2000566199 A JP2000566199 A JP 2000566199A JP 2002523327 A5 JP2002523327 A5 JP 2002523327A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- particle size
- aggregate
- average particle
- percent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 86
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 酸化アルミニウムを含んでなる粒子の集合体であって、約5nmから約500nmの平均粒径を有し、且つその粒子の集合体の平均粒径の約3倍より大きい粒径を有する粒子を実質的に含んでいない、粒子の集合体。
【請求項2】 その粒子の集合体が、その粒子の少なくとも約95パーセントがその平均粒径の約40パーセントより大きく且つその平均粒径の約160パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、請求項1に記載の粒子の集合体。
【請求項3】 酸化アルミニウムを含んでなる粒子の集合体であって、その粒子の集合体は、約5nmから約500nmの平均粒径および、その粒子の少なくとも約95パーセントがその平均粒径の約40パーセントより大きく且つその平均粒径の約160パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、粒子の集合体。
【請求項4】 その粒子の集合体が約5nmから約25nmの平均粒径を有する、請求項1〜3のいずれかに記載の粒子の集合体。
【請求項5】 その酸化アルミニウムがγ−Al2O3の結晶構造を有する、請求項1〜4のいずれかに記載の粒子の集合体。
【請求項6】 その酸化アルミニウムがδ−Al 2 O 3 又はθ−Al 2 O 3 の結晶構造を有する、請求項1〜4のいずれかに記載の粒子の集合体。
【請求項1】 酸化アルミニウムを含んでなる粒子の集合体であって、約5nmから約500nmの平均粒径を有し、且つその粒子の集合体の平均粒径の約3倍より大きい粒径を有する粒子を実質的に含んでいない、粒子の集合体。
【請求項2】 その粒子の集合体が、その粒子の少なくとも約95パーセントがその平均粒径の約40パーセントより大きく且つその平均粒径の約160パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、請求項1に記載の粒子の集合体。
【請求項3】 酸化アルミニウムを含んでなる粒子の集合体であって、その粒子の集合体は、約5nmから約500nmの平均粒径および、その粒子の少なくとも約95パーセントがその平均粒径の約40パーセントより大きく且つその平均粒径の約160パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、粒子の集合体。
【請求項4】 その粒子の集合体が約5nmから約25nmの平均粒径を有する、請求項1〜3のいずれかに記載の粒子の集合体。
【請求項5】 その酸化アルミニウムがγ−Al2O3の結晶構造を有する、請求項1〜4のいずれかに記載の粒子の集合体。
【請求項6】 その酸化アルミニウムがδ−Al 2 O 3 又はθ−Al 2 O 3 の結晶構造を有する、請求項1〜4のいずれかに記載の粒子の集合体。
上に説明した実施態様は、例示的であることを意図するものであり、限定を意図するものではない。本発明の追加的実施態様は、本特許請求の範囲内である。本発明は、推奨される実施態様を引用することにより説明されたが、この技術分野の習熟者なら、本発明の精神と範囲から逸脱することなしに、形および細部において、変更がなされ得ることを認めるであろう。
[本発明の態様]
[1] 酸化アルミニウムを含んでなる粒子の集合体であって、約5nmから約500nmの平均粒径を有し、且つその粒子の集合体の平均粒径の約4倍より大きい粒径を有する粒子を実質的に含んでいない、粒子の集合体。
[2] その粒子の集合体が約5nmから約25nmの平均粒径を有する、1に記載の粒子の集合体。
[3] その酸化アルミニウムがγ−Al 2 O 3 の結晶構造を有する、1に記載の粒子の集合体。
[4] その粒子の集合体がその平均粒径の約3倍より大きい粒径を有する粒子を実質的に含んでいない、1に記載の粒子の集合体。
[5] その粒子の集合体がその平均粒径の約2倍より大きい粒径を有する粒子を実質的に含んでいない、1に記載の粒子の集合体。
[6] その粒子の集合体が、その粒子の少なくとも約95パーセントがその平均粒径の約40パーセントより大きく且つその平均粒径の約160パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、1に記載の粒子の集合体。
[7] その粒子の集合体が、その粒子の少なくとも約95パーセントがその平均粒径の約60パーセントより大きく且つその平均粒径の約140パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、1に記載の粒子の集合体。
[8] その粒子の集合体が、その粒子の少なくとも約99パーセントがその平均粒径の約40パーセントより大きく且つその平均粒径の約160パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、1に記載の粒子の集合体。
[9] 1に記載の酸化アルミニウム粒子の分散物を含んでなる研磨用組成物。
[10] その酸化アルミニウム粒子がγ−Al 2 O 3 の結晶構造を有する、9に記載の研磨用組成物。
[11] その研磨用組成物が約0.05重量パーセントから約15重量パーセントの酸化アルミニウム粒子を含んでなる、9に記載の研磨用組成物。
[12] その研磨用組成物が約1.0重量パーセントから約10重量パーセントの酸化アルミニウム粒子を含んでなる、9に記載の研磨用組成物。
[13] その分散液が水系分散液である、9に記載の研磨用組成物。
[14] その分散液が非水系分散液である、9に記載の研磨用組成物。
[15] 炭化ケイ素、酸化アルミニウム以外の金属酸化物、金属硫化物および金属炭化物からなる群から選ばれる組成物を含んでなる研磨性粒子をさらに含んでなる、9に記載の研磨用組成物。
[16] コロイド状粒子をさらに含んでなる、9に記載の研磨用組成物。
[17] 約5nmから約500nmの平均粒径を有する酸化アルミニウム粒子の集合体を製造する方法であって、この方法は反応チャンバー中で分子流を熱分解することを含んでなり、その分子流はアルミニウム前駆体、酸化剤および赤外線吸収剤を含んでなり、その熱分解はレーザビームから吸収された熱により駆動されるところの方法。
[18] その酸化アルミニウム粒子が約5nmから約100nmの平均粒径を有する、16に記載の方法。
[19] 酸化アルミニウムを含んでなる粒子の集合体であって、その粒子の集合体は、約5nmから約500nmの平均粒径および、その粒子の少なくとも約95パーセントがその平均粒径の約40パーセントより大きく且つその平均粒径の約160パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、粒子の集合体。
[20] その酸化アルミニウムがγ−Al 2 O 3 の結晶構造を有する、19に記載の粒子の集合体。
[本発明の態様]
[1] 酸化アルミニウムを含んでなる粒子の集合体であって、約5nmから約500nmの平均粒径を有し、且つその粒子の集合体の平均粒径の約4倍より大きい粒径を有する粒子を実質的に含んでいない、粒子の集合体。
[2] その粒子の集合体が約5nmから約25nmの平均粒径を有する、1に記載の粒子の集合体。
[3] その酸化アルミニウムがγ−Al 2 O 3 の結晶構造を有する、1に記載の粒子の集合体。
[4] その粒子の集合体がその平均粒径の約3倍より大きい粒径を有する粒子を実質的に含んでいない、1に記載の粒子の集合体。
[5] その粒子の集合体がその平均粒径の約2倍より大きい粒径を有する粒子を実質的に含んでいない、1に記載の粒子の集合体。
[6] その粒子の集合体が、その粒子の少なくとも約95パーセントがその平均粒径の約40パーセントより大きく且つその平均粒径の約160パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、1に記載の粒子の集合体。
[7] その粒子の集合体が、その粒子の少なくとも約95パーセントがその平均粒径の約60パーセントより大きく且つその平均粒径の約140パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、1に記載の粒子の集合体。
[8] その粒子の集合体が、その粒子の少なくとも約99パーセントがその平均粒径の約40パーセントより大きく且つその平均粒径の約160パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、1に記載の粒子の集合体。
[9] 1に記載の酸化アルミニウム粒子の分散物を含んでなる研磨用組成物。
[10] その酸化アルミニウム粒子がγ−Al 2 O 3 の結晶構造を有する、9に記載の研磨用組成物。
[11] その研磨用組成物が約0.05重量パーセントから約15重量パーセントの酸化アルミニウム粒子を含んでなる、9に記載の研磨用組成物。
[12] その研磨用組成物が約1.0重量パーセントから約10重量パーセントの酸化アルミニウム粒子を含んでなる、9に記載の研磨用組成物。
[13] その分散液が水系分散液である、9に記載の研磨用組成物。
[14] その分散液が非水系分散液である、9に記載の研磨用組成物。
[15] 炭化ケイ素、酸化アルミニウム以外の金属酸化物、金属硫化物および金属炭化物からなる群から選ばれる組成物を含んでなる研磨性粒子をさらに含んでなる、9に記載の研磨用組成物。
[16] コロイド状粒子をさらに含んでなる、9に記載の研磨用組成物。
[17] 約5nmから約500nmの平均粒径を有する酸化アルミニウム粒子の集合体を製造する方法であって、この方法は反応チャンバー中で分子流を熱分解することを含んでなり、その分子流はアルミニウム前駆体、酸化剤および赤外線吸収剤を含んでなり、その熱分解はレーザビームから吸収された熱により駆動されるところの方法。
[18] その酸化アルミニウム粒子が約5nmから約100nmの平均粒径を有する、16に記載の方法。
[19] 酸化アルミニウムを含んでなる粒子の集合体であって、その粒子の集合体は、約5nmから約500nmの平均粒径および、その粒子の少なくとも約95パーセントがその平均粒径の約40パーセントより大きく且つその平均粒径の約160パーセントより小さい直径を有するような粒径分布を有する、粒子の集合体。
[20] その酸化アルミニウムがγ−Al 2 O 3 の結晶構造を有する、19に記載の粒子の集合体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/136,483 US20090255189A1 (en) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | Aluminum oxide particles |
US09/136,483 | 1998-08-19 | ||
PCT/US1999/018169 WO2000010920A1 (en) | 1998-08-19 | 1999-08-11 | Aluminum oxide particles |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010154669A Division JP2010265171A (ja) | 1998-08-19 | 2010-07-07 | 酸化アルミニウム粒子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002523327A JP2002523327A (ja) | 2002-07-30 |
JP2002523327A5 true JP2002523327A5 (ja) | 2006-09-28 |
Family
ID=22473049
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000566199A Withdrawn JP2002523327A (ja) | 1998-08-19 | 1999-08-11 | 酸化アルミニウム粒子 |
JP2010154669A Pending JP2010265171A (ja) | 1998-08-19 | 2010-07-07 | 酸化アルミニウム粒子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010154669A Pending JP2010265171A (ja) | 1998-08-19 | 2010-07-07 | 酸化アルミニウム粒子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20090255189A1 (ja) |
EP (1) | EP1129035A1 (ja) |
JP (2) | JP2002523327A (ja) |
KR (1) | KR20010072686A (ja) |
CN (1) | CN1322185A (ja) |
TW (1) | TW590988B (ja) |
WO (1) | WO2000010920A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6788866B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-09-07 | Nanogram Corporation | Layer materials and planar optical devices |
US20030077221A1 (en) * | 2001-10-01 | 2003-04-24 | Shivkumar Chiruvolu | Aluminum oxide powders |
WO2002032588A1 (en) | 2000-10-17 | 2002-04-25 | Neophotonics Corporation | Coating formation by reactive deposition |
US7080513B2 (en) | 2001-08-04 | 2006-07-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Seal element for sealing a gap and combustion turbine having a seal element |
US7422730B2 (en) * | 2003-04-02 | 2008-09-09 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Nanoporous ultrafine α-alumina powders and sol-gel process of preparing same |
WO2005012451A2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-02-10 | Climax Engineered Materials, Llc | Slurries and methods for chemical-mechanical planarization of copper |
WO2005053828A2 (en) * | 2003-11-07 | 2005-06-16 | Ahwahnee Technology, Inc. | Systems and methods for manufacture of carbon nanotubes |
TWI408104B (zh) * | 2005-03-18 | 2013-09-11 | Sumitomo Chemical Co | 微細α-氧化鋁粒子之製造方法 |
US20070003694A1 (en) * | 2005-05-23 | 2007-01-04 | Shivkumar Chiruvolu | In-flight modification of inorganic particles within a reaction product flow |
US20090020411A1 (en) * | 2007-07-20 | 2009-01-22 | Holunga Dean M | Laser pyrolysis with in-flight particle manipulation for powder engineering |
EP2223292A1 (en) | 2007-12-05 | 2010-09-01 | 3M Innovative Properties Company | Buffing composition comprising a slubilized zirconium carboxylate and method of finishing a surface of a material |
FR2956111B1 (fr) * | 2010-02-11 | 2012-04-20 | Baikowski | Alumine alpha, utilisation, procede de synthese et dispositif associes |
JP7398304B2 (ja) | 2020-03-19 | 2023-12-14 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨方法および半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3406228A (en) * | 1964-06-17 | 1968-10-15 | Cabot Corp | Method of producing extremely finely-divided oxides |
BE790704A (fr) * | 1971-10-28 | 1973-02-15 | Degussa | Procede pour la fabrication d'oxydes finement |
US4021263A (en) * | 1972-01-03 | 1977-05-03 | Johnson & Johnson | Polishing compositions |
US4011099A (en) * | 1975-11-07 | 1977-03-08 | Monsanto Company | Preparation of damage-free surface on alpha-alumina |
US4048290A (en) * | 1976-01-28 | 1977-09-13 | Cabot Corporation | Process for the production of finely-divided metal and metalloid oxides |
GB2002342B (en) * | 1977-07-27 | 1982-06-30 | Sumitomo Electric Industries | Process for producing a glass member |
US4356107A (en) * | 1979-11-26 | 1982-10-26 | Nalco Chemical Company | Process for preparing silica sols |
DE3132674C2 (de) * | 1981-08-19 | 1983-12-08 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung von Preßlingen |
JPS58110414A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-07-01 | Tokuyama Soda Co Ltd | 無機酸化物及びその製造方法 |
IT1161200B (it) * | 1983-02-25 | 1987-03-18 | Montedison Spa | Processo e apparecchio per la preparazione di particelle di ossidi metallici monodisperse, sferiche, non aggregate e di dimensione inferiore al micron |
DE3581293D1 (de) * | 1984-02-09 | 1991-02-21 | Toyota Motor Co Ltd | Verfahren zur herstellung von ultrafeinen keramikpartikeln. |
US4548798A (en) * | 1984-04-16 | 1985-10-22 | Exxon Research And Engineering Co. | Laser synthesis of refractory oxide powders |
US4649037A (en) * | 1985-03-29 | 1987-03-10 | Allied Corporation | Spray-dried inorganic oxides from non-aqueous gels or solutions |
US4690693A (en) * | 1985-12-05 | 1987-09-01 | Gte Products Corporation | High purity silicon nitride polishing compound |
IT1197794B (it) * | 1986-07-31 | 1988-12-06 | Montedison Spa | Procedimento per la preparazione di panticelle fini di ossidi metallici |
JPS6374911A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 微細球状シリカの製造法 |
JPH0816003B2 (ja) * | 1986-12-27 | 1996-02-21 | 株式会社アドバンス | 無機酸化物の製造方法 |
US4956313A (en) * | 1987-08-17 | 1990-09-11 | International Business Machines Corporation | Via-filling and planarization technique |
EP0322721B1 (en) * | 1987-12-29 | 1993-10-06 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Fine polishing composition for wafers |
DE3801270A1 (de) * | 1988-01-19 | 1989-07-27 | Degussa | Zirkondotierter pseudoboehmit, verfahren zu seiner herstellung und anwendung |
DE3801511C2 (de) * | 1988-01-20 | 1996-11-14 | Espe Stiftung | Verwendung von Photoinitiatoren zur Herstellung von in zwei Schritten härtbaren Dentalmassen |
US4910155A (en) * | 1988-10-28 | 1990-03-20 | International Business Machines Corporation | Wafer flood polishing |
US5064517A (en) * | 1989-01-18 | 1991-11-12 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for the preparation of fine particulate-metal-containing compound |
US5246624A (en) * | 1989-03-21 | 1993-09-21 | Cabot Corporation | Aqueous colloidal dispersion of fumed silica, acid and stabilizer |
US5158758A (en) * | 1989-04-24 | 1992-10-27 | International Minerals & Chemical Corp. | Production of silica having high specific surface area |
US5062936A (en) * | 1989-07-12 | 1991-11-05 | Thermo Electron Technologies Corporation | Method and apparatus for manufacturing ultrafine particles |
US4959113C1 (en) * | 1989-07-31 | 2001-03-13 | Rodel Inc | Method and composition for polishing metal surfaces |
DE3939953A1 (de) * | 1989-12-02 | 1991-06-06 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung feinteiliger keramischer oxid-pulver aus vorlaeuferverbindungen |
US5128081A (en) * | 1989-12-05 | 1992-07-07 | Arch Development Corporation | Method of making nanocrystalline alpha alumina |
US5320800A (en) * | 1989-12-05 | 1994-06-14 | Arch Development Corporation | Nanocrystalline ceramic materials |
JP3047110B2 (ja) * | 1990-06-15 | 2000-05-29 | 株式会社東北テクノアーチ | 金属酸化物微粒子の製造方法 |
US5228886A (en) * | 1990-10-09 | 1993-07-20 | Buehler, Ltd. | Mechanochemical polishing abrasive |
US5246010A (en) * | 1990-12-11 | 1993-09-21 | Biotrine Corporation | Method and apparatus for exhalation analysis |
US5930608A (en) * | 1992-02-21 | 1999-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a thin film transistor in which the channel region of the transistor consists of two portions of differing crystallinity |
DE4214724C2 (de) * | 1992-05-04 | 1995-05-18 | Starck H C Gmbh Co Kg | Feinteiliges Oxid-Keramikpulver |
FR2691918B1 (fr) * | 1992-06-09 | 1994-07-22 | Kodak Pathe | Preparation de poudres conductrices d'oxydes metalliques. |
US5417956A (en) * | 1992-08-18 | 1995-05-23 | Worcester Polytechnic Institute | Preparation of nanophase solid state materials |
US5358695A (en) * | 1993-01-21 | 1994-10-25 | Physical Sciences, Inc. | Process for producing nanoscale ceramic powders |
US5447708A (en) * | 1993-01-21 | 1995-09-05 | Physical Sciences, Inc. | Apparatus for producing nanoscale ceramic powders |
US5389194A (en) * | 1993-02-05 | 1995-02-14 | Lsi Logic Corporation | Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing |
US5626715A (en) * | 1993-02-05 | 1997-05-06 | Lsi Logic Corporation | Methods of polishing semiconductor substrates |
US5958361A (en) * | 1993-03-19 | 1999-09-28 | Regents Of The University Of Michigan | Ultrafine metal oxide powders by flame spray pyrolysis |
US5318927A (en) * | 1993-04-29 | 1994-06-07 | Micron Semiconductor, Inc. | Methods of chemical-mechanical polishing insulating inorganic metal oxide materials |
BE1007281A3 (nl) * | 1993-07-12 | 1995-05-09 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, magneetkop vervaardigbaar met gebruikmaking van de werkwijze, röntgenstralingcollimerend element en röntgenstralingreflecterend element, beide voorzien van een volgens de werkwijze gepolijst oppervlak en polijstmiddel geschikt voor toepassing in de werkwijze. |
US5300130A (en) * | 1993-07-26 | 1994-04-05 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Polishing material |
US5575885A (en) * | 1993-12-14 | 1996-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device |
US5443809A (en) * | 1994-05-24 | 1995-08-22 | Valence Technology, Inc. | Manufacture of cathode materials by the decomposition of ammonium metal oxides in a fluidized bed |
ES2132687T3 (es) * | 1994-07-04 | 1999-08-16 | Unilever Nv | Procedimiento y composicion de lavado. |
DE69527236T2 (de) * | 1994-09-16 | 2003-03-20 | Sumitomo Electric Industries | Mehrschichtfilm aus ultrafeinen Partikeln und harter Verbundwerkstoff für Werkzeuge, die diesen Film enthalten |
US5527423A (en) * | 1994-10-06 | 1996-06-18 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers |
KR960041316A (ko) * | 1995-05-22 | 1996-12-19 | 고사이 아키오 | 연마용 입상체, 이의 제조방법 및 이의 용도 |
US5693239A (en) * | 1995-10-10 | 1997-12-02 | Rodel, Inc. | Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use |
JPH09190626A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-07-22 | Kao Corp | 研磨材組成物、磁気記録媒体用基板及びその製造方法並びに磁気記録媒体 |
JP3514908B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2004-04-05 | 株式会社東芝 | 研磨剤 |
US5877106A (en) * | 1997-01-03 | 1999-03-02 | Asec Manufacturing | Stabilized crystalline alumina compositions |
US5865906A (en) * | 1996-04-22 | 1999-02-02 | Jx Crystals Inc. | Energy-band-matched infrared emitter for use with low bandgap thermophotovoltaic cells |
KR19980019046A (ko) * | 1996-08-29 | 1998-06-05 | 고사이 아키오 | 연마용 조성물 및 이의 용도(Abrasive composition and use of the same) |
MY119713A (en) * | 1996-08-30 | 2005-07-29 | Showa Denko Kk | Abrasive composition for magnetic recording disc substrate |
US5893935A (en) * | 1997-01-09 | 1999-04-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for making abrasive grain using impregnation, and abrasive articles |
US5783489A (en) * | 1996-09-24 | 1998-07-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing |
DE19650500A1 (de) * | 1996-12-05 | 1998-06-10 | Degussa | Dotierte, pyrogen hergestellte Oxide |
US5759917A (en) * | 1996-12-30 | 1998-06-02 | Cabot Corporation | Composition for oxide CMP |
US6602439B1 (en) * | 1997-02-24 | 2003-08-05 | Superior Micropowders, Llc | Chemical-mechanical planarization slurries and powders and methods for using same |
US5958348A (en) * | 1997-02-28 | 1999-09-28 | Nanogram Corporation | Efficient production of particles by chemical reaction |
US6391494B2 (en) * | 1999-05-13 | 2002-05-21 | Nanogram Corporation | Metal vanadium oxide particles |
US6099798A (en) * | 1997-10-31 | 2000-08-08 | Nanogram Corp. | Ultraviolet light block and photocatalytic materials |
US6726990B1 (en) * | 1998-05-27 | 2004-04-27 | Nanogram Corporation | Silicon oxide particles |
US6290735B1 (en) * | 1997-10-31 | 2001-09-18 | Nanogram Corporation | Abrasive particles for surface polishing |
US5989514A (en) * | 1997-07-21 | 1999-11-23 | Nanogram Corporation | Processing of vanadium oxide particles with heat |
US6387531B1 (en) * | 1998-07-27 | 2002-05-14 | Nanogram Corporation | Metal (silicon) oxide/carbon composite particles |
US5876470A (en) * | 1997-08-01 | 1999-03-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive articles comprising a blend of abrasive particles |
US5891205A (en) * | 1997-08-14 | 1999-04-06 | Ekc Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing composition |
US6001730A (en) * | 1997-10-20 | 1999-12-14 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for polishing copper interconnects which use tantalum-based barrier layers |
US5955250A (en) * | 1997-12-16 | 1999-09-21 | Eastman Kodak Company | Electrically-conductive overcoat layer for photographic elements |
TW555696B (en) * | 1998-01-08 | 2003-10-01 | Nissan Chemical Ind Ltd | Alumina powder, process for producing the same and polishing composition |
AU2225301A (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-09 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Alumina particles, method for producing the same, composition comprising the same, and alumina slurry for polishing |
US6719821B2 (en) * | 2001-02-12 | 2004-04-13 | Nanoproducts Corporation | Precursors of engineered powders |
-
1998
- 1998-08-19 US US09/136,483 patent/US20090255189A1/en not_active Abandoned
-
1999
- 1999-08-11 EP EP99942084A patent/EP1129035A1/en not_active Withdrawn
- 1999-08-11 KR KR1020017001980A patent/KR20010072686A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-08-11 JP JP2000566199A patent/JP2002523327A/ja not_active Withdrawn
- 1999-08-11 CN CN99811839A patent/CN1322185A/zh active Pending
- 1999-08-11 WO PCT/US1999/018169 patent/WO2000010920A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-08-16 TW TW088113969A patent/TW590988B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-01-28 US US11/046,610 patent/US20050132659A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-07-07 JP JP2010154669A patent/JP2010265171A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002523327A5 (ja) | ||
JP5197810B2 (ja) | 透明微小球 | |
TW200840804A (en) | SiO2 slurry for the production of quartz glass as well as the application of the slurry | |
US7659001B2 (en) | Coating with infrared and ultraviolet blocking characteristics | |
JP2005503255A5 (ja) | ||
CN103011840B (zh) | 汽车蜂窝陶瓷载体用超细熔融硅微粉的制备方法 | |
CN1579945A (zh) | 氧化铈粉末 | |
KR970025847A (ko) | 연마제, 그의 제조방법 및 연마방법 | |
CN102036752A (zh) | 制备稳定的氧封端半导体纳米粒子的方法 | |
JP2000223121A5 (ja) | ||
Simonenko et al. | Preparation of HfB 2/SiC composite powders by sol–gel technology | |
EP1256548A4 (en) | ALUMINA PARTICLES, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF. COMPOSITION COMPRISING SAID PARTICLES, AND POLISHING ALUMINA SLUDGE | |
DE60045106D1 (de) | Materials aus nanopartikeln | |
Du et al. | Rational design of carbon-rich silicon oxycarbide nanospheres for high-performance microwave absorbers | |
Park et al. | Synthesis of silicon carbide nanocrystals using waste poly (vinyl butyral) sheet | |
Pauthe et al. | Preparation and characterisation of Si nanocrystallites embedded in a silica matrix | |
Pan et al. | The formation of CdS nanocrystals in silica gels by gamma-irradiation and their optical properties | |
CN107603594A (zh) | 制备Y2Ti2O7@SiO2壳‑核结构上转换材料的方法 | |
JP3896487B2 (ja) | 酸化マグネシウムナノワイヤーおよび酸化マグネシウムナノロッドの製造方法 | |
JP2019013871A (ja) | Voc処理用触媒 | |
JP2008532902A5 (ja) | ||
Saponjic et al. | Tailor made synthesis of Q-TiO2 powder by using quantum dots as building blocks | |
JP3458428B2 (ja) | 多孔体の製造方法 | |
JP3195269B2 (ja) | 酸化セリウムと二酸化珪素とからなる微細なシリコンウェハー用研磨材、及びその製造方法 | |
CN101805199B (zh) | 一种钛酸铝纳米纤维增韧氧化铝复合材料及其制备方法 |