JP2002521695A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 a) 相対する内部及び外部半導体層を集積化した酸化物層をそれぞれが含む最上部及び底部カバーウエハ要素;
b) 前記内部半導体層のそれぞれに隣接したあらかじめ決められた厚さの第1の誘電体層;
c) 電極及び周辺保護環を規定する各前記内部半導体及び第1の誘電体層内の開口;
d) 相対する側を有し、中央保証質量、周辺フレーム及び前記保証質量を前記フレームに接合するための少なくとも1個の蝶番を規定する貫通した開口を持つ半導体保証ウエハ要素;
e) 前記半導体ウエハ要素のそれぞれの側の上にある前記フレームをカバーするあらかじめ決められた厚さの第2の誘電体層;
を組合せて含む差容量型の半導体加速度計。
【請求項2】 前記保証質量ウエハ要素は、前記最上部及び底部カバーウエハの前記内部層の相対する層の間に配置され、構成を形成し、前記第1の誘電体層のそれぞれは、前記第2の誘電体層のそれぞれに溶融接合され、ハーメチックシールを形成する請求項1記載の加速度計。
【請求項3】 少なくとも1つの酸化物層が隣接した電極の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項2記載の加速度計。
【請求項4】 少なくとも1つの酸化物層が隣接した周辺保護環の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項2記載の加速度計。
【請求項5】 少なくとも1つの第2の誘電体層が前記周辺保護環の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項2記載の加速度計。
【請求項6】 本質的に垂直な側壁により、各開口が規定される請求項1記載の加速度計。
【請求項7】 前記エッチングされた形状は、RIEプロセスを用いたドライエッチングにより生成される請求項6記載の加速度計。
【請求項8】 各前記RIEプロセスはBOSCHプロセスである請求項7記載の加速度計。
【請求項9】 前記中央保証質量を貫く少なくとも1つの孔を更に含む請求項2記載の加速度計。
【請求項10】 前記半導体はシリコンである請求項2記載の加速度計。
【請求項11】 分離された蝶番の対を更に含む請求項1記載の加速度計。
【請求項12】 前記誘電体層は酸化物組成である請求項1記載の加速度計。
【請求項13】 前記誘電体層は窒化物である請求項1記載の加速度計。
【請求項14】 a) 半導体ハンドル層とデバイス層との間に酸化物層を有する型の一対のSOIウエハと半導体保証質量ウエハとを選択する工程;
b) 各前記SOIウエハの前記相対する側の上の誘電体材料の第1の厚さを固定する工程;
c) 前記保証質量ウエハの相対する側の上の誘電体材料の第2の厚さを固定する工程;
d) 前記デバイス層及び各前記SOIウエハの前記デバイス層上の誘電体材料の前記第1の厚さを貫いて、前記下の酸化物層までエッチングし、前記デバイス層上に中央電極及び前記電極周囲の連続した周縁フレームを規定する工程;
e) 前記保証質量ウエハ及び前記相対する側の上の誘電体材料の前記第2の厚さをエッチングし、前記保証質量を前記フレームに接続するための柔軟性のある蝶番と、前記保証質量周囲の連続した周縁フレームと、相対する面とを前記ウエハ内に規定する工程;
f) 前記ウエハの前記フレームを位置あわせし、前記保証質量が誘電体材料の前記第1及び第2の厚さの合計に等しい距離だけ前記電極の各相対する側の間の中心に、離れて存在するように前記保証質量ウエハを組立て、前記保証質量は前記蝶番において、前記電極間で回転するようにつなげる工程;及び
g) 前記電極周囲の前記フレーム上の誘電体材料の前記第1の厚さのそれぞれが、前記保証質量周囲の前記フレームの前記相対する側の上の誘電体材料の前記第2の厚さのそれぞれに溶融接合され、それによって密閉された構成が形成されるように、各前記SOIウエハを前記保証質量ウエハの前記相対する側のそれぞれに接合する工程;
を含む差容量型の半導体加速度計の生成方法。
【請求項15】 前記保証質量ウエハをエッチングする工程は、前記相対する側の間で、前記保証質量を貫いて複数の孔をエッチングする工程を更に含む請求項14記載の方法。
【請求項16】 前記電極、前記保証質量、前記フレーム及び前記蝶番を規定するため、前記ウエハを選択する工程は更に、前記ウエハの各面に対して本質的に垂直な側面を含むよう、前記形状をエッチングする工程を含む請求項14記載の方法。
【請求項17】 前記形状をエッチングする工程は更に、RIEプロセスより、前記形状をドライエッチングする工程を含む請求項14記載の方法。
【請求項18】 前記形状をエッチングする工程は更に、BOSCHプロセスにより、前記形状をエッチングする工程を含む請求項17記載の方法。
【請求項19】 前記デバイス層及び前記第1の厚さの誘電体材料をエッチングする工程は更に、前記酸化物層を前記下のハンドル層までエッチングする工程を含む請求項14記載の方法。
【請求項20】 前記酸化物層をエッチングする工程は更に、前記酸化物層のエッチングされた領域が、前記電極の少なくとも1つの側壁を越えて延びるように、前記酸化物層をエッチングする工程を含む請求項19記載の方法。
【請求項21】 前記酸化物層をエッチングする工程は更に、前記酸化物のエッチングされた領域が、前記周縁フレームの少なくとも1つの側壁を越えて延びるように、前記酸化物層をエッチングする工程を含む請求項19記載の方法。
【請求項22】 a) 相対する内部及び外部半導体層を有する酸化物層をそれぞれが含む最上部及び底部カバーウエハ要素;
b) 前記内部半導体層の各々に隣接したあらかじめ決められた厚さの第1の誘電体層;
c) 前記内部及び第1の誘電体層のそれぞれの中で、垂直な側壁を有し、電極及び周辺保護環を規定する開口;
d) 相対する側を有し、前記保証質量を前記フレームに接合する少なくとも1つの柔軟性蝶番と、垂直側壁と、周辺フレームとをもつ中央保証質量を規定する貫通した開口をもつ半導体保証質量ウエハ要素;及び
e) 前記保証質量ウエハ要素の前記側のそれぞれで、前記フレーム上にあるあらかじめ決められた厚さの第2の誘電体層;
を組合せて含む差容量型の半導体加速度計。
【請求項23】 前記保証質量ウエハ要素は前記最上部及び底部カバーウエハの前記内部層の相対する層の間に配置され、構成を形成し、前記第1の誘電体層のそれぞれは、前記第2の誘電体層のそれぞれに溶融接合され、ハーメチックシールを形成する請求項22記載の加速度計。
【請求項24】 少なくとも1つの酸化物層が隣接した電極の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項23記載の加速度計。
【請求項25】 少なくとも1つの酸化物層が隣接した周辺保護環の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項23記載の加速度計。
【請求項26】 少なくとも1つの第2の誘電体層が前記周辺保護環の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項23記載の加速度計。
【請求項27】 エッチングされた各前記形状は、RIEプロセスを用いたドライエッチングにより生成される請求項22記載の加速度計。
【請求項28】 各前記RIEプロセスはBOSCHプロセスである請求項27記載の加速度計。
【請求項29】 前記中央保証質量を貫く少なくとも1つの孔を更に含む請求項23記載の加速度計。
【請求項30】 前記誘電体層は酸化物層である請求項22記載の加速度計。
【請求項31】 前記誘電体は窒化物である請求項22記載の加速度計。
【請求項32】 前記半導体はシリコンである請求項22記載の加速度計。
【請求項1】 a) 相対する内部及び外部半導体層を集積化した酸化物層をそれぞれが含む最上部及び底部カバーウエハ要素;
b) 前記内部半導体層のそれぞれに隣接したあらかじめ決められた厚さの第1の誘電体層;
c) 電極及び周辺保護環を規定する各前記内部半導体及び第1の誘電体層内の開口;
d) 相対する側を有し、中央保証質量、周辺フレーム及び前記保証質量を前記フレームに接合するための少なくとも1個の蝶番を規定する貫通した開口を持つ半導体保証ウエハ要素;
e) 前記半導体ウエハ要素のそれぞれの側の上にある前記フレームをカバーするあらかじめ決められた厚さの第2の誘電体層;
を組合せて含む差容量型の半導体加速度計。
【請求項2】 前記保証質量ウエハ要素は、前記最上部及び底部カバーウエハの前記内部層の相対する層の間に配置され、構成を形成し、前記第1の誘電体層のそれぞれは、前記第2の誘電体層のそれぞれに溶融接合され、ハーメチックシールを形成する請求項1記載の加速度計。
【請求項3】 少なくとも1つの酸化物層が隣接した電極の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項2記載の加速度計。
【請求項4】 少なくとも1つの酸化物層が隣接した周辺保護環の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項2記載の加速度計。
【請求項5】 少なくとも1つの第2の誘電体層が前記周辺保護環の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項2記載の加速度計。
【請求項6】 本質的に垂直な側壁により、各開口が規定される請求項1記載の加速度計。
【請求項7】 前記エッチングされた形状は、RIEプロセスを用いたドライエッチングにより生成される請求項6記載の加速度計。
【請求項8】 各前記RIEプロセスはBOSCHプロセスである請求項7記載の加速度計。
【請求項9】 前記中央保証質量を貫く少なくとも1つの孔を更に含む請求項2記載の加速度計。
【請求項10】 前記半導体はシリコンである請求項2記載の加速度計。
【請求項11】 分離された蝶番の対を更に含む請求項1記載の加速度計。
【請求項12】 前記誘電体層は酸化物組成である請求項1記載の加速度計。
【請求項13】 前記誘電体層は窒化物である請求項1記載の加速度計。
【請求項14】 a) 半導体ハンドル層とデバイス層との間に酸化物層を有する型の一対のSOIウエハと半導体保証質量ウエハとを選択する工程;
b) 各前記SOIウエハの前記相対する側の上の誘電体材料の第1の厚さを固定する工程;
c) 前記保証質量ウエハの相対する側の上の誘電体材料の第2の厚さを固定する工程;
d) 前記デバイス層及び各前記SOIウエハの前記デバイス層上の誘電体材料の前記第1の厚さを貫いて、前記下の酸化物層までエッチングし、前記デバイス層上に中央電極及び前記電極周囲の連続した周縁フレームを規定する工程;
e) 前記保証質量ウエハ及び前記相対する側の上の誘電体材料の前記第2の厚さをエッチングし、前記保証質量を前記フレームに接続するための柔軟性のある蝶番と、前記保証質量周囲の連続した周縁フレームと、相対する面とを前記ウエハ内に規定する工程;
f) 前記ウエハの前記フレームを位置あわせし、前記保証質量が誘電体材料の前記第1及び第2の厚さの合計に等しい距離だけ前記電極の各相対する側の間の中心に、離れて存在するように前記保証質量ウエハを組立て、前記保証質量は前記蝶番において、前記電極間で回転するようにつなげる工程;及び
g) 前記電極周囲の前記フレーム上の誘電体材料の前記第1の厚さのそれぞれが、前記保証質量周囲の前記フレームの前記相対する側の上の誘電体材料の前記第2の厚さのそれぞれに溶融接合され、それによって密閉された構成が形成されるように、各前記SOIウエハを前記保証質量ウエハの前記相対する側のそれぞれに接合する工程;
を含む差容量型の半導体加速度計の生成方法。
【請求項15】 前記保証質量ウエハをエッチングする工程は、前記相対する側の間で、前記保証質量を貫いて複数の孔をエッチングする工程を更に含む請求項14記載の方法。
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【請求項18】 前記形状をエッチングする工程は更に、BOSCHプロセスにより、前記形状をエッチングする工程を含む請求項17記載の方法。
【請求項19】 前記デバイス層及び前記第1の厚さの誘電体材料をエッチングする工程は更に、前記酸化物層を前記下のハンドル層までエッチングする工程を含む請求項14記載の方法。
【請求項20】 前記酸化物層をエッチングする工程は更に、前記酸化物層のエッチングされた領域が、前記電極の少なくとも1つの側壁を越えて延びるように、前記酸化物層をエッチングする工程を含む請求項19記載の方法。
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【請求項22】 a) 相対する内部及び外部半導体層を有する酸化物層をそれぞれが含む最上部及び底部カバーウエハ要素;
b) 前記内部半導体層の各々に隣接したあらかじめ決められた厚さの第1の誘電体層;
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d) 相対する側を有し、前記保証質量を前記フレームに接合する少なくとも1つの柔軟性蝶番と、垂直側壁と、周辺フレームとをもつ中央保証質量を規定する貫通した開口をもつ半導体保証質量ウエハ要素;及び
e) 前記保証質量ウエハ要素の前記側のそれぞれで、前記フレーム上にあるあらかじめ決められた厚さの第2の誘電体層;
を組合せて含む差容量型の半導体加速度計。
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【請求項24】 少なくとも1つの酸化物層が隣接した電極の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項23記載の加速度計。
【請求項25】 少なくとも1つの酸化物層が隣接した周辺保護環の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項23記載の加速度計。
【請求項26】 少なくとも1つの第2の誘電体層が前記周辺保護環の少なくとも1つの側壁を越えて延びる請求項23記載の加速度計。
【請求項27】 エッチングされた各前記形状は、RIEプロセスを用いたドライエッチングにより生成される請求項22記載の加速度計。
【請求項28】 各前記RIEプロセスはBOSCHプロセスである請求項27記載の加速度計。
【請求項29】 前記中央保証質量を貫く少なくとも1つの孔を更に含む請求項23記載の加速度計。
【請求項30】 前記誘電体層は酸化物層である請求項22記載の加速度計。
【請求項31】 前記誘電体は窒化物である請求項22記載の加速度計。
【請求項32】 前記半導体はシリコンである請求項22記載の加速度計。
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