DE4222472C2 - Beschleunigungssensor - Google Patents
BeschleunigungssensorInfo
- Publication number
- DE4222472C2 DE4222472C2 DE4222472A DE4222472A DE4222472C2 DE 4222472 C2 DE4222472 C2 DE 4222472C2 DE 4222472 A DE4222472 A DE 4222472A DE 4222472 A DE4222472 A DE 4222472A DE 4222472 C2 DE4222472 C2 DE 4222472C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- acceleration sensor
- layers
- plate
- silicon oxide
- sensor according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Description
Die Erfindung geht aus von einem Beschleunigungssensor nach
der Gattung des Hauptanspruchs. Aus der EP 0 369 352 sind
bereits Beschleunigungssensoren bekannt, bei denen dünne
dielektrische Schichten aus Siliziumoxid für die Verbindung
von Siliziumwafern genutzt werden. Diese
Siliziumoxidschichten sind durch ganzflächige Oxidation von
Silizium und nachfolgende Strukturierung hergestellt.
Dem unabhängigen Patentanspruch 1 liegt die Aufgabe zugrunde
einen Beschleunigungssensor mit verbessertem Verhältnis von
Nutz- zu Streukapazität anzugeben. Gelöst wird diese Aufgabe
durch die Merkmale des Patentanspruchs 1.
Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten
Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen dieses
Beschleunigungssensors möglich. Besonders einfach kann die
durch lokale Oxidation erzeugte Siliziumoxidschicht mit
einer ganzflächig erzeugten Siliziumoxidschicht verbunden
werden. Durch die Verbindung mit zwei durch lokale Oxidation
erzeugten Siliziumoxidschichten wird das Verhältnis von
Nutzkapazität zu Streukapazität weiter verbessert,
insbesondere wenn die Dicke einer der beiden
Siliziumoxidschichten durch eine Bearbeitung nach der
Oxidation verringert ist. Besonders einfach erfolgt diese
Bearbeitung mechanisch oder durch Anwendung entsprechender
Ätztechniken.
Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn der Sensor Anschläge
aufweist.
Als weiterer Vorteil ist es anzusehen, wenn alle Prozesse
auf der Mittelplatte erfolgen, und somit die Prozesse für
die Herstellung der Mittelplatte auch für die Erzeugung der
Anschläge benutzt werden.
Die Sensoren können auch durch Ober- oder Unterplatte
verschlossen werden die aufgrund ihres geschlossenen
dielektrischen Filmes nicht relativ zur Mittelplatte
justiert werden müssen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Fig. 3-9
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Die
Fig. 1 dient der Erläuterung des
prinzipiellen Aufbaus und Funktion eines
Beschleunigungssensors, die
Fig. 2 dient der Erläuterung
eines Beschleunigungssensors mit Anschlägen. Es zeigen
Fig. 1 die Herstellung eines Beschleunigungssensors mit
geschlossener dielektrischer Schicht auf der Ober- und
Unterplatte, Fig. 2 einen Beschleunigungssensor mit
Anschlägen, die
Fig. 3 und 4 die lokale Oxidation von
Silizium,
Fig. 5 eine nachbearbeitete lokale
Oxidationsstelle,
Fig. 6a eine Verbindungsstelle von zwei
strukturierten ganzflächig aufgebrachten dielektrischen
Schichten,
Fig. 6b eine Verbindungsstelle mit einer lokalen
Oxidation und einem ganzflächigen dielektrischen Film,
Fig.7 eine Verbindungsstelle von zwei lokalen Oxidationen,
Fig. 8 eine Verbindungsstelle von zwei lokalen Oxidationen
von denen eine nachbearbeitet ist und
Fig. 9 einen
Beschleunigungssensor mit dielektrischen Schichten
unterschiedlicher Dicke auf der Mittelplatte.
In Fig. 1 werden mit 5 drei Siliziumwafer bezeichnet. Diese sind in
Fig. 1 in einer auseinandergezogenen Darstellung gezeigt, um den
Herstellungsprozeß eines Beschleunigungssensors zu verdeutlichen.
Wie durch die Pfeile angedeutet, werden die Wafer 5 miteinander ver
bunden um Beschleunigungssensoren herzustellen. Die Sensoren werden
durch Zerteilen entlang der Linien 31 vereinzelt, um einen einzelnen
Sensor mit einer Oberplatte 1, einer Mittelplatte 2 und einer Unter
platte 3 zu bilden. Aus der Mittelplatte 2 wird eine bewegliche
Elektrode 4 herausstrukturiert, die aus einer Biegefeder 32 und
einer seismischen Masse 33 bestehen kann. Durch die Verbindungs
schichten 20, 19 wird erreicht, daß die seismische Masse 33 einen
gewissen Abstand zur Oberplatte 1 und Unterplatte einhält. Biege
feder 32 und seismische Masse 33 sind so ausgelegt, daß die seis
mische Masse 33 durch eine Beschleunigung aus ihrer Ruhelage ausge
lenkt wird. Durch einen elektrischen Anschluß der Oberplatte 1,
Mittelplatte 2, Unterplatte 3 und eine entsprechende, hier nicht
gezeigte, Elektronik wird die Kapazität zwischen der Mittelplatte 2
und jeweils der Oberplatte 1 und der Unterplatte 3 gemessen. Die
Veränderung dieser Kapazitäten ist dann ein Maß für die Beschleuni
gung. Parallel zu diesen Meßkapazitäten sind jedoch Streukapazitäten
geschaltet, die ihren Wert nicht in Abhängigkeit von der Beschleuni
gung verändern. Um eine gute Meßbarkeit der Beschleunigung sicher
zustellen sollte die Nutzkapazität, das heißt die Kapazität, die
sich mit der Beschleunigung ändert, dabei groß sein gegenüber
der Streukapazität. Ein wesentlicher Schritt der Herstellung der
Beschleunigungssensoren ist das Verbinden der Wafer und somit das
Verschließen des Hohlraumes 6. Vorzugsweise wird im Hohlraum 6 ein
Unterdruck bzw. ein Vakuum eingeschlossen, um die Bewegung der be
weglichen Elektrode 4 nicht durch Dämpfung der Bewegung an Luft zu
behindern. Da die Oberflächen der Wafer 5 sehr glatt sind und durch
eine chemische
Vorbehandlung aktiviert sind, bildet sich sobald die Wafer 5 auf
einandergelegt werden, durch Adhäsion eine so feste Verbindung, daß
ein nachträgliches Verschieben der aufeinandergelegten Wafer 5 nicht
möglich ist. Durch die Verwendung einer Oberplatte 1 oder einer
Unterplatte 3 mit einer geschlossenen dielektrischen Schicht 10 wird
somit der Herstellungsprozeß vereinfacht, da keine Justierung der
Oberplatte 1 oder Unterplatte 3 relativ zur Mittelplatte 2 mehr not
wendig ist. Die ebenfalls zur Verbindung vorgesehenen Schichten der
Mittelplatte können dabei ganzflächig ausgeführt sein wie die
Schicht 20 oder aber nur in einem kleinen Bereich vorhanden sein,
wie die Schicht 19. Das eigentliche Verbinden der Wafer 5 bzw. der
Oberplatte 1, Mittelplatte 2, Unterplatte 3 erfolgt durch Auf
einanderlegen und nachfolgende Temperaturbehandlung. Vor dem Auf
einanderlegen werden die Oberflächen der Wafer chemisch aktiviert,
beispielsweise durch Eintauchen der Wafer in Ammoniaklösungen oder
Salpetersäure. Als Materialien für die dielektrischen Schichten
können dabei neben Siliziumoxidschichten auch Siliziumnitrid oder
Siliziumoxinitrid verwendet werden.
In Fig. 2 wird ein Beschleunigungssensor mit einer Oberplatte 1,
einer Mittelplatte 2 und einer Unterplatte 3 aus einkristallinem
Silizium gezeigt. Aus der Mittelplatte ist eine bewegliche Elektrode
4 herausstrukturiert. Die drei Platten 1, 2, 3 sind wieder in einer
auseinandergezogenen Darstellung gezeichnet. Die Verbindung zwischen
Oberplatte 1, Mittelplatte 2 und Unterplatte 3 wird durch dielektri
sche Schichten 11 hergestellt. Im Hohlraum 6 ist wieder ein Unter
druck vorzugsweise ein Vakuum eingeschlossen. Der hier dargestellte
Sensor entspricht in seiner Funktionsweise dem Sensor wie er in
Fig. 1 beschrieben wurde. Im Unterschied zum Sensor nach Fig. 1
weist der hier gezeigte Sensor jedoch noch Anschläge 7 auf. Durch
die Anschläge 7 wird die Bewegung der beweglichen Elektrode 4 bzw.
der seismischen Masse 33 begrenzt, insbesondere wird durch die An
schläge 7 verhindert, daß
sich die seismische Masse 33 flächig an die Oberplatte 1 oder Unter
platte 3 anlegen kann. Die Anschläge 7 sind so ausgestaltet, daß es
nur zu einer geringen Kontaktfläche zwischen der seismischen Masse
33 und der Ober- bzw. Unterplatte kommen kann. Dabei ist es unerheb
lich, ob die Anschläge 7 auf der seismischen Masse 33 oder auf der
Oberplatte 1 oder der Unterplatte 3 angeordnet sind. Problematisch
ist ein Kontakt zwischen seismischer Masse 33 und den Platten 1 und
2 insbesondere während der Verbindung der Platten, da in diesem
Prozeßschritt die Oberflächen der Platten 1, 2, 3 und der seis
mischen Masse 33 chemisch aktiviert sind, und es bei Kontakt daher
zu sehr starken Adhäsionskräften kommt.
In Fig. 3 und 4 wird die lokale Oxidation von Silizium dargestellt.
Ein Siliziumsubstrat 41 wird dazu mit einer ca. 150 Nanometer dicken
Siliziumnitridschicht 43 bedeckt. Zur Verbesserung der Haftung des
Siliziumnitrids kann noch eine dünne, ca. 50 Nanometer dicke
Siliziumoxidschicht 42 zwischen dem Silizium 41 und dem Silizium
nitrid 43 gelegen sein. An den Stellen, an denen lokal Siliziumoxid
erzeugt werden soll, weist die Siliziumnitridschicht 43 eine Öffnung
auf. Durch Aufheizen des Wafers auf eine Temperatur von über 800
Grad in sauerstoffhaltiger Atmosphäre wird die bloßliegende Ober
fläche des Siliziums 41 oxidiert. Das dabei entstehende lokale
Siliziumoxid wächst dabei teilweise in die Oberfläche des Siliziums
41 herein und steht teilweise aus der Oberfläche des Siliziums 41
heraus. Dies liegt daran, daß das Siliziumoxid in etwa das doppelte
Volumen aufweist wie die zu seiner Herstellung notwendige Menge
Silizium. Das lokale Siliziumoxid 44 erstreckt sich zu ca. 55% über
der ursprünglichen Oberfläche des Siliziums 41 und zu ca. 45% in
das Silizium 41 herein. Die Dicke des lokalen Siliziumoxids beträgt
beispielsweise ca. 1 Mikrometer.
In Fig. 5 wird ein Stück Silizium 41 mit einer nachbearbeiteten
lokalen Oxidation 44 gezeigt. Durch die Nachbearbeitung wurde der
Teil des lokalen Siliziums 44 der über die Oberfläche des Siliziums
41 heraussteht, entfernt. Diese Bearbeitung erfolgt entweder durch
mechanische Mittel, chemische Ätzung oder einer Kombination beider
Methoden. Die entsprechenden Prozesse sind von der Waferherstellung
bekannt.
Die Verwendung von lokalem Siliziumozid zur Verbesserung des Ver
hältnisses von Nutz- zu Streukapazitäten wird in Fig. 6a und Fig.
6b verdeutlicht. In den Fig. 6a und b werden als Ausschnitte zwei
Siliziumwafer 5 gezeigt, die miteinander verbunden sind. In der
Fig. 6a werden die beiden Wafer 5 durch dielektrische Schichten 45
verbunden, die durch ganzflächiges Aufbringen der dielektrischen
Schichten und nachfolgende Strukturierung erzeugt wurden. Dies ent
spricht beispielsweise Beschleunigungssensoren wie sie in Fig. 1
bzw. Fig. 2 gezeigt wurden. Die Streukapazität und die Nutz
kapazität werden jeweils durch Plattenkondensatoren gebildet. Die
Kapazität in einem Plattenkondensator ist umgekehrt proportional zum
Abstand der Kondensatorplatten, das heißt je weiter die Konden
satorplatten auseinander sind, umso kleiner ist die Kapazität. Ange
strebt wird die Nutzkapazität zu vergrößern und die Streukapazität
zu verringern. Durch den Pfeil 47 wird der Abstand der Kondensator
platten der Streukapazität gezeigt. Der Pfeil 48 zeigt den Abstand
der Kondensatorplatten für die Nutzkapazität. Wie aus der Fig. 6a
zu erkennen ist, ist der Abstand der Streukapazität gleich dem Ab
stand der Nutzkapazität, wenn die Wafer 5 durch die hier gezeigten
Schichten 45 verbunden werden. In der Fig. 6b wird die Verbindung
von zwei Wafern 5 über zwei dielektrische Schichten 12 und 13 ge
zeigt. Die dielektrische Schicht 12 ist dabei durch lokale Oxidation
von Silizium hergestellt worden. Wie aus der Fig. 6b zu erkennen
ist, wurde durch die Verwendung des lokalen Oxids 12 der relative
Abstand der Streukapazität 47 gegenüber dem Abstand der Nutz
kapazität 48 verbessert. Das Verhältnis ist nicht mehr 1 zu 1 wie in
Fig. 6a, sondern ca. 1 zu 1,5. Bei gleichbleibender Verbindungs
fläche zwischen den beiden Wafern 5 wurde somit das Verhältnis von
Nutzkapazität zu Streukapaziät verbessert.
In Fig. 7 wird die Verbindung von zwei Siliziumwafern 5 mit zwei
lokalen Oxidationen von Silizium 14 und 15 gezeigt. Der relative
Abstand von Nutzkapazität 48 zur Streukapazität 47 hat sich in
diesem Fall auf ca. 1 zu 2 verbessert, das heißt bei gleicher Ver
bindungsfläche wurde die Streukapazität abermals verringert.
Fig. 8 zeigt zwei Siliziumwafer 5, die durch eine lokale Oxidation
15 und eine nachbearbeitete lokale Oxidation 16 verbunden werden. In
diesem Fall hat sich das Verhältnis des relativen Abstandes der
Nutzkapazität 48 zur Streukapazität 47 abermals zugunsten der Nutz
kapazität auf 1 zu 3 verschoben.
In Fig. 9 wird ein Beschleunigungssensor bestehend aus einer Ober
platte 1, einer Mittelplatte 2 und einer Unterplatte 3 aus ein
kristallinem Silizium gezeigt. Aus der Mittelplatte 2 ist eine bewegliche
Elektrode 4 herausstrukturiert. Der in Fig. 9 gezeigte Beschleuni
gungssensor entspricht in seiner Wirkungsweise den in Fig. 1 und
Fig. 2 gezeigten Beschleunigungssensoren. Die Oberplatte 1 und die
Unterplatte 3 weisen jeweils auf der der Mittelplatte 2 zugewandten
Seite eine geschlossene dielektrische Schicht 10 auf, das heißt für
das Zusammenfügen der Platten 1, 2 und 3 ist keine Justierung not
wendig. Weiterhin weist die seismische Masse 33 lokale Oxidationen
17 auf, die als Anschläge verwendbar sind. Weiterhin weist die
Mittelplatte 2 lokale Oxidationen 18 auf, die für die Verbindung der
Mittelplatte 2 mit der Oberplatte 1 und Unterplatte 3 genutzt
werden. Die lokalen Oxidationen 17 sind dünner als die lokalen
Oxidationen 18. Dies wird im Herstellungsprozeß dadurch erreicht,
daß die Öffnungen im Siliziumnitrid zunächst nur für die lokalen
Oxidationen 18 vorhanden sind. Die lokale Oxidation wird dann nach
einer übrigen Zeit abgebrochen und es werden weitere Öffnungen in
die Siliziumnitridschicht eingebracht um die lokalen Oxidationen 17
zu erzeugen. Danach wird die Oxidation noch eine Weile weiterge
führt. Durch den zeitlichen Vorsprung sind die lokalen Oxidationen
18 dicker als die lokalen Oxidationen 17. Der Sensor nach Fig. 9
ist somit ohne Justierung verschließbar, er weist Anschläge auf und
das Verhältnis von Nutz- zu Streukapazität ist günstig.
Claims (9)
1. Beschleunigungssensor mit einer Ober- (1), Mittel- (2)
und Unterplatte (3) aus einkristallinem Silizium, die durch
oberflächliche dielektrische Schichten (12-16, 18)
miteinander verbunden sind, mit einer durch eine
Beschleunigung beweglichen Elektrode (4), die aus der
Mittelplatte (2) herausstrukturiert ist, und bei dem die
jeweilige Kapazität zwischen der Ober- (1) und Unterplatte
(3) und der Mittelplatte (2) gemessen wird, wobei durch
Strukturierung eines Teils oder aller dielektrischen
Schichten (12-16, 18) ein gewisser Abstand zwischen der
beweglichen Elektrode (4) und der Ober- (1) und Unterplatte
(3) erreicht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die
dielektrischen Schichten (12-16, 18) aus Siliziumoxid
bestehen, und daß mindestens ein Teil des strukturierten
Siliziumoxids durch lokale Oxidation von Silizium
hergestellt ist.
2. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß für die Verbindung der Platten eine
durch lokale Oxidation erzeugte Siliziumoxidschicht (12) mit
einer ganzflächig erzeugten Siliziumoxidschicht (13)
verbunden ist.
3. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß für die Verbindung der Platten zwei
durch lokale Oxidation erzeugte Siliziumoxidschichten (14,
15, 16) miteinander verbunden sind.
4. Beschleunigungssensor nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dicke einer der beiden
Siliziumoxidschichten (15, 16) durch Bearbeiten nach der
Oxidation verringert ist.
5. Beschleunigungssensor nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Bearbeitung mechanisch erfolgt.
6. Beschleunigungssensor nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Bearbeitung durch Ätzen erfolgt.
7. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Mittelplatte (2) strukturierte
dielektrische Schichten (17, 18) aufweist, daß ein Teil
dieser Schichten (17) als Anschläge und ein anderer Teil
(18) zum Verbinden mit der Ober- (1) und Unterplatte (3)
verwendbar sind, und daß die Dicke der Schichten (18) für
die Verbindung mit der Ober- (1) und der Unterplatte (3)
größer ist als die Dicke der als Anschläge verwendbaren
Schichten (17), wobei diese Schichten (17, 18) durch lokale
Oxidation hergestellt sind.
8. Beschleunigungssensor nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet, daß die Ober- (1) und Unterplatte (3) auf
der der Mittelplatte (2) zugewandten Seite einen
geschlossenen Siliziumoxidfilm aufweisen.
9. Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Platten (1, 2, 3) einen Hohlraum (6)
einschließen, sich die bewegliche Elektrode (4) in diesem
Hohlraum (6) befindet und in dem Hohlraum (6) ein
definierter Druck, vorzugsweise ein Unterdruck,
eingeschlossen ist.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4222472A DE4222472C2 (de) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Beschleunigungssensor |
JP6502818A JPH07508835A (ja) | 1992-07-09 | 1993-06-30 | 加速度センサ |
EP93914592A EP0649538A1 (de) | 1992-07-09 | 1993-06-30 | Beschleunigungssensor |
PCT/DE1993/000570 WO1994001782A1 (de) | 1992-07-09 | 1993-06-30 | Beschleunigungssensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4222472A DE4222472C2 (de) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Beschleunigungssensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4222472A1 DE4222472A1 (de) | 1994-01-13 |
DE4222472C2 true DE4222472C2 (de) | 1998-07-02 |
Family
ID=6462782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4222472A Expired - Fee Related DE4222472C2 (de) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Beschleunigungssensor |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0649538A1 (de) |
JP (1) | JPH07508835A (de) |
DE (1) | DE4222472C2 (de) |
WO (1) | WO1994001782A1 (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990044488A (ko) * | 1996-07-08 | 1999-06-25 | 요트.게.아. 롤페즈 | 가속 측정 장치 |
US6105427A (en) * | 1998-07-31 | 2000-08-22 | Litton Systems, Inc. | Micro-mechanical semiconductor accelerometer |
US6871544B1 (en) | 1999-03-17 | 2005-03-29 | Input/Output, Inc. | Sensor design and process |
WO2000055648A1 (en) * | 1999-03-17 | 2000-09-21 | Input/Output, Inc. | Hydrophone assembly |
US6308569B1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-10-30 | Litton Systems, Inc. | Micro-mechanical inertial sensors |
US7687126B2 (en) | 2005-08-22 | 2010-03-30 | 3M Innovative Properties Company | Adhesive articles and release liners |
JP2007298405A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量式センサ |
JP2012008022A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 加速度センサ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3837883A1 (de) * | 1987-11-09 | 1989-05-18 | Vaisala Oy | Kapazitiver beschleunigungsmesser und verfahren zu seiner herstellung |
EP0369352A1 (de) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Hitachi, Ltd. | Kapazitiver Beschleunigungsmesser und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE4100451A1 (de) * | 1990-01-12 | 1991-07-25 | Nissan Motor | Halbleiterbeschleunigungsmesser |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5095401A (en) * | 1989-01-13 | 1992-03-10 | Kopin Corporation | SOI diaphragm sensor |
US5221400A (en) * | 1990-12-11 | 1993-06-22 | Delco Electronics Corporation | Method of making a microaccelerometer having low stress bonds and means for preventing excessive z-axis deflection |
-
1992
- 1992-07-09 DE DE4222472A patent/DE4222472C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-06-30 EP EP93914592A patent/EP0649538A1/de not_active Withdrawn
- 1993-06-30 WO PCT/DE1993/000570 patent/WO1994001782A1/de not_active Application Discontinuation
- 1993-06-30 JP JP6502818A patent/JPH07508835A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3837883A1 (de) * | 1987-11-09 | 1989-05-18 | Vaisala Oy | Kapazitiver beschleunigungsmesser und verfahren zu seiner herstellung |
EP0369352A1 (de) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Hitachi, Ltd. | Kapazitiver Beschleunigungsmesser und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE4100451A1 (de) * | 1990-01-12 | 1991-07-25 | Nissan Motor | Halbleiterbeschleunigungsmesser |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1994001782A1 (de) | 1994-01-20 |
JPH07508835A (ja) | 1995-09-28 |
DE4222472A1 (de) | 1994-01-13 |
EP0649538A1 (de) | 1995-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3635462C2 (de) | ||
DE3223987C2 (de) | Beschleunigungsmesser | |
DE3049193C2 (de) | ||
DE19906067A1 (de) | Halbleitersensor für physikalische Größen und dessen Herstellungsverfahren | |
DE102005056759A1 (de) | Mikromechanische Struktur zum Empfang und/oder zur Erzeugung von akustischen Signalen, Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur und Verwendung einer mikromechanischen Struktur | |
DE3833136A1 (de) | Kapazitives fuehlelement und verfahren zu seiner herstellung | |
DE4309206C1 (de) | Halbleitervorrichtung mit einem Kraft- und/oder Beschleunigungssensor | |
DE4222472C2 (de) | Beschleunigungssensor | |
DE4315012A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Sensoren und Sensor | |
DE102016208925A1 (de) | Mikromechanischer Sensor und Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Sensors | |
DE10135437A1 (de) | Sensor für dynamische Grössen, der bewegliche und feste Elektroden mit hoher Steifigkeit aufweist | |
DE4030466C2 (de) | Piezo-Widerstandsvorrichtung | |
DE3702412A1 (de) | Druckaufnehmer mit einem siliziumkoerper | |
EP0950190B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Halbleiteranordnung | |
DE4227819C2 (de) | Kapazitiver Drucksensor | |
EP0645613B1 (de) | Herstellverfahren für Dünnschicht-Absolutdrucksensoren | |
DE102004026593A1 (de) | Halbleitersensor für dynamische Größen | |
DE1940974C3 (de) | Piezoelektrische Keramik | |
DE4208043A1 (de) | Verfahren zur messung einer beschleunigung, beschleunigungssensor und verfahren zu dessen herstellung | |
DE102016107059A1 (de) | Integriertes Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren | |
DE2458627C3 (de) | Ferroelektrische keramische Massen und Produkte | |
DE4017265A1 (de) | Mikromechanisches bauelement und verfahren zur herstellung desselben | |
DE4206173C2 (de) | Mikromechanischer Beschleunigungssensor | |
DE102019200843A1 (de) | Mikromechanisches kapazitiv auswertbares Bauelement | |
DE102020123160B3 (de) | Halbleiterdie mit Druck- und Beschleunigungssensorelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |