JP2002508447A - マグネトロンスパッタ供給源 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 長手側に相並んで配置される、少なくとも二つの、互いに電気絶縁される長手ターゲット（３ａ，３ｂ，３ｃ）を含む、マグネトロンスパッタ供給源が提案される。それらの側面間の距離は、それぞれのターゲット（３ａ，３ｂ，３ｃ）の幅よりもはるかに小さい。それぞれのターゲットは、独自の接続部（５ａ，５ｂ，５ｃ）を有し、好ましくはターゲット（３ａ，３ｂ，３ｃ）の間に陽極（７ａ，７ｂ）が設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】

この発明は、請求項１から３１によるマグネトロンスパッタ源、請求項２０に
よる、そのような供給源を備える真空室、請求項２２による、そのような室を備
える真空処理装置に関するものであり、さらに、請求項２７によるそのような装
置の操作方法、ならびにその使用に関するものである。

【０００２】 この発明は基本的に、大きな表面の、特に少なくとも９００ｃｍ²の被覆さる べき表面を有する長方形の基板を、均質な層厚分布を備えるようスパッタ被覆す
る、特にまた反応性スパッタ被覆する必要性を前提とする。そのような基板は特
に、一般に１ｍｍより薄いガラス基板を土台とする、平らな受像スクリーン、特
にＴＦＴパネルまたはプラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）の製造に利用
される。

【０００３】

【従来の技術】

比較的大きな表面をマグネトロンスパッタ被覆する際には通常、スパッタ供給
源と基板とが互いに相対運動するとしても、さらに大きなスパッタ表面およびタ
ーゲットが必要である。その際、以下の点について問題が生じる。 （ａ） 反応性スパッタ被覆においてその状況が極めて顕著な、表面の大きなタ
ーゲットにおけるプロセス条件の均一化 （ｂ） 浸食断面 （ｃ） 冷却 （ｄ） 基本的に大気圧、および大きなターゲットの冷却剤の圧力による、負荷
。

【０００４】 機械的負荷の問題（ｄ）を解決するには、比較的厚みのあるターゲットプレー
トを使用しなければならないが、これは磁場の支配率を下げ、したがって所与の
供給電力において、の電子降下の効果を低下させる。しかしながら電力を上げる
と、冷却の問題（ｃ）が生じる。これは特に、大きな表面のターゲットを冷却媒
体と十分に接触させ得るには大きなコストがかかり、またターゲットには、裏面
に組み込まれた部材が磁石の妨げとなるからである。さらに、マグネトロンスパ
ッタにおいては、通常、スパッタされるべき材料からなり、スパッタ表面を規定
するターゲットプレートと、その上に接着された担体プレートとからなるターゲ
ット配置が、いわゆる「レーストラック（ｒａｃｅ ｔｒａｃｋｓ）」に沿って
スパッタ浸食されることが知られている。スパッタ表面にはターゲットに、所与
の経路に沿ってトンネル形状で発生し、プラズマ密度の高い複数の環状区域を形
成する磁場によって規定される、単数または複数の環状浸食溝が生じる。これら
の溝は、トンネル形状で環状に延びるマグネトロン磁場の領域における電子密度
が高いために生じる（電子降下）。これらの「レーストラック」によって、比較
的小さな表面であっても、マグネトロンスパッタ供給源の前に配置される、被覆
さるべき基板に、不均質な層厚分布が生じる。さらに、「レーストラック」に沿
ったスパッタ浸食によると、これらのトラックの外側のターゲット領域はあまり
スパッタされず、ターゲット材料が上手く利用されないため、波形状または溝形
状の浸食断面が生じる。これらの「レーストラック」のために、表面が大きいタ
ーゲットであっても、実際にスパッタする表面は基板表面に対して依然として小
さい。

【０００５】 被覆における、前記「レーストラック」の影響を除去するためには、スパッタ
供給源と被覆されるべき基板とを、上述のように相互に動かすことも可能であろ
うが、これでは単位時間あたりの被覆率が下がる。また、相対運動システムを採
用しながら、局所的に比較的高いスパッタ率で操作するには、冷却の問題がその
妨げとなる。

【０００６】 したがって、上記の課題を達成するには基本的に、四種類の問題領域（ａ）、
（ｂ）および（ｃ）、（ｄ）があり、これらの諸問題を個々に解決しようとする
と、それぞれ他の問題をより先鋭化させることになり、互いに相容れない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】

この発明の課題は、上記の諸問題を除去し、かつ実際に任意の大きさに拡張可
能であり、特に、供給源に対して固定され、面積の大きな少なくとも一つの基板
において、均質な被覆厚分布の経済的実現を保証する、マグネトロンスパッタ供
給源を提供することである。この供給源はさらに、きわめて均一なプロセス条件
において、それらの諸条件に敏感な反応プロセスを、高析出率ないし被覆率で可
能にするものであるべきである。不均質な「レーストラック」効果は、周知のよ
うにプラズマ密度の変化度が大きいため、反応性プロセスにおいて際立った問題
となる。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

この課題は、少なくとも二つ、好ましくは二つより多くの、互いに電気絶縁さ
れた縦長のターゲット配置が、ターゲット配置の幅よりもはるかに小さい間隔を
おいて長手側に相並んで配置され、かつ個々のターゲット配置が専用の電気接続
部を有し、さらに陽極配置が設けられる、この発明のマグネトロンスパッタ供給
源によって達成される。ターゲット配置のターゲットの角は、「レーストラック
」の経路にしたがって、丸く落とされるのが好ましい。

【０００９】 この発明による、そのようなマグネトロンスパッタ供給源においては、個々の
ターゲット配置の、それぞれ互いに独立して調整される電力供給装置によって、
その上の基板に敷設される層厚の分布がほぼ大幅に改善され得る。さらに、この
発明による供給源は、被覆さるべき基板の任意の大きさにモジュールごとに合わ
せることが可能である。

【００１０】 陽極配置は、一時的にターゲット配置そのものによって形成されない場合、図
２または図３の操作と比較して、全配置の外側に設けられ得るが、さらに好まし
くは、ターゲット配置の長手側の間に、かつ／またはターゲット配置の正面側に
、好ましくは特に長手側に、陽極を含む。

【００１１】 好ましくはさらに、供給源に固定磁石配置が設けられる。この配置は好ましく
は、ターゲット配置の周りをともに囲む一つの磁石枠によって、あるいは特に好
ましくは、それぞれにターゲット配置の周りを囲む複数の枠によって形成される
。この単数または複数の枠、ないし固定磁石配置を少なくとも部分的に、制御可
能な電磁石によって実現することは全く可能であり、有意義であるが、この配置
ないし、単数または複数の枠の磁石は、好ましくは永久磁石で実現される。

【００１２】 さらに前記固定磁石配置、好ましくは永久磁石枠によって、それに直接隣接す
るターゲット配置に生じる磁場に関する限り、基板における前記層厚分布と、さ
らに前記長手ターゲットの利用率が、「レーストラック」の適切な形成によって
、前記配置のそれぞれの設計の影響を受けて、改善され得る。

【００１３】 さらに、好ましくは少なくとも二つのターゲット配置の個々の下側に磁石配置
が設けられる。これらの配置は全て、それぞれのターゲット配置にトンネル形状
の磁場を形成するために、局所的に固定され、かつ時間的に固定されて形成され
得る。さらに好ましくは、それらの磁石配置は、ターゲット配置における磁場の
模様を時間とともに変化させるよう、配置される。この発明の、それぞれのター
ゲット配置における、磁場模様の形成および生成については、同じ出願人による
ＥＰ−Ａ−０ ６０３ ５８７ないしＵＳ−Ａ−５ ３９９ ２５３が参考とな
るが、これらのうち上記についての開示内容は、この明細書の一部を構成するも
のである。

【００１４】 ＥＰ−Ａ−０ ６０３ ５８７の図２によると、磁場の模様の位置、したがっ
てよりプラズマ密度の高い区域の位置全体を変えることは可能であろうが、はる
かに好ましくはこれは変更されないか、あるいは瑣末な変更のみで、反対に、前
記文献の図２および図３によると、頂点の位置、すなわちプラズマ密度の最も高
い箇所が変えられる。

【００１５】 いずれにせよ、それぞれのターゲット配置の下側の磁石配置における区域ない
し頂点の位置を変更するためには、選択制御される電磁石が、局所的に固定され
て、または移動するように設けられ得るが、さらに好ましくは、この磁石配置は
駆動運動する永久磁石によって実現される。

【００１６】 好ましい移動磁石配置は、個々のターゲットについてＥＰ−Ａ−０ ６０３
５８７の図３および図４が示すように、ターゲット配置の下で長手方向に延びる
少なくとも二つの、駆動され、かつ回転載置される、好ましくはここでも永久磁
石を備える、磁石ローラによって実現される。

【００１７】 磁石ローラは、この場合振り子操作で駆動され、振り子の振幅は好ましくはτ
／４以下である。この技術およびその効果についてはまた、全面的に前記ＥＰ
０ ６０３ ５８７ないしＵＳ−Ａ−５ ３９９ ２５３が参考となるが、この
件に関しても、これらの文献がこの出願明細書の一部を成すものである。

【００１８】 したがって、好ましくはそれぞれ、ターゲット配置の長手方向に沿って延び、
駆動され、かつ回転載置される永久磁石ローラが少なくとも二つ設けられる。

【００１９】 好ましい形態および方法にでは、 ― ターゲット配置の電力供給と、 ― 前記固定磁石配置、特に前記枠の磁場と、 ― それぞれターゲット配置の下にある、時間とともに磁場を変化させる磁石
配置、好ましくは磁石ローラと、 について、布設される層厚分布のでき得る限りの最適化、特にその均質化を、組
み合わせによって可能にする、一連の干渉数値が定められる。さらに、ターゲッ
ト材料のより高い利用率が達成される。極めて有利なことには、好ましくは、タ
ーゲット配置における磁場の頂点の変位によって、走査されるプラズマ区域は変
位されず、それらの区域内におけるプラズマ密度分布が不規則に揺らぎながら変
化することである。

【００２０】 さらに、できるだけ高いスパッタ出力を与え得るためには、ターゲット配置が
キャリヤ土台に配置され、このキャリヤ土台には、前記配置の土台側表面の大部
分を覆いながら、この表面に対しては箔によって密封される、冷却媒体管が配置
されることによって、ターゲット配置が最もよく冷却される。こうして、冷却媒
体の圧力に規定されながら、冷却されるべきターゲット配置に向けて前記箔が、
圧力によって十分かつ平面的にぴったりと張り付けられることによって、大きな
面積の熱を除去することが可能となる。

【００２１】 この発明の磁石スパッタ源には、好ましくは少なくとも部分的に電気絶縁材料
から、好ましくは合成樹脂から成る、キャリヤ土台が設けられるのが好ましく、
そこには、前記ターゲット配置の他に陽極ならびに、それがある場合には固定磁
石配置、好ましくは永久磁石枠と、ターゲット配置の下の磁石配置、好ましくは
可動性永久磁石配置、特に前記ローラと、さらに冷却媒体管が収容される。その
際、キャリヤ土台は、真空雰囲気と外部の大気とを分離するよう、形成かつ装着
される。これによって、圧力によって規定される機械的負荷に関して、ターゲッ
ト配置をより柔軟に設計することができる。

【００２２】 上述の、大きな面積における被覆厚分布のための、さらなる最適化量ないし調
整量は、ガス分配システムと連絡するガス流出開口部が、ターゲット配置の長手
側沿いに分散して設けられることによって、得られる。これによって、反応ガス
および／または処理ガスを、この発明による供給源の上に設けられる、この発明
の真空処理室ないし装置のプロセス空間内に、適切に調整分配して注入すること
が可能となる。

【００２３】 長方形配置は互いに、それらの幅の好ましくは最大１５％、好ましくは最大１
０％、さらに好ましくは最大７％の間隔を置かれる。

【００２４】 好ましい一実施形態においては、個々のターゲット配置間の側面側の間隔ｄは
、以下のとおりである。

【００２５】 １ｍｍ ≦ ｄ ≦ ２３０ｍｍ、好ましくは ７ｍｍ ≦ ｄ ≦ ２０ｍｍ 個々のターゲット配置の幅Ｂは好ましくは、 ６０ｍｍ ≦ Ｂ ≦ ３５０ｍｍ、好ましくは ８０ｍｍ ≦ Ｂ ≦ ２００ｍｍ また、その長さＬは好ましくは、 ４００ｍｍ ≦ Ｌ ≦ ２０００ｍｍ ここで、個々のターゲット配置の長手方向の大きさは、その幅と少なくとも同
じか、好ましくははるかに大きい。個々の長手ターゲット配置のスパッタ表面は
、それ自体平らに、またはあらかじめプロフィールを与えられ、好ましくは一平
面に沿って配置されるが、被覆厚分布への周縁部の影響を相殺するために、さら
に必要な場合には、特に側面側のスパッタ表面を中央表面よりも、被覆されるべ
き基板により近く、場合によっては傾斜をつけて配置することも、全く可能であ
る。

【００２６】 マグネトロン磁石プラズマの電子は、ターゲット表面領域内の磁場および電場
によって確定される方向に、「レーストラック」に沿って循環する。したがって
、電子の経路ないしその影響、したがってターゲット表面に生じる浸食溝の影響
は、ターゲット配置の長手方向に沿って設けられる磁場が、すなわち時間ととも
に変化するのみならず、局所的にも異なるよう形成されることによって、適切に
最適化され得ることが、認識された。これは、好ましくはそれぞれ一つの、さら
に好ましくはそれぞれ一つの永久磁石枠として、好ましくは前記磁石枠において
は、枠に設けられる磁石の位置決め、および／または強度の選択によっていずれ
にせよ実現可能であり、かつ／または磁石配置、好ましくは前記永久磁石ローラ
が、それぞれターゲット配置の下側に設けられる場合は、磁石配置の磁石の強度
に相応の変化をつけることによって、かつ／またはそれらの相対的位置によって
、実現可能である。電子は磁場の極性にしたがって、所与の循環方向に移動する
ので、電子は明らかにドリフト力によって、ターゲット配置の短辺領域に向けて
押しやられ、かつそれらの運動方向にしたがって、対角線状に向かい合うコーナ
部分の領域において外側へ向けて押しやられることが観察された。したがって、
特に好ましくは、磁石枠が設けられる場合、その枠磁石によって生じる場強度を
、ターゲットの「長方形」の対角線に対して左右対称に、局所的に異なるよう形
成することが、提案される。

【００２７】 この発明の供給源の好ましい一実施形態においては、ターゲット配置が直線状
の差込継ぎ手によって固定されるが、これは特に、圧力衝撃を受ける上述のよう
な箔を介する前記冷却装置と組み合わされる。したがって、冷却媒体管の圧力が
解除された後、これらの配置は極めて容易に交換可能であり、ターゲット配置の
背面の大部分は自由に冷却され、かつターゲット配置のための固定機構は、プロ
セス空間に対して一切露出しない。

【００２８】 この発明の好ましい供給源は、二つより多くの、好ましくは５つ以上のターゲ
ット配置を有する。

【００２９】 スパッタ被覆されるべき、好ましくは平らな少なくとも一つの基板のための基
板担体が、供給源からは距離をおいて設けられるスパッタ被覆室において、この
発明によるマグネトロンスパッタ供給源が使用されると、スパッタされる供給源
表面Ｆ_Qと、被覆されるべき基板表面Ｆ_Sとの間の比Ｖ_QSを、最適の小さな値とし
て実現することが可能となる。すなわち、 Ｖ_QS ≦ ３、好ましくは Ｖ_QS ≦ ２、特に好ましくは、 １．５ ≦ Ｖ_QS ≦ ２ これによって、供給源の利用効率は大きく引き上げられる。これは、前記供給
源を備える、この発明によるスパッタ被覆室においてさらに、マグネトロンスパ
ッタ供給源の新表面と基板との間の距離Ｄが、基本的に長手ターゲット配置の一
つの幅と同じとなるよう選択されることによって、すなわち好ましくは、 ６０ｍｍ ≦ Ｄ ≦ ２５０ｍｍ、好ましくは ８０ｍｍ ≦ Ｄ ≦ １６０ｍｍ が選択されることによって、さらに大きく引き上げられる。

【００３０】 この発明による前記スパッタ被覆室を備え、したがってこの発明によるマグネ
トロンスパッタ供給源を備える、この発明による真空被覆装置では、ターゲット
配置はそれぞれ、互いに別個に制御可能な発生器ないし電流源と接続される。

【００３１】 さらなる実施形態では、あるいは場合によっては、上述の発生器配置と組み合
わされて複数のターゲット配置が設けられる場合、前記ターゲット配置のうちの
少なくとも二つが、共通するひとつのＡＣ発生器の出力と接続され得る。

【００３２】 ターゲット配置に、それぞれ個別に電力供給するための発生器は、「純血種の
」ＤＣ発生器、ＡＣ発生器、ヘテロダインＤＣおよびＡＣ信号、またはパルスＤ
Ｃ信号を出力する発生器であり得るが、特にＤＣ発生器の場合、発生器とそれぞ
れのターゲット配置との間にはチョッパーユニットが設けられ得、それによって
ターゲット配置は、サイクルごとに発生器出力に、またはより低抵抗の、発生器
の基準電位におかれる。この技術に関しては全面的に、同出願人によるＥＰ−Ａ
−０ ５６４ ７８９ないしＵＳ出願番号０８／８８７ ０９１を参照されたい
。

【００３３】 さらに、ターゲット配置の長手側には、アルゴンのような反応ガスタンクおよ
び／または処理ガスタンクと接続されるガス流出開口部が設けられ、異なるター
ゲット配置の長手側に沿ったガス出口からのガス流は、好ましくは個別に調整可
能である。

【００３４】 少なくとも三つの長手ターゲット配置を備えるこの発明のスパッタ被覆装置は
好ましくは、外側のターゲット配置が、内側にあるターゲット配置よりも、５か
ら３５％、好ましくは１０から２０％高いスパッタ出力で作動するよう、操作さ
れる。ターゲット配置のプラズマ区域の位置、特に好ましくはトンネル磁場の頂
点位置の「ゆらぎ」、したがってプラズマ密度の分布に関する上述の「走査」は
、特に好ましくは前記磁石ローラの振り子操作で実現されるが、好ましくは１か
ら４Ｈｚ、好ましくは約２Ｈｚの周波数で行われる。その際のローラ−振り子の
振幅は、好ましくはψ≦π／４である。前記位置の変位について経路／時間のプ
ロフィールを適切に設計することによって、基板における被覆厚分布がさらに一
層最適化される。

【００３５】 ここで強調されるべきは、このためにまた、時間とともに相互に依存して変調
される出力信号を提供するための、ターゲット配置に接続される発生器も制御可
能である、という点である。

【００３６】 さらに、ターゲット配置の電力供給、および／または分散するガス入力、およ
び／または磁場分布が、基板において所望の、好ましくは均質な層厚分布が得ら
れるように、制御され、あるいは時間とともに調整される。

【００３７】 マグネトロンスパッタ供給源の出力密度ｐは、好ましくは、 １Ｗ／ｃｍ² ≦ ｐ ≦ ３０Ｗ／ｃｍ² であり、特に好ましくは金属製ターゲットから層を、特にＩＴＯ層を、反応性布
設するには、 １Ｗ／ｃｍ² ≦ ｐ ≦ ５Ｗ／ｃｍ² さらに、金属層をスパッタ被覆するには、好ましくは、 １５Ｗ／ｃｍ² ≦ ｐ ≦ ３０Ｗ／ｃｍ² で、操作される。

【００３８】 前述の、この発明によるマグネトロン供給源の開発に関連して認識されたよう
に、幅よりも長さがはるかに大きいターゲットプレート配置においては特に、タ
ーゲット配置の長手方向において観察した場合、特にその側面領域においてマグ
ネトロンの場の磁場強度が局所的に異なるよう形成するのが、基本的に有利であ
る。

【００３９】 この認識はしかしながら、長手マグネトロンに基本的には適用可能である。 したがって、時間の経過とともに変化し得る、好ましくは可動式磁石システム
、好ましくは永久磁石システムをその下に含む、この発明による長手マグネトロ
ン供給源について、ターゲット配置に磁石枠を、好ましくは永久磁石枠を配備し
、所与の空間方向において測定した場合、前記枠磁石の場強度が、ターゲット配
置の長手側面に沿って局所的に異なって形成されるよう、提案される。前記の循
環する電子に作用するドリフト力を相殺するために、これらの場強度が基本的に
ターゲットの対角線に対して左右対称に、局所的に異なって形成されるよう、提
案される。

【００４０】 この発明は、その全ての局面を鑑みると、基板、特に大きな表面を有する、さ
らに好ましくは平らな基板を、好ましくは金属ターゲットからの反応性プロセス
によって、好ましくはＩＴＯ（インジウム亜鉛酸化物）層でスパッタ被覆するの
に、特に適している。この発明はさらに、基板、特にガラス基板を、平らなパネ
ルディスプレイの製造、特にＴＦＴまたはＰＤＰパネルの製造のために被覆する
のに適しており、その場合基本的に、例えばまた半導体基板のような、大きな基
板を極めて合理的に、かつわずかな粗悪率で、反応性または非反応性被覆する可
能性が、特に反応性被覆する可能性が開かれる。

【００４１】 まさしく反応性スパッタ被覆プロセスにおいて、特にＩＴＯ被覆において、高
品質の層を得るためには、より低い放電電圧が、特に低い層抵抗が、焼き戻し段
階がなくとも、重要である。これは、この発明の供給源によって得られる。

【００４２】 その際にはまた、アーク放電の効果的な抑制も実現する。 次に、例として図面を参考に、この発明の説明がなされる。

【００４３】

【発明の実施の形態】

図１には、この発明のマグネトロンスパッタ供給源１の基本形状が概略的に示
される。この供給源１は、少なくとも二つの、図においては例えば三つの、長手
ターゲット配置３ａから３ｃを含む。磁場供給源、冷却装置等の、マグネトロン
スパッタ供給源に当然設けられるべきその他の連結装置は、図１には示されない
。供給源１は、ターゲット配置３のそれぞれに、独自の電気接続部５を有する。
好ましくは長手側において互いに間隔をおいて設置されるターゲット配置３の間
に、例えば押縁形状の陽極７ａ、７ｂが設けられる。

【００４４】 ターゲット配置３が電気的に互いに絶縁されており、かつそれぞれに電気接続
部５を有することによって、次に図２および図３との関連で説明されるように、
それらを個別に電気接続することが可能となる。

【００４５】 図１によると、ターゲット配置３はそれぞれ、互いに独立して制御可能であり
、かつ必ずしも同じ部類に属する必要のない発生器９に接続される。概略的に示
されたように、発生器は全て、または場合によっては混種されて、ＤＣ発生器、
ＡＣ発生器、ＡＣおよびＤＣ発生器、パルスＤＣ信号を出力するための発生器、
または、発生器の出力とそれぞれのターゲット配置との間に設けられるチョッパ
ユニットを備えるＤＣ発生器として、形成され得るが、それらの構造および作動
方式については全面的に、前記ＥＰ−Ａ−０ ５６４ ７８９ないしＵＳ出願番
号０８／８８７ ０９１を参照されたい。

【００４６】 陽極７も、自由に選択されて電気操作され得る。すなわち、発生器１２で示さ
れたように、陽極７は例えばＤＣ電圧、ＡＣ電圧、またはＤＣ電圧とヘテロダイ
ンＡＣ、またはパルスＤＣ電圧で、場合によってはまた、前記チョッパユニット
の一つを介して操作されるか、あるいは１２ａで示されたように、基準電気にお
かれる。陰極、すなわちターゲット配置の操作、場合によってはさらに、ターゲ
ット配置によって形成される供給源表面上に分散される陽極の操作の変化によっ
て、スパッタされる材料の配分、したがって供給源上に配置される基板（図示さ
れず）における分布が適切に調整され得る。

【００４７】 この場合、変調入力ＭＯＤを備えて図示されたように、互いに依存する発生器
９は、時間の経過とともに変調されて、ターゲット配置上の電気的操作条件を適
切にサージ状に、時間とともに変調する。

【００４８】 図２および図３には、既に説明された供給源の部材の位置表示はそのままで、
この発明の供給源１のさらなる電気接続の可能性が示されるが、陽極配置（図示
されず）については放棄され得る。

【００４９】 図２および図３によると、ターゲット配置３はそれぞれ対となって、ＡＣ発生
器１５ａ、１５ｂないし１７ａ、１７ｂの入力と接続されるが、発生器１５ない
し１７はここでも、場合によってはＡＣヘテロダインＤＣ信号またはパルスＤＣ
信号を出力し得る。発生器１５、１７はまた、場合によっては変調され、例えば
増幅変調されたＡＣ出力信号を、実際にキャリヤ信号として出力する。

【００５０】 図２によると、それぞれターゲット配置の一つ（３ｂ）がそれぞれ発生器１５
ａおよび１５ｂの入力と接続される一方、図３のターゲット配置３は、発生器１
７を介して対をなすように接続されるが、１９に破線で示されたように、図２の
実施例においても図３のそれにおいても「共通モード」信号という意味で、個々
のターゲット配置グループを一括して、他と異なる電位におくことは、全く可能
である。図２または図３の接続技術が選択された場合、好ましい実施形態では、
発生器は１２から４５ｋＨｚの周波数で操作される。「共通モード」電位として
は、例えば図２には質量電位が示されているが、一つの発生器にそれぞれ対をな
して接続されるターゲット配置は、交互に正および負の電位におかれる。

【００５１】 図１から図３の図において認識されるように、この発明によるマグネトロン供
給源によると、極めて高い柔軟性をもって、個々のターゲット配置３を電機操作
し、したがってプロセス空間１０においてスパッタされる材料の配分、および基
板上に布設される材料の分布を適切に指定することが可能となる。

【００５２】 図４には、好ましい一実施形態における、この発明によるマグネトロン供給源
の部分横断面図が示される。図４では、ターゲット配置がそれぞれ、スパッタさ
れるべき材料からなり、それぞれ背面プレート３_a2ないし３_b2上に接着されるタ
ーゲットプレート３_a1ないし３_b1を含む。直線状の差込継ぎ手２０によって、タ
ーゲット配置３の側面周辺部、および／または中心領域が、金属製冷却プレート
２３に固定される。

【００５３】 直線状差込継ぎ手の形態は、図５のとおりである。それによると、ターゲット
配置３または冷却プレート２３に、横断面が、内側に湾曲したＵ脚部２７を有す
るＵ形状であり、凹部が間隔をおいて形成される、中空レール２５が設けられる
。両部材の一方の側、好ましくはターゲット配置３には、横断面がＴ形状で、横
送り台３３の端部部分が凸部３４を有する直線状のレール３１が設けられる。凸
部３４を凹部２９に挿入し、かつＳの方向に直線状にスライドさせることで、両
部材は互いにしっかりと固定される。反対に、レール３１の対応する凹部に係合
する凸部を中空レールに設けることは、当然可能である。

【００５４】 ターゲット配置３はまず、冷却プレート２３を通る冷却管３５内の冷却媒体の
圧力を受けることによって、しっかりと冷却プレート２３に固定される。これら
の管３５は、冷却プレート２３に向かい合うターゲット配置の表面の、大部分の
領域に沿って延びる。前述のように圧力がかかった液状冷却媒体によって衝撃を
受ける冷却管３５は、例えば同出願人によるＣＨ−Ａ−６８７ ４２７において
詳細に説明されたように、ターゲット配置３に対して、箔状の薄膜３７によって
隙間なく密閉される。箔３７は、冷却媒体の圧力をうけて、背面プレート３_a2な
いし３_b2にぴったりと押し当てられる。この場合ターゲット配置は、まず冷却媒
体の圧力をうけて、差込継ぎ手にしっかりと固定されて動かない。ターゲット配
置３を除去するには、冷却システム全体、または個々の冷却システムが圧力解除
され、その後、ターゲット配置が簡単に押し出され、除去ないし交換され得る。

【００５５】 ターゲット配置３の長手側には、陽極桟３９が延びる。陽極桟ならびに冷却プ
レート２３は、好ましくは少なくとも一部が絶縁材料から、好ましくは合成樹脂
からなるキャリヤ土台４１に装着される。土台４１は、プロセス空間１０の真空
雰囲気を、空間１１内の周囲ないし通常雰囲気から分離する。

【００５６】 キャリヤ土台４１には、大気圧側に、ターゲット配置の長手方向にわたって延
びる、例えば二つの永久磁石ローラ４３が、回転可能なように載置され、かつ（
図示されず）駆動モータによって振り子駆動される。これらのローラは、振り子
操作において、好ましくは１８０°の回転角度で振り子運動ω４３する。永久磁
石ローラ４３には、その長手方向に沿って、好ましくは直径上に永久磁石４５が
埋め込まれる。

【００５７】 キャリヤ土台４１にはさらに、また大気側に、図６からわかるように基本的に
は、各々のターゲット配置３の下側を周辺領域に沿って延びる、永久磁石枠４７
が、それぞれのターゲット配置３につき一つ、埋め込まれる。

【００５８】 特にターゲット配置の長手側面に沿って、ガス流入管４９が図６のように、ま
た図４に破線で記入されたように、開口するが、これらの管は好ましくはそれぞ
れ順番に、そのガス流が個別に制御可能である。これは図４において、管４９と
、アルゴンのような処理ガス、および／または反応ガスを有するガスタンク配置
５３との間に接続される、調整弁５１によって概略的に示される。

【００５９】 永久磁石ローラ４３の操作および設計については、全面的にまたＥＰ−０ ６
０３ ５８７ないしＵＳ−Ａ−５ ３９９ ２５３を参照されたい。

【００６０】 図６には、図４の、この発明によるマグネトロン供給源の、簡略化された部分
上面図が示される。図４について既に述べられたように、各ターゲット配置３の
下には永久磁石枠４７が設けられる。磁石枠４７は、例えば図４のＨｚで示され
た空間方向でみると、図６にｘで示されたように、永久磁石枠によって生じる磁
場が、ターゲット配置３の長手側に沿って局所的に変化するように、形成される
のが好ましい。好ましい一実施形態においては、枠４７の長手脚部４７１₁およ び４７１₂に設けられる磁石は、複数の区域に、図６では例えば四つの区域に分 割される。図６のグラフでは質的に、Ｚ₁からＺ₄の個々の区域に設けられる永久
磁石の場強度が座標ｘに示され、したがってｘの方向における場強度の分布が示
される。さらに、個々の区域Ｚには永久磁石の双極の方向が記入された。

【００６１】 好ましくは、脚部４７１₁、４７１₂に同じ永久磁石区域が設けられるが、長手
ターゲット配置３の対角線Ｄ_iに関して左右対称となる。

【００６２】 ターゲット配置３の永久磁石枠４７によって生じる局所的磁場分布を適切に設
計することによって、循環する電子の経路を最適化し、したがって個々のターゲ
ット配置における浸食溝の位置および形態を最適化することが可能となる。これ
は特に、ドリフト力によって生じる経路の変形を考慮して行われる。ターゲット
枠４７の幅側には、好ましくは区域Ｚ₂に相当する永久磁石区域Ｚ_Bが設けられる
。既に述べられたように、図４、６および７の個々のターゲット供給源もまた、
この発明によるものである。

【００６３】 それぞれのターゲット配置３上のｘ方向において局所的に変化する磁場Ｈは、
磁石ローラの振り子運動によって時間的にも変化するが、この磁場Ｈは、区域Ｚ ₁ 、Ｚ₂、Ｚ₄におけるような永久磁石の場強度を選択することによって、かつ／ または区域Ｚ₃におけるような双極の空間的配向の選択、および／または位置（ ターゲット配置からの距離）の選択によって、適切に設計される。

【００６４】 既に述べられたように、この発明のスパッタ供給源に設けられるターゲット配
置３にはそれぞれ、少なくとも二つの永久磁石ローラ４３が設けられる。その一
つが図７に示される。

【００６５】 好ましくは、ローラ４３にも様々な永久磁石の区域、例えばＺ'₁からＺ'₄、が
設けられる。図７には、ローラに沿って局所的に変化する永久磁石の磁場Ｈ_R（ ｘ）の好ましい様態が、質的に示される。

【００６６】 したがってこの発明の供給源では、個々のターゲット配置の電力供給を局所的
および／または時間的に適切に配分し、かつ／または個々のターゲット配置にお
けるマグネトロン磁場を局所的および／または時間的に適切に変化させることに
よって、さらに／または流入開口部４９におけるガス噴入比率を局所的および時
間的に適切に変化させるか、あるいは指定することによって、スパッタ率の局所
的および時間的分布が最適化される。図４から図７について説明された好ましい
実施形態においては、スパッタ被覆されるべき、特に平らな基板における被覆厚
の分布を適切に指定し、特に好ましくは均質に形成するために、好ましくは上記
全ての数値が組み合わされて利用される。

【００６７】 図８には、この発明によるスパッタ被覆室６０を備える、この発明のスパッタ
被覆装置５０が概略的に示されるが、その中には、同様に概略的に図示された、
この発明によるマグネトロンスパッタ供給源１０が設けられる。概略的に示され
た供給源１０は、好ましい一実施例において実現されたように、六つのターゲッ
ト配置３を有し、さらに好ましくは、図４から図７について説明されたように、
形成される。ターゲット配置を備えた、この発明の供給源は、ブロック６２で示
されたように、別々の、場合によっては変調可能な電力供給源によって操作され
る。さらに、ガスタンク５３からの処理ガス、および／または反応ガスをプロセ
ス空間内に流入させるために、調整弁ブロック６４で示されたように、特にター
ゲット配置の長手側に沿って、場合によっては変調可能なガス噴入比率が、選択
的に調整される。

【００６８】 駆動ブロック６５で示されるのは、この発明の供給源に設けられる永久磁石ロ
ーラのための、場合によっては経路／時間の調整可能な駆動装置であって、そこ
では、好ましくは選択的に、所望のローラ振り子運動が調整され得る。

【００６９】 この発明による室６０内には、特に、被覆さるべき基板を受容するための基板
担体６６が設けられる。この発明の供給源によって、供給源１０からスパッタさ
れる材料の時間的および局所的配分を最適に調整することができ、特に時間的に
平均化された、均一な分布が、特にまた供給源の縁部領域においても得られるこ
とによって、被覆さるべき基板表面Ｆ_Sに対する供給源のスパッタ表面Ｆ_Qの比率
Ｖ_QSを驚くほど小さくすることが可能である。すなわち、好ましくは、 Ｖ_QS ≦ ３ 好ましくは、 Ｖ_QS ≦ ２ さらに好ましくは、 １．５ ≦ Ｖ_QS ≦ ２ この寸法から、被覆されるべき基板表面に相応に少量のスパッタ材料のみが当
たるわけではないことによって、供給源からスパッタされる材料が高い効率で利
用されることがはっきりとわかる。これはさらに、供給源の大きな表面全体がプ
ラズマで覆われるため、スパッタ被覆されるべき基板表面と、マグネトロン供給
源１０の新表面との間の距離Ｄが小さく、基本的にはターゲット配置３のスパッ
タ表面の幅Ｂ(図４参照)と同じとなるよう、すなわち、好ましくは ６０ｍｍ ≦ Ｄ ≦ ２５０ｍｍ 好ましくは、 ８０ｍｍ ≦ Ｄ ≦ １６０ｍｍ が選択可能であることによって特に、強化される。

【００７０】 前記小さな距離Ｄが実現可能であることによって、高い噴霧利用率で高い被覆
率が得られ、したがって極めて経済的な被覆が行われる。

【００７１】 図８に示された装置においては、好ましくは最も外側のターゲット配置が、内
側の、その他のターゲット配置よりも、好ましくは５から３５％、特に好ましく
は１０から２０％高いスパッタ出力で、発生器６２によって操作される。さらに
、好ましくは図４の供給源１０に設けられた永久磁石ローラが、１から４Ｈｚの
、好ましくは約２Ｈｚの振り子周波数で振り子運動するよう、操作される。

【００７２】 この発明のマグネトロンスパッタ供給源、スパッタ室ないし装置は、特に好ま
しい操作様態において、表面が大きく、特に平らな基板のマグネトロンスパッタ
被覆に特に適しており、大変経済的でありながらその被覆は、高品質で、所望の
厚さ分布、特に均質な厚さ分布を有する。これを可能にする決定的要因は、この
発明の供給源ではプロセス条件が大きな表面にわたって均一に配分されることで
ある。この発明はしたがって、表面の大きな半導体基板の被覆に、むしろ平面デ
ィスプレイパネルや、特にＴＦＴないしＰＤＰパネルの基板被覆に、特に利用さ
れ得る。その際、この発明は特に、前記基板を特にＩＴＯ層で反応性被覆するた
めに、または前記基板を非反応性スパッタ被覆によって金属被覆するために、使
用される。以下においては、この発明の供給源、ないし室、ないし装置の、好ま
しい設計数値が例としてまとめられる。

【００７３】 １． 形状 １．１ 供給源において ・ 図４の側面間隔ｄは、ターゲット配置の幅Ｂの最大１５％、好ましくは最
大１０％、さらに好ましくは最大７％、かつ／または １ｍｍ ≦ ｄ ≦ ２３０ｍｍ、好ましくは ７ｍｍ ≦ ｄ ≦ ２０ｍｍ ・ ターゲット配置の新表面は一平面に沿う ・ ターゲット配置の幅Ｂは、 ６０ｍｍ ≦ Ｂ ≦ ３５０ｍｍ、好ましくは ８０ｍｍ ≦ Ｂ ≦ ２００ｍｍ ・ ターゲット配置の長さＬは、少なくともＢ、好ましくはそれよりはるかに
長く、好ましくは、 ４００ｍｍ ≦ Ｌ ≦ ２０００ｍｍ ・ ターゲットの端部領域は、例えば半円形。

【００７４】 １．２ 供給源／基板 ・ 被覆されるべき基板表面の大きさＦ_Sに対するスパッタ表面の大きさＦ_Qの
比率Ｖ_QS Ｖ_QS ≦ ３、好ましくは Ｖ_QS ≦ ２、さらに好ましくは １．５ ≦ Ｖ_QS ≦ ２ ・ 供給源の新表面／被覆表面の最小距離Ｄは、 ６０ｍｍ ≦ Ｄ ≦ ２５０ｍｍ、好ましくは ８０ｍｍ ≦ Ｄ ≦ １６０ｍｍ ・ 基板の大きさは、例えば７５０ｘ６３０ｍｍ²であり、９２０ｘ９００ｍ ｍ²のスパッタ表面を有する供給源によって被覆されるか、あるいは 基板表面は、１１００ｘ９００ｍｍ²で、供給源のスパッタ表面は１３００ｘ １２００ｍｍ²である。

【００７５】 １．３ 冷却 冷却表面に対するスパッタ表面の比率Ｖ_SKは、 １．２ ≦ Ｖ_SK ≦ １．５ ２．操作数値 ・ ターゲット温度Ｔは、 ４０℃ ≦ Ｔ ≦ １５０℃ 好ましくは、 ６０℃ ≦ Ｔ ≦ １３０℃ ・ スパッタ表面単位あたりのスパッタ出力： １０から３０Ｗ／ｃｍ²、 好ましくは１５から２０Ｗ／ｃｍ²。

【００７６】 ・ 最も側面側のターゲット配置の表面単位あたりのスパッタ出力はそれぞれ
、好ましくは５から３５％、さらに好ましくは１０から２０％、多い。

【００７７】 ・ 磁石ローラの振り子周波数： １から４Ｈｚ、好ましくは約２Ｈｚ。 結果： 以下の被覆率が得られた。

【００７８】 ・ ＩＴＯ： ２０Å／秒 ・ Ａｌ： １３０から１６０Å／秒 ・ Ｃｒ： １４０Å／秒 ・ Ｔｉ： １００Å／秒 ・ Ｔａ： １０６Å／秒 図９には、この発明による供給源のターゲット配置の一つの、１５ｃｍ幅のス
パッタ表面における浸食断面が示される。ここでは、「レーストラック」ないし
浸食溝はもはやほとんど認識されず、極めて均一にならされているのがわかる。

【００７９】 図１０には、幅Ｂが１５０ｍｍのスパッタ表面をそれぞれ有する、五つのター
ゲット配置を備える、この発明の供給源において、ＩＴＯスパッタ被覆の際に得
られる被覆率分布が示される。この分布では、供給源表面から１２０ｍｍの距離
Ｄに配置された基板における層厚の偏差は、わずか±３．８％である。

【００８０】 図１１には、以下のように被覆された、大きな表面のガラス基板において得ら
れる層厚の分布が示される。

【００８１】 ― 全スパッタ出力 Ｐ_tot： ２ｋＷ ― スパッタ時間： １００秒 ― スパッタ率Ｒ： ２６Å／秒、相対値： １３Å／秒ｋＷ ― ターゲット配置を六つ備え、そのうち最も外側の配置は１０ないし１５％
高いスパッタ出力で操作される（ｐ₁，ｐ₆）、供給源 ― 基板の大きさ： ６５０ｘ５５０ｍｍ² 図１１には、より高い出力で操作されるターゲット配置上にあった、基板の縁
部領域が示されている。平均２６７ｎｍの厚さの層をＩＴＯ被覆する場合、得ら
れる層厚の偏差は±６．３％である。

【００８２】 この発明によると、従来のスパッタ供給源で、特に表面の大きい工作物を被覆
する場合、特に以下の欠点が回避される。

【００８３】 ・ この発明によると、高い被覆率および高いスパッタ率利用で、大きなマグ
ネトロンスパッタ表面にわたってプロセス条件を均一に配分することが可能なの
で、表面の大きい基板、場合によっては同時に多数の基板を被覆する際に、高い
経済性が得られる。

【００８４】 ・ この発明の供給源においては、大きな表面が同時にスパッタされるので、
基板における層厚の分布がより改善され、かつ干渉放電（アーク）の発生が妨げ
られる。

【００８５】 ・ 反応ガスの配分および／またはターゲット浸食分布の均質化の問題が解決
するので、被覆されるべき基板を供給源にはるかに近く位置決めすることができ
、かつ供給源表面に対して被覆される表面をはるかに大きくすることができる。
これによって、この発明による供給源を用いたスパッタ被覆装置の経済性が大幅
に増加する。

【００８６】 ・ 表面の大きなターゲットにおいて、ターゲット中央に陽極がないために、
ターゲット中央とターゲットの周縁部との間でプラズマ密度に差が生じるという
問題が、除去される。

【００８７】 ・ モジュール状のターゲット配置によって、供給源をそれぞれ所望の寸法に
柔軟に合わせることが可能である。

【００８８】 ・ 表面の大きなターゲットにおける問題、すなわちターゲット中央における
プロセスの反応ガスが乏しくなる問題は、ガス流入口４９が供給源表面そのもの
の上に分散配置されるので、解決する。

【００８９】 ・ プロセス真空と大気圧との間にキャリヤ土台（４１）があるので（図４参
照）、この負荷をも受容する、厚い冷却プレート（２３）をもはや設ける必要が
なく、したがって、供給源はより低コストとなり、特に、ターゲット配置（３）
の下側に設けられる磁石配置（４７，４３）の磁場の支配率が改善される。

【００９０】 以下の配分、すなわち： ・ 時間的および／または局所的、ターゲット配置の電気操作 ・ 時間的および／または局所的、ターゲット配置の磁気操作 ・ 時間的および／または局所的、ガス流入 を選択的に制御することによって、表面の大きな基板において得られる、層厚の
分布を最適に、特に均一に調整することが可能である。

【００９１】 ・ 差込継ぎ手が設けられるとともに、ターゲット配置が冷却媒体の圧力を介
してしっかりと固定されることによって、ターゲット配置の極めて容易かつ迅速
な交換が可能であり、かつ大きな表面の極めて効率的な冷却が可能である。

【００９２】 ・ スパッタ表面の下側に差込継ぎ手が固定装置として設けられるため、その
他の、特にスパッタ材料とは異質の固定機構に、プロセス空間側から接触するこ
とは一切ない。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第一の電気的形態で操作される、この発明によるマグネトロンス
パッタ供給源の図である。

【図２】 さらなる電気接続形状における、この発明による、図１のスパッ
タ供給源の概略図である。

【図３】 図１と同様の、この発明のスパッタ供給源の、さらなる電気接続
形状を示す図である。

【図４】 この発明のマグネトロンスパッタ供給源の部分横断面図である。

【図５】 好ましくは、図４の供給源において使用されるような、直線状差
込継ぎ手の上面図である。

【図６】 この発明によるマグネトロン供給源の、簡略化された部分上面図
である。

【図７】 図４の、この発明によるマグネトロン供給源に好ましくは設けら
れる、永久磁石ローラの、好ましい一実施形態の上面図である。

【図８】 この発明のスパッタ被覆装置の概略図である。

【図９】 この発明の供給源のターゲット配置における、浸食断面の図であ
る。

【図１０】 ターゲット配置を五つ備えた、この発明の供給源において算出
された、供給源からスパッタされた材料の配分を示す図である。

【図１１】 この発明の供給源によって被覆された、５３０ｘ６３０ｍｍ² のガラス基板における層厚の起伏を示す図である。

【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書

【提出日】平成１２年１月１８日（２０００．１．１８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シュベンデナー，ウルス スイス、ツェー・ハー−9470 ブーフス、 アープベーク、７ (72)発明者 シュレーゲル，マルクス スイス、ツェー・ハー−9478 アツモー ス、パルタナ、７ (72)発明者 クラスニッツァー，ジークフリート オーストリア、アー−6800 フェルトキル ヒ、イム・グラベンベーク、２ Ｆターム(参考） 4K029 AA09 AA24 BA45 BA50 BC09 CA05 DC12 DC16 DC25 DC35 DC40 DC41 DC42 DC45 DC46 EA09

Claims (36)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも二つの、互いに電気絶縁される長手ターゲット配
   置（３）が、ターゲット配置（３）の幅（Ｂ）よりもはるかに小さい間隔（ｄ）
   で、長手側に相並んで配置され、かつターゲット配置のそれぞれが独自の電気接
   続部（５）を有することを特徴とし、さらに陽極配置（７）が設けられる、マグ
   ネトロンスパッタ供給源。
2. 【請求項２】 陽極配置が、長手側のターゲット配置間に、および／または
   ターゲット配置の正面側に、好ましくは長手側に、陽極を含むことを特徴とする
   、請求項１に記載の供給源。
3. 【請求項３】 好ましくは、電磁石および／または永久磁石を備え、ターゲ
   ット配置の周りを囲む枠を一つ含み、特に好ましくは、電磁石および／または永
   久磁石を備え、それぞれにターゲット配置の周りを囲む複数の枠を含む、固定磁
   石配置（４７）が設けられることを特徴とし、前記単数または複数の枠の磁石は
   好ましくは永久磁石である、請求項１に記載の供給源。
4. 【請求項４】 好ましくは、ターゲット配置のスパッタ表面上において、好
   ましくは、トンネル形状の環状磁場の頂点の位置の変化によって、磁場の模様を
   それぞれ時間的に変化させるような磁石配置が、それぞれのターゲット配置の下
   側に設けられ、かつ前記磁石配置は、選択的に制御され、かつ／または移動する
   電磁石によって、かつ／または移動する永久磁石によって、好ましくは後者によ
   って形成され、さらに特に好ましくは、永久磁石および／または電磁石を、好ま
   しくは永久磁石を備え、ターゲット配置の長手方向に沿って延び、駆動かつ回転
   載置される、それぞれ少なくとも二つの磁石ローラ（４３）によって形成される
   ことを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の供給源。
5. 【請求項５】 ターゲット配置（３）がキャリヤ土台（４１）に装着され、
   かつそこに、それぞれのターゲット配置（３）の前記土台側の表面の大部分を覆
   いながら、前記表面に対しては箔（３７）によって密封される冷却媒体管（３５
   ）が、好ましくは、ターゲット配置に向き合う土台側面には真空圧が、同時に、
   前記土台の反対側には大気圧が接し得るように、配置されることを特徴とする、
   請求項１から４のいずれかに記載の供給源。
6. 【請求項６】 ターゲット配置（３）ならびに陽極配置（７）、さらに場合
   によっては単数または複数の固定磁石配置、好ましくは単数または複数の磁石枠
   （４７）、および／またはターゲット配置の下側の磁石配置、好ましくは磁石ロ
   ーラ、および／または冷却媒体管（３５）が、電気絶縁材料から、好ましくは合
   成樹脂からなる、キャリヤ土台（４１）の一部の中、ないし上に受容され、かつ
   前記土台は好ましくは、ターゲット側には真空圧が、外側には大気圧が同時に接
   し得るように、形成されることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載
   の供給源。
7. 【請求項７】 冷却媒体管の底部がそれぞれ金属プレートで仕切られること
   を特徴とする、請求項６に記載の供給源。
8. 【請求項８】 ガス分配システム（６４）と連絡するガス流出開口部（４９
   ）が、ターゲット配置の長手側面に沿って、分散して設けられることを特徴とす
   る、請求項１から７のいずれかに記載の供給源。
9. 【請求項９】 ターゲット配置（３）の長手側における間隔が、その幅（Ｂ
   ）の最大１５％、好ましくは最大１０％、さらに好ましくは最大７％であること
   を特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載の供給源。
10. 【請求項１０】 ターゲット配置（３）の長手方向の大きさ（Ｌ）が、少な
    くともその幅と同じであるか、好ましくははるかに長く、好ましくは、 ４００ｍｍ ≦ Ｌ ≦ ２０００ｍｍ であることを特徴とする、請求項１から９のいずれかに記載の供給源。
11. 【請求項１１】 ターゲット配置の側面側の間隔ｄが、 １ｍｍ ≦ ｄ ≦ ２３０ｍｍ 好ましくは、 ７ｍｍ ≦ ｄ ≦ ２０ｍｍ であることを特徴とする、請求項１から１０のいずれかに記載の供給源。
12. 【請求項１２】 ターゲット配置の幅Ｂが 、 ６０ｍｍ ≦ Ｂ ≦ ３５０ｍｍ 好ましくは、 ８０ｍｍ ≦ Ｂ ≦ ２００ｍｍ であることを特徴とする、請求項１から１１のいずれかに記載の供給源。
13. 【請求項１３】 ターゲット配置（３）の新表面が一平面に沿って配置され
    ることを特徴とする、請求項１から１１のいずれかに記載の供給源。
14. 【請求項１４】 所与の空間方向（Ｚ）において測定される磁場（Ｈ）の強
    度が、ターゲット配置の長手方向に沿長手縁部領域において、局所的に異なるこ
    とを特徴とする、請求項１から１３のいずれかに記載の供給源。
15. 【請求項１５】 ターゲット配置（３）が、共通する一つの、好ましくはそ
    れぞれ一つの磁石枠（４７）に、好ましくは一つの、またはそれぞれ一つの永久
    磁石枠に配備され、かつ前記単数または複数の枠（４７）の磁石の位置および／
    または強度が、ターゲット配置の長手側面の少なくとも一部に沿って、局所的に
    異なることを特徴とする、請求項１から１４のいずれかに記載の供給源。
16. 【請求項１６】 ターゲット配置（３）の下側に、長手方向に延び、回転駆
    動載置される、少なくとも二つの磁石ローラ（４３）が設けられ、かつ磁石の強
    度および／または位置が、前記ローラ（４３）の少なくとも一部に沿って、局所
    的に異なることを特徴とし、ローラの磁石は好ましくは永久磁石である、請求項
    １から１５のいずれかに記載の供給源。
17. 【請求項１７】 ターゲット配置（３）が、共通する、または好ましくはそ
    れぞれの磁石枠（４７）に囲まれ、かつ前記枠の磁石の強度および／または位置
    が、ターゲット配置の長手側面の少なくとも一部に沿って、局所的に異なり、し
    かも、それぞれのターゲット配置についてみると、長手ターゲットの対角線の一
    つ（Ｄｉ）に対して基本的に左右対称であることを特徴とし、前記単数または複
    数の枠の磁石は、好ましくは永久磁石である、請求項１から１６のいずれかに記
    載の供給源。
18. 【請求項１８】 ターゲット配置が、直線状の差込継ぎ手（２５，３２）に
    よって固定されることを特徴とする、請求項１から１７のいずれかに記載の供給
    源。
19. 【請求項１９】 二つよりも多くの、好ましくは五つ以上のターゲット配置
    が設けられることを特徴とする、請求項１から１８のいずれかに記載の供給源。
20. 【請求項２０】 請求項１から１９のいずれかに記載のマグネトロンスパッ
    タ供給源（１０）と、被覆されるべき少なくとも一つの基板のために、前記マグ
    ネトロンスパッタ供給源に対して距離をおいて配置される基板担体（６６）とを
    備えるスパッタ被覆室であって、被覆されるべき基板表面Ｆ_Sに対するスパッタ 供給源表面Ｆ_Qの比率（Ｖ_QS）が、 Ｖ_QS ≦ ３ 好ましくは、 Ｖ_QS ≦ ２ 好ましくは、 １．５ ≦ Ｖ_QS ≦ ２ であることを特徴とする、室。
21. 【請求項２１】 マグネトロンスパッタ供給源（１０）の新表面と基板との
    間の距離（Ｄ）が基本的に、前記長手ターゲット配置（３）のうち一つの幅と同
    じであり、好ましくは、 ６０ｍｍ ≦ Ｄ ≦ ２５０ｍｍ 好ましくは、 ８０ｍｍ ≦ Ｄ ≦ １６０ｍｍ であることを特徴とする、請求項２０に記載の室。
22. 【請求項２２】 ターゲット配置（３）が、互いに独立して制御可能な電気
    発生器（６２）と接続されることを特徴とする、請求項２０または２１のいずれ
    かに記載の室を備える真空被覆装置。
23. 【請求項２３】 前記ターゲット配置（３）が二つより多く設けられ、かつ
    前記ターゲット配置（３）のうちの少なくとも二つが、共通するＡＣ発生器（１
    ５，１７）の出力と接続されることを特徴とする、請求項２２に記載の装置。
24. 【請求項２４】 前記発生器（９，６２）のうちの少なくとも一つが、ＤＣ
    発生器、ＡＣ発生器または、ＤＣヘテロダインＡＣまたはパルスＤＣを出力する
    発生器であり、あるいは発生器のうちの少なくとも一つが、ＤＣ発生器であり、
    チョッパユニットを介してターゲット配置（３）と接続されることを特徴とする
    、請求項２２に記載の装置。
25. 【請求項２５】 反応ガスタンクおよび／または処理ガスタンク（５３）と
    接続される、ガス流出開口部（４９）が、ターゲット配置の長手側において、少
    なくとも一部の間に設けられることを特徴とする、請求項２２から２４のいずれ
    かに記載の装置。
26. 【請求項２６】 ターゲット配置（３）に沿って分散して設けられるガス流
    出部（４９）の少なくとも一部が、ガス流（５１，６４）に関して、他から独立
    して制御可能であることを特徴とする、請求項２５に記載の装置。
27. 【請求項２７】 少なくとも三つの長手ターゲット配置（３）を備える、請
    求項２２から２６のいずれかに記載の装置の操作方法であって、最も外側のター
    ゲット配置が、内側のターゲット配置よりも、好ましくは５から３５％、好まし
    くは１０から２０％高いスパッタ出力で操作されることを特徴とする、方法。
28. 【請求項２８】 ターゲット配置の下側にそれぞれ、局所的に変位し、かつ
    ／または時間的に制御され、好ましくはそれぞれ、少なくとも二つの回転駆動載
    置される永久磁石ローラ（４３）によって形成される磁石配置が設けられる、請
    求項２２から２６のいずれかに記載の装置の操作方法であって、ターゲット配置
    において発生する磁場が１から４Ｈｚのサイクルで変化し、好ましくは双方のロ
    ーラ（４３）が、１から４Ｈｚの、好ましくは約２Ｈｚの振り子周波数で、かつ
    好ましくはψ≦π／４の回転角度振幅で、振り子運動するよう操作されることを
    特徴とする、方法。
29. 【請求項２９】 それぞれのターゲット配置の電力供給、および／またはガ
    ス流入配分および／または磁場の分布を制御することによって、基板表面上の層
    厚の分布を調整し、好ましくはほぼ均一にすることを特徴とする、請求項２７ま
    たは２８のいずれかに記載の方法。
30. 【請求項３０】 マグネトロンスパッタ供給源が、 １Ｗ／ｃｍ² ≦ ｐ ≦ ３０Ｗ／ｃｍ² の出力密度ｐで操作され、かつ好ましくは金属製ターゲットからの反応スパッタ
    被覆のために、特にそのようなＩＴＯスパッタ被覆のために、ｐが以下のように
    、すなわち、 １Ｗ／ｃｍ² ≦ ｐ ≦ ５Ｗ／ｃｍ² 選択され、金属スパッタ被覆については、 １５Ｗ／ｃｍ² ≦ ｐ ≦ ３０Ｗ／ｃｍ² が選択されることを特徴とする、請求項２７から２９のいずれかに記載の方法。
31. 【請求項３１】 時間的に変化し得る、好ましくは可動磁石システムをその
    下に有する、基本的に長方形のターゲット配置を備える長手マグネトロン供給源
    であって、前記ターゲット配置が磁石枠（４７）を、好ましくは永久磁石枠を含
    むことを特徴とし、所与の空間方向（Ｚ）において測定される、前記磁石枠の場
    強度は、ターゲット配置の長手側面（ｘ）に沿って局所的に異なる、供給源。
32. 【請求項３２】 ターゲット配置の両長手側面における場強度が、前記配置
    の対角線に対して基本的に左右対称に、局所的に異なることを特徴とする、請求
    項３１に記載の供給源。
33. 【請求項３３】 ターゲット配置の下側の磁石システムが、ターゲットの長
    手方向に延び、回転駆動載置される、少なくとも二つの磁石ローラ（４３）を含
    むことを特徴とする、請求項３１または３２のいずれかに記載の供給源。
34. 【請求項３４】 好ましくは金属製ターゲットからの、反応スパッタ被覆の
    ための、特に好ましくは、インジウム亜鉛酸化物（ＩＴＯ）によるそのような被
    覆のための、請求項１から１９のいずれかに記載のマグネトロンスパッタ供給源
    、または請求項２０、２１のいずれかに記載の室、または請求項２２から２６の
    いずれかに記載の装置、または請求項３１から３３のいずれかに記載の供給源の
    、使用。
35. 【請求項３５】 平面パネルディスプレイ基板を被覆するための、特に、例
    えばガラスからなるＴＦＴまたはＰＤＰパネル基板を、特に反応布設される層で
    、特にＩＴＯ層で被覆するための、請求項１から１９のいずれかに記載のマグネ
    トロンスパッタ供給源、または請求項２０、２１のいずれかに記載の室、または
    請求項２２から２６のいずれかに記載の装置、または請求項３１から３３のいず
    れかに記載の供給源の、使用。
36. 【請求項３６】 被覆されるべき表面Ｆ_Sが、 Ｆ_S ≧ ９００ｃｍ² である基板のための、請求項３５による使用。