DE19535845C2

DE19535845C2 - Verfahren zur Gleichstrommagnetronaufstäubung von Schichten auf großflächige Glassubstrate, Target und Verfahren zur Herstellung des Targets

Info

Publication number: DE19535845C2
Application number: DE19535845A
Authority: DE
Inventors: Rolf Dr Blessing; Lothar Dr Herlitze; Andreas Koehler; Walter Dr Kunert; Klaus Dr Schwarz
Original assignee: FREIBERGER NE METALL GmbH; Interpane Entwicklungs und Beratungs GmbH and Co KG
Current assignee: Interpane Entwicklungs und Beratungs GmbH and Co KG; GfE Fremat GmbH
Priority date: 1995-09-15
Filing date: 1995-09-15
Publication date: 1997-08-14
Anticipated expiration: 2015-09-16
Also published as: DE19535845A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung groß flächiger Schichten auf Glassubstraten gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Bei den herzustellenden Schichten kann es sich insbesondere um Wärme- und Sonnenschutzschichten auf Architektur- und Flachglas handeln. Die Erfindung betrifft ferner ein Target zur Durchführung des Verfahrens gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 2 sowie ein Verfahren zur Herstel lung eines Targets gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 11.

Schichten zur Verwendung im Architektur- und Flachglasbe reich werden heute vorwiegend durch Nutzung des Katodenzer stäubungsverfahrens hergestellt.

Die Beschichtung erfolgt hierbei in der Regel auf Glas-Sub strate einer Größe von 6,00 m × 3,21 m, mit einer Dicke zwi schen 3 mm und 20 mm.

Die Herstellung der Schicht geschieht in sogenannten Inline-Va kuumanlagen im quasi kontinuierlichen Betrieb mit Anlagen taktzeiten pro Glassubstrat zwischen 1 min und 5 min.

Besonderer Wert wird aus wirtschaftlichen Gründen auf hohe Beschichtungsraten bei gleichzeitig höchster Schichthomogeni tät von etwa 1%-3% der Gesamtschichtdicke gelegt.

Als Beschichtungsmaterialien für die Großflächenbeschichtung mit Reaktivschichten finden - vor allem aus Kostengründen - nur wenige Materialien Verwendung:

Targetmaterial
Schichtkomponente
Zinn
Zinnoxid
Zinn/Zink-Legierung	Zinn-Zink-Oxid
Wismut	Wismutoxid
Titan	Titanoxid, Titannitrid
Chrom	Chromoxid, Chromnitrid

Als Target für die Beschichtung finden pulver- oder schmelz metallurgisch hergestellte Metalltargets Verwendung.

Um einen genügenden Wärmeübergang zwischen Target und Kato denkörper zu erreichen, werden die Targets auf Metallplatten (Kupferplatten) vollflächig aufgelötet (Bondprozeß).

Es ist dabei kaum möglich, mehr als 70% der Gesamtfläche des Targets stoffschlüssig zu bonden. Weiterhin gestaltet sich der sichere Nachweis nichtgebondeter Flächen als tech nisch sehr aufwendig.

Zur Herstellung der entsprechenden oxidischen bzw. nitridi schen Schichten werden als Reaktivgase Sauerstoff oder Stick stoff dem Sputterprozeß zugesetzt.

Die Dicke der abgeschiedenen Schichten ist der verwendeten Plasmaleistung proportional. Die durch die Gasentladung frei gesetzte Energie wird zum großen Teil als Wärmeenergie in das Target eingetragen und führt zur Erhitzung des Targets.

Bei zu starker Erwärmung der Katode wird das Target durch Schmelzen zerstört.

Ein ungenügender Wärmeübergang zwischen Target und Katoden kühlung (Bondungsfehler) führt nachteilig zur Limitierung der anwendbaren Zerstäubungsleistung und damit auch zu einer Ratenbegrenzung.

Bei der Herstellung von Reaktiv-Schichten kann man zwei stabile Betriebszustände, den "metallischen Modus" und den "reaktiven Modus" beobachten, die durch einen instabilen parameterbereich, den "Übergangsmodus", abrupt getrennt sind.

Die großflächige Herstellung homogener Oxidschichten erfolgt im "reaktiven Modus" bei Verwendung eines deutlichen Reaktiv gasüberschusses. Infolge der damit verbundenen Bedeckung des Targets mit einer Oxidhaut (Targetvergiftung) kommt es zu einer drastischen Erniedrigung der Beschichtungsrate, die nur begrenzt durch Erhöhen der Plasmaleistung ausgeglichen werden kann.

Die verfahrenstechnische Konsequenz dieser Nachteile ist die Notwendigkeit, die Anzahl der benutzten Katoden zu erhöhen, was mit erheblichen Kosten verbunden ist.

Einen Ausweg aus dieser Situation bietet die Stabilisierung eines Arbeitspunktes im "Übergangsmodus" ("Surface and Coating Technology" 33 (1987), Seiten 405-423; Bakish, R.: Proceedings of the 2nd International Conference on Vacuum Web Coating, Fort Lauderdale, Florida, USA, October 1988). Durch die Verwendung eines Plasma-Emissions-Monitors kann an hand einer charakteristischen Spektrallinie der Plasma-Emis sion das Metallraten-Reaktivgasverhältnis konstant gehal ten werden. Diese Art der Regelung ist nicht nur technisch aufwendig und teuer, sie führt bei der Veränderung der Plas maleistungsdichte auch zu instabilen Zuständen im Zerstäu bungsprozeß. In dem Aufsatz von Bakish, R., der in erster Linie mit der Plasma-Emissions-Spektrometrie (PEM-Stabilisie rung) befaßt ist, findet sich auch ein allgemeiner Hinweis darauf, daß beim reaktiven Gleichstromzerstäuben die Lei stungsdichte auf dem Target und die Durchflußrate des Reak tionsgases die entscheidenden Parameter sind. Außer der Plas ma-Emissions-Spektrometrie werden noch die folgenden Mög lichkeiten zur Stabilisierung der Entladung des Reaktionsga ses genannt: Installation von Pumpen mit einer hohen Pumpka pazität; Messung und Steuerung des Partialdruckes.

Die Verbindung eines einerseits stabilen Zerstäubungspro zesses mit den produktionstechnischen Anforderungen nach extremer Schichthomogenität, hohen Beschichtungsraten und einer definierten chemischen Zusammensetzung ist derzeit nicht erreicht.

Targets für plasmaverfahren zum großflächigen Beschichten von Glas können auf verschiedene Weise hergestellt werden. Bekannt ist nach DE-OS 33 18 828 ein Verfahren zum Aufbrin gen von Targetmaterial auf eine Katodenbasis mittels eines thermischen Spritzverfahrens nach vorheriger Oberflächenauf rauhung und dem Auftragen einer Haftvermittlerschicht. Ein Nachteil dieses Verfahrens besteht darin, daß der Targetwerk stoff vollflächig auf die Katodenbasis und damit überflüssi gerweise auch an Stellen der Targetoberfläche vorhanden ist, an denen er funktionell nicht benötigt wird. Weiterhin ist die aufgetragene Schicht von etwa 4 mm Dicke ein sehr gerin ges Materialangebot für den Zerstäubungsprozeß, so daß ein häufiger Target- und wie in dem beschriebenen Fall, bei dem der Targetwerkstoff mit der Katodenbasis fest verbunden ist, Katodenwechsel erforderlich ist.

Aus der DE-PS 37 16 852 ist ein Target bekannt, welches durch ein pulvermetallurgisches Verfahren aus einem Gemisch von Bi-Pulver mit vorher durchreagiertem BiMn-Pulver mit an schließendem Pressen, Sintern und Strangpressen hergestellt wird. Der vorgeschlagene Verfahrensweg führt zu Sauerstoff gehalten, die als optimal zwischen 500 und 800 ppm angegeben werden, jedoch für den Zerstäubungsprozeß unter Verwendung von mittels thermischer Spritzverfahren hergestellten Targets nicht ausreichend sind. Als nachteilig stellen sich bei diesem Target und dem Verfahren zu seiner Herstellung der hohe Fertigungsaufwand durch mehrere Verfahrensschritte und die teilweise hohen Werkzeugkosten heraus. Ebenfalls kostenungünstig ist der hohe Materialeinsatz, wenn das Target direkt auf das Magnetron aufgesetzt wird, da im Sputterprozeß nur ein Teil des Targets verbraucht wird. Wird eine Verbesserung des Materialausbringens angestrebt, ist mindestens ein Lötprozeß auf einen Trägerkörper erforder lich, was jedoch weitere Kosten verursacht. Eine Regenerie rung abgestäubter Targets ist in keinem der beiden genannten Fälle möglich. Pulvermetallurgisch hergestellte Targets haben eine eingeschränkte Wärmekapazität und Wärmeleitung.

Ein aus der DD 2 77 471 A1 bekanntes Verbundtarget besteht aus einer Targetplattenunterlage, in der das Profil des spä teren Sputtergrabens mit dem Targetwerkstoff ausgefüllt ist. In dieses Profil sind zusätzliche Verhakungsriefen eingear beitet. Bei diesem Target reicht der eingebrachte Targetwerk stoff bis nahezu an die Unterseite des Verbundtargets, wo durch die mechanische Belastbarkeit zum Ende des Zerstäu bungsprozesses und bei einem eventuellen Regenerieren des Targets stark vermindert ist. Als sehr kostenaufwendig und technisch nicht begründbar ist das Einbringen der Verhakungs riefen anzusehen.

Ein Target der im Oberbegriff des Anspruchs 2 angegebenen Art ist in der DE 40 15 387 A1 beschrieben. Hierbei wird das Targetmaterial durch Niederdruckplasmaspritzen ohne Haftver mittlerschicht auf eine ebene Oberfläche eines vorzugsweise aus Kupfer bestehenden Katodenkörpers aufgebracht. Der Sauer stoffgehalt des aufgebrachten Targetmaterials wird möglichst klein gewählt.

Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren sowie ein Target der eingangs genannten Art zu schaffen, die bei hoher Produk tivität ein möglichst gleichmäßiges Beschichten großer Flä chen ermöglichen, ohne daß dazu zusätzliche anlagentechni sche Veränderungen zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes im Übergangsmodus erforderlich wären. Zudem soll ein geeigne tes Verfahren zur Herstellung eines Targets angegeben wer den.

Diese Aufgabe wird beim erfindungsgemäßen Verfahren durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale ge löst. Das erfindungsgemäße Target ist im Anspruch 2 und das Verfahren zur Herstellung eines Targets im Anspruch 11 ange geben.

Aufgrund der erfindungsgemäßen Lösung wird ein langzeitstabi ler Beschichtungsprozeß erreicht. Die anwendbare Plasmalei stung läßt sich unter Verwendung der erfindungsgemäßen Tar gets im Vergleich zu konventionellen schmelz- oder pulverme tallurgischen Targets wesentlich erhöhen. Als vorteilhaft hat sich bei deutlich höherer Zerstäubungsrate eine konstan te Zerstäubungsleistung herausgestellt. Die herstellbaren gleichmäßigen Schichten führen zu einer Verringerung der Aus schußquote beim beschichteten Glas. Die gleichmäßige Sauer stoffverteilung im Targetwerkstoff gewährleistet ein ständi ges zusätzliches Sauerstoffangebot für den Zerstäubungspro zeß, der durch die Sauerstoff-Freisetzung aus dem Target so weit stabilisiert wird, daß ein langzeitstabiler Beschich tungsprozeß (ca. eine Woche) gewährleistet ist.

Die Gestalt des Targets und das Volumenverhältnis zwischen dem Targetwerkstoff und dem Werkstoff des Grundkörpers sind vorteilhaft für den Wärmehaushalt im Target und verhindern das Aufschmelzen des Targetwerkstoffs. Durch die stoffschlüs sige Verbindung des Targetwerkstoffs mit dem Werkstoff des Grundkörpers wird die Wärmeableitung zum Magnetron im Ver gleich zu gebondeten Targets verbessert. Die muldenförmige Vertiefung, in der sich der beim Zerstäubungsprozeß verbrau chende Targetwerkstoff befindet, macht das Target für eine Regenerierung geeignet, bei der der durch das Zerstäuben ent standene Graben erneut mittels eines thermischen Spritzver fahrens gefüllt wird.

In den Unteransprüchen sind vorteilhafte Ausführungsvarian ten des erfindungsgemäßen Targets angegeben.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbei spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert:

In dieser zeigen:

Fig. 1 ein Diagramm zur Darstellung der Abhängigkeit der Zerstäubungsrate vom Reaktivgaseinfluß für eine gegebene Zerstäubungsanordnung und

Fig. 2 eine Querschnittsdarstellung eines Targets.

Fig. 1 zeigt den Verlauf der Zerstäubungsrate in Abhängig keit vom Reaktivgaseinfluß für eine gegebene Zerstäubungs anordnung. Der Zerstäubungsprozeß wird nun allgemein so ge führt, daß an einem Arbeitspunkt 1 im "Übergangsmodus" 2 zwischen den Prozeßzuständen "metallischer Modus" 3 und "reaktiver Modus" 4 justiert und dafür ein Target verwendet wird, das eine für den Zerstäubungsprozeß geeignete hohe Wär mekapazität und Wärmeableitung sowie ein ständiges und gleichmäßiges Sauerstoffangebot zur sicheren Prozeßführung im "Übergangsmodus" 2 aufweist.

Das Verfahren läuft so ab, daß mittels des Gleichstrom-Magne tron-Katodenzerstäubungsverfahrens unter Verwendung eines Targets eine Katodenkammer einer Magnetron-Großflächenbe schichtungsanlage bis zu einem Druck von 10^-4 bis 10^-6 mbar evakuiert und mehrere Stunden zur Desorption von Atmosphäri lien bei diesem Druck gehalten wird, daß anschließend Argon gas bis zu einem Druck von 10^-2 bis 10^-3 mbar in der Weise zudosiert wird, daß bei fortwährendem Pumpprozeß bei einem Gasfluß von 100 bis 3000 Standardkubikzentimeter/Minute ein konstanter Druck gehalten wird, daß anschließend eine elek trische Gleichspannung von 300 bis 700 V an die in einem Deckel der Katodenkammer montierte Magnetron-Katode mit dem auf der Katodenfläche befindlichen Target gelegt wird und da nach ein Plasma gezündet wird und der Targetwerkstoff abge stäubt wird, daß nach dem Zünden des Plasmas die Plasmalei stung bei 0,5 bis 3 W/cm² Fläche konstant gehalten wird und sich eine hohe Katodenspannung einstellt, daß anschließend die hohe Katodenspannung durch Zudosieren von Sauerstoff als Reaktivgas im gleichen Maß wie das zudosierte Argongas redu ziert wird, daß anschließend die Grenzplasmaleistung ermit telt wird, bei der die Gefahr des Schmelzens des Targets be steht, daß anschließend die Plasmaleistung auf 80 bis 90% der ermittelten Grenzplasmaleistung eingestellt wird und daß anschließend durch Regulierung der Reaktivgaszufuhr die Entladung bei einer Katodenspannung stabilisiert wird, die etwa der Hälfte der Spannungsdifferenz zwischen dem "metalli schen Modus" 3 und dem "reaktiven Modus" 4 entspricht. Mit diesem Verfahren wird unter Verwendung eines noch zu be schreibenden Targets ein langzeitstabiler Beschichtungspro zeß erreicht.

Das für die Durchführung des Plasmaverfahrens benutzte Target besteht aus einem Grundkörper 5 aus einem metalli schen Werkstoff mit guter Spanbarkeit und hoher Wärme- und elektrischer Leitfähigkeit. An seiner Unterseite befindet sich eine plattenförmige Auflage 6 mit einer Breite von 100 bis 300 mm, einer Dicke von 3 bis 15 mm und frei wählbarer Länge, in die am Rand Löcher 7 für die Befestigung des Tar gets auf dem Zerstäubungsmagnetron eingebracht sind. Ober halb der plattenförmigen Auflage 6 befindet sich ein schmale rer Teil 8 mit einer Breite von 60 bis 280 mm, einer Dicke von 5 bis 25 mm und frei wählbarer Länge, in dem eine oder mehrere muldenförmige und in Längsrichtung des Grundkörpers mit frei wählbarer Länge verlaufende Vertiefungen 9 vorgese hen sind, die mit einem für das großflächige Plasmasputtern von Glas geeigneten Targetwerkstoff gefüllt und stoffschlüs sig mit dem Werkstoff des Grundkörpers 5 verbunden sind. Der Targetwerkstoff ist nach vorheriger Oberflächenreinigung und -aufrauhung mittels eines thermischen Spritzverfahrens mit einem Energieeintrag von 3 bis 20 kW eingebracht worden.

Der oberhalb der plattenförmigen Auflage 6 befindliche Volumenanteil des Grundkörpers 5 steht zum Volumen des in der muldenförmigen Vertiefung befindlichen Targetwerkstoffs im Verhältnis 1 : 1 bis 1 : 1,5. Im Targetwerkstoff ist eine gleichmäßige Sauerstoffverteilung von < 2000 ppm vorhanden.

Der Grundkörper kann aus Kupfer oder einer Kupferlegierung bestehen. Bei einer anderen Ausführungsform besteht er aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung. Die Vertiefung kann mit einer Legierung gefüllt sein, die mittels Vakuumplasma spritzens von BiMn0,5-Pulver eingebracht wurde. Hierbei ist in der Legierung zweckmäßigerweise eine Sauerstoffverteilung von < 2000 ppm vorhanden. Die Vertiefung kann auch mit einer Legierung gefüllt sein, die mittels atmosphärischen Plasma spritzens von BiMn0,5-Pulver eingebracht wurde. Auch in die ser Legierung ist vorzugsweise eine gleichmäßige Sauerstoff verteilung von < 2000 ppm vorhanden. Das Target kann nach ge eigneter Oberflächenbearbeitung als Einzelteil für ein belie big langes und breites Großtarget vorgesehen sein, wobei meh rere solcher Targets in Längsrichtung nebeneinander angeord net sein können. Die Befestigung auf dem Zerstäubungsmagne tron kann auch mit Klemmleisten erfolgen, wobei die platten förmige Auflage in diesem Fall keine Löcher aufweist.

Bei einem praktischen Ausführungsbeispiel wird in einer Reihen-Zerstäubungsanlage auf ein Glassubstrat mit den Ab messungen 6 m × 3,21 m × 4 mm eine dünne Wismutoxidschicht derart aufgetragen, daß eine weitgehend absorptionsfreie Durchsicht im sichtbaren Spektralbereich gewährleistet ist.

Hierbei erfolgt die Beschichtung homogen mittels des Gleich strom-Magnetron-Katodenzerstäubungsverfahrens insbesondere unter Verwendung eines in einem der Ansprüche 2 bis 9 be schriebenen Targets aus Wismut/Mangan.

Dazu wird eine Katodenkammer einer Magnetron-Großflächenbe schichtungsanlage bis zu einem Druck von ca. 1·10^-5 mbar eva kuiert und mehrere Stunden zur Desorption von Atmosphärilien bei diesem Druck gehalten. Zur Erzeugung einer Plasmaent ladung wird Argongas bis zu einem Druck von etwa 3·10^-3 mbar in der Weise zudosiert, daß bei fortwährendem Pumpprozeß, bei einem Gasfluß von 600 Standardkubikzentimeter/Minute ein konstanter Druck erhalten wird.

Durch Anlegen einer elektrischen Gleichspannung von 600 V an die in einem Deckel der Katodenkammer montierte Magnetron-Ka tode (Länge: 3,6 m, Breite: 0,3 m) wird ein Plasma gezündet und metallisches Wismut von dem entsprechend einem der An sprüche 2 bis 9 gestalteten Target, das auf der Kathodenflä che montiert ist, abgestäubt ("metallischer Modus").

Wird die Plasmaleistung bei etwa 2 W/cm² Targetfläche kon stant gehalten, stellt sich eine charakteristisch hohe Kato denspannung ein.

Wird nun im gleichen Maße wie Argon Sauerstoff als Reaktiv gas zudosiert, kommt es zu einer drastischen Reduzierung der Katodenspannung ("reaktiver Modus"). Durch Erhöhen der Plasmaleistung wird die Grenzleistung für die Zerstäubungs anordnung durch Erreichen des Schmelzpunktes des Targets im Zerstäubungsprozeß ermittelt.

Danach wird die Plasmaleistung auf etwa 80%-90% des er mittelten Grenzwertes eingestellt.

Durch Reduzierung des Reaktivgasanteils wird bei konstanter Leistung ein Anstieg der Katodenspannung gemessen. Die Entla dung wird bei einer Katodenspannung stabilisiert, die ca. der Hälfte der Spannungsdifferenz zwischen dem "metallischen Modus" und dem "reaktiven Modus" entspricht.

Wird nun unter der Katode ein Glassubstrat mit einer konstan ten Geschwindigkeit zwischen 1-10 m/min vorbeigeführt, so entsteht auf dem Glas ein transparenter Belag von Wismutoxid mit einer Brechzahl n = 2,3 bis 2,5, der zur Entspiegelung in Schichten mit niedrigem Emissionsvermögen geeignet ist.

Dabei sind die Beschichtungsraten nach o. g. Verfahren um den Faktor 3-5 höher als die im "reaktiven Modus".

Weiterhin läßt sich die anwendbare Plasmaleistung bei Tar gets gemäß einem der Ansprüche 2 bis 9 im Vergleich zu kon ventionellen schmelz- oder pulvermetallurgischen Wismut-Targets verdreifachen.

Insgesamt ist auf diese Weise eine Ratenerhöhung im Falle der Wismutoxidschichten um den Faktor 10 gegenüber den im Stand der Technik beschriebenen Methoden erreichbar.

Vergleich der Beschichtungseigenschaften von Wismutoxid schichten

Bei einem anderen praktischen Ausführungsbeispiel besteht das Target aus einem Grundkörper aus Kupfer. Die plattenför mige Auflage hat die Abmessungen 560 × 135 × 7 mm³.

Der darüber befindliche schmalere Teil besitzt die Abmessun gen 560 × 90 × 12 mm³.

In diesem Teil ist eine über die Länge des Grundkörpers rei chende muldenförmige Vertiefung eingearbeitet, die nach vor heriger Oberflächenreinigung und -aufrauhung mittels Vakuum plasmaspritzens unter Verwendung von BiMn0,5-Pulver und mit einem Energieeintrag von 7 kW gefüllt wird. Das Volumen des schmalen Teils des Grundkörpers steht zum Volumen des Target werkstoffs im Verhältnis 1 : 1,2. Im Targetwerkstoff ist eine gleichmäßige Sauerstoffverteilung von 2200 ppm vorhanden.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung großflächiger Schichten auf Glassubstraten mittels einer reaktiven Gleichstrommagne tron-Katodenzerstäubung unter Verwendung wenigstens eines Targets, dadurch gekennzeichnet, daß zur Einstellung eines Arbeitspunktes (1) im Über gangsmodus (2) zwischen den Prozeßzuständen "metalli scher Modus" (3) und "reaktiver Modus" (4) ein Target verwendet wird, das außer einer hohen Wärmekapazität und Wärmeableitung ein permanentes gleichmäßiges Sauerstoff angebot liefert, eine Katodenkammer einer Magnetron-Groß flächenbeschichtungsanlage bis zu einem Druck von 10^-4 bis 10^-6 mbar evakuiert und mehrere Stunden zur Desorp tion von Atmosphärilien bei diesem Druck gehalten wird, anschließend Argongas bis zu einem Druck von 10^-2 bis 10^-3 mbar in der Weise zudosiert wird, daß bei fortwäh rendem Pumpprozeß bei einem Gasfluß von 100 bis 3000 Standardkubikzentimeter/Minute ein konstanter Druck ge halten wird, anschließend eine elektrische Gleichspan nung von 300 bis 700 V an die in einem Deckel der Kato denkammer montierte Magnetron-Katode mit dem auf der Ka todenfläche befindlichen Target gelegt wird, nach dem Zünden des Plasmas die Plasmaleistung bei 0,5 bis 3 W/cm² Fläche konstant gehalten wird, anschließend die hohe Katodenspannung durch Zudosieren von Sauerstoff als Reaktivgas im gleichen Maß wie das zudosierte Argongas reduziert wird, dann die Grenzplasmaleistung ermittelt wird, bei der die Gefahr des Schmelzens des Targets besteht, anschließend die Plasmaleistung auf 80 bis 90% der ermittelten Grenzplasmaleistung eingestellt wird und schließlich durch Regulierung der Reaktivgaszu fuhr die Entladung bei einer Katodenspannung stabili siert wird, die etwa der Hälfte der Spannungsdifferenz zwischen dem "metallischen Modus" (3) und dem "reaktiven Modus" (4) entspricht.

2. Target zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit einem Grundkörper (5) aus einem metallischen Werk stoff guter Spanbarkeit und hoher Wärme- und elektri scher Leitfähigkeit, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (5) an seiner unteren Seite eine breite, plattenförmige Auflage (6) umfaßt, die eine Breite von 100 bis 300 mm, eine Dicke von 3 bis 15 mm und eine frei wählbare Länge aufweist und am Rand mit Löchern (7) zur Befestigung des Targets an einem Zerstäu bungsmagnetron versehen ist, und oberhalb dieser Auflage (6) einen schmaleren Teil (8) umfaßt, der eine Breite von 60 bis 280 mm, eine Dicke von 5 bis 25 mm und eine frei wählbare Länge aufweist, und daß der schmalere Teil (8) mit wenigstens einer in Längsrichtung des Grundkör pers (5) verlaufenden, eine frei wählbare Länge aufwei senden muldenförmigen Vertiefung (9) versehen ist, die sich nicht bis in die plattenförmige Auflage (6) hinein erstreckt, daß die Vertiefung (9) mit einem für das groß flächige Plasmabeschichten oder -bestäuben von Glas ge eigneten Targetwerkstoff gefüllt und dieser stoffschlüs sig mit dem Werkstoff des Grundkörpers (5) verbunden ist, wobei der Targetwerkstoff nach vorheriger Oberflä chenreinigung und -aufrauhung mittels eines thermischen Spritzverfahrens mit einem Energieeintrag von 3 bis 20 kW eingebracht wurde, daß das Volumen des oberhalb der plattenförmigen Auflage (6) vorgesehenen schmaleren Teils (8) des Grundkörpers (5) zum Volumen des in der Vertiefung (9) enthaltenen Targetwerkstoffs im Verhält nis 1 : 1 bis 1 : 1,5 steht und daß in dem Targetwerkstoff eine gleichmäßige Sauerstoffverteilung von < 2000 ppm vorhanden ist.

3. Target nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (5) aus Kupfer oder einer Kupfer legierung besteht.

4. Target nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (5) aus Aluminium oder einer Alumi niumlegierung besteht.

5. Target nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefung (9) mit einer Legierung gefüllt ist, die mittels Vakuumplasmaspritzens von BiMn0,5-Pulver ein gebracht wurde.

6. Target nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß in der Legierung eine gleichmäßige Sauerstoffvertei lung von < 2000 ppm vorhanden ist.

7. Target nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefung (9) mit einer Legierung gefüllt ist, die mittels atmosphärischen Plasmaspritzens von BiMn0,5-Pulver eingebracht wurde.

8. Target nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß in der Legierung eine gleichmäßige Sauerstoffvertei lung von < 2000 ppm vorhanden ist.

9. Target nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß es nach geeigneter Oberflächenbearbeitung als Einzel teil für ein beliebig langes und breites Großtarget vor gesehen ist, wobei das Target gemäß Anspruch 2 mehrfach in Längsrichtung nebeneinander angeordnet ist.

10. Target nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die plattenförmige Auflage (6) keine Löcher aufweist und die Befestigung auf dem Zerstäubungsmagnetron mit Klemmleisten erfolgt.

11. Verfahren zur Herstellung eines Targets, bei dem ein Grundkörper (5) des Targets aus einem metallischen Werk stoff guter Spanbarkeit und hoher Wärme- und elektri scher Leitfähigkeit erzeugt und durch Plasmaspritzen ein Targetwerkstoff aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (5) mit einer an seiner unteren Seite vorgesehenen breiten, plattenförmigen Auflage (6) und einem oberhalb dieser Auflage (6) vorgesehenen schma leren Teil (8) erzeugt wird, daß die Auflage (6) mit einer Breite von 100 bis 300 mm, einer Dicke von 3 bis 15 mm sowie einer frei wählbaren Länge und am Rand mit Löchern (7) zur Befestigung des Targets an einem Zerstäu bungsmagnetron ausgebildet wird, daß der schmalere Teil (8) mit einer Breite von 60 bis 280 mm, einer Dicke von 5 bis 25 mm sowie einer frei wählbaren Länge und mit we nigstens einer in Längsrichtung des Grundkörpers (5) verlaufenden, eine frei wählbare Länge aufweisenden mul denförmigen Vertiefung (9) ausgebildet wird, die sich nicht bis in die plattenförmige Auflage (6) hineiner streckt, daß zum Füllen der Vertiefung (9) mit einem für das großflächige Plasmabeschichten oder -bestäuben von Glas geeigneten, stoffschlüssig mit dem Werkstoff des Grundkörpers (5) zu verbindenden Targetwerkstoff die Ver tiefung (9) mit einer Legierung gefüllt wird, die nach vorheriger Oberflächenreinigung und -aufrauhung mittels Vakuumplasmaspritzens oder atmosphärischen Plasmasprit zens von BiMn0,5-Pulver mit einem Energieeintrag von 3 bis 20 kW eingebracht wird, und daß für das Verhältnis, in dem das Volumen des oberhalb der plattenförmigen Auf lage (6) vorgesehenen schmaleren Teils (8) des Grundkör pers (5) zu dem Volumen des in der Vertiefung (9) enthal tenen Targetwerkstoffs steht, ein Wert von 1 : 1 bis 1 : 1,5 gewählt wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (5) aus Kupfer oder einer Kupfer legierung erzeugt wird.

13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (5) aus Aluminium oder einer Alumi niumlegierung erzeugt wird.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß in der Legierung eine gleichmäßige Sauerstoffvertei lung von < 2000 ppm vorhanden ist.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Target nach geeigneter Oberflächenbearbeitung als Einzelteil für ein beliebig langes und breites Groß target verwendet wird, wobei das Einzelteil mehrfach in Längsrichtung nebeneinander angeordnet wird.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die plattenförmige Auflage (6) ohne Löcher ausgebil det wird und die Befestigung auf dem Zerstäubungsmagne tron mit Klemmleisten erfolgt.