DE19535845A1 - Plasmaverfahren zur Herstellung von großflächigen Schichten und Target für das Verfahren - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Wär­ me- und Sonnenschutzschichten auf Architektur- und Flachglas sowie ein Target für dieses Verfahren.

Schichten zur Verwendung im Architektur- und Flachglasbereich werden heute vorwiegend durch Nutzung des Katodenzerstäu­ bungsverfahrens hergestellt.

Die Beschichtung erfolgt hierbei in der Regel auf Glas-Sub­ strate einer Größe von 6,00 m × 3,21 m, mit einer Dicke zwi­ schen 3 mm und 20 mm.

Die Herstellung der Schicht geschieht in sogenannten Inline- Vakuumanlagen im quasi kontinuierlichen Betrieb mit Anlagen­ taktzeiten pro Glassubstrat zwischen 1 min und 5 min.

Besonderer Wert wird aus wirtschaftlichen Gründen auf hohe Beschichtungsraten bei gleichzeitig höchster Schichthomogeni­ tät von etwa 1%-3% der Gesamtschichtdicke gelegt.

Als Beschichtungsmaterialien für die Großflächenbeschichtung mit Reaktivschichten finden - vor allem aus Kostengründen - nur wenige Materialien Verwendung:

Targetmaterial
Schichtkomponente
Zinn	Zinnoxid
Zinn/Zink-Legierung	Zinn-Zink-Oxid
Wismut	Wismutoxid
Titan	Titanoxid, Titannitrid
Chrom	Chromoxid, Chromnitrid

Als Target für die Beschichtung finden pulver- oder schmelzme­ tallurgisch hergestellte Metalltargets Verwendung.

Um einen genügenden Wärmeübergang zwischen Target und Katoden­ körper zu erreichen, werden die Targets auf Metall (Kupfer)- Platten voll flächig aufgelötet (Bondprozeß).

Es ist dabei kaum möglich, mehr als 70% der Gesamtfläche des Targets stoffschlüssig zu bonden. Weiterhin gestaltet sich der sichere Nachweis nichtgebondeter Flächen als technisch sehr aufwendig.

Zur Herstellung der entsprechenden oxidischen bzw. nitridi­ schen Schichten werden als Reaktivgase Sauerstoff oder Stickstoff dem Sputterprozeß zugesetzt.

Die Dicke der abgeschiedenen Schichten ist der verwendeten Plasmaleistung proportional. Die durch die Gasentladung frei­ gesetzte Energie wird zum großen Teil als Wärmeenergie in das Target eingetragen und führt zur Erhitzung des Targets.

Bei zu starker Erwärmung der Katode wird das Target durch Schmelzen zerstört.

Ein ungenügender Wärmeübergang zwischen Target und Katodenküh­ lung (Bondungsfehler) führt nachteilig zur Limitierung der anwendbaren Sputterleistung und damit auch zu einer Ratenbe­ grenzung.

Bei der Herstellung von Reaktiv-Schichten kann man zwei stabi­ le Betriebszustände, den "metallic mode" und den "reactive mo­ de" beobachten, die durch einen instabilen Parameterbereich, den "transition mode", abrupt getrennt sind.

Die großflächige Herstellung homogener Oxidschichten erfolgt im "reaktiv mode" bei Verwendung eines deutlichen Reaktiv­ gasüberschusses. Infolge der damit verbundenen Bedeckung des Targets mit einer Oxidhaut (Targetvergiftung) kommt es zu ei­ ner drastischen Erniedrigung der Beschichtungsrate, die nur begrenzt durch Erhöhung der Plasmaleistung ausgeglichen werden kann.

Die verfahrenstechnische Konsequenz dieser Nachteile ist die Notwendigkeit, die Anzahl der benutzten Katoden zu erhöhen, was mit erheblichen Kosten verbunden ist.

Einen Ausweg aus dieser Situation bietet die Stabilisierung eines Arbeitspunktes im "transition mode". Beschrieben ist das in "Surface and Coating Technology", 33 (1987) S. 405-423. Durch die Verwendung eines Plasma-Emissions-Monitors kann an­ hand einer charakteristischen Spektrallinie der Plasma-Emis­ sion das Metallraten-Reaktivgasverhältnis konstant gehalten werden. Diese Art der Regelung ist nicht nur technisch aufwen­ dig und teuer, sondern sie führt bei der Veränderung der Plas­ maleistungsdichte zu instabilen Zuständen im Sputterprozeß.

Die Verbindung eines einerseits stabilen Sputterprozesses mit den produktionstechnischen Anforderungen nach extremer Schichthomogenität, hohen Beschichtungsraten und einer defi­ nierten chemischen Zusammensetzung ist derzeit nicht erreicht.

Targets für Plasmaverfahren zum großflächigen Beschichten von Glas können auf verschiedene Weise hergestellt werden. Bekannt ist nach OS-DE 3318828 ein Verfahren zum Aufbringen von Targetmaterial auf eine Katodenbasis mittels eines ther­ mischen Spritzverfahrens nach vorheriger Oberflächenaufrauhung und dem Auftragen einer Haftvermittlerschicht. Ein Nachteil dieses Verfahrens besteht darin, daß der Targetwerkstoff vollflächig auf die Katodenbasis und damit überflüssigerweise auch an Stellen der Targetoberfläche vorhanden ist, an denen er funktionell nicht benötigt wird. Weiterhin ist die aufge­ tragene Schicht von etwa 4 mm Dicke ein sehr geringes Materi­ alangebot für den Sputterprozeß, so daß ein häufiger Target- und wie in dem beschriebenen Fall, bei dem der Targetwerkstoff mit der Katodenbasis fest verbunden ist, Katodenwechsel er­ forderlich ist.

Bekannt ist ein Target nach PS-DE 3716852, welches durch ein pulvermetallurgisches Verfahren aus einem Gemisch von Bi-Pul­ ver mit vorher durchreagiertem BiMn-Pulver mit anschließendem Pressen, Sintern und Strangpressen hergestellt wird. Der vor­ geschlagene Verfahrensweg führt zu Sauerstoffgehalten, die als optimal zwischen 500 und 800 ppm angegeben werden, jedoch für den Sputterprozeß unter Verwendung von mittels thermischen Spritzverfahren hergestellten Targets nicht ausreichend sind. Als nachteilig stellen sich bei diesem Target und dem Verfah­ ren zu seiner Herstellung der hohe Fertigungsaufwand durch mehrere Verfahrensschritte und die teilweise hohen Werkzeug­ kosten heraus. Ebenfalls kostenungünstig ist der hohe Materia­ leinsatz, wenn das Target direkt auf das Magnetron aufgesetzt wird, da im Sputterprozeß nur ein Teil des Targets verbraucht wird. Wird eine Verbesserung des Materialausbringens ange­ strebt, ist mindestens ein Lötprozeß auf einen Trägerkörper erforderlich, was jedoch weitere Kosten verursacht. Eine Rege­ nerierung abgesputterter Targets ist in keinem der beiden ge­ nannten Fälle möglich. Pulvermetallurgisch hergestellte Tar­ gets haben eine eingeschränkte Wärmekapazität und Wärmelei­ tung.

Das nach DD 2 77 471 A1 bekannte Verbundtarget besteht aus ei­ ner Targetplattenunterlage, in der das Profil des späteren Sputtergrabens mit dem Targetwerkstoff ausgefüllt ist. In die­ ses Profil sind zusätzliche Verhakungsriefen eingearbeitet. Bei diesem Target reicht der eingebrachte Targetwerkstoff bis nahezu an die Unterseite des Verbundtargets, wodurch die me­ chanische Belastbarkeit zum Ende des Sputterprozesses und bei einem eventuellen Regenerieren des Targets stark vermindert ist. Als sehr kostenaufwendig und technisch nicht begründbar ist das Einbringen der Verhakungsriefen anzusehen.

Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, ein Verfahren und ein Target zu dessen Durchführung bereitzustellen, mit dem großflächige Beschichtungen mit Wärme- und Sonnenschutz­ schichten im Architektur- und Flachglasbereich durch reaktives DC- bzw. DC-Magnetron-Sputtern von Targets gleichmäßig und mit hoher Produktivität durchgeführt werden können ohne zusätzli­ che anlagentechnische Veränderungen zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes im "transition mode" vornehmen zu müssen.

Erfindungsgemäß wird die Problemstellung dadurch gelöst, daß der Prozeß so geführt wird, daß am Arbeitspunkt (1) im Über­ gangsbereich "transition mode" (2) zwischen den Prozeßzustän­ den "metallic mode" (3) und "reactive mode" (4) justiert wird und daß dafür ein Target verwendet wird, das eine für den Sputterprozeß erforderliche hohe Wärmekapazität und Wärmeab­ leitung sowie ein ständiges und gleichmäßiges Sauerstoffange­ bot zur sicheren Prozeßführung im Übergangsbereich "transition mode" (2) hat.

Das Verfahren läuft so, daß mittels des DC-Magnetron-Katoden­ zerstäubungsverfahrens unter Verwendung des erfindungsgemäßen Targets gemäß der Patentansprüche 2 bis 10 eine Katodenkammer einer Magnetron-Großflächenbeschichtungsanlage bis zu einem Druck von 10^-4 bis 10^-6 mbar evakuiert und mehrere Stunden zur Desorption von Atmosphärilien bei diesem Druck gehalten wird, daß anschließend Argongas bis zu einem Druck von 10^-2 bis 10^-3 mbar in der Weise zudosiert wird, daß bei fortwährendem Pumpprozeß bei einem Gasfluß von 100 bis 3000 Standardkubik­ zentimeter/Minute ein konstanter Druck gehalten wird, daß an­ schließend eine elektrische Gleichspannung von 300 bis 700 V an die im Deckel der Katodenkammer montierte Magnetron-Katode mit dem auf der Katodenfläche befindlichen Target gelegt wird und danach ein Plasma gezündet wird und der Targetwerkstoff abgestäubt wird, daß nach dem Zünden des Plasmas die Plasmalei­ stung bei 0,5 bis 3 W/cm² Fläche konstant gehalten wird und sich eine hohe Katodenspannung einstellt, daß anschließend die hohe Katodenspannung durch Zudosieren von Sauerstoff als Reak­ tivgas im gleichen Maß wie das zudosierte Argongas reduziert wird, daß anschließend die Grenzplasmaleistung ermittelt wird, bei der die Gefahr des Schmelzens des Targets besteht, daß an­ schließend die Plasmaleistung auf 80 bis 90% der ermittelten Grenzplasmaleistung eingestellt wird und daß anschließend durch Regulierung der Reaktivgaszufuhr die Entladung bei einer Katodenspannung stabilisiert wird, die etwa der Hälfte der Spannungsdifferenz zwischen dem "metallic mode" (3) und dem "reactive mode" (4) entspricht.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird unter Verwendung der erfindungsgemäßen Targets ein lanzeitstabiler Beschichtungs­ prozeß erreicht.

Die anwendbare Plasmaleistung läßt sich unter Verwendung der erfindungsgemäßen Targets im Vergleich zu konventionellen schmelz- oder pulvermetallurgischen Targets wesentlich erhö­ hen.

Als vorteilhaft hat sich bei deutlich höherer Sputterrate eine konstante Sputterleistung herausgestellt. Die herstellbaren gleichmäßigen Schichten führen zur Verringerung der Ausschuß­ quote beim beschichteten Glas.

Das für die Durchführung des erfindungsgemäßen Plasmaverfah­ rens benutzte erfindungsgemäße Target besteht aus einem Grund­ körper (5) aus einem metallischen Werkstoff mit guter Spanbar­ keit und hoher Wärme - und elektrischer Leitfähigkeit. An sei­ ner Unterseite befindet sich eine plattenförmige Auflage (6) mit einer Breite von 100 bis 300 mm, einer Dicke von 3 bis 15 mm und frei wählbarer Länge, in die am Rand Löcher (7) für die Befestigung des Targets auf dem Sputtermagnetron eingebracht sind. Oberhalb der plattenförmigen Auflage (6) befindet sich ein schmalerer Teil (8) mit einer Breite von 60 bis 280 mm, ei­ ner Dicke von 5 bis 25 mm und frei wählbarer Länge, in dem eine oder mehrere muldenförmige und in Längsrichtung des Grundkörpers mit frei wählbarer Länge verlaufende Vertiefungen (9), die mit einem für das großflächige Plasmasputtern von Glas geeigneten Targetwerkstoff gefüllt und stoffschlüssig mit dem Werkstoff des Grundkörpers (5) verbunden sind. Der Target­ werkstoff ist nach vorheriger Oberflächenreinigung und -auf­ rauhung mittels eines thermischen Spritzverfahrens mit einem Energieeintrag von 3 bis 20 kW eingebracht worden.

Der oberhalb der plattenförmigen Auflage befindliche Volumen­ anteil des Grundkörpers steht zum Volumen des in der mulden­ förmigen Vertiefung befindlichen Targetwerkstoffs im Verhält­ nis 1 : 1 bis 1 : 1,5. Im Targetwerkstoff ist eine gleichmäßige Sauerstoffverteilung von < 2000 ppm vorhanden.

Die Gestalt des Targets und das Volumenverhältnis zwischen dem Targetwerkstoff und dem Werkstoff des Grundkörpers sind vor­ teilhaft für den Wärmehaushalt im Target und verhindern das Aufschmelzen des Targetwerkstoffs. Durch die stoffschlüssige Verbindung des Targetwerkstoffs mit dem Werkstoff des Grund­ körpers wird die Wärmeableitung zum Magnetron im Vergleich zu gebondeten Targets verbessert. Die muldenförmige Vertiefung, in der sich der beim Sputterprozeß verbrauchende Targetwerk­ stoff befindet, macht das Target für eine Regenerierung geeig­ net, bei der der Sputtergraben erneut mittels eines thermi­ schen Spritzverfahrens gefüllt wird. Die gleichmäßige Sauer­ stoffverteilung im Targetwerkstoff gewährleistet ein ständiges zusätzliches Sauerstoffangebot für den Sputterprozeß.

Ausführungsbeispiel 1 (Verfahren)

In einer Inline-Sputteranlage wird auf ein Glassubstrat mit den Abmessungen 6 m × 3,21 m × 4 mm eine dünne Wismutoxid­ schicht derart aufgetragen, daß eine weitgehend absorptions­ freie Durchsicht im sichtbaren Spektralbereich gewährleistet ist.

Die Beschichtung erfolgt homogen mittels des DC-Magnetron-Ka­ todenzerstäubungsverfahrens unter Verwendung eines unter An­ spruch 2 bis 9 beschriebenen Targets aus Wismut/Mangan.

Dazu wird eine Katodenkammer einer Magnetron-Großflächenbe­ schichtungsanlage bis zu einem Druck von ca. 1·10^-5 mbar eva­ kuiert und mehrere Stunden zur Desorption von Atmosphärilien bei diesem Druck gehalten. Zur Erzeugung einer Plasmaentladung wird Argongas bis zu einem Druck von etwa 3·10^-3 mbar in der Weise zudosiert, daß bei fortwährendem Pumpprozeß, bei einem Gasfluß von 600 Standardkubikzentimeter/Minute ein konstanter Druck erhalten wird.

Durch Anlegen einer elektrischen Gleichspannung von 600 V an die im Deckel der Katodenkammer montierte Magnetron-Katode (Länge: 3,6 m, Breite: 0,3 m) wird ein Plasma gezündet und metallisches Wismut von dem nach Anspruch 2 bis 9 gestaltetem Target, das auf der Katodenfläche montiert ist, abgestäubt ("metallic mode").

Wird die Plasmaleistung bei etwa 2 W/cm² Targetfläche konstant gehalten, stellt sich eine charakteristisch hohe Katodenspan­ nung ein.

Wird nun im gleichen Maße wie Argon Sauerstoff als Reaktivgas zudosiert, kommt es zu einer drastischen Reduzierung der Kato­ denspannung ("reactive mode"). Durch Erhöhung der Plasmalei­ stung wird die Grenzleistung für die Sputteranordnung durch Erreichen des Schmelzpunktes des Targets im Sputterprozeß er­ mittelt.

Danach wird die Plasmaleistung auf etwa 80%-90% des ermit­ telten Grenzwertes eingestellt.

Durch Reduzierung des Reaktivgasanteils wird bei konstanter Leistung ein Anstieg der Katodenspannung gemessen. Die Entla­ dung wird bei einer Katodenspannung stabilisiert, die ca. der Hälfte der Spannungsdifferenz zwischen dem "metallic mode" und dem "reactiv mode" entspricht.

Mit den erfindungsgemäßen Targets wird der Sputterprozeß durch Sauerstoff-Freisetzung aus den Targets soweit stabilisiert, daß ein langzeitstabiler Beschichtungsprozeß (ca. eine Woche) gewährleistet ist.

Wird nun unter der Katode ein Glassubstrat mit einer konstan­ ten Geschwindigkeit zwischen 1-10 m/min vorbeigeführt, so ent­ steht auf dem Glas ein transparenter Belag von Wismutoxid mit einer Brechzahl n = 2,3 bis 2,5, der zur Entspiegelung in LowE-Schichten geeignet ist.

Dabei sind die Beschichtungsraten nach o.g. Verfahren um den Faktor 3-5 höher als die im "reactive mode".

Weiterhin läßt sich die anwendbare Plasmaleistung bei Targets nach Anspruch 2 bis 9 verdreifachen im Vergleich zu konventio­ nellen schmelz- oder pulvermetallurgischen Wismut-Targets.

Insgesamt wird auf diese Weise eine Ratenerhöhung im Falle der Wismutoxidschichten um den Faktor 10 gegenüber den im Stand der Technik beschriebenen Methoden erreichbar.

Vergleich der Beschichtungseigenschaften von Wismutoxid­ schichten

Ausführungsbeispiel 2 (Target)

Ein erfindungsgemäßes Target besteht aus einem Grundkörper aus Kupfer. Die plattenförmige Auflage hat die Abmessungen 560 × 135 × 7 mm³.

Der darüber befindliche schmalere Teil hat die Abmessungen 560 × 90 × 12 mm³.

In diesem Teil ist ein über die Länge des Grundkörpers hinrei­ chende muldenförmige Vertiefung eingearbeitet, die nach vorhe­ riger Oberflächenreinigung und -aufrauhung mittels Vakuumplas­ maspritzens unter Verwendung von BiMnO, 5-Pulver und mit einem Energieeintrag von 7 kW gefüllt wird. Das Volumen des schmalen Teils des Grundkörpers steht zum Volumen des Target­ werkstoffs im Verhältnis 1 : 1,2. Im Targetwerkstoff ist eine gleichmäßige Sauerstoffverteilung von 2200 ppm vorhanden.

Claims (10)

1. Plasmaverfahren zur Herstellung von großflächigen Schichten auf Glassubstraten durch reaktives DC- bzw. DC-Magnetron-Sput­ tern von Targets, dadurch gekennzeichnet, daß der Prozeß so geführt wird, daß am Arbeitspunkt (1) im Übergangsbereich "transition mode" (2) zwischen den Prozeßzuständen "metallic mode" (3) und "reactive mode" (4) justiert wird und daß dafür ein Target verwendet wird, das eine für den Sputterprozeß er­ forderliche hohe Wärmekapazität und Wärmeableitung sowie ein ständiges und gleichmäßiges Sauerstoffangebot zur sicheren Prozeßführung im Übergangsbereich "transition mode" (2) hat, wobei das Verfahren so abläuft, daß eine Katodenkammer einer Magnetron-Großflächenbeschichtungsanlage bis zu einem Druck von 10^-4 bis 10^-6 mbar evakuiert und mehrere Stunden zur Desorp­ tion von Atmosphärilien bei diesem Druck gehalten wird, daß anschließend Argongas bis zu einem Druck von 10^-2 bis 10^-3 mbar in der Weise zudosiert wird, daß bei fortwährendem Pumpprozeß bei einem Gasfluß von 100 bis 3000 Standardkubikzentime­ ter/Minute ein konstanter Druck gehalten wird, daß anschlie­ ßend eine elektrische Gleichspannung von 300 bis 700 V an die im Deckel der Katodenkammer montierte Magnetron-Katode mit dem auf der Katodenfläche befindlichen Target gelegt wird, daß nach dem Zünden des Plasmas die Plasmaleistung bei 0,5 bis 3 W/cm² Fläche konstant gehalten wird, daß anschließend die hohe Katodenspannung durch Zudosieren von Sauerstoff als Reaktivgas im gleichen Maß wie das zudosierte Argongas reduziert wird, daß anschließend die Grenzplasmaleistung ermittelt wird, bei der die Gefahr des Schmelzens des Targets besteht, daß an­ schließend die Plasmaleistung auf 80 bis 90% der ermittelten Grenzplasmaleistung eingestellt wird und daß anschließend durch Regulierung der Reaktivgaszufuhr die Entladung bei einer Katodenspannung stabilisiert wird, die etwa der Hälfte der Spannungsdifferenz zwischen dem "metallic mode" (3) und dem "reactive mode" (4) entspricht.

2. Target für das Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß es aus einem Grundkörper (5) aus einem metalli­ schen Werkstoff mit guter Spanbarkeit und hoher Wärme- und elektrischer Leitfähigkeit besteht, der an seiner unteren Seite eine breite plattenförmige Auflage (6) mit einer Brei­ te von 100 bis 300 mm, einer Dicke von 3 bis 15 mm und frei wählbarer Länge und mit am Rand befindlichen Löchern (7) zur Befestigung des Targets auf dem Sputtermagnetron und einen oberhalb dieser Auflage (6) befindlichen schmaleren Teil (8) mit einer Breite von 60 bis 280 mm, einer Dicke von 5 bis 25 mm und frei wählbarer Länge und eine oder mehrere in Längs­ richtung des Grundkörpers (5) mit frei wählbarer Länge verlau­ fende muldenförmigen Vertiefungen (9) hat, die nicht bis in die plattenförmige Auflage (6) hineinreichen, und daß die Ver­ tiefung (9) mit einem für das großflächige Plasmasputtern von Glas geeigneten Targetwerkstoff gefüllt und stoffschlüssig mit dem Werkstoff des Grundkörpers (5) verbunden ist und daß der Targetwerkstoff nach vorheriger Oberflächenreinigung und -aufrauhung mittels eines thermischen Spritzverfahrens mit einem Energieeintrag von 3 bis 20 kW eingebracht wurde, wobei der oberhalb der plattenförmigen Auflage (6) befindliche Volu­ menanteil des Grundkörpers (5) zum Volumen des in der Vertie­ fung befindlichen Targetwerkstoffs im Verhältnis 1 : 1 bis 1 : 1,5 steht und daß in dem Targetwerkstoff eine gleichmäßige Sauer­ stoffverteilung von < 2000 ppm vorhanden ist.

3. Target nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (5) aus Kupfer oder einer Kupferlegierung besteht.

4. Target nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (5) aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung besteht.

5. Target nach Anspruch 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefung (9) mit einer Le­ gierung gefüllt ist, die mittels Vakuumplasmaspritzens von BiMnO, 5-Pulver eingebracht wurde.

6. Target nach Anspruch 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefung (9) mit einer Le­ gierung gefüllt ist, die mittels Vakuumplasmaspritzens von BiMnO, 5-Pulver eingebracht wurde und daß in der Legierung eine gleichmäßige Sauerstoffverteilung von < 2000 ppm vorhanden ist.

7. Target nach Anspruch 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefung (9) mit einer Le­ gierung gefüllt ist, die mittels atmosphärischen Plasmasprit­ zens von BiMnO, 5-Pulver eingebracht wurde.

8. Target Anspruch 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefung (9) mit einer Le­ gierung gefüllt ist, die mittels atmosphärischen Plasmasprit­ zens von BiMnO, 5-Pulver eingebracht wurde und daß in der Le­ gierung eine gleichmäßige Sauerstoffverteilung von < 2000 ppm vorhanden ist.

9. Target nach Anspruch 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß es nach geeigneter Oberflächenbe­ arbeitung als Einzelteil für ein beliebig langes und breites Großtarget geeignet ist, wobei das Target gemäß Anspruch 2 mehrfach in Längsrichtung nebeneinander angeordnet ist.

10. Target nach Anspruch 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die plattenförmige Auflage (6) keine Löcher aufweist und die Befestigung auf dem Sputtermagnetron mit Klemmleisten erfolgt.