DE19735734A1 - Pulvermetallurgisches Sputtertarget auf der Basis von Wismut - Google Patents
Pulvermetallurgisches Sputtertarget auf der Basis von WismutInfo
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Description
Die Erfindung betrifft ein pulvermetallurgisches
Sputtertarget auf der Basis von Wismut.
Wie aus der DE 32 11 753 (Gläser) und der EP 0 291 945
(Schlamp et al.) bekannt ist, werden Wismut-
Sputtertargets für die Kathodenzerstäubung einge
setzt zur Herstellung dünner Metalloxidschichten
in Verbindung mit Wärmedämmungsschichtsystemen für
Architekturglas. Die Reflexion der infraroten Wär
mestrahlung wird dabei in der Regel durch eine
Silberschicht erreicht. Diese Silberschicht ist
üblicherweise in eine Oxidschicht eingebettet. In
der Technik bekannt sind vor allem Zinnoxid und
Wismutoxid.
Wegen des niedrigen Schmelzpunkts des Wismut von
271°C sowie der schlechten Wärmeleitfähigkeit von
7,8 W/mK besteht bei diesem Material das grund
sätzliche Problem, daß schon bei recht niedrigen
Leistungsdichten der Sputterkathoden die Oberflä
che des Targets aufschmelzen kann und im Fall von
hängend eingebauten Kathoden sogar Schmelze auf
das Substrat abtropft. Dies führt zu einem Ausfall
der entsprechenden Sputterkathode und zieht auf
wendige Umrüstarbeiten nach sich. Um solche Aus
fälle zu vermeiden und dennoch bei hohen Lei
stungsdichten und damit hohen Sputterraten arbei
ten zu können, war es das Ziel der vorliegenden
Erfindung, ein Targetmaterial zu entwickeln, das
mit höheren spezifischen Leistungsdichten betrie
ben werden kann, als die zur Zeit bekannten Tar
gets.
Entsprechend der EP 0 291 945 (Schlamp et al.)
hergestellte Targets weisen wegen des gezielt er
höhten Sauerstoffgehalts von 500-800 ppm
(höchstens jedoch 2000 ppm) schon einen gewissen
Vorteil auf. Dieser Vorteil beruht auf der Tatsa
che, daß die Oxidpartikel im Fall des Anschmelzens
der Wismut-Phase bei 271°C zu einer teigigen Mas
se führen, die erst allmählich oberhalb des
Schmelzpunktes zu fließen beginnt. Bei den in der
Technik verwendeten Targets handelt es sich jedoch
um stranggepreßte Targets (siehe EP 0 291 945).
Während die eingesetzten Wismut-Pulver infolge der
Oxidation der Kornoberfläche noch sehr gleichmäßig
von einer Oxidhaut umschlossen sind, gilt dies für
das fertige Target nicht mehr. Vielmehr führen die
starken Verformungen und Reibkräfte der einzelnen
Pulverpartikel während des Strangpreßprozesses zum
Aufreißen der Oxidhaut. Hierdurch entstehen viel
fältige direkte Kontaktstellen zwischen den Me
tallpartikeln und die Oxide liegen überwiegend als
isolierte Partikel vor (Bild 1). Im Fall eines
Aufschmelzens ist daher die tixotropierende Wir
kung der Oxide stark vermindert.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu
grunde, ein Target auf Basis von Wismut zu schaf
fen, das auch bei hoher Sputterleistung nicht zum
Abtropfen neigt.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst,
daß das Gefüge aus Partikeln der Metallphasen be
steht, die Metallpartikel von einer dünnen, über
wiegend geschlossenen Oxidschicht umgeben sind,
die Dichte mindestens 98% der theoretischen Dich
te beträgt und das Target einen Sauerstoffgehalt
800-3000 ppm aufweist.
Weitere Einzelheiten und Merkmale des Sputtertar
gets und des Verfahrens zu seiner Herstellung sind
in den Patentansprüchen näher beschrieben und ge
kennzeichnet.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausfüh
rungsmöglichkeiten zu und ist anhand der anhängen
den Abbildungen näher beschrieben, und zwar zei
gen:
Ein stranggepreßtes Gefüge eines
Bi : Mn-Targets, bei dem die Metall
partikel durch den Strangpreßvor
gang stark länglich verformt sind,
wobei die Oxidhaut aufgerissen ist
und nun als Kette von Oxidpartikeln
vorliegt.
- a) Vergrößerung 200 : 1
- b) Vergrößerung 500 : 1
- c) Vergrößerung 1000:1
Ein axial gepreßtes Gefüge eines
Bi : Mn-Targets. Die Metallpartikel
sind nur schwach verformt und im
wesentlichen durch eine geschlosse
ne Oxidschicht umgeben.
- a) Vergrößerung 200 : 1
- b) Vergrößerung 500 : 1
- c) Vergrößerung 1000 : 1
Untersuchungen der Mikrostruktur solcher Preßteile
haben gezeigt, daß die ursprünglichen Wismut-
Partikel im Gegensatz zum Strangpressen beim axia
len oder hydrostatischen Verdichten nur schwach
verformt werden. Wenn die Partikel vor der Ver
dichtung eine Oxidhaut aufweisen, bleibt diese so
mit im wesentlichen erhalten und umschließt je
weils die einzelnen Pulverpartikel (Bild 2).
Die Wirkung der Oxidschichten im gepreßten Gefüge
Vergleich zu herkömmlich gefertigten Targets
wurde mit Aufschmelztests unter Vakuumbedingungen
untersucht und "in-situ" beobachtet:
- a) Bei herkömmlichen Targets, die entsprechend 0 291 945 nach dem Strangpreßverfahren hergestellt wurden, ist bei Überschreiten der Schmelztemperatur von 271°C ein Aufblähen des Materials senkrecht zur Strangpreßrich tung zu beobachten. Gleichzeitig schrumpft das Material längs der Strangpreßrichtung. Bei ca. 275°C tritt dann deutlich flüssige Schmelze aus und die Probe sackt in sich zu sammen.
- b) Im Gegensatz hierzu weisen Targets, die ent sprechend der vorliegenden Erfindung herge stellt wurden, eine deutlich bessere Formsta bilität oberhalb 271°C auf. Bis 275°C ist keine nennenswerte Veränderung der Probenform beobachten. Oberhalb von 275°C entstehen dann langsam Risse in der Targetoberfläche. Das Austreten von Flüssigkeit oder ein Zusam mensacken des Probekörpers wurde bis zu Tem peraturen von 295°C nicht beobachtet.
Diese positive Wirkung der Oxidschicht um die Pul
verpartikel im Gefüge der gepreßten Teile zeigt
sich, solange der Sauerstoffgehalt im Target min
destens 800 ppm beträgt.
Preßversuche haben außerdem gezeigt, daß die Dich
te der gepreßten Teile bei Sauerstoffgehalten
oberhalb 3000 ppm unter 98% absinkt. Aus diesen
Gründen ist es vorteilhaft, einen Sauerstoffgehalt
800-3000 ppm einzustellen. Außerdem ist eine
Pulverpartikelgröße von nicht mehr als 600 µm und
eine mittlere Korngröße von nicht weniger als 30
µm anzustreben. Im Fall von zu großer Partikel
läßt die positive Wirkung der Oxidschicht nach,
während zu feine Pulver Preßteile mit zu geringen
Dichten liefern. Günstig sind mittlere Korndurch
messer von 50-150 µm.
500 g Wismut-Pulver mit einer maxi
malen Korngröße < 600 µm, einer
mittleren Korngröße von 100 µm und
mit einem Sauerstoffgehalt von 1200
ppm wurde in einer Gummiform bei
Zimmertemperatur unter einem Druck
3000 bar isostatisch kompak
tiert. Die so erzeugte Platte wies
eine Dichte von 99,0% der theore
tischen Dichte auf. Das Material
weist das unter b) beschriebene
Verhalten im Aufschmelztest auf. Im
Schliffbild sind Oxidschichten er
kennbar, die die Metallphasen in
der Regel vollständig umschließen.
500 g eines Legierungspulvers Bi : Mn
(1 Gew.-%) mit einer Korngröße < 600 µm,
einer mittleren Korngröße
80 µm und mit einem Sauerstoff
gehalt von 2200 ppm wurde in einer
Stahlform bei Zimmertemperatur un
ter einem Druck von 2000 bar axial
gepreßt. Die so erzeugte Platte
wies eine Dichte von 98,5% der
theoretischen Dichte auf. Das Mate
rial weist das unter b) beschriebe
ne Verhalten im Aufschmelztest auf.
Im Schliffbild sind Oxidschichten
erkennbar, die die Metallphasen in
der Regel vollständig umschließen.
Außerdem sind geringe Anteile an
BiMn und MnO2 erkennbar.
5 kg eines Pulvers wie aus Beispiel
1 wurden zunächst isostatisch zu
einem Bolzen verpreßt, der an
schließend bei 200°C in einer
Strangpresse zu einem Flachprofil
verpreßt wurde. Aus diesem Profil
wurden Proben gefertigt, die dem
Aufschmelztest unterzogen wurden.
Es wurde das unter a) beschriebene
Verhalten beobachtet. Die stark
länglich verformten Körper wiesen
eine stark zerstörte Oxidschicht
auf.
Claims (6)
1. Pulvermetallurgisches Sputtertarget auf der
Basis von Wismut, dadurch gekennzeichnet, daß
das Gefüge aus Partikeln der Metallphasen be
steht, die Metallpartikel von einer dünnen,
überwiegend geschlossenen Oxidschicht umgeben
sind, die Dichte mindestens 98% der theore
tischen Dichte beträgt und das Target einen
Sauerstoffgehalt von 800-3000 ppm aufweist.
2. Sputtertarget nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Wismut bis zu 2 Ge
sichtsprozent Mangan enthält.
3. Sputtertarget nach den Ansprüchen 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Metallparti
kel kleiner als 600 µm sind und einen mittle
ren Korndurchmesser von 50-150 µm aufwei
sen.
4. Verfahren zum Herstellen von Sputtertargets
nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß ein oberflächlich oxidier
tes Wismut-Metallpulver durch axiales oder
hydrostatisches Pressen bei Temperaturen un
terhalb 200°C auf mindestens 98% seiner
theoretischen Dichte verdichtet werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Verdichtung bei Drücken im
Bereich von 1500 bis 3000 bar erfolgt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Wismut-
Metallpulver mit 0-2 Gew.-% Mangan, einem
Sauerstoffgehalt von 800-3000 ppm sowie ei
ner mittleren Korngröße von 50-150 µm und
einer maximalen Korngröße von nicht mehr als
600 µm eingesetzt wird.
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---|---|---|---|
DE1997135734 DE19735734B4 (de) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | Pulvermetallurgisches Sputtertarget auf der Basis von Wismut und Verfahren zu seiner Herstellung |
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Country | Link |
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DE (1) | DE19735734B4 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001077403A1 (de) * | 2000-04-07 | 2001-10-18 | Unaxis Materials Ag | Sputtertarget auf der basis eines metalles oder einer metalllegierung und verfahren zu dessen herstellung |
DE102005050424A1 (de) * | 2005-10-19 | 2007-04-26 | W.C. Heraeus Gmbh | Sputtertarget aus mehrkomponentigen Legierungen und Herstellverfahren |
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DE19535845A1 (de) * | 1995-09-15 | 1997-03-20 | Interpane Entw & Beratungsges | Plasmaverfahren zur Herstellung von großflächigen Schichten und Target für das Verfahren |
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DE3716852C1 (de) * | 1987-05-20 | 1988-07-14 | Demetron | Sputtertarget zur Erzeugung optisch transparenter Schichten und Verfahren zur Herstellung dieser Targets |
-
1997
- 1997-08-18 DE DE1997135734 patent/DE19735734B4/de not_active Expired - Fee Related
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DE102005050424B4 (de) * | 2005-10-19 | 2009-10-22 | W.C. Heraeus Gmbh | Sputtertarget aus mehrkomponentigen Legierungen |
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