JP2006528729A - マグネトロンスパッタリング源のための滑りアノード - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2003年7月25日に出願された米国仮出願番号第60/490,201号の利益を主張し、それがここに引用にて援用される。
本発明は、大面積薄膜形成のためのスパッタ成膜プロセスに関し、より特定的には、1つ以上の滑りアノードを有するマグネトロンスパッタリング源に関する。
本発明によれば、マグネトロンスパッタリング源は、複数の電極と、前記複数の電極の各々を連続的に接地基準に接続し、前記複数の電極の残りをカソードとして接続するスイッチング回路とを含む。
本発明によれば、カソードの中央近くにアノードを与えるために、ターゲットを有する電極の集合の各々は、スパッタリングプロセス中、交互に接地に切換えられる。このようにして均質な電界分布がもたらされ、形成された膜の領域全体において均一性が向上される。
Claims (18)
- マグネトロンスパッタリング源であって、
複数の電極と、
前記複数の電極の各々をアノードとして連続的に接地基準に接続し、前記複数の電極の残りをカソードとして接続するスイッチング回路とを含む、マグネトロンスパッタリング源。 - 前記複数の電極の各々は棒状ターゲットである、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング源。
- 前記複数の電極の各々は球状ターゲット、環状ターゲット、および多角形状ターゲットのうちの1つである、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング源。
- スイッチング回路は、前記複数の電極の各々を300ミリ秒未満の間接地基準に接続して維持する、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング源。
- スイッチング回路は、前記複数の電極の1つを接地基準から切断した後前記複数の電極の別の1つを接地基準に接続する前に、遅延を与える、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング源。
- 遅延は500ミリ秒未満である、請求項5に記載のマグネトロンスパッタリング源。
- 前記スイッチング回路は絶縁ゲートバイポーラトランジスタを含む、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング源。
- 前記スイッチング回路は前記複数の電極の複数を前記接地基準に同時に接続する、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング源。
- 前記スイッチング回路は、前記スイッチング回路が前記複数の電極の前記第1のものをカソードとして接続する前に、前記複数の電極の第2のものを前記接地基準に接続する、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング源。
- 前記スイッチング回路は、前記スイッチング回路が前記複数の電極の前記第2のものをカソードとして接続する前に、前記複数の電極の第3のものを前記接地基準に接続する、請求項9に記載のマグネトロンスパッタリング源。
- 前記スイッチング回路は、前記スイッチング回路によって切換えられる電極アレイから前記複数の電極を選択するための電極切換セレクタを含む、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング源。
- 前記複数の電極は電極アレイから選択され、前記電極アレイの外部周囲に位置する電極は前記複数の電極から除外される、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング源。
- マグネトロンスパッタリング源を動作する方法であって、
複数のターゲット配列を与えるステップと、
前記複数のターゲット配列の各々をカソードとして作動するようにさせるステップと、
前記複数のカソードの各々を一時的にアノードとして作動するよう連続的にさせるステップとを含む、方法。 - 前記複数のターゲット配列の各々は300ミリ秒未満の間アノードとして維持される、請求項13に記載のマグネトロンスパッタリング源を動作する方法。
- 前記連続的にさせるステップの後、予め定められたオンタイムの間休止するステップと、
前記休止するステップの後、前記複数のターゲット配列の各々をアノードとして作動させるようにするステップを中止するステップとをさらに含む、請求項13に記載のマグネトロンスパッタリング源を動作する方法。 - 予め定められたオンタイムは300ミリ秒未満である、請求項15に記載のマグネトロンスパッタリング源を動作する方法。
- 前記中止するステップの後、予め定められたオフタイムの間休止するステップと、
前記休止する第2のステップの後、前記複数のターゲット配列の次の1つをアノードとして作動するよう連続的にさせるステップとをさらに含む、請求項15に記載のマグネトロンスパッタリング源を動作する方法。 - 前記予め定められたオフタイムは500ミリ秒未満である、請求項17に記載のマグネトロンスパッタリング源を動作する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US49020103P | 2003-07-25 | 2003-07-25 | |
US60/490,201 | 2003-07-25 | ||
PCT/CH2004/000472 WO2005010919A1 (en) | 2003-07-25 | 2004-07-26 | Sliding anode for a magnetron sputtering source |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006528729A true JP2006528729A (ja) | 2006-12-21 |
JP2006528729A5 JP2006528729A5 (ja) | 2007-08-30 |
JP4714913B2 JP4714913B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=34102968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006520649A Expired - Fee Related JP4714913B2 (ja) | 2003-07-25 | 2004-07-26 | マグネトロンスパッタリング源のための滑りアノード |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7678239B2 (ja) |
EP (1) | EP1649484A1 (ja) |
JP (1) | JP4714913B2 (ja) |
KR (1) | KR100904795B1 (ja) |
CN (1) | CN1830055A (ja) |
TW (1) | TWI349716B (ja) |
WO (1) | WO2005010919A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012084526A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Fraunhofer-Ges Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev | マグネトロン装置、および、マグネトロン装置のパルス動作方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102006058078A1 (de) * | 2006-12-07 | 2008-06-19 | Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co. Kg | Vakuumbeschichtungsanlage zur homogenen PVD-Beschichtung |
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US9039871B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-05-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Methods and apparatus for applying periodic voltage using direct current |
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CN109023273B (zh) * | 2018-08-06 | 2023-08-11 | 信阳舜宇光学有限公司 | 一种镀膜设备及镀膜方法 |
KR102518875B1 (ko) * | 2020-09-10 | 2023-04-06 | 주식회사 이루테크놀러지 | 대기압 플라즈마 기판처리장치 |
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Family Cites Families (6)
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WO2001075187A1 (en) | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for driving multiple magnetrons with multiple phase ac |
-
2004
- 2004-07-23 US US10/912,365 patent/US7678239B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-26 WO PCT/CH2004/000472 patent/WO2005010919A1/en active Application Filing
- 2004-07-26 CN CNA2004800214645A patent/CN1830055A/zh active Pending
- 2004-07-26 JP JP2006520649A patent/JP4714913B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-26 TW TW093122325A patent/TWI349716B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-26 EP EP04738112A patent/EP1649484A1/en not_active Withdrawn
- 2004-07-26 KR KR1020067001708A patent/KR100904795B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005010919A1 (en) | 2005-02-03 |
JP4714913B2 (ja) | 2011-07-06 |
TW200510559A (en) | 2005-03-16 |
US7678239B2 (en) | 2010-03-16 |
TWI349716B (en) | 2011-10-01 |
KR100904795B1 (ko) | 2009-06-25 |
KR20060052883A (ko) | 2006-05-19 |
US20050034975A1 (en) | 2005-02-17 |
CN1830055A (zh) | 2006-09-06 |
EP1649484A1 (en) | 2006-04-26 |
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Legal Events
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070704 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070704 |
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A977 | Report on retrieval |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110228 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110303 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |