JP2002507770A - 透明及び半透明回折素子、特にホログラム並びにその作製方法 - Google Patents
透明及び半透明回折素子、特にホログラム並びにその作製方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 272
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims abstract description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- -1 Polyethylene Polymers 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017942 Ag—Ge Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100032843 Beta-2-syntrophin Human genes 0.000 description 1
- 108050004003 Beta-2-syntrophin Proteins 0.000 description 1
- 102100033029 Carbonic anhydrase-related protein 11 Human genes 0.000 description 1
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000867841 Homo sapiens Carbonic anhydrase-related protein 11 Proteins 0.000 description 1
- 101001075218 Homo sapiens Gastrokine-1 Proteins 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000016496 Panda oleosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000000220 Panda oleosa Species 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M thallium monochloride Chemical compound [Tl]Cl GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 230000016776 visual perception Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
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-
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- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
- G03H1/0252—Laminate comprising a hologram layer
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- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
- G03H1/024—Hologram nature or properties
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Abstract
Description
透明型ホログラム並びにその作製方法に関する。これらの回折素子は、自体が可
視(VIS)及び/または近赤外(NIR)スペクトル領域で透明または半透明
であり、さらに適当な角度の下で見ることができる反射型素子の特性も持ってい
る。このことは、本発明の透明または半透明素子における再生が特定の再生角度
範囲内でしか行われず、他の常角度ではホログラムが認識されないことを意味す
る。このことにより、回折素子を貼り付けた物品を見る際に回折素子が邪魔にな
らないという利点が得られる。図1は本発明にしたがう透明または半透明回折素
子の基本的構造を示す。
、事故防止技術、製品のオリジナリティー保護、通貨偽造防護等のような人間活
動に用いられる素子としても拡大してきている。適当な重合体材料でのあらゆる
回折素子の大量生産に以下の複製技術−熱間型押,射出成形及び注入成形−の1
つが通常用いられていることはよく周知である。
作製され、最も普通に用いられる技術は、カルコゲナイド(米国特許第3,82 5,317号)を含む適当な感光性材料のホログラフィー露光、集束レーザビー ム及び集束電子ビームによる直接描画、光フォトリソグラフィとこれに続くウエ
ットまたはドライエッチングである。
注入成形によりレプリカがエポキシ樹脂につくられる。これらのレプリカが、例
えば透明フィルムへの、射出成形(CD製造)、注入成形(分光光度計用グレー
ティングの製造)あるいは熱間型押を用いる、重合体へのレプリカ自体のコピー
の大量生産に用いられる(エム・ティー・ゲール(M.T. Gale):ジャーナル・オ
ブ・イメージング・サイエンス・アンド・テクノロジー(J. of Imaging Scienc
e and Technology)誌,第41巻(1997年),第3号,211ページ)。
52〜1.57のポリエステル樹脂等(より多くの例については米国特許第4,8
56,857号を参照されたい)のような透明重合体材料または(屈折率補正の ための)共重合体を、透明または半透明ホログラム及びその他の回折素子の製造
に用いることができる。回折素子が作製されるこれらの重合体または共重合体の
屈折率が低いため回折素子の反射率も低くなり(R約4%)、よってこれらの重
合体層につくられた回折構造のホログラフィー効果は十分ではない(米国特許第
4,856,857号)。以下の説明で用いられる“ホログラフィー効果”という
用語により、ホログラムの適当な視角における反射光強度が非常に大きいという
現象が理解されるであろう。前記重合体層に記録された回折素子の反射強度が小
さく、したがって明るさが乏しいという欠点は、通常、透明重合体層のレリーフ
形成面に金属薄膜(一般にはAl)を形成することにより乗り越えられる(エム
・ミラー(M. Miler):“ホログラフィー−理論的及び実験的基礎並びにその応
用”,SNTL,プラハ(チェコスロバキア)1974年;エム・ティー・ゲー
ル:ジャーナル・オブ・イメージング・サイエンス・アンド・テクノロジー誌, 第41巻(1997年),第3号,211ページ)。
って達成されることである。回折素子の透明性あるいは少なくとも半透明性は、
多くの応用(例えば銀行券、写真入り身分証明書等の保護用回折素子)において
必要であるかあるいは望ましい。回折素子の技術的応用のいくつかでは、つくら
れた素子の透明性または半透明性がそのまま必要条件になっている(例えば、C
CDカメラ用マイクロレンズアレイ、偏光フィルタ等)。
時に重合体層(以降層1と称する)に記録されたホログラムのホログラフィー効
果を改善するためには、層1の材料とは一般に屈折率nが異なる(すなわち、屈
折率がより高いかあるいはより低い)別の材料(以降ホログラフィー効果増強材
と称する)からなる別の透明層(以降層2と称する)で層1を覆うことが必要で
あることが知られている(米国特許第4,856,857号、米国特許第5,70 0,550号、米国特許第5,300,764号)。重合体回折素子支持層1とホ ログラフィー効果増強層2との屈折率差が大きくなるほど、より大きなホログラ
フィー効果を得ることができる(米国特許第4,856,857号)。
非常に薄い層を、ホログラムが熱間成形されている透明層1上に付着した、上記
の層2として用い得ることが知られている。このような非常に薄い金属層を用い
ると、比較的高い透明度が維持される。付着した金属層の屈折率が透明層1の屈
折率(n〜1.5)よりかなり低い(例:Agはn=0.8,Cuはn=0.7) か、あるいはかなり高い(例:Crはn=3.3,Mnはn=2.5,Teはn=
4.9)場合に、比較的顕著なホログラフィー効果の増強を達成できる(米国特 許第4,856,857号)。このような薄い金属層は真空蒸着法により透明な回
折素子支持層1に付着される。ホログラフィー効果増強材として薄い金属層を適
用することの欠点は、これらの材料の融点が比較的高く、したがってこれらの材
料の多くは蒸発させることが困難であることである。さらなる欠点は金属の吸収
係数が高いことである。蒸着金属層の厚さに若干でも偏差が存在すれば、系(回
折素子支持層1+金属層2)の透過率が強く影響されてかなりの偏差が現れ、さ
らに許される厚さの上限(これは金属に依存するが、一般に20nmをこえては
ならない(米国特許第4,856,857号))は非常に小さい。発明者等の測定
によれば、重合体層上への、10nm厚のCr層または4nm厚のGe層の蒸着
により透過率は約30%まで低下する(図2参照)。
F4等)、さらにはより複雑な誘電体材料(例:KTa0.65Nb00.35O3,Bi4 (GeO4)3,RbH2AsO4等)までもが、ホログラフィー効果増強層として単
独であるいはいくつかの層が交互に付着されて用いられている(米国特許第4, 856,857号)。これらの材料を適用することの欠点は、これらの材料の屈 折率が透明重合体層1の屈折率に非常に近い(例:屈折率値はThF4で1.5,
SiO2で1.5,Al2O3で1.6,RhH2AsO4で1.6,等)ことである(
米国特許第4,856,857号)。したがってホログラフィー効果の増幅量は比
較的小さい。これらの材料の多くは蒸発に比較的高い温度がやはり必要であり、
中には極めて高価であるかあるいは作製が極めて困難であり、したがって大量使
用には向かない材料も少なくはない。
という化合物(米国特許第4,856,857号)、さらにはこれらのカルコゲナ
イドの酸化物またはハロゲン化物との多層構造(米国特許第5,700,550号
)あるいはZnSとNa3AlF6の多層構造(米国特許第5,300,764号)
がホログラフィー効果増強に使用できることも知られている。これらの材料は満
足すべき屈折率値をもつ(例:Sb2S3で3.0,ZnSeで2.6,ZnSで2
.1)と考えられる。しかしこれらの材料の多く(例:Sb2S3,CdSe,C dTe,ZnTe)の短波長吸収端が近赤外領域内のみにあり、これらの材料は
VISにおける高い吸収係数値を特徴としている。金属層を層2として用いる場
合と同様に、最終製品の少なくとも半透明性を得るためにはこれらの材料の非常
に薄い層しかホログラフィー効果増強層2として用いることができない。透明度
はやはり膜厚偏差に大きく影響される。これらの材料のさらなる大きな欠点はこ
れらの材料の融点,Tgが高い(α-ZnSは1700℃,β-ZnSは1020
℃,ZnSe>1100℃,ZnTeは1238℃,CdSは1750℃,Cd
Se>1350℃,CdTeは1121℃,PbTeは917℃)(Handbook o
f Chemistry and Physics, 第64版(1983/84年))ことに起因する、(
やはり金属と同様に)蒸気化が困難なことである。
の大量生産に通常用いられる。まず回折パターンが層1につくられ、その後薄い
誘電体層または金属層が(垂直にあるいは特定の入射角の下で)蒸着され、続い
てこの蒸着層に別の重合体層が重ねられる。すなわち積層される(エム・ティー
・ゲール:ジャーナル・オブ・イメージング・サイエンス・アンド・テクノロジ ー誌,第41巻(1997年),第3号,211ページ)。上述した材料(金属
、金属酸化物、ハロゲン化物、Zn及びCdの2元系カルコゲナイド、Sb2S3 ,並びにPbTe)が上記方法による回折素子の製造に層2として用いられるの
で、この方法には同じ欠点、例えば高融解温度が付着を困難にしていること、膜
厚の偏差が小さくとも透過率に大きな偏差が生じること、これらの材料の多くの
屈折率が重合体層1の屈折率とほぼ同じであること、さらにはVISにおいて全
く透明性がないこと、がある。
発明の透明または半透明回折素子、特にホログラムは、n<1.7の透明な重合 体(または共重合体)層1及びホログラフィー効果増強層2を含む(図1)。高
屈折率層2は、屈折率が1.7より高く融点が900℃より低い、イオウ、セレ ン、テルルからなる群から選ばれる元素を少なくとも1つ含むカルコゲナイドを
ベースにした物質からなる。カルコゲナイドベースの物質は、SまたはSeまた
はTeに加えて、さらに周期律表のI族からV族の以下の元素:Cu,Ag,A
u,Hg,B,Al,Ga,In,Tl,Si,Ge,Sn,Pb,N,P,A
s,Sb,Biの内少なくとも1種を、より陽性の元素として含む、2元系、3
元系あるいはさらに複雑なカルコゲナイド及び/またはカルコハライド及び/ま
たはカルコゲナイド−カルコゲナイド系であってよい。
くとも1種の希土類元素、例えばPr,Eu,Dyをさらに含んでいてもよい。
着層をさらに含むことができる。保護層は層2または層1を環境の影響から、あ
るいはUV光による連続露光の望ましくない影響から保護し、最終製品の耐久性
を改善する。この層はホログラムのあるいは回折素子の永久的な部分であっても
よく、また除去可能であってもよい。接着層は保護される物品、印刷された文書
等にホログラムまたはその他の回折素子を1回限りあるいは繰り返して固定でき
るようにする。脆弱層の機能は上部層と下部層を接着し、さらに変造目的での引
きはがしに際して回折素子が破壊されるようにすることである。定着層はベース
支持シートへのあるいはシール、ステッカー、ラベル等への適用の場合には剥離
可能なシートへの回折素子の接着力を改善するために用いられる。
合には高屈折率層2を層1上に例えばスプレーすることができる。
組成の異なるカルコゲナイドベース物質で形成される高屈折率層2の付着からな
る。組成の異なるカルコゲナイドベース物質は連続して付着させることも、同時
に付着させることもできる。
させ、付着後初めて、高屈折率層2に所要の回折パターンを、高温で、例えば熱
間型押法を用いてつくることである。回折パターン深さが高屈折率層2の厚さよ
り大きければ(これは極めて普通の状況である)、先の手順を用いた場合と事実
上同じ製品(図1)が得られる。型押深さが高屈折率層2の厚さより小さければ
、層1は高屈折率層2の支持体としてのみ機能する。
それぞれの色(層2の色は用いられる組成及び厚さに依存する)の組合せにより
、透明または半透明回折素子の所要の色効果を得ることができる。
成長(CVD)法を用いるか、あるいは常圧で、例えばスプレー、塗布またはス
ピンコート法を用いて、カルコゲナイドベース物質の溶液として付着させること
ができる。
はアニールで誘起される金属拡散により、及び/または、層2とハロゲン蒸気ま
たは酸素との相互作用によりあるいは空気加水分解により層2に取り込まれる、
ハロゲン元素及び/または酸素により、改変することができる。
ル及び/または選択エッチングによりさらに改変することができる。
ム、イオン、X線等、またはアニールに依存する)による露光は、高屈折率層2
の構造変化を生じさせ、あるいは化学組成変化(例:高屈折率層に直接接触して
いる金属の拡散、加水分解、酸化)さえ生じさせる。これらにより、層2の屈折
率値の変化がおこり(通常は高くなり)、よって支持層1と高屈折率層2との屈
折率値間の差が改変される。この結果光学認識が異なる製品が得られる。露光に
より、あるいはアニールにより誘起される、例えば周囲雰囲気との化学反応はカ
ルコゲナイド材料を別の化合物(例:酸化物)に完全に変換させることができる
;そのような反応の生成物は、屈折率が1.7より高いという条件をやはり満足 しなければならない。
り、ホログラムまたはその他の回折素子を含む別のパターンの記録を高屈折率層
2につくり込むことができる;この記録は(層2の露光部分と未露光部分の吸収
係数差に基づく)強度型とすることも、あるいは層2の露光部分と未露光部分の
屈折率値の差に基づくか、または層2の露光部分と未露光部分の厚さの差(異な
る厚さは露光により直接得られるだけでなく、周知の方法を用いる層2の連続エ
ッチングによっても得られる)に基づく、位相型とすることもできる;ここでも
局所光誘起拡散、加水分解、酸化等の現象を用いることができ、高屈折率層2の
物質は、局所露光またはアニール部分において、化学的組成が変わることができ
る;高屈折率層2につくられた記録はホログラムの目視認識を部分的に改変し、
さらに透かして見ることができる。
ド層の適用により、一般にかなりの目視認識性が得られる。最終のホログラムま
たはその他の回折素子の透明性は層2の厚さに影響され得る。
ることができ、ガラス形成領域が比較的広いという事実である。非晶質であるか
ら、これらの材料は散乱損失が非常に小さいだけでなく、非化学量論的化合物を
つくり得る可能性も生じる。非晶質カルコゲナイドの組成元素(これはS,Se
及びTeに限定されない)を徐々に相互置換することにより、屈折率及び反射率
の連続的変化が生じる。すなわち、ホログラフィー効果の増強度合いを“調製”
することができる。
ルコゲナイドの光学ギャップ,Eg 光学値(例:As40S60はEg 光学=2.3 7eV,As40S40Se20は2.07eV, As40Se60は1.8eV)に緩や かな変化が生じ、したがって短波長吸収端の位置が徐々に変化する。よって、層
2の(ある与えられた厚さに対する)色も同じく変化し、高いホログラフィー効
果が与えられた、別の色をもつ透明及び半透明構造をつくることができる。よっ
て、無色の重合体層1であっても、層2として適当な組成をもつ1つの(または
複数の)カルコゲナイドベース層を用いれば、所要の色をもつ透明または半透明
回折素子の製造に用いることができる。すなわち、カルコゲナイド層2の組成及
び厚さは、最終製品(ホログラム)の透明度(図4)及び反射率(図5)に、し
たがってホログラフィー認識強度(これは層2の反射率とともに大きくなる)に
、かなりの影響を与える。
及び波長の光、電子ビーム、イオン等の照射に対し感光性である。この特性によ
り、別の化学物質への変換が誘起される、感光性カルコゲナイド層の金属(例:
Ag)(図6)あるいはガス(O2,空気湿度)との露光誘起反応による露光誘 起構造変化を用いて高屈折率薄層の屈折率、反射率及び透過率の追加補正を行う
ことができる(図6)。ただし前記別の化学物質はn>1.7という条件を満足 しなければならない。アニールにより同様の効果を得ることができる。
順により、高屈折率層にホログラムの目視認識を部分的に改変できる(ホログラ
フィー像を含む)像を形成することができ、さらにこの像は透かしてみることが
できる。光誘起構造変化及び光誘起金属拡散を用いてつくられた構造の断面図が
図7及び8に提示される。
0〜300℃)。したがって、上記のカルコゲナイドは世界中で普通に用いられ
ている真空蒸着法により付着させることができる。短波長吸収端より長波長側の
領域での吸収計数値は小さいから、厚さに小さな偏差が生じ得るとしても、ホロ
グラフィー効果増強に与える影響は、金属層が用いられる場合よりもはるかに小
さい。大面積カルコゲナイド層をそれ相応の真空蒸着層値を用いて比較的容易に
形成することができる。カルコゲナイド層2の厚さは、蒸着速度を透明な支持層
1の送り速度と同期させることにより調節できる。
量生産が世界中で行われ、したがってそれらは許容し得る価格ですぐに市場から
入手できるという事実である。
(n=1.58)または60μm厚の透明ポリカーボネートフィルム(n=1.5
9)を用いた。Niシム及び熱間型押法を用いて、回折パターンをこれらの層に
刻印した。ホログラフィー効果が非常に低いことを特徴とするホログラムまたは
その他の回折素子を実施例1から6に与えられる以下の方法のいくつかによりさ
らに処理した。ホログラフィー効果増強高屈折率層2(図1)としてのカルコゲ
ナイド層の適用はこれらの実施例の全てを通して共通である。高屈折率層2とし
て用いられるカルコゲナイドの構造及び特性の光誘起変化という周知の現象を用
いる実施例1に与えられる技法により、作製されたホログラムまたは別の回折素
子を改変し得ることが実施例2〜4で明示される。実施例7は、重合体層1とあ
らかじめ作製されたカルコゲナイド高屈折率層2からなる構造にパターンを型押
しまたは加圧成形することによるレリーフパターン作製の実証である。実施例1
〜7に与えられるホログラム製造またはその他の回折素子製造方法は全て、図9
にその内の1つの断面図が与えられている、より複雑な最終製品の製造に用いる
ことができる。本発明の透明ホログラムのより単純な一応用例が実施例8に与え
られる。
度1nm/秒;圧力5×10−4Pa)により、組成がGe30Sb10S60(n= 2.25)の薄層(d=10〜500nm)を層1上に付着させた。いずれの場 合にも、反射光強度がより大きくなった結果として十分なホログラフィー効果が
得られた。作製された構造の比較的高い透明度が維持された。得られた構造の反
射率(図5の曲線1,2)及び透過率(図4の曲線2,5及び図6のd=30n
mについての曲線)は付着された高屈折率層2の厚さに依存する。より厚い(数
100nm程度の)層を用いた場合には、VIS及びNIR光の波長が高屈折率
層2の厚さとほぼ同じであるため、干渉現象により光学透過率及び反射率のスペ
クトル特性が強い影響を受けた。
また別のカルコゲナイドベース系、Ag8As36.9Se55.1,Ge20Sb10S70 ,As40S40Se20,As20Se40Te40を層2として適用した結果が図4〜6
に与えられている。層2としてその他の、2元系カルコゲナイド(例:Se90T
e10,Ge33S67)、3元系カルコゲナイド(例:(As0.33S0.67)95I5)を 適用した場合にも、あるいはより複雑な系のカルコゲナイド(例:As40S40S
e10Ge10)を適用した場合でさえも、同様の結果が得られた。さらに複雑な系
の薄層も、同じ組成のバルク試料の真空蒸着によるか、あるいはより簡単な系の
カルコゲナイド(例:As40S60,Ge33S67,As40Se60等)の2つのボー
トからの同時蒸着により作製できる。複数のカルコゲナイド層が順次付着された
場合、例えば相異なる2種類のホログラフィー効果増強層が順次付着された場合
にも、ホログラフィー効果増強が同様に達成された。ある種のカルコゲナイド(
主として硫化物、例えばGe33S67)の薄層は空気中で比較的に不安定であって
、加水分解され得る。すなわちその構造内に酸素が蓄積し得る。そのような加水
分解された層であってもホログラフィー効果増強層として作用する。
に付着させた。これによりかなりのホログラフィー効果増強が達成され、支持層
1に記録されたホログラムが適当な視角の下ではっきり見えるようになった。こ
の方法で作製した構造を、上述した高屈折率層2の光誘起構造変化現象を用いて
改変した(露光されたところでは、層2は図7の参照数字3で示される状態に変
換された)。本構造を高屈折率層2側からUVランプ(I=18mW/cm2) で300秒間露光することにより、約0.1の屈折率値増大にともなう、本構造 の光学透過率の変化が生じ(図6)、よってホログラフィー効果が同様に増強さ
れた。マスクを介した局所露光により、透過率及び屈折率の局所的変化のみが生
じ(図7の層3)、よって用いたマスクの陰画(露光部分は透明度が下がる)が
As42Se58層につくられた。これは透かして見ることができ、また反射で見る
ときには層1に記録されたホログラムの光学認識を改変する。As42Se58層付
着後で、露光前に、層1-層2構造をヨウ素蒸気で処理した。ヨウ素処理は、層 2の組成をAs-S-Iに変換する(実組成は温度及びI2濃度に依存する)。露 光を続いて行わなくとも、カルコハライドAs-S-I層はホログラフィー効果を
増強した。
せた。Xeランプ(I=20mW/cm2)による300秒間の連続露光により 、Ge30Sb10S60層内へのAgの拡散が誘起された(新しい組成Ag-Ge30 Sb10S60の層は図8の層5として示されている)。このAg拡散はマスクを介
して露光する場合にのみ局所的である、新しいAg-Ge30Sb10S60層は一般 に屈折率値がGe30Sb10S60層より高く、最終値は拡散された銀の量に依存す
る。余分な、未反応のAgを希釈された(1:1)HNO3に浸けることにより 除去し、よって元の層2にマスクの像が記録された。この像は透かして見ること
ができ、反射で見るときには層1に記録されたホログラムの光学認識を改変する
。
に浸漬した。このKOH溶液内では高屈折率層2だけがある程度溶解し得る。層
5はこの溶液に耐える。よってカルコゲナイド層に、透かして見ることができ、
反射で見るときには層1に記録されたホログラムの光学認識をやはり改変する、
レリーフ像が形成される。
り(蒸着速度1nm/秒;圧力5×10−4Pa)、支持層1にあらかじめ作製 されたレリーフパターン側から層1上に付着させた。高屈折率層2としてのこの
材料の適用によりやはりホログラフィー効果増強が得られた。例えば、支持層1
に記録されたホログラム記録が特定の角度の下で見たときによく見えた。
フパターン側から層1上にスピンコート法を用いて常圧で付着させた。濃度が0
.8モル/リットルのAs40S60のn−プロピルアミン出発溶液を用いた。作製さ
れた層の厚さは0.5〜2μmの範囲にあった。As40S60層の付着により、反 射で見たときの層1に記録されたホログラムの光学認識がやはりある程度改善さ
れていた。
液をスピンコート法で付着させるかあるいは支持層1上に単に塗布して用いた場
合にも、同様の結果が得られた。
層1上に付着させた。この2層構造に、約150℃の温度での熱間型押により高
屈折率層2側からレリーフ構造を刻印した。この温度に2分間おいた後、全シス
テムを冷却し、冷却が終わって初めて前記2層構造を突き上げて取り外した。こ
の製品の特性は、同じ厚さのAs35S65層が実施例1で説明した技法によるホロ
グラム作製に用いられた場合と同様であった。As35S65層をCVD法により層
1上に付着させた場合にも同じ結果が得られた。
度1nm/秒;圧力5×10−4Pa)により、組成がGe30Sb10S60(n= 2.25)の薄層(d=20nm)を層1上に付着させた。得られたホログラム を(貼り付けられた透明ホログラムにより保護されるべき)文章及び写真をもつ
文書上に置き、可融性の糊がつけられた175μm厚のポリエステルフィルムで
文書にシールした。ホログラムの高い透明性(400〜750nmのスペクトル
領域において45%〜85%;図4の曲線5参照)により文章も写真も非常によ
く読み取ることができ、また同時に高い反射率(24〜15%;図5の曲線2)
により支持層1に形成されたホログラムが特定の角度の下で見ると非常によく見
えた。
り生じる強化されたホログラフィー効果が与えられた別のホログラムを偽造防護
素子として用いた場合にも、同様の(透明度及びホログラフィー効果のレベルが
層2の組成及び厚さに依存して異なる)結果が得られた。
図3に与えられ、また考え得る多層ホログラムの一例が図9に示されている。図
9で、6は環境の影響あるいはUV光による連続露光の望ましくない影響から高
屈折率層2または支持層1を保護し、また最終製品の耐久性を改善する保護層を
示し、7はホログラムまたはその他の回折素子を保護される物品に1回限りまた
は繰り返して固定させ得る接着層を示し、8は2つの層を十分に接着させ、引き
はがそうとされたときには自体が弱化し、よって回折素子を不可逆的に変形させ
破壊する脆弱層を示し、9は高屈折率層2または支持層1への接着層7の接着強
度を改善するために通常用いられる定着層を示し、10はホログラムが使用され
るまでホログラムをキャリアフィルム11に保持しておく接着層を示す。
ムの作製に適用できる。技術的応用(例:画像または情報の記録)に加えて、上
記製品は広告、保安区域、事故防止技術、製品のオリジナリティー保護、通貨偽
造防護等のような人間活動に用いることができる。
れた薄い高屈折率層2の付着により作製されたホログラムの光学透過率T及び反
射率Rを示す
を利用する、透明回折素子の作製を順に示す断面図である
成された薄い高屈折率層2の付着により作製されたホログラムの光学透過率を示
す
で形成される薄い高屈折率層2の付着により作製されたホログラムの反射率を示
す
たホログラムの光学透過率Tの変化を示す
及び高屈折率カルコゲナイド層2の感光性を利用する、透明ホログラムまたはそ
の他の回折素子の作製工程を順に示す断面図である
折率(n1,n2,n5)の差及び金属ドープ高屈折率カルコゲナイド層5を生
じさせる金属4のカルコゲナイド層2への光誘起拡散を利用する、透明ホログラ
ムまたはその他の回折素子の作製工程を順に示す断面図である
ことはできない透明ホログラム転写シート−の断面図である
Claims (10)
- 【請求項1】 1.7より小さい屈折率を有する透明な重合体または共重合 体である第1の層すなわち支持層(1)及び前記第1の層すなわち支持層上に付
着された第2の層すなわちホログラフィー効果増強高屈折率層(2)を含む、屈
折率の相異なる少なくとも2つの層からなる透明及び半透明回折素子、特にホロ
グラムにおいて、少なくとも1つの層に回折パターンが形成され、イオウ、セレ
ン、テルルからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含むカルコゲナイド
をベースとする物質で構成された前記高屈折率層(2)が1.7より高い屈折率 及び900℃より低い融解温度を有し、前記カルコゲナイドベースの物質が、S
またはSeまたはTeに加えて、元素周期律表のI族からV族の元素であるCu
,Ag,Au,Hg,B,Al,Ga,In,Tl,Si,Ge,Sn,Pb,
N,P,As,Sb,Biの内の少なくとも1種の元素をより陽性の元素として
含む、2元系、3元系及びより複雑な系のカルコゲナイド及び/またはカルコハ
ロゲナイドからなる群から選ばれることを特徴とする透明及び半透明回折素子。 - 【請求項2】 前記カルコゲナイドベースの物質が少なくとも1種の遷移金
属及び/または希土類元素族の内の少なくとも1種の元素をさらに含むことを特
徴とする請求項1記載の透明または半透明回折素子。 - 【請求項3】 保護層(6)及び/または接着層(7)及び/または脆弱層
(8)及び/または定着層(9)をさらに含むことを特徴とする請求項1または
2記載の透明または半透明回折素子。 - 【請求項4】 回折パターンが前記支持層(1)に形成され、続いて前記支
持層(1)上に、1つあるいは組成が相異なる複数の、カルコゲナイドベースの
物質からなる前記高屈折率層(2)が付着され、様々なカルコゲナイドベースの
物質の前記付着が順次にまたは同時に行われ得ることを特徴とする請求項1,2
または3記載の透明及び半透明回折素子の製造方法。 - 【請求項5】 前記透明支持層(1)上に前記高屈折率層(2)がまず付着
され、前記付着後に初めて回折パターンが前記高屈折率層(2)に機械的に形成
されることを特徴とする請求項1または2記載の透明及び半透明回折素子の製造
方法。 - 【請求項6】 前記高屈折率層(2)が、あらかじめ着色された前記支持層
(1)上に付着されることを特徴とする請求項4または5記載の製造方法。 - 【請求項7】 前記高屈折率層(2)が低圧下で、例えば真空蒸着、スパッ
タリングまたは化学的気相成長(CVD)法により、付着されることを特徴とす
る請求項4,5または6記載の製造方法。 - 【請求項8】 前記高屈折率層(2)が大気圧下で、例えばスプレー、塗布
、またはスピンコート法により、付着されることを特徴とする請求項4,5また
は6記載の製造方法。 - 【請求項9】 カルコゲナイドベースの物質からなる前記高屈折率層(2)
が、露光及び/またはアニールにより誘起される金属拡散を用いて金属により、
及び/またはハロゲン蒸気との反応または酸素との反応によりあるいは空気加水
分解によりカルコゲナイドベースの物質からなる前記高屈折率層(2)に取り込
まれるハロゲンまたは酸素により、改変されることを特徴とする請求項4から8
いずれか1項記載の製造方法。 - 【請求項10】 前記支持層(1)及び/または前記高屈折率層(2)に形
成された前記回折パターンが露光及び/またはアニール及び/または選択エッチ
ングによりさらに改変されることを特徴とする請求項4から9いずれか1項記載
の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CZ1998760A CZ286152B6 (cs) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | Transparentní a semitransparentní difrakční prvky |
CZ760-98 | 1998-03-13 | ||
PCT/CZ1999/000007 WO1999047983A1 (en) | 1998-03-13 | 1999-03-11 | Transparent and semitransparent diffractive elements, particularly holograms and their making process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002507770A true JP2002507770A (ja) | 2002-03-12 |
JP3581651B2 JP3581651B2 (ja) | 2004-10-27 |
Family
ID=5462198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000537118A Expired - Fee Related JP3581651B2 (ja) | 1998-03-13 | 1999-03-11 | 透明及び半透明回折素子、特にホログラム並びにその作製方法 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6452698B1 (ja) |
EP (1) | EP1062547B1 (ja) |
JP (1) | JP3581651B2 (ja) |
AT (1) | ATE229661T1 (ja) |
CA (1) | CA2323474C (ja) |
CZ (1) | CZ286152B6 (ja) |
DE (1) | DE69904452T2 (ja) |
EA (1) | EA002393B1 (ja) |
ES (1) | ES2189393T3 (ja) |
HK (1) | HK1030062A1 (ja) |
SK (1) | SK285788B6 (ja) |
WO (1) | WO1999047983A1 (ja) |
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US9024719B1 (en) | 2001-07-10 | 2015-05-05 | Xatra Fund Mx, Llc | RF transaction system and method for storing user personal data |
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DE102005061749A1 (de) | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Giesecke & Devrient Gmbh | Optisch variables Sicherheitselement und Verfahren zu seiner Herstellung |
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GB0711434D0 (en) | 2007-06-13 | 2007-07-25 | Rue De Int Ltd | Holographic security device |
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1998
- 1998-03-13 CZ CZ1998760A patent/CZ286152B6/cs not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-03-11 US US09/646,263 patent/US6452698B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-11 DE DE69904452T patent/DE69904452T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-11 WO PCT/CZ1999/000007 patent/WO1999047983A1/en active IP Right Grant
- 1999-03-11 SK SK1355-2000A patent/SK285788B6/sk unknown
- 1999-03-11 AT AT99906025T patent/ATE229661T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-03-11 EA EA200000930A patent/EA002393B1/ru not_active IP Right Cessation
- 1999-03-11 EP EP99906025A patent/EP1062547B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-11 JP JP2000537118A patent/JP3581651B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-11 CA CA002323474A patent/CA2323474C/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-11 ES ES99906025T patent/ES2189393T3/es not_active Expired - Lifetime
-
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- 2001-02-07 HK HK01100867A patent/HK1030062A1/xx not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2323474A1 (en) | 1999-09-23 |
CZ286152B6 (cs) | 2000-01-12 |
ES2189393T3 (es) | 2003-07-01 |
JP3581651B2 (ja) | 2004-10-27 |
DE69904452T2 (de) | 2003-09-11 |
EP1062547B1 (en) | 2002-12-11 |
SK13552000A3 (sk) | 2001-06-11 |
HK1030062A1 (en) | 2001-04-20 |
EA002393B1 (ru) | 2002-04-25 |
SK285788B6 (sk) | 2007-08-02 |
US6452698B1 (en) | 2002-09-17 |
CZ76098A3 (cs) | 1999-09-15 |
DE69904452D1 (de) | 2003-01-23 |
WO1999047983A1 (en) | 1999-09-23 |
CA2323474C (en) | 2006-05-30 |
EA200000930A1 (ru) | 2001-06-25 |
ATE229661T1 (de) | 2002-12-15 |
EP1062547A1 (en) | 2000-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20040107 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20040115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040706 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040723 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |