SK13552000A3 - Transparentné a semitransparentné difrakčné prvky, najmä hologramy, a spôsob ich výroby - Google Patents
Transparentné a semitransparentné difrakčné prvky, najmä hologramy, a spôsob ich výroby Download PDFInfo
- Publication number
- SK13552000A3 SK13552000A3 SK1355-2000A SK13552000A SK13552000A3 SK 13552000 A3 SK13552000 A3 SK 13552000A3 SK 13552000 A SK13552000 A SK 13552000A SK 13552000 A3 SK13552000 A3 SK 13552000A3
- Authority
- SK
- Slovakia
- Prior art keywords
- layer
- transparent
- diffractive
- chalcogenide
- index
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 238
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims abstract description 51
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 claims description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000005313 chalcohalides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N [S].[Se] Chemical compound [S].[Se] ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 12
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 8
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 7
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical class [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017251 AsO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100032843 Beta-2-syntrophin Human genes 0.000 description 1
- 108050004003 Beta-2-syntrophin Proteins 0.000 description 1
- 229910020323 ClF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100441092 Danio rerio crlf3 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004366 ThF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000004456 color vision Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 229910052959 stibnite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- XPDICGYEJXYUDW-UHFFFAOYSA-N tetraarsenic tetrasulfide Chemical compound S1[As]2S[As]3[As]1S[As]2S3 XPDICGYEJXYUDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000016776 visual perception Effects 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
- G03H1/18—Particular processing of hologram record carriers, e.g. for obtaining blazed holograms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
- G03H1/0252—Laminate comprising a hologram layer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
- G03H1/024—Hologram nature or properties
- G03H1/0244—Surface relief holograms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2240/00—Hologram nature or properties
- G03H2240/20—Details of physical variations exhibited in the hologram
- G03H2240/23—Optical length variations, e.g. bleached silver halide
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2250/00—Laminate comprising a hologram layer
- G03H2250/36—Conform enhancement layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
Oblasť techniky
Vynález sa týka transparentných a semitransparentných difŕakčných prvkov, najmä hologramov a spôsobu ich prípravy. Tieto difrakčné prvky sú transparentné alebo semitransparentné vo viditeľnej (VIS) alebo blízkej infračervenej (NIR) oblasti spektra a zároveň vykazujú pri vhodnom uhle pozorovania aj intenzívne charakteristiky reflexných difŕakčných prvkov.
Doterajší stav techniky
V posledných rokoch rastie výrazne dopyt po hologramoch, a to nielen z hľadiska ich aplikácie pre záznam obrazu alebo informácie, ale i ako prvkov využívaných aj v takých oblastiach ľudských aktivít, ako sú reklama, zabezpečovacia technika, ochrana pôvodnosti výrobku, zabezpečenie cenín proti ich falzifikácii a pod.
Je známe, že pri tvorbe obecne akéhokoľvek difrakčného prvku, vrátane hologramov vo veľkých množstvách, je použitý niektorý z nasledujúcich postupov vytvárania reliéfnych obrazov vo vrstvách vhodných polymérov - reliéfne razenie, lisovanie alebo odlievanie (vstrekovanie).
Reliéfna mikroštruktúra ( master-eopy) sa vytvára vo vrstve fotosenzitívneho materiálu, který môže byť i chalkogenid ( US 3 825 317), zápisom fokuzovaným laserovým lúčom alebo zväzkom elektrónov alebo litografickou cestou s následným mokrým alebo suchým leptaním. Z master-eopy je potom vytvorená jej replika do Ni elektrochemickou cestou, alebo je možné repliku pripraviť odlievaním do epoxidovej živice. Tieto repliky sa používajú pri vlastnom masovom kopírovaní, ktoré sa spravidla uskutočňuje metódou lisovania vstrekovaného materiálu (výroba CD), odlievaním (výroba mriežok do spektrometrov) alebo razením za tepla, napríklad do transparentnej fólie (M.T. Gale: J. of Imaging Science and Technology 41 (3) (1997)211).
Ako transparentný polymér alebo kopolymér (pre úpravu indexu lomu) možno pri tvorbe transparentných a semitransparentných hologramov i iných difŕakčných prvkov použiť ktorýkoľvek z polymérnych materiálov (napr. polyetylén s indexom lomu n = 1,50 - 1,54, polypropylén 1,49, polystyrén 1,6, polyvinylchlorid 1,52-1,55, polyester 1,52 - 1,57 atd., bližšie US patent 4856857). Všetky tieto materiály sú transparentné. Nízka hodnota ich
-2indexu lomu, prípadne z nich pripravených kopolymérov, determinuje aj ich nízku reflektivitu (R = 4 %) a holografícký efekt difrakčnej štruktúry vytvorený vo vrstvách týchto polymérnych materiálov je preto minimálny (US patent 4856857). Pod pojmom holografícký efekt budeme ďalej rozumieť skutočnosť, že pri vhodnom uhle pozorovania možno v odrazenom svetle intenzívne vidieť hologram alebo iný difrakčný prvok vytvorený v transparentnej vrstve. Problém nízkej reflektivity a tým nekvalitného vnemu difrakčného prvku zaznamenaného do vrstvy polyméru sa najčastejšie rieši tým, že sa transparentná vrstva polymérov, ktorá je nosičom difrakčného prvku, pokrýva tenkou vrstvou kovu (spravidla Al) (M. Miler: Holografía - teoretické a experimentálne základy a jej použití, SNTL, Praha 1974; M.T. Gale: J. of Imaging Science and Technology 41 (3) (1997) 211). Nevýhodou tohoto postupuje, že výrazné zlepšenie vnemu zaznamenaného difrakčného prvku sa tak dosiahne na úkor straty transparentnosti. Pre rad aplikácií je použitie transparentného alebo aspoň semitransparentného difrakčného prvku žiadúce, aby bola viditeľná celá plocha predmetu, na ktorý je tento difrakčný prvok pripevnený (napr. ochranné hologramy na bankovkách, osobných dokladoch s fotografiou a pod.). Niektoré technické aplikácie difrakčných prvkov sú potom priamo podmienené transparentnosťou alebo semitransparentnosťou vytvoreného prvku (napr. mikrošošovkové polia pre CCD kamery, polarizačné filtre a pod.).
Ďalej je známe, že ak má byť zachovaná (alebo len čiastočne znížená) transparentnosť difrakčného prvku a zároveň sa má zlepšiť holografícký efekt tohoto hologramu zaznamenaného vo vrstve polyméru (vrstva 1), je nutné túto vrstvu pokryť inou transparentnou vrstvou (ďalej nazývanou vrstva 2) rozdielneho materiálu (ďalej nazývaného tiež materiál zosilňujúci holografícký efekt), ktorý má obecne iný index lomu n (t.j. vyšší alebo i nižší), než materiál transparentnej vrstvy 1 (US patent 4856857, US patent 5700550, US patent 5300764). Čím väčší je rozdiel medzi indexami lomu polymémej nosnej vrstvy 1 a vrstvy 2 zosilňujúcej holografícký efekt, tým výraznejšie je zosilnenie holografíckého efektu (US patent 4856857).
Ďalej je známe, že takou vrstvou 2 nanesenou na transparentnú vrstvu 1, v ktorej bol napr. razením za horúca vytvorený hologram, môže byť i veľmi tenká vrstva (hrúbka maximálne 20 nm) vhodného kovu (napr. Cr, Te, Ge). Pri aplikácii takto tenkej vrstvy kovu zostáva hologram alebo iný difrakčný prvok pomerne dobre transparentný. Ak je index lomu napareného kovu výrazne nižší ( napr. Ag n = 0,8, Cu n = 0.7) alebo vyšší (napr. Cr n = 3.3, Mn n = 2.5, Te n = 4.9) než je index lomu transparentnej vrstvy 1 (n = 1,5), je pozorované pomerne výrazné zosilnenie holografíckého efektu (US patent 4856857). Takto tenké vrstvy
-3kovu sa na transparentnú vrstvu 1 nesúcu difrakčný obraz nanášajú vákuovým naparovaním. Nevýhodou použitia tenkých vrstiev kovov ako materiálov zosilňujúcich holografický efekt je pomerne vysoký bod topenia a s tým spojené obtiažne odparovanie radu týchto kovov. Ďalšou nevýhodou je, že vzhľadom na vysoké hodnoty absorpčných koeficientov kovov sa i pri malej deviácii hrúbky naparenej vrstvy kovu výrazne mení transmisivita systému (vrstva 1- nesie difrakčný obraz - vrstva 2 - kov) a pritom horná hranica povolených hrúbok je veľmi nízka (závisí od druhu kovu, ale obecne nesmie byť hrúbka väčšia než 20 nm (US patent 4856857)). Podľa našich meraní už i vrstva Cr o hrúbke 10 nm alebo vrstva Ge o hrúbke iba 4 nm znižuje vo viditeľnrj oblasti spektra transmisivitu polymémej vrstvy, na ktorú je naparená, až na cca 30% (obr. 2).
Je ďalej známe, že pre prípravu transparentných hologramov je možné použiť ako holografický efekt zosilňujúcu vrstvu 2 i oxidy kovov (napr. ZnO, PbO, Fe2O3, La2O3, MgO a pod.), halogenidové materiály (napr. T1C1, CuBr, CIF3, ThF4 a pod.), prípadne i zložitejšie dielektriká (napr. KTaoi6sNbo,3503, Bi4(GeO4)3, RbH2AsO4 apod.), a to buď samostatne, prípadne i niekoľko vrstiev na sebe (US patent 4856857). Nevýhodou použitia radu týchto materiálov ako vrstvy zosilňujúcej holografický efekt je, že ich indexy lomu sú veľmi blízke hodnotám indexu lomu transparentného polyméru tvoriaceho vrstvu 1 (napr. indexy lomu sú 1.5 pre ThF4, 1,5 pre SiO2, 1,6 pre A12O3, 1,6 pre RhH2AsO4 atď.) (US patent 4856857), a tým aj zosilnenie holografického efektu je pomerne malé. Rad z nich potrebuje opäť pre svoje odparenie pomerne vysoké teploty a v neposlednom rade mnohé z nich sú pomerne drahé alebo obtiažne pripraviteľné, čo bráni ich masovému použitiu.
Je rovnako známe, že z chalkogenidových materiálov možno ako vrstvy zosilňujúce holografický efekt použiť binárne chalkogenidy zinku a kadmia a tiež zlúčeniny Sb2S3 a PbTe (US patent 4856857), prípadne ako multivrstevnaté systémy v kombinácii s oxidmi alebo halogenidmi (US patent 5700550) alebo multivrstevnaté systémy ZnS a NasAlFe (US patent 5300764). Tieto materiály majú vyhovujúce indexy lomu (napr. 3,0 pro Sb2S3, 2,6 pro ZnSe, 2,1 pro ZnS). Krátkovlnná absorpčná hrana radu týchto materiálov (napr. Sb2S3, CdSe, CdTe, ZnTe) ale leží až v blízkej IČ oblasti, a preto vykazujú vysoké hodnoty absorpčných koeficientov vo VIS. Ak má teda pri ich aplikácii ako holografický efekt zosilňujúceho materiálu tvoriaceho vrstvu 2 byť vzniknutý systém aspoň semitransparentný, je nutné rovnako ako v prípade kovov použiť len veľmi tenké vrstvy týchto materiálov a akákoľvek deviácia v hrúbke výrazne ovplyvní transparentnosť systému. Ďalšou ich výraznou nevýhodou je, že sa nanášajú (rovnako obdobne ako kovy) obtiažne vďaka ich vysokým teplotám mäknutia Tg (a - ZnS 1700 °C, β - ZnS 1020 °C, ZnSe >1100 °C, ZnTe 1238 °C, CdS 1750°C, CdSe >1350 °C, CdTe 1121 °C, PbTe 917 °C) (Handbook of Chemistry and Physics 64th Edition 1983/1984).
Je rovnako známe, že pri konštrukcii transparentných difrakčných prvkov v masovém merítku sa používa spravidla postup podľa obr. 3, kedy sa do vrstvy 1 vytvorí difrakčný obraz, potom sa naparí vrstva dielektrika alebo kovu (kolmo alebo pod vopred zvoleným uhlom dopadu) a potom sa prekryje alebo laminuje ďalšou vrstvou polyméru (M.T. Gale: Journal of Imaging Science and Technology 41 (3) (1997) 211). Keďže i pri tvorbe difrakčných prvkov týmto postupom sa používajú vyššie uvedené materiály (kovy, ich oxidy, halogenidy, binárne chalkogenidy Zn a Cd, Sb2S3 a PbTe), platia pre ich aplikácie i týmto postupom rovnaké nevýhody, t.j. vysoké teploty mäknutia a s tým spojené obtiažne nanášanie, veľké rozdiely v transmisii i pri malých deviáciách v hrúbke, u mnohých z nich nízke hodnoty indexu lomu porovnateľné s indexami lomu transparentnej nosnej vrstvy polyméru, prípadne i úplná netransparentnosť vo viditeľnej oblasti spektra.
Ďalej je známe, že holografícká páska (reliéfne fázové hologramy nanesené na vinylovú pásku) zlepšila odolnosť voči poškrabaniu, pričom je pokrytá takými materiálmi ako sú vosky, polyméry a anorganické látky, okrem iného môže byť použitý sulfid arzenitý (US patent 3 703 407). Pokrytie navyše umožňuje, aby páska bola mazaná. Aby sa udržala rovnaká difrakčná účinnosť ako u nepokrytej pásky, minimálna hrúbka krytej vrstvy musí byť väčšia ako je maximálna hĺbka zvrásnenia hologramu, t. j. hĺbka od dna vrcholu.
Podstata vynálezu
Vynález odstraňuje nevýhody súčasných spôsobov výroby transparentných a semitransparentných difrakčných prvkov.
Transparentné a semitransparentné difrakčné prvky, najmä hologramy, obsahujúce najmenej dve vrstvy s rozdielnym indexom lomu, z ktorých prvá nosná vrstva (1) je transparentný polymér alebo kopolymér s indexom lomu nižším ako 1,7 a na nej je nanesená druhá na expozíciu citlivá vysokoindexová vrstva (2) zosilňujúca holografický efekt tvorená látkami na báze chalkogenidov s indexom lomu vyšším ako 1,7 a teplotou mäknutia nižšou ako 900 °C vyznačujúce sa tým, že prvý difrakčný obraz je mechanicky vytvorený v prvej nosnej vrstve a/alebo vo vysokoindexovej vrstve (2) a najmenej jeden ďalší difrakčný prvok je vytvorený vo vysokoindexovej vrstve (2) tvorenej látkami na báze chalkogenidov obsahujúcimi najmenej jeden prvok zo skupiny síra, selén, telúr, pričom látky na báze chalkogenidov sú vybrané zo skupiny binárnych, ternámych a zložitejších chalkogenidových a/alebo chalkohalogcnidových systémov obsahujúcich vedľa síry alebo selénu alebo telúru ako elektropozitívnejší prvok vybraný zo skupiny pozostávajúcej z prvkov meď, striebro, zlato, ortuť, bór, hliník, gálium, indium, tálium, kremík, germánium, cín, olovo, dusík, fosfor, arzén, antimón, bizmut.
Látky na báze chalkogenidov môžu ďalej obsahovať prechodný kov a/alebo najmenej jeden prvok vzácnych zemín, napríklad prazcodým-Pr, európium-Eu, dysprózium-Dy.
Transparentný a semitransparentný difrakčný prvok môže ďalej obsahovať kryciu vrstvu, ktorá chráni vysokoindexovú alebo nosnú vrstvu proti účinkom prostredia alebo nežiaducemu účinku následnej expozície UV žiarením, zvyšuje i mechanickú odolnosť. Môže byť trvalou súčasťou hologramu alebo difrakčného prvku, alebo môže byť prípadne snímateľná. Ďalej môže obsahovať adhezívnu vrstvu, umožňujúcu jednorázové alebo opakované pripevnenie hologramu či difrakčného prvku na výrobok, tlačený dokument a pod. Ďalej môže obsahovať fragilnú vrstvu, zaisťujúcu priľnutie dvoch vrstiev k sebe, ktorá sa pri pokuse o opätovné oddelenie vrstiev znehodnotí a tým dôjde k trvalej deformácii a znehodnoteniu difrakčného prvku. Ďalej môže obsahovať kotviacu vrstvu, ktorá sa používa spravidla pre zlepšenie priľnavosti adhezívnej vrstvy k vysokoindexovej alebo nosnej vrstve.
Transparentná nosná vrstva môže byť i neoddeliteľnou Časťou nejakého väčšieho výrobku, v tom prípade sa vysokoindexová vrstva nanáša na nosnú vrstvu napríklad nástrekom.
V nosnej vrstve sa vytvorí prvý difrakčný obraz a na ňu sa následne nanesie vysokoindexová vrstva, obsahujúca jednu alebo viac vrstiev látok na báze chalkogenidov rozdielneho zloženia, pričom nanášanie rôznych látok na báze chalkogenidov možno uskutočňovať postupne alebo súčasne a ďalšie difrakčné obrazy sa vytvoria vo vysokoindexovej vrstve citlivej na expozíciu.
Ďalší spôsob prípravy transparentných a semitransparentných difrakčných prvkov spočívá v tom, že sa najprv na transparentnú nosnú vrstvu nanesie vysokoindexová vrstva a iba potom sa do vysokoindexovej vrstvy za zvýšenej teploty vytvorí napríklad razením za horúca požadovaný prvý difrakčný obraz; ak je hĺbka razenia difrakčného obrazu väčšia ako je hrúbka vysokoindexovej vrstvy, získa sa prakticky identický produkt ako predchádzajúcim spôsobom (obr. 1); ak je hĺbka razenia difrakčného obrazu menšia ako je hrúbka vysokoindexovej vrstvy, plní nosná vrstva iba funkciu nosiča vysokoindexovej vrstvy. Následne ďalšie difrakčné obrazy sa vytvoria vo vysokoindexovej vrstve citlivej na expozíciu.
Vysokoindexová vrstva môže byť nanesená na vopred ofarbenú nosnú vrstvu, aby kombináciou farby nosnej vrstvy s prirodzenou farbou vysokoindexovej vrstvy (je daná zložením tejto vrstvy a hrúbkou nanesenej vrstvy) bol dosiahnutý požadovaný farebný vnem transparentného alebo semitransparentného difrakčného prvku.
Vysokoindexová vrstva sa nanáša za zníženého tlaku vákuovým naparovaním, naprašovaním alebo depozíciou z parnej fázy ( CVD metódou). Alebo sa vysokoindexová vrstva nanesie za normálneho tlaku ako roztok látok na báze chalkogenidov nástrekom, natieraním alebo metódou spin-coating.
Vysokoindexová vrstva tvorená látkami na báze chalkogenidov sa modi fikuje kovom expozíciou alebo temperovaním indukovanou difúziou a/alebo halogénom a/alebo kyslíkom, ktoré sa vnesú do vysokoindexovej vrstvy tvorenej látkami na báze chalkogenidov interakciou s parami halogénu alebo kyslíka alebo vzdušnou hydrolýzou.
Po vytvorení difrakčného obrazu v nosnej vrstve a/alebo vysokoindexovej vrstve môžu byť následne vytvárané ďalšie difrakčné obrazy expozíciou žiarením a/alebo temperovaním a/alebo selektívnym leptaním.
Expozíciou žiarením o vhodnej vlnovej dĺžke a intenzite (závisí od konkrétneho zloženia vysokoindexovej vrstvy), zväzkom elektrónov, iónov, rôntgenových lúčov a pod. alebo prípadným temperovaním sa vyvolá zmena štruktúry vysokoindexovej vrstvy alebo jej chemického zloženia (napr. difúziou kovu, s ktorým môže byť vysokoindexová vrstva v kontakte, hydrolýzou, oxidáciou), a tým sa vyvolá i zmena hodnoty jej indexu lomu (spravidla stúpa), tým sa upraví rozdiel medzi hodnotami indexu lomu nosnej a vysokoindexovej vrstvy a tým i optický vnem výrobku; chalkogenidový materiál pritom môže účinkom zvýšenej teploty alebo expozície prejsť expozíciou alebo temperovaním indukovanou chemickou reakciou napr. s okolitou atmosférou na inú zlúčeninu (napr. oxid); produkt takejto reakcie musí opäť splňovať podmienku, že jeho index lomu je vyšší ako 1.7.
Lokálnou expozíciou cez masku alebo pripadne holografickou expozíciou alebo i lokálnym temperovaním možno do vysokoindexovej vrstvy zapísať ďalší difrakčný obraz do vysokoindexovej vrstvy; vlastný záznam môže byť tak amplitúdový, založený na rozdielnej hodnote absorpčného koeficientu exponovaných a neexponovaných častí vysokoindexovej vrstvy, ako aj fázový, založený na rozdielnej hodnote indexu lomu exponovaných a neexponovaných častí vysokoindexovej vrstvy alebo na rozdielnej hrúbke exponovaných a neexponovaných častí vysokoindexovej vrstvy (rozdielne hrúbky možno dosiahnuť nielen pri vlastnej expozícii, ale prípadne i následným selektívnym leptaním exponovanej alebo
Ί neexponovanej vysokoindexovej vrstvy skôr popísanými postupmi); i v tomto prípade je možné využiť javy lokálnej fotoindukovanej difúzie, hydrolýzy, oxidácie a pod. a materiál vysokoindexovej vrstvy môže v mieste lokálnej expozície alebo temperovania zmeniť svoje chemické zloženie; výsledný záznam vo vysokoindexovej vrstve môže modifikovať zrakový vnem hologramu a môže byť naviac viditeľný i v priehľade.
Nakoľko indexy lomu väčšiny z týchto materiálov spravidla prevyšujú hodnotu 2, je i výsledný efekt pri ich aplikácii ako vrstvy zosilňujúcej holografický efekt nanesenej na transparentné polymérne vrstvy s n < 1.7 veľmi výrazný. Transparentnosť výsledného hologramu alebo difrakčného prvku možno ovplyvniť hrúbkou vysokoindexovej vrstvy.
Ďalšou výhodou použitia chalkogenidových materiálov je, žc je ich možné pripraviť v rade systémov v amorfnom stave a oblasti sklotvornosti sú pritom pomerne rozsiahle. Teda nielen že straty rozptylom vo vrstve chalkogenidu sú minimálne, ale je aj možné v danom systéme pripraviť homogénne sklá i s nestechiometrickým zložením. Postupnou substitúciou prvkov (nielen S, Se a Te) navzájom v zložení amorfných chalkogenidov je možné plynulé meniť ich index lomu a upravovať reflektivitu systému a teda i voliť stupeň zosilňovacieho holografického efektu.
Zároveň sa v dôsledku postupnej zmeny optickej šírky zakázaného pásu Eg opt pripravených materiálov (napr. AsíoSôo Egopl = 2,37 eV, As4oS4oSe2o 2,07 eV, As4oSe6o 1,8 eV) plynulé mení poloha krátkovlnnej absorpčnej hrany, a teda (pri danej hrúbke) i farba vrstvy chalkogenidu. Je možné takto pripraviť transparentné alebo semitransparentné systémy s vysokým holografickým efektom o rôznej farbe. Takto možno pre rad požadovaných farebných odtieňov výsledného transparentného alebo semitransparenlného hologramu alebo difrakčného prvku použiť vedľa už i vopred ofarbených nosných vrstiev aj celkom bezfarebné polymérne nosné vrstvy a výsledné farby dosiahnuť nanesením jednej či viacerých vrstiev vhodného zloženia. Voľbou zloženia a hrúbky vrstvy chalkogenidu možno teda ovplyvniť transparentnosť výsledného produktu (hologramu) (obr. 4) i reflektivitu (obr. 5), a tým i intenzitu jeho vnemu v reflexii (rastie s reflektivitou vrstvy 2).
Vrstvy amorfných chalkogenidov sú predovšetkým v podobe tenkej vrstvy spravidla citlivé na expozíciu žiarením o vhodnej intenzite a vlnovej dĺžke (závisí od konkrétneho zloženia vrstvy), zväzkom elektrónov, iónov a pod. To umožňuje i dodatočnú korekciu indexu lomu, reflektivity a priepustnosti vysokoindexovej vrstvy s využitím tak expozíciou indukovaných štrukturálnych zmien (obr. 6), ako aj expozíciou indukovanou reakciou vrstvy fotocitlivého chalkogenidu s kovom (napr. Ag) (obr. 6) alebo plynom (O2, vzdušná vlhkosť) na inú zlúčeninu, ktorá ale musí splňovať podmienku, že jej n > 1,7. Obdobného účinkuje možné dosiahnuť i temperovaním.
Ak je expozícia resp. temperovanie iba lokálne, možno postupami uvedenými v predchádzajúcom odstavci vytvoriť do vysokoindexovej vrstvy obraz (vrátane holografického), ktorý môže modifikovať optický vnem pôvodného hologramu a zároveň byť i viditeľný v priehľade. Schéma tvorby štruktúr s využitím expozíciou indukovaných štrukturálnych zmien a s využitím javu fotoindukovanej difúzie kovu sú na obr. 7 a 8.
Ďalšou prednosťou skôr uvedených chalkogenidov sú i nízke hodnoty teploty mäknutia (obvykle 100 - 300 °C) a s tým spojené ľahké nanášanie vrstiev napr. vákuovým naparovaním, čo je technológia nanášania vrstiev, ktorá je široko používaná. Ďalšou výhodou je, že vzhľadom na nízke hodnoty absorpčného koeficientu radu chalkogenidov v oblasti za krátkovlnnou absorpčnou hranou majú prípadné mierne deviácie v hrúbke nanesenej vrstvy menší vplyv na výslednú hodnotu zosilnenia holografického efektu, než pri aplikácii veľmi tenkých vrstiev kovu. Vrstvu chalkogenidu možno nanášať i vo veľkých plochách pomerne jednoducho s použitím k tomuto účelu upraveného naparovacieho zariadenia. Synchronizáciou rýchlosti odparovania a rýchlosti posuvu transparentnej nosnej vrstvy možno voliť hrúbku vrstvy chalkogenidu.
Ďalšou výhodou amorfných chalkogenidov je skutočnosť, že rad z nich sa už vyrába vo svete vo veľkom merítku a sú teda komerčne ihneď dostupné v prijateľných cenových reláciách.
Prehľad obrázkov na výkresoch
Obr. 1 Schéma difrakčného prvku, 1 - transparentná nosná vrstva polyméru s m <1.7, 2 - vysokoindexová vrstva chalkogenidu s n2 >1.7
Obr. 2 Optická priepustnosť T a reflektivita R hologramov vytvorených naparením tenkej vysokoindexovej vrstvy 2 Cr alebo Ge na polyetylénovú nosnú vrstvu 1, v ktorej je napríklad razením za tepla vytvorený hologram.
Obr. 3 Schéma tvorby transparentného difrakčného prvku využívajúceho možnosti tvorby difrakčného obrazu v nosnej vrstve 1 a rozdielnosti v indexoch lomu nosnej vrstvy 1 a vysokoindexovej vrstvy 2 ·
Obr. 4 Optická priepustnosť hologramov vytvorených naparením tenkej vysokoindexovej vrstvy 2 vybraných chalkogenidových materiálov na polyetylénovú nosnú vrstvu 1.
Obr. 5 Reflektivita hologramov vytvorených naparením tenkej vysokoindexovej vrstvy 2 vybraných chalkogenidových materiálov na polyetylénovú nosnú vrstvu i, v ktorej je vytvorený hologram ako na obr. 2.
Obr. 6 Expozíciou a difúziou Ag indukované zmeny optickej priepustnosti hologramov vytvorených postupmi podľa Príkladov 2 a 3.
Obr. 7 Schéma tvorby transparentného hologramu alebo difrakčného prvku využívajúceho možnosti tvorby difrakčných obrazov v nosnej vrstve 1, rozdielnosti v indexoch lomu ni a n2 a fotocitlivosti vysokoindexovej vrstvy 2 chalkogenidu.
Obr. 8 Schéma tvorby transparentného hologramu alebo difrakčného prvku využívajúceho možnosti tvorby difrakčného obrazu v nosnej vrstve i polyméru, rozdielnosti v indexoch lomu ni, n2 a nj a javu expozícií indukovanej difúzie kovu 4 do vrstvy chalkogenidu 2 vedúcemu k vzniku kovom dolovanej vysokoindexovej vrstvy chalkogenidu 5
Obr. 9 Schéma možného finálneho výrobku - ochranného hologramu, ktorý po pripevnení na predmet, ktorý má byť chránený, už nie je možné bez poškodenia odstrániť.
Príklady uskutočnenia vynálezu
K lepšiemu objasneniu vynálezu sú uvedené nasledujúce príklady, pri ktorých bola ako nosná vrstva 1 použitá transparentná polyetyléntereftálová fólia (n = 1,58) o hrúbke 50 pm alebo polykarbonátová fólia (n = 1,59) o hrúbke 60 pm, t.j. fólie tvorené materiálom s n < 1,7. Do týchto vrstiev boli metódou razenia za horúca s použitím Ni repliky vyrazené difrakčné obrazy. Takto pripravené hologramy a difrakčné prvky, ktoré sa vyznačovali veľmi nízkým holografickým efektom, boli ďalej spracované niektorým z nasledujúcich postupov uvedených v Príkladoch 1 až 6, ktorých spoločnou ideou je použitie tenkej vrstvy chalkogenidu ako vysokoindexovej vrstvy 2 zosilňujúcej holografický efekt (obr. 1). V Príkladoch 2 až 4 je ilustrovaná možnosť využitia v literatúre popísaných javov expozícií indukovaných zmien štruktúry a vlastností chalkogenidov použitých ako vysokoindexová vrstva 2 pre modifikáciu hologramu alebo difrakčného prvku pripraveného postupom podľa príkladu 1. Príklad 7 je ukážkou tvorby reliéfneho motívu (vrátane hologramu) razením alebo lisovaním do vopred vytvoreného systému polymérna nosná vrstva i - chalkogenidová vysokoindexová vrstva 2Všetky spôsoby prípravy hologramov alebo difrakčných prvkov podľa Príkladov 1 - 7 potom môžu byť ďalej využité pre tvorbu zložitejších finálnych výrobkov ako je napr. uvedený v obr. 9. Príklad jednej z jednoduchších aplikácií transparentných hologramov podľa tohoto patentuje uvedený v Príklade 8.
Príklad 1
Na nosné vrstvy 1 nesúce difrakčný obraz boli zo strany difrakčného obrazu pri tlaku 5.10'4 Pa vákuovým naparovaním (lýchlosť naparovania 1 nm/s) nanesené tenké vrstvy Ge3oSbioS6o (n = 2,25) o hrúbke 10 - 500 nm. Vo všetkých prípadoch bol dosiahnutý výrazný holografický zosilňujúci efekt v dôsledku nárastu reflektivity pri zachovaní pomerne vysokej transparentnosti vzniknutej štruktúiy. Reflektivita (obr. 5 krivky 1,2) i transmisivita (obr. 4 krivky 2, 5 a obr. 6 krivka pre d = 30 nm) získaných štruktúr závisí od hrúbky naparenej vysokoindexovej vrstvy 2. Pri aplikácii silnejších vrstiev (rádovo stovky nm) je spektrálna závislosť optickej priepustnosti a reflektivity silne ovplyvnená i interferenčnými javmi, lebo vlnová dĺžka VIS a NIR žiarenia je porovnateľná s hrúbkou vysokoindexovej vrstvy 2.
Obdobné výsledky boli získané i pri aplikácii iných chalkogenidových materiálov ako napr. Ge2oSb25Se55 (n = 3,11), As5oGe2oSe3o (n = 2,95), (Aso,33So,67)9oTeio (n = 2,3). Rovnako výsledky uvedené v obr. 4 - 6 sú príkladmi aplikácie ďalších chalkogenidových systémov Ag8As36,9Se55,i, Ge2oBi|OS7o, As4oS4oSe2O, As2oSe4oTe4o, vyznačujúcich sa n > 1.7. Obdobný výsledok bol získaný i pri aplikácii ďalších chalkogenidov binárnych (napr. SegoTeio, Ge33Sô7), ternárnych (napr. (Aso,3380,07)9515) alebo i zložitejších (napr. As4oS4oSeioGeio). Vrstvy týchto zložitejších systémov bolo možné pripraviť tak odparovaním objemových vzorkov daného zloženia ako aj súbežným odparovaním jednoduchších chalkogenidových skiel z dvoch lodičiek (napŕ.As4oSeo, GC33S67, As^Se^o a pod.). Zosilnenie holografického efektu bolo dosiahnuté i pri postupnej aplikácii dvoch vrstiev chalkogenidu, tj. nanesenie dvoch vrstiev zosilňujúcich holografický efekt po sebe. Vrstvy niektorých chalkogenidov (najmä sulfídov, napr. Ge33S67) sú na vzduchu pomerne nestále a dochádza k ich hydrolýze, vedúcej k čiastočnému zabudovaniu kyslíka do ich štruktúry. I takto zhydrolyzované vrstvy plnia funkciu zosilňovača holografíckého efektu.
Príklad 2
Postupom podľa príkladu 1 bola na nosnú vrstvu 1 nanesená vrstva As^Sss o hrúbke 100 nm, čím bol dosiahnutý výrazný holografícký zosilňujúci efekt a hologram zaznamenaný v nosnej vrstve 1 bol zreteľne viditeľný v reflexii pri vhodnom uhle pozorovania. Takto pripravený systém bol ďalej modifikovaný s využitím už skôr popísaného javu expozícií indukovanej štrukturálnej zmeny vysokoindexovej vrstvy 2 (prechádza tak do stavu označeného v obr. 7 ako vrstva 3). Expozícia systému zo strany vysokoindexovej vrstvy 2 UV lampou (I = 18 mW/cm2) po dobu 300 sekúnd mala za následok zmenu optickej priepustnosti systému (obr. 6) a vďaka nárastu indexu lomu o cca 0,1 tiež k ďalšiemu zvýšeniu holografického efektu. V prípade, že expozícia bola uskutočnená cez masku, bola zmena optickej priepustnosti a indexu lomu vyvolaná len lokálne (vrstva 3 v obr. 7) a vo vrstve AS42S58 tak bol vytvorený negatívny obraz masky (exponované plochy menej transparentné), ktorý je viditeľný v priehľade a modifikuje optický vnem hologramu vytvoreného v nosnej vrstve 1 pri jeho pozorovaní v reflexii.
Obdobný výsledok bol dosiahnutý i vtedy, keď po naparení vrstvy AS42S58 bolo ešte pred expozíciou na pripravený systém vrstva 1 - vrstva 2 pôsobené parami jódu, čo viedlo k vzniku vrstvy systému As-S-I, ktorej výsledné zloženie závisí od doby pôsobenia, teploty a koncentrácie U (takto pripravená chalkohalogenidová vrstva mala už sama o sebe rovnako zosilňujúci holografický efekt).
Príklad 3
Postupom podľa príkladu 1 bola na nosnú vrstvu 1 nanesená 30 nm silná vrstva Gc3OSbioS6o a následne pokrytá 10 nm Ag (vrstva 4 v obr. 8). Následnou 300 s expozíciou Xe lampou (I = 20 mW/cm ) bola indukovaná difúzia Ag do vrstvy Ge3oSbioSeo, ktorá bola v prípade expozície cez masku opäť lokálna (vzniká vrstva Ag-Ge3oSbioSôo, označená v obr. 8 ako vrstva 5), ktorá má obecne vyšší index lomu ako vrstva samotného Ge3oSbioSôo, hodnota n závisí od množstva nadifundovaného Ag, ktoré je možné ovplyvniť podmienkami a dobou expozície). Po odstránení nezreagovaného Ag zmáčaním v roztoku zriedenej HNO3 (1:1) tak bol v pôvodnej vrstve 2 zaznamenaný obraz masky, ktorý je opäť viditeľný v priehľade a ktorý modifikuje optický vnem hologramu vytvoreného v nosnej vrstve 1 pri jeho pozorovaní v reflexii.
Príklad 4
Výsledný produkt podľa príkladu 3 bol ďalej zmáčaný v kúpeli 0,02 mol/l KOH, v ktorom sa čiastočne rozpúšťa vysokoindexová vrstva 2, zatiaľ čo vrstva 5 je voči účinkom tohto kúpeľa odolná. Výsledkom je získanie reliéfneho obrazu v chalkogenidovej vrstve viditeľného v priehľade, ktorý opäť modifikuje optický vnem hologramu vytvoreného v nosnej vrstve 1 pri jeho pozorovaní v reflexii.
Príklad 5
Na nosnú vrstvu 1 nesúcu difrakčný obraz bola zo strany reliéfneho hologramu pri tlaku 5.10-4 Pa vákuovým naparovaním (rýchlosť naparovania 1 nm/s) nanesená tenká vrstva o zložení Ge24,6Gaio,2S64,8Pro,35 o hrúbke 40 nm. Aplikácia tohoto materiálu ako vysokoindexovej vrstvy 2 viedla opäť k zosilneniu holografického efektu, t.j. hologram vytvorený v nosnej vrstve 1 bol pri vhodnom uhle pozorovania v reflexii zreteľne pozorovateľný.
Príklad 6
Na polykarbonátovú nosnú vrstvu 1 bola nanesená zo strany hologramu metódou spin coating za normálneho tlaku tenká vrstva o zložení As4oSôo· Ako východzí roztok bol použitý 0,8 mol/l roztok As4oSôo v n-propylamíne, hrúbky pripravených vrstiev boli v rozmedzí 0,5 2 μιη. I v tomto prípade nanesenie vrstvy As40SĎ0 viedlo k čiastočnému zlepšeniu optického vnemu hologramu vytvoreného vo vrstve 1 pri jeho pozorovaní v reflexii.
Obdobný výsledok bol dosiahnutý i aplikáciou roztokov AS33S67 a As4oSďo v n-propylamíne alebo trietylamíne prípadne púhym náterom týchto roztokov na nosnú vrstvu 1.
Príklad 7
Na polykarbonátovú nosnú vrstvu 1 bola vákuovým naparovaním nanesená 30 nm silná vrstva AS35S65 (vrstva 2). Do vzniknutej dvojvrstvy boli zo strany vysokoindexovej vrstvy 2 vyrazené s použitím Ni repliky a prítlačnej dosky za horúca (T = 150 °C) reliéfne štruktúry. Po niekoľkých minútach pri tejto teplote bol celý systém ochladený a iba potom uvolnený prítlak. Získaný produkt mal obdobné vlastnosti ako produkt pripravený spôsobom podľa Príkladu 1 pri aplikácii rovnako silnej vrstvy AS35S65 ako vysokoindexovej vrstvy 2. Celkom identický výsledok bol dosiahnutý i vtedy, ak vrstva o zložení AS35S65 bola na vrstvu 1 nanesená metódou CVD.
Príklad 8
Na nosnú vrstvu 1 nesúcu difrakčný obraz bola zo strany difrakčného obrazu pri tlaku 5.10-4 Pa vákuovým naparovaním (rýchlosť naparovania 1 nm/s) nanesená 20 nm silná vrstva o zložení Ge3oSbioSôo (n = 2,25). Získaný hologram bol umiestnený na listinu s textom a obrázkami (ktoré mali byť aplikáciou transparentného hologramu chránené) a zatavený i s týmto dokladom do 175 μπι hrubej polyesterovej fólie opatrenej vrstvou tavného lepidla.
Vzhľadom k vysokej transparentnosti hologramu (vo VIS medzi 45% - 85% v rozmedzí
400 - 750 nm, viď obr. 4 krivka 5) bol text i obrázok prekrytý hologramom dobre čitateľný a zároveň vzhľadom k pomerne vysokej reflektivite (24 - 15%, obr. 5 krivka 2) bol pri vhodnom uhle pozorovania zreteľne pozorovateľný v reflexii i ochranný hologram vytvorený v nosnej vrstve 1.
Obdobný výsledok (s rozdielnym stupňom transparentnosti a holografíckého efektu v závislosti od zloženia a hrúbky vrstvy 2) bol získaný i pri aplikácii ďalších hologramov so zosilneným holografickým efektom vyvolaným aplikáciou tenkej chalkogenidovej vrstvy 2 pripravených postupmi uvedenými v predchádzajúcich príkladoch 1 - 7.
Príklad jednej z možných štruktúr difrakčného prvku pripraveného postupom podľa patentu je uvedený na obr. 3 (vrátane postupu tvorby) a jednej z možných štruktúr viacvrstvového hologramu je uvedený na obr. 9, kde 6 je krycia vrstva, ktorá chráni vysokoindexovú vrstvu 2 alebo nosnú vrstvu 1 proti účinkom prostredia alebo nežiaducemu účinku následnej expozície UV žiarením, zvyšuje i mechanickú odolnosť, 7 je adhezívna vrstva, umožňujúca jednorazové alebo opakované pripevnenie hologramu či difrakčného prvku na výrobok, S fragilná vrstva, zaisťujúca priľnutie dvoch vrstiev k sebe, ktorá sa pri pokuse o opätovné oddelenie vrstiev znehodnotí a s ňou dôjde k trvalej deformácii a znehodnoteniu difrakčného prvku, 2 kotviaca vrstva, ktorá sa používa spravidla pre zlepšenie priľnavosti adhezívnej vrstvy 7 k vysokoindexovej vrstve 2 alebo nosnej vrstve 1, JO je adhezívna vrstva slúžiaca k prichyteniu hologramu na nosič 11 pred jeho vlastnou aplikáciou.
Priemyselná využiteľnosť
Vynález je využiteľný pri výrobe difrakčných prvkov, najmä hologramov. Vedľa technických aplikácií (napr. záznam obrazu alebo informácie) je možné tieto prvky využiť i v takých oblastiach ľudských aktivít ako je reklama, zabezpečovacia technika, ochrana pôvodnosti výrobku, zabezpečenie cenín proti ich falzifíkácii a pod.
Claims (9)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Transparentné a semitransparentné difrakčné prvky, najmä hologramy, obsahujúce najmenej dve vrstvy s rozdielnym indexom lomu, z ktorých prvá nosná vrstva (1) je transparentný polymér alebo kopolymér s indexom lomu nižším ako 1,7 a na nej je nanesená druhá na expozíciu citlivá vysokoindexová vrstva (2) zosilňujúca holografický efekt tvorená látkami na báze chalkogenidov s indexom lomu vyšším ako 1,7 a teplotou mäknutia nižšou ako 900 °C vyznačujúce satým, že prvý difrakčný obraz je mechanicky vytvorený v prvej nosnej vrstve a/alebo vo vysokoindexovej vrstve (2) a najmenej jeden ďalší difrakčný prvok je vytvorený vo vysokoindexovej vrstve (2) tvorenej látkami na báze chalkogenidov obsahujúcimi najmenej jeden prvok zo skupiny síra, selén, telúr, pričom látky na báze chalkogenidov sú vybrané zo skupiny binárnych, ternárnych a zložitejších chalkogenidových a/alebo chalkohalogenidových systémov obsahujúcich vedľa síry alebo selénu alebo telúru ako elektropozitívnejší prvok vybraný zo skupiny pozostávajúcej z prvkov meď, striebro, zlato, ortuť, bór, hliník, gálium, indium, tálium, kremík, germánium, cín, olovo, dusík, fosfor, arzén, antimón, bizmut.
- 2. Transparentné a semitransparentné difrakčné prvky podľa nároku 1 vyznačujúce sa tým, že látky na báze chalkogenidov ďalej obsahujú najmenej jeden prechodný kov a/alebo najmenej jeden prvok zo skupiny vzácnych zemín.
- 3. Transparentný a semitrasparentný difrakčný prvok podľa nárokov 1 a 2 vyznačujúci sa tým, že ďalej obsahuje kryciu vrstvu (6) a/alebo adhezívnu vrstvu (7) a/alebo fragilnú vrstvu (8), a/alebo kotviacu vrstvu (9).
- 4. Spôsob výroby transparentných a semitransparentných difrakčných prvkov, pričom prvý difrakčný obraz je vytvorený v prvej nosnej vrstve (1) a následne na nosnú vrstvu (1) je nanesená vysokoindexová vrstva (2), podľa nárokov laž3 vyznačujúci sa t ý m, že vysokoindexová vrstva (2) pozostáva z jednej alebo viac vrstiev látok na báze chalkogenidov rôzneho zloženia, pričom nanášanie rôznych látok na báze chalkogenidov sa uskutočňuje postupne alebo súčasne a ďalšie difrakčnč obrazy sú vytvárané vo vysokoindexovej vrstve (2).
- 5. Spôsob výroby podľa nárokov 1 a 3 vy zn ač uj ú c i sa t ý m, že sa na transparentnú nosnú vrstvu (1) nanesie vysokoindexová vrstva (2) a až potom sa mechanicky vytvorí prvý difrakčný obraz do vysokoindexovej vrstvy (2) a/alebo do obidvoch vrstiev, a potom sa vytvoria ďalšie difrakčnč obrazy do vysokoindexovej vrstvy (2) citlivej na expozíciu.
- 6. Spôsob podľa nárokov 4 a 5 vyznačujúci sa tým, že vysokoindexová vrstva (2) sa nanesie na vopred ofarbenú nosnú vrstvu (1).
- 7. Spôsob podľa nárokov 4až6 vyznačujúci sa tým, že sa vysokoindexová vrstva (2) nanesie za zníženého tlaku vákuovým naparovaním, naprašovaním alebo zrážaním kovových pár - CVD metódou .
- 8. Spôsob podľa nárokov 4 až 6 vyznačujúci sa t ý m, že sa vysokoindexová vrstva (2) nanesie na nosnú vrstvu (1) za normálneho tlaku nástrekom, natieraním alebo metódou spin-coating.
- 9. Spôsob podľa nárokov 4až8 vyznačujúci sa tým, že ďalšie difrakčné obrazy vo vysokoindexovej vrstve (2) obsahujúcej látky na báze chalkogenidov sa ďalej vytvárajú expozíciou žiarením a/alebo selektívnym leptaním a/alebo svetlom a/alebo termicky indukovanou metalickou difúziou a/alebo halogénom a/alebo kyslíkom, ktoré sa vnesú do vysokoindexovej vrstvy (2) tvorenej látkami na báze chalkogenidov interakciou s parami halogénu alebo s kyslíkom alebo vzdušnou hydrolýzou.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ1998760A CZ286152B6 (cs) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | Transparentní a semitransparentní difrakční prvky |
| PCT/CZ1999/000007 WO1999047983A1 (en) | 1998-03-13 | 1999-03-11 | Transparent and semitransparent diffractive elements, particularly holograms and their making process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SK13552000A3 true SK13552000A3 (sk) | 2001-06-11 |
| SK285788B6 SK285788B6 (sk) | 2007-08-02 |
Family
ID=5462198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SK1355-2000A SK285788B6 (sk) | 1998-03-13 | 1999-03-11 | Transparentné a semitransparentné difrakčné prvky, najmä hologramy, a spôsob ich výroby |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6452698B1 (sk) |
| EP (1) | EP1062547B1 (sk) |
| JP (1) | JP3581651B2 (sk) |
| AT (1) | ATE229661T1 (sk) |
| CA (1) | CA2323474C (sk) |
| CZ (1) | CZ286152B6 (sk) |
| DE (1) | DE69904452T2 (sk) |
| EA (1) | EA002393B1 (sk) |
| ES (1) | ES2189393T3 (sk) |
| HK (1) | HK1030062A1 (sk) |
| SK (1) | SK285788B6 (sk) |
| WO (1) | WO1999047983A1 (sk) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7239226B2 (en) | 2001-07-10 | 2007-07-03 | American Express Travel Related Services Company, Inc. | System and method for payment using radio frequency identification in contact and contactless transactions |
| FR2801246B1 (fr) * | 1999-11-19 | 2002-01-25 | Hologram Ind | Securisation de documents ou de produits par apposition d'un composant optiquement actif pour la verification de l'authenticite |
| DE10039374A1 (de) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Eml Europ Media Lab Gmbh | Holographischer Datenspeicher |
| DE10064616C2 (de) * | 2000-12-22 | 2003-02-06 | Ovd Kinegram Ag Zug | Dekorfolie und Verfahren zum Beschriften der Dekorfolie |
| US7046892B2 (en) * | 2001-06-22 | 2006-05-16 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical waveguide, holographic medium, holographic storage and retrieval method and system |
| AU2002354556A1 (en) * | 2001-07-09 | 2003-01-29 | Dimensional Foods Corporation | Edibles containing edible optical elements and methods |
| US7735725B1 (en) | 2001-07-10 | 2010-06-15 | Fred Bishop | Processing an RF transaction using a routing number |
| US7360689B2 (en) | 2001-07-10 | 2008-04-22 | American Express Travel Related Services Company, Inc. | Method and system for proffering multiple biometrics for use with a FOB |
| US9024719B1 (en) | 2001-07-10 | 2015-05-05 | Xatra Fund Mx, Llc | RF transaction system and method for storing user personal data |
| US9454752B2 (en) | 2001-07-10 | 2016-09-27 | Chartoleaux Kg Limited Liability Company | Reload protocol at a transaction processing entity |
| US7249112B2 (en) | 2002-07-09 | 2007-07-24 | American Express Travel Related Services Company, Inc. | System and method for assigning a funding source for a radio frequency identification device |
| US9031880B2 (en) | 2001-07-10 | 2015-05-12 | Iii Holdings 1, Llc | Systems and methods for non-traditional payment using biometric data |
| GB2379441A (en) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | Polight Tech Ltd | Holographic recording medium |
| AU2002343084A1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-17 | Polight Technologies Ltd. | Holographic recording medium |
| WO2003055691A1 (de) | 2001-12-22 | 2003-07-10 | Ovd Kinegram Ag | Diffraktives sicherheitselement |
| AU2002367080A1 (en) | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Ovd Kinegram Ag | Diffractive security element having an integrated optical waveguide |
| US6943952B2 (en) * | 2002-04-08 | 2005-09-13 | Hologram Industries (Sa) | Optical security component |
| US6805287B2 (en) | 2002-09-12 | 2004-10-19 | American Express Travel Related Services Company, Inc. | System and method for converting a stored value card to a credit card |
| WO2004078459A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-09-16 | Toray Plastics (America), Inc. | High refractive index coated embossable film and method for producing it |
| DE10312708B4 (de) | 2003-03-21 | 2007-06-28 | Ovd Kinegram Ag | Retroreflektor |
| DE10361130A1 (de) * | 2003-12-22 | 2005-07-28 | Giesecke & Devrient Gmbh | Sicherheitselement mit Beugungsstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US7157135B2 (en) * | 2004-06-09 | 2007-01-02 | Toray Plastics (America), Inc. | Co-extruded high refractive index coated embossable film |
| DE102005061749A1 (de) | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Giesecke & Devrient Gmbh | Optisch variables Sicherheitselement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| ES2325894B1 (es) * | 2006-02-24 | 2010-10-28 | Universidad De Cadiz | Metodo y aparato para la fabricacion de elementos opticos difractivos. |
| DE102006015593A1 (de) * | 2006-04-04 | 2007-10-18 | Tesa Scribos Gmbh | Holographisches Speichermaterial |
| GB0711434D0 (en) | 2007-06-13 | 2007-07-25 | Rue De Int Ltd | Holographic security device |
| US20100181004A1 (en) * | 2007-07-03 | 2010-07-22 | Munekazu Akimoto | Hologram pattern forming method, method for manufacturing film having hologram pattern, laminate film and container |
| US20110273756A1 (en) * | 2008-12-29 | 2011-11-10 | Shih-Yuan Wang | Dynamically reconfigurable holograms with chalcogenide intermediate layers |
| JPWO2011099550A1 (ja) * | 2010-02-15 | 2013-06-13 | 株式会社ニコン | 光学素子及び光学系 |
| MD341Z (ro) * | 2010-07-30 | 2011-09-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Procedeu de executare a reţelelor holografice de difracţie în relief |
| CN106831541B (zh) | 2011-11-18 | 2019-09-06 | 赫普泰雅治疗有限公司 | 毒蕈碱性m1受体激动剂 |
| EA023384B1 (ru) * | 2012-05-18 | 2016-05-31 | Государственное Научное Учреждение "Физико-Технический Институт Национальной Академии Наук Беларуси" | Способ формирования защитного покрытия на полимерном основании |
| US20170363880A1 (en) * | 2014-12-03 | 2017-12-21 | President And Fellows Of Harvard College | Direct laser writing of 3-d gratings and diffraction optics |
| GB201513743D0 (en) | 2015-08-03 | 2015-09-16 | Heptares Therapeutics Ltd | Muscarinic agonists |
| GB201617454D0 (en) | 2016-10-14 | 2016-11-30 | Heptares Therapeutics Limited | Pharmaceutical compounds |
| GB201709652D0 (en) * | 2017-06-16 | 2017-08-02 | Heptares Therapeutics Ltd | Pharmaceutical compounds |
| JP7172024B2 (ja) * | 2017-09-12 | 2022-11-16 | 日本電気硝子株式会社 | カルコゲナイドガラス材 |
| GB201810239D0 (en) | 2018-06-22 | 2018-08-08 | Heptares Therapeutics Ltd | Pharmaceutical compounds |
| GB201819960D0 (en) | 2018-12-07 | 2019-01-23 | Heptares Therapeutics Ltd | Pharmaceutical compounds |
| GB202020191D0 (en) | 2020-12-18 | 2021-02-03 | Heptares Therapeutics Ltd | Pharmaceutical compounds |
| US11187889B2 (en) | 2019-04-29 | 2021-11-30 | International Business Machines Corporation | Phase-change spatial light modulator |
| US11322684B2 (en) | 2019-08-15 | 2022-05-03 | International Business Machines Corporation | Electrically rotatable antennas formed from an optically tunable material |
| CN111204973A (zh) * | 2020-01-08 | 2020-05-29 | 中山大学 | 一种高品质稀土掺杂的硫系薄膜的制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3703407A (en) | 1970-12-15 | 1972-11-21 | Rca Corp | Relief phase holograms |
| US3825317A (en) * | 1971-07-28 | 1974-07-23 | Canon Kk | Application of a novel photosensitive member to hologram |
| DE2237177A1 (de) * | 1971-07-28 | 1973-02-22 | Canon Kk | Hologramm |
| KR860009325A (ko) * | 1985-05-07 | 1986-12-22 | 기다지마 요시도시 | 투명형 홀로그램 |
| WO1989009989A1 (en) * | 1988-04-12 | 1989-10-19 | Dia Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and method of manufacturing same |
| DK0723875T3 (da) * | 1989-01-31 | 2001-12-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Fremgangsmåder til tilvejebringelse af varmeoverførte registreringer og varmeoverførte billedmodtagende ark |
| US5465238A (en) * | 1991-12-30 | 1995-11-07 | Information Optics Corporation | Optical random access memory having multiple state data spots for extended storage capacity |
| JP3284744B2 (ja) * | 1994-04-20 | 2002-05-20 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| NL1001876C2 (nl) * | 1995-12-12 | 1997-06-17 | Ing Groep Nv | Werkwijze voor het aanbrengen van een beveiligingskenteken op een voor- werp, zoals een bankpas, creditcard, identiteitsbewijs of onderdeel van een motor of machine. |
-
1998
- 1998-03-13 CZ CZ1998760A patent/CZ286152B6/cs not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-03-11 JP JP2000537118A patent/JP3581651B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-11 WO PCT/CZ1999/000007 patent/WO1999047983A1/en active IP Right Grant
- 1999-03-11 ES ES99906025T patent/ES2189393T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-11 SK SK1355-2000A patent/SK285788B6/sk unknown
- 1999-03-11 AT AT99906025T patent/ATE229661T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-03-11 EP EP99906025A patent/EP1062547B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-11 EA EA200000930A patent/EA002393B1/ru not_active IP Right Cessation
- 1999-03-11 US US09/646,263 patent/US6452698B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-11 DE DE69904452T patent/DE69904452T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-11 CA CA002323474A patent/CA2323474C/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-07 HK HK01100867A patent/HK1030062A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SK285788B6 (sk) | 2007-08-02 |
| EA200000930A1 (ru) | 2001-06-25 |
| JP3581651B2 (ja) | 2004-10-27 |
| CZ76098A3 (cs) | 1999-09-15 |
| ATE229661T1 (de) | 2002-12-15 |
| HK1030062A1 (en) | 2001-04-20 |
| CA2323474C (en) | 2006-05-30 |
| DE69904452D1 (de) | 2003-01-23 |
| CA2323474A1 (en) | 1999-09-23 |
| DE69904452T2 (de) | 2003-09-11 |
| JP2002507770A (ja) | 2002-03-12 |
| EP1062547B1 (en) | 2002-12-11 |
| ES2189393T3 (es) | 2003-07-01 |
| EA002393B1 (ru) | 2002-04-25 |
| WO1999047983A1 (en) | 1999-09-23 |
| US6452698B1 (en) | 2002-09-17 |
| EP1062547A1 (en) | 2000-12-27 |
| CZ286152B6 (cs) | 2000-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SK13552000A3 (sk) | Transparentné a semitransparentné difrakčné prvky, najmä hologramy, a spôsob ich výroby | |
| US5464710A (en) | Enhancement of optically variable images | |
| Popescu | Disordered chalcogenide optoelectronic materials: phenomena and applications | |
| EP0045409B1 (en) | Fabrication of holograms on plastic substrates | |
| TWI383275B (zh) | 具有圖案之反射光學結構 | |
| CN104647938B (zh) | 一种制备光学防伪元件的方法 | |
| CA2549207C (en) | Process for marking object surfaces | |
| CA2400894A1 (en) | Sheeting with composite image that floats | |
| CZ298454B6 (cs) | Dekoracní fólie, zpusob popisování dekoracních fólií a použití dekoracní fólie | |
| Feigel et al. | Chalcogenide glass-based three-dimensional photonic crystals | |
| KR101902659B1 (ko) | 단속된 금속성 층으로 코팅된 표면을 포함하는 태양광 관리를 위한 반투명 건축 요소 | |
| KR20170098228A (ko) | Ir 반사 필름 | |
| US6689476B2 (en) | Hydrophobic coating including oxide of Ni and/or Cr | |
| GB1600507A (en) | Method of continuous tone imaging and imaging film therefor | |
| US4246337A (en) | Photosensitive medium for optical information storage | |
| JP7474056B2 (ja) | 光学フィルタ | |
| GB1563513A (en) | Optical information storage material | |
| JPS6137601B2 (sk) | ||
| SU528799A1 (ru) | Фоточувствительный материал | |
| CN118629310A (zh) | 基于烧白技术的环保激光全息二维码防伪标识及制作方法 | |
| JPS6015054B2 (ja) | 感光性ガラスの着色画像の定着法 | |
| RU2298839C1 (ru) | Способ записи информации на халькогенидной пленке | |
| JP2897546B2 (ja) | ホログラム転写箔 | |
| JPH05150101A (ja) | 赤外光用光学部品 | |
| JP2005181642A (ja) | フォトクロミック素子およびその製造方法 |