ES2325894B1 - Metodo y aparato para la fabricacion de elementos opticos difractivos. - Google Patents

Metodo y aparato para la fabricacion de elementos opticos difractivos. Download PDF

Info

Publication number
ES2325894B1
ES2325894B1 ES200600446A ES200600446A ES2325894B1 ES 2325894 B1 ES2325894 B1 ES 2325894B1 ES 200600446 A ES200600446 A ES 200600446A ES 200600446 A ES200600446 A ES 200600446A ES 2325894 B1 ES2325894 B1 ES 2325894B1
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
radiation
substrate
optical elements
diffractive optical
starting material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES200600446A
Other languages
English (en)
Other versions
ES2325894A1 (es
Inventor
Juan Maria Gonzalez Leal
Jose Andres Angel Ruiz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Universidad de Cadiz
Original Assignee
Universidad de Cadiz
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Universidad de Cadiz filed Critical Universidad de Cadiz
Priority to ES200600446A priority Critical patent/ES2325894B1/es
Priority to EP07704761A priority patent/EP1990441B1/en
Priority to AT07704761T priority patent/ATE540136T1/de
Priority to ES07704761T priority patent/ES2380126T3/es
Priority to US12/280,319 priority patent/US20090087581A1/en
Priority to PCT/ES2007/000052 priority patent/WO2007096440A1/es
Publication of ES2325894A1 publication Critical patent/ES2325894A1/es
Application granted granted Critical
Publication of ES2325894B1 publication Critical patent/ES2325894B1/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/545Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
    • C23C14/547Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02Pretreatment of the material to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3435Applying energy to the substrate during sputtering
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/18Diffraction gratings
    • G02B5/1847Manufacturing methods
    • G02B5/1857Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams

Abstract

Método y aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos.
La presente invención propone un método para la fabricación de elementos ópticos difractivos de una forma simple y económica. Este método incluye los siguientes pasos: (a) situar un substrato transparente próximo a un material de partida, ambos ubicados en el interior de una cámara; (b) modular espacialmente una radiación proveniente de una fuente de radiación según un patrón de difracción requerido; (c) irradiar el substrato de forma que la radiación lo atraviese; (d) exponer el material de partida a la radiación transmitida a través del substrato, de modo que al incidir la radiación sobre el material de partida se produzca su evaporación o sublimación; (e) depositar la fase de vapor del material de partida sobre el substrato; y (f) registrar en el material depositado una estructura difractiva durante el proceso de deposición irradiando el material depositado de forma concurrente a través del substrato con la radiación modulada. El elemento fabricado presenta funcionalidad ópticadifractiva a causa de los cambios locales inducidos en su estructura, gobernados por la distribución de la intensidad luminosa empleada en el proceso de fabricación

Description

Método y aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos.
Referencias citadas Patentes
US 5,910,256 6/1999 Tsunetomo et al.
US 6,110,291 8/2000 Haruta et al.
US 6,452,698 B1 9/2002 Vlcek et al.
US 6,649,861 B2 11/2003 Duignan
US 6,766,764 B1 7/2004 Chrisey et al.
US 6,924,457 B2 8/2005 Koyama et al.
Otras publicaciones
J. Teteris y M. Reinfelde, "Holographic recording in amorphous chalcogenide semiconductor thin films", Journal of Non-Crystalline Solids 326&327 (2003) 494.
A.V. Kolobov y Ka. Tanaka, en "Photoinduced Phenomena in Amorphous Chalcogenides: From Phenomenology to Nanoscale", Handbook of Advanced Electronic and Photonic Materials and Devices, Vol. 5, Hari Singh Nalwa, ed. (Academic Press, San Diego, 2001), p. 47.
A. Zakery, Y. Ruan, A. V. Rode, M. Samoc y B. Luther-Davies, "Low-loss waveguides in ultrafast laser-deposited As2S3 chalcogenide films", J. Opt. Soc. Am. B 20 (2003) 1844.
Campo de la invención
La presente invención se enmarca en el campo de los elementos ópticos con funcionalidad difractiva, y los métodos para fabricarlos.
Estado de la técnica
Los elementos ópticos tienen una gran importancia en todos aquellos campos tecnológicos en los que se necesita modular la distribución espacial de la luz. Ante tal demanda, se hace necesaria la optimización de las técnicas de fabricación de estructuras ópticas simples, así como la producción de estructuras ópticas con nuevas funcionalidades.
Existe una variedad de métodos para la fabricación de elementos ópticos difractivos, así como para el registro de estructuras difractivas en medios semiconductores, los cuales se basan en el procesado de un material soporte empleando técnicas fotolitográficas clásicas, u otras más modernas de ablación láser [US 5,910,256] [US 6,924,457 B2], o registro holográfico [US 6,452,698 B1] [Teteris y Reinfelde]. A diferencia de la presente invención, todos ellos comparten el carácter secuencial (no concurrente) del proceso, es decir, los métodos incluyen (a) la preparación previa del material soporte, y (b) su procesado posterior.
Por otro lado, por su relevancia con la invención aquí expuesta y reclamada, y al entender de los firmantes, son de destacar los métodos de deposición asistidos por luz, los cuales son ampliamente conocidos y usados en tecnologías planares [US 6,110,291]. En estas tecnologías se emplean láseres pulsados para la deposición de compuestos conductores, semiconductores y superconductores, destinados a integrar dispositivos ópticos y/o electrónicos, tanto activos como pasivos. Así, pueden encontrarse patentes reclamando derechos sobre la explotación industrial de un variado número de dispositivos planares basados en el método de deposición asistido por láser pulsado o PLD. Una búsqueda avanzada demuestra, además, que en todos los casos las invenciones evitan la interacción entre el haz láser y la fase de vapor, o pluma de plasma, generada a partir del material de partida, de forma que la configuración de los sistemas empleados consideran que el haz pulsado que produce la ablación del material de partida y la pluma del material eyectado son no colineales, y en ningún caso se considera actuación concurrente alguna sobre el depósito durante su crecimiento, vía irradiación luminosa.
Igualmente, por su relevancia con la presente invención, y con el fin de demostrar su actividad inventiva, citamos el único caso encontrado [US 6,766,764 B1] en el que un haz láser pulsado incide a través de una de las caras de un substrato transparente. En esta patente, el substrato transparente no está destinado a servir de soporte al depósito y permitir su fotomodelado estructural durante el crecimiento, sino que, por el contrario, soporta al material de partida. La invención citada considera que el substrato soporta una capa de un material que es fotoevaporable, la cual a su vez soporta a una capa del material destinado a ser depositado sobre un segundo substrato. La base de esta invención es que la evaporación fotoinducida del material de transferencia, a través del substrato transparente, produce la eyección del material de interés en una zona localizada del substrato receptor. Al igual que en los casos anteriores, en esta invención no se considera actuación concurrente alguna sobre el depósito durante su crecimiento, vía irradiación luminosa.
Finalmente, destacamos, de nuevo hasta donde ha alcanzado nuestra búsqueda, que en el único caso encontrado en el que se contempla la estructuración del depósito, ésta se realiza de forma secuencial, en dos pasos, dentro del sistema de fabricación, produciendo un depósito planar previo, vía irradiación luminosa, y la ablación posterior de éste, también mediante irradiación luminosa, que está condicionada a un cambio en la configuración del sistema que permite la exposición del material ya depositado al haz luminoso [US 6,649,861 B2]. En cualquier caso, el objeto de la invención (tecnologías planares) no es relevante para la actividad inventiva aquí expuesta.
Bases de la invención
La presente invención propone un método para la fabricación asistida por luz de depósitos de compuestos semiconductores que sirven de soporte a estructuras ópticas difractivas, que se sustenta en las siguientes evidencias
físicas:
1.
Fragmentos estructurales de los elementos constituyentes de compuestos semiconductores puede ser eyectados de un sólido al irradiarlos con luz de energía fotónica comparable (del orden de magnitud) a su gap óptico, con una intensidad lo suficientemente elevada. Esta intensidad depende del tipo de material semiconductor.
2.
La fase de vapor generada, o pluma de plasma, se condensa sobre un substrato ubicado en las proximidades del material de partida, dando lugar a un depósito de este material sobre el substrato.
3.
La morfología del depósito está relacionada con las características de la pluma o fase de vapor, las cuales dependen de la distribución espacial de la intensidad de la radiación luminosa sobre el material blanco, la radiancia espectral de la fuente luminosa, la distancia entre el material blanco y el substrato, la presión y la atmósfera en la cámara, la temperatura del material de partida, la temperatura del substrato, y el tiempo de irradiación.
4.
La iluminación concurrente del depósito en crecimiento afecta las propiedades físico-químicas del material que forma dicho depósito, vía su efecto sobre la estructura del material en formación (ver Figura 1). La creación de estructuras con funcionalidad difractiva puede ser controlada a través de la distribución espacial de la intensidad luminosa que incide de forma concurrente sobre la zona de depósito del substrato, y pueden cubrir un amplio intervalo de espaciados difractivos [Kolobov y Tanaka]. Estas estructuras pueden ser de fase (consecuencia de cambios locales en el espesor y/o el índice de refracción en el depósito) y/o de amplitud (consecuencia de cambios locales en el coeficiente de absorción en el depósito).
\vskip1.000000\baselineskip
Sobre la base de las anteriores evidencias, los firmantes de la presente patente proponen un método sencillo, no obvio, para la fabricación de estructuras ópticas difractivas en medios semiconductores.
Un escenario preferido para la invención, no exclusivo en lo que se refiere al material usado, ni a la configuración del sistema de fabricación, es aquel en el que un haz láser continuo, con una longitud de onda de 532 nm, y con una distribución espacial de la intensidad luminosa con su fase siguiendo el patrón de las zonas de Fresnel, atraviesa perpendicularmente un substrato transparente de caras planoparalelas antes de alcanzar un material blanco situado a pocos milímetros del substrato. Tal modulación puede conseguirse con un conjunto de elementos ópticos tal como se ilustra en la Figura 3. Tal material blanco es un disco (pastilla) de alrededor de 1 cm de diámetro y 2 mm de espesor, formado por polvo compactado de una aleación de un semiconductor amorfo V-VI (por ejemplo, una aleación de As y S), que es sensible a la energía fotónica de la radiación luminosa procedente de una fuente láser de Nd:YAG (2.33 eV). Las caras enfrentadas del substrato y de la pastilla son paralelas.
La configuración descrita produce un depósito con una morfología asférica, que soporta una distribución de anillos concéntricos en forma de relieves superficiales de alta frecuencia espacial, como ilustra la Figura 2. Tales elementos ópticos combinan la funcionalidad refractiva del perfil de baja frecuencia espacial, con la funcionalidad difractiva de alta frecuencia espacial añadida mediante las zonas de Fresnel. Esta combinación puede emplearse en la compensación, por ejemplo, de las aberraciones cromáticas que presentan estas estructuras ópticas cuando realizan su función óptica característica de forma independiente.
La transparencia de los semiconductores V-VI en la región espectral infrarroja (IR) [Kolobov y Tanaka] garantiza la estabilidad de los elementos ópticos fabricados en esta ventana espectral, lo que la convierte pues en la región espectral de trabajo preferida.
\newpage
No obstante, los firmantes de la presente patente han observado que los elementos ópticos producidos según el escenario preferido descrito, y posiblemente debido a la iluminación concurrente del material siendo depositado, presentan una mayor transparencia óptica, y un umbral de daño más elevado a la radiación láser empleada en el proceso de fabricación, en comparación con el del material de partida. Se ha observado experimentalmente un aumento en la intensidad de daño de más de un orden de magnitud en aleaciones de composición As_{20}S_{80}, con respecto a la intensidad soportada por el material de partida.
Por otra parte, por su relevancia con la presente invención, se ha demostrado [Zakery et al.] que el recubrimiento de un depósito calcogenuro amorfo con una capa de polimetil metacrilato (PMMA), aumenta varios órdenes de magnitud el umbral de daño a la radiación para la que la aleación calcogenura, sin recubrimiento alguno, seria sensible.
Con tales evidencias, propias y reportadas en la literatura, se infiere que aunque la IR sea la ventana preferida, no debe considerarse como exclusiva.
Descripción de las figuras
Figura 1. Patrones de difracción de rayos X correspondientes a: (a) un lingote de la aleación amorfa As_{20}S_{80}, (b) una pastilla formada a partir del polvo compactado de este material, y que constituye el material de partida usado en los ejemplos reales descritos en esta patente, y (c) el correspondiente a un depósito realizado a partir de este material de partida mediante el método descrito en la presente invención. Los resultados demuestran la diferencia estructural entre el material depositado y el material de partida.
Figura 2. Esquema ilustrativo de la combinación de la funcionalidad refractiva de un elemento óptico asférico (a) y la funcionalidad difractiva de un elemento óptico formado por placas zonales de Fresnel (b), para formar un elemento óptico como el representado en (c), con la sección transversal mostrada en (d).
Figura 3. Ejemplo de una combinación de elementos ópticos que produce una modulación en la intensidad luminosa en la forma de placas zonales de Fresnel. Tal radiación actúa sobre el depósito en formación, para la fabricación, según la presente invención, de un elemento óptico que combina funcionalidades refractivas y difractivas.
Objetos:
100.-
Material de partida.
101.-
Substrato.
102.-
Depósito.
201.-
Divisor de haz.
202.-
Lente.
203.-
Lente.
204.-
Espejo.
205.-
Espejo.
206.-
Lente.
207.-
Divisor de haz.
208.-
Lente.
209.-
Atenuador.
300.-
Haz luminoso.
301.-
Componente transversal del haz 300 tras su paso por el divisor de haz 201.
302.-
Componente longitudinal del haz 300 tras su paso por el divisor de haz 201.
\vskip1.000000\baselineskip
Figura 4. Esquema de la sección transversal del aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos según la presente invención, en una configuración colineal, donde un solo haz luminoso genera la fase de vapor del material de partida e irradia de forma concurrente el depósito durante su crecimiento.
\newpage
\global\parskip0.990000\baselineskip
Objetos:
1.-
Cámara.
2 y 3.-
Ventanas transparentes, practicadas en la cámara.
4.-
Fuente de radiación luminosa.
5.-
Material de partida.
6.-
Substrato.
7.-
Medios de modulación opto-mecánicos.
8.-
Fuente calefactora.
Figura 5. Esquema de la sección transversal del aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos, según la presente invención, en una configuración colineal, donde más de una fuente de radiación luminosa interviene en el proceso.
Objetos:
1.-
Cámara.
2 y 3.-
Ventanas transparentes, practicadas en la cámara.
4.-
Fuente de radiación luminosa.
5.-
Material de partida.
6.-
Substrato.
7.-
Medios de modulación opto-mecánicos.
8.-
Fuente calefactora.
9.-
Fuente de radiación luminosa.
10.-
Medios de modulación opto-mecánicos.
11.-
Divisor de haz.
Figura 6. Esquema de la sección transversal del aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos según la presente invención, en una configuración no colineal, donde una fuente de radiación luminosa interviene exclusivamente en la eyección del material de partida, y una fuente de radiación adicional interviene en la creación de estructuras difractivas en el depósito.
Objetos:
1.-
Cámara.
2 y 3.-
Ventanas transparentes, practicadas en la cámara.
4.-
Fuente de radiación luminosa.
5.-
Material de partida.
6.-
Substrato.
7.-
Medios de modulación opto-mecánicos.
8.-
Fuente calefactora.
12.-
Fuente de radiación luminosa.
13.-
Medios de modulación opto-mecánicos.
14.-
Espejo.
\global\parskip1.000000\baselineskip
Figura 7. Esquema de la sección transversal del aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos según la presente invención, en una configuración no colineal, donde dos o más fuentes de radiación luminosa intervienen en la eyección del material de partida, y dos o más fuentes de radiación adicionales intervienen en la creación de estructuras difractivas en el depósito.
Objetos:
1.-
Cámara.
2 y 3.-
Ventanas transparentes, practicadas en la cámara.
4.-
Fuente de radiación luminosa.
5.-
Material de partida.
6.-
Substrato.
7.-
Medios de modulación opto-mecánicos.
8.-
Fuente calefactora.
9.-
Fuente de radiación luminosa.
10.-
Medios de modulación opto-mecánicos.
11.-
Divisor de haz.
12.-
Fuente de radiación luminosa.
13.-
Medios de modulación opto-mecánicos.
14.-
Espejo.
15.-
Fuente de radiación luminosa.
16.-
Medios de modulación opto-mecánicos.
17.-
Divisor de haz.
Descripción de la invención
La presente invención propone un método según la reivindicación independiente 1 y un aparato según la reivindicación independiente 13 para la fabricación de elementos ópticos difractivos de una forma simple y económica y un elemento óptico difractivo según la reivindicación independiente 12 obtenido mediante el método de la invención.
El método de la invención comprende los siguientes pasos: (a) situar un substrato (6), que es transparente tanto a la radiación de trabajo a la que va destinado el elemento óptico fabricado como a la radiación empleada en la fabricación, próximo a un material de partida (5), ambos ubicados en el interior de una cámara (1); (b) modular espacialmente una radiación proveniente de una fuente de radiación (4) según un patrón de difracción requerido; (c) irradiar el substrato (6) de forma que la radiación lo atraviese; (d) exponer el material de partida (5) a la radiación transmitida a través del substrato (6), de modo que al incidir la radiación sobre el material de partida (5) se produzca su evaporación o sublimación; (e) depositar la fase de vapor del material de partida (5) sobre el substrato (6); y (f) registrar en el material depositado una estructura difractiva durante el proceso de deposición irradiando el material depositado de forma concurrente a través del substrato (6) con la radiación modulada.
El aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos de la presente invención comprende: (a) una cámara (1) con al menos una ventana transparente; (b) un sistema de vacío; (c) una fuente de radiación luminosa; (d) un substrato (6) transparente tanto a la radiación de trabajo a la que va destinado el elemento óptico fabricado como a la radiación de la fuente de radiación luminosa, estando localizado dicho substrato (6) en el trayecto óptico de la radiación procedente de la fuente de radiación luminosa; (e) medios de soporte mecánicos, ubicados en el interior de la cámara (1), que soportan el substrato (6) y que le confieren libertad para moverse en las tres direcciones cartesianas, x', y', z', así como rotar alrededor de un eje perpendicular a su superficie, \theta', y alrededor de un eje paralelo a su superficie, \varphi'; (f) un material de partida (5), localizado en el trayecto óptico de la radiación transmitida a través del substrato (6) y situado suficientemente próximo al substrato (6) para que la fase de vapor generada por la irradiación se condense sobre el substrato (6); (g) medios de soporte mecánicos, ubicados en el interior de la cámara (1), que soportan el material de partida (5) y que le confieren libertad para moverse en las tres direcciones cartesianas, x, y, z, así como rotar alrededor de un eje perpendicular a su superficie, \theta, de forma no solidaria con el substrato (6); y (h) medios de modulación opto-mecánicos (7, 10), ubicados en el exterior de la cámara (1), que modulan la distribución espacial de la radiación luminosa incidente sobre el substrato (6) según el patrón difractivo requerido.
El elemento fabricado presenta funcionalidad óptica difractiva a causa de los cambios locales inducidos en su estructura, gobernados por la distribución de la intensidad luminosa empleada en el proceso de fabricación.
Son objetos de la presente invención:
a)
proporcionar un método simple de fabricación de elementos ópticos con funcionalidad difractiva,
b)
proporcionar un método y un aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos usando radiación luminosa,
c)
proporcionar un método y un aparato para la fabricación de elementos ópticos que combinen funcionalidades refractivas y difractivas,
d)
proporcionar un método y un aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos con extensión de su funcionalidad a altas intensidades luminosas,
e)
proporcionar un método y un aparato para mejorar la estabilidad y alargar la vida de las estructuras ópticas con funcionalidad difractiva, creadas en medios semiconductores.
La Figura 4 ilustra un primer escenario preferido según el método propuesto para la fabricación de elementos ópticos que combinen funcionalidades refractivas y difractivas. Con referencia a esta figura, el sistema consta de una cámara (1) con ventanas transparentes (2) y (3), y una fuente de radiación luminosa (4), continua o pulsada, un material de partida (5), y un substrato (6) que es transparente a la radiación procedente de la fuente de radiación luminosa (4), y transparente también a la radiación de trabajo a la que va destinado el elemento óptico que se pretende fabricar. La distribución espacial de la intensidad luminosa sobre el depósito es controlada mediante unos medios de modulación opto-mecánicos (7), que consisten en una combinación de elementos ópticos (lentes, espejos, filtros, divisores de haz, máscaras, moduladores espaciales de luz, de fase y de amplitud) y/o mecánicos (etapas de posicionamiento lineal, etapas de posicionamiento angular, moduladores espaciales de luz mecánicos) para modular espacialmente la radiación según el patrón difractivo requerido. En la Figura 3 se representa un conjunto de elementos ópticos que produce una modulación en la intensidad luminosa en la forma de placas zonales de Fresnel. Esta combinación de elementos sirve como ejemplo de los medios de modulación opto-mecánicos (7), (10), (13) y (16), indicados en las Figuras 4, 5, 6 y 7.
El método contempla la posibilidad de que sean varios los haces que emerjan de los medios de modulación opto-mecánicos (7), y que éstos interfieran sobre la zona del substrato donde se realizará el depósito, para registrar, por ejemplo, una red de Bragg, con control sobre el espaciado de la red a través del control del ángulo entre los haces interfirientes. El haz luminoso procedente de la fuente de radiación luminosa (4) (o haces, atendiendo a lo comentado) es introducido en la cámara a través de la ventana (2), y atraviesa el substrato (6) antes de incidir sobre el material de partida (5), para provocar su eyección. La generación de esta pluma puede estar asistida por calor a través de una fuente calefactora (8). La deposición puede estar también asistida térmicamente mediante el suministro de calor al substrato, de forma similar a la fuente calefactora (8) (no representado en la Figura 4). La deposición se realiza a presión y atmósfera controladas.
El material de partida (5), ubicado en el interior de la cámara puede ser un lingote de una aleación semiconductora, o una pastilla formada a partir del polvo de la aleación a depositar. La pastilla puede ser una mezcla homogénea o heterogénea de aleaciones semiconductoras que contengan algún elemento calcógeno (O, S, Se y/o Te) y otros reactivos, por ejemplo, Ge, Ga, Si, P, As, Sb, I, Pm, Sm, Eu, Er, que actúen como elementos tanto pasivos, como activos, para una determinada radiación luminosa. La aleación amorfa As_{20}S_{80} constituye el material de partida usado en los ejemplos reales descritos en esta patente. El material de partida está soportado por medios de soporte mecánicos que le confieren libertad para moverse en las tres direcciones cartesianas, x, y, z, así como rotar alrededor de un eje perpendicular a su superficie, \theta.
El substrato (6) está soportado por medios de soporte mecánicos que le confieren libertad para moverse en las tres direcciones cartesianas, x', y', z', así como rotar alrededor de un eje perpendicular a su superficie, \theta', y alrededor de un eje paralelo a su superficie, \varphi', de forma no solidaria con el material de partida.
La Figura 5 ilustra un segundo escenario preferido según el método propuesto para la fabricación de elementos ópticos que combinen funcionalidades refractivas y difractivas. Con referencia a esta figura, y de forma similar a lo descrito en la Figura 4, el sistema consta de una cámara (1) con ventanas transparentes (2) y (3), una primera fuente de radiación luminosa (4), continua o pulsada, una segunda fuente de radiación luminosa (9), continua o pulsada, un material de partida (5), y un substrato (6) que es transparente a las radiaciones procedentes de las fuentes de radiación luminosa (4) y (9), y transparente también a la radiación de trabajo a la que va destinado el elemento óptico que se pretende fabricar. El control de la distribución espacial de la intensidad de la radiaciones procedentes de las fuentes de radiación luminosa (4) y (9) se realiza mediante unos primeros (7) y unos segundos (10) medios de modulación opto-mecánicos, respectivamente, que consisten en combinaciones de elementos ópticos (lentes, espejos, filtros, divisores de haz, máscaras, moduladores espaciales de luz, de fase y de amplitud) y/o mecánicos (etapas de posicionamiento lineal, etapas de posicionamiento angular, moduladores espaciales de luz mecánicos) para modular espacialmente la radiación según el patrón difractivo requerido. Como en el escenario comentado anteriormente, el método contempla la posibilidad de que sean varios los haces que surjan de los medios de modulación opto-mecánicos (7), (10). Los haces procedentes de las fuentes (4) y (9) se encaminan hacia el interior de la cámara, a través de la ventana (2), vía el divisor de haz (11), con direcciones de propagación coincidentes, u opcionalmente, con direcciones de propagación no coincidentes. Ambos haces luminosos procedentes de las fuentes (4) y (9) atraviesan el substrato (6), y al menos uno de ellos provoca la eyección del material de partida (5). La generación de la pluma puede estar asistida por calor a través de una fuente calefactora (8). La deposición puede estar también asistida térmicamente mediante el suministro de calor al substrato, de forma similar a la fuente calefactora (8) (no representado en la Figura 5). La deposición se realiza a presión y atmósfera controladas.
La Figura 6 ilustra un tercer escenario preferido según el método propuesto para la fabricación de elementos ópticos que combinen funcionalidades refractivas y difractivas. Con referencia a esta figura, y de forma similar a lo descrito en las Figuras 4 y 5, el sistema consta de una cámara (1) con ventanas transparentes (2) y (3), una fuente de radiación luminosa (4), continua o pulsada, una segunda fuente de radiación luminosa (12), continua o pulsada, un material de partida (5), y un substrato (6) que es transparente a la radiación procedente de la fuente de radiación luminosa (4), y transparente también a la radiación de trabajo a la que va destinado el elemento óptico que se pretende fabricar. El control de la distribución espacial de la intensidad de la radiaciones procedentes de las fuentes (4) y (12) se realiza mediante medios de modulación opto-mecánicos, que consisten en combinaciones de elementos ópticos (lentes, espejos, filtros, divisores de haz, máscaras, moduladores espaciales de luz, de fase y de amplitud) y/o mecánicos (etapas de posicionamiento lineal, etapas de posicionamiento angular, moduladores espaciales de luz mecánicos) (7) y (13), respectivamente para modular espacialmente la radiación según el patrón difractivo requerido.
El haz procedente de la fuente (4) se introduce en la cámara a través de la ventana (2), y atraviesa el substrato (6) para irradiar el material que va a ser depositado. El haz procedente de la fuente (12) se introduce en la cámara a través de la ventana (3), vía el espejo (14), e incide sobre el material de partida para provocar su eyección. La generación de la pluma puede estar asistida por calor a través de una fuente calefactora (8). La deposición puede estar también asistida térmicamente mediante el suministro de calor al substrato, de forma similar a la fuente calefactora (8) (no representado en la Figura 6). La deposición se realiza a presión y atmósfera controladas.
La Figura 7 ilustra un cuarto escenario preferido según el método propuesto, más general, para la fabricación de elementos ópticos que combinen funcionalidades refractivas y difractivas. Con referencia a esta figura, y de forma similar a lo descrito en las Figuras 4, 5 y 6, el sistema consta de una cámara (1) con ventanas transparentes (2) y (3), primera (4) y segunda (9) fuentes de radiación luminosa, continuas o pulsadas, encargadas del registro de las estructuras difractivas, tercera (12) y cuarta (15) fuentes de radiación luminosa, continuas o pulsadas, encargadas de provocar la eyección del material de partida (5), y un substrato (6) que es transparente a las radiaciones procedentes de las fuentes (4) y (9), y transparente también a la radiación de trabajo a la que va destinado el elemento óptico que se pretende fabricar. El control de la distribución espacial de la intensidad de la radiaciones procedentes de las fuentes (4), (9), (12) y (15) se realiza mediante medios de modulación opto-mecánicos (7), (10), (13) y (16), respectivamente, que consisten en combinaciones de elementos ópticos (lentes, espejos, filtros, divisores de haz, máscaras, moduladores espaciales de luz, de fase y de amplitud) y/o mecánicos (etapas de posicionamiento lineal, etapas de posicionamiento angular, moduladores espaciales de luz mecánicos) para modular espacialmente la radiación. Los haces procedentes de las fuentes (4) y (9) se encaminan hacia el interior de la cámara, a través de la ventana (2), vía el divisor de haz (11), con direcciones de propagación coincidentes, u opcionalmente, con direcciones de propagación no coincidentes. Los haces procedentes de las fuentes (12) y (15) se combinan mediante el divisor de haz (17), y se introducen en la cámara a través de la ventana (3), vía el espejo (14), e inciden sobre el material de partida para provocar su eyección. La generación de la pluma puede estar asistida por calor a través de una fuente calefactora (8). La deposición puede estar también asistida térmicamente mediante el suministro de calor al substrato, de forma similar a la fuente calefactora (8) (no representado en la Figura 7). La deposición se realiza a presión y atmósfera controladas.
En una realización posible el aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos dispone adicionalmente de un sistema de inyección de gases (p. ej., He, Ne, Ar, H_{3}As, H_{2}S, H_{2}Se), no representado en las Figuras.
A continuación se describe un escenario real con el fin de ilustrar el uso de la presente invención para la fabricación de una lente asférica que combina funcionalidades refractivas y difractivas, altamente transparente en el IR, y con alto umbral de daño. El haz es tratado según el montaje óptico ilustrado en la Figura 3. El material de partida (100), en este caso, es una pastilla circular de 13 mm de diámetro, formada con 125 mg del polvo compactado, durante 10 minutos y con una carga de 10 toneladas, de una aleación calcogenura amorfa de composición As_{20}S_{80}, que presenta un gap óptico de 2.1 eV. La presión en la cámara se reduce por debajo de 10^{-4} mbar. La radiación luminosa (300) procede de un generador láser continuo de Nd:YAG emitiendo a 532 nm (2.33 eV), con una potencia de 1.5 W. El haz es filtrado mediante un filtro espacial, y colimado con una lente de 150 mm de focal (no mostrados en la Figura 3). El haz se divide empleando un cubo divisor de haz (201). La sección de uno los haces emergentes (301) se reduce mediante la combinación de una lente (202) de 150 mm y otra lente (203) de 75 mm de distancia focal, y se emplean espejos (204) y (205) para encaminarlo. Este haz se enfoca mediante una lente (206) de 50 mm de focal, y se dirige a un segundo divisor de haz (207). La componente trasversal que resulta de la interacción del haz (301) con el cubo divisor (207), es colimada mediante una lente (208) de 50 mm de focal. Esta lente constituye la salida del montaje óptico antes de introducir la radiación resultante en la cámara. Por otro lado, el segundo haz (302) emergente del primer divisor de haz atraviesa un atenuador (209) para compensar las pérdidas que sufre el haz (301). El haz (302) atraviesa el segundo divisor de haz (207) y es enfocado por la lente (208) de 50 mm de focal que se enfrenta a la cámara. El haz (302) induce mayormente la eyección del material de partida. El material eyectado de la superficie de la pastilla genera una distribución de la fase de vapor en forma de huso (pluma), que es perpendicular a la superficie irradiada de la pastilla. El substrato transparente (101) se ubica en la cámara perpendicular al eje óptico del montaje descrito, a 2 mm del material de partida, y es atravesado por la radiación generada a la salida de tal montaje. Sobre la cara del substrato enfrentada al material de partida, se condensa la fase de vapor de este material (102), presentando una distribución espacial asférica sobre su superficie. La actuación concurrente de la radiación luminosa, modulada según el patrón generado por la interferencia de los haces (301) y (302), sobre el depósito, produce un relieve superficial sobre la superficie asférica en la forma de placas zonales de Fresnel. No se descarta que, acompañando al relieve superficial observado, la radiación luminosa produzca cambios locales en el índice de refracción y/o el coeficiente de absorción en el material depositado. El elemento difractivo creado según el escenario descrito actuaria, en el caso de que no estuviera afectado por el perfil refractivo, como una lente difractiva de fase con una distancia focal de aproximadamente 25 mm.
Las condiciones del sistema pueden ajustarse para el depósito de un perfil de espesor tanto uniforme como variable, concentrado en una región localizada del substrato, o bien extendido de forma arbitraria sobre él. El área cubierta por el depósito y los perfiles de espesor pueden controlarse desplazando el haz luminoso sobre la superficie del material de partida y/o el substrato, vía los medios de soporte que confieren los grados de libertad x, y, z, \theta, x', y', z', \theta', \varphi', respectivamente, al material de partida, y al substrato, que aparecen esquematizados en las Figuras 4, 5, 6 y 7.

Claims (20)

1. Método para la fabricación de elementos ópticos difractivos caracterizado porque comprende las siguientes fases operativas:
(a)
situar un substrato (6), que es transparente tanto a la radiación de trabajo a la que va destinado el elemento óptico fabricado como a la radiación empleada en la fabricación, próximo a un material de partida (5), ambos ubicados en el interior de una cámara (1);
(b)
modular espacialmente una radiación proveniente de una fuente de radiación (4) según un patrón de difracción requerido;
(c)
irradiar el substrato (6) de forma que la radiación lo atraviese;
(d)
exponer el material de partida (5) a la radiación transmitida a través del substrato (6), de modo que al incidir la radiación sobre el material de partida (5) se produzca su evaporación o sublimación;
(e)
depositar la fase de vapor del material de partida (5) sobre el substrato (6);
(f)
registrar en el material depositado una estructura difractiva durante el proceso de deposición irradiando el material depositado de forma concurrente a través del substrato (6) con la radiación modulada.
\vskip1.000000\baselineskip
2. Método para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicación 1, caracterizado porque la vaporización o sublimación del material de partida (5) se realiza por medios lumínicos.
3. Método para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 1 y 2, caracterizado porque las radiaciones luminosas implicadas en el proceso son continuas o pulsadas.
4. Método para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque las radiaciones luminosas implicadas en el proceso son monocromáticas o policromáticas.
5. Método para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque las radiaciones luminosas implicadas en el proceso son coherentes o incoherentes.
6. Método para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 1 a 5, caracterizado
porque el material de partida (5) es un lingote o una pastilla formada a partir del polvo prensado del material a
depositar.
7. Método para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 1 a 6, caracterizado porque el material de partida (5) puede ser una mezcla homogénea o heterogénea, de aleaciones semiconductoras que contengan algún elemento calcógeno (O, S, Se y/o Te) y otros reactivos, que actúen como elementos tanto pasivos, como activos, para una determinada radiación luminosa.
8. Método para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 1 a 7, caracterizado porque el proceso se realiza a presión y atmósfera controladas.
9. Método para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 1 a 8, caracterizado porque la fase de vapor o plasma presente en el proceso procede de la evaporación y/o sublimación del material de partida (5) mediante la acción conjunta del calentamiento y la radiación luminosa.
10. Método para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 1 a 9, caracterizado porque la temperatura del substrato (6) es diferente de la temperatura ambiente.
11. Método para la fabricación de elementos ópticos difractivos según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 10, caracterizado porque las caras enfrentadas del material de partida (5) y el substrato (6) son paralelas.
12. Elemento óptico difractivo obtenido mediante el método según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 11.
13. Aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos, que comprende:
(a)
una cámara (1) con al menos una ventana transparente,
(b)
un sistema de vacío,
(c)
una fuente de radiación luminosa,
(d)
un substrato (6) transparente tanto a la radiación de trabajo a la que va destinado el elemento óptico fabricado como a la radiación de la fuente de radiación luminosa, estando localizado dicho substrato (6) en el trayecto óptico de la radiación procedente de la fuente de radiación luminosa,
(e)
medios de soporte mecánicos, ubicados en el interior de la cámara (1), que soportan el substrato (6) y que le confieren libertad para moverse en las tres direcciones cartesianas, x', y', z', así como rotar alrededor de un eje perpendicular a su superficie, \theta', y alrededor de un eje paralelo a su superficie, \varphi',
(f)
un material de partida (5), localizado en el trayecto óptico de la radiación transmitida a través del substrato (6) y situado suficientemente próximo al substrato (6) para que la fase de vapor generada por la irradiación se condense sobre el substrato (6),
(g)
medios de soporte mecánicos, ubicados en el interior de la cámara (1), que soportan el material de partida (5) y que le confieren libertad para moverse en las tres direcciones cartesianas, x, y, z, así como rotar alrededor de un eje perpendicular a su superficie, \theta, de forma no solidaria con el substrato (6),
(h)
medios de modulación opto-mecánicos (7, 10), ubicados en el exterior de la cámara (1), que modulan la distribución espacial de la radiación luminosa incidente sobre el substrato (6) según el patrón difractivo requerido.
\vskip1.000000\baselineskip
14. Aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos, según reivindicación 13, caracterizado porque dispone de un sistema de inyección de gases.
15. Aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicación 13, caracterizado porque dispone de una fuente calefactora para el material de partida (5).
16. Aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicación 13, caracterizado porque dispone de una fuente calefactora para el substrato (6).
17. Aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 13 a 16, caracterizado porque dispone de fuentes de radiación luminosa adicionales para producir la eyección del material de partida (5).
18. Aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 13 a 16, caracterizado porque dispone de fuentes de radiación luminosa adicionales para el registro de las estructuras difractivas.
19. Aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 17 o 18, caracterizado porque las radiaciones luminosas presentes en el proceso son iguales en su coherencia, cromaticidad, y carácter temporal (pulsado o continuo).
20. Aparato para la fabricación de elementos ópticos difractivos según reivindicaciones 17 o 18, caracterizado porque las radiaciones luminosas presentes en el proceso son diferentes en su dirección de propagación, intensidad, coherencia, cromaticidad, o carácter temporal (pulsado o continuo).
ES200600446A 2006-02-24 2006-02-24 Metodo y aparato para la fabricacion de elementos opticos difractivos. Active ES2325894B1 (es)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ES200600446A ES2325894B1 (es) 2006-02-24 2006-02-24 Metodo y aparato para la fabricacion de elementos opticos difractivos.
EP07704761A EP1990441B1 (en) 2006-02-24 2007-01-31 Method and apparatus for registering diffractive optical structures
AT07704761T ATE540136T1 (de) 2006-02-24 2007-01-31 Verfahren und vorrichtung zur registrierung von diffraktiven optischen strukturen
ES07704761T ES2380126T3 (es) 2006-02-24 2007-01-31 Método y aparato para el registro de estructuras ópticas difractivas
US12/280,319 US20090087581A1 (en) 2006-02-24 2007-01-31 Manufacturing diffractive optical elements
PCT/ES2007/000052 WO2007096440A1 (es) 2006-02-24 2007-01-31 Método y aparato para el registro de estructuras ópticas difractivas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ES200600446A ES2325894B1 (es) 2006-02-24 2006-02-24 Metodo y aparato para la fabricacion de elementos opticos difractivos.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
ES2325894A1 ES2325894A1 (es) 2009-09-23
ES2325894B1 true ES2325894B1 (es) 2010-10-28

Family

ID=38436967

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES200600446A Active ES2325894B1 (es) 2006-02-24 2006-02-24 Metodo y aparato para la fabricacion de elementos opticos difractivos.
ES07704761T Active ES2380126T3 (es) 2006-02-24 2007-01-31 Método y aparato para el registro de estructuras ópticas difractivas

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES07704761T Active ES2380126T3 (es) 2006-02-24 2007-01-31 Método y aparato para el registro de estructuras ópticas difractivas

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090087581A1 (es)
EP (1) EP1990441B1 (es)
AT (1) ATE540136T1 (es)
ES (2) ES2325894B1 (es)
WO (1) WO2007096440A1 (es)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023006197A1 (en) * 2021-07-28 2023-02-02 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Method of coating a coating region on a front surface of a substrate and apparatus for a thermal evaporation system
EP4320284A1 (en) * 2021-07-28 2024-02-14 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Apparatus for a thermal evaporation system and method of coating a coating region on a front surface of a substrate

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4701592A (en) * 1980-11-17 1987-10-20 Rockwell International Corporation Laser assisted deposition and annealing
FR2576147B1 (fr) * 1985-01-17 1987-11-27 Flicstein Jean Procede de depot et de cristallisation d'une couche mince de materiau organique au moyen d'un faisceau d'energie
JP3080096B2 (ja) * 1990-06-13 2000-08-21 住友電気工業株式会社 大面積薄膜の作製方法
US5173441A (en) * 1991-02-08 1992-12-22 Micron Technology, Inc. Laser ablation deposition process for semiconductor manufacture
GB2300000A (en) * 1992-11-30 1996-10-23 Mitsubishi Electric Corp Thin film forming using laser and activated oxidising gas
JP3255469B2 (ja) 1992-11-30 2002-02-12 三菱電機株式会社 レーザ薄膜形成装置
JPH0870144A (ja) * 1994-08-26 1996-03-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導部品の作製方法
WO1998006676A1 (fr) * 1996-08-13 1998-02-19 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Procede d'usinage au laser pour substrat de verre, dispositif optique du type a diffraction fabrique par ce procede d'usinage, et procede de fabrication de ce dispositif optique
JP3270814B2 (ja) 1996-08-27 2002-04-02 日本板硝子株式会社 回折型光学素子の製造方法
CZ286152B6 (cs) 1998-03-13 2000-01-12 Miroslav Ing. Csc. Vlček Transparentní a semitransparentní difrakční prvky
WO2000044960A1 (en) * 1999-01-27 2000-08-03 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Matrix assisted pulsed laser evaporation direct write
US6649861B2 (en) 2000-05-24 2003-11-18 Potomac Photonics, Inc. Method and apparatus for fabrication of miniature structures
US6869479B2 (en) * 2002-03-29 2005-03-22 Altair Center, Llc Method of laser-assisted fabrication of optoelectronic and photonic components

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BASE DE DATOS WPIL en QUESTEL, JP 4045263 A (SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES) 14.02.1992, resumen; figuras. *

Also Published As

Publication number Publication date
EP1990441A4 (en) 2010-06-02
WO2007096440A1 (es) 2007-08-30
EP1990441A1 (en) 2008-11-12
ES2325894A1 (es) 2009-09-23
US20090087581A1 (en) 2009-04-02
EP1990441B1 (en) 2012-01-04
ES2380126T3 (es) 2012-05-08
ATE540136T1 (de) 2012-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6924457B2 (en) Laser processing method to a class substrate and an optical diffraction element obtained thereby, and a method for manufacturing optical elements
JP2001007045A5 (es)
Henley et al. Laser implantation of plasmonic nanostructures into glass
ES2325894B1 (es) Metodo y aparato para la fabricacion de elementos opticos difractivos.
CN103379980A (zh) 激光涂层的热处理
ES2299335B2 (es) Metodo para la fabricacion de estructuras opticas con funcionalidad puramente refractivas.
Chekalin et al. A method of laser coloration in experiments on filamentation of individual impulses and the formation of a light bullet in a homogeneous transparent dielectrics
Tan et al. Direct grating writing using femtosecond laser interference fringes formed at the focal point
US9897539B2 (en) Apparatus and method for measuring deposition rate
Schulz-Ruhtenberg et al. Laser patterning of SiOx-layers for the fabrication of UV diffractive phase elements
Borisov et al. Deposition of Er3+ doped chalcogenide glass films by excimer laser ablation
Makimura et al. Ablation of silica glass using pulsed laser plasma soft X-rays
Nakata et al. Sub-micron period metal lattices fabricated by interfering ultraviolet femtosecond laser processing
JP2004310009A (ja) 光学用構造体及びその製造方法並びに光学素子
Nakata et al. Interfering ultraviolet femtosecond laser processing of gold thin film and prospect of shortest period
Quan-Zhong et al. Fabrication of microstructures in LiF crystals by a femtosecond laser
Fan et al. On the Formation of Amorphous Ge Nanoclusters and Ge Nanocrystals in GeSi x O y Films on Quartz Substrates by Furnace and Pulsed Laser Annealing
Ihlemann et al. Periodic Surface Structures by Laser Interference Ablation
US6744560B2 (en) Non-linear optical material
Alti et al. Sculpted pulsed indium atomic beams via selective laser ablation of thin film
Zhao et al. Study of textured ZnS irradiated by femtosecond laser pulses
Ivanov et al. Latest achievements in chemical composition optimization of photo-thermo-refractive glass and its applications
Takáts et al. Stimulated interdiffusion and optical recording in Sb/As2S3 nanomultilayers
Heber et al. Laser ablation of SiOx thin films for direct mask writing
Jakubczak et al. Improved efficiency of materials processing by dual action of XUV/Vis-NIR ultrashort laser pulses and comprehensive study of high-order harmonic source at PALS

Legal Events

Date Code Title Description
EC2A Search report published

Date of ref document: 20090923

Kind code of ref document: A1

FG2A Definitive protection

Ref document number: 2325894B1

Country of ref document: ES

FG2A Definitive protection

Ref document number: 2325894B1

Country of ref document: ES