JP2002359376A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 第１の電極と、第２の電極と、半導体膜と、前記第１の電極と前記半導体膜との間に形成された第１の絶縁膜と、前記半導体膜と前記第２の電極との間に形成された第２の絶縁膜と、を有し、
   前記半導体膜は前記第１の絶縁膜の平坦面に形成され、
   前記第１の電極と前記第２の電極は前記半導体膜を挟んで重なる位置にあることを特徴とする半導体装置。
2. 第１の電極と、第２の電極と、島状の半導体膜と、前記第１の電極と前記島状の半導体膜との間に形成された第１の絶縁膜と、前記島状の半導体膜と前記第２の電極との間に形成された第２の絶縁膜と、を有し、
   前記島状の半導体膜は前記第１の絶縁膜の平坦面に形成され、
   前記第１の電極と前記第２の電極は、前記島状の半導体膜を挟んで重なる位置にあり、且つ前記島状の半導体膜の外側の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜とに形成された開孔部において電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
3. 第１の電極及び第１の配線と、第２の電極及び第２の配線と、第３の配線と、島状の半導体膜と、前記第１の電極及び前記第１の配線と前記島状の半導体膜との間に形成された第１の絶縁膜と、前記島状の半導体膜と前記第２の電極及び前記第２の配線との間に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の電極及び前記第２の配線と前記第３の配線との間に形成された第３の絶縁膜と、を有し、
   前記島状の半導体膜は前記第１の絶縁膜の平坦面に形成され、
   前記第１の電極と前記第２の電極は、前記島状の半導体膜を挟んで重なる位置にあり、且つ前記島状の半導体膜の外側の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜とに形成された第１の開孔部において電気的に接続し、
   前記第１の配線と前記島状の半導体膜は、前記第１の配線上の前記第１の絶縁膜乃至前記第３の絶縁膜とに形成された第２の開孔部と、前記島状の半導体膜上の前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜とに形成された第３の開孔部と、において前記第３の配線により電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記半導体膜は、チャネル形成領域と、第１の濃度の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記第１の濃度の不純物領域との間に形成された第２の濃度の不純物領域と、を有し、
   前記第２の濃度の不純物領域は、前記第２の絶縁膜を介して一部が前記第２の電極と重なることを特徴とする半導体装置。
5. 第１の電極及び第１の配線と、第２の電極及び第２の配線と、第３の電極と、第３の配線と、島状の半導体膜と、前記第１の電極及び前記第１の配線と前記島状の半導体膜との間に形成された第１の絶縁膜と、前記島状の半導体膜と前記第２の電極及び前記第２の配線との間に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の電極及び前記第２の配線と前記第３の配線との間に形成された第３の絶縁膜と、を有し、
   前記島状の半導体膜は前記第１の絶縁膜の平坦面に形成され、チャネル形成領域と、一対の不純物領域とを有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極は、前記島状の半導体膜を挟んで重なる位置にあり、且つ前記島状の半導体膜の外側の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜とに形成された第１の開孔部において電気的に接続し、
   前記第１の配線と前記島状の半導体膜の一方の不純物領域は、前記第１の配線上の前記第１の絶縁膜乃至前記第３の絶縁膜とに形成された第２の開孔部と、前記島状の半導体膜の一方の不純物領域上の前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜とに形成された第３の開孔部と、において前記第３の配線により電気的に接続し、
   前記島状の半導体膜の他方の不純物領域と前記第３の電極は、前記島状の半導体膜の一方の不純物領域上の前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜とに形成された第４の開孔部において前記第３の配線により電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記半導体膜を挟んで前記第１の電極と前記第２の電極の端部が概略一致していることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の絶縁膜および前記第３の絶縁膜は積層膜であることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第２の電極及び前記第２の配線は積層構造であり、端部にテーパー部を有することを特徴とする半導体装置。
9. 絶縁表面上に、第１の電極及び第１の配線を形成し、
   前記第１の電極及び前記第１の配線上に第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜を化学的機械研磨により平坦化し、
   前記第１の絶縁膜上に島状の半導体膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜及び前記島状の半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
   前記島状の半導体膜の外側の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に前記第１の電極の一部が露出するように開孔部を形成し、
   前記第２の絶縁膜上に第２の電極及び第２の配線を形成し、前記第１の電極と前記第２の電極とを前記開孔部において電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 絶縁表面上に、第１の電極及び第１の配線を形成し、
    前記第１の電極及び前記第１の配線上に第１の絶縁膜を形成し、
    前記第１の絶縁膜を化学的機械研磨により平坦化し、
    前記第１の絶縁膜上に島状の半導体膜を形成し、
    前記第１の絶縁膜及び前記島状の半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
    前記島状の半導体膜の外側の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に前記第１の電極の一部が露出するように第１の開孔部を形成し、
    前記第２の絶縁膜上に第２の電極及び第２の配線を形成し、前記第１の電極と前記第２の電極とを前記第１の開孔部において電気的に接続し、
    前記第２の絶縁膜と、前記第２の電極及び前記第２の配線上に第３の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜乃至前記第３の絶縁膜に前記第１の配線の一部が露出するように第２の開孔部を形成し、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に前記島状の半導体膜の一部が露出するように第３の開孔部を形成し、前記第３の絶縁膜上に第３の配線を形成し、前記第１の配線と前記島状の半導体膜とを前記第２の開孔部及び前記第３の開孔部において電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項９または請求項１０において、
    前記半導体膜にはチャネル形成領域と、第１の濃度の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記第１の濃度の不純物領域との間に第２の濃度の不純物領域と、が形成されており、
    前記第２の濃度の不純物領域は、前記第２の絶縁膜を介して一部が前記第２の電極と重なるように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 絶縁表面上に、第１の電極及び第１の配線を形成し、
    前記第１の電極及び前記第１の配線上に第１の絶縁膜を形成し、
    前記第１の絶縁膜を化学的機械研磨により平坦化し、
    前記第１の絶縁膜上に島状の半導体膜を形成し、
    前記島状の半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
    前記島状の半導体膜の外側の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に前記第１の電極の一部が露出するように第１の開孔部を形成し、
    前記第２の絶縁膜上に第２の電極及び第２の配線を形成し、前記第１の電極と前記第２の電極とを前記第１の開孔部において電気的に接続し、
    前記島状の半導体膜に一対の不純物領域を形成し、
    前記第２の絶縁膜と、前記第２の電極及び第２の配線上に第３の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜乃至前記第３の絶縁膜に前記第１の配線の一部が露出するように第２の開孔部を形成し、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に前記島状の半導体膜に形成された一方の不純物領域の一部が露出するように第３の開孔部を形成し、前記第３の絶縁膜上に第３の配線を形成し、前記第１の配線と前記島状の半導体膜に形成された一方の不純物領域とを前記第２の開孔部及び前記第３の開孔部において電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項９乃至請求項１２のいずれか一において、
    前記第１の電極と、前記第２の電極とは、前記半導体膜を挟んで端部が概略一致するように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項９乃至請求項１３のいずれか一において、
    前記第１の絶縁膜および前記第３の絶縁膜は積層膜で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 請求項９乃至請求項１４のいずれか一において、
    前記第２の電極及び前記第２の配線は積層構造からなり、端部にテーパー部が形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。