JP2002350594A - 画像記録媒体並びに画像読取方法および装置 - Google Patents
画像記録媒体並びに画像読取方法および装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 第１の電極層１１の大きさが記録用光導電層
１２の大きさよりも小さい画像記録媒体１０において、
第１の電極層の端部でのコロナ放電および記録用光導電
層１２への電荷の注入の影響を回避して画質の向上を図
る。 【解決手段】 記録用光導電層１２の上面の第１の電極
層１１が設けられていない外縁部に応じた読取用光導電
層１４の非画像領域の端部領域ａ，ｂに読取用の電磁波
が照射されないように読取光照射手段のON，OFFを制御
し、第１の電極層１１の端部でのコロナ放電および第１
の電極層１１の端部からの記録用光導電層１２への電荷
の注入に起因する偽画像信号を読取らないようにする。
１２の大きさよりも小さい画像記録媒体１０において、
第１の電極層の端部でのコロナ放電および記録用光導電
層１２への電荷の注入の影響を回避して画質の向上を図
る。 【解決手段】 記録用光導電層１２の上面の第１の電極
層１１が設けられていない外縁部に応じた読取用光導電
層１４の非画像領域の端部領域ａ，ｂに読取用の電磁波
が照射されないように読取光照射手段のON，OFFを制御
し、第１の電極層１１の端部でのコロナ放電および第１
の電極層１１の端部からの記録用光導電層１２への電荷
の注入に起因する偽画像信号を読取らないようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、照射された記録用
の電磁波に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄
電部を有する画像記録媒体、並びに画像記録媒体に記録
された静電潜像を読み取る画像読取方法および装置に関
するものである。
の電磁波に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄
電部を有する画像記録媒体、並びに画像記録媒体に記録
された静電潜像を読み取る画像読取方法および装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、照射された記録用の電磁波に
応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部を有す
る画像記録媒体として、例えば、医療用放射線撮影等に
おいて、Ｘ線等の放射線に感応するセレン板等の光導電
体を有する放射線画像記録媒体（静電記録体）を感光体
として用い、該放射線画像記録媒体にＸ線を照射し、照
射された放射線の線量に応じた量の電荷を放射線画像記
録媒体内の蓄電部に蓄積せしめることにより、放射線画
像情報を静電潜像として記録すると共に、レーザビーム
或いはライン光源で放射線画像情報が記録された放射線
画像記録媒体を走査することにより、前記放射線画像記
録媒体から放射線画像情報を読み取る方法が知られてい
る（例えば、米国特許第4535468号明細書等）。上記放
射線画像記録媒体を利用することにより被験者の受ける
被爆線量の減少、診断性能の向上等を図ることができ
る。
応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部を有す
る画像記録媒体として、例えば、医療用放射線撮影等に
おいて、Ｘ線等の放射線に感応するセレン板等の光導電
体を有する放射線画像記録媒体（静電記録体）を感光体
として用い、該放射線画像記録媒体にＸ線を照射し、照
射された放射線の線量に応じた量の電荷を放射線画像記
録媒体内の蓄電部に蓄積せしめることにより、放射線画
像情報を静電潜像として記録すると共に、レーザビーム
或いはライン光源で放射線画像情報が記録された放射線
画像記録媒体を走査することにより、前記放射線画像記
録媒体から放射線画像情報を読み取る方法が知られてい
る（例えば、米国特許第4535468号明細書等）。上記放
射線画像記録媒体を利用することにより被験者の受ける
被爆線量の減少、診断性能の向上等を図ることができ
る。
【０００３】本願出願人は、特開平2000−105297号公報
や特願平10−271374号において、読出しの高速応答性と
効率的な信号電荷の取り出しを両立させることを可能な
らしめる放射線画像記録媒体、並びに、この放射線画像
記録媒体に放射線画像情報を記録する記録装置および放
射線画像情報が静電潜像として記録された前記放射線画
像記録媒体から放射線画像情報を読み取る読取方法およ
び装置を提案している。
や特願平10−271374号において、読出しの高速応答性と
効率的な信号電荷の取り出しを両立させることを可能な
らしめる放射線画像記録媒体、並びに、この放射線画像
記録媒体に放射線画像情報を記録する記録装置および放
射線画像情報が静電潜像として記録された前記放射線画
像記録媒体から放射線画像情報を読み取る読取方法およ
び装置を提案している。
【０００４】この特開平2000−105297号公報等に記載の
方法は、記録用の放射線またはこの放射線の励起により
発せられる光を透過する第１の電極層、放射線または上
記光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光
導電層、潜像電荷に対しては略絶縁体として作用し、且
つ潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては略導電体とし
て作用する電荷輸送層、および読取用の電磁波の照射を
受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取
用の電磁波を透過する第２の電極層をこの順に有して成
る放射線画像記録媒体を使用し、放射線画像記録媒体の
第１の電極層に記録用の放射線を照射し、照射された放
射線の線量に応じた量の電荷を記録用光導電層と電荷輸
送層との略界面に形成される蓄電部に蓄積せしめること
により、放射線画像情報を静電潜像として記録し、記録
された静電潜像を読取用の電磁波の照射により読み出し
て放射線画像情報を得るものである。
方法は、記録用の放射線またはこの放射線の励起により
発せられる光を透過する第１の電極層、放射線または上
記光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光
導電層、潜像電荷に対しては略絶縁体として作用し、且
つ潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては略導電体とし
て作用する電荷輸送層、および読取用の電磁波の照射を
受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取
用の電磁波を透過する第２の電極層をこの順に有して成
る放射線画像記録媒体を使用し、放射線画像記録媒体の
第１の電極層に記録用の放射線を照射し、照射された放
射線の線量に応じた量の電荷を記録用光導電層と電荷輸
送層との略界面に形成される蓄電部に蓄積せしめること
により、放射線画像情報を静電潜像として記録し、記録
された静電潜像を読取用の電磁波の照射により読み出し
て放射線画像情報を得るものである。
【０００５】さらに、本出願人は上記第２の電極層が読
取用の電磁波を透過する多数の線状電極をストライプ状
に配列してなるストライプ電極である放射線画像記録媒
体も提案しており、この放射線画像記録媒体においては
ストライプ電極の各線状電極に応じた蓄電部に上記潜像
電荷を集中して蓄積することができるので画像の鮮鋭度
の向上を図ることができる。
取用の電磁波を透過する多数の線状電極をストライプ状
に配列してなるストライプ電極である放射線画像記録媒
体も提案しており、この放射線画像記録媒体においては
ストライプ電極の各線状電極に応じた蓄電部に上記潜像
電荷を集中して蓄積することができるので画像の鮮鋭度
の向上を図ることができる。
【０００６】上記のような放射線画像記録媒体において
は、第１の電極層が負の電位、第２の電極層が正の電位
となるように直流電圧が印加されるとともに、被写体を
透過した放射線が上記放射線画像記録媒体の第１の電極
層に照射されると、第１の電極層を透過した放射線の照
射により記録用光導電層において放射線の線量に応じた
電荷対が発生し、負の電荷が蓄電部に潜像電荷として蓄
積され、放射線画像が静電潜像として記録される。
は、第１の電極層が負の電位、第２の電極層が正の電位
となるように直流電圧が印加されるとともに、被写体を
透過した放射線が上記放射線画像記録媒体の第１の電極
層に照射されると、第１の電極層を透過した放射線の照
射により記録用光導電層において放射線の線量に応じた
電荷対が発生し、負の電荷が蓄電部に潜像電荷として蓄
積され、放射線画像が静電潜像として記録される。
【０００７】そして、上記直流電圧の印加を停止し、第
１の電極層と第２の電極層とを短絡して電荷の再配列を
行なった後、上記放射線画像記録媒体の第２の電極層に
読取用の電磁波を照射すると、この電磁波は第２の電極
層を透過して読取用光導電層に照射され、読取用光導電
層において電荷対が発生し、この電荷対のうち正の電荷
は電荷輸送層を通過して蓄電部に蓄積された負の電荷と
結合し、負の電荷は第２の電極層に帯電された正電荷と
再結合することによって放電が生じる。この放電により
第１の電極層と第２の電極層との間で発生した電圧変化
を電流検出アンプなどで電流変化として検出することに
より静電潜像の読取りが行なわれる。
１の電極層と第２の電極層とを短絡して電荷の再配列を
行なった後、上記放射線画像記録媒体の第２の電極層に
読取用の電磁波を照射すると、この電磁波は第２の電極
層を透過して読取用光導電層に照射され、読取用光導電
層において電荷対が発生し、この電荷対のうち正の電荷
は電荷輸送層を通過して蓄電部に蓄積された負の電荷と
結合し、負の電荷は第２の電極層に帯電された正電荷と
再結合することによって放電が生じる。この放電により
第１の電極層と第２の電極層との間で発生した電圧変化
を電流検出アンプなどで電流変化として検出することに
より静電潜像の読取りが行なわれる。
【０００８】ここで、上記放射線画像記録媒体におい
て、その記録用光導電層の表面に第１の電極層を設置す
る方法として真空蒸着法などを用いた場合には、記録用
光導電層の表面を下方に向けその外縁部を介して支持し
た状態で電極材料の蒸着が行なわれるため、第１の電極
層が設置される範囲は上記外縁部の範囲だけ記録用光導
電層より小さい範囲となる。また、この第１の電極層を
他の製造方法を用いて設置した場合においても記録用光
導電層と全く同じ範囲に設置することは困難であり、記
録用光導電層の上面外縁部には若干の第１の電極層が設
置されない範囲が生じてしまう。さらに、第１の電極層
を記録用光導電層と同一の範囲に設置した場合には、第
２の電極層との放電が生じやすくなるため、上記のよう
に記録用光導電層よりも小さい範囲に設置する方が望ま
しい場合がある。
て、その記録用光導電層の表面に第１の電極層を設置す
る方法として真空蒸着法などを用いた場合には、記録用
光導電層の表面を下方に向けその外縁部を介して支持し
た状態で電極材料の蒸着が行なわれるため、第１の電極
層が設置される範囲は上記外縁部の範囲だけ記録用光導
電層より小さい範囲となる。また、この第１の電極層を
他の製造方法を用いて設置した場合においても記録用光
導電層と全く同じ範囲に設置することは困難であり、記
録用光導電層の上面外縁部には若干の第１の電極層が設
置されない範囲が生じてしまう。さらに、第１の電極層
を記録用光導電層と同一の範囲に設置した場合には、第
２の電極層との放電が生じやすくなるため、上記のよう
に記録用光導電層よりも小さい範囲に設置する方が望ま
しい場合がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように第１の電極層の大きさが記録用光導電層の大きさ
よりも小さい場合、放射線画像の記録において第１の電
極層と第２の電極層との間に直流電圧を印加した際、第
１の電極層の端部にてコロナ放電が生じ、この放電によ
り生じた負電荷が第１の電極層が設けられてない記録用
光導電層の外縁部の表面に帯電してしまう。さらに、第
１の電極層の端部から漏れた負電荷が記録用光導電層に
注入され、この注入された負電荷は記録用光導電層を通
過して蓄電部に蓄積されてしまう。そして、上記コロナ
放電により外縁部の表面に帯電した負電荷および電荷注
入により蓄電部に蓄積された負電荷は第２の電極層との
間に電界分布を形成する。この電界分布は上記読取りの
際、第１の電極層と第２の電極層とを短絡しても消える
ことはなく保持される。つまり、本来画像が記録されな
い上記外縁部に対しても、あたかも画像があるかのよう
に記録されてしまう。
ように第１の電極層の大きさが記録用光導電層の大きさ
よりも小さい場合、放射線画像の記録において第１の電
極層と第２の電極層との間に直流電圧を印加した際、第
１の電極層の端部にてコロナ放電が生じ、この放電によ
り生じた負電荷が第１の電極層が設けられてない記録用
光導電層の外縁部の表面に帯電してしまう。さらに、第
１の電極層の端部から漏れた負電荷が記録用光導電層に
注入され、この注入された負電荷は記録用光導電層を通
過して蓄電部に蓄積されてしまう。そして、上記コロナ
放電により外縁部の表面に帯電した負電荷および電荷注
入により蓄電部に蓄積された負電荷は第２の電極層との
間に電界分布を形成する。この電界分布は上記読取りの
際、第１の電極層と第２の電極層とを短絡しても消える
ことはなく保持される。つまり、本来画像が記録されな
い上記外縁部に対しても、あたかも画像があるかのよう
に記録されてしまう。
【００１０】一方、上記のような放射線画像読取装置に
おいては、読取用の電磁波は、例えば、ライン光源など
により主走査方向に線状に照射され、副走査方向に走査
することにより第２の電極層の全面に２次元的に照射さ
れる。または、ビーム状の電磁波を主走査方向および副
走査方向に走査して照射することにより第２の電極層の
全面に２次元的に照射される。従って、上記のように読
取用の電磁波を第２の電極層全面に照射した場合には、
上記外縁部に応じた第２の電極層の領域（非画像領域）
にまで読取用の電磁波が照射されるため、上記電界分布
に起因して読取用光導電層で発生した電荷対の放電が生
じ、この放電により大きな偽画像信号が発生する。この
偽画像信号は非常に大きなものであるため画像領域から
読み取られる画像信号に対して影響を及ぼし、画質の劣
化を招くことになる。また、上記コロナ放電により外縁
部の表面に帯電した負電荷に起因する偽画像信号は特に
その時定数が大きいため、画像領域から読み取られる画
像信号に与える影響は大きい。さらに、上記のように画
像領域の読取りの際に画像信号に混入された偽画像信号
を後段の画像処理等で取り除くことも不可能である。
おいては、読取用の電磁波は、例えば、ライン光源など
により主走査方向に線状に照射され、副走査方向に走査
することにより第２の電極層の全面に２次元的に照射さ
れる。または、ビーム状の電磁波を主走査方向および副
走査方向に走査して照射することにより第２の電極層の
全面に２次元的に照射される。従って、上記のように読
取用の電磁波を第２の電極層全面に照射した場合には、
上記外縁部に応じた第２の電極層の領域（非画像領域）
にまで読取用の電磁波が照射されるため、上記電界分布
に起因して読取用光導電層で発生した電荷対の放電が生
じ、この放電により大きな偽画像信号が発生する。この
偽画像信号は非常に大きなものであるため画像領域から
読み取られる画像信号に対して影響を及ぼし、画質の劣
化を招くことになる。また、上記コロナ放電により外縁
部の表面に帯電した負電荷に起因する偽画像信号は特に
その時定数が大きいため、画像領域から読み取られる画
像信号に与える影響は大きい。さらに、上記のように画
像領域の読取りの際に画像信号に混入された偽画像信号
を後段の画像処理等で取り除くことも不可能である。
【００１１】本発明は、上記のような問題に鑑みて、上
記のように第１の電極層の大きさが記録用光導電層の大
きさよりも小さい画像記録媒体においても、上記のよう
な偽画像信号を生じさせることなく画像の画質の向上を
図ることができる画像記録媒体並びに画像読取方法およ
び装置を提供することを目的とするものである。
記のように第１の電極層の大きさが記録用光導電層の大
きさよりも小さい画像記録媒体においても、上記のよう
な偽画像信号を生じさせることなく画像の画質の向上を
図ることができる画像記録媒体並びに画像読取方法およ
び装置を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による画像記録媒
体は、記録用の電磁波を透過する第１の電極層、記録用
の電磁波を受けることにより導電性を呈する記録用光導
電層、記録用光導電層において発生した潜像電荷を蓄積
する蓄電部、読取用の電磁波の照射を受けることにより
導電性を呈する読取用光導電層、読取用の電磁波を透過
する第２の電極層をこの順に有してなる画像記録媒体に
おいて、第１の電極層の大きさが記録用光導電層よりも
小さく、記録用光導電層がその上面に第１の電極層が設
けられていない外縁部を有し、外縁部に応じた読取用光
導電層の非画像領域に読取用の電磁波が照射されるのを
遮断する遮光膜を備えたことを特徴とするものである。
体は、記録用の電磁波を透過する第１の電極層、記録用
の電磁波を受けることにより導電性を呈する記録用光導
電層、記録用光導電層において発生した潜像電荷を蓄積
する蓄電部、読取用の電磁波の照射を受けることにより
導電性を呈する読取用光導電層、読取用の電磁波を透過
する第２の電極層をこの順に有してなる画像記録媒体に
おいて、第１の電極層の大きさが記録用光導電層よりも
小さく、記録用光導電層がその上面に第１の電極層が設
けられていない外縁部を有し、外縁部に応じた読取用光
導電層の非画像領域に読取用の電磁波が照射されるのを
遮断する遮光膜を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】ここで、上記「第１の電極層の大きさが記
録用光導電層よりも小さい」とは、上記画像記録媒体の
各層の積層方向（図１中の矢印Ｓ方向）からみて第１の
電極層の大きさが記録用光導電層よりも小さいことを意
味する。
録用光導電層よりも小さい」とは、上記画像記録媒体の
各層の積層方向（図１中の矢印Ｓ方向）からみて第１の
電極層の大きさが記録用光導電層よりも小さいことを意
味する。
【００１４】また、上記「外縁部の応じた読取用光導電
層の非画像領域」とは、上記画像記録媒体の積層方向か
らみて上記外縁部と同じ範囲の読取用光導電層の領域を
意味する。
層の非画像領域」とは、上記画像記録媒体の積層方向か
らみて上記外縁部と同じ範囲の読取用光導電層の領域を
意味する。
【００１５】また、上記「非画像領域に読取用の電磁波
が照射されるのを遮断する」とは、上記非画像領域の全
部または一部に読取用の電磁波が照射されるのを遮断す
ることを意味する。
が照射されるのを遮断する」とは、上記非画像領域の全
部または一部に読取用の電磁波が照射されるのを遮断す
ることを意味する。
【００１６】また、上記「遮光膜」は上記読取用光導電
層の非画像領域に読取用の電磁波が照射されないように
するものであれば如何なる場所に設置されてもよく、例
えば、上記非画像領域に応じた読取光光導電層の読取用
の電磁波が照射される面、上記非画像領域に応じた上記
第２の電極層の表面、または、上記画像記録媒体が所定
の支持体上に設置される場合には上記非画像領域に応じ
た上記支持体の表面などに設置してもよい。
層の非画像領域に読取用の電磁波が照射されないように
するものであれば如何なる場所に設置されてもよく、例
えば、上記非画像領域に応じた読取光光導電層の読取用
の電磁波が照射される面、上記非画像領域に応じた上記
第２の電極層の表面、または、上記画像記録媒体が所定
の支持体上に設置される場合には上記非画像領域に応じ
た上記支持体の表面などに設置してもよい。
【００１７】また、読取用の電磁波が第２の電極層に対
して主走査方向および副走査方向に走査されて２次元的
に照射されるものであり、遮光膜が、非画像領域のうち
副走査方向の両端に位置する端部領域の少なくとも一方
の領域に読取用の電磁波が照射されるのを遮断するもの
とすることができる。
して主走査方向および副走査方向に走査されて２次元的
に照射されるものであり、遮光膜が、非画像領域のうち
副走査方向の両端に位置する端部領域の少なくとも一方
の領域に読取用の電磁波が照射されるのを遮断するもの
とすることができる。
【００１８】ここで、上記「主走査方向」とは、例え
ば、上記画像記録媒体がライン光源により読取用の電磁
波が照射されるものである場合には、そのライン光源の
長手方向を意味し（図１中に示す）、この長手方向に略
直交する方向を上記「副走査方向」という（図２中に示
す）。また、上記画像記録媒体が、ビーム光の走査によ
り読取用の電磁波が照射されるものである場合には、そ
のビーム光を線状に照射する方向を上記「主走査方
向」、その線状に照射される方向と略直交する方向を上
記「副走査方向」という。
ば、上記画像記録媒体がライン光源により読取用の電磁
波が照射されるものである場合には、そのライン光源の
長手方向を意味し（図１中に示す）、この長手方向に略
直交する方向を上記「副走査方向」という（図２中に示
す）。また、上記画像記録媒体が、ビーム光の走査によ
り読取用の電磁波が照射されるものである場合には、そ
のビーム光を線状に照射する方向を上記「主走査方
向」、その線状に照射される方向と略直交する方向を上
記「副走査方向」という。
【００１９】また、遮光膜は、読取用の電磁波の照射が
遮断された非画像領域に隣接する画像領域の端部領域に
も読取用の電磁波が照射されるのを遮断するものとする
ことができる。
遮断された非画像領域に隣接する画像領域の端部領域に
も読取用の電磁波が照射されるのを遮断するものとする
ことができる。
【００２０】ここで、上記「画像領域」とは、上記画像
記録媒体の積層方向からみて第１の電極層と同じ範囲の
上記読取用光導電層の範囲を意味する。
記録媒体の積層方向からみて第１の電極層と同じ範囲の
上記読取用光導電層の範囲を意味する。
【００２１】また、上記「画像領域の端部領域」は、例
えば、画像領域のうち画像としてそれほど重要でない領
域、または余白部分となるような領域とすることが望ま
しい。
えば、画像領域のうち画像としてそれほど重要でない領
域、または余白部分となるような領域とすることが望ま
しい。
【００２２】本発明による画像読取方法は、記録用の電
磁波を透過する第１の電極層、記録用の電磁波を受ける
ことにより導電性を呈する記録用光導電層、記録用光導
電層において発生した潜像電荷を蓄積する蓄電部、読取
用の電磁波の照射を受けることにより導電性を呈する読
取用光導電層、読取用の電磁波を透過する第２の電極層
をこの順に有してなる画像記録媒体を用いて、記録用の
電磁波の照射により蓄電部に潜像電荷が蓄積された画像
記録媒体の第２の電極層に対して読取用の電磁波を主走
査方向および副走査方向に走査して２次元的に照射し、
該照射により蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じた
レベルの電気信号を得ることにより読取りを行なう画像
読取方法において、画像記録媒体が、第１の電極層の大
きさが記録用光導電層よりも小さく、記録用光導電層の
上面に第１の電極層が設けられていない外縁部を有する
ものであり、外縁部に応じた第２の電極層の非画像領域
に読取用の電磁波を照射しないことを特徴とする。
磁波を透過する第１の電極層、記録用の電磁波を受ける
ことにより導電性を呈する記録用光導電層、記録用光導
電層において発生した潜像電荷を蓄積する蓄電部、読取
用の電磁波の照射を受けることにより導電性を呈する読
取用光導電層、読取用の電磁波を透過する第２の電極層
をこの順に有してなる画像記録媒体を用いて、記録用の
電磁波の照射により蓄電部に潜像電荷が蓄積された画像
記録媒体の第２の電極層に対して読取用の電磁波を主走
査方向および副走査方向に走査して２次元的に照射し、
該照射により蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じた
レベルの電気信号を得ることにより読取りを行なう画像
読取方法において、画像記録媒体が、第１の電極層の大
きさが記録用光導電層よりも小さく、記録用光導電層の
上面に第１の電極層が設けられていない外縁部を有する
ものであり、外縁部に応じた第２の電極層の非画像領域
に読取用の電磁波を照射しないことを特徴とする。
【００２３】ここで、上記「外縁部の応じた第２の電極
層の非画像領域」とは、上記画像記録媒体の積層方向か
らみて上記外縁部と同じ範囲の第２の電極層の領域を意
味する。
層の非画像領域」とは、上記画像記録媒体の積層方向か
らみて上記外縁部と同じ範囲の第２の電極層の領域を意
味する。
【００２４】また、上記「電磁波を照射しない」方法と
しては、例えば、読取用の電磁波を発生する光源などの
電源をＯＦＦにして読取用の電磁波を発生しないように
してもよいし、所定の遮光部材により読取用の電磁波を
遮光するようにしてもよい。また、非画像領域の全体を
照射しないようにしてもよいし、非画像領域の一部を照
射しないようにしてもよい。
しては、例えば、読取用の電磁波を発生する光源などの
電源をＯＦＦにして読取用の電磁波を発生しないように
してもよいし、所定の遮光部材により読取用の電磁波を
遮光するようにしてもよい。また、非画像領域の全体を
照射しないようにしてもよいし、非画像領域の一部を照
射しないようにしてもよい。
【００２５】また、非画像領域のうち副走査方向の両端
に位置する端部領域の少なくとも一方の領域に読取用の
電磁波を照射しないようにすることができる。
に位置する端部領域の少なくとも一方の領域に読取用の
電磁波を照射しないようにすることができる。
【００２６】また、読取用の電磁波を照射しない非画像
領域に隣接する画像領域の端部にも読取用の電磁波を照
射しないようにすることができる。
領域に隣接する画像領域の端部にも読取用の電磁波を照
射しないようにすることができる。
【００２７】本発明による画像読取装置は、記録用の電
磁波を透過する第１の電極層、記録用の電磁波を受ける
ことにより導電性を呈する記録用光導電層、記録用光導
電層において発生した潜像電荷を蓄積する蓄電部、読取
用の電磁波の照射を受けることにより導電性を呈する読
取用光導電層、読取用の電磁波を透過する第２の電極層
をこの順に有してなる画像記録媒体と、記録用の電磁波
の照射により蓄電部に潜像電荷が蓄積された画像記録媒
体の第２の電極層に対して読取用の電磁波を主走査方向
および副走査方向に走査して２次元的に照射する読取光
照射手段と、読取光照射手段による読取用の電磁波の照
射により蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベ
ルの電気信号を得る画像信号取得手段とを備えた画像読
取装置において、画像記録媒体が、第１の電極層の大き
さが記録用光導電層よりも小さく、記録用光導電層の上
面に前記第１の電極層が設けられていない外縁部を有す
るものであり、読取光照射手段が、外縁部に応じた第２
の電極層の非画像領域に読取用の電磁波を照射しないも
のであることを特徴とする。
磁波を透過する第１の電極層、記録用の電磁波を受ける
ことにより導電性を呈する記録用光導電層、記録用光導
電層において発生した潜像電荷を蓄積する蓄電部、読取
用の電磁波の照射を受けることにより導電性を呈する読
取用光導電層、読取用の電磁波を透過する第２の電極層
をこの順に有してなる画像記録媒体と、記録用の電磁波
の照射により蓄電部に潜像電荷が蓄積された画像記録媒
体の第２の電極層に対して読取用の電磁波を主走査方向
および副走査方向に走査して２次元的に照射する読取光
照射手段と、読取光照射手段による読取用の電磁波の照
射により蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベ
ルの電気信号を得る画像信号取得手段とを備えた画像読
取装置において、画像記録媒体が、第１の電極層の大き
さが記録用光導電層よりも小さく、記録用光導電層の上
面に前記第１の電極層が設けられていない外縁部を有す
るものであり、読取光照射手段が、外縁部に応じた第２
の電極層の非画像領域に読取用の電磁波を照射しないも
のであることを特徴とする。
【００２８】また、読取光照射手段は、読取用の電磁波
を遮光する遮光部材を有し、遮光部材により非画像領域
に読取用の電磁波を照射しないものとすることができ
る。
を遮光する遮光部材を有し、遮光部材により非画像領域
に読取用の電磁波を照射しないものとすることができ
る。
【００２９】また、読取光照射手段は、非画像領域のう
ち副走査方向の両端に位置する端部領域の少なくとも一
方の領域に読取用の電磁波を照射しないものとすること
ができる。
ち副走査方向の両端に位置する端部領域の少なくとも一
方の領域に読取用の電磁波を照射しないものとすること
ができる。
【００３０】また、読取光照射手段は、読取用の電磁波
を遮光する遮光部材を有するものとし、遮光部材により
非画像領域のうち副走査方向の両端に位置する端部領域
の少なくとも一方の領域に読取用の電磁波を照射しない
ものとすることができる。
を遮光する遮光部材を有するものとし、遮光部材により
非画像領域のうち副走査方向の両端に位置する端部領域
の少なくとも一方の領域に読取用の電磁波を照射しない
ものとすることができる。
【００３１】また、読取光照射手段は、読取用の電磁波
を照射しない非画像領域に隣接する画像領域の端部にも
読取用の電磁波を照射しないものとすることができる。
を照射しない非画像領域に隣接する画像領域の端部にも
読取用の電磁波を照射しないものとすることができる。
【００３２】また、読取光照射手段は、遮光部材により
読取用の電磁波を照射しない非画像領域に隣接する画像
領域の端部にも読取用の電磁波を照射しないものとする
ことができる。
読取用の電磁波を照射しない非画像領域に隣接する画像
領域の端部にも読取用の電磁波を照射しないものとする
ことができる。
【００３３】また、上記画像記録媒体は、上記各層以外
の層を設けたものとしてもよい。
の層を設けたものとしてもよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明による画像記録媒体並びに画像読
取方法および装置によれば、記録用光導電層の上面の第
１の電極層が設けられていない外縁部に応じた読取用光
導電層の非画像領域に読取用の電磁波が照射されないよ
うにしたので、第１の電極層の端部でのコロナ放電およ
び第１の電極層の端部からの記録用光導電層への電荷の
注入に起因する偽画像信号を読取ることを回避すること
ができ、この偽画像信号の影響による画像信号のS／Nの
劣化を防止して画質の向上を図ることができる。
取方法および装置によれば、記録用光導電層の上面の第
１の電極層が設けられていない外縁部に応じた読取用光
導電層の非画像領域に読取用の電磁波が照射されないよ
うにしたので、第１の電極層の端部でのコロナ放電およ
び第１の電極層の端部からの記録用光導電層への電荷の
注入に起因する偽画像信号を読取ることを回避すること
ができ、この偽画像信号の影響による画像信号のS／Nの
劣化を防止して画質の向上を図ることができる。
【００３５】また、非画像領域のうち副走査方向の両端
に位置する端部領域の少なくとも一方の領域に読取用の
電磁波が照射されないようにした場合には、特に画像信
号に影響を与えやすい画像領域走査直前の上記非画像領
域の端部領域に応じた偽画像信号の読取りを回避するこ
とができるので、より画質の向上を図ることができる。
に位置する端部領域の少なくとも一方の領域に読取用の
電磁波が照射されないようにした場合には、特に画像信
号に影響を与えやすい画像領域走査直前の上記非画像領
域の端部領域に応じた偽画像信号の読取りを回避するこ
とができるので、より画質の向上を図ることができる。
【００３６】また、読取用の電磁波の照射が照射されな
い非画像領域に隣接する画像領域の端部領域にも読取用
の電磁波が照射されないようにした場合には、より一層
偽画像信号の影響を回避することができる。
い非画像領域に隣接する画像領域の端部領域にも読取用
の電磁波が照射されないようにした場合には、より一層
偽画像信号の影響を回避することができる。
【００３７】また、本発明による画像記録媒体において
は、遮光膜により読取用の電磁波を遮断するようにした
ので簡易な構成で上記効果を得ることができる。
は、遮光膜により読取用の電磁波を遮断するようにした
ので簡易な構成で上記効果を得ることができる。
【００３８】また、本発明による画像読取装置におい
て、所定の遮光部材により読取用の電磁波が照射されな
いようにした場合には、簡易な装置構成で上記効果を得
ることができる。
て、所定の遮光部材により読取用の電磁波が照射されな
いようにした場合には、簡易な装置構成で上記効果を得
ることができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は本発明による画像読
取方法を実施する画像読取装置を適用した放射線画像記
録読取装置の第１の実施の形態の概略構成を示す図であ
り、図２は本実施の形態に用いられる放射線画像記録媒
体の概略構成図を示す図である。図２（Ａ）は斜視図、
図２（Ｂ）はＱ矢指部のＸＺ断面図、図２（Ｃ）はＰ矢
指部のＸＹ断面図である。この放射線画像記録媒体１０
は、記録用の電磁波（例えば、Ｘ線等の放射線。以下記
録光という。）L1を透過する電極層１１、この第１の電
極層１１を透過した記録光L1の照射を受けることにより
導電性を呈する記録用光導電層１２、潜像電荷（例えば
負電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該潜
像電荷と逆極性の輸送電荷（上述の例においては正電
荷）に対しては略導電体として作用する電荷輸送層１
３、読取用の電磁波（以下読取光という）L2の照射を受
けることにより導電性を呈する読取用光導電層１４、読
取光L2を透過する第２の電極層１５をこの順に積層して
なるものである。
施の形態について説明する。図１は本発明による画像読
取方法を実施する画像読取装置を適用した放射線画像記
録読取装置の第１の実施の形態の概略構成を示す図であ
り、図２は本実施の形態に用いられる放射線画像記録媒
体の概略構成図を示す図である。図２（Ａ）は斜視図、
図２（Ｂ）はＱ矢指部のＸＺ断面図、図２（Ｃ）はＰ矢
指部のＸＹ断面図である。この放射線画像記録媒体１０
は、記録用の電磁波（例えば、Ｘ線等の放射線。以下記
録光という。）L1を透過する電極層１１、この第１の電
極層１１を透過した記録光L1の照射を受けることにより
導電性を呈する記録用光導電層１２、潜像電荷（例えば
負電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該潜
像電荷と逆極性の輸送電荷（上述の例においては正電
荷）に対しては略導電体として作用する電荷輸送層１
３、読取用の電磁波（以下読取光という）L2の照射を受
けることにより導電性を呈する読取用光導電層１４、読
取光L2を透過する第２の電極層１５をこの順に積層して
なるものである。
【００４０】図２（Ａ）から（Ｃ）に示すように本実施
の形態に用いられる放射線画像記録媒体１０は、第１の
電極層１１の大きさが記録用光導電層１２より小さいも
のでる。なお、放射線画像記録媒体１０は読取光L2を透
過する支持体上に第２の電極層１５から順に形成される
ものであるが、支持体は図示省略している。
の形態に用いられる放射線画像記録媒体１０は、第１の
電極層１１の大きさが記録用光導電層１２より小さいも
のでる。なお、放射線画像記録媒体１０は読取光L2を透
過する支持体上に第２の電極層１５から順に形成される
ものであるが、支持体は図示省略している。
【００４１】記録用光導電層１２の物質としては、アモ
ルファスセレン（ａ−Ｓｅ）、ＰｂＯ，ＰｂＩ２ 等の
酸化鉛（II）やヨウ化鉛（II）、Ｂｉ１２（Ｇｅ，Ｓ
ｉ）Ｏ ２０，Ｂｉ２Ｉ３／有機ポリマーナノコンポジッ
ト等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質
が適当である。
ルファスセレン（ａ−Ｓｅ）、ＰｂＯ，ＰｂＩ２ 等の
酸化鉛（II）やヨウ化鉛（II）、Ｂｉ１２（Ｇｅ，Ｓ
ｉ）Ｏ ２０，Ｂｉ２Ｉ３／有機ポリマーナノコンポジッ
ト等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質
が適当である。
【００４２】電荷輸送層１３の物質としては、例えば第
１の電極層１１に帯電される負電荷の移動度と、その逆
極性となる正電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば
１０ ２ 以上、望ましくは１０３ 以上）ポリＮ−ビニ
ルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−
ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−
4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の
有機系化合物、或いはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ＰＵＫ）分散物、Ｃｌを１０〜２
００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ等の半導体物質が適当で
ある。特に、有機系化合物（ＰＶＫ，ＴＰＤ、ディスコ
ティック液晶等）は光不感性を有するため好ましく、ま
た、誘電率が一般に小さいため電荷輸送層１３と読取用
光導電層１４の容量が小さくなり読取時の信号取り出し
効率を大きくすることができる。なお、「光不感性を有
する」とは、記録光L1や読取光L2の照射を受けても殆ど
導電性を呈するものでないことを意味する。
１の電極層１１に帯電される負電荷の移動度と、その逆
極性となる正電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば
１０ ２ 以上、望ましくは１０３ 以上）ポリＮ−ビニ
ルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−
ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−
4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の
有機系化合物、或いはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ＰＵＫ）分散物、Ｃｌを１０〜２
００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ等の半導体物質が適当で
ある。特に、有機系化合物（ＰＶＫ，ＴＰＤ、ディスコ
ティック液晶等）は光不感性を有するため好ましく、ま
た、誘電率が一般に小さいため電荷輸送層１３と読取用
光導電層１４の容量が小さくなり読取時の信号取り出し
効率を大きくすることができる。なお、「光不感性を有
する」とは、記録光L1や読取光L2の照射を受けても殆ど
導電性を呈するものでないことを意味する。
【００４３】読取用光導電層１４の物質としては、ａ−
Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ、無金属フタロシ
アニン、金属フタロシアニン、ＭｇＰｃ（Magnesium ph
talocyanine）、ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthal
ocyanine）、ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）等のう
ち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適で
ある。
Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ、無金属フタロシ
アニン、金属フタロシアニン、ＭｇＰｃ（Magnesium ph
talocyanine）、ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthal
ocyanine）、ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）等のう
ち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適で
ある。
【００４４】記録用光導電層１２の厚さは、記録光L1を
十分に吸収できるようにするには、５０μｍ以上１００
０μｍ以下であるのが好ましく、本例においては約 500
μｍとしている。また電荷輸送層１３と光導電層１４と
の厚さの合計は記録用光導電層１２の厚さの１／２以下
であることが望ましく、また薄ければ薄いほど読取時の
応答性が向上するので、例えば１／10以下、さらには１
／20以下等にするのが好ましい。
十分に吸収できるようにするには、５０μｍ以上１００
０μｍ以下であるのが好ましく、本例においては約 500
μｍとしている。また電荷輸送層１３と光導電層１４と
の厚さの合計は記録用光導電層１２の厚さの１／２以下
であることが望ましく、また薄ければ薄いほど読取時の
応答性が向上するので、例えば１／10以下、さらには１
／20以下等にするのが好ましい。
【００４５】第１の電極層１１および第２の電極層１５
としては、例えば、透明ガラス板上に導電性物質を塗布
したネサ皮膜等が適当である。
としては、例えば、透明ガラス板上に導電性物質を塗布
したネサ皮膜等が適当である。
【００４６】第２の電極層１５の電極は、多数のエレメ
ント（線状電極）１６ａをストライプ状に配列したスト
ライプ電極１６として形成されている。エレメント１６
ａの間１５ａは、例えば、カーボンブラック等の顔料を
若干量分散させたポリエチレン等の高分子材料を充填し
たものとし、読取光L2に対して遮光性を有するものとさ
れている。
ント（線状電極）１６ａをストライプ状に配列したスト
ライプ電極１６として形成されている。エレメント１６
ａの間１５ａは、例えば、カーボンブラック等の顔料を
若干量分散させたポリエチレン等の高分子材料を充填し
たものとし、読取光L2に対して遮光性を有するものとさ
れている。
【００４７】次に、本実施の形態の放射線画像記録読取
装置について説明を行う。図１は本実施の形態の放射線
画像記録読取装置の概略構成図を示すものであり、放射
線画像記録媒体１０のＸＺ断面図と共に電流検出回路７
０の詳細を示した図である。
装置について説明を行う。図１は本実施の形態の放射線
画像記録読取装置の概略構成図を示すものであり、放射
線画像記録媒体１０のＸＺ断面図と共に電流検出回路７
０の詳細を示した図である。
【００４８】この放射線画像記録読取装置は、放射線画
像記録媒体１０、画像信号取得手段としての電流検出回
路７０、記録光照射手段９０、読取光照射手段９３とか
らなる。
像記録媒体１０、画像信号取得手段としての電流検出回
路７０、記録光照射手段９０、読取光照射手段９３とか
らなる。
【００４９】第１の電極層１１の上面には被写体９が配
設されており、被写体９には記録光LIを透過する部分９
ａと透過しない遮断部（遮光部）９ｂが存在する。記録
光照射手段９０は記録光L1を被写体９に一様に爆射する
ものである。
設されており、被写体９には記録光LIを透過する部分９
ａと透過しない遮断部（遮光部）９ｂが存在する。記録
光照射手段９０は記録光L1を被写体９に一様に爆射する
ものである。
【００５０】読取光照射手段９３は、ライン状に略一様
な読取光L2をストライプ電極１６の各エレメント１６ａ
の長手方向（図２における副走査方向）と概略直交させ
つつ、該長手方向（副走査方向）に走査露光するもので
ある。この走査露光においては、連続光を照射してもよ
いし、パルス光を照射するようにしてもよい。
な読取光L2をストライプ電極１６の各エレメント１６ａ
の長手方向（図２における副走査方向）と概略直交させ
つつ、該長手方向（副走査方向）に走査露光するもので
ある。この走査露光においては、連続光を照射してもよ
いし、パルス光を照射するようにしてもよい。
【００５１】電流検出回路７０は、蓄電部１９に蓄積さ
れた潜像電荷の量に応じたレベルの画像信号を得るもの
であり、ストライプ電極１６の各エレメント１６ａ毎に
接続された電流検出アンプ７１を多数有している。電流
検出アンプ７１は、オペアンプ７１ａ，積分コンデンサ
７１ｂおよびスイッチ７１ｃから成る。放射線画像記録
媒体１０の第１の電極層１１はスイッチ７３の一方およ
び電源７２の負極に接続されている。電源７２の正極は
スイッチ７３の他方に接続されている。各オペアンプ７
１ａの非反転入力端子（＋）がスイッチ７３の一端に共
通に接続され、反転入力端子（−）がエレメント１６ａ
に夫々個別に接続されている。
れた潜像電荷の量に応じたレベルの画像信号を得るもの
であり、ストライプ電極１６の各エレメント１６ａ毎に
接続された電流検出アンプ７１を多数有している。電流
検出アンプ７１は、オペアンプ７１ａ，積分コンデンサ
７１ｂおよびスイッチ７１ｃから成る。放射線画像記録
媒体１０の第１の電極層１１はスイッチ７３の一方およ
び電源７２の負極に接続されている。電源７２の正極は
スイッチ７３の他方に接続されている。各オペアンプ７
１ａの非反転入力端子（＋）がスイッチ７３の一端に共
通に接続され、反転入力端子（−）がエレメント１６ａ
に夫々個別に接続されている。
【００５２】スイッチ７３は、記録時には電源７２に接
続され、オペアンプのイマジナリーショートを介して、
第１の電極層１１とストライプ電極１６との間に、電源
７２による所定の直流電圧が印加される。
続され、オペアンプのイマジナリーショートを介して、
第１の電極層１１とストライプ電極１６との間に、電源
７２による所定の直流電圧が印加される。
【００５３】一方、読取時には、スイッチ７３は第１の
電極層１１に接続されて第１の電極層とストライプ電極
１６とがオペアンプのイマージナリーショートを介して
短絡された状態で、ライン状の読取光L2がストライプ電
極１６に露光されることにより、各電流検出アンプ７１
は、各エレメント１６ａに流れる電流を、接続された各
エレメント１６ａについて同時に検出する。なお、電流
検出回路７０や電流検出アンプ７１の構成は、この例に
限定されるものではなく、種々のものを使用することが
できる。
電極層１１に接続されて第１の電極層とストライプ電極
１６とがオペアンプのイマージナリーショートを介して
短絡された状態で、ライン状の読取光L2がストライプ電
極１６に露光されることにより、各電流検出アンプ７１
は、各エレメント１６ａに流れる電流を、接続された各
エレメント１６ａについて同時に検出する。なお、電流
検出回路７０や電流検出アンプ７１の構成は、この例に
限定されるものではなく、種々のものを使用することが
できる。
【００５４】以下、上記構成の放射線画像記録読取装置
において、放射線画像記録媒体１０に画像情報を静電潜
像として記録し、さらに記録された静電潜像を読み出す
方法について説明する。最初に静電潜像記録過程につい
て、図３に示す電荷モデルを参照しつつ説明する。な
お、記録光L1によって記録用光導電層１２内に生成され
る負電荷および正電荷を、図面上では−または＋を丸で
囲んで表すものとする。また、放射線画像記録媒体１０
の支持体は図示省略するものとする。
において、放射線画像記録媒体１０に画像情報を静電潜
像として記録し、さらに記録された静電潜像を読み出す
方法について説明する。最初に静電潜像記録過程につい
て、図３に示す電荷モデルを参照しつつ説明する。な
お、記録光L1によって記録用光導電層１２内に生成され
る負電荷および正電荷を、図面上では−または＋を丸で
囲んで表すものとする。また、放射線画像記録媒体１０
の支持体は図示省略するものとする。
【００５５】上記構成の放射線画像記録読取装置におい
て、放射線画像記録媒体１０に静電潜像を記録する際に
は、先ずスイッチ７３を電源７２に切り換え、第１の電
極層１１とストライプ電極１６との間に直流電圧を印加
し、両者を帯電させる。これにより、第１の電極層１１
とストライプ電極１６との間には略Ｕの字状の電界が形
成され、記録用光導電層１２の大部分の所は概略平行な
電場が存在するが、光導電層１２と電荷輸送層１３との
界面、すなわち蓄電部１９には電界が存在しない部分が
生じる。そして、このＵの字状の電界がエレメント１６
ａの長さ方向に連続した電界分布が形成される（図３
（Ａ））。
て、放射線画像記録媒体１０に静電潜像を記録する際に
は、先ずスイッチ７３を電源７２に切り換え、第１の電
極層１１とストライプ電極１６との間に直流電圧を印加
し、両者を帯電させる。これにより、第１の電極層１１
とストライプ電極１６との間には略Ｕの字状の電界が形
成され、記録用光導電層１２の大部分の所は概略平行な
電場が存在するが、光導電層１２と電荷輸送層１３との
界面、すなわち蓄電部１９には電界が存在しない部分が
生じる。そして、このＵの字状の電界がエレメント１６
ａの長さ方向に連続した電界分布が形成される（図３
（Ａ））。
【００５６】次に放射線を被写体９に爆射し、被写体９
の透過部９ａを通過した被写体９の放射線画像情報を担
持する記録光L1を放射線画像記録媒体１０に照射する。
すると、放射線画像記録媒体１０の記録用光導電層１２
内で正負の電荷対が発生し、その内の負電荷が上述の電
界分布に沿って蓄電部１９に移動する（図３（Ｂ））。
一方、記録用光導電層１２内で発生した正電荷は第１の
電極層１１に向かって高速に移動し、第１の電極層１１
と記録用光導電層１２との界面で電源７２から注入され
た負電荷と電荷再結合し消滅する。また、記録光L1は被
写体９の遮光部９ｂを透過しないから、放射線画像記録
媒体１０の遮光部９ｂの下部にあたる部分は何ら変化を
生じない（図３（Ｂ），（Ｃ））。
の透過部９ａを通過した被写体９の放射線画像情報を担
持する記録光L1を放射線画像記録媒体１０に照射する。
すると、放射線画像記録媒体１０の記録用光導電層１２
内で正負の電荷対が発生し、その内の負電荷が上述の電
界分布に沿って蓄電部１９に移動する（図３（Ｂ））。
一方、記録用光導電層１２内で発生した正電荷は第１の
電極層１１に向かって高速に移動し、第１の電極層１１
と記録用光導電層１２との界面で電源７２から注入され
た負電荷と電荷再結合し消滅する。また、記録光L1は被
写体９の遮光部９ｂを透過しないから、放射線画像記録
媒体１０の遮光部９ｂの下部にあたる部分は何ら変化を
生じない（図３（Ｂ），（Ｃ））。
【００５７】このようにして、被写体９に記録光L1を爆
射することにより、被写体像に応じた電荷を記録用光導
電層１２と電荷転送層１３との界面である蓄電部１９に
蓄積することができるようになる。この蓄積される潜像
電荷（負電荷）の量は被写体９を透過し放射線画像記録
媒体１０に入射した放射線の線量に略比例するので、こ
の潜像電荷が静電潜像を担持することとなり、該静電潜
像が放射線画像記録媒体１０に記録される。
射することにより、被写体像に応じた電荷を記録用光導
電層１２と電荷転送層１３との界面である蓄電部１９に
蓄積することができるようになる。この蓄積される潜像
電荷（負電荷）の量は被写体９を透過し放射線画像記録
媒体１０に入射した放射線の線量に略比例するので、こ
の潜像電荷が静電潜像を担持することとなり、該静電潜
像が放射線画像記録媒体１０に記録される。
【００５８】ここで、本実施の形態で用いられる放射線
画像記録媒体１０は、第１の電極層１１の大きさが記録
用光導電層１２の大きさよりも小さいため、上記記録過
程において電源７２により第１の電極層１１と第２の電
極層１５との間に直流電圧を印加したとき、図４に示す
ように第１の電極層１１の端部でコロナ放電が生じ、第
１の電極層１１の周辺部分の記録用光導電層１２の外縁
部の表面付近に負の電荷が帯電する。また、第１の電極
層１１の端部では記録用光導電層１２に電荷の注入が生
じ、この電荷が蓄電部１９に蓄積される。上記コロナ放
電により生じる負電荷および電荷注入により蓄電部１９
に蓄積された負電荷により第２の電極層１５の非画像領
域Ａに正電荷が帯電して電界分布が形成される。つま
り、本来画像のない領域である非画像領域Ａに画像があ
るかのように電界分布が形成されてしまい、この状態に
おいて読取りを行なうと上記電界分布に起因する偽画像
信号まで読み取られてしまう。この偽画像信号は非常に
大きな信号となるため、画像領域から読取られる画像信
号に影響を与え、画像信号のＳ／Ｎの劣化の原因とな
る。また、上記コロナ放電による負電荷に起因する上記
偽画像信号は非常に長い時定数をもつため、特に画像領
域の画像信号に与える影響も大きい。
画像記録媒体１０は、第１の電極層１１の大きさが記録
用光導電層１２の大きさよりも小さいため、上記記録過
程において電源７２により第１の電極層１１と第２の電
極層１５との間に直流電圧を印加したとき、図４に示す
ように第１の電極層１１の端部でコロナ放電が生じ、第
１の電極層１１の周辺部分の記録用光導電層１２の外縁
部の表面付近に負の電荷が帯電する。また、第１の電極
層１１の端部では記録用光導電層１２に電荷の注入が生
じ、この電荷が蓄電部１９に蓄積される。上記コロナ放
電により生じる負電荷および電荷注入により蓄電部１９
に蓄積された負電荷により第２の電極層１５の非画像領
域Ａに正電荷が帯電して電界分布が形成される。つま
り、本来画像のない領域である非画像領域Ａに画像があ
るかのように電界分布が形成されてしまい、この状態に
おいて読取りを行なうと上記電界分布に起因する偽画像
信号まで読み取られてしまう。この偽画像信号は非常に
大きな信号となるため、画像領域から読取られる画像信
号に影響を与え、画像信号のＳ／Ｎの劣化の原因とな
る。また、上記コロナ放電による負電荷に起因する上記
偽画像信号は非常に長い時定数をもつため、特に画像領
域の画像信号に与える影響も大きい。
【００５９】そこで、次に、上記問題を解決すべく、本
実施の形態の放射線画像記録読取装置における静電潜像
読取過程について説明する。
実施の形態の放射線画像記録読取装置における静電潜像
読取過程について説明する。
【００６０】放射線画像記録媒体１０から静電潜像を読
み取る際には、先ずスイッチ７３を第１の電極層１１に
し、第１の電極層１１とストライプ電極１６とをオペア
ンプ７１ａのイマジナリショートを介して短絡し、電荷
の再配列を行う。次いで、エレメント１６ａの長手方向
（副走査方向）に読取光照射手段９３を副走査すること
により、ライン状の読取光L2で放射線画像記録媒体１０
を走査露光する。この読取光L2の走査露光により副走査
位置に対応する読取光L2が入射した光導電層１４内に正
負の電荷対が発生する。
み取る際には、先ずスイッチ７３を第１の電極層１１に
し、第１の電極層１１とストライプ電極１６とをオペア
ンプ７１ａのイマジナリショートを介して短絡し、電荷
の再配列を行う。次いで、エレメント１６ａの長手方向
（副走査方向）に読取光照射手段９３を副走査すること
により、ライン状の読取光L2で放射線画像記録媒体１０
を走査露光する。この読取光L2の走査露光により副走査
位置に対応する読取光L2が入射した光導電層１４内に正
負の電荷対が発生する。
【００６１】蓄電部１９とストライプ電極１６との間
は、非常に強い電場（強電界）が形成されており、ま
た、電荷輸送層１３は正電荷に対しては導電体として作
用するものであるから、読取用光導電層１４に生じた正
電荷は蓄積部１９の潜像電荷に引きつけられるように電
荷輸送層１３の中を急速に移動し、蓄電部１９で潜像電
荷と電荷再結合をし消滅する。一方、読取用光導電層１
４に生じた負電荷は第１の電極層１１、ストライプ電極
１６の正電荷と電荷再結合し消滅する。上記電荷再結合
による第１の電極層１１とストライプ電極１６との間の
電圧変化を電流検出アンプ７１により電流変化として検
出する。この読取りの際に放射線画像記録媒体１０内を
流れる電流は、潜像電荷すなわち静電潜像に応じたもの
であるから、この電流を電流検出アンプ７１により検出
することにより、静電潜像を読み取る、すなわち静電潜
像を表す画像信号を取得することができる。
は、非常に強い電場（強電界）が形成されており、ま
た、電荷輸送層１３は正電荷に対しては導電体として作
用するものであるから、読取用光導電層１４に生じた正
電荷は蓄積部１９の潜像電荷に引きつけられるように電
荷輸送層１３の中を急速に移動し、蓄電部１９で潜像電
荷と電荷再結合をし消滅する。一方、読取用光導電層１
４に生じた負電荷は第１の電極層１１、ストライプ電極
１６の正電荷と電荷再結合し消滅する。上記電荷再結合
による第１の電極層１１とストライプ電極１６との間の
電圧変化を電流検出アンプ７１により電流変化として検
出する。この読取りの際に放射線画像記録媒体１０内を
流れる電流は、潜像電荷すなわち静電潜像に応じたもの
であるから、この電流を電流検出アンプ７１により検出
することにより、静電潜像を読み取る、すなわち静電潜
像を表す画像信号を取得することができる。
【００６２】ここで、上記読取の際、読取光L2を第２の
電極層１５の全面に照射したのでは、上記記録の際に非
画像領域に形成された電界分布により読取用光導電層１
４で発生した電荷対が再結合して放電し、偽画像信号と
して読み取られてしまう。
電極層１５の全面に照射したのでは、上記記録の際に非
画像領域に形成された電界分布により読取用光導電層１
４で発生した電荷対が再結合して放電し、偽画像信号と
して読み取られてしまう。
【００６３】そこで、本実施の形態では、図５に示すよ
うに上記第２の電極層１５の非画像領域のうち副走査方
向の端部領域ａ，ｂおよび該端部領域ａ，ｂに隣接する
画像領域の端部領域ｃ，ｄに読取光L2が照射されないよ
うに読取光照射手段９０のＯＮ、ＯＦＦが制御される。
上記偽画像信号を生じさせないためには、上記非画像領
域にのみ読取光L2が照射されないように読取光照射手段
９３を制御すれば十分であると考えられるが、読取光L2
の散乱や回折を考慮すると本実施の形態のように画像領
域の端部領域ｃ，ｄにも読取光L2が照射されないように
するのが望ましい。そして、画像領域の端部領域ｃ，ｄ
の範囲は、例えば、画像領域のうち画像としてそれほど
重要でない領域、または余白部分となるような領域に設
定するのが望ましい。
うに上記第２の電極層１５の非画像領域のうち副走査方
向の端部領域ａ，ｂおよび該端部領域ａ，ｂに隣接する
画像領域の端部領域ｃ，ｄに読取光L2が照射されないよ
うに読取光照射手段９０のＯＮ、ＯＦＦが制御される。
上記偽画像信号を生じさせないためには、上記非画像領
域にのみ読取光L2が照射されないように読取光照射手段
９３を制御すれば十分であると考えられるが、読取光L2
の散乱や回折を考慮すると本実施の形態のように画像領
域の端部領域ｃ，ｄにも読取光L2が照射されないように
するのが望ましい。そして、画像領域の端部領域ｃ，ｄ
の範囲は、例えば、画像領域のうち画像としてそれほど
重要でない領域、または余白部分となるような領域に設
定するのが望ましい。
【００６４】また、画像信号に大きさ影響を与えるのは
画像領域の読取直前における非画像領域の端部領域ａお
よび画像領域の端部領域ｃへの読取光L2の照射による偽
画像信号の発生であるため、この領域だけ読取光L2の照
射をしないように読取光照射手段９３を制御するように
してもよい。
画像領域の読取直前における非画像領域の端部領域ａお
よび画像領域の端部領域ｃへの読取光L2の照射による偽
画像信号の発生であるため、この領域だけ読取光L2の照
射をしないように読取光照射手段９３を制御するように
してもよい。
【００６５】また、上記のように読取光L2の照射を制御
した場合、第２の電極層１５の非画像領域のうち副走査
方向の両端に位置する非画像領域の端部領域ａ、ｂおよ
び画像領域の端部領域ｃ、ｄについて上記読取りを行な
わないようにすることができるが、第２の電極層１５の
非画像領域のうち主走査方向の両端に位置する非画像領
域の端部領域および該端部領域に隣接する画像領域の端
部領域には読取光L2が照射されることになる。しかしな
がら、もちろん、この領域に関しても読取光照射手段９
３を制御して読取光L2が照射されないようにしてもよ
い。
した場合、第２の電極層１５の非画像領域のうち副走査
方向の両端に位置する非画像領域の端部領域ａ、ｂおよ
び画像領域の端部領域ｃ、ｄについて上記読取りを行な
わないようにすることができるが、第２の電極層１５の
非画像領域のうち主走査方向の両端に位置する非画像領
域の端部領域および該端部領域に隣接する画像領域の端
部領域には読取光L2が照射されることになる。しかしな
がら、もちろん、この領域に関しても読取光照射手段９
３を制御して読取光L2が照射されないようにしてもよ
い。
【００６６】本実施の形態の放射線画像記録読取装置に
よれば、記録用光導電層１２の上面の第１の電極層１１
が設けられていない外縁部に応じた読取用光導電層１４
の非画像領域のうち副走査方向の端部領域ａ，ｂに読取
用の電磁波が照射されないようにしたので、第１の電極
層１１の端部でのコロナ放電および第１の電極層１１の
端部からの記録用光導電層１２への電荷の注入に起因す
る偽画像信号を読取ることを回避することができ、この
偽画像信号による画像領域に応じた画像信号の劣化を防
止して画質の向上を図ることができる。
よれば、記録用光導電層１２の上面の第１の電極層１１
が設けられていない外縁部に応じた読取用光導電層１４
の非画像領域のうち副走査方向の端部領域ａ，ｂに読取
用の電磁波が照射されないようにしたので、第１の電極
層１１の端部でのコロナ放電および第１の電極層１１の
端部からの記録用光導電層１２への電荷の注入に起因す
る偽画像信号を読取ることを回避することができ、この
偽画像信号による画像領域に応じた画像信号の劣化を防
止して画質の向上を図ることができる。
【００６７】また、読取用の電磁波が照射されない非画
像領域のうち副走査方向の端部領域a，ｂに隣接する画
像領域の端部領域ｃ，ｄにも読取用の電磁波が照射され
ないようにしたので、より一層偽画像信号の影響を回避
することができる。
像領域のうち副走査方向の端部領域a，ｂに隣接する画
像領域の端部領域ｃ，ｄにも読取用の電磁波が照射され
ないようにしたので、より一層偽画像信号の影響を回避
することができる。
【００６８】また、上記実施の形態では、読取光照射手
段９３のＯＮ，ＯＦＦを制御することにより読取光L2の
照射を制御するようにしたが、図６に示すように上記非
画像領域のうちの端部領域a，ｂおよび画像領域の端部
領域ｃ，ｄに読取光L2が照射されないように所定の遮光
部材３０、３１を設けるようにしてもよい。
段９３のＯＮ，ＯＦＦを制御することにより読取光L2の
照射を制御するようにしたが、図６に示すように上記非
画像領域のうちの端部領域a，ｂおよび画像領域の端部
領域ｃ，ｄに読取光L2が照射されないように所定の遮光
部材３０、３１を設けるようにしてもよい。
【００６９】次に、本発明による画像記録媒体を適用し
た放射線画像記録媒体の実施の形態について図面を用い
て説明する。図７（Ａ），（Ｂ）に本実施の形態の放射
線画像記録媒体の概略構成図を示す。図７（Ａ）は断面
図、図７（Ｂ）は平面図である。
た放射線画像記録媒体の実施の形態について図面を用い
て説明する。図７（Ａ），（Ｂ）に本実施の形態の放射
線画像記録媒体の概略構成図を示す。図７（Ａ）は断面
図、図７（Ｂ）は平面図である。
【００７０】本実施の形態の放射線画像記録媒体２０
は、記録用の放射線等の電磁波（記録光）L1を透過する
第１の電極層２１、この第１の電極層２１を透過した記
録光L1の照射を受けることにより導電性を呈する記録用
光導電層２２、潜像電荷（例えば負電荷）に対しては略
絶縁体として作用し、かつ、該潜像電荷と逆極性の輸送
電荷（上述の例においては正電荷）に対しては略導電体
として作用する電荷輸送層２３、読取用の電磁波（読取
光）L2の照射を受けることにより導電性を呈する読取用
光導電層２４、読取光L2を透過する第２の電極層２５、
読取光L2を透過する支持体３０をこの順に積層してなる
ものであり、さらに、支持体３０の読取光L2が照射され
る面の一部に読取光を遮断する遮光膜４０，４１を設け
たものである。
は、記録用の放射線等の電磁波（記録光）L1を透過する
第１の電極層２１、この第１の電極層２１を透過した記
録光L1の照射を受けることにより導電性を呈する記録用
光導電層２２、潜像電荷（例えば負電荷）に対しては略
絶縁体として作用し、かつ、該潜像電荷と逆極性の輸送
電荷（上述の例においては正電荷）に対しては略導電体
として作用する電荷輸送層２３、読取用の電磁波（読取
光）L2の照射を受けることにより導電性を呈する読取用
光導電層２４、読取光L2を透過する第２の電極層２５、
読取光L2を透過する支持体３０をこの順に積層してなる
ものであり、さらに、支持体３０の読取光L2が照射され
る面の一部に読取光を遮断する遮光膜４０，４１を設け
たものである。
【００７１】上記各層については、上記実施の形態で用
いた放射線画像記録媒体１０と材料、作用ともに同様で
ある。また、支持体としては有機ポリマー材料を使用す
ることができ、例えば、ポリメチルメタクリレート（Ｐ
ＭＭＡ）などを使用することができる。
いた放射線画像記録媒体１０と材料、作用ともに同様で
ある。また、支持体としては有機ポリマー材料を使用す
ることができ、例えば、ポリメチルメタクリレート（Ｐ
ＭＭＡ）などを使用することができる。
【００７２】本実施の形態の放射線画像記録媒体２０
は、上記実施の形態で用いられた放射線画像記録媒体と
同様に主走査方向および副走査方向に読取光L2が走査さ
れることにより第２の電極層が２次元的に照射されるも
のである。
は、上記実施の形態で用いられた放射線画像記録媒体と
同様に主走査方向および副走査方向に読取光L2が走査さ
れることにより第２の電極層が２次元的に照射されるも
のである。
【００７３】そして、上記遮光膜は、図７（Ａ），
（Ｂ）に示すように上記第１の実施の形態と同様に第２
の電極層２５の非画像領域のうち副走査方向に位置する
端部領域および画像領域の端部領域ｃ，ｄに読取光L2が
照射されないように設けられたものである。
（Ｂ）に示すように上記第１の実施の形態と同様に第２
の電極層２５の非画像領域のうち副走査方向に位置する
端部領域および画像領域の端部領域ｃ，ｄに読取光L2が
照射されないように設けられたものである。
【００７４】遮光膜４０，４１としては、黒色のビニー
ルテープ、Ｃｒ膜およびＡｌ膜など読取光L2を遮光でき
るものであれば如何なるものでもよい。
ルテープ、Ｃｒ膜およびＡｌ膜など読取光L2を遮光でき
るものであれば如何なるものでもよい。
【００７５】また、上記実施の形態と同様に、遮光膜を
設ける範囲は図７に示す範囲に限らず、上記第２の電極
層２５の非画像領域のうち主走査方向の両端に位置する
端部領域にも設けるようにしてもよい。
設ける範囲は図７に示す範囲に限らず、上記第２の電極
層２５の非画像領域のうち主走査方向の両端に位置する
端部領域にも設けるようにしてもよい。
【００７６】また、本実施の形態では遮光膜４０，４１
を支持体３０の読取光L2が照射される面に設けるように
したが、これに限らず、例えば、遮光膜４０，４１を支
持体３０と第２の電極層２５との間に設けるようにして
もよいし、支持体３０の中に設けるようにしてもよい。
また、遮光膜４０，４１を設ける範囲に対応する支持体
３０の部分に色を付けることにより遮光するようにして
もよい。
を支持体３０の読取光L2が照射される面に設けるように
したが、これに限らず、例えば、遮光膜４０，４１を支
持体３０と第２の電極層２５との間に設けるようにして
もよいし、支持体３０の中に設けるようにしてもよい。
また、遮光膜４０，４１を設ける範囲に対応する支持体
３０の部分に色を付けることにより遮光するようにして
もよい。
【００７７】本実施の形態の放射線画像記録媒体によれ
ば、簡易な構成にて上記実施の形態と同様の効果を得る
ことができる。
ば、簡易な構成にて上記実施の形態と同様の効果を得る
ことができる。
【図１】本発明による画像読取装置の具体的な実施の形
態を適用した放射線画像記録読取装置の概略構成図
態を適用した放射線画像記録読取装置の概略構成図
【図２】図１に示す放射線画像記録読取装置にて用いら
れる放射線画像記録媒体の斜視図（Ａ）、Ｑ矢指部のＸ
Ｚ断面図（Ｂ）、Ｐ矢指部のＸＹ断面図（Ｃ）
れる放射線画像記録媒体の斜視図（Ａ）、Ｑ矢指部のＸ
Ｚ断面図（Ｂ）、Ｐ矢指部のＸＹ断面図（Ｃ）
【図３】上記放射線画像記録媒体に静電潜像を記録する
方法を説明する図
方法を説明する図
【図４】第１の電極層の端部でのコロナ放電の影響およ
び記録用光導電層への電荷の注入を説明する図
び記録用光導電層への電荷の注入を説明する図
【図５】図１に示す放射線画像記録読取装置により上記
放射線画像記録媒体に照射される読取光の制御を説明す
る図
放射線画像記録媒体に照射される読取光の制御を説明す
る図
【図６】本発明による画像読取装置を適用した放射線画
像記録読取装置の他の実施の形態の概略構成図
像記録読取装置の他の実施の形態の概略構成図
【図７】本発明による画像記録媒体を適用した放射線画
像記録媒体の概略構成図
像記録媒体の概略構成図
９ 被写体 １０，２０ 放射線画像記録媒体 １１，２１ 第１の電極層 １２，２２ 記録用光導電層 １３，２３ 電荷輸送層 １４，２４ 読取用光導電層 １５，２５ 第２の電極層 １６，２６ ストライプ電極 １９，２９ 蓄電部 ７０ 電流検出回路（画像信号取得手段） ７１ 電流検出アンプ ７１ａ オペアンプ ７１ｂ 積分コンデンサ ７１ｃ スイッチ ７２ 電源 ７３ スイッチ ９０ 記録光照射手段 ９３ 読取光照射手段 L1 記録用の放射線（記録光） L2 読取用の電磁波（読取光）
Claims (12)
- 【請求項１】 記録用の電磁波を透過する第１の電極
層、前記記録用の電磁波を受けることにより導電性を呈
する記録用光導電層、該記録用光導電層において発生し
た潜像電荷を蓄積する蓄電部、読取用の電磁波の照射を
受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、前記
読取用の電磁波を透過する第２の電極層をこの順に有し
てなる画像記録媒体において、 前記第１の電極層の大きさが前記記録用光導電層よりも
小さく、前記記録用光導電層がその上面に前記第１の電
極層が設けられていない外縁部を有し、 該外縁部に応じた前記読取用光導電層の非画像領域に前
記読取用の電磁波が照射されるのを遮断する遮光膜を備
えたことを特徴とする画像記録媒体。 - 【請求項２】 前記読取用の電磁波が前記第２の電極層
に対して主走査方向および副走査方向に走査されて２次
元的に照射されるものであり、 前記遮光膜が、前記非画像領域のうち前記副走査方向の
両端に位置する端部領域の少なくとも一方の領域に前記
読取用の電磁波が照射されるのを遮断するものであるこ
とを特徴とする請求項１記載の画像記録媒体。 - 【請求項３】 前記遮光膜が、前記読取用の電磁波の照
射が遮断された非画像領域に隣接する画像領域の端部領
域にも前記読取用の電磁波が照射されるのを遮断するも
のであることを特徴とする請求項１または２記載の画像
記録媒体。 - 【請求項４】 記録用の電磁波を透過する第１の電極
層、前記記録用の電磁波を受けることにより導電性を呈
する記録用光導電層、該記録用光導電層において発生し
た潜像電荷を蓄積する蓄電部、読取用の電磁波の照射を
受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、前記
読取用の電磁波を透過する第２の電極層をこの順に有し
てなる画像記録媒体を用いて、前記記録用の電磁波の照
射により前記蓄電部に前記潜像電荷が蓄積された前記画
像記録媒体の前記第２の電極層に対して前記読取用の電
磁波を主走査方向および副走査方向に走査して２次元的
に照射し、該照射により前記蓄電部に蓄積された潜像電
荷の量に応じたレベルの電気信号を得ることにより読取
りを行なう画像読取方法において、 前記画像記録媒体が、前記第１の電極層の大きさが前記
記録用光導電層よりも小さく、前記記録用光導電層の上
面に前記第１の電極層が設けられていない外縁部を有す
るものであり、 該外縁部に応じた前記第２の電極層の非画像領域に前記
読取用の電磁波を照射しないことを特徴とする画像読取
方法。 - 【請求項５】 前記非画像領域のうち前記副走査方向の
両端に位置する端部領域の少なくとも一方の領域に前記
読取用の電磁波を照射しないことを特徴とする請求項４
記載の画像読取方法。 - 【請求項６】 前記読取用の電磁波を照射しない非画像
領域に隣接する画像領域の端部にも前記読取用の電磁波
を照射しないことを特徴とする請求項４または５記載の
画像読取方法。 - 【請求項７】 記録用の電磁波を透過する第１の電極
層、前記記録用の電磁波を受けることにより導電性を呈
する記録用光導電層、該記録用光導電層において発生し
た潜像電荷を蓄積する蓄電部、読取用の電磁波の照射を
受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、前記
読取用の電磁波を透過する第２の電極層をこの順に有し
てなる画像記録媒体と、前記記録用の電磁波の照射によ
り前記蓄電部に前記潜像電荷が蓄積された前記画像記録
媒体の前記第２の電極層に対して前記読取用の電磁波を
主走査方向および副走査方向に走査して２次元的に照射
する読取光照射手段と、該読取光照射手段による前記読
取用の電磁波の照射により前記蓄電部に蓄積された前記
潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を得る画像信号
取得手段とを備えた画像読取装置において、 前記画像記録媒体が、前記第１の電極層の大きさが前記
記録用光導電層よりも小さく、前記記録用光導電層の上
面に前記第１の電極層が設けられていない外縁部を有す
るものであり、 前記読取光照射手段が、前記外縁部に応じた前記第２の
電極層の非画像領域に前記読取用の電磁波を照射しない
ものであることを特徴とする画像読取装置。 - 【請求項８】 前記読取光照射手段が、前記読取用の電
磁波を遮光する遮光部材を有し、 該遮光部材により前記非画像領域に前記読取用の電磁波
を照射しないものであることを特徴とする請求項７記載
の画像読取装置。 - 【請求項９】 前記読取光照射手段が、前記非画像領域
のうち前記副走査方向の両端に位置する端部領域の少な
くとも一方の領域に前記読取用の電磁波を照射しないも
のであることを特徴とする請求項７記載の画像読取装
置。 - 【請求項１０】 前記読取光照射手段が、前記読取用の
電磁波を遮光する遮光部材を有し、 該遮光部材により前記非画像領域のうち前記副走査方向
の両端に位置する端部領域の少なくとも一方の領域に前
記読取用の電磁波を照射しないものであることを特徴と
する請求項９記載の画像読取装置。 - 【請求項１１】 前記読取光照射手段が、前記読取用の
電磁波を照射しない非画像領域に隣接する画像領域の端
部にも前記読取用の電磁波を照射しないものであること
を特徴とする請求項７から１０いずれか１項記載の画像
読取装置。 - 【請求項１２】 前記読取光照射手段が、前記遮光部材
により読取用の電磁波を照射しない非画像領域に隣接す
る画像領域の端部にも前記遮光部材により前記読取用の
電磁波を照射しないものであることを特徴とする請求項
８または１０記載の画像読取装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001154878A JP2002350594A (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 画像記録媒体並びに画像読取方法および装置 |
| US10/152,980 US6737667B1 (en) | 2001-05-24 | 2002-05-23 | Image recording medium, image retrieving method and image retrieving apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001154878A JP2002350594A (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 画像記録媒体並びに画像読取方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002350594A true JP2002350594A (ja) | 2002-12-04 |
Family
ID=18999152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001154878A Withdrawn JP2002350594A (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 画像記録媒体並びに画像読取方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6737667B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002350594A (ja) |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3236137A1 (de) | 1982-09-29 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Bildaufnahmeeinrichtung |
| US5587264A (en) * | 1989-03-16 | 1996-12-24 | Dai Nippon Printing Co. Ltd. | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method |
| US5492783A (en) * | 1989-11-17 | 1996-02-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electrostatic information-recording media and process for recording and reproducing electrostatic information |
| JP3445164B2 (ja) | 1997-08-19 | 2003-09-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 静電記録体、静電潜像記録装置および静電潜像読取装置 |
| EP0898421A3 (en) | 1997-08-19 | 2001-12-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrostatic recording member, electrostatic latent image recording apparatus, and electrostatic latent image read-out apparatus |
| JP3266092B2 (ja) | 1998-03-09 | 2002-03-18 | 株式会社ニコン | 電子カメラ |
| JP4267136B2 (ja) | 1998-09-25 | 2009-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出読取装置 |
| US6590224B2 (en) * | 2000-03-22 | 2003-07-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image storage medium and method of manufacturing the same |
| JP2001264442A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像記録媒体 |
| JP4356854B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2009-11-04 | 富士フイルム株式会社 | 画像信号読取システム及び画像検出器 |
| JP4080135B2 (ja) * | 2000-04-24 | 2008-04-23 | 富士フイルム株式会社 | 画像情報記録読取装置 |
| EP1262797B1 (en) * | 2001-05-11 | 2011-07-13 | FUJIFILM Corporation | Method and apparatus for image recording and image recording medium |
| JP2003031837A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像検出器およびその製造方法、画像記録方法および読取方法並びに画像記録装置および読取装置 |
-
2001
- 2001-05-24 JP JP2001154878A patent/JP2002350594A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-05-23 US US10/152,980 patent/US6737667B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| US6737667B1 (en) | 2004-05-18 |
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