JP2002343223A - ヒューズ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工程において所期の性能が出ない素子が
生産された場合でも、容易に溶断特性の調整が可能なヒ
ューズ素子を提供する。 【解決手段】 基板１の両側に電極部３，３と、両側の
電極部３，３に接続するように帯状のヒューズエレメン
ト５とを金属被膜で形成したヒューズ素子において、電
極部３，３のヒューズエレメント５が配置される部分に
接して、トリミング可能な溶断特性調整代７を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はヒューズ素子に係
り、特にセラミック等の基板に金属被膜のヒューズエレ
メントを配置したチップ型の比較的小容量のヒューズ素
子に関する。

【０００２】

【従来の技術】チップ型のヒューズ素子としては、例え
ば図３に示すような形状のヒューズ素子が知られてい
る。これは角板状のアルミナ等のセラミック基板１の両
側に電極部３，３を設け、両電極部３，３間に金属被膜
からなるヒューズエレメント５を設けたものである。ヒ
ューズエレメント５は、両端部の電極部３，３間を接続
するように、帯状に電極部と一体的に形成されている。
また、特性を改善するためヒューズエレメントのパター
ンをコイル状に引き回してヒューズエレメントの長さを
長くし、インダクタンス分を増加させた形状のものもあ
る。

【０００３】係るチップ型のヒューズ素子においては、
ヒューズエレメントを構成する材料として一般的にＣｕ
被膜が用いられている。Ｃｕ被膜形成の方法には、銅箔
による方法、めっきによる方法などがある。Ｃｕ被膜は
導電率が高いため電気抵抗が小さく、且つヒューズエレ
メント部を細くすることにより所要の過電流でこれを溶
断させることが可能である。また、箔化が可能であり、
めっきによっても任意の膜厚の導電層を形成できるた
め、製造が容易であるという利点もある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ヒュー
ズエレメントを溶断させるのに必要な熱を発生させるた
めには、その溶融部において内部抵抗を高くする必要が
あり、また、内部抵抗を高くするには膜厚を薄くする必
要がある。箔化によっても膜厚を薄くすることは可能で
あるが加工上自ずと限界があり、さらに薄くするために
はめっきによらざるを得ない。しかしめっきによる被膜
の形成の場合、基板表面の平滑度の影響を受け、薄層化
するほど安定した特性を出すのが難しく溶断特性のばら
つきが大きくなる。この溶断特性のばらつきは素子の製
造工程中では手直しがきかず、品質検査の段階で規格外
品として破棄され、仕上がり製品の歩留まり低下につな
がるという問題がある。

【０００５】本発明は上記事情に鑑み為されたもので、
小型のヒューズ素子に適用が可能であり、製造の過程で
発生する溶断特性のばらつきを、その特性のばらつきの
大きさに応じて手直しすることができるヒューズ素子を
提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のヒューズ素子は、基板の両側に電極部と、
該両側の電極部に接続するように帯状のヒューズエレメ
ントとを金属被膜で形成したヒューズ素子において、前
記電極部の前記ヒューズエレメントが配置される部分に
接して、トリミング可能な溶断特性調整代を設けたこと
を特徴とする。ここに、前記溶断特性調整代は、前記帯
状のヒューズエレメントの端部に設けた電極部の片方の
側または両方の側に、また帯状のヒューズエレメントの
長手方向の片方の側または両方の側に配置することが出
来る。また、前記溶断特性調整代は前記ヒューズエレメ
ントと一体にめっきにより形成されたものであることが
好ましい。

【０００７】本発明によれば、ヒューズエレメントの端
部にトリミング可能な溶断特性調整代が設けられる。従
って、製造工程において溶断特性にばらつきが生じ、所
期の性能が出ない素子が生産され、規格外品として破棄
せざるを得ない場合でも、溶断特性調整代を適宜トリミ
ングすることにより、容易に溶断特性の調整が可能とな
り、素子生産の歩留まりを向上させることが出来る。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
および図２を参照しながら説明する。なお、各図中にお
いて、同一の構成要素には同一の符号を付して、その重
複した説明を省略する。

【０００９】図１においてヒューズ素子は、角板状の断
熱性に優れたセラミック基板１の両側に設けられた両電
極部３，３間に、Ｃｕめっき膜（金属被膜）からなるヒ
ューズエレメント５を配置したものである。電極部３，
３は、Ｃｕめっき膜によりヒューズエレメント５と一体
的に形成されている。このヒューズ素子においては、角
板状のセラミック基板１上にパターン化されたヒューズ
素子の片方の電極部３のヒューズエレメント長手方向の
片方の側に矩形状の溶断特性調整代７が付加されてい
る。この溶断特性調整代７は電極およびヒューズエレメ
ントと一体にめっきにより形成されている。

【００１０】ヒューズ素子の抵抗Ｒは下式で表される。
すなわち、エレメント部の幅をＷ、被膜の厚さをｔ、被
膜を形成する材料の比抵抗をρとすれば、図１（ａ）に
おいてヒューズエレメントの長さはＬ１であるから R=L1/Wt・ρ 従って、ヒューズエレメントの長さＬ１を変えれば、ヒ
ューズ素子の抵抗が変わり、これにより溶断特性を変え
ることが出来る。この実施形態においては、溶断特性調
整代を図１（ｂ）に示すようにトリミングすることによ
り、ヒューズエレメントの長さをＬ２に変更し、溶断特
性を調整している。トリミングの方法はレーザーによる
方法、物理的に切り取る方法、その他いかなる方法でも
用いることが出来る。

【００１１】図２（ａ）のヒューズ素子は、溶断特性調
整代７を帯状のヒューズエレメント５の両方の側の電極
部３に配置した例である。図２（ｂ）に示すように両方
の側の溶断特性調整代７をトリミングすることにより、
ヒューズエレメント５の長さをＬ１からＬ２に変更し、
溶断特性を調整している。これにより、ヒューズエレメ
ントの抵抗特性が変化し、ヒューズエレメントの溶断特
性を変化させることができる。このようにヒューズ素子
の対称性を維持したままトリミングすることが出来るの
で、より厳密な溶断特性の調整が出来る。

【００１２】図２（ａ）（ｂ）に示す例では、溶断特性
調整代７をヒューズエレメント５の片側の電極部３にの
み設ける例について示したが、両側の電極部３，３に設
けることも勿論できる。これにより、更に対称性を持た
せたトリミングが可能となる。

【００１３】尚、上記実施の形態ではＣｕめっき被膜を
用いたチップ型のヒューズ素子について説明したが、Ｃ
ｕめっき被膜以外の薄膜を用いたヒューズ素子にも同様
に適用可能である。また、チップ型以外にも基板にヒュ
ーズエレメントを配置した各種のヒューズ素子に、本発
明の趣旨を同様に適用可能である。

【００１４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によればヒ
ューズ素子に溶断特性調整代を設けたことにより、溶断
特性に規格外が発見された製品に対しても、溶断特性調
整代に対してトリミングを行い、ヒューズエレメントの
抵抗値の調整等の手直しが可能となり、溶断特性を変化
させることができる。このため、従来破棄していた規格
外品を製品化でき、歩留まりが向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の実施形態のヒューズ素子を
示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のヒューズ素子につ
いてトリミングした状態を示す図である。

【図２】（ａ）は、本発明の他の実施形態のヒューズ素
子を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のヒューズ素子
についてトリミングした状態を示す図である。

【図３】従来のヒューズ素子を示す平面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ３ 電極部 ５ ヒューズエレメント ７ 溶断特性調整代

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の両側に電極部と、該両側の電極部
   に接続するように帯状のヒューズエレメントとを金属被
   膜で形成したヒューズ素子において、 前記電極部の前記ヒューズエレメントが配置される部分
   に接して、トリミング可能な溶断特性調整代を設けたこ
   とを特徴とするヒューズ素子。
2. 【請求項２】 前記溶断特性調整代は、前記ヒューズエ
   レメントの端部に設けた電極部の片方の側または両方の
   側に、また帯状のヒューズエレメントの長手方向の片方
   の側または両方の側に配置されていることを特徴とする
   請求項１に記載のヒューズ素子。
3. 【請求項３】 前記溶断特性調整代は、前記ヒューズエ
   レメントと一体に形成されたものであることを特徴とす
   る請求項１に記載のヒューズ素子。