JP2002338617A - ビニル化合物重合用触媒成分、ビニル化合物重合用触媒、ビニル化合物重合体の製造方法および遷移金属化合物の使用方法 - Google Patents

ビニル化合物重合用触媒成分、ビニル化合物重合用触媒、ビニル化合物重合体の製造方法および遷移金属化合物の使用方法

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JP2002338617A
JP2002338617A JP2001152270A JP2001152270A JP2002338617A JP 2002338617 A JP2002338617 A JP 2002338617A JP 2001152270 A JP2001152270 A JP 2001152270A JP 2001152270 A JP2001152270 A JP 2001152270A JP 2002338617 A JP2002338617 A JP 2002338617A
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JP2001152270A
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Nobuo Oi
伸夫 大井
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 嵩高い置換基を有するビニル化合物の共重合
体を共重合性よく製造したりその単独重合体を容易に製
造し得る触媒成分、重合用触媒、重合体を容易に製造す
る方法、並びに遷移金属化合物の使用方法を提供するこ
と。 【解決手段】 下記ビニル化合物（Ｉ）または下記ビニ
ル化合物（II）を付加重合させる際に用いる触媒成分で
あって、下記一般式［１］で表される遷移金属化合物か
らなるビニル化合物重合用触媒成分。 ビニル化合物（Ｉ）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒで表され、置換
基Ｒの立体パラメータＥｓが−１．６４以下であり、か
つ置換基Ｒの立体パラメータＢ１が１．５３以上である
ビニル化合物。 ビニル化合物（II）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒ’で表され、置
換基Ｒ’が２級アルキル基または３級アルキル基である
ビニル化合物。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、嵩高い置換基を有
するビニル化合物を付加重合させる際に用いられる重合
用触媒成分および重合用触媒、嵩高い置換基を有するビ
ニル化合物の重合体の製造方法、並びに、嵩高い置換基
を有するビニル化合物を付加重合させるに際しての遷移
金属化合物の使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エチレンやプロピレンといったオレフィ
ンの重合の分野では、いわゆるメタロセンや非メタロセ
ンなどの遷移金属化合物を用いて調整されるシングルサ
イト触媒の登場により、従来とは違った性質のポリマー
を製造することができるといった進歩がもたらされつつ
ある。
【０００３】ビニルシクロヘキサンのように嵩高い置換
基を有するビニル化合物の重合についてもかかる触媒の
適用が提案されており、例えば、Polymer Science USS
R,Vol32.No.9,1868-1872 (1990)や、Polymer,Vol34(9),
1941(1993)には、エチレンとビニルシクロヘキサンとの
共重合体の製造方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような嵩高い置換
基を有するビニル化合物の重合体は、ポリ塩化ビニルに
似た性質を示し、非ハロゲン化材料として期待される。
しかしながら、上記のような公知の該重合体の製造方法
は共重合性が低く（即ち、重合に供したモノマー中の嵩
高い置換基を有するビニル化合物のモル比率に比して、
得られた重合体に含まれる該ビニル化合物から誘導され
る繰り返し単位の比率（共重合組成）がかなり低い）、
高い該ビニル化合物共重合組成を有する共重合体を得る
ことは困難であった。また、嵩高いビニル化合物の単独
重合体の製造は困難であった。かかる状況下、本発明が
解決しようとする課題は、嵩高い置換基を有するビニル
化合物の共重合体を共重合性よく製造したりその単独重
合体を容易に製造し得る触媒成分および重合用触媒、並
びに、嵩高い置換基を有するビニル化合物の共重合体を
共重合性よく製造したりその単独重合体を容易に製造す
る方法を提供することにある。また本発明が解決しよう
とする課題は、嵩高い置換基を有するビニル化合物の共
重合体を共重合性よく製造したりその単独重合体を容易
に製造する遷移金属化合物の使用方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記ビニル化
合物（Ｉ）または下記ビニル化合物（II）を付加重合さ
せる際に用いる触媒成分であって、下記一般式［１］で
表される遷移金属化合物からなるビニル化合物重合用触
媒成分；下記ビニル化合物（Ｉ）または下記ビニル化合
物（II）を付加重合させる際に用いる触媒であって、
（Ａ）下記一般式［１］で表される遷移金属化合物と、
下記（Ｂ）および／または下記（Ｃ）とを接触させて得
られるビニル化合物重合用触媒；該ビニル化合物重合用
触媒を用いて下記ビニル化合物（Ｉ）または下記ビニル
化合物（II）を付加重合するビニル化合物重合体の製造
方法；並びに；下記ビニル化合物（Ｉ）または下記ビニ
ル化合物（II）を付加重合させるに際し触媒成分として
使用することを特徴とする下記一般式［１］で表される
遷移金属化合物の使用方法により、前記諸課題を解決す
るものである。 ビニル化合物（Ｉ）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒで表され、置換
基Ｒの立体パラメータＥｓが−１．６４以下であり、か
つ置換基Ｒの立体パラメータＢ１が１．５３以上である
ビニル化合物。 ビニル化合物（II）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒ’で表され、置
換基Ｒ’が２級アルキル基または３級アルキル基である
ビニル化合物。 （式中、Ｍは遷移金属原子を表し、Ｃｐ1およびＣｐ2は
それぞれ独立に、シクロペンタジエン形アニオン骨格を
有する基を表す。Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素
原子または炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表し、そ
れらはいっしょになってＣとともに環状構造を形成して
いてもよい。Ｘは、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０
の炭化水素基、またはヘテロ原子を含有する基を表し、
ｎは０〜４の数を表す。） （Ｂ）：下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）から選ばれる１種以上
のアルミニウム化合物 （Ｂ１）一般式 Ｅ1 aＡｌＺ3-aで示される有機アルミ
ニウム化合物 （Ｂ２）一般式 ｛−Ａｌ（Ｅ2）−Ｏ−｝bで示される
構造を有する環状のアルミノキサン （Ｂ３）一般式 Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ3）−Ｏ−｝cＡｌＥ3
2で示される構造を有する線状のアルミノキサン （但し、Ｅ1、Ｅ2およびＥ3は、それぞれ炭化水素基で
あり、全てのＥ1、全てのＥ2および全てのＥ3は同じで
あっても異なっていても良い。Ｚは水素原子またはハロ
ゲン原子を表し、全てのＺは同じであっても異なってい
ても良い。ａは０＜ａ≦３を満足する数を、ｂは２以上
の整数を、ｃは１以上の整数を表す。） （Ｃ）：下記（Ｃ１）〜（Ｃ３）から選ばれる１種以上
のホウ素化合物 （Ｃ１）一般式 ＢＱ1Ｑ2Ｑ3で表されるホウ素化合
物、（Ｃ２）一般式 Ｇ+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表され
るホウ素化合物、（Ｃ３）一般式 （Ｌ−Ｈ）+（ＢＱ1
Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表されるホウ素化合物 （但し、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ
1〜Ｑ4はハロゲン原子、炭化水素基、ハロゲン化炭化水
素基、置換シリル基、アルコキシ基または２置換アミノ
基であり、それらは同じであっても異なっていても良
い。Ｇ+は無機または有機のカチオンであり、Ｌは中性
ルイス塩基であり、（Ｌ−Ｈ）+はブレンステッド酸で
ある。）。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明において嵩高い置換基を有
するビニル化合物を付加重合させるに際し触媒成分とし
て使用される遷移金属化合物は、上記の一般式［１］で
表される遷移金属化合物であり、（置換）メチレン架橋
型ビスＣｐメタロセン化合物である。
【０００７】一般式［１］においてＭは遷移金属原子を
表す。遷移金属原子としては種々あるが、Ｍとして好ま
しくは周期律表（ＩＵＰＡＣ１９８９年）第４族の遷移
金属原子（チタン原子、ジルコニウム原子またはハフニ
ウム原子）であり、より好ましくはチタン原子またはジ
ルコニウム原子であり、特に好ましくはジルコニウム原
子である。
【０００８】一般式［１］において、Ｃｐ1およびＣｐ2
はそれぞれ独立に、シクロペンタジエン形アニオン骨格
を有する基を表す。シクロペンタジエン形アニオン骨格
を有する基は例えばη5−（置換）シクロペンタジエニ
ル基、η5−（置換）インデニル基、η5−（置換）フル
オレニル基などである。置換基を具体的に例示すれば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェ
ナンスリル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、メト
キシ基、フェノキシ基、フリル基等が挙げられる。かか
る置換基は１個であっても２個以上であってもよく、ま
た、複数の置換基が環構造を形成していてもよい。シク
ロペンタジエン形アニオン骨格を有する基として好まし
くはη5−（置換）インデニル基である。
【０００９】上記一般式［１］で表される遷移金属化合
物においては、２つのシクロペンタジエン形アニオン骨
格を有する基（Ｃｐ1およびＣｐ2）は、炭素原子により
連結されている。
【００１０】一般式［１］において、Ｒ1およびＲ2はそ
れぞれ独立に、水素原子または炭素原子数１〜２０の炭
化水素基を表し、それらはいっしょになってＣとともに
環状構造を形成していてもよい。ここでいう炭化水素基
としてはアルキル基、アラルキル基やアリール基等が挙
げられ、好ましくは、炭素原子数１〜２０のアルキル
機、炭素原子数７〜２０のアラルキル基、または炭素原
子数６〜２０のアリール記が好ましい。
【００１１】炭素原子数１〜２０のアルキル基として
は、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペ
ンチル基、アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル
基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ペンタデシル
基、ｎ−エイコシル基などが挙げられ、より好ましくは
メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、イソブチル基またはアミル基である。
【００１２】炭素原子数７〜２０のアラルキル基として
は、例えばベンジル基、（２−メチルフェニル）メチル
基、（３−メチルフェニル）メチル基、（４−メチルフ
ェニル）メチル基、（２，３−ジメチルフェニル）メチ
ル基、（２，４−ジメチルフェニル）メチル基、（２，
５−ジメチルフェニル）メチル基、（２，６−ジメチル
フェニル）メチル基、（３，４−ジメチルフェニル）メ
チル基、（３，５−ジメチルフェニル）メチル基、
（２，３，４−トリメチルフェニル）メチル基、（２，
３，５−トリメチルフェニル）メチル基、（２，３，６
−トリメチルフェニル）メチル基、（３，４，５−トリ
メチルフェニル）メチル基、（２，４，６−トリメチル
フェニル）メチル基、（２，３，４，５−テトラメチル
フェニル）メチル基、（２，３，４，６−テトラメチル
フェニル）メチル基、（２，３，５，６−テトラメチル
フェニル）メチル基、（ペンタメチルフェニル）メチル
基、（エチルフェニル）メチル基、（ｎ−プロピルフェ
ニル）メチル基、（イソプロピルフェニル）メチル基、
（ｎ−ブチルフェニル）メチル基、（ｓｅｃ−ブチルフ
ェニル）メチル基、（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メチ
ル基、（ｎ−ペンチルフェニル）メチル基、（ネオペン
チルフェニル）メチル基、（ｎ−ヘキシルフェニル）メ
チル基、（ｎ−オクチルフェニル）メチル基、（ｎ−デ
シルフェニル）メチル基、（ｎ−ドデシルフェニル）メ
チル基、ナフチルメチル基、アントラセニルメチル基な
どが挙げられ、より好ましくはベンジル基である。
【００１３】炭素原子数６〜２０のアリール基として
は、例えばフェニル基、２−トリル基、３−トリル基、
４−トリル基、２，３−キシリル基、２，４−キシリル
基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４
−キシリル基、３，５−キシリル基、２，３，４−トリ
メチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル
基、２，３，６−トリメチルフェニル基、２，４，６−
トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニ
ル基、２，３，４，５−テトラメチルフェニル基、２，
３，４，６−テトラメチルフェニル基、２，３，５，６
−テトラメチルフェニル基、ペンタメチルフェニル基、
エチルフェニル基、ｎ−プロピルフェニル基、イソプロ
ピルフェニル基、ｎ−ブチルフェニル基、ｓｅｃ−ブチ
ルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｎ−ペン
チルフェニル基、ネオペンチルフェニル基、ｎ−ヘキシ
ルフェニル基、ｎ−オクチルフェニル基、ｎ−デシルフ
ェニル基、ｎ−ドデシルフェニル基、ｎ−テトラデシル
フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などが挙げ
られ、より好ましくはフェニル基である。
【００１４】Ｒ1およびＲ2として好ましくは、それぞれ
独立に、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、フェニル基、２，
６−ジイソプロピルフェニル基、またはベンジル基であ
る。
【００１５】Ｒ1およびＲ2がいっしょになってＣととも
に環状構造を形成している場合としては、例えばシクロ
ブチリデン基、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリ
デン基、シクロオクチリデン基、２，５−ジメチル−シ
クロペンチリデン基などが挙げられ、好ましくはシクロ
ペンチリデン基である。
【００１６】一般式［１］におけるＸは、ハロゲン原
子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、またはヘテロ原
子を含有する基を表し、ｎは０〜４の数を表す（ｎが０
であるときは、Ｘがないことを表す。）ハロゲン原子と
しては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子
が挙げられ、塩素原子が好ましい。炭化水素基としては
前記Ｒ1およびＲ2として述べたものと同様であり、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、フェニル基、２，６−ジイソプロピルフェ
ニル基、またはベンジル基が好ましい。ヘテロ原子を含
有する基におけるヘテロ原子としては窒素原子、リン原
子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。かかるヘテロ
原子を含有する基の例としては、炭化水素アミノ基、炭
化水素ホスフィノ基、炭化水素オキシ基、炭化水素チオ
基などが挙げられ、好ましくは、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ジアル
キルアミノ基、ジアリールアミノ基、ジアルキルホスフ
ィノ基またはジアリールホスフィノ基であり、より好ま
しくは、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基、フェノキシ基、チオメトキシ基、ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチ
ルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ピロリル基、または
ジメチルホスフィノ基である。Ｘとして好ましくはハロ
ゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基もしくはア
ルコキシ基、炭素原子数６〜２０のアリール基もしくは
アリールオキシ基、または炭素原子数２〜２０のジアル
キルアミノ基であり、より好ましくは、塩素原子、メチ
ル基、エチル基、フェニル基、イソプロピル基、メトキ
シ基、イソプロポキシ基、フェノキシ基またはジメチル
アミノ基である。
【００１７】一般式［１］で表される遷移金属化合物の
具体例としては、イソプロピリデンビス（シクロペンタ
ジエニル）チタンジクロライド、イソプロピリデンビス
（２−メチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライ
ド、イソプロピリデンビス（３−メチルシクロペンタジ
エニル）チタンジクロライド、イソプロピリデンビス
（２−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）チタンジクロ
ライド、イソプロピリデンビス（３−ｎ−ブチルシクロ
ペンタジエニル）チタンジクロライド、イソプロピリデ
ンビス（２，３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタ
ンジクロライド、イソプロピリデンビス（２，４−ジメ
チルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、イソ
プロピリデンビス（２，５−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）チタンジクロライド、イソプロピリデンビス
（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタンジク
ロライド、イソプロピリデンビス（２，３−エチルメチ
ルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、イソプ
ロピリデンビス（２，４−エチルメチルシクロペンタジ
エニル）チタンジクロライド、イソプロピリデンビス
（２，５−エチルメチルシクロペンタジエニル）チタン
ジクロライド、イソプロピリデンビス（３，５−エチル
メチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、イ
ソプロピリデンビス（２，３，４−トリメチルシクロペ
ンタジエニル）チタンジクロライド、イソプロピリデン
ビス（２，３，５−トリメチルシクロペンタジエニル）
チタンジクロライド、イソプロピリデンビス（テトラメ
チルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、イソ
プロピリデンビス（１−インデニル）チタンジクロライ
ド、イソプロピリデンビス（２−メチル−１−インデニ
ル）チタンジクロライド、イソプロピリデンビス（３−
メチル−１−インデニル）チタンジクロライド、イソプ
ロピリデンビス（２−ｎ−ブチル−１−インデニル）チ
タンジクロライド、イソプロピリデンビス（３−ｎ−ブ
チル−１−インデニル）チタンジクロライド、イソプロ
ピリデンビス（２，３−ジメチル−１−インデニル）チ
タンジクロライド、イソプロピリデンビス（２，４−ジ
メチル−１−インデニル）チタンジクロライド、イソプ
ロピリデンビス（２，５−ジメチル−１−インデニル）
チタンジクロライド、イソプロピリデンビス（３，４−
ジメチル−１−インデニル）チタンジクロライド、イソ
プロピリデンビス（２，３−エチルメチル−１−インデ
ニル）チタンジクロライド、イソプロピリデンビス
（２，４−エチルメチル−１−インデニル）チタンジク
ロライド、イソプロピリデンビス（２，５−エチルメチ
ル−１−インデニル）チタンジクロライド、イソプロピ
リデンビス（３，５−エチルメチル−１−インデニル）
チタンジクロライド、イソプロピリデンビス（２，３，
４−トリメチル−１−インデニル）チタンジクロライ
ド、イソプロピリデンビス（２，３，５−トリメチル−
１−インデニル）チタンジクロライド、イソプロピリデ
ンビス（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−インデニ
ル）チタンジクロライド、イソプロピリデンビス（２−
フェニル−１−インデニル）チタンジクロライド、イソ
プロピリデンビス（２−メチル−４−フェニル−１−イ
ンデニル）チタンジクロライド、イソプロピリデンビス
（３−メチル−４−フェニル−１−インデニル）チタン
ジクロライド、イソプロピリデンビス（２−メチル−５
−フェニル−１−インデニル）チタンジクロライド、イ
ソプロピリデンビス（３−メチル−５−フェニル−１−
インデニル）チタンジクロライド、イソプロピリデンビ
ス（４，５−ベンゾ−１−インデニル）チタンジクロラ
イド、１，１−シクロペンチリデンビス（１−インデニ
ル）チタンジクロライド、イソプロピリデンビス（３−
シクロペンタ［ｃ］フェナンスリル）チタンジクロライ
ド、イソプロピリデンビス（９−フルオレニル）チタン
ジクロライド、
【００１８】イソプロピリデン（シクロペンタジエニ
ル）（テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジク
ロライド、イソプロピリデン（シクロペンタジエニル）
（１−インデニル）チタンジクロライド、イソプロピリ
デン（メチルシクロペンタジエニル）（１−インデニ
ル）チタンジクロライド、イソプロピリデン（ｎ−ブチ
ルシクロペンタジエニル）（１−インデニル）ジクロラ
イド、イソプロピリデン（テトラメチルシクロペンタジ
エニル）（１−インデニル）ジクロライド、イソプロピ
リデン（シクロペンタジエニル）（９−フルオレニル）
チタンジクロライド、イソプロピリデン（メチルシクロ
ペンタジエニル）（９−フルオレニル）チタンジクロラ
イド、イソプロピリデン（ｎ−ブチルシクロペンタジエ
ニル）（９−フルオレニル）チタンジクロライド、イソ
プロピリデン（テトラメチルシクロペンタジエニル）
（９−フルオレニル）チタンジクロライド、イソプロピ
リデン（１−インデニル）（９−フルオレニル）チタン
ジクロライド、
【００１９】メチレンビス（シクロペンタジエニル）チ
タンジクロライド、メチレンビス（２−メチルシクロペ
ンタジエニル）チタンジクロライド、メチレンビス（３
−メチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、
メチレンビス（２−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）
チタンジクロライド、メチレンビス（３−ｎ−ブチルシ
クロペンタジエニル）チタンジクロライド、メチレンビ
ス（２，３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタンジ
クロライド、メチレンビス（２，４−ジメチルシクロペ
ンタジエニル）チタンジクロライド、メチレンビス
（２，５−ジメチルシクロペンタジエニル）チタンジク
ロライド、メチレンビス（３，４−ジメチルシクロペン
タジエニル）チタンジクロライド、メチレンビス（２，
３−エチルメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロ
ライド、メチレンビス（２，４−エチルメチルシクロペ
ンタジエニル）チタンジクロライド、メチレンビス
（２，５−エチルメチルシクロペンタジエニル）チタン
ジクロライド、メチレンビス（３，５−エチルメチルシ
クロペンタジエニル）チタンジクロライド、メチレンビ
ス（２，３，４−トリメチルシクロペンタジエニル）チ
タンジクロライド、メチレンビス（２，３，５−トリメ
チルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、メチ
レンビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）チタン
ジクロライド、メチレンビス（１−インデニル）チタン
ジクロライド、メチレンビス（２−メチル−１−インデ
ニル）チタンジクロライド、メチレンビス（３−メチル
−１−インデニル）チタンジクロライド、メチレンビス
（２−ｎ−ブチル−１−インデニル）チタンジクロライ
ド、メチレンビス（３−ｎ−ブチル−１−インデニル）
チタンジクロライド、メチレンビス（２，３−ジメチル
−１−インデニル）チタンジクロライド、メチレンビス
（２，４−ジメチル−１−インデニル）チタンジクロラ
イド、メチレンビス（２，５−ジメチル−１−インデニ
ル）チタンジクロライド、メチレンビス（３，４−ジメ
チル−１−インデニル）チタンジクロライド、メチレン
ビス（２，３−エチルメチル−１−インデニル）チタン
ジクロライド、メチレンビス（２，４−エチルメチル−
１−インデニル）チタンジクロライド、メチレンビス
（２，５−エチルメチル−１−インデニル）チタンジク
ロライド、メチレンビス（３，５−エチルメチル−１−
インデニル）チタンジクロライド、メチレンビス（２，
３，４−トリメチル−１−インデニル）チタンジクロラ
イド、メチレンビス（２，３，５−トリメチル−１−イ
ンデニル）チタンジクロライド、メチレンビス（４，
５，６，７−テトラヒドロ−１−インデニル）チタンジ
クロライド、メチレンビス（２−フェニル−１−インデ
ニル）チタンジクロライド、メチレンビス（２−メチル
−４−フェニル−１−インデニル）チタンジクロライ
ド、メチレンビス（３−メチル−４−フェニル−１−イ
ンデニル）チタンジクロライド、メチレンビス（２−メ
チル−５−フェニル−１−インデニル）チタンジクロラ
イド、メチレンビス（３−メチル−５−フェニル−１−
インデニル）チタンジクロライド、メチレンビス（４，
５−ベンゾ−１−インデニル）チタンジクロライド、
１，１−シクロペンチリデンビス（１−インデニル）チ
タンジクロライド、メチレンビス（３−シクロペンタ
［ｃ］フェナンスリル）チタンジクロライド、メチレン
ビス（９−フルオレニル）チタンジクロライド、
【００２０】メチレン（シクロペンタジエニル）（テト
ラメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、
メチレン（シクロペンタジエニル）（１−インデニル）
チタンジクロライド、メチレン（メチルシクロペンタジ
エニル）（１−インデニル）チタンジクロライド、メチ
レン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（１−インデ
ニル）ジクロライド、メチレン（テトラメチルシクロペ
ンタジエニル）（１−インデニル）ジクロライド、メチ
レン（シクロペンタジエニル）（９−フルオレニル）チ
タンジクロライド、メチレン（メチルシクロペンタジエ
ニル）（９−フルオレニル）チタンジクロライド、メチ
レン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（９−フルオ
レニル）チタンジクロライド、メチレン（テトラメチル
シクロペンタジエニル）（９−フルオレニル）チタンジ
クロライド、メチレン（１−インデニル）（９−フルオ
レニル）チタンジクロライド、
【００２１】ジフェニルメチレンビス（シクロペンタジ
エニル）チタンジクロライド、ジフェニルメチレンビス
（２−メチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライ
ド、ジフェニルメチレンビス（３−メチルシクロペンタ
ジエニル）チタンジクロライド、ジフェニルメチレンビ
ス（２−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）チタンジク
ロライド、ジフェニルメチレンビス（３−ｎ−ブチルシ
クロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジフェニル
メチレンビス（２，３−ジメチルシクロペンタジエニ
ル）チタンジクロライド、ジフェニルメチレンビス
（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタンジク
ロライド、ジフェニルメチレンビス（２，５−ジメチル
シクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジフェニ
ルメチレンビス（３，４−ジメチルシクロペンタジエニ
ル）チタンジクロライド、ジフェニルメチレンビス
（２，３−エチルメチルシクロペンタジエニル）チタン
ジクロライド、ジフェニルメチレンビス（２，４−エチ
ルメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、
ジフェニルメチレンビス（２，５−エチルメチルシクロ
ペンタジエニル）チタンジクロライド、ジフェニルメチ
レンビス（３，５−エチルメチルシクロペンタジエニ
ル）チタンジクロライド、ジフェニルメチレンビス
（２，３，４−トリメチルシクロペンタジエニル）チタ
ンジクロライド、ジフェニルメチレンビス（２，３，５
−トリメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライ
ド、ジフェニルメチレンビス（テトラメチルシクロペン
タジエニル）チタンジクロライド、ジフェニルメチレン
ビス（１−インデニル）チタンジクロライド、ジフェニ
ルメチレンビス（２−メチル−１−インデニル）チタン
ジクロライド、ジフェニルメチレンビス（３−メチル−
１−インデニル）チタンジクロライド、ジフェニルメチ
レンビス（２−ｎ−ブチル−１−インデニル）チタンジ
クロライド、ジフェニルメチレンビス（３−ｎ−ブチル
−１−インデニル）チタンジクロライド、ジフェニルメ
チレンビス（２，３−ジメチル−１−インデニル）チタ
ンジクロライド、ジフェニルメチレンビス（２，４−ジ
メチル−１−インデニル）チタンジクロライド、ジフェ
ニルメチレンビス（２，５−ジメチル−１−インデニ
ル）チタンジクロライド、ジフェニルメチレンビス
（３，４−ジメチル−１−インデニル）チタンジクロラ
イド、ジフェニルメチレンビス（２，３−エチルメチル
−１−インデニル）チタンジクロライド、ジフェニルメ
チレンビス（２，４−エチルメチル−１−インデニル）
チタンジクロライド、ジフェニルメチレンビス（２，５
−エチルメチル−１−インデニル）チタンジクロライ
ド、ジフェニルメチレンビス（３，５−エチルメチル−
１−インデニル）チタンジクロライド、ジフェニルメチ
レンビス（２，３，４−トリメチル−１−インデニル）
チタンジクロライド、ジフェニルメチレンビス（２，
３，５−トリメチル−１−インデニル）チタンジクロラ
イド、ジフェニルメチレンビス（４，５，６，７−テト
ラヒドロ−１−インデニル）チタンジクロライド、ジフ
ェニルメチレンビス（２−フェニル−１−インデニル）
チタンジクロライド、ジフェニルメチレンビス（２−メ
チル−４−フェニル−１−インデニル）チタンジクロラ
イド、ジフェニルメチレンビス（３−メチル−４−フェ
ニル−１−インデニル）チタンジクロライド、ジフェニ
ルメチレンビス（２−メチル−５−フェニル−１−イン
デニル）チタンジクロライド、ジフェニルメチレンビス
（３−メチル−５−フェニル−１−インデニル）チタン
ジクロライド、ジフェニルメチレンビス（４，５−ベン
ゾ−１−インデニル）チタンジクロライド、１，１−シ
クロペンチリデンビス（１−インデニル）チタンジクロ
ライド、ジフェニルメチレンビス（３−シクロペンタ
［ｃ］フェナンスリル）チタンジクロライド、ジフェニ
ルメチレンビス（９−フルオレニル）チタンジクロライ
ド、
【００２２】ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニ
ル）（テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジク
ロライド、ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニ
ル）（１−インデニル）チタンジクロライド、ジフェニ
ルメチレン（メチルシクロペンタジエニル）（１−イン
デニル）チタンジクロライド、ジフェニルメチレン（ｎ
−ブチルシクロペンタジエニル）（１−インデニル）ジ
クロライド、ジフェニルメチレン（テトラメチルシクロ
ペンタジエニル）（１−インデニル）ジクロライド、ジ
フェニルメチレン（シクロペンタジエニル）（９−フル
オレニル）チタンジクロライド、ジフェニルメチレン
（メチルシクロペンタジエニル）（９−フルオレニル）
チタンジクロライド、ジフェニルメチレン（ｎ−ブチル
シクロペンタジエニル）（９−フルオレニル）チタンジ
クロライド、ジフェニルメチレン（テトラメチルシクロ
ペンタジエニル）（９−フルオレニル）チタンジクロラ
イド、ジフェニルメチレン（１−インデニル）（９−フ
ルオレニル）チタンジクロライド等が挙げられる。また
これらの化合物名のチタンをジルコニウムまたはハフニ
ウムに変更した化合物も同様に例示される。
【００２３】一般式［１］で表される遷移金属化合物と
して好ましくは、イソプロピリデンビス（１−インデニ
ル）ジルコニウムジクロライド、イソプロピリデンビス
（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−インデニル）ジ
ルコニウムジクロライド、イソプロピリデンビス（２−
メチル−１−インデニル）ジルコニウムジクロライド、
イソプロピリデンビス（２−フェニル−１−インデニ
ル）ジルコニウムジクロライド、イソプロピリデンビス
（４，５−ベンゾ−１−インデニル）ジルコニウムジク
ロライド、１，１−シクロペンチリデンビス（１−イン
デニル）ジルコニウムジクロライド、イソプロピリデン
ビス（３−シクロペンタ［ｃ］フェナンスリル）ジルコ
ニウムジクロライド、イソプロピリデンビス（９−フル
オレニル）ジルコニウムジクロライド、ジフェニルメチ
レンビス（１−インデニル）ジルコニウムジクロライ
ド、ジフェニルメチレンビス（４，５，６，７−テトラ
ヒドロ−１−インデニル）ジルコニウムジクロライド、
ジフェニルメチレンビス（２−メチル−１−インデニ
ル）ジルコニウムジクロライド、ジフェニルメチレンビ
ス（２−フェニル−１−インデニル）ジルコニウムジク
ロライド、ジフェニルメチレンビス（４，５−ベンゾ−
１−インデニル）ジルコニウムジクロライド、ジフェニ
ルメチレンビス（３−シクロペンタ［ｃ］フェナンスリ
ル）ジルコニウムジクロライド、またはジフェニルメチ
レンビス（９−フルオレニル）ジルコニウムジクロライ
ドであり、より好ましくは、イソプロピリデンビス（１
−インデニル）ジルコニウムジクロライド、イソプロピ
リデンビス（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−イン
デニル）ジルコニウムジクロライド、イソプロピリデン
ビス（２−フェニル−１−インデニル）ジルコニウムジ
クロライド、またはイソプロピリデンビス（４，５−ベ
ンゾ−１−インデニル）ジルコニウムジクロライドであ
り、特に好ましくは、イソプロピリデンビス（１−イン
デニル）ジルコニウムジクロライド、またはイソプロピ
リデンビス（４，５−ベンゾ−１−インデニル）ジルコ
ニウムジクロライドである。
【００２４】これらの遷移金属化合物は一種類のみを用
いてもよく、二種類以上を組み合わせてもよい。本発明
においては、上記一般式［１］で表される遷移金属化合
物とその０．５倍モル量もしくは等モル量の水との反応
物であるμ−オキソタイプもしくはビスμ−オキソタイ
プの遷移金属化合物を用いてもよい。
【００２５】上記一般式［１］で表される遷移金属化合
物は、嵩高い置換基を有するビニル化合物を付加重合さ
せる際に用いる触媒成分として使用される。本発明にお
いて、嵩高い置換基を有するビニル化合物を付加重合さ
せる際に用いる触媒は、上記一般式［１］で表される遷
移金属化合物と活性化用助触媒とを接触させて得られる
ビニル化合物重合用触媒であり、好ましくは（Ａ）上記
一般式［１］で表される遷移金属化合物と、下記（Ｂ）
および／または下記（Ｃ）とを接触させて得られるビニ
ル化合物重合用触媒である。 （Ｂ）：下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）から選ばれる１種以上
のアルミニウム化合物 （Ｂ１）一般式 Ｅ1 aＡｌＺ3-aで示される有機アルミ
ニウム化合物 （Ｂ２）一般式 ｛−Ａｌ（Ｅ2）−Ｏ−｝bで示される
構造を有する環状のアルミノキサン （Ｂ３）一般式 Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ3）−Ｏ−｝cＡｌＥ3
2で示される構造を有する線状のアルミノキサン （但し、Ｅ1、Ｅ2およびＥ3は、それぞれ炭化水素基で
あり、全てのＥ1、全てのＥ2および全てのＥ3は同じで
あっても異なっていても良い。Ｚは水素原子またはハロ
ゲン原子を表し、全てのＺは同じであっても異なってい
ても良い。ａは０＜ａ≦３を満足する数を、ｂは２以上
の整数を、ｃは１以上の整数を表す。） （Ｃ）：下記（Ｃ１）〜（Ｃ３）から選ばれる１種以上
のホウ素化合物 （Ｃ１）一般式 ＢＱ1Ｑ2Ｑ3で表されるホウ素化合
物、（Ｃ２）一般式 Ｇ+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表され
るホウ素化合物、（Ｃ３）一般式 （Ｌ−Ｈ）+（ＢＱ1
Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表されるホウ素化合物（但し、Ｂは３価
の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ1〜Ｑ4はハロゲン
原子、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、置換シリル
基、アルコキシ基または２置換アミノ基であり、それら
は同じであっても異なっていても良い。Ｇ+は無機また
は有機のカチオンであり、Ｌは中性ルイス塩基であり、
（Ｌ−Ｈ）+はブレンステッド酸である。）。以下、こ
の好ましいビニル化合物重合用触媒についてさらに説明
する。
【００２６】（Ｂ）アルミニウム化合物 上記アルミニウム化合物（Ｂ）において、 Ｅ1 、Ｅ2
およびＥ3 における炭化水素基としては、それぞれ炭素
原子数１〜８の炭化水素基が好ましく、アルキル基がよ
り好ましい。
【００２７】一般式 Ｅ1 aＡｌＺ3-a で示される有機ア
ルミニウム化合物（Ｂ１）の具体例としては、トリメチ
ルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピ
ルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘ
キシルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム；ジ
メチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミニウム
クロライド、ジプロピルアルミニウムクロライド、ジイ
ソブチルアルミニウムクロライド、ジヘキシルアルミニ
ウムクロライド等のジアルキルアルミニウムクロライ
ド；メチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニ
ウムジクロライド、プロピルアルミニウムジクロライ
ド、イソブチルアルミニウムジクロライド、ヘキシルア
ルミニウムジクロライド等のアルキルアルミニウムジク
ロライド；ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチ
ルアルミニウムハイドライド、ジプロピルアルミニウム
ハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライ
ド、ジヘキシルアルミニウムハイドライド等のジアルキ
ルアルミニウムハイドライド等を例示することができ
る。好ましくは、トリアルキルアルミニウムであり、よ
り好ましくは、トリエチルアルミニウムまたはトリイソ
ブチルアルミニウムである。
【００２８】一般式 ｛−Ａｌ（Ｅ2 ）−Ｏ−｝bで示
される構造を有する環状のアルミノキサン（Ｂ２）、一
般式 Ｅ3 ｛−Ａｌ（Ｅ3 ）−Ｏ−｝c ＡｌＥ3 2で示さ
れる構造を有する線状のアルミノキサン（Ｂ３）におけ
る、Ｅ2 、Ｅ3 の具体例としては、メチル基、エチル
基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブ
チル基、イソブチル基、ノルマルペンチル基、ネオペン
チル基等のアルキル基を例示することができる。ｂは２
以上の整数であり、ｃは１以上の整数である。好ましく
は、Ｅ2 およびＥ3 はメチル基またはイソブチル基であ
り、ｂは２〜４０、ｃは１〜４０である。
【００２９】上記のアルミノキサンは各種の方法で作ら
れる。その方法については特に制限はなく、公知の方法
に準じて作ればよい。例えば、トリアルキルアルミニウ
ム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を適当な有
機溶剤（ベンゼン、脂肪族炭化水素など）に溶かした溶
液を水と接触させて作る。また、トリアルキルアルミニ
ウム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を結晶水
を含んでいる金属塩（例えば、硫酸銅水和物など）に接
触させて作る方法が例示できる。このようにして得られ
たアルミノキサンや市販のアルミノキサンは通常、（Ｂ
２）と（Ｂ３）との混合物となっていると考えられる。
【００３０】（Ｃ）ホウ素化合物 一般式 ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 で表されるホウ素化合物（Ｃ
１）において、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であ
り、Ｑ1 〜Ｑ3 はハロゲン原子、炭化水素基、ハロゲン
化炭化水素基、置換シリル基、アルコキシ基または２置
換アミノ基であり、それらは同じであっても異なってい
ても良い。Ｑ1 〜Ｑ3 は好ましくは、ハロゲン原子、１
〜２０個の炭素原子を含む炭化水素基、１〜２０個の炭
素原子を含むハロゲン化炭化水素基、１〜２０個の炭素
原子を含む置換シリル基、１〜２０個の炭素原子を含む
アルコキシ基または２〜２０個の炭素原子を含むアミノ
基であり、より好ましいＱ1 〜Ｑ3 はハロゲン原子、１
〜２０個の炭素原子を含む炭化水素基、または１〜２０
個の炭素原子を含むハロゲン化炭化水素基である。さら
に好ましくはＱ1 〜Ｑ4 は、それぞれ少なくとも１個の
フッ素原子を含む炭素原子数１〜２０のフッ素化炭化水
素基であり、特に好ましくはＱ1 〜Ｑ4 は、それぞれ少
なくとも１個のフッ素原子を含む炭素原子数６〜２０の
フッ素化アリール基である。
【００３１】化合物（Ｃ１）の具体例としては、トリス
（ペンタフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，
５，６−テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス
（２，３，４，５−テトラフルオロフェニル）ボラン、
トリス（３，４，５−トリフルオロフェニル）ボラン、
トリス（２，３，４−トリフルオロフェニル）ボラン、
フェニルビス（ペンタフルオロフェニル）ボラン等が挙
げられるが、最も好ましくは、トリス（ペンタフルオロ
フェニル）ボランである。
【００３２】一般式 Ｇ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で
表されるホウ素化合物（Ｃ２）において、Ｇ+ は無機ま
たは有機のカチオンであり、Ｂは３価の原子価状態のホ
ウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ4 は上記の（Ｃ１）における
Ｑ1 〜Ｑ3 と同様である。
【００３３】一般式 Ｇ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で
表される化合物における無機のカチオンであるＧ+ の具
体例としては、フェロセニウムカチオン、アルキル置換
フェロセニウムカチオン、銀陽イオンなどが、有機のカ
チオンであるＧ+ としては、トリフェニルメチルカチオ
ンなどが挙げられる。Ｇ+ として好ましくはカルベニウ
ムカチオンであり、特に好ましくはトリフェニルメチル
カチオンである。（ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- としては、
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テト
ラキス（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボ
レート、テトラキス（２，３，４，５−テトラフルオロ
フェニル）ボレート、テトラキス（３，４，５−トリフ
ルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，３，４−
トリフルオロフェニル）ボレート、フェニルトリス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレ−ト、テトラキス（３，５
−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙
げられる。
【００３４】これらの具体的な組み合わせとしては、フ
ェロセニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レート、１，１’−ジメチルフェロセニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、銀テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルメ
チルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
トリフェニルメチルテトラキス（３，５−ビストリフル
オロメチルフェニル）ボレートなどを挙げることができ
るが、最も好ましくは、トリフェニルメチルテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートである。
【００３５】また、一般式（Ｌ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ
3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物（Ｃ３）において
は、Ｌは中性ルイス塩基であり、（Ｌ−Ｈ）+ はブレン
ステッド酸であり、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子
であり、Ｑ1 〜Ｑ4 は上記のルイス酸（Ｃ１）における
Ｑ1 〜Ｑ3 と同様である。
【００３６】一般式（Ｌ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ
4 ）- で表される化合物におけるブレンステッド酸であ
る（Ｌ−Ｈ）+ の具体例としては、トリアルキル置換ア
ンモニウム、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアニリニウム、ジアル
キルアンモニウム、トリアリールホスホニウムなどが挙
げられ、（ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- としては、前述と同
様のものが挙げられる。
【００３７】これらの具体的な組み合わせとしては、ト
リエチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ｎ−ブチ
ル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、トリ（ｎ−ブチル）アンモニウムテトラ
キス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレ
ート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニ
リニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、Ｎ，Ｎ−２，４，６−ペンタメチルアニリニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアニリニウムテトラキス（３，５−ビストリ
フルオロメチルフェニル）ボレート、ジイソプロピルア
ンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルホスホニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
トリ（メチルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート、トリ（ジメチルフェニ
ル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレートなどを挙げることができるが、最も好まし
くは、トリ（ｎ−ブチル）アンモニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート、もしくは、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレートである。
【００３８】［重合］本発明で用いられる好ましいビニ
ル化合物重合用触媒は、（Ａ）上記一般式［１］で表さ
れる遷移金属化合物と、上記（Ｂ）および／または上記
（Ｃ）とを接触させて得られるビニル化合物重合用触媒
である。ここでいう接触とは、上記の（Ａ）と、（Ｂ）
および／または（Ｃ）とが接触し、触媒が形成されるな
らどのような手段によってもよく、あらかじめ溶媒で希
釈もしくは希釈せずに上記の（Ａ）と、（Ｂ）および／
または（Ｃ）とを混合して接触させる方法や、別々に重
合槽に供給して重合槽の中で接触させ触媒を形成する方
法等を採用できる。各触媒成分を重合槽に供給する方法
としては、窒素、アルゴン等の不活性ガス中で水分のな
い状態で供給することが好ましく、その場合、あらかじ
め任意の２者もしくは３者を混合して接触させたのちに
別々に重合槽に供給してもよい。
【００３９】前記重合用触媒として（Ａ）および（Ｂ）
を接触させて得られる重合用触媒を用いる際は、（Ｂ）
としては、前記の環状のアルミノキサン（Ｂ２）および
／または線状のアルミノキサン（Ｂ３）が好ましい。ま
た他に好ましい重合用触媒の態様としては、上記
（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を接触させて得られる重合
用触媒が挙げられ、その際の該（Ｂ）としては前記の
（Ｂ１）が使用しやすい。
【００４０】各成分の使用量は通常、［（Ｂ）に含まれ
るＡｌ原子換算モル］／（Ａ）のモル比が０．１〜１０
０００で、好ましくは５〜２０００、（Ｃ）／（Ａ）の
モル比が０．０１〜１００で、好ましくは０．５〜１０
の範囲にあるように、各成分を用いることが望ましい。
各成分を溶液状態もしくは溶媒に懸濁した状態で用いる
場合の濃度は、重合反応器に各成分を供給する装置の性
能などの条件により、適宜選択されるが、一般に、
（Ａ）が、通常０．０１〜５００μｍｏｌ／ｇで、より
好ましくは、０．０５〜１００μｍｏｌ／ｇ、さらに好
ましくは、０．０５〜５０μｍｏｌ／ｇ、（Ｂ）が、Ａ
ｌ原子換算で、通常０．０１〜１００００μｍｏｌ／ｇ
で、より好ましくは、０．１〜５０００μｍｏｌ／ｇ、
さらに好ましくは、０．１〜２０００μｍｏｌ／ｇ、
（Ｃ）は、通常０．０１〜５００μｍｏｌ／ｇで、より
好ましくは、０．０５〜２００μｍｏｌ／ｇ、さらに好
ましくは、０．０５〜１００μｍｏｌ／ｇの範囲にある
ように各成分を用いることが望ましい。
【００４１】本発明で用いられる触媒としては、さらに
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の無機担体、エチレン、スチレ
ン等の重合体等の有機ポリマー担体を含む粒子状担体を
組み合わせて用いてもよい。
【００４２】重合法としては特に制限はなく、例えばバ
ッチ式または連続式の気相重合法、塊状重合法、適当な
溶媒を使用しての溶液重合法あるいはスラリー重合法
等、任意の方法を使用することができる。溶媒を使用す
る場合、触媒を失活させないという条件の各種の溶媒が
使用可能であり、このような溶媒の例として、ベンゼ
ン、トルエン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロ
ヘキサン等の炭化水素；ジクロロメタン、ニ塩化スチレ
ン等のハロゲン化炭化水素基をあげることができる。
【００４３】重合温度については特に制限はなく、一般
に−１００〜２５０℃、好ましくは−５０〜２００℃が
採用される。また、圧力についても制限はないが、一般
に１０ＭＰａ以下、好ましくは０．１ＭＰａ〜５ＭＰａ
で実施される。また、重合体の分子量を調製するために
水素などの連鎖移動剤を添加することもできる。
【００４４】本発明が対象とするビニル化合物は嵩高い
置換基を有するビニル化合物であり、本発明においては
下記のビニル化合物（Ｉ）を対象とする。 ビニル化合物（Ｉ）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒで表され、置換
基Ｒの立体パラメータＥｓが−１．６４以下であり、か
つ置換基Ｒの立体パラメータＢ１が１．５３以上である
ビニル化合物。
【００４５】ここでいう立体パラメータＥｓおよびＢ１
は、置換基の立体的嵩高さを表すパラメータ（Ｅｓは三
次元的な広がりを、Ｂ１は二次元的な広がりを表す）で
あり、文献（Ｃ．Ｈａｎｓｃｈ ａｎｄ Ａ．Ｌｅｏ：
“Ｅｘｐｌｏｒｉｎｇ ＱＳＡＲ Ｆｕｎｄａｍｅｎｔ
ａｌｓ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｉｎＣｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｂｉｏｌｏｇｙ”Ｃｈａｐｔ
ｅｒ３（ＡＣＳ Ｐｒｏｆｅｓｓｉｏｎａｌ Ｒｅｆｅ
ｒｅｎｃｅ Ｂｏｏｋ，Ｗａｓｉｎｇｔｏｎ，ＤＣ（１
９９５））に記載されている方法で求める。
【００４６】以下に、ビニル化合物（Ｉ）を例示する。
【００４７】参考のため、嵩高くない置換基を有するい
くつかのビニル化合物の立体パラメータを以下に示す。
【００４８】本発明はより嵩高い置換基を有するビニル
化合物により好適に適用される。該置換基Ｒの立体パラ
メータＥｓとして好ましくは−３．１０〜−１．７０で
あり、より好ましくは−２．８０〜−１．７２であり、
特に好ましくは、−２．３５〜−１．７５であり、最も
好ましくは、−２．１０〜−１．７５である。また置換
基Ｒの立体パラメータＢ１として好ましくは１．５３〜
２．９０であり、より好ましくは１．７０〜２．７０で
あり、特に好ましくは１．９１〜２．６０である。得ら
れる共重合体の性質について説明すると、該立体パラメ
ータＥｓが大きすぎたり、該立体パラメータＢ１が小さ
すぎると、弾性回復性や遅延回復性に劣り好ましくな
い。また本発明は、置換基Ｒが炭化水素基であるビニル
化合物（Ｉ）に好適であり、置換基Ｒが飽和炭化水素基
であるビニル化合物（Ｉ）にさらに好適である。
【００４９】また、本発明が対象とする嵩高い置換基を
有するビニル化合物は、別な観点では、下記のビニル化
合物（II）である。 ビニル化合物（II）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒ’で表され、置
換基Ｒ’が２級アルキル基または３級アルキル基である
ビニル化合物。
【００５０】ここでいう２級アルキル基または３級アル
キル基として好ましくは、炭素原子数３〜２０の２級ア
ルキル基または炭素原子数４〜２０の３級アルキル基で
ある。Ｒはシクロアルキル基であってもよく、その場合
に、好ましくは３〜１６員環のシクロアルキル基であ
り、より好ましくは３〜１０員環の炭素原子数３〜２０
のシクロアルキル基である。Ｒ’として好ましくは、３
〜１０員環の炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基ま
たは炭素原子数４〜２０の３級アルキル基である。
【００５１】かかるビニル化合物（II）の具体例として
は、ビニルシクロプロパン、ビニルシクロブタン、ビニ
ルシクロペンタン、ビニルシクロヘキサン、ビニルシク
ロヘプタン、ビニルシクロオクタン、３−メチル−１−
ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−
ヘキセン、３−メチル−１−ヘプテン、３−メチル−１
−オクテン、３，３−ジメチル−１−ブテン、３，３−
ジメチル−１−ペンテン、３，３−ジメチル−１−ヘキ
セン、３，３−ジメチル−１−ヘプテン、３，３−ジメ
チル−１−オクテン、３，４−ジメチル−１−ペンテ
ン、３，４−ジメチル−１−ヘキセン、３，４−ジメチ
ル−１−ヘプテン、３，４−ジメチル−１−オクテン、
３，５−ジメチル−１−ヘキセン、３，５−ジメチル−
１−ヘプテン、３，５−ジメチル−１−オクテン、３，
６−ジメチル−１−ヘプテン、３，６−ジメチル−１−
オクテン、３，７−ジメチル−１−オクテン、３，３，
４−トリメチル−１−ペンテン、３，３，４−トリメチ
ル−１−ヘキセン、３，３，４−トリメチル−１−ヘプ
テン、３，３，４−トリメチル−１−オクテン、３，
４，４−トリメチル−１−ペンテン、３，４，４−トリ
メチル−１−ヘキセン、３，４，４−トリメチル−１−
ヘプテン、３，４，４−トリメチル−１−オクテン、５
−ビニル−２−ノルボルネン、１−ビニルアダマンタ
ン、４−ビニル−１−シクロヘキセンなどが挙げられ
る。
【００５２】より好ましいビニル化合物（II）は、ビニ
ルシクロペンタン、ビニルシクロヘキサン、ビニルシク
ロヘプタン、ビニルシクロオクタン、５−ビニル−２−
ノルボルネン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−
１−ペンテン、３−メチル−１−ヘキセン、３，３−ジ
メチル−１−ブテン、３，３−ジメチル−１−ペンテ
ン、３，４−ジメチル−１−ペンテン、３，５−ジメチ
ル−１−ヘキセン、３，３，４−トリメチル−１−ペン
テン、または３，４，４−トリメチル−１−ペンテンで
ある。さらに好ましいビニル化合物（II）は、ビニルシ
クロヘキサン、ビニルノルボルネン、３−メチル−１−
ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３，３−ジメチル
−１−ブテン、３，４−ジメチル−１−ペンテン、また
は３，３，４−トリメチル−１−ペンテンであり、特に
好ましいビニル化合物（II）は、ビニルシクロヘキサ
ン、または３，３−ジメチル−１−ブテンである。
【００５３】本発明においては、嵩高い置換基を有する
ビニル化合物は単独重合または共重合される。共重合の
場合、複数種類のビニル化合物同士を共重合させること
も、ビニル化合物と共重合可能な他の付加重合性モノマ
ーとを共重合させることも可能である。後者の場合にお
いて、本発明は高い共重合性を示す。
【００５４】前記他の付加重合性モノマーとしてはオレ
フィンが好ましく、さらに好ましくはエチレンおよび／
またはα−オレフィンである。かかるα−オレフィンの
具体例としては、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテ
ン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−
ノネン、１−デセン等の直鎖状オレフィン類、３−メチ
ル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチ
ル−１−ペンテン、５−メチル−１−ヘキセン等の分岐
状オレフィン類等が挙げられる。より好ましいα−オレ
フィンは、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１
−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、または４−
メチル−１−ペンテンであり、特に好ましくはプロピレ
ン、１−ブテン、または１−へキセンである。
【００５５】かかる共重合体において、嵩高い置換基を
有するビニル化合物の共重合組成は０．１〜９９ｍｏｌ
％といった広範囲の共重合体に本発明は適用しうる。本
発明は特に、該共重合組成の高い共重合体の製造に有用
であり、該共重合組成として好ましくは５〜９９ｍｏｌ
％であり、さらに好ましくは１５〜９９ｍｏｌ％であ
り、特に好ましくは２５〜９９ｍｏｌ％である。該共重
合組成が低すぎると、共重合体はその骨格中でオレフィ
ン単位の連鎖に由来する結晶を形成することがあり、透
明性の点で好ましくない。該共重合組成は、1 Ｈ−ＮＭ
Ｒスペクトルや13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを用いる定法に
より容易に求められる。
【００５６】本発明により製造される重合体のポリマー
骨格中（ポリマーの分子鎖中に分岐したポリマー鎖があ
る場合はそれも含む。）には、嵩高い置換基を有するビ
ニル化合物由来の２級炭素原子と３級炭素原子とが存在
する。また、エチレンと嵩高い置換基を有するビニル化
合物との共重合体の場合にはエチレン由来の２級炭素原
子も存在し、プロピレン等のα−オレフィンとの共重合
体の場合にはα−オレフィン由来の２級炭素原子と３級
炭素原子も存在する。ポリマー骨格中のシーケンスに応
じて、３級炭素原子同士が１個のメチレン基によって隔
てられた構造や、２個のメチレン基によって隔てられた
構造、３個のメチレン基によって隔てられた構造、４個
以上のメチレン基によって隔てられた構造が存在しう
る。かかるポリマー構造は、13Ｃ−ＮＭＲスペクトルに
より決定される。本発明で製造される共重合体として
は、２個以上の嵩高い置換基を有するビニル化合物がHe
ad-to-Tail様式で結合した連鎖を有する共重合体も得ら
れ、その場合には３級炭素原子同士が１個のメチレン基
によって隔てられた構造が存在する。
【００５７】オレフィン以外の前記他の付加重合性モノ
マーの具体例としては、メチルビニルエーテル、エチル
ビニルエーテル、アクリル酸、メチルアクリレート、エ
チルアクリレート、メチルメタクリレート、アクリロニ
トリル、酢酸ビニル等が挙げられ、それらの１種または
２種以上が共重合に用いられてもよい。
【００５８】
【実施例】以下、実施例および比較例によって本発明を
さらに詳細に説明するが、本発明はかかる実施例により
その範囲を限定されるものではない。なお、実施例中に
おける重合体の性質は、下記の方法によって測定した。
【００５９】極限粘度［η］は、ウベローデ型粘度計を
用い、テトラリンを溶媒として１３５℃で測定した。
【００６０】ガラス転移点および融点は、ＤＳＣ（セイ
コー電子工業社製 ＳＳＣ−５２００）を用いて、以下
の条件で測定した。 昇温 ２０℃〜２００℃（２０℃／分）１０分間保持 冷却 ２００℃〜−５０℃（２０℃／分）１０分間保持 測定 −５０℃〜３００℃（２０℃／分）
【００６１】重合体中のビニルシクロヘキサン単位共重
合組成および重合体の構造は、13Ｃ−ＮＭＲ解析により
求めた。13 Ｃ−ＮＭＲ装置 ＢＲＵＫＥＲ社製 ＤＲＸ６００ 測定溶媒 オルトジクロロベンゼンとオルトジクロロベ
ンゼン−ｄ４の４：１（容積比）混合液 測定温度 １３５℃
【００６２】［実施例１］アルゴンで置換した４００ｍ
ｌのオートクレーブ中にビニルシクロヘキサン２１ｍ
ｌ、脱水トルエン １２５ｍｌを投入した。３０℃に昇
温後、エチレンを０．８ＭＰａ仕込んだ。メチルアルモ
キサンのトルエン溶液［東ソー・アクゾ（株）製ＭＭＡ
Ｏ、Ａｌ原子換算濃度 ６ｗｔ％］２．８ｍｌを仕込
み、つづいてイソプロピリデンビス（１−インデニル）
ジルコニウムジクロリド［Ｂｏｕｌｄｅｒ製］ １．１
ｍｇを脱水トルエン １．１ｍｌに溶解させたものを仕
込んだ。反応液を１時間攪拌した後、反応液をエタノー
ル ５００ｍｌ中に投じ、沈殿した白色固体をロ取し
た。該固体をエタノールで洗浄後、減圧乾燥した結果、
重合体 ２６．２３ｇを得た。該重合体の［η］は０．
６３ｄｌ／ｇで、ビニルシクロヘキサンの共重合組成は
１８ｍｏｌ％であった。該重合体のプレスシートは非常
に透明性が高く、また柔軟性および弾性回復性に優れて
いた。得られた重合体の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図１
に示す。シクロヘキシル基で置換された炭素原子同士
が、３個のメチレン基によって隔てられる構造および１
個のメチレン基によって隔てられる構造を有することが
確認できた。
【００６３】［実施例２］実施例１におけるイソプロピ
リデンビス（１−インデニル）ジルコニウムジクロリド
１．１ｍｇを脱水トルエン １．１ｍｌに溶解させた
ものを、イソプロピリデンビス（４，５−ベンゾ−１−
インデニル）ジルコニウムジクロリド［Ｂｏｕｌｄｅｒ
製］ １．３ｍｇを脱水トルエン １．３ｍｌに溶解さ
せたものに変えた以外は実施例１と同様に行ったとこ
ろ、重合体 ２２．３６ｇを得た。該重合体の［η］は
０．６９ｄｌ／ｇで、ビニルシクロヘキサンの共重合組
成は２０ｍｏｌ％であった。該重合体のプレスシートは
非常に透明性が高く、また柔軟性および弾性回復性に優
れていた。得られた重合体の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを
図２に示す。シクロヘキシル基で置換された炭素原子同
士が、３個のメチレン基によって隔てられる構造および
１個のメチレン基によって隔てられる構造を有すること
が確認できた。
【００６４】［比較例１］実施例１における脱水トルエ
ン １２５ｍｌを脱水トルエン １２２ｍｌに変え、イ
ソプロピリデンビス（１−インデニル）ジルコニウムジ
クロリド １．１ｍｇを脱水トルエン １．１ｍｌに溶
解させたものを、ビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジクロリド［Ｓｔｒｅｍ社製］ ２．２ｍｇを脱水ト
ルエン ４．５ｍｌに溶解させたものに変えた以外は実
施例１と同様に行ったところ、重合体 １１．７０ｇを
得た。該重合体のビニルシクロヘキサンの共重合組成は
０．３１ｍｏｌ％であった。得られた重合体の13Ｃ−Ｎ
ＭＲスペクトルを図３に示す。
【００６５】［実施例３］アルゴンで置換した４００ｍ
ｌのオートクレーブ中にビニルシクロヘキサン１０３ｍ
ｌ、脱水トルエン ４４ｍｌを投入した。３０℃に昇温
後、エチレンを０．８ＭＰａ仕込んだ。メチルアルモキ
サンのトルエン溶液［東ソー・アクゾ（株）製ＭＭＡ
Ｏ、Ａｌ原子換算濃度 ６ｗｔ％］２．８ｍｌを仕込
み、つづいてイソプロピリデンビス（１−インデニル）
ジルコニウムジクロリド［Ｂｏｕｌｄｅｒ製］ １．１
ｍｇを脱水トルエン １．１ｍｌに溶解させたものを仕
込んだ。反応液を１時間攪拌した後、反応液をエタノー
ル ５００ｍｌ中に投じ、沈殿した白色固体をロ取し
た。該固体をエタノールで洗浄後、減圧乾燥した結果、
重合体 １８．６３ｇを得た。該重合体の［η］は０．
３４ｄｌ／ｇで、ビニルシクロヘキサンの共重合組成は
３６ｍｏｌ％であった。該重合体のプレスシートは非常
に透明性が高く、また柔軟性および弾性回復性に優れて
いた。得られた重合体の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図４
に示す。シクロヘキシル基で置換された炭素原子同士
が、３個のメチレン基によって隔てられる構造および１
個のメチレン基によって隔てられる構造を有することが
確認できた。
【００６６】［比較例２］実施例３における脱水トルエ
ン ４４ｍｌを脱水トルエン ４０ｍｌに変え、イソプ
ロピリデンビス（１−インデニル）ジルコニウムジクロ
リド １．１ｍｇを脱水トルエン １．１ｍｌに溶解さ
せたものを、ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
クロリド［Ｓｔｒｅｍ社製］ ２．２ｍｇを脱水トルエ
ン ４．５ｍｌに溶解させたものに変えた以外は実施例
３と同様に行ったところ、重合体０．１０ｇを得た。該
重合体のビニルシクロヘキサンの共重合組成は０．２３
ｍｏｌ％であった。得られた重合体の13Ｃ−ＮＭＲスペ
クトルを図５に示す。
【００６７】［実施例４］アルゴンで置換した３００ｍ
ｌのガラスリアクター中にビニルシクロヘキサン６８．
４ｍｌ、脱水トルエン ２６．６ｍｌを投入した。３０
℃に昇温後、エチレンを０．１ＭＰａ仕込んだ。メチル
アルモキサンのトルエン溶液［東ソー・アクゾ（株）製
ＭＭＡＯ、Ａｌ原子換算濃度 ６ｗｔ％］２．８ｍｌを
仕込み、つづいてイソプロピリデンビス（インデニル）
ジルコニウムジクロリド［Ｂｏｕｌｄｅｒ製］ １．１
ｍｇを脱水トルエン ２．２ｍｌに溶解させたものを仕
込んだ。反応液を４０分間攪拌した後、反応液をエタノ
ール ５００ｍｌ中に投じ、沈殿した白色固体をロ取し
た。該固体をエタノールで洗浄後、減圧乾燥した結果、
重合体 ２０．８０ｇを得た。該重合体の［η］は０．
３５ｄｌ／ｇで、ガラス転移点は９３℃、ビニルシクロ
ヘキサンの共重合組成は８２ｍｏｌ％であった。該重合
体のプレスシートは非常に透明性が高かった。得られた
重合体の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図６に示す。シクロ
ヘキシル基で置換された炭素原子同士が、３個のメチレ
ン基によって隔てられる構造および１個のメチレン基に
よって隔てられる構造を有することが確認できた。
【００６８】［実施例５］アルゴンで置換した３００ｍ
ｌのガラスリアクター中にビニルシクロヘキサン６８．
４ｍｌ、脱水トルエン ３ｍｌを投入した。３０℃に昇
温後、メチルアルモキサンのトルエン溶液［東ソー・ア
クゾ（株）製ＭＭＡＯ、Ａｌ原子換算濃度 ６ｗｔ％］
６．９ｍｌを仕込み、つづいてイソプロピリデンビス
（インデニル）ジルコニウムジクロリド［Ｂｏｕｌｄｅ
ｒ製］ ２１．６ｍｇを脱水トルエン ２１．６ｍｌに
溶解させたものを仕込んだ。反応液を１時間攪拌した
後、反応液をエタノール ５００ｍｌ中に投じ、沈殿し
た白色固体をロ取した。該固体をエタノールで洗浄後、
減圧乾燥した結果、重合体 ４４．４０ｇを得た。該重
合体の融点は２３８℃、３８１℃であった。得られた重
合体の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図７に示す。
【００６９】［実施例６］アルゴンで置換した３００ｍ
ｌのガラスリアクター中にビニルシクロヘキサン６８．
４ｍｌ、脱水トルエン １７．３ｍｌを投入した。３０
℃に昇温後、プロピレンを０．１ＭＰａ仕込んだ。メチ
ルアルモキサンのトルエン溶液［東ソー・アクゾ（株）
製ＭＭＡＯ、Ａｌ原子換算濃度 ６ｗｔ％］５．６ｍｌ
を仕込み、つづいてイソプロピリデンビス（インデニ
ル）ジルコニウムジクロリド［Ｂｏｕｌｄｅｒ製］
４．３ｍｇを脱水トルエン ８．７ｍｌに溶解させたも
のを仕込んだ。反応液を１時間攪拌した後、反応液をエ
タノール ５００ｍｌ中に投じ、沈殿した白色固体をロ
取した。該固体をエタノールで洗浄後、減圧乾燥した結
果、重合体 ２９．００ｇを得た。該重合体の［η］は
０．１８ｄｌ／ｇで、ガラス転移点は６２℃、ビニルシ
クロヘキサンの共重合組成は５５ｍｏｌ％であった。該
重合体のプレスシートは非常に透明性が高かった。得ら
れた重合体の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図８に示す。
【００７０】［実施例７］アルゴンで置換した４００ｍ
ｌのオートクレーブ中に３，３−ジメチル−１−ブテン
１８０ｍｌ、脱水トルエン ５ｍｌを投入した。３０
℃に昇温後、エチレンを０．２ＭＰａ仕込んだ。メチル
アルモキサンのトルエン溶液［東ソー・ファインケム
（株）製ＭＭＡＯ、Ａｌ原子換算濃度 ６ｗｔ％］５．
６ｍｌを仕込み、つづいてイソプロピリデンビス（イン
デニル）ジルコニウムジクロリド［Ｂｏｕｌｄｅｒ製］
４．３ｍｇを脱水トルエン ８．７ｍｌに溶解させた
ものを仕込んだ。反応液を１時間攪拌した後、反応液を
エタノール ５００ｍｌ中に投じ、沈殿した白色固体を
ロ取した。該固体をエタノールで洗浄後、減圧乾燥した
結果、重合体 １．９８ｇを得た。該重合体の［η］は
２．１３ｄｌ／ｇで、融点は１２３℃、３，３−ジメチ
ル−１−ブテンの共重合組成は２．３ｍｏｌ％であっ
た。該重合体のプレスシートは非常に透明性が高く、ま
た柔軟性および弾性回復性に優れていた。得られた重合
体の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図９に示す。
【００７１】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
嵩高い置換基を有するビニル化合物の共重合体を共重合
性よく製造したりその単独重合体を容易に製造し得る触
媒成分および重合用触媒、並びに、嵩高い置換基を有す
るビニル化合物の共重合体を共重合性よく製造したりそ
の単独重合体を容易に製造する方法が提供される。また
本発明によれば、嵩高い置換基を有するビニル化合物の
共重合体を共重合性よく製造したりその単独重合体を容
易に製造する遷移金属化合物の使用方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、実施例１で得られた共重合体の13Ｃ−
ＮＭＲスペクトルである。
【図２】図２は、実施例２で得られた共重合体の13Ｃ−
ＮＭＲスペクトルである。
【図３】図３は、比較例１で得られた共重合体の13Ｃ−
ＮＭＲスペクトルである。
【図４】図４は、実施例３で得られた共重合体の13Ｃ−
ＮＭＲスペクトルである。
【図５】図５は、比較例２で得られた共重合体の13Ｃ−
ＮＭＲスペクトルである。
【図６】図６は、実施例４で得られた共重合体の13Ｃ−
ＮＭＲスペクトルである。
【図７】図７は、実施例５で得られた共重合体の13Ｃ−
ＮＭＲスペクトルである。
【図８】図８は、実施例６で得られた共重合体の13Ｃ−
ＮＭＲスペクトルである。
【図９】図９は、実施例７で得られた共重合体の13Ｃ−
ＮＭＲスペクトルである。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J028 AA01A AB00A AB01A AC01A AC10A AC20A AC28A AC29A BA00A BA02B BA03B BA04B BA05B BB00A BB01B BB02B BB03B BC12B BC13B 4J128 AA01 AB00 AB01 AC01 AC10 AC20 AC28 AC29 AD00 BA00A BA02B BA03B BA04B BA05B BB00A BB01B BB02B BB03B BC12B BC13B

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下記ビニル化合物（Ｉ）または下記ビニル
    化合物（II）を付加重合させる際に用いる触媒成分であ
    って、下記一般式［１］で表される遷移金属化合物から
    なるビニル化合物重合用触媒成分。 ビニル化合物（Ｉ）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒで表され、置換
    基Ｒの立体パラメータＥｓが−１．６４以下であり、か
    つ置換基Ｒの立体パラメータＢ１が１．５３以上である
    ビニル化合物。 ビニル化合物（II）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒ’で表され、置
    換基Ｒ’が２級アルキル基または３級アルキル基である
    ビニル化合物。 （式中、Ｍは遷移金属原子を表し、Ｃｐ1およびＣｐ2は
    それぞれ独立に、シクロペンタジエン形アニオン骨格を
    有する基を表す。Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素
    原子または炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表し、そ
    れらはいっしょになってＣとともに環状構造を形成して
    いてもよい。Ｘは、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０
    の炭化水素基、またはヘテロ原子を含有する基を表し、
    ｎは０〜４の数を表す。）
  2. 【請求項２】下記ビニル化合物（Ｉ）または下記ビニル
    化合物（II）を付加重合させる際に用いる触媒であっ
    て、（Ａ）下記一般式［１］で表される遷移金属化合物
    と、下記（Ｂ）および／または下記（Ｃ）とを接触させ
    て得られるビニル化合物重合用触媒。 ビニル化合物（Ｉ）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒで表され、置換
    基Ｒの立体パラメータＥｓが−１．６４以下であり、か
    つ置換基Ｒの立体パラメータＢ１が１．５３以上である
    ビニル化合物。 ビニル化合物（II）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒ’で表され、置
    換基Ｒ’が２級アルキル基または３級アルキル基である
    ビニル化合物。 （式中、Ｍは遷移金属原子を表し、Ｃｐ1およびＣｐ2は
    それぞれ独立に、シクロペンタジエン形アニオン骨格を
    有する基を表す。Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素
    原子または炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表し、そ
    れらはいっしょになってＣとともに環状構造を形成して
    いてもよい。Ｘは、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０
    の炭化水素基、またはヘテロ原子を含有する基を表し、
    ｎは０〜４の数を表す。） （Ｂ）：下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）から選ばれる１種以上
    のアルミニウム化合物 （Ｂ１）一般式 Ｅ1 aＡｌＺ3-aで示される有機アルミ
    ニウム化合物 （Ｂ２）一般式 ｛−Ａｌ（Ｅ2）−Ｏ−｝bで示される
    構造を有する環状のアルミノキサン （Ｂ３）一般式 Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ3）−Ｏ−｝cＡｌＥ3
    2で示される構造を有する線状のアルミノキサン （但し、Ｅ1、Ｅ2およびＥ3は、それぞれ炭化水素基で
    あり、全てのＥ1、全てのＥ2および全てのＥ3は同じで
    あっても異なっていても良い。Ｚは水素原子またはハロ
    ゲン原子を表し、全てのＺは同じであっても異なってい
    ても良い。ａは０＜ａ≦３を満足する数を、ｂは２以上
    の整数を、ｃは１以上の整数を表す。） （Ｃ）：下記（Ｃ１）〜（Ｃ３）から選ばれる１種以上
    のホウ素化合物 （Ｃ１）一般式 ＢＱ1Ｑ2Ｑ3で表されるホウ素化合
    物、 （Ｃ２）一般式 Ｇ+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表されるホ
    ウ素化合物、 （Ｃ３）一般式 （Ｌ−Ｈ）+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表
    されるホウ素化合物 （但し、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ
    1〜Ｑ4はハロゲン原子、炭化水素基、ハロゲン化炭化水
    素基、置換シリル基、アルコキシ基または２置換アミノ
    基であり、それらは同じであっても異なっていても良
    い。Ｇ+は無機または有機のカチオンであり、Ｌは中性
    ルイス塩基であり、（Ｌ−Ｈ）+はブレンステッド酸で
    ある。）。
  3. 【請求項３】請求項２記載のビニル化合物重合用触媒を
    用いて下記ビニル化合物（Ｉ）または下記ビニル化合物
    （II）を付加重合するビニル化合物重合体の製造方法。 ビニル化合物（Ｉ）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒで表され、置換
    基Ｒの立体パラメータＥｓが−１．６４以下であり、か
    つ置換基Ｒの立体パラメータＢ１が１．５３以上である
    ビニル化合物。 ビニル化合物（II）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒ’で表され、置
    換基Ｒ’が２級アルキル基または３級アルキル基である
    ビニル化合物。
  4. 【請求項４】ビニル化合物重合体が、オレフィンとビニ
    ル化合物（Ｉ）またはビニル化合物（II）との共重合体
    である請求項３記載のビニル化合物重合体の製造方法。
  5. 【請求項５】ビニル化合物重合体が、ビニル化合物
    （Ｉ）またはビニル化合物（II）の単独重合体である請
    求項３記載のビニル化合物重合体の製造方法。
  6. 【請求項６】下記ビニル化合物（Ｉ）または下記ビニル
    化合物（II）を付加重合させるに際し触媒成分として使
    用することを特徴とする下記一般式［１］で表される遷
    移金属化合物の使用方法。 ビニル化合物（Ｉ）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒで表され、置換
    基Ｒの立体パラメータＥｓが−１．６４以下であり、か
    つ置換基Ｒの立体パラメータＢ１が１．５３以上である
    ビニル化合物。 ビニル化合物（II）：ＣＨ2＝ＣＨ−Ｒ’で表され、置
    換基Ｒ’が２級アルキル基または３級アルキル基である
    ビニル化合物。 （式中、Ｍは遷移金属原子を表し、Ｃｐ1およびＣｐ2は
    それぞれ独立に、シクロペンタジエン形アニオン骨格を
    有する基を表す。Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素
    原子または炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表し、そ
    れらはいっしょになってＣとともに環状構造を形成して
    いてもよい。Ｘは、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０
    の炭化水素基、またはヘテロ原子を含有する基を表し、
    ｎは０〜４の数を表す。）
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