JP2002324741A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットを低下させることなく、かつ装
置構成上の問題を伴うことなく、フットプリントを小さ
くすることができる、複数の処理ユニットを備えた処理
装置を提供すること。 【解決手段】 基板Gに対して液処理を含む一連の処理
を行う処理装置100は、基板Gが略水平に搬送されつつ所
定の液処理が行われる複数の液処理ユニット21,23,24
と、複数の液処理ユニット21,23,24のそれぞれに対応し
て設けられ、対応する液処理後に所定の熱的処理を行う
複数の熱的処理ユニットが集約して設けられた複数の熱
的処理ユニットセクション26,27,28とを具備し、熱的処
理ユニットセクション26,27,28の少なくとも１つは、複
数の熱的処理ユニットが処理の順に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示装
置（ＬＣＤ）ガラス基板等の被処理基板に対してレジス
ト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後
に行う熱的処理のような複数の処理を施す処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤの製造においては、被処理基板で
あるＬＣＤガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォ
トレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パタ
ーンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理す
るという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回
路パターンを形成する。

【０００３】このフォトリソグラフィー技術では、被処
理基板であるＬＣＤ基板は、主な工程として、洗浄処理
→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジス
ト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという
一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形
成する。

【０００４】従来、このような処理は、各処理を行う処
理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した
形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により
各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセス
ブロックを一または複数配置してなる処理システムによ
り行われている。このような処理システムは、基本的に
中央搬送装置によるランダムアクセス処理を行うもので
あることから、洗浄処理ユニットや現像処理ユニットを
平面的に複数配置し、また、ベーキングやクーリング等
を行う熱的処理ユニットを多数配置して高スループット
の処理を実現している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶ
ような巨大なものまで出現するに至り、上述のような中
央搬送装置を用いる処理システムでは搬送路の面積が大
きくなるとともに、洗浄処理ユニットや現像処理ユニッ
トを平面的に複数配置することにより、フットプリント
が極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点
からフットプリントの縮小が強く求められている。

【０００６】フットプリントを小さくするためには、処
理ユニットを上下方向に重ねることが考えられ、従来か
ら熱的処理ユニットを多段に積み重ねることも行われて
いるが、現行の処理システムにおいては、スループット
向上の観点から中央搬送装置は大型の基板を水平方向に
高速かつ高精度に移動させており、基板が大型化した場
合に、これに加えて高さ方向にも高速かつ高精度に移動
させることには自ずから限界があり、小フットプリント
と高スループットとを両立させることは困難である。ま
た、基板の大型化にともない処理ユニットも大型化して
おり、レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等
のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困
難である。

【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、スループットを低下させることなく、かつ装
置構成上の問題を伴うことなく、フットプリントを小さ
くすることができる、複数の処理ユニットを備えた処理
装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決する手段】上記課題を解決するために、本
発明の第１の観点では、被処理基板に対して複数の液処
理を含む一連の処理を行う処理装置であって、被処理基
板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる複数
の液処理ユニットと、前記複数の液処理ユニットのそれ
ぞれに対応して設けられ、対応する液処理後に所定の熱
的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けら
れた複数の熱的処理ユニットセクションとを具備し、前
記熱的処理ユニットセクションの少なくとも１つは、複
数の熱的処理ユニットが処理の順に配置されていること
を特徴とする処理装置を提供する。

【０００９】上記処理装置において、前記複数の液処理
ユニットおよび複数の熱的処理ユニットセクションは、
実質的に処理の順に実質的に２列に配置されていること
が好ましい。

【００１０】本発明の第２の観点では、被処理基板に対
して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連
の処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応
して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処
理ユニットを備えた処理部と、処理前の被処理基板およ
び／または処理後の被処理基板を収納する収納容器を載
置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入
出部と、処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡
しを行うインターフェイス部とを具備し、前記処理部
は、被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗
浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を
含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像
後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニッ
トと、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板
に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニット
が集約された第１の熱的処理ユニットセクションと、前
記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対
し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集
約された第２の熱的処理ユニットセクションと、前記現
像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定
の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された
第３の熱的処理ユニットセクションとを有し、前記第１
から第３の熱的処理ユニットセクションの少なくとも１
つは、複数の熱的処理ユニットが処理の順に配置されて
いることを特徴とする処理装置を提供する。

【００１１】上記処理装置において、前記処理部におけ
る前記洗浄処理ユニット、前記レジスト処理ユニット、
前記現像処理ユニット、および前記第１から第３の熱的
処理ユニットセクションは、実質的に処理の順にかつ実
質的に２列に配置されることが好ましい。

【００１２】上記本発明の第１の観点または第２の観点
に係る処理装置においては、前記少なくとも１つの熱的
処理ユニットセクションは、複数の熱的処理ユニットを
処理の順に水平に配置することができる。この場合に
は、このように複数の熱的処理ユニットが処理の順に水
平に配置された熱的処理ユニットセットが平面的に２セ
ット、または上下に２セット設けることが好ましい。ま
た、前記少なくとも１つの熱的処理ユニットセクション
は、複数の熱的処理ユニットを処理の順に垂直に配置す
ることができる。

【００１３】本発明によれば、洗浄処理、レジスト処
理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニッ
トをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の
液処理が行われるように構成したので、従来のような処
理ユニットの間の中央搬送路およびその中央搬送路を走
行する中央搬送装置をなくすることができ、その分省ス
ペース化を図ることができる。また、各液処理ユニット
毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニット
を集約して設けたのでその分省スペース化を図ることが
できるとともに、処理ユニットを被処理基板の処理の流
れに沿って配置することができるのでスループットを高
くすることができる。しかも、熱的処理ユニットセクシ
ョンの少なくとも１つは、複数の熱的処理ユニットが処
理の順に配置されているので、その熱的処理ユニットセ
クションでは複数の熱的処理ユニットに被処理基板を搬
入出する搬送装置が不要となり、被処理基板のハンドリ
ング性が良好となってそのことによってもスループット
を高めることができる。しかも、液処理ユニットの積層
も不要なため、装置的な問題も生じない。したがって、
スループットを高く維持しつつ、また装置構成上の問題
を伴うことなく、フットプリントを小さくすることがで
きる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実施
形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装
置を示す平面図である。

【００１５】このレジスト塗布現像処理装置１００は、
複数のＬＣＤガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置
するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇに
レジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための
複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理
部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行う
ためのインターフェイスステーション（インターフェイ
ス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端に
それぞれカセットステーション１およびインターフェイ
スステーション３が配置されている。なお、図１におい
て、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方
向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とす
る。

【００１６】カセットステーション１は、カセットＣと
処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行
うための搬送装置１１を備えており、このカセットステ
ーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が
行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有
し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けら
れた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａ
によりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇ
の搬入出が行われる。

【００１７】処理ステーション２は、基本的にＸ方向に
沿って伸びる平行な２列のライン２ａ，２ｂを有してお
り、一方のライン２ａはカセットステーション１側から
インターフェイスステーション３に向けて、スクラブ洗
浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱処理ユニット
セクション（ＴＳ）２６およびレジスト処理ユニット２
３が配列されて構成されており、他方のライン２ｂはイ
ンターフェイスステーション３側からカセットステーシ
ョン１に向けて、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ
線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的
処理ユニットセクション（ＴＳ）２８が設けられてい
る。ライン２ａ，２ｂの間は空間２０が形成されてい
る。また、インターフェイスステーション３に隣接した
位置に、上記ライン２ａから２ｂにかけて第２の熱的処
理ユニットセクション（ＴＳ）２７が設けられている。
さらに、上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１
の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）
２２が設けられている。なお、このエキシマＵＶ照射ユ
ニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラブ洗浄に先立って基板
Ｇの有機物を除去するためのものであり、上記ｉ線ＵＶ
照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行う
ためのものである。

【００１８】上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）
２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されること
なく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を
行うようになっている。このスクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送ま
たはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬
出口は相対向する短辺に設けられている。また、スクラ
ブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１への基板Ｇの搬入は
カセットステーション１の搬送装置１１により行われ
る。なお、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の
上に設けられたエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）
２２もカセットステーション１側に搬入口が設けられ、
搬送装置１１により基板Ｇが搬入される。

【００１９】上記現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、
その中で基板Ｇが回転されることなく、略水平に搬送さ
れつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処
理を行うようになっている。この現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）２４においても、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送
またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および
搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線
ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送
は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様
の機構により連続して行われる。

【００２０】レジスト処理ユニット２３は、図２のその
内部の平面図に示すように、カップ５０内で基板Ｇをス
ピンチャック５１により回転させつつ図示しないノズル
からレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理
装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜
を減圧容器５２内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）
２３ｂ、およびステージ５４に載置された基板Ｇの四辺
をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド５３により基板Ｇの周
縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除
去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されており、ガイ
ドレール５５にガイドされて移動する一対のサブアーム
５６により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。
このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基
板Ｇの搬入口５７および搬出口５８が設けられており、
ガイドレール５５はこれら搬入口５７および搬出口５８
から外側に延びてサブアーム５６により基板Ｇの受け渡
しが可能となっている。

【００２１】第１の熱的処理ユニットセクション（Ｔ
Ｓ）２６は、熱的処理ユニットが処理の順に配置されて
いる。具体的には、例えば図３の平面図に示すように、
基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う脱水ベークユニッ
ト（ＤＨＰ）６１ａ、基板Ｇに対して疎水化処理（アド
ヒージョン処理）を施すアドヒージョン処理ユニット
（ＡＤ）６２ａ、基板Ｇを冷却するクーリングユニット
（ＣＯＬ）６３ａがその順に水平に配列された熱的処理
ユニットセット３１ａと、脱水ベークユニット（ＤＨ
Ｐ）６１ｂ、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６２
ｂ、クーリングユニット（ＣＯＬ）６３ｂがその順に水
平に配列された熱的処理ユニットセット３１ｂとが平面
的に並列に配置されている。これら熱的処理ユニットセ
ット３１ａ，３１ｂは、コロ搬送等によりこれら熱的処
理ユニットの配列順に搬送して一連の熱的処理を行うよ
うになっている。また、熱的処理ユニットセット３１
ａ，３１ｂの搬入側には搬入側移動テーブル３２がレー
ル３２ａに沿って移動可能に設けられており、搬出側に
は搬出側移動テーブル３３がレール３３ａに沿って移動
可能に設けられていて、熱的処理ユニットセット３１
ａ，３１ｂのいずれか一方を選択的に用いることができ
るようになっている。そして、スクラブ洗浄処理ユニッ
ト（ＳＣＲ）２１から搬出された基板Ｇは搬入側移動テ
ーブル３２に受け取られ、搬出側移動テーブル３３の基
板Ｇはレジスト処理ユニット２３のサブアーム５６によ
り受け取られる。

【００２２】第２の熱的処理ユニットセクション（Ｔ
Ｓ）２７も、熱的処理ユニットが処理の順に配置されて
いる。具体的には、例えば図４の平面図に示すように、
基板Ｇに対してプリベーク処理を行うプリベーク処理ユ
ニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）６４ａ、その後に基板Ｇを冷
却するクーリングユニット（ＣＯＬ）６５ａがその順に
水平に配列された熱的処理ユニットセット３４ａと、プ
リベーク処理ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）６４ｂ、クー
リングユニット（ＣＯＬ）６５ｂがその順に水平に配列
された熱的処理ユニットセット３４ｂとが平面的に並列
に配置されている。これら熱的処理ユニットセット３４
ａ，３４ｂは、コロ搬送等によりこれら熱的処理ユニッ
トの配列順に搬送して一連の熱的処理を行うようになっ
ている。また、熱的処理ユニットセット３４ａ，３４ｂ
の搬入側には搬入側移動テーブル３５がレール３５ａに
沿って移動可能に設けられており、搬出側には搬出側移
動テーブル３６がレール３６ａに沿って移動可能に設け
られていて、熱的処理ユニットセット３４ａ，３４ｂの
いずれか一方を選択的に用いることができるようになっ
ている。そして、レジスト処理ユニット２３から搬出さ
れた基板Ｇは搬入側移動テーブル３５に受け取られ、搬
出側移動テーブル３６の基板Ｇは、インターフェイスス
テーション３の搬送装置４１に受け取られるか、または
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４に受け渡される。

【００２３】第３の熱的処理ユニットセクション（Ｔ
Ｓ）２８も、熱的処理ユニットが処理の順に配置されて
いる。具体的には、例えば図５の平面図に示すように、
基板Ｇに対してポストベーク処理を行うポストベーク処
理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）６６ａ、その後に基板Ｇを
冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）６７ａがその順
に水平に配列された熱的処理ユニットセット３７ａと、
ポストベーク処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）６６ｂ、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）６７ｂがその順に水平に配
列された熱的処理ユニットセット３７ｂとが平面的に並
列に配置されている。これら熱的処理ユニットセット３
７ａ，３７ｂは、コロ搬送等によりこれら熱的処理ユニ
ットの配列順に搬送して一連の熱的処理を行うようにな
っている。また、熱的処理ユニットセット３７ａ，３７
ｂの搬入側には搬入側移動テーブル３８がレール３８ａ
に沿って移動可能に設けられており、搬出側には搬出側
移動テーブル３９がレール３９ａに沿って移動可能に設
けられていて、熱的処理ユニットセット３７ａ，３７ｂ
のいずれか一方を選択的に用いることができるようにな
っている。そして、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）
２５から搬出された基板Ｇは搬入側移動テーブル３８に
受け取られ、搬出側移動テーブル３９の基板Ｇは、カセ
ットステーション１の搬送装置１１に受け取られる。

【００２４】インターフェイスステーション３は、処理
ステーション２と露光装置４との間での間で基板Ｇの搬
入出を行う搬送装置４１と、バッファーカセットを配置
するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３とを有してい
る。搬送装置４１はＹ方向に沿って設けられた搬送路４
２上を移動可能な搬送アーム４１ａを備え、この搬送ア
ーム４１ａが搬送路４２を移動するとともに、旋回およ
び前後動することにより処理ステーション２と露光装置
４との間で基板Ｇの搬入出が行われる。また、タイトラ
ー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に
積層された外部装置ブロック４４がインターフェイスス
テーション３に隣接して設けられている。

【００２５】このように構成されたレジスト塗布現像処
理装置１００においては、まず、カセットステーション
１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１
により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット
（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行
われる。次いで、搬送機構１１により、基板Ｇがエキシ
マＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置された
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、
スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが
従来のように回転されることなく略水平に搬送されつ
つ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、
これにより、従来、回転タイプのスクラブ洗浄処理ユニ
ットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ない
スペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理
後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニ
ットセクション（ＴＳ）２６の搬入側移動テーブル３２
に搬出される。

【００２６】搬入側移動テーブル３２に配置された基板
Ｇは、熱的処理ユニットセット３１ａまたは３１ｂのい
ずれかに搬入される。この際に搬入側移動テーブル３２
は、レール３２ａに沿って基板Ｇが搬入される熱的処理
ユニットセットに対応する位置に移動される。そして、
熱的処理ユニットセット３１ａが選択された場合には、
脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６１ａ、アドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）６２ａ、クーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）６３ａに例えばコロ搬送により順次搬送され、基
板Ｇに対して脱水ベーク処理、ＨＭＤＳによるアドヒー
ジョン処理（疎水化処理）、および冷却処理が順次施さ
れる。一方、熱的処理ユニットセット３１ｂが選択され
た場合には、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６１ｂ、ア
ドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６２ｂ、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）６３ｂに例えばコロ搬送により順次
搬送され、基板Ｇに対して脱水ベーク処理、ＨＭＤＳに
よるアドヒージョン処理（疎水化処理）、および冷却処
理が順次施される。このようにして第１の熱的処理ユニ
ットセクション（ＴＳ）２６による処理が終了した後、
基板Ｇは搬出側移動テーブル３３に搬出される。この際
には、搬出側移動テーブル３３はレール３３ａに沿って
基板Ｇが搬入される熱的処理ユニットセットに対応する
位置に移動される。基板Ｇが搬出側移動テーブル３３に
搬出された後、搬出側移動テーブル３３はレジスト処理
ユニット２３の搬入口５７に対応する位置に移動され
る。

【００２７】その後、搬出側移動テーブル３３に配置さ
れた基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブアーム５
６によりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そ
して、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装置（Ｃ
Ｔ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇに対するレジスト
液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム５６によ
り減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥さ
れ、さらにサブアーム５６により周縁レジスト除去装置
（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジス
トが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基
板Ｇはサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３
から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置
（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂを設
けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布し
た基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポスト
ベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が
基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥
装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことによ
り、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥
する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影
響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることが
でき、基板上に転写が生じることを有効に防止すること
ができるからである。

【００２８】このようにして塗布処理が終了し、サブア
ーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出され
た基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション（Ｔ
Ｓ）２７の搬入側移動テーブル３５に受け渡される。搬
入側移動テーブル３５に配置された基板Ｇは、熱的処理
ユニットセット３４ａまたは３４ｂのいずれかに搬入さ
れる。この際に搬入側移動テーブル３５は、レール３５
ａに沿って基板Ｇが搬入される熱的処理ユニットセット
に対応する位置に移動される。そして、熱的処理ユニッ
トセット３４ａが選択された場合には、プリベークユニ
ット（ＰＲＥＢＡＫＥ）６４ａ、クーリングユニット
（ＣＯＬ）６５ａに例えばコロ搬送により順次搬送さ
れ、基板Ｇに対してプリベーク処理および冷却処理が順
次施される。一方、熱的処理ユニットセット３４ｂが選
択された場合には、プリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）６４ｂ、クーリングユニット（ＣＯＬ）６５ｂに例
えばコロ搬送により順次搬送され、基板Ｇに対してプリ
ベーク処理および冷却処理が順次施される。このように
して第２の熱的処理ユニットセクション（ＴＳ）２７に
よる処理が終了した後、基板Ｇは搬出側移動テーブル３
６に搬出される。この際には、搬出側移動テーブル３６
はレール３６ａに沿って基板Ｇが搬入される熱的処理ユ
ニットセットに対応する位置に移動される。基板Ｇが搬
出側移動テーブル３６に搬出された後、搬出側移動テー
ブル３６はインターフェイスステーション３に対応する
位置に配置され、その位置でその上の基板Ｇがインター
フェイスステーション３の搬送装置４１に受け取られ
る。

【００２９】基板Ｇは搬送装置４１により露光装置４に
搬送されてそこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所
定のパターンが形成される。この場合に、基板Ｇを直接
に露光装置４に搬送してもよいし、バッファーステージ
（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットに基板Ｇを収容し
てから露光装置４に搬送してもよい。

【００３０】露光終了後、基板Ｇはインターフェイスス
テーション３の搬送装置４１により外部装置ブロック４
４の下段の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジ
スト除去のための露光が行われ、次いで上段のタイトラ
ー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が
記された後、再び第２の熱的処理ユニットセクション
（ＴＳ）２７の搬出側移動テーブル３６に受け渡され
る。基板Ｇを受け取った搬出側移動テーブル３６はレー
ル３６ａに沿って現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４に対
応する位置まで移動され、例えばコロ搬送により基板Ｇ
が現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処
理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のよう
に回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に
搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および
乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、
回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと
同じ処理能力をより少ないスペースで実現することがで
きる。

【００３１】現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬
送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送
され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。

【００３２】その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット
（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送機構、例えばコロ搬送により
第３の熱的処理ユニットセクション（ＴＳ）２８の搬入
側移動テーブル３８に受け渡される。搬入側移動テーブ
ル３８に配置された基板Ｇは、熱的処理ユニットセット
３７ａまたは３７ｂのいずれかに搬入される。この際に
搬入側移動テーブル３８は、レール３８ａに沿って基板
Ｇが搬入される熱的処理ユニットセットに対応する位置
に移動される。そして、熱的処理ユニットセット３７ａ
が選択された場合には、ポストベークユニット（ＰＯＢ
ＡＫＥ）６６ａ、クーリングユニット（ＣＯＬ）６７ａ
に例えばコロ搬送により順次搬送され、基板Ｇに対して
ポストベーク処理および冷却処理が順次施される。一
方、熱的処理ユニットセット３７ｂが選択された場合に
は、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）６６ｂ、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）６７ｂに例えばコロ搬送に
より順次搬送され、基板Ｇに対してポストベーク処理お
よび冷却処理が順次施される。このようにして第３の熱
的処理ユニットセクション（ＴＳ）２８による処理が終
了した後、基板Ｇは搬出側移動テーブル３９に搬出され
る。この際には、搬出側移動テーブル３９はレール３９
ａに沿って基板Ｇが搬入される熱的処理ユニットセット
に対応する位置に移動される。基板Ｇが搬出側移動テー
ブル３９に搬出された後、カセットステーション１の搬
送装置１１によって、カセットステーション１に配置さ
れている所定のカセットＣに収容される。

【００３３】以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４をその中で基板Ｇが略水
平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成
し、従来のような処理ユニットの間の中央搬送路および
その中央搬送路を走行する中央搬送装置をなくすること
ができるのでその分省スペース化を図ることができ、ま
た、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジス
ト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２４ごとに、その後の熱的処理を行う複数の熱的処
理ユニットを集約して第１から第３の熱的処理ユニット
セクション（ＴＳ）２６，２７，２８を設けたのでその
分省スペース化を図ることができるとともに、処理ユニ
ットを被処理基板の処理の流れに沿って配置することが
できるのでスループット高くすることができる。しか
も、これら熱的処理ユニットセクション（ＴＳ）２６，
２７，２８は、複数の熱的処理ユニットが処理の順に水
平に配置されているので、複数の熱的処理ユニットに被
処理基板を搬入出する搬送装置が不要となり、被処理基
板のハンドリング性が良好となってそのことによっても
スループットを高めることができる。しかも、スクラブ
洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニッ
ト２３、および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の積層
も不要なため、装置的な問題も生じない。したがって、
高スループットを維持しつつ、かつ装置構成上の問題を
伴うことなく、フットプリントを小さくすることができ
る。

【００３４】また、各熱的処理ユニットセクションにお
いて、複数の熱的処理ユニットが処理の順に水平に配置
されている熱的処理ユニットセットを２つ並列に配置し
たので、一方が塞がっていても他方で熱的処理を行うこ
とができ、その分スループットをより高めることができ
る。

【００３５】さらに、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣ
Ｒ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理
ユニット（ＤＥＶ）２４ならびに第１および第３の熱的
処理ユニットセクション２６，２８を処理の順に、平行
な２列のライン２ａ，２ｂとなるように配置し、かつこ
の２列のラインの間に第２の熱的処理ユニットセクショ
ン（ＴＳ）２７を設け、基板Ｇをこの２列のラインに沿
ってＵターン状に流しながら一連の処理を行うようにし
たので、このことによってもフットプリント減少効果を
高くすることができる。しかも、このように各処理ユニ
ットを２列のラインにしたことにより、両側面から全て
の処理ユニットのメンテナンスを行うことができるの
で、メンテナンス性が極めて高い。そして、これらライ
ン２ａ，２ｂの間の空間２０をメンテナンススペースと
して利用することもできる。さらに、スクラブ洗浄処理
ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２４では、基板Ｇを回転させずに水平方向に搬送し
ながら処理を行ういわゆる平流し方式であるので、従来
基板Ｇを回転させる際に多く発生していたミストを減少
させることが可能となる。

【００３６】次に、他の実施形態について説明する。本
実施形態では、上記実施形態とは各熱的処理ユニットセ
クションの構造が異なっている。すなわち、上記実施形
態では、各熱的処理ユニットセクションにおいて２つの
熱的処理ユニットセットを平面的に並列させたが、本実
施形態では図６から図８に示すように上下に並列させて
いる。

【００３７】図６はこのような構造を有する第１の熱的
処理ユニットセクション（ＴＳ）２６′を示す側面図で
ある。この第１の熱的処理ユニットセクション（ＴＳ）
２６′は、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６１ａ′、ア
ドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６２ａ′、クーリン
グユニット（ＣＯＬ）６３ａ′がその順に水平に配列さ
れた熱的処理ユニットセット３１ａ′と、脱水ベークユ
ニット（ＤＨＰ）６１ｂ′、アドヒージョン処理ユニッ
ト（ＡＤ）６２ｂ′、クーリングユニット（ＣＯＬ）６
３ｂ′がその順に水平に配列された熱的処理ユニットセ
ット３１ｂ′とが上下に配置されている。また、処理ユ
ニットセット３１ａ′，３１ｂ′の搬入側には搬入側昇
降テーブル７１が昇降可能に設けられており、搬出側に
は搬出側昇降テーブル７２が昇降可能に設けられてい
て、処理ユニットセット３１ａ′，３１ｂ′のいずれか
一方を選択的に用いることができるようになっている。
そして、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１から
搬出された基板Ｇは搬入側昇降テーブル７１に受け取ら
れ、搬出側昇降テーブル７２の基板Ｇはレジスト処理ユ
ニット２３のサブアーム５６により受け取られる。

【００３８】図７はこのような構造を有する第２の熱的
処理ユニットセクション（ＴＳ）２７′を示す側面図で
ある。この第２の熱的処理ユニットセクション（ＴＳ）
２７′は、プリベーク処理ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
６４ａ′、クーリングユニット（ＣＯＬ）６５ａ′がそ
の順に水平に配列された熱的処理ユニットセット３４
ａ′と、プリベーク処理ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）６
４ｂ′、クーリングユニット（ＣＯＬ）６５ｂ′がその
順に水平に配列された熱的処理ユニットセット３４ｂ′
とが上下に配置されている。また、熱的処理ユニットセ
ット３４ａ′，３４ｂ′の搬入側には搬入側昇降テーブ
ル７３が昇降可能に設けられており、搬出側には搬出側
昇降テーブル７４が昇降可能に設けられていて、処理ユ
ニットセット３４ａ′，３４ｂ′のいずれか一方を選択
的に用いることができるようになっている。そして、レ
ジスト処理ユニット２３から搬出された基板Ｇは搬入側
昇降テーブル７３に受け取られ、搬出側昇降テーブル７
４の基板Ｇは、インターフェイスステーション３の搬送
装置４１に受け取られるか、または現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４に受け渡される。

【００３９】図８はこのような構造を有する第３の熱的
処理ユニットセクション（ＴＳ）２８′を示す側面図で
ある。この第３の熱的処理ユニットセクション（ＴＳ）
２８′は、ポストベーク処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）
６６ａ′、クーリングユニット（ＣＯＬ）６７ａ′がそ
の順に水平に配列された熱的処理ユニットセット３７
ａ′と、ポストベーク処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）６
６ｂ′、クーリングユニット（ＣＯＬ）６７ｂ′がその
順に水平に配列された熱的処理ユニットセット３７ｂ′
とが上下に配置されている。また、熱的処理ユニットセ
ット３７ａ′，３７ｂ′の搬入側には搬入側昇降テーブ
ル７５が昇降可能に設けられており、搬出側には搬出側
昇降テーブル７６が昇降可能に設けられていて、熱的処
理ユニットセット３７ａ′，３７ｂ′のいずれか一方を
選択的に用いることができるようになっている。そし
て、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５から搬出さ
れた基板Ｇは搬入側昇降テーブル７５に受け取られ、搬
出側昇降テーブル７６の基板Ｇは、カセットステーショ
ン１の搬送装置１１に受け取られる。

【００４０】なお、いずれの実施形態においても、各熱
的処理ユニットセクションにおいて、熱的処理ユニット
セットを２列配置したが、これに限らず１列でも３列以
上でもよい。２列にすることにより１列の場合よりもス
ループットが向上するが、逆にフットプリントは大きく
なる。したがって、スループットおよびフットプリント
の兼ね合いで熱的処理ユニットセットの数が決定され
る。このようにスループットおよびフットプリントのバ
ランスを考慮すると２列に配置することが好ましい。

【００４１】次に、さらに他の実施形態について説明す
る。本実施形態においても各熱的処理ユニットセクショ
ンの構造に特徴がある。すなわち、上記２つの実施形態
では、熱的処理ユニットを処理の順に水平に配置した
が、本実施形態では図９から図１１に示すように熱的処
理ユニットを高さ方向に処理の順に積層して一筆書き状
にこれら熱的処理ユニットを順次搬送する。この場合に
は、フットプリントを一層小さくすることができる。

【００４２】図９はこのような構造を有する第１の熱的
処理ユニットセクション（ＴＳ）２６″を示す側面図で
ある。この第１の熱的処理ユニットセクション（ＴＳ）
２６″は、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）８１、アドヒ
ージョン処理ユニット（ＡＤ）８２、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）８３がその順に垂直に配列されて熱的処理
ユニットセット３１ｃを構成しており、その両側にそれ
ぞれ搬入側昇降テーブル９１および搬出側昇降テーブル
９２が設けられている。したがって、スクラブ洗浄処理
ユニット（ＳＣＲ）２１から搬出された基板Ｇが搬入側
昇降テーブル９１に受け取られ、矢印に沿って脱水ベー
クユニット（ＤＨＰ）８１、アドヒージョン処理ユニッ
ト（ＡＤ）８２、クーリングユニット（ＣＯＬ）８３と
順次搬送され、搬出側昇降テーブル９２に搬出される。

【００４３】図１０はこのような構造を有する第２の熱
的処理ユニットセクション（ＴＳ）２７″を示す側面図
である。この第２の熱的処理ユニットセクション（Ｔ
Ｓ）２７″は、２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）８４，８５およびクーリングユニット（ＣＯＬ）
８６がその順に垂直に配列されて熱的処理ユニットセッ
ト３４ｃを構成しており、その両側にそれぞれ搬入側昇
降テーブル９３および搬出側昇降テーブル９４が設けら
れている。したがって、レジスト処理ユニット２３から
搬出された基板Ｇが搬入側昇降テーブル９３に受け取ら
れ、矢印に沿ってプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）８４、プリベーク処理ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
８５、クーリングユニット（ＣＯＬ）８６と順次搬送さ
れ、搬出側昇降テーブル９４に搬出される。なお、プリ
ベーク処理ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）８４，８５を２
つ重ねたのは、プリベーク処理の時間が冷却時間よりも
２倍以上長く、かつユニットを３段積層することにより
円滑に基板Ｇを搬送することができるからである。すな
わち、プリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）を２つ重
ねることにより、プリベーク処理の時間を十分にとるこ
とができるとともに、ユニットを３段積層することによ
り矢印に沿って最上段のユニットまで達した基板Ｇをそ
のまま次のユニットに搬送することが可能となる。

【００４４】図１１はこのような構造を有する第３の熱
的処理ユニットセクション（ＴＳ）２８″を示す側面図
である。この第３の熱的処理ユニットセクション（Ｔ
Ｓ）２８″は、２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡ
ＫＥ）８７，８８およびクーリングユニット（ＣＯＬ）
８９がその順に垂直に配列されて熱的処理ユニットセッ
ト３７ｃを構成しており、その両側にそれぞれ搬入側昇
降テーブル９５および搬出側昇降テーブル９６が設けら
れている。したがって、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−Ｕ
Ｖ）２５から搬出された基板Ｇが搬入側昇降テーブル９
５に受け取られ、矢印に沿ってポストベーク処理ユニッ
ト（ＰＯＢＡＫＥ）８７、ポストベーク処理ユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）８８、クーリングユニット（ＣＯＬ）
８９と順次搬送され、搬出側昇降テーブル９４に搬出さ
れる。なお、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を
２段重ねたのは、プリベーク処理ユニットの場合と同じ
理由による。

【００４５】図９から図１１の実施形態において、３段
積層して構成された熱的処理ユニットセットを２または
それ以上並列に設けてもよい。これにより、スループッ
トをさらに向上させることができる。

【００４６】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例
えば、上記実施形態では全ての熱的処理ユニットセクシ
ョンにおいて、熱的処理ユニットを処理の順に配置して
順次これらに搬送して処理を行うように構成したが、必
ずしも全てがこのような構成でなくてもよい。また、装
置レイアウトはあくまでも例示であり、これに限るもの
ではない。処理に関しても上記のようにレジスト塗布現
像処理装置による処理に限られるものではなく、液処理
と熱的処理を行う他の装置に適用することも可能であ
る。さらに被処理基板としてＬＣＤ基板を用いた場合に
ついて示したが、これに限らずカラーフィルター等の他
の被処理基板の処理の場合にも適用可能であることはい
うまでもない。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
洗浄処理、レジスト処理、現像処理のような液処理を行
う複数の液処理ユニットをその中で被処理基板が略水平
に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成した
ので、従来のような処理ユニットの間の中央搬送路およ
びその中央搬送路を走行する中央搬送装置をなくするこ
とができ、その分省スペース化を図ることができる。ま
た、各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複
数の熱的処理ユニットを集約して設けたのでその分省ス
ペース化を図ることができるとともに、処理ユニットを
被処理基板の処理の流れに沿って配置することができる
のでスループットを高くすることができる。しかも、熱
的処理ユニットセクションの少なくとも１つは、複数の
熱的処理ユニットが処理の順に配置されているので、そ
の熱的処理ユニットセクションでは複数の熱的処理ユニ
ットに被処理基板を搬入出する搬送装置が不要となり、
被処理基板のハンドリング性が良好となってそのことに
よってもスループットを高めることができる。しかも、
液処理ユニットの積層も不要なため、装置的な問題も生
じない。したがって、スループットを高く維持しつつ、
また装置構成上の問題を伴うことなく、フットプリント
を小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るＬＣＤガラス基板の
レジスト塗布現像処理装置を示す平面図。

【図２】本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板のレジス
ト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部を示
す平面図。

【図３】図１のＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置
の第１の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に
示す平面図。

【図４】図１のＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置
の第２の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に
示す平面図。

【図５】図１のＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置
の第３の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に
示す平面図。

【図６】本発明の他の実施形態における第１の熱的処理
ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。

【図７】本発明の他の実施形態における第２の熱的処理
ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。

【図８】本発明の他の実施形態における第３の熱的処理
ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。

【図９】本発明のさらに他の実施形態における第１の熱
的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面
図。

【図１０】本発明のさらに他の実施形態における第２の
熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面
図。

【図１１】本発明のさらに他の実施形態における第３の
熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面
図。

【符号の説明】

１……カセットステーション ２……処理ステーション ２ａ，２ｂ……ライン ３……インターフェイスステーション ２１……スクラブ洗浄処理ユニット（液処理ユニット） ２３……レジスト処理ユニット（液処理ユニット） ２４……現像処理ユニット（液処理ユニット） ２６，２６′，２６″……第１の熱的処理ユニットセク
ション ２７，２７′，２７″……第２の熱的処理ユニットセク
ション ２８，２８′，２８″……第３の熱的処理ユニットセク
ション ３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３
７ａ，３７ｂ，３７ｃ……熱的処理ユニットセット ３２，３３，３５，３６，３８，３９……移動テーブル ７１，７２，７３，７４，７５，７６，９１，９２，９
３，９４，９５，９６……昇降テーブル １００……レジスト塗布現像処理装置（処理装置） Ｇ……ＬＣＤガラス基板

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F042 AA02 AA10 DA01 DB01 5F043 AA40 BB27 DD30 EE36 EE40 GG10 5F046 AA28

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板に対して複数の液処理を含む
   一連の処理を行う処理装置であって、 被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行わ
   れる複数の液処理ユニットと、 前記複数の液処理ユニットのそれぞれに対応して設けら
   れ、対応する液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱
   的処理ユニットが集約して設けられた複数の熱的処理ユ
   ニットセクションとを具備し、 前記熱的処理ユニットセクションの少なくとも１つは、
   複数の熱的処理ユニットが処理の順に配置されているこ
   とを特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】 前記複数の液処理ユニットおよび複数の
   熱的処理ユニットセクションは、実質的に処理の順に実
   質的に２列に配置されていることを特徴とする請求項１
   に記載の処理装置。
3. 【請求項３】 被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布
   および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置で
   あって、 前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定
   の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、 処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板
   を収納する収納容器を載置し、前記処理部に対して被処
   理基板を搬入出する搬入出部と、 処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡しを行う
   インターフェイス部とを具備し、 前記処理部は、 被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処
   理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、 被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を
   含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、 被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像
   後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニッ
   トと、 前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対
   し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集
   約された第１の熱的処理ユニットセクションと、 前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に
   対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが
   集約された第２の熱的処理ユニットセクションと、 前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対
   し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集
   約された第３の熱的処理ユニットセクションとを有し、 前記第１から第３の熱的処理ユニットセクションの少な
   くとも１つは、複数の熱的処理ユニットが処理の順に配
   置されていることを特徴とする処理装置。
4. 【請求項４】 前記処理部における前記洗浄処理ユニッ
   ト、前記レジスト処理ユニット、前記現像処理ユニッ
   ト、および前記第１から第３の熱的処理ユニットセクシ
   ョンは、実質的に処理の順にかつ実質的に２列に配置さ
   れることを特徴とする請求項３に記載の処理装置。
5. 【請求項５】 前記少なくとも１つの熱的処理ユニット
   セクションは、複数の熱的処理ユニットが処理の順に水
   平に配置されていることを特徴とする請求項１から請求
   項４のいずれか１項に記載の処理装置。
6. 【請求項６】 前記少なくとも１つの熱的処理ユニット
   セクションは、複数の熱的処理ユニットが処理の順に水
   平に配置された熱的処理ユニットセットが平面的に２セ
   ット設けられていることを特徴とする請求項５に記載の
   処理装置。
7. 【請求項７】 前記少なくとも１つの熱的処理ユニット
   セクションは、複数の熱的処理ユニットが処理の順に水
   平に配置された熱的処理ユニットセットが上下に２セッ
   ト設けられていることを特徴とする請求項５に記載の処
   理装置。
8. 【請求項８】 前記少なくとも１つの熱的処理ユニット
   セクションは、複数の熱的処理ユニットが処理の順に垂
   直に配置されていることを特徴とする請求項１から請求
   項４のいずれか１項に記載の処理装置。