JP2002314368A - 薄膜バルク音響共振器装置、及びこれを製造するための改良された方法 - Google Patents

薄膜バルク音響共振器装置、及びこれを製造するための改良された方法

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    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks

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Abstract

(57)【要約】 【課題】製造を容易に行うことのできる薄膜バルク音響
共振器の構成及びその製造のための改良された方法を提
供すること。 【解決手段】表面（２０４）を備えた基板（２０２）上
に配置された音響共振器を製造する方法は、表面（２０
４）に凹部（２０６）をエッチングする工程と、凹部
（２０６）を犠牲材料で充填する工程と、エッチング孔
（２２０）を備えた音響共振器を基板上に形成する工程
と、その後犠牲材料を除去する工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、音響共振器の技術
に関する。さらに詳しくは、本発明は、電子回路におけ
るフィルタとして使うことができる電子・機械的な共振
器に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器のコストと大きさを減少させる
というニーズは、より小型な信号フィルタリング部品に
対する継続的なニーズにつながっている。薄膜バルク音
響共振器（ＦＢＡＲ）と積層された薄膜バルク波音響共
振器及びフィルタ（ＳＢＡＲ）は、これらのニーズを満
足させる可能性を持ったフィルタ部品の一つの種類であ
る。簡略のために、これらのフィルタを以後、ＦＢＡＲ
と称する。
【０００３】ＦＢＡＲは、薄膜圧電（ＰＺ）材料中にバ
ルク縦音波を用いる音響共振器から構成される。図１に
示される１つの簡単な形状の例において、ＦＢＡＲ１０
０は、２つの金属電極１０４と１０６に挟まれたＰＺ材
料１０２の層を含んでいる。挟持構造体１００は、周辺
の回りを囲むように空気中に懸架されていることが好ま
しい。電界が印加される電圧を介してこれらの２つの電
極１０４と１０６間に発生するとき、ＰＺ材料１０２
は、電気エネルギのいくらかを波の形の物理的エネルギ
に変換する。この波は、電界と同じ方向に伝播し、共振
周波数を含むある周波数において電極／空気インターフ
ェースで反射される。共振周波数において、装置１００
は、電子的な共振器として使われるので、装置は、フィ
ルタとして機能できることになる。この技術を用いて、
ＧＨｚ範囲におけるアプリケーションのために共振器
は、直径１００ミクロン以下、厚さ数ミクロン以下の物
理的な大きさを備える。
【０００４】ＦＢＡＲは、基板材料上に集積回路部材を
作り上げ又は形成するために共通して使われる付着又は
成膜技術を用いて製造される。しかしながら、ＦＢＡＲ
の製造処理は、ＦＢＡＲが空気中に懸架配置する好まし
い構成を実現することは、まれな挑戦となる。懸架され
たＦＢＡＲを製造するための技術の１つによれば、まず
基板上にＦＢＡＲを付着させ、次いでＦＢＡＲ下方の基
板を完全に除去する。これは、図１に示されており、Ｆ
ＢＡＲ下方の基板１１０は、ＦＢＡＲを懸架するために
除去されている。しかしながら、ＦＢＡＲ下方の基板の
除去は、ＦＢＡＲを露出させることになって機械的な一
体性に問題が生じる。また、基板の下側をエッチングす
ることは難しい。
【０００５】懸架されたＦＢＡＲを製造する他の技術
は、まず基板の表面上に一時的な支持層膜の付着とパタ
ーン化を行うものである。次に、一時的な支持膜の上に
ＦＢＡＲを作り上げる。次いで、アンダーカットエッチ
ングを行って一時的な支持膜を除去する。この技術は、
最初の技術（基板除去技術）と同様に、得られたＦＢＡ
Ｒに機械的な一体性の問題を発生させる。その上、一時
的な支持膜の完全な除去は、この一時的な支持膜に均一
でないあるいは不完全なエッチングが生じるために困難
である。しかも、アンダーカットエッチングは、完全に
は除去できない廃棄物を残すので、さらに問題を生じ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、犠牲材料を効
果的に除去して懸架されたＦＢＡＲを製造するために改
良された技術、及び、犠牲材料を効果的に除去できる装
置に対するニーズは、依然として存在するのである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述のニーズ
に対応するものである。本発明の１つの特徴によれば、
装置は、表面に凹部を備えた基板を有する。基板上に
は、音響共振器が凹部にまたがって構成され、この音響
共振器は、凹部へのアクセスを可能にするためのエッチ
ング孔を備えている。
【０００８】本発明の第２の特徴によれば、表面に凹部
を備えた基板上に音響共振器を作り上げる方法が、開示
される。まず、凹部が、表面の上にエッチングされ、犠
牲材料を充填される。次に、エッチング孔を備えた音響
共振器が、基板上に構成される。最後に、犠牲材料が、
除去される。
【０００９】本発明の第３の特徴によれば、装置は、表
面上に凹部を備えた基板を有し、この凹部は、エッチン
グチャンネルが設けられる。音響共振器が、基板上に作
り上げられて凹部をまたぐようにされる。
【００１０】本発明の第４の特徴によれば、表面を備え
た基板上に音響共振器を作り上げる方法が、開示され
る。まず、凹部が、基板の表面にエッチングして形成さ
れ、この凹部は、少なくとも１つのエッチングチャンネ
ルを備えるようにされ、犠牲材料によって充填される。
次に、基板上に音響共振器が構成される。最終的に、犠
牲材料が、除去される。
【００１１】本発明の他の特徴及び利点は、本発明の原
理を実施形態によって説明している添付の図面と組み合
わせられた以下の詳細な記述から明らかになるであろ
う。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照して本発明
の好適実施形態となる薄膜バルク音響共振器装置、及び
その製造方法について詳細に説明する。説明のための図
面に示されるように、本発明は、基板上に音響共振器
（例えば、ＦＢＡＲ）を作り上げる技術に適用される。
１つの実施形態において、凹部が、基板の表面でエッチ
ングして形成され、この凹部には、犠牲材料が充填され
る。次いで、ＦＢＡＲが、犠牲材料の上に形成され、こ
のＦＢＡＲは、少なくとも１つのエッチング孔を備えよ
うにされる。次いで、犠牲材料が、エッチング孔から除
去される。他の実施形態において、凹部は、犠牲材料が
除去される少なくとも１つのエッチングチャンネルを備
える。このエッチングチャンネルは、エッチング孔に整
合させられる。
【００１３】この技術を用いて構成されたＦＢＡＲは、
従来周知のＦＢＡＲに対して利点を備えている。まず、
基板はＦＢＡＲ下方から完全には除去されないので、Ｆ
ＢＡＲは、保護されるとともに処理中に良好な機械的な
支持を受ける。さらに、犠牲材料が、迅速かつ完璧に除
去される。このようにして、エッチング液に長時間浸さ
れていることから生じる問題は、最小にされ、犠牲材料
の不均一なあるいは不十分なエッチングに関係する問題
も最小にされる。
【００１４】図２（ａ）は、本発明による一実施形態に
おける装置２００の正面図を説明している。図２（ｂ）
は、図２（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った装置２００の
側方から見た断面図である。図２（ａ）と図２（ｂ）を
参照すると、装置２００は、表面２０４を備えた基板２
０２を有している。基板２０２は、表面２０４にエッチ
ングされた凹部２０６を備えている。図２（ａ）におい
て、凹部２０６は、破線を付された多角形によって定め
られる領域２０６で示される。多角形の形状の領域２０
６は、凹部２０６によって画定される領域である。「水
泳プール」の如き凹部２０６の形状は、矩形あるいは直
交する形状に限定されない。実際のところ、凹部２０６
によってカバーされる領域２０６は、どのような多角形
であっても良く、例えば、四角形或いは五角形であるこ
とができる。１つの好ましい実施形態において、凹部２
０６によって定められる領域２０６は、エッジと頂点を
備えた多角形であって、それにおいてこれらのエッジの
２つは、互いに平行とはならない、或いは頂点の２つ
は、互いに同じ角度を備えていない、もしくはその両方
である。
【００１５】ＦＢＡＲ２１０は、凹部２０６をまたぐよ
うに基板２０２上に形成される。ＦＢＡＲ２１０は、第
１の電極２１４と第２の電極２１６間に挟まれた圧電
（ＰＺ）材料２１２の層を有している。ＦＢＡＲ２１０
は、凹部２０６へのアクセスを可能にするエッチング孔
２２０を備えている。エッチング孔２２０は、ＰＺ材料
２１２を介して及び電極２１４と２１６を介して孔を備
えており、これらの孔は、凹部２０６からＦＢＡＲ２１
０の表面に延びて配列されエッチング孔２２０を画定し
ている。１つの実施形態において、エッチング孔２２０
は、凹部２０６によって定められる領域２０６のほぼ中
心にあり、従って、エッチング孔２２０は、直径におい
て１０ミクロンの次数にあるが、１ミクロン以下から４
０ミクロン以上にわたることもできる。
【００１６】ＦＢＡＲは、エッチング孔２２２、２２
４、２２６及び２２８のような追加のエッチング孔を備
えることができる。説明された実施形態において、エッ
チング孔は、凹部２０６によって定められる領域２０６
の選択された頂点あるいは角またはその付近に配置され
る。
【００１７】装置２００は、基板２０２の表面２０４を
まずエッチングすることによって作り上げられて凹部２
０６を設ける。１つの実施形態において、凹部２０６
は、深さ約３ミクロン、面積約１０，０００〜３０，０
００平方ミクロンであることができる。これらの値は、
異なる材料を用いて、あるいは、これらのあるいは他の
因子の組み合わせにおいて異なる大きさの共振器、異な
る周波数の共振器を製造するために幅広く変化すること
ができる。基板２０２は、ケイ素あるいはその他の適切
な材料であることができる。次いで、凹部２０６は、リ
ンシリカガラス（ＰＳＧ）のような犠牲材料を充填さ
れ、基板２０２の表面２０４に対して同一平面の滑らか
な面を形成するように研磨される。次いで、ＦＢＡＲ２
１０が、現在犠牲材料を充填されている凹の領域２０６
にまたがって基板２０２の表面２０４に作り上げられ
る。装置２００の部分を製造する技術に関する追加の情
報は、Ｒｕｂｙなどに対して２０００年５月９日に与え
られた米国特許第６，０６０，８１８号に見出すことが
できる。この米国特許第６，０６０，８１８号は、以後
参照文献とされる。本発明では、ＦＢＡＲ２１０の層２
１４、２１２及び２１６は、少なくとも１つのエッチン
グ孔２２０を備えるように構成される。その上、ＦＢＡ
Ｒは、追加のエッチング孔２２２、２２４、２２６及び
２２８を備えるように作り上げられる。
【００１８】最終的に、凹部２０６内の犠牲材料は、装
置２００を、例えば、希釈されたフッ化水素酸（Ｈ
２Ｏ：ＨＦ）のようなエッチング液内に導き入れること
によって除去される。エッチング孔２２０（及び２２
２、２２４、２２６及び２２８のような他のエッチング
孔）は、犠牲材料をエッチングする目的のためにエッチ
ング液によって凹部２０６に対する迅速で完璧なアクセ
スを可能にする。エッチング液が犠牲材料を溶解する
と、廃棄物が、発生する。本発明において、廃棄物は、
エッチング孔２２０及び２２２、２２４、２２６及び２
２８のような他の追加のエッチング孔を介して凹部２０
６から効果的に除去される。
【００１９】図３（ａ）は、本発明による他の実施形態
の装置３００の平面図を示している。図３（ｂ）は、図
３（ａ）における線Ｂ−Ｂに沿った装置３００の側方の
断面図である。図３（ａ）と図３（ｂ）において、装置
３００は、表面３０４を備えた基板３０２を有してい
る。基板３０２は表面３０４上にエッチングされた凹部
３０６を有している。図３（ａ）において、凹部３０６
が、破線を用いて多角形領域３０６によって示されてい
る。図３（ａ）に示されている実施形態において、凹部
３０６は、エッチングチャンネル３０７ａ、３０７ｂ、
３０７ｃ、３０７ｄ、３０７ｅ、３０７ｆ、３０７ｇ及
び３０７ｈを備えている。単純化のために、エッチング
チャンネルは、以後、図３（ｂ）においてまとめて３０
７と称される。図３（ａ）は、説明のために８つのエッ
チングチャンネル３０７を示しているが、チャンネルの
数は、８つである必要もないし、８つに限定されること
もない。
【００２０】ＦＢＡＲ３１０は、エッチングチャンネル
３０７を含む凹部３０６にまたがって基板３０２上に作
り上げられる。ＦＢＡＲ３１０は、第１の電極３１４と
第２の電極３１６の間に挟まれた圧電（ＰＺ）材料３１
２の層を備えている。ＦＢＡＲは、凹部３０６へのアク
セスを可能にするためのエッチング孔３２０を備えてい
る。１つの実施形態において、エッチング孔３１０は、
凹部３０６によって定められた領域３０６のほぼ中心に
あって、エッチング孔３２０は、直径１０ミクロンの次
数の大きさであることができる。
【００２１】ＦＢＡＲ３１０は、図３（ｂ）には示され
ているが図３（ａ）には示されていないエッチング孔３
２２と３２４のような追加のエッチング孔を備えること
ができる。エッチング孔３２２と３２４は、エッチング
チャンネル３０７との混同を避けるために図３（ａ）に
は示されていない。これは、１つの実施形態において、
エッチング孔（３２２、３２４あるいは図３（ａ）ある
いは図３（ｂ）には示されていない他のエッチング孔）
がエッチングチャンネル３０７のそれぞれと整合するよ
うに作られるためである。
【００２２】装置３００の製造処理は、図２（ａ）と図
２（ｂ）に示されていてかつ上述したような装置２００
の製造処理と同じである。しかしながら、凹部３０６が
エッチングされるとき、エッチングチャンネル３０７
は、凹部３０６の一部分としてエッチングされなければ
ならない。従って、犠牲材料はまた、処理において後に
除去されるまでエッチングチャンネル３０７内に付着さ
れている。エッチング孔３２２、３２４その他は、エッ
チングチャンネル３０７の１つと整合されるように製造
されることが好ましい。
【００２３】最終的に、凹部３０６に充填されている犠
牲材料は、装置３００をエッチング液に導き入れること
によって除去される。
【００２４】チャンネル３０７とエッチング孔３２０
（及び３２２、３２４その他のような他のエッチング
孔）は、犠牲材料をエッチングする目的でエッチング液
によって凹部３０６に迅速かつ完璧にアクセスする可能
性を与える。廃棄物は、チャンネル、エッチング孔３２
０及び他の追加のエッチング孔を介して凹部３０６から
効果的に除去される。
【００２５】上述したように、本発明は、新規なもので
あり、現在の技術に利点を与えるものであることは明ら
かである。本発明は、さらに機械的な音響ＦＢＡＲを作
り出し、不均一及び／あるいは不完全な犠牲材料のエッ
チング、或いはエッチング液への延長された露出又はそ
の両方によリ生じる問題を最小にする。本発明は特定の
実施形態について記述されるとともに図示されたが、本
発明は、記述されるとともに図示された特定の形式や部
品の配列に限定されるものではない。例えば、本発明
は、装置とその基板との間の材料を除去する必要のある
ＳＢＡＲあるいは他の装置に適用することができる。当
業者によれば、本発明の範囲内で更に様々な変形・変更
が可能である。
【００２６】以下に添付図面を参照して本発明の好適実
施形態について説明すると、本発明は、装置（２００）
において、表面（２０４）上に凹部（２０６）を備えた
基板（２０２）と、及び、前記基板（２０２）上に作り
上げられ又は形成されるとともに前記凹部（２０６）に
またがり、前記凹部（２０６）へのアクセスを可能にす
るエッチング孔（２２０）を備えた音響共振器とを有す
る装置（２００）を提供する。
【００２７】好ましくは、前記凹部（２０６）が、前記
基板（２０２）の前記表面（２０４）上に所定の領域を
画定するとともに前記エッチング孔（２２０）が、前記
領域のほぼ中心に位置する。
【００２８】好ましくは、前記領域（２０６）が、多角
形としての形状を備え、前記装置（２００）が、さらに
追加のエッチング孔（２２２、２２４）を備え、前記エ
ッチング孔の１つが、多角形の前記領域（２０６）の選
択された頂点に位置する。
【００２９】好ましくは、多角形の形状の前記領域（２
０６）が、エッジを備え、前記エッジの２つが、他方に
対して平行ではない。
【００３０】好ましくは、多角形の形状の前記領域（２
０６）が、頂点を形成する角度を備え、前記頂点の２つ
が、同一の角度を備えていない。
【００３１】好ましくは、前記音響共振器が、薄膜バル
ク音響共振器（ＦＢＡＲ）であって、２つの電極（２１
４、２１６）間に挟まれた圧電材料（２１２）を含む。
【００３２】更に本発明は、表面（２０４）を備えた基
板（２０２）上に配置された音響共振器を製造する方法
において、前記表面（２０４）に凹部（２０６）をエッ
チングし、前記凹部（２０６）を犠牲材料で充填し、エ
ッチング孔（２２０）を備えた前記音響共振器を前記基
板（２０２）上に作り上げ又は形成し、及び、前記犠牲
材料を除去することを含む方法を提供する。
【００３３】好ましくは、前記凹部（２０６）が前記基
板（２０２）上の前記表面（２０４）に領域（２０６）
を画定し、前記エッチング孔（２２０）が、前記領域
（２０６）のほぼ中心に配置される。
【００３４】好ましくは、前記領域（２０６）中に多角
形の形状を備え、前記装置（２００）がさらに、追加の
エッチング孔（２２２、２２４）を備え、前記エッチン
グ孔が、多角形の前記領域（２０６）の選択された頂点
のそれぞれに位置する。
【００３５】更に、本発明は、装置（３００）におい
て、表面（３０４）上にエッチングチャンネル（３０
７）を形成された凹部（３０６）を備えた基板（３０
２）と、及び、前記基板（３０２）上に作り上げられ又
は形成されるとともに前記凹部（３０６）にまたがって
いる音響共振器とを有する装置（３００）を提供する。
【００３６】好ましくは、前記音響共振器が、前記凹部
（３０６）へのアクセスを可能にするエッチング孔（３
２０）を備える。
【００３７】好ましくは、前記凹部（３０６）が、前記
表面（３０４）上に領域（３０６）を備え、及び、前記
エッチング孔（３２０）が、前記領域（３０６）のほぼ
中央に配置される。
【００３８】好ましくは、前記音響共振器が、前記凹部
（３０６）へのアクセスのための前記エッチングチャン
ネル（３０７）の１つに整合するエッチング孔（３２
４）を備える。
【００３９】好ましくは、前記音響共振器が、エッチン
グ孔（３２２、３２４）を備え、前記エッチング孔のそ
れぞれが、選択されたエッチングチャンネル（３０７）
と整合される。
【００４０】更に、本発明は、表面（３０４）を備えた
基板（３０２）上に配置された音響共振器を製造する方
法において、少なくとも１つのエッチングチャンネル
（３０７）を備える凹部（３０６）を前記表面（３０
４）にエッチングし、前記凹部（３０６）を犠牲材料で
充填し、前記基板（３０２）上に前記音響共振器を作り
上げ又は形成し、及び、前記犠牲材料を除去することを
含む方法を提供する。
【００４１】好ましくは、前記音響共振器が、エッチン
グ孔（３２０）を備える。
【００４２】好ましくは、前記凹部（３０６）が、前記
基板（３０２）の前記表面（３０４）に領域（３０６）
を形成し、及び、前記エッチング孔（３２０）が、ほぼ
前記領域の中心に配置される。
【００４３】好ましくは、さらに、複数のエッチング孔
（３２２、３２４）を作り上げ又は形成し、前記エッチ
ング孔のそれぞれが、エッチングチャンネル（３０７）
に整合されている。
【００４４】好ましくは、前記凹部（３０６）が、エッ
ジを備えた多角形の形状の領域（３０６）を形成し、前
記エッジの２つが、他方に対して平行ではない。
【００４５】好ましくは、前記凹部（３０６）が、角度
を形成する頂点を備えた多角形の形状の領域（３０６）
を形成し、前記頂点の２つが、同一の角度を備えていな
い。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来周知のＦＢＡＲの断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の１つの実施形態によるＦＢ
ＡＲの正面図であり、及び（ｂ）は（ａ）に示されるＦ
ＢＡＲの断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の他の実施形態によるＦＢＡ
Ｒの正面図であり、及び（ｂ）は、（ａ）に示されるＦ
ＢＡＲの断面図である。
【符号の説明】
２００、３００ 装置 ２０２、３０２ 基板 ２０４、３０４ 表面 ２０６、３０６ 凹部 ２１２ 圧電材料 ２１４、２１６ 電極 ２２０、２２２、２２４、３２０、３２２、３２４ エ
ッチング孔 ３０７ エッチングチャンネル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リチャード・シー・ルビー アメリカ合衆国カリフォルニア州メンロパ ーク ナインスアベニュー567 (72)発明者 ポール・ブラッドリー アメリカ合衆国カリフォルニア州マウンテ ンビュー アパートメント120 ファイエ ット・ドライブ2680 (72)発明者 ユリー・オシュムヤンスキー アメリカ合衆国カリフォルニア州カマリー ロ イースト・ローランド・アベニュー 1730 (72)発明者 ドミンゴ・エー・フィグエレド アメリカ合衆国カリフォルニア州ユニオン シティ カーメルウェイ5804 Ｆターム(参考） 5J108 CC04 CC11 EE03 EE04 EE13 KK01 KK07 MM08

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】表面上に凹部を備えた基板と、及び、 前記基板上に形成されるとともに前記凹部にまたがり、
    前記凹部へのアクセスを可能にするエッチング孔を備え
    た音響共振器とを有することを特徴とする装置。
  2. 【請求項２】前記凹部が、前記基板の前記表面上に所定
    の領域を画定するとともに前記エッチング孔が、前記領
    域のほぼ中心に位置することを特徴とする請求項１に記
    載の装置。
  3. 【請求項３】前記領域が、多角形としての形状を備え、
    前記装置が、さらに追加のエッチング孔を備え、前記エ
    ッチング孔の１つが、多角形の前記領域の選択された頂
    点に位置することを特徴とする請求項２に記載の装置。
  4. 【請求項４】多角形の形状の前記領域が、エッジを備
    え、前記エッジの２つが、他方に対して平行ではないこ
    とを特徴とする請求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】多角形の形状の前記領域が、頂点を形成す
    る角度を備え、前記頂点の２つが、同一の角度を備えて
    いないことを特徴とする請求項３に記載の装置。
  6. 【請求項６】前記音響共振器が、薄膜バルク音響共振器
    であって、２つの電極間に挟まれた圧電材料を含むこと
    を特徴とする請求項１に記載の装置。
  7. 【請求項７】表面を備えた基板上に配置された音響共振
    器を製造する方法において、 前記表面に凹部をエッチングし、 前記凹部を犠牲材料で充填し、 エッチング孔を備えた前記音響共振器を前記基板上に形
    成し、及び、 前記犠牲材料を除去することを含むことを特徴とする方
    法。
  8. 【請求項８】前記凹部が前記基板上の前記表面に領域を
    画定し、前記エッチング孔が、前記領域のほぼ中心に配
    置されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】前記領域中に多角形の形状を備え、前記装
    置がさらに、追加のエッチング孔を備え、前記エッチン
    グ孔が、多角形の前記領域の選択された頂点のそれぞれ
    に位置することを特徴とする請求項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】表面上にエッチングチャンネルを形成さ
    れた凹部を備えた基板と、及び、 前記基板上に形成されるとともに前記凹部にまたがって
    いる音響共振器とを有することを特徴とする装置。
  11. 【請求項１１】前記音響共振器が、前記凹部へのアクセ
    スを可能にするエッチング孔を備えることを特徴とする
    請求項１０に記載の装置。
  12. 【請求項１２】前記凹部が、前記表面上に領域を備え、
    及び、前記エッチング孔が、前記領域のほぼ中央に配置
    されることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
  13. 【請求項１３】前記音響共振器が、前記凹部へのアクセ
    スのための前記エッチングチャンネルの１つに整合する
    エッチング孔を備えることを特徴とする請求項１０に記
    載の装置。
  14. 【請求項１４】前記音響共振器が、エッチング孔を備
    え、前記エッチング孔のそれぞれが、選択されたエッチ
    ングチャンネルと整合されていることを特徴とする請求
    項１０に記載の装置。
  15. 【請求項１５】表面を備えた基板上に配置された音響共
    振器を製造する方法において、 少なくとも１つのエッチングチャンネルを備える凹部を
    前記表面にエッチングして形成し、 前記凹部を犠牲材料で充填し、 前記基板上に前記音響共振器を形成し、及び、 前記犠牲材料を除去することを含むことを特徴とする方
    法。
  16. 【請求項１６】前記音響共振器が、エッチング孔を備え
    ることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】前記凹部が、前記基板の前記表面に領域
    を画定し、及び、前記エッチング孔が、ほぼ前記領域の
    中心に配置されることを特徴とする請求項１６に記載の
    方法。
  18. 【請求項１８】さらに、複数のエッチング孔を形成し、
    前記エッチング孔のそれぞれが、エッチングチャンネル
    に整合されていることを特徴とする請求項１５に記載の
    方法。
  19. 【請求項１９】前記凹部が、エッジを備えた多角形の形
    状の領域を画定し、前記エッジの２つが、他方に対して
    平行ではないことを特徴とする請求項１５に記載の方
    法。
  20. 【請求項２０】前記凹部が、角度を形成する頂点を備え
    た多角形の形状の領域を画定し、前記頂点の２つが、同
    一の角度を備えていないことを特徴とする請求項３に記
    載の装置。
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TW (1) TW514621B (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004328196A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス
KR100622955B1 (ko) 2004-04-06 2006-09-18 삼성전자주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법
JP2006254295A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Sony Corp 圧電共振素子の製造方法および圧電共振素子
US7224105B2 (en) 2003-11-20 2007-05-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric element, composite piezoelectric element, and filter, duplexer and communication equipment using the same
JP2007208728A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Fujitsu Media Device Kk 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法
US7301260B2 (en) 2002-12-27 2007-11-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Bulk acoustic wave device and method of manufacturing the same
JP2008022305A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Ube Ind Ltd 薄膜圧電共振器およびその製造方法
JP2008035358A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 薄膜圧電バルク波共振器及びそれを用いた高周波フィルタ
US7345402B2 (en) 2005-01-12 2008-03-18 Fujitsu-Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter using the same
US7432631B2 (en) 2004-05-31 2008-10-07 Fujitsu Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter and fabricating method
JP2008244725A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Ngk Insulators Ltd 圧電薄膜デバイス
JP2010062642A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Tdk Corp 薄膜バルク波共振器
KR101140064B1 (ko) * 2008-07-23 2012-04-30 다이요 유덴 가부시키가이샤 탄성파 디바이스
JP2012257019A (ja) * 2011-06-08 2012-12-27 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置
JP2018110367A (ja) * 2017-01-03 2018-07-12 ウィン セミコンダクターズ コーポレーション バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7275292B2 (en) 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
US7358831B2 (en) * 2003-10-30 2008-04-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging
US7391285B2 (en) * 2003-10-30 2008-06-24 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Film acoustically-coupled transformer
US7019605B2 (en) * 2003-10-30 2006-03-28 Larson Iii John D Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth
US6946928B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Thin-film acoustically-coupled transformer
JP4534158B2 (ja) * 2003-12-19 2010-09-01 宇部興産株式会社 圧電薄膜デバイスの製造方法
JP3945486B2 (ja) * 2004-02-18 2007-07-18 ソニー株式会社 薄膜バルク音響共振子およびその製造方法
US7161448B2 (en) * 2004-06-14 2007-01-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancements using recessed region
US20060059269A1 (en) * 2004-09-13 2006-03-16 Chien Chen Transparent recovery of switch device
US7388454B2 (en) * 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
US7098758B2 (en) * 2004-11-03 2006-08-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled thin-film resonators having an electrode with a tapered edge
US8981876B2 (en) * 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US20060125084A1 (en) * 2004-12-15 2006-06-15 Fazzio Ronald S Integration of micro-electro mechanical systems and active circuitry
US7202560B2 (en) * 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
US7427819B2 (en) * 2005-03-04 2008-09-23 Avago Wireless Ip Pte Ltd Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method
US7248131B2 (en) * 2005-03-14 2007-07-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Monolithic vertical integration of an acoustic resonator and electronic circuitry
US7369013B2 (en) * 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
US7436269B2 (en) * 2005-04-18 2008-10-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled resonators and method of making the same
US7492241B2 (en) * 2005-06-02 2009-02-17 The Regents Of The University Of California Contour-mode piezoelectric micromechanical resonators
US7443269B2 (en) * 2005-07-27 2008-10-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for selectively blocking radio frequency (RF) signals in a radio frequency (RF) switching circuit
JP4476903B2 (ja) * 2005-08-24 2010-06-09 株式会社東芝 薄膜圧電共振器およびフィルタ回路
US7868522B2 (en) 2005-09-09 2011-01-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjusted frequency temperature coefficient resonator
US7391286B2 (en) * 2005-10-06 2008-06-24 Avago Wireless Ip Pte Ltd Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters
US7675390B2 (en) * 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7425787B2 (en) * 2005-10-18 2008-09-16 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7423503B2 (en) * 2005-10-18 2008-09-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer
US7525398B2 (en) * 2005-10-18 2009-04-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier
US7463499B2 (en) * 2005-10-31 2008-12-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. AC-DC power converter
US7561009B2 (en) * 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
US7528681B2 (en) * 2005-12-20 2009-05-05 Palo Alto Research Center Incorporated Acoustic devices using an AlGaN piezoelectric region
US7612636B2 (en) * 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
US20070210724A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Mark Unkrich Power adapter and DC-DC converter having acoustic transformer
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US7479685B2 (en) * 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
CN100552706C (zh) * 2006-04-30 2009-10-21 中国科学院声学研究所 一种非接触无源射频标签及其阅读系统
US7629865B2 (en) * 2006-05-31 2009-12-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters
US7508286B2 (en) * 2006-09-28 2009-03-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. HBAR oscillator and method of manufacture
US20080202239A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Fazzio R Shane Piezoelectric acceleration sensor
US20090079514A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Tiberiu Jamneala Hybrid acoustic resonator-based filters
US7791435B2 (en) * 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US7732977B2 (en) * 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
US7855618B2 (en) * 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US8248185B2 (en) * 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US8902023B2 (en) * 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8193877B2 (en) * 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US20120181899A1 (en) * 2011-01-18 2012-07-19 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Piezoelectric resonator and elastic wave device
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
US10658998B2 (en) 2013-07-31 2020-05-19 Oepic Semiconductors, Inc. Piezoelectric film transfer for acoustic resonators and filters
JP6333540B2 (ja) * 2013-11-11 2018-05-30 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振子、フィルタ、及び分波器
KR101952856B1 (ko) * 2013-11-25 2019-02-27 삼성전기주식회사 압전 액추에이터
CN103873010B (zh) * 2014-03-17 2017-03-22 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN104833822B (zh) * 2015-02-03 2017-12-22 中国工程物理研究院电子工程研究所 膜片上fbar结构的微加速度计
CN105703732A (zh) * 2016-01-18 2016-06-22 佛山市艾佛光通科技有限公司 一种基于单晶AlN的薄膜体声波谐振器制备方法
US10284168B2 (en) * 2016-10-27 2019-05-07 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Bulk acoustic wave resonator
US10886888B2 (en) 2016-10-27 2021-01-05 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Bulk acoustic wave resonator having openings in an active area and a pillar beneath the opening
US10637435B2 (en) * 2016-12-22 2020-04-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and filter including the same
US10263587B2 (en) * 2016-12-23 2019-04-16 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Packaged resonator with polymeric air cavity package
KR20200031541A (ko) * 2018-09-14 2020-03-24 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 희생 층 에칭을 위한 릴리스 포트들의 위치들
CN109786270B (zh) * 2018-12-10 2020-05-12 贵州中科汉天下微电子有限公司 一种封装器件及其制造方法
CN111010109B (zh) * 2019-03-02 2024-01-26 天津大学 释放孔位于封装空间外的mems器件的封装
CN111010101A (zh) * 2019-03-12 2020-04-14 天津大学 带弧形结构的薄膜封装的mems器件组件及电子设备
US11616489B2 (en) * 2022-06-21 2023-03-28 Shenzhen Newsonic Technologies Co., Ltd. Bulk acoustic wave filter having release hole and fabricating method of the same
US20220321094A1 (en) * 2022-06-21 2022-10-06 Newsonic Technologies Bulk acoustic wave filter having release hole and fabricating method of the same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4502932A (en) * 1983-10-13 1985-03-05 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Acoustic resonator and method of making same
US4766666A (en) * 1985-09-30 1988-08-30 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing the same
US5090254A (en) * 1990-04-11 1992-02-25 Wisconsin Alumni Research Foundation Polysilicon resonating beam transducers
CH683050A5 (fr) * 1991-06-04 1993-12-31 Suisse Electronique Microtech Résonateur à quartz vibrant selon un mode fondamental de torsion.
US5275055A (en) * 1992-08-31 1994-01-04 Honeywell Inc. Resonant gauge with microbeam driven in constant electric field
SE9304145D0 (sv) * 1993-12-10 1993-12-10 Pharmacia Lkb Biotech Sätt att tillverka hålrumsstrukturer
US5759870A (en) * 1995-08-28 1998-06-02 Bei Electronics, Inc. Method of making a surface micro-machined silicon pressure sensor
US5772322A (en) * 1996-05-31 1998-06-30 Honeywell Inc. Resonant microbeam temperature sensor
US5903087A (en) * 1997-06-05 1999-05-11 Motorola Inc. Electrode edge wave patterns for piezoelectric resonator
US6060818A (en) * 1998-06-02 2000-05-09 Hewlett-Packard Company SBAR structures and method of fabrication of SBAR.FBAR film processing techniques for the manufacturing of SBAR/BAR filters
US6182513B1 (en) * 1998-12-23 2001-02-06 Radi Medical Systems Ab Resonant sensor and method of making a pressure sensor comprising a resonant beam structure
US6215375B1 (en) * 1999-03-30 2001-04-10 Agilent Technologies, Inc. Bulk acoustic wave resonator with improved lateral mode suppression
DE60032113T2 (de) * 2000-02-11 2007-06-28 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Integrierte Vorrichtung zur mikrofluidischen Temperaturregelung und dessen Herstellungsverfahren
US6384697B1 (en) * 2000-05-08 2002-05-07 Agilent Technologies, Inc. Cavity spanning bottom electrode of a substrate-mounted bulk wave acoustic resonator
US6355498B1 (en) * 2000-08-11 2002-03-12 Agere Systems Guartian Corp. Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing
KR100398363B1 (ko) * 2000-12-05 2003-09-19 삼성전기주식회사 Ｆｂａｒ 소자 및 그 제조방법

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7301260B2 (en) 2002-12-27 2007-11-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Bulk acoustic wave device and method of manufacturing the same
US7170371B2 (en) 2003-04-23 2007-01-30 Fujitsu Media Devices Limited Surface acoustic wave device with a thicker partial bus bar area and optimal bus bar to electrode tip gap
JP2004328196A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス
US7224105B2 (en) 2003-11-20 2007-05-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric element, composite piezoelectric element, and filter, duplexer and communication equipment using the same
KR100622955B1 (ko) 2004-04-06 2006-09-18 삼성전자주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법
US7432631B2 (en) 2004-05-31 2008-10-07 Fujitsu Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter and fabricating method
US7345402B2 (en) 2005-01-12 2008-03-18 Fujitsu-Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter using the same
JP4617936B2 (ja) * 2005-03-14 2011-01-26 ソニー株式会社 圧電共振素子の製造方法および圧電共振素子
JP2006254295A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Sony Corp 圧電共振素子の製造方法および圧電共振素子
JP2007208728A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Fujitsu Media Device Kk 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法
JP2008022305A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Ube Ind Ltd 薄膜圧電共振器およびその製造方法
JP2008035358A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 薄膜圧電バルク波共振器及びそれを用いた高周波フィルタ
JP2008244725A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Ngk Insulators Ltd 圧電薄膜デバイス
KR101140064B1 (ko) * 2008-07-23 2012-04-30 다이요 유덴 가부시키가이샤 탄성파 디바이스
US8723623B2 (en) 2008-07-23 2014-05-13 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, method of manufacturing acoustic wave device and transmission apparatus
JP2010062642A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Tdk Corp 薄膜バルク波共振器
JP2012257019A (ja) * 2011-06-08 2012-12-27 Murata Mfg Co Ltd 弾性波装置
JP2018110367A (ja) * 2017-01-03 2018-07-12 ウィン セミコンダクターズ コーポレーション バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法

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